JP2005216724A - 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法並びに有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 有機ＥＬ素子の特性が高い有機ＥＬ表示装置を製造することができ、またサイズが小型の有機ＥＬ表示装置の製造装置及びこの製造装置を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法並びにこの製造装置で製造された発光効率等の特性の高い有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】 有機ＥＬ層の一部又は全部を蒸着によって成膜し、有機ＥＬ素子の少なくとも１つの電極をスパッタによって成膜する有機ＥＬ表示装置の製造装置であって、１つのチャンバー１に、蒸着に使用される蒸着源３とスパッタに使用されるターゲット４が設けられ、有機ＥＬ表示装置の基板２を移動させずに蒸着とスパッタを行うものである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造装置及び製造方法並びに有機ＥＬ表示装置に関し、特に、製造の際に有機ＥＬ素子に対するダメージの少ない有機ＥＬ表示装置の製造装置等に関する。

近年の有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置の製造方法では、導電性酸化物薄膜等の透明電極をスパッタによって形成している。このスパッタでは、真空中でプラズマにより活性化された原子を、ターゲットに弾性衝突させることでターゲットからスパッタの物質をはじき出し、透明電極を形成している。このスパッタを行う際に、有機ＥＬ表示装置のガラス基板を加熱したり、基板に飛来する粒子の運動エネルギーを高くすることによって、特性のよい透明電極を作成することができる。またスパッタによって透明電極を成膜すると、緻密な膜が早いレートで形成することができるという利点もある。

従来のＥＬ表示装置の作成方法及び薄膜形成装置では、共通室に酸化用処理室、溶液塗布用処理室、焼成用処理室等の複数の処理室を設け、基板をある処理室から他の処理室に順次移動させることで、複数の処理を行っていた（例えば、特許文献１参照）。
特開２００１−１０２１７０号公報（図１〜図４）

しかし例えば、封止ガラス側から光を出射するトップ・エミッション方式の有機ＥＬ表示装置を製造する際には、透明電極を有機ＥＬ層の上に形成しなければならないが、この有機ＥＬ層はガラス基板等とは異なり、物理的にも化学的にもダメージを受けやすいものである。このため、従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法でトップ・エミッション方式の有機ＥＬ表示装置を製造すると、スパッタの際に有機ＥＬ層に物理的な衝撃や熱等が加わり、有機ＥＬ層の特性が劣化してしまうという問題点があった。また、スパッタの際にプラズマから発生する紫外線や高いエネルギーを持った粒子等によって、有機ＥＬ層が劣化してしまうという問題点もあった。

さらに、従来のＥＬ表示装置の作成方法及び薄膜形成装置では（例えば、特許文献１参照）、複数の処理を複数の処理室で別々に行っているため、基板の搬送装置等を設ける必要があり、ＥＬ表示装置の製造装置が大型化してしまうという問題点があった。また、電子注入層等の有機ＥＬ層が成膜された基板を搬送する際に、外気や不純物となる気体に触れてしまう可能性があり、有機ＥＬ層が劣化することがあるという問題点もあった。

本発明は、有機ＥＬ素子の特性が高い有機ＥＬ表示装置を製造することができ、またサイズが小型の有機ＥＬ表示装置の製造装置及びこの製造装置を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法並びにこの製造装置で製造された発光効率等の特性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。

