JP2005215627A - Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid - Google Patents

Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid Download PDF

Info

Publication number
JP2005215627A
JP2005215627A JP2004025610A JP2004025610A JP2005215627A JP 2005215627 A JP2005215627 A JP 2005215627A JP 2004025610 A JP2004025610 A JP 2004025610A JP 2004025610 A JP2004025610 A JP 2004025610A JP 2005215627 A JP2005215627 A JP 2005215627A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
resist stripping
waste liquid
liquid
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004025610A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshikazu Ito
美和 伊藤
Hiroyuki Ishikawa
裕幸 石川
Madoka Tanabe
円 田辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Organo Corp
Original Assignee
Organo Corp
Japan Organo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Organo Corp, Japan Organo Co Ltd filed Critical Organo Corp
Priority to JP2004025610A priority Critical patent/JP2005215627A/en
Publication of JP2005215627A publication Critical patent/JP2005215627A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for regenerating a resist-peeling waste liquid by which a high-quality regenerated resist peeling liquid can be obtained from a resist-peeling waste liquid, and at least the service life for regeneration and reuse of the waste liquid can be extended. <P>SOLUTION: In the process of regenerating a resist-peeling waste liquid, essentially containing a resist, alkanolamine and organic solvent to obtain a regenerated resist-peeling liquid, the resist-peeling waste liquid or a processed liquid derived from the resist-peeling waste liquid, is brought into contact with an ion exchange resin to remove metals and/or ionic impurities. Alternatively the resist peeling waste liquid or a processed liquid derived from the resist-peeling waste liquid is brought into contact with a dewatering agent or a deaeration membrane to reduce the water content; or both of these treatments are carried out. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体デバイス、液晶ディスプレイ(LCD)やプラズマディスプレイパネル(PDP)等のフラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造過程などから発生するレジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得るレジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置に関する。   The present invention relates to a resist generated mainly from a manufacturing process of a semiconductor device, a flat panel display such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP), or an electronic component such as a printed circuit board, a resist mainly containing an alkanolamine and an organic solvent. The present invention relates to a method and an apparatus for regenerating a resist stripping waste liquid that regenerates the stripping waste liquid to obtain a recycled resist stripping solution.

半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品等の製造過程には、フォトリソグラフィー工程が含まれる。この工程では、ウエハやガラス基板等の基板上にフォトレジストの皮膜を形成し、その所定部分に光等を照射し、次いで現像液により不要のフォトレジストを溶解・現像してレジストパターンを形成し、更にエッチング等の処理を行った後、基板上の不溶性のレジスト膜を剥離する。フォトレジストは、露光部分が現像液に可溶性となるポジ型と露光部分が不溶性となるネガ型がある。半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ等の電子部品の製造分野ではポジ型フォトレジストが主に使用される。上記の剥離の工程では、基板上の不溶性のレジスト膜を剥離するためにレジスト剥離液が用いられる。この剥離液は、一般的には、有機溶媒、アルカノールアミン、水(0.5%重量以下)などから構成されている。また、レジスト剥離液中に存在する微量の金属類による電子部品上の腐食を防止するために、腐食防止剤、キレート剤、有機酸といった添加剤がレジスト剥離液には混合されている場合もある。レジスト剥離液を用いて基板上のレジスト膜を溶解し、基板から剥離する。その結果、溶解レジストを含むレジスト剥離廃液が生じる。   The manufacturing process of electronic components such as semiconductor devices, flat panel displays, and printed circuit boards includes a photolithography process. In this step, a photoresist film is formed on a substrate such as a wafer or glass substrate, light is irradiated on a predetermined portion thereof, and then unnecessary photoresist is dissolved and developed with a developer to form a resist pattern. Further, after further processing such as etching, the insoluble resist film on the substrate is peeled off. There are two types of photoresist: a positive type in which an exposed portion is soluble in a developer and a negative type in which an exposed portion is insoluble. In the field of manufacturing electronic components such as semiconductor devices and flat panel displays, positive photoresists are mainly used. In the above stripping step, a resist stripping solution is used to strip the insoluble resist film on the substrate. This stripping solution is generally composed of an organic solvent, an alkanolamine, water (0.5% by weight or less), and the like. In addition, additives such as corrosion inhibitors, chelating agents, and organic acids may be mixed in the resist stripping solution in order to prevent corrosion on electronic components due to trace amounts of metals present in the resist stripping solution. . The resist film on the substrate is dissolved using a resist stripping solution and stripped from the substrate. As a result, a resist stripping waste liquid containing a dissolved resist is generated.

このようなレジスト剥離廃液を再生処理し、レジスト剥離液を再生する方法としては、下記の特許文献に開示される方法が知られている。
特許第2602179号公報 特開2003−167358号公報
As a method for regenerating the resist stripping waste liquid and regenerating the resist stripping liquid, methods disclosed in the following patent documents are known.
Japanese Patent No. 2602179 JP 2003-167358 A

特許第2602179号公報に開示される方法は、レジスト剥離廃液中の有機溶媒、アルカノールアミン、溶解レジストの濃度を吸光光度計で測定し、測定濃度に基づき、有機溶媒及びアルカノールアミンを供給して各成分濃度を調整して再生する単純な方法である。特開2003−167358号公報に開示される方法は、ナノフィルトレーション膜(NF膜)を用いた膜分離処理によりレジスト剥離廃液からレジストを主に除去して得られた有機溶媒とアルカノールアミンを主として含有する透過液の各成分濃度を有機溶媒及び/又はアルカノールアミンを供給して調整し、元の(新品)レジスト剥離液とほぼ同等の状態として再生、再利用する方法である。   In the method disclosed in Japanese Patent No. 2602179, the concentration of the organic solvent, alkanolamine, and dissolved resist in the resist stripping waste liquid is measured with an absorptiometer, and the organic solvent and alkanolamine are supplied based on the measured concentration. It is a simple method of adjusting and reproducing the component concentration. The method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-167358 includes an organic solvent and an alkanolamine obtained by mainly removing a resist from a resist stripping waste liquid by a membrane separation process using a nanofiltration membrane (NF membrane). This is a method in which the concentration of each component of the permeate contained is adjusted by supplying an organic solvent and / or alkanolamine, and regenerated and reused in a state substantially equivalent to the original (new) resist stripper.

これらの再生処理方法においては、レジストや他の陰イオン類や、Na、K、Ca、Fe、Al等の金属類や陽イオン類などの各種不純物類の除去率が悪いため、これらの各種不純物の観点からは再生レジスト剥離液を元の(新品)レジスト剥離液とほぼ同等であるとは言い難く、特に電子部品類の製造に再利用するのに問題となることがある。さらに、再利用を繰り返すことにより、上記の様な各種不純物は次第に高濃度に濃縮されるので、各種不純物濃度が一定値にまで高まった時点で再利用を終了し、全量交換することが必要である。   In these regeneration processing methods, the removal rate of various impurities such as resists and other anions, metals such as Na, K, Ca, Fe, and Al, and cations is poor. From this point of view, it is difficult to say that the regenerated resist stripping solution is almost equivalent to the original (new) resist stripping solution, and this may cause a problem especially when it is reused for manufacturing electronic parts. Furthermore, by repeating reuse, the various impurities as described above are gradually concentrated to a high concentration. Therefore, when the concentration of various impurities increases to a certain value, it is necessary to terminate the reuse and replace the entire amount. is there.

また、レジスト剥離液の水分含有量は、通常、剥離効果の観点から0.5重量%以下であることが求められる。上記のいずれの再生処理方法でも、レジスト剥離工程などからレジスト剥離廃液に混入して来る水分の除去が困難であり、その再生処理による再利用を繰り返すうちに再生レジスト剥離液中の水分含有量が高まり、剥離効果に悪影響を及ぼし、また、レジスト剥離液の腐食性が高まるなどのため、上記の各種不純物の場合と同様に一定の水分含有量にまで高まったレジスト剥離廃液は再生による再利用を終了し、全量交換する必要がある。   The water content of the resist stripping solution is usually required to be 0.5% by weight or less from the viewpoint of the stripping effect. In any of the above recycling methods, it is difficult to remove moisture mixed in the resist stripping waste liquid from the resist stripping process, etc., and the water content in the recycled resist stripping solution increases as the recycling process is repeated. The resist stripping waste liquid, which has been increased to a certain moisture content as in the case of the various impurities described above, can be reused by recycling. It is necessary to finish and replace the whole quantity.

この様にして生じる高各種不純物濃度及び/又は高水分含有量の廃液は、通常、焼却処分され、これに伴い大気中に炭酸ガスが放出されることになり、環境に配慮すると好ましくない。また、上記のいずれの再生処理方法でも、定期的に新品レジスト剥離液の供給が必要であり、ランニングコストが多大となる。   The waste liquids having high impurity concentrations and / or high water content generated in this manner are usually incinerated and carbon dioxide gas is released into the atmosphere along with this, which is not preferable in consideration of the environment. Moreover, in any of the above-described regeneration processing methods, it is necessary to periodically supply a new resist stripping solution, which increases the running cost.

本発明は、レジスト剥離廃液から高品質の再生レジスト剥離液を得ることを可能とし、少なくともその再生再利用のライフを延長して、必要に応じて新品レジスト剥離液の主成分や添加剤の供給を充分に低減することもできるレジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置を提供することを目的とする。   The present invention makes it possible to obtain a high-quality recycled resist stripping solution from a resist stripping waste solution, extending at least the recycling and recycling life, and supplying the main components and additives of a new resist stripping solution as needed. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for regenerating a resist stripping waste liquid that can sufficiently reduce the above.

本発明は、レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る過程において、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び/又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理工程、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び/又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理工程の一方又は両方の工程を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理方法、並びに、レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る装置であって、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び/又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理装置、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び/又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理装置の一方又は両方の装置を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理装置を提供するものである。ここで、「イオン交換樹脂」とは、陰イオン交換樹脂や陽イオン交換樹脂の他に、キレート樹脂も含めた概念とする。また、「レジスト剥離廃液に由来する処理液」とは、イオン交換処理及び水分除去処理の一方の工程を行って、他方の工程をその後行う時は、該一方の工程で得られる処理液は該他方の工程における「レジスト剥離廃液に由来する処理液」となるのであり、また、後述する膜分離処理による透過液などの処理液も「レジスト剥離廃液に由来する処理液」となり得るものである。   In the process of regenerating a resist stripping waste liquid mainly containing a resist, an alkanolamine and an organic solvent to obtain a recycled resist stripping liquid, the resist stripping waste liquid or a processing liquid derived from the resist stripping waste liquid is contacted with an ion exchange resin. By removing the metals and / or ionic impurities, and by bringing the resist stripping waste liquid or the processing liquid derived from the resist stripping waste liquid into contact with the moisture removing agent and / or the degassing membrane. A method for regenerating a resist stripping waste liquid comprising one or both of water removal processing steps for reducing the content, and a resist stripping waste liquid mainly containing a resist, an alkanolamine, and an organic solvent. To obtain a recycled resist stripping solution, which is a resist stripping waste liquid or Ion exchange treatment equipment that removes metals and / or ionic impurities by bringing the treatment liquid derived from the resist stripping waste liquid into contact with the ion exchange resin, and water removal from the resist stripping waste liquid or the processing liquid derived from the resist stripping waste liquid The present invention provides a resist stripping waste liquid regeneration processing apparatus including one or both of a water removal processing apparatus that reduces the water content by contacting with an agent and / or a degassing membrane. . Here, the “ion exchange resin” is a concept including a chelate resin in addition to the anion exchange resin and the cation exchange resin. In addition, the “treatment liquid derived from the resist stripping waste liquid” means that when one of the ion exchange treatment and moisture removal treatment is performed and the other step is performed thereafter, the treatment liquid obtained in the one step is In the other step, it becomes “a treatment liquid derived from the resist stripping waste liquid”, and a processing liquid such as a permeate by a membrane separation process described later can also be “a processing liquid derived from the resist stripping waste liquid”.

レジスト剥離液は、アルカノールアミンと有機溶媒を主成分とする。アルカノールアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N−メチル−N,N−ジエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、3−アミノ−1−プロパノール等を挙げることができる。有機溶媒は上記アルカノールアミンとは異なる有機溶媒であり、その具体例としては、ジメチルスルホキシド系原液、N−メチルピロリドン系原液、グリコールエーテル系原液などを挙げることができる。また、腐食防止剤、キレート剤、有機酸といった添加剤がレジスト剥離液には混合されている場合もある。   The resist stripping solution contains alkanolamine and an organic solvent as main components. Specific examples of the alkanolamine include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, aminoethylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N , N-dibutylethanolamine, N-methylethanolamine, 3-amino-1-propanol and the like. The organic solvent is an organic solvent different from the alkanolamine, and specific examples thereof include a dimethyl sulfoxide-based stock solution, an N-methylpyrrolidone-based stock solution, and a glycol ether-based stock solution. In addition, additives such as corrosion inhibitors, chelating agents, and organic acids may be mixed in the resist stripping solution.

レジスト剥離廃液は、上記のレジスト剥離液を基板上のレジスト膜の剥離に使用して生じる廃液であり、その中にはレジストや他の陰イオン類や、Na、K、Ca、Fe、Al等の金属類や陽イオン類などの各種不純物類が含まれており、薬品(新品レジスト剥離液や、アルカノールアミン、有機溶媒、添加剤など)に元来含有されていた各種不純物類の他に、配管材等からの溶出により含まれて来る各種不純物もある。また、薬品(新品レジスト剥離液や、アルカノールアミン、有機溶媒、添加剤など)に元来含有されていた水分の他に、レジスト剥離工程などからレジスト剥離廃液に混入して来る水分もある。これらの各種不純物及び/又は水分を除去するのが本発明の特徴である。各種不純物又は水分を除去するか、あるいは両方を除去するかは、コストなどとの関連で、レジスト剥離廃液の性状や再生レジスト剥離液に要求される品質などを考慮して決めればよい。なお、金属類は、どのような形態で除去されるかは必ずしも明らかでない。   The resist stripping waste liquid is a waste liquid generated by using the above resist stripping liquid for stripping the resist film on the substrate. Among them, resist, other anions, Na, K, Ca, Fe, Al, etc. In addition to various impurities originally included in chemicals (new resist stripping solution, alkanolamines, organic solvents, additives, etc.) There are also various impurities that are included by elution from piping materials. In addition to the water originally contained in chemicals (new resist stripping solution, alkanolamine, organic solvent, additive, etc.), there is also water that is mixed into the resist stripping waste solution from the resist stripping process. It is a feature of the present invention to remove these various impurities and / or moisture. Whether to remove various impurities or moisture, or both, may be determined in consideration of the properties of the resist stripping waste liquid and the quality required for the recycled resist stripping liquid in relation to the cost. Note that it is not always clear in what form the metals are removed.

イオン交換処理工程に用いるイオン交換樹脂としては、陰イオン交換樹脂及び/又は水素イオン形及びアルカノールアミン形の少なくとも一方の陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂を用いるのが好ましい。イオン交換樹脂として、陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂、キレート樹脂の一種を単独で用いるか、または、二種又は三種を組み合わせて用いるかは、レジスト、他の陰イオン類、金属類、陽イオン類等の不純物の種類や濃度、さらには再生されるレジスト剥離液の用いられる工程で製造される電子部品の種類などとの関連でこれらの不純物の残存許容量によって決めれば良い。しかし、不純物のより少ない再生レジスト剥離液を得て、再生再利用のライフをできるだけ延長するためには、陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂との少なくとも二種を用いるのが好ましい。陰イオン交換樹脂はレジストも含めた陰イオン性不純物を除去してその濃度を低減し、陽イオン交換樹脂は後述する膜分離処理を行ったとしても除去が不十分な金属類や陽イオン性不純物(特にNaイオンなど)を除去してその濃度を低減し、キレート樹脂は特に金属イオン類を除去してその濃度を低減する。   As the ion exchange resin used in the ion exchange treatment step, it is preferable to use an anion exchange resin and / or a cation exchange resin and / or a chelate resin of at least one of hydrogen ion type and alkanolamine type. Whether an anion exchange resin, a cation exchange resin, or a chelate resin is used alone, or a combination of two or three is used as an ion exchange resin, whether resist, other anions, metals, cation What is necessary is just to decide by the residual allowance of these impurities in relation to the kind and density | concentration of impurities, such as ions, and also the kind of electronic parts manufactured in the process using the resist stripping solution to be regenerated. However, in order to obtain a regenerated resist stripping solution with less impurities and to extend the life of recycle reuse as much as possible, it is necessary to use at least two kinds of anion exchange resin and cation exchange resin and / or chelate resin. preferable. Anion exchange resin removes anionic impurities including resist and reduces its concentration, and cation exchange resin does not remove enough metals and cationic impurities even after membrane separation treatment described later (Especially Na ions, etc.) is removed to reduce its concentration, and the chelate resin specifically removes metal ions to reduce its concentration.

特に電子部品製造工程においては、各金属不純物の含有量がより低いレベルに抑制されたレジスト剥離液を用いることが要求されており、電子部品の種類にもよるが、少なくとも各金属不純物含有量については10ppb未満であることが要求され、従って、再生レジスト剥離液にも同様のことが要求される。また、レジスト剥離工程における電子部品への金属の付着と腐食の防止の為に、レジスト剥離液には腐食防止剤、キレート剤、有機酸といった添加剤が用いられる場合があるが、特開2001−228635号公報に記載されている様に、これらの添加剤は一般的に金属不純物含有量が多く、予め金属含有量低減処理を行う必要がある程で、金属不純物源となり得るし、それを防止する為に予め添加剤に金属含有量低減処理を行えばコストがかかる。それゆえ、陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂と接触させることによって、レジスト剥離工程あるいは添加剤から混入する金属類の含有量を低減することにより、金属混入に対応する為の金属腐食防止剤やキレート剤など、一部の添加剤の使用量を低減あるいは使用しなくてもよくなり、コストの低減が図れる。
特開2001−228635号公報
In particular, in the electronic component manufacturing process, it is required to use a resist stripping solution in which the content of each metal impurity is suppressed to a lower level. Depending on the type of electronic component, at least the content of each metal impurity Is required to be less than 10 ppb, and therefore the same is required for the recycled resist stripper. In addition, additives such as a corrosion inhibitor, a chelating agent, and an organic acid may be used for the resist stripping solution in order to prevent metal adhesion and corrosion on the electronic component in the resist stripping process. As described in Japanese Patent No. 228635, these additives generally have a high content of metal impurities, and can be a source of metal impurities and prevent it as the metal content must be reduced in advance. Therefore, if the metal content reduction treatment is performed on the additive in advance, the cost is increased. Therefore, by contacting the cation exchange resin and / or chelate resin, reducing the content of metals mixed in from the resist stripping process or additives, a metal corrosion inhibitor for dealing with metal contamination, It is not necessary to reduce or use the amount of some additives such as chelating agents, and the cost can be reduced.
JP 2001-228635 A

陰イオン交換樹脂としては、スチレン系やアクリル系等の粒状や多孔性濾過膜状の水酸化物イオン形の陰イオン交換樹脂が好ましく、特にレジスト除去効率の点ではスチレン系陰イオン交換樹脂が、また、強塩基性陰イオン交換樹脂が好ましいが、これらに限定されない。レジストは、フェノール性水酸基などの陰イオン性基を有しており、陰イオン交換樹脂との接触により除去されるので、後述の膜分離処理工程が無くても陰イオン交換樹脂を用いたイオン交換処理工程を実施すれば、処理液のレジスト濃度は低下するが、後述の膜分離処理工程から得られる透過液(または、その水分除去処理などの処理液)を陰イオン交換樹脂と接触させる方がイオン交換処理の負荷が小さくなるので好ましい。また、陰イオン交換樹脂を用いれば、後述の膜分離処理工程を行った場合も、透過液(または、その水分除去処理などの処理液)中の微量の残存レジストを除去できるので、得られる処理液にはレジストが殆ど残存しない程度まで低レジスト濃度を達成することもできる。陰イオン交換樹脂を用いれば、種類や濃度などにもよるが、他の陰イオン類も除去できる。   As the anion exchange resin, a granular or porous filtration membrane-like hydroxide ion type anion exchange resin such as styrene or acrylic is preferable, and in terms of resist removal efficiency, a styrene anion exchange resin is particularly preferable. Moreover, although a strongly basic anion exchange resin is preferable, it is not limited to these. The resist has an anionic group such as a phenolic hydroxyl group and is removed by contact with the anion exchange resin. Therefore, the ion exchange using the anion exchange resin can be performed without the membrane separation process described later. If the processing step is carried out, the resist concentration of the processing solution will decrease, but it is better to bring the permeate obtained from the membrane separation processing step described later (or a processing solution such as its water removal processing) into contact with the anion exchange resin. This is preferable because the load of the ion exchange treatment is reduced. In addition, if an anion exchange resin is used, a small amount of residual resist in the permeate (or a treatment liquid such as its water removal treatment) can be removed even when the membrane separation process described later is performed. It is also possible to achieve a low resist concentration to the extent that almost no resist remains in the solution. If an anion exchange resin is used, other anions can be removed depending on the type and concentration.

陽イオン交換樹脂としては、処理効率の点でスチレン系やアクリル系等の水素イオン形やアルカノールアミン形の粒状や多孔性濾過膜状の陽イオン交換樹脂が好ましく、また、弱酸性陽イオン交換樹脂や強酸性陽イオン交換樹脂のいずれでもよい。水素イオン形の陽イオン交換樹脂を用いるのが工業的に簡易であるので好ましいが、予めアルカノールアミン形にした陽イオン交換樹脂は、水素イオン形陽イオン交換樹脂の場合に通液初期にアルカノールアミンが陽イオン交換樹脂に吸着されて処理液中のその濃度が低下するという現象を発生するのを回避できる点では好ましい。陽イオン交換樹脂は、一部がアルカノールアミン形で他の一部が水素イオン形となっていても、両形の樹脂が任意の割合で混合又は積層されてもよい。なお、水素イオン形陽イオン交換樹脂は、レジスト剥離液又はそれに由来する処理液の通液の時間経過とともにアルカノールアミン形となるので、或る程度の時間経過以降は実質的にはアルカノールアミン形陽イオン交換樹脂を用いていることになる。   The cation exchange resin is preferably a cation exchange resin in the form of hydrogen ion or alkanolamine, such as styrene or acrylic, or a porous filtration membrane, in terms of processing efficiency, and a weakly acidic cation exchange resin. Or a strongly acidic cation exchange resin. The use of a cation exchange resin in the form of a hydrogen ion is preferable because it is industrially simple. However, a cation exchange resin preliminarily made into an alkanolamine form is an alkanolamine in the initial stage of liquid passage in the case of a hydrogen ion type cation exchange resin. Is preferable in that it can be prevented from being adsorbed by the cation exchange resin and reducing its concentration in the treatment liquid. Even if a part of the cation exchange resin is in the alkanolamine form and the other part is in the hydrogen ion form, the resins in both forms may be mixed or laminated at an arbitrary ratio. The hydrogen ion type cation exchange resin becomes an alkanolamine type with the passage of time of the resist stripping solution or the processing solution derived from it, so that after a certain amount of time, the alkanolamine type cation exchange resin is substantially reduced. An ion exchange resin is used.

キレート樹脂としては、イミノ二酢酸型、アミノ燐酸型、ポリアミン型、グルカミン型等のキレート基を有する粒状や多孔性濾過膜状の樹脂類を好ましく用いることができる。   As the chelating resin, granular or porous filtration membrane resins having a chelating group such as iminodiacetic acid type, aminophosphoric acid type, polyamine type, and glucamine type can be preferably used.