本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、有機ＥＬ層の一部又は全部を蒸着によって成膜し、有機ＥＬ素子の少なくとも１つの電極をスパッタによって成膜する有機ＥＬ表示装置の製造装置であって、１つのチャンバーに、蒸着に使用される蒸着源とスパッタに使用されるターゲットが設けられ、有機ＥＬ表示装置の基板を移動させずに蒸着とスパッタを行うものである。
１つのチャンバーに、蒸着に使用される蒸着源とスパッタに使用されるターゲットが設けられ、有機ＥＬ表示装置の基板を移動させずに蒸着とスパッタを行うため、有機ＥＬ表示装置の製造装置を小型化することができる。また有機ＥＬ表示装置の基板を移動させないため、基板が外気や不純物となる気体に触れてしまうことがなく特性の高い有機ＥＬ素子を形成することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、上記の有機ＥＬ表示装置が、トップ・エミッション方式であるものである。
トップ・エミッション方式の有機ＥＬ表示装置では、電子輸送層、電子注入層等の有機ＥＬ層を成膜した後に透明電極を成膜するため、上記の有機ＥＬ表示装置の製造装置を使用することにより有機ＥＬ層の劣化を防止して、特性の高い有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、蒸着源とターゲットの両方にシャッターが設けられているものである。
蒸着源とターゲットの両方にシャッターが設けられているため、例えば蒸着の際には、蒸着源のシャッターを開放し、ターゲットのシャッターを閉鎖するようにすれば、蒸着物質とスパッタの物質が混ざることがなく、特性の高い有機ＥＬ素子を形成することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、上記の蒸着源が、抵抗加熱用蒸着源であるものである。
蒸着源として一般的な抵抗加熱用蒸着源を使用することにより、容易に蒸着を行うことができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、上記のターゲットが、対向ターゲットであるものである。
ターゲットとして対向ターゲットを使用することにより、スパッタの物質が有機ＥＬ表示装置の基板に直接的に衝突しないようにすることができ、特性の高い有機ＥＬ素子を形成することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、上記のチャンバーが、対向ターゲットを複数有するものである。
上記のように、スパッタの物質が有機ＥＬ表示装置の基板に直接的に衝突しないようにした場合、１つのターゲットからのスパッタのレートが遅くなるが、対向ターゲットを複数設けることにより、スパッタのレートを早くすることができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、上記のターゲットが、スパッタの際に発生する紫外線が基板に直接当たらない向きに設けられているものである。
ターゲットを、スパッタの際に発生する紫外線が基板に直接当たらない向きに設けることにより、紫外線による有機ＥＬ層の劣化を防止することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、上記のスパッタに用いる放電ガスが、クリプトン又はキセノンであるものである。
透明電極膜の代表であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の主成分であるインジウムとのエネルギー伝達係数が、アルゴンよりも大きいクリプトン又はキセノンを放電ガスとして用いることにより、高い運動エネルギーを持った反跳中性粒子（クリプトン又はキセノン）の有機ＥＬ層への衝突が抑制される。これにより有機ＥＬ層の劣化を防止することができる。

本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ層の一部又は全部を蒸着によって成膜し、有機ＥＬ素子の少なくとも１つの電極をスパッタによって成膜する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、蒸着に使用する蒸着源とスパッタに使用するターゲットが設けられた１つのチャンバーで、有機ＥＬ表示装置の基板を移動せずに蒸着とスパッタを行うものである。
蒸着に使用する蒸着源とスパッタに使用するターゲットが設けられた１つのチャンバーで、有機ＥＬ表示装置の基板を移動せずに蒸着とスパッタを行うため、有機ＥＬ表示装置の製造装置を小型化することができる。また、基板が外気や不純物となる気体に触れてしまうことがないので、特性の高い有機ＥＬ素子を形成することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記の有機ＥＬ表示装置が、トップ・エミッション方式であるものである。
トップ・エミッション方式の有機ＥＬ表示装置では、電子輸送層、電子注入層等の有機ＥＬ層を成膜した後に透明電極を成膜するため、上記の有機ＥＬ表示装置の製造方法を用いることにより有機ＥＬ層の劣化を防止して、特性の高い有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、蒸着源とターゲットの両方にシャッターが設けられており、蒸着を行う際にターゲットのシャッターを閉鎖し、スパッタを行う際に蒸着源のシャッターを閉鎖するものである。
蒸着源とターゲットの両方にシャッターが設けられており、蒸着の際には、蒸着源のシャッターを開放し、ターゲットのシャッターを閉鎖するようにし、スパッタの際には蒸着源のシャッターを閉鎖し、ターゲットのシャッターを開放するようにすれば、蒸着物質とスパッタの物質が混ざることがなく、特性の高い有機ＥＬ素子を形成することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記の蒸着源が、抵抗加熱用蒸着源であるものである。
蒸着源として一般的な抵抗加熱用蒸着源を使用することにより、容易に蒸着を行うことができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記のターゲットが、対向ターゲットであるものである。
ターゲットとして対向ターゲットを使用することにより、スパッタの物質が有機ＥＬ表示装置の基板に直接的に衝突しないようにすることができ、特性の高い有機ＥＬ素子を形成することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記のチャンバーが、対向ターゲットを複数有するものである。
上記のように、スパッタの物質が有機ＥＬ表示装置の基板に直接的に衝突しないようにした場合、１つのターゲットからのスパッタのレートが遅くなるが、対向ターゲットを複数設けることにより、スパッタのレートを早くすることができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記のターゲットが、スパッタの際に発生する紫外線が基板に直接当たらない向きに設けられているものである。
ターゲットを、スパッタの際に発生する紫外線が基板に直接当たらない向きに設けることにより、紫外線による有機ＥＬ層の劣化を防止することができる。