粒状の陰イオン交換樹脂、陽イオン交換樹脂、キレート樹脂の少なくとも二種を用いる場合、混合して(混床として)用いてもよいし、積層して用いてもよく、また、別のカラムに充填して連結して用いてもよい。多孔性濾過膜状の樹脂類の場合は、モジュール(又はエレメント)として用いることができる。積層や別カラムで二種以上を用いる場合や別モジュール(又はエレメント)で用いる場合、その順序は基本的には限定されず、あらゆる順序を採ることができる。但し、粒状の樹脂と多孔性濾過膜状の樹脂とを二種以上を併用する場合、粒状の樹脂から発生する可能性のある微粒子を除去できる点では多孔性濾過膜状の樹脂を後段に配置するのが好ましい。イオン交換処理装置の入口で被処理液(レジスト剥離廃液又はそれに由来する処理液)のレジスト濃度が高い場合、陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂とを用いるのが好ましい。この場合は、陰イオン交換樹脂を上流側に陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂を下流側に積層したり別カラムや別モジュール(又はエレメント)を配置したりして用いるのが好ましい。また、陰イオン交換樹脂と接触させ、次いで陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂と接触させた後、更に陰イオン交換樹脂と陽イオン交換樹脂の混合樹脂(混床のカートリッジポリッシャーなど)に通液するのが、不純物濃度がより低減された処理液を得ることができ、良好な再生レジスト剥離液とすることができるので好ましい。陰イオン交換樹脂を上流側に陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂を下流側に配置するのが好ましい理由は、高分子物質であるレジストが陽イオン交換樹脂の表面に吸着して陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂の活性を低下させてしまう虞があるため、陰イオン交換樹脂との接触で予めレジストを除去しておくのが有利であるからである。なお、この場合において陽イオン交換樹脂とキレート樹脂との両方を用いる場合は、どちらを上流側に配置してもよく、また、両者の混合としてもよい。なお、粒状の樹脂は処理効率の点で優れ、多孔性濾過膜状の樹脂は微粒子を発生しない点では好ましい。   When using at least two kinds of granular anion exchange resin, cation exchange resin, and chelate resin, they may be mixed (as a mixed bed), stacked, or used in another column. You may fill and connect and use. In the case of porous filtration membrane resins, they can be used as modules (or elements). When two or more kinds are used in a stack or in another column, or when used in another module (or element), the order is not basically limited, and any order can be adopted. However, when two or more types of granular resin and porous filtration membrane resin are used in combination, the porous filtration membrane resin is placed in the latter stage in terms of removing fine particles that may be generated from the granular resin. It is preferable to do this. When the resist concentration of the liquid to be treated (resist stripping waste liquid or treatment liquid derived therefrom) is high at the inlet of the ion exchange treatment apparatus, it is preferable to use an anion exchange resin and a cation exchange resin and / or a chelate resin. In this case, it is preferable to use an anion exchange resin by laminating a cation exchange resin and / or a chelate resin on the upstream side, or arranging another column or another module (or element). Further, after contacting with an anion exchange resin and then contacting with a cation exchange resin and / or a chelate resin, the solution is further passed through a mixed resin of an anion exchange resin and a cation exchange resin (such as a mixed bed cartridge polisher). This is preferable because a treatment liquid with a further reduced impurity concentration can be obtained and a good regenerated resist stripping liquid can be obtained. The reason why it is preferable to arrange the anion exchange resin on the upstream side and the cation exchange resin and / or the chelate resin on the downstream side is that the resist, which is a polymer substance, is adsorbed on the surface of the cation exchange resin and becomes a cation exchange resin. In addition, since the activity of the chelate resin may be reduced, it is advantageous to remove the resist in advance by contact with the anion exchange resin. In this case, when both the cation exchange resin and the chelate resin are used, either one may be arranged on the upstream side, or a mixture of both may be used. A granular resin is excellent in terms of processing efficiency, and a porous filtration membrane-like resin is preferable in that fine particles are not generated.

陰イオン交換樹脂の具体例としては、ローム・アンド・ハース社製のアンバーライト900Cl、IRA400Cl、IRA402BLCl、アンバージェット4400Cl、IRA96SB、XT6050RF、IRA478RFCl、アンバーリストA26などを挙げることができる。陽イオン交換樹脂の具体例としては、ローム・アンド・ハース社製のアンバーライトIR124、IR120B、200CT、IRC76、アンバージェット1060、アンバーリスト15JWETなどを挙げることができる。キレート樹脂の具体例としては、ローム・アンド・ハース社製のアンバーライトIRC748、IRC747、IRA743などを挙げることができる。   Specific examples of the anion exchange resin include Amberlite 900Cl, IRA400Cl, IRA402BLCl, Amberjet 4400Cl, IRA96SB, XT6050RF, IRA478RFCl, and Amberlyst A26 manufactured by Rohm and Haas. Specific examples of the cation exchange resin include Amberlite IR124, IR120B, 200CT, IRC76, AmberJet 1060, and Amberlist 15JWET manufactured by Rohm and Haas. Specific examples of the chelate resin include Amberlite IRC748, IRC747, and IRA743 manufactured by Rohm and Haas.

水分除去処理工程で用いてもよい水分除去剤(乾燥剤)としては、乾燥イオン交換樹脂、モレキュラーシーブ、シリカゲル、ゼオライトなどを挙げることができる。この場合、水分除去処理装置としては、例えば、このような水分除去剤を充填したカラムを好ましく用いることができる。乾燥イオン交換樹脂の水分含有量は30重量%以下であるのが好ましく、15重量%以下であるのがより好ましく、10重量%以下であるのが更に好ましく、1重量%以下であるのが特に好ましい。ここで、乾燥イオン交換樹脂は、金属類やイオン性不純物の除去の機能と、水分除去剤としての水分除去の機能との両方を兼ねることもできるので、乾燥イオン交換樹脂で両機能の兼用を行うことができる点で好ましい。この場合、イオン交換処理工程と水分除去処理工程が併せて実際は一工程で行うこととなり、また、イオン交換処理装置と水分除去処理装置が併せて実際は一装置を構成する。乾燥イオン交換樹脂の具体例としては、ローム・アンド・ハース社製のアンバーリスト15DRY(陽イオン交換樹脂)や、オルガノ株式会社製のアンバーリストMSP・DRY(混床イオン交換樹脂)、アンバーリストB20−HG・DRY(陰イオン交換樹脂)、アンバーリスト15JS−HG・DRY(陽イオン交換樹脂)などを、モレキュラーシーブの具体例としてはモレキュラーシーブ3Aを、シリカゲルの具体例としては関東化学株式会社製のものを、ゼオライトの具体例としては、東ソー株式会社製のゼオラムA−3を挙げることができる。   Examples of the water removal agent (drying agent) that may be used in the water removal treatment step include dry ion exchange resin, molecular sieve, silica gel, zeolite, and the like. In this case, as the moisture removal processing apparatus, for example, a column filled with such a moisture removal agent can be preferably used. The moisture content of the dry ion exchange resin is preferably 30% by weight or less, more preferably 15% by weight or less, still more preferably 10% by weight or less, and particularly preferably 1% by weight or less. preferable. Here, the dry ion exchange resin can serve both as a function of removing metals and ionic impurities and a function of removing water as a water removing agent. It is preferable in that it can be performed. In this case, the ion exchange treatment step and the water removal treatment step are actually performed in one step, and the ion exchange treatment device and the water removal treatment device actually constitute one device. Specific examples of the dry ion exchange resin include Amberlyst 15DRY (cation exchange resin) manufactured by Rohm and Haas, Amberlyst MSP · DRY (mixed bed ion exchange resin) manufactured by Organo Corporation, and Amberlyst B20. -HG · DRY (anion exchange resin), Amberlyst 15JS-HG · DRY (cation exchange resin), molecular sieve 3A as a specific example of molecular sieve, and Kanto Chemical Co., Ltd. as a specific example of silica gel As a specific example of zeolite, Zeorum A-3 manufactured by Tosoh Corporation may be mentioned.

水分除去処理工程で用いてもよい脱気膜としては、セルガード株式会社製のリキセル、大日本インキ株式会社製のSEPARELなどを挙げることができる。レジスト剥離廃液又はそれに由来する処理液と脱気膜とを接触させると、沸点の低い水は、気化して脱気膜を透過し、沸点が高く脱気膜を実質的に透過しないアルカノールアミン及び有機溶媒から分離・除去することができる。この場合、水分除去処理装置としては、例えば、脱気膜モジュール(又はエレメント)を用いた膜脱気処理装置を用いることができる。水分除去剤カラムと膜脱気処理装置を併用することもできる。例えば、乾燥イオン交換樹脂カラムでイオン交換兼水分除去処理工程を行い、膜脱気処理装置で更に水分の除去を行う様な場合である。   Examples of the deaeration film that may be used in the water removal treatment step include Liquicel manufactured by Celgard, Inc., SEPAREL manufactured by Dainippon Ink, Inc., and the like. When the resist stripping waste liquid or the treatment liquid derived therefrom is brought into contact with the degassing membrane, water having a low boiling point vaporizes and permeates the degassing membrane, and has a high boiling point and an alkanolamine that does not substantially permeate the degassing membrane. It can be separated and removed from the organic solvent. In this case, as the moisture removal processing device, for example, a membrane deaeration processing device using a deaeration membrane module (or element) can be used. A water removal agent column and a membrane degassing apparatus can be used in combination. For example, the ion exchange and moisture removal treatment process is performed with a dry ion exchange resin column, and the moisture is further removed with a membrane deaeration treatment apparatus.

イオン交換処理工程と水分除去処理工程の両方を行う場合、その順序は特に限定されないが、モレキュラーシーブ、ゼオライト等の金属成分を含む水分除去剤を用いる場合はイオン交換処理工程を後段で行う方が望ましい。   When performing both the ion exchange treatment step and the water removal treatment step, the order is not particularly limited, but when using a water removal agent containing a metal component such as molecular sieve or zeolite, it is better to perform the ion exchange treatment step in the latter stage. desirable.

通常、レジスト剥離廃液とレジスト剥離後に用いられる洗浄水(リンス水)から生じるリンス廃液とは分別して取り扱われるので、イオン交換処理や水分除去処理の前後でレジスト剥離廃液の成分であるアルカノールアミンと有機溶媒の比率はそれほど変化せず、レジスト剥離液とほぼ同じであることが多いので、レジスト剥離廃液をイオン交換処理や水分除去処理しただけでも、レジスト濃度が許容できる値であれば、再生レジスト剥離液として用いることができる場合がある。しかし、膜分離処理装置によりレジスト剥離廃液を膜分離処理して、レジストを濃縮液側に少なくとも或る程度除去して得られる透過液(または、その水分除去処理などの処理液)をイオン交換処理工程に供するのが好ましい。この場合、レジストを始めとして或る程度金属類やイオン性不純物が膜分離処理の濃縮液側に除去されて、透過液はイオン交換処理、特に陰イオン交換処理に対する負荷が小さくなっている。一方、水分除去処理工程は、膜分離処理の後段で行うのが水分除去剤や脱気膜がレジストにより汚染されるのを回避できる点では好ましい。膜分離処理装置としては、NF膜分離処理装置や一般の逆浸透膜分離処理装置などを用いることができるが、NF膜分離処理装置が好ましい。膜分離処理工程とイオン交換処理工程を行う場合、工程の順序に関しては、上述の様な「NF膜分離処理等の膜分離処理→イオン交換処理」の順が金属類及び/又はイオン性不純物を可及的に除去する点では好ましいが、「イオン交換処理→NF膜分離処理等の膜分離処理」の順でもそれなりの効果があり、粒状のイオン交換樹脂を用いた場合にこれから発生する可能性がある微粒子を膜分離処理で除去できるので、本発明はかかる逆の順の方法や装置を排除するものではない。膜分離処理工程と水分除去処理工程を行う場合、通常はこの順序で行うのが好ましいが、水分除去剤の種類(モレキュラーシーブ、ゼオライトなど)によっては、水分除去処理工程を膜分離処理工程の前段で行うのが好ましいこともある。   Normally, the resist stripping waste liquid and the rinse waste liquid generated from the cleaning water (rinsing water) used after resist stripping are handled separately, so alkanolamine and organic components that are components of the resist stripping waste liquid before and after ion exchange treatment and moisture removal treatment The ratio of the solvent does not change that much and is often the same as the resist stripping solution. Therefore, if the resist concentration is an acceptable value even if the resist stripping waste liquid is subjected to ion exchange treatment or moisture removal processing, the recycled resist stripping is possible. In some cases, it can be used as a liquid. However, ion separation treatment is performed on the permeate obtained by removing the resist stripping waste liquid with a membrane separation processing device and removing the resist to the concentrated liquid side at least to some extent (or processing liquid such as water removal treatment). It is preferable to use for a process. In this case, a certain amount of metals and ionic impurities including the resist are removed to the concentrated liquid side of the membrane separation process, and the permeate has a small load on the ion exchange process, particularly the anion exchange process. On the other hand, it is preferable that the water removal treatment step is performed after the membrane separation treatment in terms of avoiding contamination of the water removing agent and the degassing membrane with the resist. As the membrane separation processing apparatus, an NF membrane separation processing apparatus or a general reverse osmosis membrane separation processing apparatus can be used, but an NF membrane separation processing apparatus is preferable. When performing the membrane separation treatment step and the ion exchange treatment step, with respect to the order of the steps, the order of “membrane separation treatment such as NF membrane separation treatment → ion exchange treatment” described above is performed with metals and / or ionic impurities. Although it is preferable in terms of removal as much as possible, there is a certain effect in the order of “ion separation treatment → membrane separation treatment such as NF membrane separation treatment”, and there is a possibility that it will occur when granular ion exchange resin is used. Since certain fine particles can be removed by membrane separation, the present invention does not exclude the reverse method and apparatus. In the case of performing the membrane separation treatment step and the water removal treatment step, it is usually preferable to carry out in this order. However, depending on the type of the moisture removal agent (molecular sieve, zeolite, etc.), the water removal treatment step may be performed before the membrane separation treatment step. It may be preferable to carry out with.

NF膜分離処理装置に用いるNF膜は、0.2%(重量/容積)の塩化ナトリウム水溶液を被処理液として25℃で分離処理した時の塩化ナトリウムの阻止率(除去率)が90%以下の特性を有する分離膜であり、敢えて分画分子量で表すとすれば分画分子量が100〜1500の範囲内であるのが好ましいが、レジスト等の不純物が濃縮された濃縮液とアルカノールアミンと有機溶媒とを主として含む透過液とに分離する機能を有する限り必ずしもこの範囲内に限定されない。分画分子量は200〜1200がより好ましく、400〜1000が更に好ましい。アルカノールアミンと有機溶媒はNF膜を透過してその殆どが透過液中に入って来るが、レジストは余り又は殆どNF膜を透過せず、大部分は濃縮液側に残存して濃縮されるので、レジスト等の不純物を主として含む濃縮液とアルカノールアミンと有機溶媒を主として含む透過液が得られる。NF膜による膜分離処理工程を実施するNF膜分離処理装置は、比較的低コスト且つ操作が容易で、アルカノールアミンと有機溶媒をかなりの程度精製できる点で好ましいものである。   The NF membrane used in the NF membrane separation treatment apparatus has a sodium chloride rejection (removal rate) of 90% or less when the 0.2% (weight / volume) sodium chloride aqueous solution is used as a liquid to be treated at 25 ° C. The separation membrane has the following characteristics, and it is preferable that the molecular weight cutoff is within the range of 100 to 1500 if expressed in terms of the molecular weight cutoff. However, the concentrated liquid in which impurities such as resist are concentrated, alkanolamine and organic As long as it has a function of separating into a permeate containing mainly a solvent, it is not necessarily limited to this range. The molecular weight cutoff is more preferably from 200 to 1200, still more preferably from 400 to 1000. Alkanolamine and the organic solvent pass through the NF membrane and most of them enter the permeate, but the resist hardly or hardly passes through the NF membrane, and most of it remains on the concentrate side and is concentrated. Thus, a concentrated liquid mainly containing impurities such as a resist and a permeated liquid mainly containing alkanolamine and an organic solvent can be obtained. An NF membrane separation treatment apparatus that performs a membrane separation treatment step using an NF membrane is preferable in that it is relatively low cost and easy to operate, and the alkanolamine and the organic solvent can be purified to a considerable extent.

本発明に用いてもよいNF膜分離処理装置に用いることができるNF膜としては、例えば、日東電工株式会社製のNTR−7410、NTR−7450、NTR−725HF、NTR−7250、NTR−729HF、NTR−769SR、東レ株式会社製のSU−200S、SU−500、SU−600、フィルムテック社製のNF−45、NF−70、NF−90、コーク・メンブレン・システムズ社製の「Sel ROTM」シリーズのMPS/T−20、MPS/T−21、MPS/T−31、MPS/T−34、MPS/T−36、MPS/T−44、MPS/T−50、MPS/T−60等を挙げることができる。これらの中でも、コーク・メンブレン・システムズ社製の「Sel ROTM」シリーズのNF膜は、耐アルカリ性に優れ、pH全域で使用できる点で好ましい。 Examples of the NF membrane that can be used in the NF membrane separation treatment apparatus that may be used in the present invention include NTR-7410, NTR-7450, NTR-725HF, NTR-7250, NTR-729HF, manufactured by Nitto Denko Corporation, NTR-769SR, SU-200S, SU-500, SU-600 manufactured by Toray Industries, Inc., NF-45, NF-70, NF-90 manufactured by Filmtec, and “Sel RO manufactured by Coke Membrane Systems, Inc. MPS / T-20, MPS / T-21, MPS / T-31, MPS / T-34, MPS / T-36, MPS / T-44, MPS / T-50, MPS / T-60 Etc. Among these, “Sel RO ” series NF membranes manufactured by Cork Membrane Systems are preferable in that they have excellent alkali resistance and can be used in the entire pH range.

NF膜の微粒子不純物等による目詰まりの虞を避けるために、NF膜の前段(好ましくは直前)に保安フィルターを設けるのが好ましい。   In order to avoid the possibility of clogging due to fine particle impurities or the like of the NF film, it is preferable to provide a safety filter in the previous stage (preferably immediately before) of the NF film.

上述した様に、イオン交換処理や水分除去処理の前後でレジスト剥離廃液の成分であるアルカノールアミンと有機溶媒の比率はそれほど変化せず、レジスト剥離液とほぼ同じであることが多いので、イオン交換処理のみ、水分除去処理のみ、または、上記両処理のみで精製を行う場合は、処理液を濃度調整せずに用いることができる場合もある。しかし、場合によっては外的な要因などで、また、NF膜分離処理等の膜分離処理を行ってレジスト剥離液の該比率と異なってきた場合などには、イオン交換処理工程及び/又は水分除去処理工程を少なくとも経て得られる処理液中のアルカノールアミン及び有機溶媒の濃度を調整する工程を更に行うのが好ましい。この濃度調整工程を行うには、イオン交換処理装置及び/又は水分除去処理装置を少なくとも経て得られる処理液を貯留し、該処理液中のアルカノールアミン及び有機溶媒の濃度を調整するための濃度調整槽、該濃度調整槽にアルカノールアミンを供給するアルカノールアミン供給手段及び該濃度調整槽に有機溶媒を供給する有機溶媒供給手段を更に包含する様に構成したレジスト剥離廃液の再生処理装置を用いるのが、容易に濃度調整できる点で好ましい。なお、濃度調整の為に各成分濃度を測定する濃度検出器としては、各成分濃度を測定できるかぎり特に限定されないが、レジスト、アルカノールアミン、有機溶媒にそれぞれ特有な吸収波長の光を吸収する吸光光度計を用いるのが簡易で好ましい。   As described above, the ratio of the alkanolamine, which is a component of the resist stripping waste liquid, and the organic solvent before and after the ion exchange treatment and water removal treatment does not change so much, and is often almost the same as the resist stripping solution. When purification is performed only by treatment, only moisture removal treatment, or both treatments, the treatment solution may be used without adjusting the concentration. However, in some cases, due to external factors, or when a membrane separation process such as an NF membrane separation process is performed and the ratio of the resist stripping solution is different, the ion exchange process and / or moisture removal is performed. It is preferable to further perform a step of adjusting the concentration of the alkanolamine and the organic solvent in the treatment liquid obtained through at least the treatment step. In order to perform this concentration adjustment step, a treatment liquid obtained through at least an ion exchange treatment device and / or a water removal treatment device is stored, and a concentration adjustment for adjusting the concentrations of alkanolamine and organic solvent in the treatment solution. It is preferable to use a resist stripping waste liquid regeneration treatment apparatus configured to further include a tank, an alkanolamine supply means for supplying alkanolamine to the concentration adjustment tank, and an organic solvent supply means for supplying an organic solvent to the concentration adjustment tank. This is preferable because the concentration can be easily adjusted. The concentration detector for measuring the concentration of each component for adjusting the concentration is not particularly limited as long as the concentration of each component can be measured. However, the absorption detector absorbs light having absorption wavelengths specific to resist, alkanolamine, and organic solvent. It is simple and preferable to use a photometer.

本発明によれば、従来のレジスト剥離廃液の再生処理方法では除去不可能であった金属類及び/又はイオン性不純物及び/又は水分が、イオン交換樹脂を用いたイオン交換処理装置によるイオン交換処理工程及び/又は水分除去剤や脱気膜を用いた水分除去処理装置による水分除去処理工程により除去されるので、再利用するのに好適な再生レジスト剥離液を得ることができる。また、本発明によれば、従来のレジスト剥離廃液の再生処理方法では再生再利用を繰り返すことにより一定の金属類及び/又はイオン性不純物濃度及び/又は一定の水分含有量にまで高まったレジスト剥離廃液は再生による再利用を終了して全量交換するか又は一定量を新品レジスト剥離液に入れ替える必要があるのに対し、少なくともこのような全量交換又は一定量入替の頻度を少なくすることもできる。   According to the present invention, metals and / or ionic impurities and / or moisture that could not be removed by the conventional resist stripping waste liquid recycling method are ion-exchanged by an ion-exchanger using an ion-exchange resin. Since it is removed by the process and / or the water removal treatment process by the water removal treatment apparatus using a water removal agent or a degassing film, a regenerated resist stripping solution suitable for reuse can be obtained. In addition, according to the present invention, in the conventional resist stripping waste recycling method, resist stripping that has been increased to a certain metal and / or ionic impurity concentration and / or a certain moisture content by repeated recycling and reuse. While it is necessary to replace the entire amount of waste liquid after recycling by recycling or replace a certain amount with a new resist stripping solution, at least the frequency of such total amount replacement or constant amount replacement can be reduced.

さらに、NF膜分離処理装置等の膜分離処理装置による膜分離処理工程をイオン交換処理工程及び水分除去処理工程(両方兼用の一工程の場合もある)に加えて行い、必要に応じて濃度調整槽でアルカノールアミンと有機溶媒の濃度の調整の工程を行うことにより、元の(新品)レジスト剥離液とほぼ同等の状態の高品質の再生レジスト剥離液を調製することもでき、長期にわたりレジスト剥離廃液からレジスト剥離液を繰り返し再生し、再利用することが可能となる。   Furthermore, the membrane separation process using a membrane separation treatment device such as an NF membrane separation treatment device is performed in addition to the ion exchange treatment step and the water removal treatment step (which may be used as both steps), and concentration adjustment is performed as necessary. By adjusting the concentration of alkanolamine and organic solvent in the tank, it is possible to prepare a high-quality recycled resist stripper that is almost equivalent to the original (new) resist stripper. The resist stripping solution can be regenerated and reused from the waste solution.

さらに、本発明において、イオン交換処理装置に陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂を少なくとも用い、レジスト剥離廃液又はそれに由来する処理液と接触させる場合は、再生レジスト剥離液中の金属類や陽イオン類の濃度が常に低いレベルに保たれるので、腐食防止剤やキレート剤や有機酸等の添加剤の追加的な添加量や時には初期の添加量をも低減させることができ、場合によってはかかる添加剤の追加的な添加は不要となるという利点が生じる。   Furthermore, in the present invention, when at least a cation exchange resin and / or a chelate resin is used in the ion exchange treatment apparatus and brought into contact with the resist stripping waste liquid or a processing liquid derived therefrom, metals or cations in the regenerated resist stripping liquid are used. Since the concentration of the chemicals is always kept at a low level, additional amounts of additives such as corrosion inhibitors, chelating agents and organic acids, and sometimes even initial amounts can be reduced, and in some cases The advantage is that no additional addition of additives is required.