また本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記のスパッタに用いる放電ガスが、クリプトン又はキセノンであるものである。
透明電極膜の代表であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の主成分であるインジウムとのエネルギー伝達係数が、アルゴンよりも大きいクリプトン又はキセノンを放電ガスとして用いることにより、高い運動エネルギーを持った反跳中性粒子（クリプトン又はキセノン）の有機ＥＬ層への衝突が抑制される。これにより有機ＥＬ層の劣化を防止することができる。

本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、上記のいずれかの有機ＥＬ表示装置の製造装置で製造されたものである。
１つのチャンバーに、蒸着に使用される蒸着源とスパッタに使用されるターゲットが設けられた有機ＥＬ表示装置の製造装置によって製造されているため、製造中に基板が外気や不純物となる気体に触れてしまうことがなく特性の高い有機ＥＬ素子を形成することができ、高画質の有機ＥＬ表示装置を得ることができる。

実施形態１．
図１は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置を示した縦断面模式図である。なお図１では、有機ＥＬ表示装置の製造装置のチャンバー１の内部のみを示しており、蒸着源やスパッタに使用されるターゲットの温度制御装置等は示していない。なお、これらの温度制御装置、電源、その他の制御装置は、チャンバー１の外部に設けられているものとする。また図１では、蒸着及びスパッタを行っておらず、蒸着源及びターゲットのシャッターが閉鎖されている状態を示している。

本実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置のチャンバー１の内部には、被蒸着物である基板２が基板保持手段２ａによって保持されている。この基板２は、例えば所定の処理が施された無アルカリガラスからなり、以下に示す有機ＥＬ層や電極等が形成されることにより有機ＥＬ表示装置となる。なお基板２は、例えば、所定の処理を施された状態で導入装置（図示せず）によりチャンバー１の内部の上方に入れられて、蒸着やスパッタ等が終了した後にチャンバー１の外部に取り出される。なお、蒸着やスパッタの際の有機ＥＬ層等の膜圧のバラツキを抑制するために、基板保持手段２ａに基板回転機構（図示せず）を設けてもよい。

また、有機ＥＬ表示装置の製造装置のチャンバー１の内部には、基板２に有機ＥＬ層（後に詳述）を蒸着するのに使用される蒸着源３が、１又は複数設けられている。本実施形態１では、蒸着源３として、抵抗加熱用蒸着源を使用している。なお蒸着源３として、抵抗加熱用蒸着源以外の蒸着源を使用してもよい。また図１では、例として、るつぼ型の蒸着源３を示しているがこれ以外の形状の蒸着源を使用してもよい。なお、図１では蒸着源３がチャンバー１の下部に１つ設けられたものを示しているが、後に示す有機ＥＬ表示装置の電子注入層等は２つの蒸着物質の共蒸着により形成するため、蒸着源３は一般的に２つ以上設けられる。

さらにチャンバー１の内部には、基板２に透明陰極等の電極をスパッタにより成膜するために使用されるターゲット４が設けられている。本実施形態１では、チャンバー１の内部にターゲット４として、２枚の平板ターゲットが略平行に配置されている対向ターゲットを２組設けている。またこの対向ターゲットからなるターゲット４は、それぞれの平板ターゲット（計４枚）の垂線の方向と基板２の垂線の方向が平行にならないように斜めに配置されている。なお、このターゲット４は必ずしも対向ターゲットでなくてもよく、また対向ターゲットを１組又は３組以上設けるようにしてもよい。