次に、図面を参照しつつ発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Next, the best mode for carrying out the invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

図1は、本発明の方法を実施できる本発明のレジスト剥離廃液再生処理装置の一例を示すフロー図である。レジスト剥離装置1で濃度調整槽25から送られた新品又は再生されたレジスト剥離液でウェハやガラス基板等の基板上のレジストを溶解・剥離する。ここから生じたレジスト剥離廃液は、ライン2を通して一旦レジスト剥離廃液貯留槽3に貯留する。レジスト剥離廃液貯留槽3に貯留されたレジスト剥離廃液は、場合によっては弁5を開けてライン4を通して系外にその一部を排出(ドレン)してもよく、また、レジスト剥離廃液の性状が再生に適さないと考えられる時には全量を系外にドレンしてもよい。ポンプ7を駆動し、レジスト剥離廃液貯留槽3からレジスト剥離廃液をライン6を通して濃縮液槽8に送り、NF膜分離処理装置11から返送されてくる濃縮液と合流する。弁13、24を開いた状態で、流量調節ポンプ10を駆動して、レジスト剥離廃液と濃縮液の混合物をライン9を通してNF膜分離処理装置11に送り、濃縮液と透過液を得る。得られた濃縮液はライン12を通して濃縮液槽8に返送され、循環されるが、その際、流量計14により返送される濃縮液流量が監視される。   FIG. 1 is a flowchart showing an example of a resist stripping waste liquid recycling treatment apparatus of the present invention that can carry out the method of the present invention. The resist on the substrate such as a wafer or a glass substrate is dissolved and peeled with a new or regenerated resist stripping solution sent from the concentration adjusting tank 25 by the resist stripping apparatus 1. The resist stripping waste liquid generated from this is temporarily stored in the resist stripping waste liquid storage tank 3 through the line 2. A part of the resist stripping waste liquid stored in the resist stripping waste liquid storage tank 3 may be discharged (drained) out of the system through the line 4 in some cases. When it is considered unsuitable for regeneration, the entire amount may be drained out of the system. The pump 7 is driven, and the resist stripping waste liquid is sent from the resist stripping waste liquid storage tank 3 to the concentrated liquid tank 8 through the line 6 and merged with the concentrated liquid returned from the NF membrane separation processing apparatus 11. With the valves 13 and 24 opened, the flow rate adjusting pump 10 is driven, and the mixture of the resist stripping waste liquid and the concentrated liquid is sent to the NF membrane separation processing apparatus 11 through the line 9 to obtain the concentrated liquid and the permeated liquid. The obtained concentrated liquid is returned to the concentrated liquid tank 8 through the line 12 and circulated. At this time, the flow rate of the concentrated liquid returned by the flow meter 14 is monitored.

得られた透過液は、ライン20を通してイオン交換処理装置21に送られ、ここで残存レジスト等の陰イオン類やNa、K、Ca、Al、Fe等の金属類や陽イオン類が除去される[乾燥イオン交換樹脂が用いられる場合は、水分も除去され、イオン交換兼水分除去処理装置として機能し、また、イオン交換処理装置の代わりに水分除去剤又は脱気膜が用いられた水分除去処理装置を配置する場合もあり、また、水分除去処理装置とイオン交換処理装置を直列に連結して(順序はこの順又は逆の順)配置する場合もある]。得られるイオン交換処理液は、ライン23を通して流量計22を経由して濃度調整槽25に送られる。流量計22は、図示される様にイオン交換処理装置21の後段に設置する代わりにNF膜分離処理装置11とイオン交換処理装置21の間のライン20上に配置してもよい。この流量計22で透過液から得られるイオン交換処理液の流量が監視され、流量計14による流量値と共にNF膜分離処理装置11の運転(特に透過液回収率)の管理に利用される。濃度調整槽25にはドレンするためのライン26と弁27が付設され、濃度調整槽25の液量の調整などを行うこともある。なお、濃度調整槽25の直前又は直後のラインに微粒子を除去する為の精密濾過膜処理装置等の濾過膜処理装置(図示されていない)を設けてもよい。   The obtained permeate is sent to the ion exchange treatment device 21 through the line 20, where anions such as residual resist, metals such as Na, K, Ca, Al, Fe, and cations are removed. [When dry ion exchange resin is used, moisture is also removed and functions as an ion exchange and moisture removal treatment device, and a moisture removal treatment using a moisture remover or a degassing membrane instead of the ion exchange treatment device] In some cases, the apparatus may be arranged, or the moisture removal treatment apparatus and the ion exchange treatment apparatus may be connected in series (the order may be in this order or the reverse order). The obtained ion exchange treatment liquid is sent to the concentration adjustment tank 25 through the line 23 and the flow meter 22. The flow meter 22 may be disposed on the line 20 between the NF membrane separation processing apparatus 11 and the ion exchange processing apparatus 21 instead of being installed at the subsequent stage of the ion exchange processing apparatus 21 as shown in the figure. The flow rate of the ion exchange treatment liquid obtained from the permeate is monitored by the flow meter 22 and is used for managing the operation of the NF membrane separation processing apparatus 11 (particularly the permeate recovery rate) together with the flow rate value of the flow meter 14. The concentration adjustment tank 25 is provided with a drain line 26 and a valve 27 to adjust the amount of liquid in the concentration adjustment tank 25 and the like. A filtration membrane treatment device (not shown) such as a microfiltration membrane treatment device for removing fine particles may be provided in the line immediately before or after the concentration adjusting tank 25.

ポンプ31を駆動し、濃度調整槽25にはアルカノールアミン貯留槽32からライン33とライン30とを通してアルカノールアミンが添加され、その添加量の調節に制御弁34が使われる。同様に、濃度調整槽25には有機溶媒貯留槽35からライン36とライン30とを通して有機溶媒が添加され、その添加量の調節に制御弁37が使われる。   The pump 31 is driven, alkanolamine is added to the concentration adjusting tank 25 from the alkanolamine storage tank 32 through the lines 33 and 30, and a control valve 34 is used to adjust the amount of addition. Similarly, an organic solvent is added to the concentration adjusting tank 25 from the organic solvent storage tank 35 through the line 36 and the line 30, and a control valve 37 is used to adjust the addition amount.

ポンプ40を駆動して、濃度調節された再生レジスト剥離液はライン41を通してレジスト剥離装置1に送られる。送られる再生レジスト剥離液の流量は、制御弁42により調節される。レジスト剥離装置1に常に再生レジスト剥離液が供給されるわけではなく、供給しない時は弁42を閉じ、ライン41から分岐するライン49を通して再生レジスト剥離液は濃度調整槽25に戻されて循環し、ライン41から分岐するサンプリングライン43への供給が停止しない様にしている。このサンプリングライン43を通して少量の再生レジスト剥離液をアルカノールアミン濃度検出器としての第一吸光光度計44と有機溶媒濃度検出器としての第二吸光光度計45に供給し、その後ライン46を通してライン41に戻す。但し、直接メインライン上に第一吸光光度計44と第二吸光光度計45を設置してもよい。第一吸光光度計44と第二吸光光度計45により得られたアルカノールアミンと有機溶媒の濃度値データを制御装置47に送信し、制御装置47が制御弁34、37の開度を調節し、アルカノールアミン添加量と有機溶媒添加量を調節する。なお、アルカノールアミン濃度検出器及び有機溶媒濃度検出器としては、上記の様に、簡易な測定器として吸光光度計を用いるのが好ましいが、これらの成分の濃度を検出できる限り、吸光光度計に限定されるものではない。なお、図示されていないが、必要に応じ、腐食防止剤、キレート剤、有機酸等の添加剤の濃度検出器、貯留槽、ライン、弁等からなる添加剤供給装置を同様に付設してもよい。   The regenerated resist stripping solution whose concentration is adjusted by driving the pump 40 is sent to the resist stripping apparatus 1 through the line 41. The flow rate of the recycled resist stripping solution to be sent is adjusted by the control valve 42. The recycled resist stripping solution is not always supplied to the resist stripping apparatus 1. When not supplied, the valve 42 is closed, and the recycled resist stripping solution is returned to the concentration adjusting tank 25 through the line 49 branched from the line 41 and circulated. The supply to the sampling line 43 branched from the line 41 is not stopped. Through this sampling line 43, a small amount of the regenerated resist stripping solution is supplied to a first absorptiometer 44 as an alkanolamine concentration detector and a second absorptiometer 45 as an organic solvent concentration detector, and then to a line 41 through a line 46. return. However, the first absorptiometer 44 and the second absorptiometer 45 may be installed directly on the main line. The concentration value data of the alkanolamine and the organic solvent obtained by the first absorptiometer 44 and the second absorptiometer 45 are transmitted to the controller 47, and the controller 47 adjusts the opening degree of the control valves 34 and 37, Adjust alkanolamine addition amount and organic solvent addition amount. As described above, as the alkanolamine concentration detector and the organic solvent concentration detector, it is preferable to use an absorptiometer as a simple measuring device as described above. However, as long as the concentration of these components can be detected, the absorptiometer It is not limited. Although not shown, if necessary, an additive supply device consisting of a concentration detector for an additive such as a corrosion inhibitor, a chelating agent, and an organic acid, a storage tank, a line, and a valve may be provided in the same manner. Good.

図1のレジスト剥離廃液再生処理装置では、好ましい態様として、NF膜分離処理装置11からの透過液(NF膜分離処理装置11が多段の場合は、少なくとも第1段の透過液)を弁51を開いて系外にドレンするライン50と、弁53を開いてNF膜分離処理装置11の前段、図1の場合にはレジスト剥離廃液貯留槽3に返送する戻りライン52が設けられている。生産ラインの稼動率が低下するなどして、使用されるレジスト剥離液量が減少すると、レジスト剥離装置1から送出されるレジスト剥離廃液量が減り、レジスト剥離廃液再生処理装置の処理能力が送出されるレジスト剥離廃液量を上回る。このようなとき、このレジスト剥離廃液再生処理装置は運転/待機を繰り返すオンオフ運転状態となる。例えば、このようなオンオフ運転状態では、NF膜分離処理装置11の待機中に、レジスト剥離廃液中のレジスト等の不純物がNF膜分離処理装置11の透過液側に拡散により移動し、再起動初期に透過液の不純物濃度が高くなり、再生レジスト剥離液の品質不良や後段のイオン交換処理装置の負荷上昇といった問題が生じる。この様な問題を回避するのが、ドレンライン50と戻りライン52であり、片方設けただけでもよいが、両方設けた方があらゆる事態に対応できる点で好ましい。また、メンテナンスや装置異常のために一時停止するときにも同様の問題を回避できる。NF膜分離処理装置11が所定時間以上停止した後に再起動する際、弁51又は弁53を開き、弁24を閉じて、不純物を高濃度で含む透過液を所定量又は所定時間、ライン50を通じて系外にドレンするか又はライン52を通じてNF膜分離処理装置11の前段、図1の場合にはレジスト剥離廃液貯留槽3に戻すために、タイマー等を用い、弁51や弁53として調節弁を用い、好ましくは制御装置を用いる。なお、上述したことは、NF膜分離処理装置に限られることではなく、他の膜分離処理装置を用いる場合も同様である。   In the resist stripping waste liquid regeneration processing apparatus of FIG. 1, as a preferred mode, the permeate from the NF membrane separation processing apparatus 11 (at least the first stage permeate if the NF membrane separation processing apparatus 11 is multi-stage) is passed through the valve 51. A line 50 that opens and drains outside the system, and a return line 52 that opens the valve 53 and returns to the resist separation waste liquid storage tank 3 in the front stage of the NF membrane separation processing apparatus 11 in the case of FIG. When the amount of resist stripping solution used decreases due to a decrease in the operation rate of the production line, etc., the amount of resist stripping waste fluid sent from the resist stripping device 1 decreases, and the processing capacity of the resist stripping waste liquid recycling processing device is sent out. Exceeds the amount of resist stripping waste liquid. At this time, the resist stripping waste liquid recycling apparatus is in an on / off operation state in which operation / standby is repeated. For example, in such an on / off operation state, during the standby of the NF membrane separation processing apparatus 11, impurities such as resist in the resist stripping waste liquid move to the permeate side of the NF membrane separation processing apparatus 11 due to diffusion, and restart initial stage In addition, the concentration of impurities in the permeate increases, causing problems such as poor quality of the regenerated resist stripping solution and an increase in the load of the ion exchange treatment apparatus at the subsequent stage. In order to avoid such a problem, the drain line 50 and the return line 52 may be provided only on one side, but it is preferable to provide both on the point that all situations can be handled. Also, the same problem can be avoided when pausing due to maintenance or device abnormality. When the NF membrane separation processing apparatus 11 is restarted after being stopped for a predetermined time or longer, the valve 51 or the valve 53 is opened, the valve 24 is closed, and a permeate containing a high concentration of impurities is passed through the line 50 for a predetermined amount or a predetermined time. In order to drain to the outside of the system or to return to the previous stage of the NF membrane separation processing apparatus 11 through the line 52, in the case of FIG. 1, to the resist stripping waste liquid storage tank 3, a timer or the like is used. Use, preferably a control device. Note that what has been described above is not limited to the NF membrane separation processing apparatus, and the same applies when other membrane separation processing apparatuses are used.