また蒸着源３にはシャッター５が設けられており、略平行な２枚のターゲット４（対向ターゲット）の１組ごとにもシャッター６が設けられている。シャッター５及びシャッター６は、例えば蒸着の際に、蒸着物質とスパッタの物質が混在したり、ターゲット４に蒸着物質が付着したりするのを防止するために設けられている。さらに本実施形態１では、基板２を保護するためのシャッター７が設けられており、基板２に不要な物質が付着するのを防止するようになっている。なおこのシャッター７は、必ずしも設ける必要はない。

またチャンバー１のターゲット４付近には、ガス導入口８が設けられている。このガス導入口８は、例えばスパッタの放電ガスとして用いるクリプトン又はキセノン（イオン化していない）を放出できるようになっており、スパッタを行う際にスパッタの物質が基板２の方向へ飛びやすくできるようになっている。
さらに、チャンバー１の下部中央には排気口９が設けられており、蒸着及びスパッタの際にチャンバー１の内部の気体を吸引するようになっている。なお図１では、排気口９が蒸着源３の下部に設けられているが、排気口９と蒸着源３は、例えば紙面奥側と紙面手前側に位置がずれているものとする。

図２は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置で製造された有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を示した縦断面模式図である。なお図２では、有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ素子（例えば、１つの赤色画素）を示しており、実際の有機ＥＬ表示装置では、赤色、緑色、青色等の有機ＥＬ素子が多数形成されているものとする。
本実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子は、無アルカリガラス等からなるガラス基板１０の一方の表面に、陽極１１、正孔注入層１２、正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５、電子注入層１６、陰極１７を積層して形成されている。なお、本発明で有機ＥＬ層とは、正孔注入層１２、正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５、電子注入層１６をいうものとする。また本発明で電極とは、陽極１１、陰極１７をいうものとし、有機ＥＬ素子とは有機ＥＬ層及び電極を合わせたものをいうものとする。

ここで本実施形態１の図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造装置で、図２に示すような有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を製造する際の製造工程を説明する。
まず、図１の有機ＥＬ表示装置の製造装置以外のスパッタ装置（図示せず）でガラス基板１０の表面に陽極１１を成膜する。その後、図１の有機ＥＬ表示装置の製造装置以外の蒸着装置（図示せず）で、正孔注入層１２、正孔輸送層１３、発光層１４を蒸着によって成膜する。なお、正孔輸送層１３は必ずしも設ける必要はない。また、発光層１４の成膜は一般的に、蒸着マスクを用いて有機ＥＬ素子ごとに形成することが多い。
そして、陽極１１、正孔注入層１２、正孔輸送層１３、発光層１４が形成されたガラス基板１０を、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造装置に搬入し、電子輸送層１５、電子注入層１６を蒸着により成膜し、陰極１７をスパッタにより成膜する。なおこの場合、図１に示す基板２とは、陽極１１、正孔注入層１２、正孔輸送層１３、発光層１４が形成されたガラス基板１０をいうものとする。

図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造装置で電子輸送層１５、電子注入層１６を成膜する場合には、蒸着源３のシャッター５及びシャッター７を開放して、蒸着源３で蒸着物質を加熱することにより蒸着を行う。なお、この蒸着を行う際にはターゲット４のシャッター６は閉鎖するようにする。また排気口９からチャンバー１の内部の気体を吸引して真空に近い状態にする。なお、蒸着の際にはガス導入口８は使用しない。
このとき、一般的に電子注入層１６は２つの蒸着物質の共蒸着によって成膜するため、蒸着源３は２つ以上設ける必要がある。なお、電子輸送層１５及び電子注入層１６の膜圧を測定するために、チャンバー１の内部に水晶振動子等を設けてもよい。また、蒸着源３の温度調節は電流制御で行うことができる。

図３は、スパッタで陰極１７を成膜しているときの有機ＥＬ表示装置の製造装置を示した縦断面模式図である。なお図３に示す有機ＥＬ表示装置は、図１に示すものと同じものである。また図３では、図１と同様に、有機ＥＬ表示装置の製造装置のチャンバー１の内部のみを示しており、蒸着源やスパッタに使用されるターゲットの温度制御装置等は示していない。
図３に示す有機ＥＬ表示装置の製造装置で陰極１７を成膜する場合には、ターゲット４のシャッター６及びシャッター７を開放して、２枚のターゲット４からなる対向ターゲットの間にプラズマを発生させて、ターゲットからスパッタの物質をはじき出すことによってスパッタを行う。なお、この蒸着を行う際には蒸着源３のシャッター５は閉鎖するようにする。また排気口９からチャンバー１の内部の気体を吸引して真空に近い状態にする。
なおスパッタの際には、図３の矢印（実線）で示すように、ガス導入口８からクリプトン又はキセノン等の気体を放出するようにし、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等のスパッタの物質が基板２の方向（図３の破線の矢印の方向）に飛ぶようにする。