また、図1のレジスト剥離廃液再生処理装置では、好ましい態様として、レジスト剥離廃液貯留槽3からのレジスト剥離廃液の成分濃度検出器、特にレジスト濃度検出器としての第三吸光光度計55、および、NF膜分離処理装置11からの透過液の成分濃度検出器、特にレジスト濃度検出器としての第四吸光光度計56がサンプリングライン54、57を介して設けられている(但し、レジスト剥離廃液貯留槽3からのレジスト剥離廃液の成分濃度検出器は無くてもよく、また、サンプリングラインを介さないで、直接メインライン上に成分濃度検出器を設置してもよい)。濃度検出に利用した液はサンプリングライン54、57を介してレジスト剥離廃液貯留槽3に返送するか、または、ドレンすればよいが、図示の様に返送とドレンの両方の手段を設ける必要は無く、通常は一手段のみ設ければよい。レジスト濃度検出器の代わりに、アルカノールアミン濃度検出器や有機溶媒濃度検出器又はこれらの三種の検出器の二種以上を用いてもよいが、通常はレジスト濃度検出器が最も効果的でこれのみで充分である。NF膜の処理性能は中長期的に劣化し、透過液の液質(各成分濃度、特にレジスト濃度)が変化する。透過液の液質変化は再生レジスト剥離液の品質にも影響を及ぼすため、劣化が進行する前にNF膜モジュール(又はエレメント)を定期的に交換する必要があるが、NF膜モジュール(又はエレメント)の製品毎の個性、運転履歴、レジスト剥離廃液組成の変動などによってNF膜モジュール(又はエレメント)の性能劣化の程度は異なるため、最適な時期での交換は極めて難しく、交換時期が遅れた場合、再生レジスト剥離液の品質が劣化して、製品の歩留まりに影響を及ぼす可能性がある。逆に、余裕をみて早めに交換する場合、NF膜モジュール(又はエレメント)の交換に伴うコスト(NF膜購入費用、交換作業費用など)が大きくなってしまう問題がある。また、交換作業時は、NF膜処理を実施するレジスト剥離廃液再生処理装置の一時的な停止、場合によっては現像装置や製造ラインの停止が必要となるため、交換頻度の上昇は好ましくない。このような諸問題を解決する為に第三吸光光度計55及び第四吸光光度計56が設けられている。即ち、NF膜が劣化すると、特にそのレジスト除去率が変化し、通常は低下するので透過液中のレジスト濃度は変化し(他の成分の濃度も変化する可能性がある)、通常は増加する傾向となる。従って、予め液質管理基準値の範囲を定め、測定したレジスト濃度値がそれから外れたところでNF膜モジュール(又はエレメント)の交換を実施する。また、NF膜分離処理装置11の手前にも第三吸光光度計55が設けられていることで、この測定値と透過液の測定値を比較してNF膜モジュール(又はエレメント)の交換時期をより正確に判断できる。NF膜分離処理装置が多段の場合は、各段の透過液の成分濃度を測定できる様な構成であるのが望ましいのは勿論のことである。なお、上述したことは、NF膜分離処理装置に限られることではなく、他の膜分離処理装置を用いる場合も同様である。   Further, in the resist stripping waste liquid recycling apparatus of FIG. 1, as a preferred embodiment, a resist stripping waste liquid component concentration detector from the resist stripping waste liquid storage tank 3, in particular, a third absorptiometer 55 as a resist concentration detector, and A component concentration detector of the permeate from the NF membrane separation processing apparatus 11, particularly a fourth absorptiometer 56 as a resist concentration detector is provided via sampling lines 54 and 57 (however, a resist stripping waste liquid storage tank The component concentration detector of the resist stripping waste liquid from No. 3 may be omitted, and the component concentration detector may be installed directly on the main line without using the sampling line). The liquid used for concentration detection may be returned to the resist stripping waste liquid storage tank 3 through the sampling lines 54 and 57, or drained, but it is not necessary to provide both means for returning and draining as shown in the figure. Usually, only one means is required. Instead of a resist concentration detector, an alkanolamine concentration detector, an organic solvent concentration detector, or two or more of these three types of detectors may be used, but the resist concentration detector is usually the most effective and only Is enough. The processing performance of the NF film deteriorates in the medium to long term, and the quality of the permeated liquid (concentration of each component, particularly the resist concentration) changes. Since the liquid quality change of the permeate also affects the quality of the regenerated resist stripping solution, it is necessary to periodically replace the NF membrane module (or element) before the deterioration progresses. ) The degree of performance deterioration of the NF membrane module (or element) varies depending on the individuality of each product, operation history, resist stripping waste liquid composition, etc., so replacement at the optimal time is extremely difficult and the replacement time is delayed The quality of the regenerated resist stripping solution may deteriorate and affect the product yield. On the other hand, when the replacement is performed early with a margin, there is a problem that the cost (NF membrane purchase cost, replacement work cost, etc.) associated with the replacement of the NF membrane module (or element) increases. Further, at the time of replacement work, it is necessary to temporarily stop the resist stripping waste liquid regeneration processing apparatus for performing the NF film processing, and depending on the case, it is necessary to stop the developing device and the production line. In order to solve such problems, a third absorptiometer 55 and a fourth absorptiometer 56 are provided. That is, when the NF film deteriorates, its resist removal rate changes, and usually decreases, so that the resist concentration in the permeate changes (the concentration of other components may also change) and usually increases. It becomes a trend. Therefore, the range of the liquid quality management reference value is determined in advance, and the NF membrane module (or element) is replaced when the measured resist concentration value deviates from the range. In addition, since the third absorptiometer 55 is also provided in front of the NF membrane separation processing apparatus 11, the measured value and the measured value of the permeate are compared to determine the replacement time of the NF membrane module (or element). Judge more accurately. When the NF membrane separation processing apparatus is multistage, it is needless to say that it is desirable to have a configuration that can measure the component concentration of the permeate in each stage. Note that what has been described above is not limited to the NF membrane separation processing apparatus, and the same applies when other membrane separation processing apparatuses are used.

NF膜分離処理装置は、例えば、図1に関連して上述した様に濃縮液を循環させる一段方式でもよいが、多段方式でもよい。多段方式のNF膜分離処理装置として、図面を参照しつつ三つの態様を次に説明する。ここで、被処理液は、レジスト剥離廃液又はそれに由来する処理液で、通常はレジスト剥離廃液であるが、これを「原廃液」と略称する。   The NF membrane separation processing apparatus may be, for example, a single-stage system that circulates the concentrate as described above with reference to FIG. As a multistage NF membrane separation processing apparatus, three modes will be described below with reference to the drawings. Here, the liquid to be treated is a resist stripping waste liquid or a processing liquid derived therefrom, and is usually a resist stripping waste liquid, but this is abbreviated as “raw waste liquid”.

<1>高回収率のための2段方式(図2参照)
原廃液を入れた原廃液槽61からポンプ62により保安フィルター63を通して、更にポンプ64により第1ナノフィルター65に送液し、ここでNF膜によりレジスト等の不純物が濃縮された濃縮液(以下、「NF濃縮液」と言う)とアルカノールアミンと有機溶媒を主に含む透過液(以下、「NF透過液」と言う)とに分離される。NF濃縮液はポンプ66により第2ナノフィルター67に送液され、一方、NF透過液は、NF透過液槽68に送液される。
<1> Two-stage system for high recovery rate (see Fig. 2)
From the raw waste liquid tank 61 containing the raw waste liquid, the liquid is fed through the safety filter 63 by the pump 62 and further to the first nanofilter 65 by the pump 64. And a permeate mainly containing alkanolamine and an organic solvent (hereinafter referred to as “NF permeate”). The NF concentrate is sent to the second nanofilter 67 by the pump 66, while the NF permeate is sent to the NF permeate tank 68.

第2ナノフィルター67では、上記NF濃縮液をNF膜分離処理し、上記NF濃縮液中のアルカノールアミンと有機溶媒をNF透過液側に更に回収し、このNF透過液をNF透過液ライン69を経由して返送し、原廃液中に混入させてもよい。一方、第2ナノフィルター67から得られるNF濃縮液は、例えば、ドレンライン70を通して、系外に廃液として排出する。この第2ナノフィルター67から得られるNF透過液のレジスト濃度が比較的低い場合は、少なくともその一部をNF透過液ライン71を通して、NF透過液槽68に送り、第1ナノフィルター65から得られるNF透過液と合流させてもよい。第2ナノフィルター67から得られるNF透過液を原廃液中に戻すか、少なくともその一部を第1ナノフィルター65から得られるNF透過液と合流させるかは、その純度等を考慮して弁72と弁73により調節する。NF透過液槽68中のNF透過液は、図示されていないイオン交換処理装置などに送る。なお、NF透過液槽68は省略してもよい。   In the second nanofilter 67, the NF concentrate is subjected to NF membrane separation treatment, and the alkanolamine and the organic solvent in the NF concentrate are further recovered on the NF permeate side, and this NF permeate is passed through the NF permeate line 69. It may be returned via and mixed in the raw waste liquid. On the other hand, the NF concentrate obtained from the second nanofilter 67 is discharged out of the system as a waste liquid through the drain line 70, for example. When the resist concentration of the NF permeate obtained from the second nanofilter 67 is relatively low, at least a part thereof is sent to the NF permeate tank 68 through the NF permeate line 71 and obtained from the first nanofilter 65. You may make it merge with NF permeation | transmission liquid. Whether the NF permeate obtained from the second nanofilter 67 is returned to the raw waste liquid or at least part of the NF permeate is combined with the NF permeate obtained from the first nanofilter 65 depends on the purity and the like. And the valve 73. The NF permeate in the NF permeate tank 68 is sent to an ion exchange processing device not shown. The NF permeate tank 68 may be omitted.

<2>高精製度のための2段方式(図3参照)
原廃液を入れた原廃液槽81からポンプ82により保安フィルター83を通して、更にポンプ84により第1ナノフィルター85に送液し、ここでNF膜によりレジスト等の不純物が濃縮されたNF濃縮液とアルカノールアミンと有機溶媒を主に含むNF透過液とに分離される。NF濃縮液は、例えば、ドレンライン86を通して、系外に廃液として排出する。一方、NF透過液は、ポンプ87により第2ナノフィルター88に送液し、ここでNF膜により残存レジスト等の不純物が濃縮されたNF濃縮液とアルカノールアミンと有機溶媒を主に含む更に精製されたNF透過液とに分離される。このNF濃縮液は比較的清浄なのでNF濃縮液ライン89を経由して返送し、原廃液中に混入させる。一方、第2ナノフィルター88から得られるNF透過液をNF透過液槽90に送り、次いで図示されていないイオン交換処理装置などに送る。なお、NF透過液槽90は省略してもよい。
<2> Two-stage system for high purity (see Fig. 3)
The raw waste liquid tank 81 containing the raw waste liquid is passed through the safety filter 83 by the pump 82, and further sent to the first nanofilter 85 by the pump 84, where the NF concentrated liquid and the alkanol in which impurities such as resist are concentrated by the NF film. Separated into an NF permeate mainly containing an amine and an organic solvent. For example, the NF concentrate is discharged out of the system as a waste liquid through a drain line 86. On the other hand, the NF permeate is sent to the second nanofilter 88 by the pump 87, where it is further purified mainly containing NF concentrate, alkanolamine, and organic solvent in which impurities such as residual resist are concentrated by the NF film. The NF permeate is separated. Since this NF concentrate is relatively clean, it is returned via the NF concentrate line 89 and mixed into the raw waste liquid. On the other hand, the NF permeate obtained from the second nanofilter 88 is sent to the NF permeate tank 90, and then sent to an ion exchange processing apparatus not shown. The NF permeate tank 90 may be omitted.