ここでプラズマを発生させるために、２枚のターゲット４からなる対向ターゲットの間に放電ガスとしてクリプトン又はキセノンを供給する。なお、クリプトン又はキセノンの供給は、例えば対向ターゲット付近に設けられた放電ガス供給装置（図示せず）で行う。
対向ターゲットに供給されたクリプトン又はキセノンは、電圧のかかった対向ターゲットによってプラズマ化されて、ＩＴＯ等からなるターゲット４からスパッタの物質（ＩＴＯ等）をはじき出す。透明電極膜の代表であるＩＴＯの主成分であるインジウムとのエネルギー伝達係数が、アルゴンよりも大きいクリプトン又はキセノンを放電ガスとして用いることにより、高い運動エネルギーを持った反跳中性粒子（クリプトン又はキセノン）の有機ＥＬ層への衝突が抑制される。これにより、有機ＥＬ層の劣化を防止することができる。

また、対向ターゲットからなるターゲット４は、図３に示すように基板２に対して斜め向きに設けられているため、ターゲット４から出た紫外線が直接当たらないようになっている。さらに、対向ターゲットからなるターゲット４が、基板２に対して斜め向きに設けられており、ガス導入口から気体を放出することによりスパッタの物質の飛ぶ向きを変えて基板２にスパッタを行うため、スパッタの物質が基板２に直接的に当たらず、有機ＥＬ層が劣化するのを防止することができる。
またクリプトン及びキセノンは、アルゴンに比べて質量が大きいため基板２に到達したときに速度が減少するため、有機ＥＬ層に対するダメージが少なくなる。

なお本実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、特にトップ・エミッション方式の有機ＥＬ表示装置の製造に適している。トップ・エミッション方式の有機ＥＬ表示装置は、発光層１４から陰極１７側に光を出射するので陰極１７は透明電極である必要がある。この透明電極は、例えばＩＴＯからなるターゲット４でスパッタを行うことにより成膜するが、スパッタの際にＩＴＯが基板２に衝突する際の衝撃、紫外線、熱等により先に成膜された電子注入層１６等の有機ＥＬ層が劣化してしまう。しかし、上記のように本実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造装置は、ＩＴＯの衝撃、紫外線による有機ＥＬ層の劣化を抑制しているため、特にトップ・エミッション方式の有機ＥＬ表示装置を製造するのに適したものである。
また、図１に示す有機ＥＬ表示装置の製造装置では、電子輸送層１５、電子注入層１６、陰極１７を１つのチャンバー内で基板２を移動させずに成膜できるため、基板２が外気や不純物に触れてしまうことがなく、電子注入層１６等の有機ＥＬ層の劣化を抑制することができる。

図４及び図５は、本実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造装置で製造された有機ＥＬ表示装置と従来の有機ＥＬ表示装置（例えば、特許文献１参照）で製造された有機ＥＬ表示装置の特性を比較した図である。図４は、Ｉ−Ｖ特性（電流−電圧特性）を比較したものであり、図５は、Ｌ−Ｉ特性（輝度−電流特性）を比較したものである。なお実線は本実施形態１のものであり、破線は従来のものを示している。また本実施形態１の有機ＥＬ表示装置のデータは、上記の陰極１７を成膜した後に、ガラス基板１０に封止ガラス（図示せず）を接着する等の処理を行って、最終的に完成した状態の有機ＥＬ表示装置についてのものである。
図４に示すように本実施形態１の有機ＥＬ表示装置は、従来のものよりも同じ電圧でより多くの電流密度が得られており、電荷の注入効率が向上していることが分かる。
また図５に示すように本実施形態１の有機ＥＬ表示装置は、従来のものよりも同じ電流密度でより高い輝度が得られており、発光効率が向上していることが分かる。