<3>上述の二方式の組み合わせ方式(図4参照)
原廃液槽91、ポンプ92、保安フィルター93、ポンプ94、第1ナノフィルター95、ポンプ96、第2ナノフィルター97、NF透過液ライン98と99、弁100と101、ドレンライン102が上述の<1>の2段方式(図2)と実質的に同様のシステムを構成している。また、原廃液槽91、ポンプ92、保安フィルター93、ポンプ94、第1ナノフィルター95、ポンプ103、第3ナノフィルター104、NF濃縮液ライン105、NF透過液槽106が上述の<2>の2段方式(図3)と実質的に同様のシステムを構成している。但し、図3におけるドレンライン86を通して第1ナノフィルター85から得られるNF濃縮液が系外に排出される代わりに、図4では第1ナノフィルター95から得られるNF濃縮液は第2ナノフィルター97に送液される点と、図3におけるNF濃縮液ライン89の代わりに、図4ではNF濃縮液ライン105と107とに分岐し、第3ナノフィルター104から得られるNF濃縮液はNF濃縮液ライン105を通して原廃液と合流させるか、NF濃縮液ライン107を経由して第1ナノフィルターから得られるNF濃縮液と合流させ、第2ナノフィルター97に送ることができるように構成されている点で両図のシステムは異なる。第3ナノフィルター104から得られるNF濃縮液を原廃液中に戻すか、少なくともその一部を第1ナノフィルター95から得られるNF濃縮液と合流させるかは、その純度等を考慮して弁108と弁109により調節する。NF透過液槽106中のNF透過液は、図示されていないイオン交換処理装置などに送る。なお、NF透過液槽106は省略してもよい。
<3> Combination method of the above two methods (see FIG. 4)
Raw waste tank 91, pump 92, safety filter 93, pump 94, first nanofilter 95, pump 96, second nanofilter 97, NF permeate lines 98 and 99, valves 100 and 101, and drain line 102 are <1> substantially the same system as the two-stage system (FIG. 2). In addition, the raw waste liquid tank 91, the pump 92, the safety filter 93, the pump 94, the first nanofilter 95, the pump 103, the third nanofilter 104, the NF concentrated liquid line 105, and the NF permeated liquid tank 106 are the above-mentioned <2>. A system substantially similar to the two-stage system (FIG. 3) is configured. However, instead of discharging the NF concentrate obtained from the first nanofilter 85 through the drain line 86 in FIG. 3 to the outside of the system, the NF concentrate obtained from the first nanofilter 95 in FIG. 4, instead of the NF concentrate line 89 in FIG. 3, the NF concentrate obtained from the third nanofilter 104 branches to the NF concentrate lines 105 and 107 in FIG. 4. It is configured such that it can be combined with the raw waste liquid through the line 105 or can be combined with the NF concentrated liquid obtained from the first nanofilter via the NF concentrated liquid line 107 and sent to the second nanofilter 97. The systems in both figures are different. Whether the NF concentrate obtained from the third nanofilter 104 is returned to the raw waste liquid or at least part of the NF concentrate is joined with the NF concentrate obtained from the first nanofilter 95 is determined by considering the purity and the like. And valve 109. The NF permeate in the NF permeate tank 106 is sent to an ion exchange processing apparatus not shown. The NF permeate tank 106 may be omitted.

このような多段方式は、勿論、<1>又は<2>の各2段方式を3段以上の方式として構成することもできる。   In such a multi-stage system, of course, each two-stage system of <1> or <2> can be configured as a system of three or more stages.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to an Example.

LCD製造工程から排出されたレジスト剥離廃液を用いて試験を行った。このレジスト剥離廃液の性状は、レジスト=524ppm、Na=1900ppb、Al=2430ppb、Fe=93ppb、水分=4重量%であった。本実施例において、レジストは吸光光度法により定量し、Na、Al、Feは原子吸光法で定量し、水分はカールフィッシャー水分計を用いて定量した。   The test was performed using the resist stripping waste liquid discharged from the LCD manufacturing process. The properties of the resist stripping waste liquid were as follows: resist = 524 ppm, Na = 1900 ppb, Al = 2430 ppb, Fe = 93 ppb, moisture = 4 wt%. In this example, resist was quantified by absorptiometry, Na, Al, and Fe were quantified by atomic absorption, and moisture was quantified using a Karl Fischer moisture meter.

NF膜として日東電工株式会社製NTR−7450(4インチモジュール)を使用し、運転濾過圧=10kgf/cm、透過液回収率=33%で上記レジスト剥離廃液を膜分離処理してNF透過液を得た。 NTR-7450 (4-inch module) manufactured by Nitto Denko Corporation was used as the NF membrane, and the above resist stripping waste liquid was subjected to membrane separation treatment at an operating filtration pressure = 10 kgf / cm 2 and a permeate recovery rate = 33%. Got.

乾燥強塩基性陰イオン交換樹脂アンバーリストB20−HG・DRY(水分含有量:10重量%)及び乾燥強酸性陽イオン交換樹脂アンバーリスト15JS−HG・DRY(水分含有量:0.5重量%)をそれぞれ充填した別カラムにいずれもSV=5の条件でこの順で通液してイオン交換処理液を得た。液の性状の変化を表1に示す。   Dry strong basic anion exchange resin Amberlyst B20-HG · DRY (water content: 10% by weight) and dry strong acid cation exchange resin Amberlyst 15JS-HG · DRY (water content: 0.5% by weight) Each was passed through another column packed in this order under the condition of SV = 5 to obtain an ion exchange treatment solution. Table 1 shows changes in liquid properties.

Figure 2005215627
Figure 2005215627

NF膜分離処理は、レジスト除去にはかなり効果的であるが、Na、Al、Fe等の金属類の除去には不十分であり、水分の除去は不可能であることが、NF透過液のデータから分かる。NF透過液を更にイオン交換処理すると、レジスト、金属類、水分が極めて効果的に除去されていることが分かる。   The NF membrane separation treatment is quite effective for resist removal, but is insufficient for removing metals such as Na, Al, Fe and the like, and it is impossible to remove moisture. You can see from the data. It can be seen that when the NF permeate is further subjected to ion exchange treatment, the resist, metals, and moisture are removed extremely effectively.

本発明によれば、レジスト剥離廃液から高品質の再生レジスト剥離液を得ることを可能とし、少なくともその再生再利用のライフを延長して、新品レジスト剥離液の主成分や添加剤の供給を充分に低減することもできるレジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置が提供されるので、得られる再生レジスト剥離液は、半導体デバイス、液晶ディスプレイ(LCD)やプラズマディスプレイパネル(PDP)等のフラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造におけるフォトリソグラフィー工程のレジスト剥離液として再利用できる。   According to the present invention, it is possible to obtain a high-quality recycled resist stripping solution from the resist stripping waste solution, and at least extend the life of the recycling and reuse, and supply the main components and additives of the new resist stripping solution sufficiently. A method and apparatus for regenerating a resist stripping waste liquid that can be reduced to a low level is provided. Therefore, the reclaimed resist stripping liquid obtained is a flat panel display such as a semiconductor device, a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP), It can be reused as a resist stripping solution in a photolithography process in the production of electronic components such as printed boards.

図1は、本発明の方法を実施できる本発明のレジスト剥離廃液再生処理装置の一例を示すフロー図である。FIG. 1 is a flowchart showing an example of a resist stripping waste liquid recycling treatment apparatus of the present invention that can carry out the method of the present invention. 図2は、本発明で用いてもよい2段方式のNF膜分離処理装置の一例を示すフロー図である。FIG. 2 is a flowchart showing an example of a two-stage NF membrane separation processing apparatus that may be used in the present invention. 図3は、本発明で用いてもよい2段方式のNF膜分離処理装置の他の一例を示すフロー図である。FIG. 3 is a flowchart showing another example of a two-stage NF membrane separation processing apparatus that may be used in the present invention. 図4は、本発明で用いてもよい多段方式のNF膜分離処理装置の他の一例を示すフロー図である。FIG. 4 is a flowchart showing another example of a multistage NF membrane separation treatment apparatus that may be used in the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 レジスト剥離装置
11 NF膜分離処理装置
21 イオン交換処理装置(イオン交換兼水分除去処理装置などの場合あり)
25 濃度調整槽
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resist peeling apparatus 11 NF membrane separation processing apparatus 21 Ion exchange processing apparatus (There may be an ion exchange and water removal processing apparatus etc.)
25 Concentration adjustment tank

Claims (10)

レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る過程において、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び/又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理工程、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び/又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理工程の一方又は両方の工程を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理方法。   In the process of regenerating a resist stripping waste liquid mainly containing a resist, an alkanolamine and an organic solvent to obtain a recycled resist stripping liquid, the resist stripping liquid or a processing liquid derived from the resist stripping liquid is brought into contact with an ion exchange resin to form a metal. The moisture content is reduced by bringing an ion exchange treatment step to remove the ionic impurities and / or ionic impurities, and contacting the resist stripping waste liquid or the processing liquid derived from the resist stripping waste liquid with a moisture removing agent and / or a degassing membrane. A method for regenerating a resist stripping waste liquid, comprising one or both of the steps of removing moisture. 前記イオン交換樹脂が、陰イオン交換樹脂及び/又は水素イオン形及びアルカノールアミン形の少なくとも一方の陽イオン交換樹脂及び/又はキレート樹脂であることを特徴とする請求項1に記載のレジスト剥離廃液の再生処理方法。   2. The resist stripping waste liquid according to claim 1, wherein the ion exchange resin is an anion exchange resin and / or a cation exchange resin and / or a chelate resin of at least one of a hydrogen ion type and an alkanolamine type. Playback processing method. 前記イオン交換樹脂が、その水分含有量が30重量%以下である乾燥イオン交換樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト剥離廃液の再生処理方法。   3. The method for recycling a resist stripping waste liquid according to claim 1, wherein the ion exchange resin is a dry ion exchange resin having a water content of 30% by weight or less. 膜分離処理装置によりレジストが濃縮された濃縮液と共に前記のレジスト剥離廃液に由来する処理液ともなり得るアルカノールアミン及び有機溶媒を主として含む透過液を得る膜分離処理工程を更に包含することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のレジスト剥離廃液の再生処理方法。   It further includes a membrane separation treatment step for obtaining a permeate mainly containing an alkanolamine and an organic solvent that can be a treatment liquid derived from the resist stripping waste liquid together with the concentrate obtained by concentrating the resist by the membrane separation treatment apparatus. A method for recycling a resist stripping waste liquid according to any one of claims 1 to 3. イオン交換処理工程及び/又は水分除去処理工程を少なくとも経て得られる処理液中のアルカノールアミン及び有機溶媒の濃度を調整する工程を更に包含することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のレジスト剥離廃液の再生処理方法。   5. The method according to claim 1, further comprising a step of adjusting concentrations of the alkanolamine and the organic solvent in the treatment liquid obtained through at least the ion exchange treatment step and / or the water removal treatment step. Process for recycling resist stripping waste liquid. レジスト、アルカノールアミン及び有機溶媒を主として含有するレジスト剥離廃液を再生処理して再生レジスト剥離液を得る装置であって、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液をイオン交換樹脂と接触させることにより金属類及び/又はイオン性不純物を除去するイオン交換処理装置、および、レジスト剥離廃液又はレジスト剥離廃液に由来する処理液を水分除去剤及び/又は脱気膜と接触させることによりその水分含有量を低減する水分除去処理装置の一方又は両方の装置を包含することを特徴とするレジスト剥離廃液の再生処理装置。   An apparatus for regenerating a resist stripping waste liquid mainly containing a resist, an alkanolamine, and an organic solvent to obtain a recycled resist stripping liquid, wherein the resist stripping waste liquid or a processing liquid derived from the resist stripping waste liquid is brought into contact with an ion exchange resin. The moisture content of an ion exchange treatment device that removes metals and / or ionic impurities by contact with a moisture removal agent and / or a degassing membrane with a resist removal waste solution or a treatment solution derived from a resist removal waste solution A device for regenerating a resist stripping waste liquid, comprising one or both of a water removal processing device for reducing water content. レジストが濃縮された濃縮液と共に前記のレジスト剥離廃液に由来する処理液ともなり得るアルカノールアミン及び有機溶媒を主として含む透過液を得る膜分離処理装置を更に包含することを特徴とする請求項6に記載のレジスト剥離廃液の再生処理装置。   7. A membrane separation processing apparatus for obtaining a permeate mainly containing an alkanolamine and an organic solvent that can be a processing liquid derived from the resist stripping waste liquid together with the concentrated resist concentrate. The resist stripping waste liquid recycling treatment apparatus described. イオン交換処理装置及び/又は水分除去処理装置を少なくとも経て得られる処理液を貯留し、該処理液中のアルカノールアミン及び有機溶媒の濃度を調整するための濃度調整槽、該濃度調整槽にアルカノールアミンを供給するアルカノールアミン供給手段及び該濃度調整槽に有機溶媒を供給する有機溶媒供給手段を更に包含することを特徴とする請求項6又は7に記載のレジスト剥離廃液の再生処理装置。   A concentration adjustment tank for storing a treatment liquid obtained through at least an ion exchange treatment apparatus and / or a water removal treatment apparatus and adjusting the concentrations of alkanolamine and organic solvent in the treatment liquid, and alkanolamine in the concentration adjustment tank The apparatus for regenerating a resist stripping waste liquid according to claim 6 or 7, further comprising an alkanolamine supply means for supplying the organic solvent and an organic solvent supply means for supplying an organic solvent to the concentration adjusting tank. 前記膜分離処理装置からの透過液を、該膜分離処理装置が多段の場合は少なくとも第1段の透過液を、系外にドレンするライン及び/又は該膜分離処理装置の前段に返送するラインが設けられていることを特徴とする請求項7又は8に記載のレジスト剥離廃液の再生処理装置。   A line for draining the permeate from the membrane separation processing apparatus to the outside of the system and / or a line for returning the permeate to the front stage of the membrane separation processing apparatus when the membrane separation processing apparatus has multiple stages. The resist stripping waste liquid recycling apparatus according to claim 7 or 8, characterized in that is provided. 前記膜分離処理装置からの透過液の成分濃度検出器が設けられていることを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載のレジスト剥離廃液の再生処理装置。   10. The resist stripping waste liquid regeneration processing apparatus according to claim 7, further comprising a component concentration detector for the permeated liquid from the membrane separation processing apparatus.
JP2004025610A 2004-02-02 2004-02-02 Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid Pending JP2005215627A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004025610A JP2005215627A (en) 2004-02-02 2004-02-02 Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004025610A JP2005215627A (en) 2004-02-02 2004-02-02 Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005215627A true JP2005215627A (en) 2005-08-11