本実施形態１では、１つのチャンバー１に、蒸着に使用される蒸着源３とスパッタに使用されるターゲット４が設けられ、有機ＥＬ表示装置の基板２を移動させずに蒸着とスパッタを行うため、有機ＥＬ表示装置の製造装置を小型化することができる。また有機ＥＬ表示装置の基板２を移動させないため、基板２が外気や不純物となる気体に触れてしまうことがなく特性の高い有機ＥＬ素子を形成することができる。

なお本実施形態１では、陽極１１、正孔注入層１２、正孔輸送層１３、発光層１４を図１に示す有機ＥＬ表示装置以外の装置で形成するようにしているが、例えばチャンバー１の内部に発光層１４の成膜の際に使用する蒸着マスクを移動可能に設けるようにして、これらの電極及び有機ＥＬ層を図１に示す有機ＥＬ表示装置で形成するようにしてもよい。

本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、例えば、蒸着の後にスパッタを行う工程を有する電子機器や、紫外線に弱い基板にスパッタを行う場合などに応用することができる。

実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置を示した縦断面模式図。 実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を示した縦断面模式図。 陰極を成膜中の有機ＥＬ表示装置の製造装置を示した縦断面模式図。 実施形態１の有機ＥＬ表示装置と従来の有機ＥＬ表示装置のＩ−Ｖ特性を比較した図。 実施形態１の有機ＥＬ表示装置と従来の有機ＥＬ表示装置のＬ−Ｉ特性を比較した図。

符号の説明

１ チャンバー、２ 基板、２ａ 基板保持手段、３ 蒸着源、４ ターゲット、５
シャッター、６ シャッター、７ シャッター、８ ガス導入口、９ 排気口、１０ ガラス基板、１１ 陽極、１２ 正孔注入層、１３ 正孔輸送層、１４ 発光層、１５ 電子輸送層、１６ 電子注入層、１７ 陰極。

Claims (17)

1. 有機ＥＬ層の一部又は全部を蒸着によって成膜し、有機ＥＬ素子の少なくとも１つの電極をスパッタによって成膜する有機ＥＬ表示装置の製造装置であって、
   １つのチャンバーに、前記蒸着に使用される蒸着源と前記スパッタに使用されるターゲットが設けられ、有機ＥＬ表示装置の基板を移動させずに前記蒸着と前記スパッタを行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造装置。
2. 前記有機ＥＬ表示装置は、トップ・エミッション方式であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
3. 前記蒸着源と前記ターゲットの両方にシャッターが設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
4. 前記蒸着源は、抵抗加熱用蒸着源であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
5. 前記ターゲットは、対向ターゲットであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
6. 前記チャンバーは、前記対向ターゲットを複数有することを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
7. 前記ターゲットは、スパッタの際に発生する紫外線が前記基板に直接当たらない向きに設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
8. 前記スパッタに用いる放電ガスは、クリプトン又はキセノンであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
9. 有機ＥＬ層の一部又は全部を蒸着によって成膜し、有機ＥＬ素子の少なくとも１つの電極をスパッタによって成膜する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
   前記蒸着に使用する蒸着源と前記スパッタに使用するターゲットが設けられた１つのチャンバーで、有機ＥＬ表示装置の基板を移動せずに前記蒸着と前記スパッタを行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
10. 前記有機ＥＬ表示装置は、トップ・エミッション方式であることを特徴とする請求項９記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
11. 前記蒸着源と前記ターゲットの両方にシャッターが設けられており、前記蒸着を行う際にターゲットのシャッターを閉鎖し、前記スパッタを行う際に蒸着源のシャッターを閉鎖することを特徴とする請求項９又は１０記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
12. 前記蒸着源は、抵抗加熱用蒸着源であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
13. 前記ターゲットは、対向ターゲットであることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
14. 前記チャンバーは、前記対向ターゲットを複数有することを特徴とする請求項１３記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
15. 前記ターゲットは、スパッタの際に発生する紫外線が前記基板に直接当たらない向きに設けられていることを特徴とする請求項９〜１４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
16. 前記スパッタに用いる放電ガスは、クリプトン又はキセノンであることを特徴とする請求項９〜１５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
17. 請求項１〜８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置で製造されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
    

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