Family

ID=34907946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004025610A Pending JP2005215627A (en) 2004-02-02 2004-02-02 Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005215627A (en)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008129571A (en) * 2006-11-21 2008-06-05 Air Products & Chemicals Inc Formulation for removal of photoresist, etch residue and bottom antireflection coating (barc), and method using the formulation
JP2008229409A (en) * 2007-03-16 2008-10-02 Ngk Insulators Ltd Solvent refining method and solvent refining system
JP2008229408A (en) * 2007-03-16 2008-10-02 Ngk Insulators Ltd Liquid separation method and liquid separation system
JP2010036130A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Kurita Water Ind Ltd Method and apparatus for recovering water-soluble organic solvent having amino group
US7674755B2 (en) 2005-12-22 2010-03-09 Air Products And Chemicals, Inc. Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
JP2010125352A (en) * 2008-11-25 2010-06-10 Japan Organo Co Ltd Treatment system for waste water generated in photoresist development
JP2013544433A (en) * 2010-11-07 2013-12-12 セントフェクス リミターダ エ コマンディータ Patterned substrate manufacturing equipment
JP2014078643A (en) * 2012-10-11 2014-05-01 Nippon Refine Kk Regeneration method and regeneration apparatus for resist stripping solution
JP2014144937A (en) * 2013-01-30 2014-08-14 Japan Organo Co Ltd NMP purification system
JP2014144938A (en) * 2013-01-30 2014-08-14 Japan Organo Co Ltd NMP purification system
JP2014144936A (en) * 2013-01-30 2014-08-14 Japan Organo Co Ltd Nmp purification system and nmp purification method
JPWO2017208767A1 (en) * 2016-06-03 2019-03-28 富士フイルム株式会社 Processing solution, substrate cleaning method and resist removal method
JP2019188300A (en) * 2018-04-23 2019-10-31 オルガノ株式会社 Method of removing metal in liquid, and anion exchange resin-mixed h chelate resin
CN115304187A (en) * 2022-08-17 2022-11-08 上海盛剑微电子有限公司 Method for recovering and treating waste stripping solution
CN115427392A (en) * 2020-04-08 2022-12-02 陶氏环球技术有限责任公司 Organic amine purification process
WO2024142428A1 (en) * 2022-12-27 2024-07-04 日東電工株式会社 Method for manufacturing wiring circuit board

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03204921A (en) * 1989-10-06 1991-09-06 Nec Corp Exfoliation device
JPH0669175A (en) * 1993-01-27 1994-03-11 Tokuyama Soda Co Ltd Method of cleaning semiconductor base material
JPH07235487A (en) * 1993-12-29 1995-09-05 Hirama Rika Kenkyusho:Kk Managing apparatus for resist stripper
JPH10284458A (en) * 1997-04-04 1998-10-23 Nec Corp Semiconductor manufacturing device
JPH11190907A (en) * 1996-11-21 1999-07-13 Japan Organo Co Ltd Regenerating method of photoresist developer waste liquid
JP2003167358A (en) * 2001-11-29 2003-06-13 Nagase & Co Ltd Equipment for regenerating used resist peeling solution and method therefor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03204921A (en) * 1989-10-06 1991-09-06 Nec Corp Exfoliation device
JPH0669175A (en) * 1993-01-27 1994-03-11 Tokuyama Soda Co Ltd Method of cleaning semiconductor base material
JPH07235487A (en) * 1993-12-29 1995-09-05 Hirama Rika Kenkyusho:Kk Managing apparatus for resist stripper
JPH11190907A (en) * 1996-11-21 1999-07-13 Japan Organo Co Ltd Regenerating method of photoresist developer waste liquid
JPH10284458A (en) * 1997-04-04 1998-10-23 Nec Corp Semiconductor manufacturing device
JP2003167358A (en) * 2001-11-29 2003-06-13 Nagase & Co Ltd Equipment for regenerating used resist peeling solution and method therefor

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7674755B2 (en) 2005-12-22 2010-03-09 Air Products And Chemicals, Inc. Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
JP2008129571A (en) * 2006-11-21 2008-06-05 Air Products & Chemicals Inc Formulation for removal of photoresist, etch residue and bottom antireflection coating (barc), and method using the formulation
JP4499751B2 (en) * 2006-11-21 2010-07-07 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド Formulation for removing photoresist, etch residue and BARC and method comprising the same
JP2008229409A (en) * 2007-03-16 2008-10-02 Ngk Insulators Ltd Solvent refining method and solvent refining system
JP2008229408A (en) * 2007-03-16 2008-10-02 Ngk Insulators Ltd Liquid separation method and liquid separation system
JP2010036130A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Kurita Water Ind Ltd Method and apparatus for recovering water-soluble organic solvent having amino group
JP2010125352A (en) * 2008-11-25 2010-06-10 Japan Organo Co Ltd Treatment system for waste water generated in photoresist development
JP2013544433A (en) * 2010-11-07 2013-12-12 セントフェクス リミターダ エ コマンディータ Patterned substrate manufacturing equipment
JP2014078643A (en) * 2012-10-11 2014-05-01 Nippon Refine Kk Regeneration method and regeneration apparatus for resist stripping solution
JP2014144937A (en) * 2013-01-30 2014-08-14 Japan Organo Co Ltd NMP purification system
JP2014144938A (en) * 2013-01-30 2014-08-14 Japan Organo Co Ltd NMP purification system
JP2014144936A (en) * 2013-01-30 2014-08-14 Japan Organo Co Ltd Nmp purification system and nmp purification method
JPWO2017208767A1 (en) * 2016-06-03 2019-03-28 富士フイルム株式会社 Processing solution, substrate cleaning method and resist removal method
JP2021052186A (en) * 2016-06-03 2021-04-01 富士フイルム株式会社 Processing liquid, substrate cleaning method and resist removal method
US11397383B2 (en) 2016-06-03 2022-07-26 Fujifilm Corporation Treatment liquid, method for washing substrate, and method for removing resist
JP2022176944A (en) * 2016-06-03 2022-11-30 富士フイルム株式会社 Processing solution, substrate cleaning method, and resist removal method
US11899369B2 (en) 2016-06-03 2024-02-13 Fujifilm Corporation Treatment liquid, method for washing substrate, and method for removing resist
JP2019188300A (en) * 2018-04-23 2019-10-31 オルガノ株式会社 Method of removing metal in liquid, and anion exchange resin-mixed h chelate resin
WO2019207995A1 (en) * 2018-04-23 2019-10-31 オルガノ株式会社 Method for removing metal in liquid and h-type chelate resin mixed with anion exchange resin
JP7213023B2 (en) 2018-04-23 2023-01-26 オルガノ株式会社 METHOD FOR REMOVING METAL IN LIQUID AND H-TYPE CHELATE RESIN MIXED WITH ANION EXCHANGE RESIN
TWI827592B (en) * 2018-04-23 2024-01-01 日商奧璐佳瑙股份有限公司 Method for removing metals in liquid, and anion exchange resin-mixed h-type chelating resin
CN115427392A (en) * 2020-04-08 2022-12-02 陶氏环球技术有限责任公司 Organic amine purification process
CN115304187A (en) * 2022-08-17 2022-11-08 上海盛剑微电子有限公司 Method for recovering and treating waste stripping solution
WO2024142428A1 (en) * 2022-12-27 2024-07-04 日東電工株式会社 Method for manufacturing wiring circuit board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005215627A (en) Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid
KR100361799B1 (en) Method and apparatus for regenerating photoresist developing waste liquid
JP4917581B2 (en) Pure water production method
JP4085987B2 (en) Recycle processing method of photoresist development waste liquid
JP4385407B2 (en) Method for treating tetraalkylammonium ion-containing liquid
US10717076B2 (en) Metal contamination inhibitor, metal contamination inhibition membrane, method for preventing metal contamination, and method for cleaning product
JP3758011B2 (en) Equipment for recovering and reusing recycled developer from photoresist developer waste
KR101021784B1 (en) Recycling method and apparatus of waste etching solution
TWI417430B (en) Method and system for point of use treatment of substrate polishing fluids
JP3497841B2 (en) Developing waste liquid recycling apparatus and developing waste liquid recycling method
JP3968678B2 (en) Method for treating tetraalkylammonium ion-containing liquid
JP2716655B2 (en) Cleaning method for reverse osmosis membrane device
JPH0747371A (en) Treatment of fluoride-containing water
JP5062093B2 (en) Method for recovering water-soluble organic solvent having amino group
JPH07962A (en) Production of pure water
JP3906855B2 (en) Method and apparatus for treating wastewater containing organic matter and oxidizing agent
JP2001212596A (en) Method for regenerating spent developer
JP2005173402A (en) Regenerating apparatus for photoresist development fluid waste
JP2005175118A (en) Regenerating processing device for waste photoresist developer
JPH04210288A (en) Production of super pure water
JP2003215810A (en) Method for recovering developer from photoresist developer waste liquid
TW202216295A (en) Pure water production method and production device
JP3101642B2 (en) Ultrapure water production method
JP2577014B2 (en) Pure water supply device
JP2001276825A (en) Method and equipment for recovering and reutilizing drain generated in developing process

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081125

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090326