JPH07235487A - Managing apparatus for resist stripper - Google Patents

Managing apparatus for resist stripper

Info

Publication number
JPH07235487A
JPH07235487A JP6333249A JP33324994A JPH07235487A JP H07235487 A JPH07235487 A JP H07235487A JP 6333249 A JP6333249 A JP 6333249A JP 33324994 A JP33324994 A JP 33324994A JP H07235487 A JPH07235487 A JP H07235487A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
resist stripping
concentration
mea
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6333249A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2602179B2 (en
Inventor
Toshimoto Nakagawa
俊元 中川
Kozo Tsukada
光三 塚田
Osamu Ogawa
修 小川
Yoshitaka Sato
嘉高 佐藤
Shinichiro Shiozu
信一郎 塩津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nagase and Co Ltd
Hirama Rika Kenkyusho Ltd
Original Assignee
Nagase and Co Ltd
Hirama Rika Kenkyusho Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nagase and Co Ltd, Hirama Rika Kenkyusho Ltd filed Critical Nagase and Co Ltd
Priority to JP33324994A priority Critical patent/JP2602179B2/en
Publication of JPH07235487A publication Critical patent/JPH07235487A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2602179B2 publication Critical patent/JP2602179B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a managing apparatus for resist strippers, used to strip resist in liquid crystal substrate or semiconductor manufacturing processes, that maintains specific qualities of resist strippers and allows the reduction of quantity required, down time and cost. CONSTITUTION:The managing apparatus for resist strippers consists of a resist stripper discharge means that detects the concentration of resist dissolved in a resist stripper through an absorption spectrophotometer 16, and that discharges the resist stripper; a first replenishing means that detects the level of resist stripper through a level gauge 3, and that replenishes organic solvent and alkanol amine, such as MEA; and a second replenishing means that detects the concentration of alkanol amine, such as MEA, dissolved in resist stripper through an absorption spectrophotometer 15, and that replenishes either or both of organic solvent and alkanol amine, such as MEA.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶基板製造工程や半
導体製造工程などにおいて、レジストの剥離に用いられ
るレジスト剥離液の管理装置、詳しくは、レジスト剥離
液の循環使用における連続自動補給機構、アルカノール
アミン濃度調整機構、及びレジスト剥離で溶出したレジ
ストの濃縮化に伴うレジスト剥離性能の劣化抑制のため
のレジスト剥離液自動排出機構を併せて有する装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist stripping liquid management device used for stripping resist in a liquid crystal substrate manufacturing process, a semiconductor manufacturing process, etc. The present invention relates to an apparatus having both an alkanolamine concentration adjusting mechanism and a resist stripping liquid automatic discharging mechanism for suppressing deterioration of resist stripping performance due to concentration of resist eluted during resist stripping.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶基板や半導体などの製造工程におけ
るフォトリソグラフィ工程で使用されるレジスト材料に
は、露光によって可溶化するポジ型と、露光によって不
溶化するネガ型とがあり、主としてポジ型が多用されて
いる。ポジ型レジストの代表例として、ナフトキノンジ
アジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂(ノボラック樹
脂)を主成分とするものがある。フォトリソグラフィ工
程の最終段階では、レジストを基板から完全に剥離する
工程が必要である。液晶基板や半導体などのレジスト剥
離工程においては、レジスト剥離液として有機溶媒溶
液、有機アルカリ溶液、有機溶媒と有機アルカリの混合
溶液などが使用されている。例えば、ジメチルスルホキ
シド系の溶液、N−メチルピロリドン系の溶液、グライ
コールエーテルとアルカノールアミン系の混合溶液など
がスプレー方式あるいはディップ方式などで使用されて
いる。
2. Description of the Related Art Resist materials used in photolithography processes in manufacturing liquid crystal substrates and semiconductors include a positive type which is solubilized by exposure and a negative type which is insolubilized by exposure. Has been done. As a typical example of the positive type resist, there is one having a naphthoquinonediazide-based photosensitizer and an alkali-soluble resin (novolak resin) as main components. At the final stage of the photolithography process, a process of completely removing the resist from the substrate is required. In a resist stripping process for a liquid crystal substrate or a semiconductor, an organic solvent solution, an organic alkali solution, a mixed solution of an organic solvent and an organic alkali, or the like is used as a resist stripping solution. For example, a dimethylsulfoxide-based solution, an N-methylpyrrolidone-based solution, a mixed solution of a glycol ether and an alkanolamine-based solution, and the like are used by a spray method or a dip method.

【0003】従来法では、レジスト剥離処理槽へ所定濃
度の一定量のレジスト剥離新液を充填してスタートし、
経験等にもとづく基板処理枚数などを指標として、レジ
スト剥離液が減量しつつ所定劣化濃度域に達したとき、
予め用意した新液と一挙に全量交換するバッチ操業の形
態をとっている。この液交換時期は槽容量や基板の種
類、枚数等により一定ではないが、およそ4日間前後に
1回の頻度で行なわれている。レジスト剥離液が劣化す
ると、一定の剥離速度が得られず剥離残渣が生じ歩留り
の低下を引き起こす。
In the conventional method, a resist stripping tank is filled with a predetermined amount of a new resist stripping solution to start the process.
When the amount of resist stripper reaches the prescribed deterioration concentration range while decreasing, using the number of substrates processed based on experience etc. as an index,
It is in the form of batch operation in which all the new liquid prepared in advance is exchanged at once. The liquid exchange timing is not constant depending on the tank capacity, the type of substrate, the number of substrates, etc., but is performed once every four days or so. When the resist stripping solution deteriorates, a constant stripping rate cannot be obtained, and stripping residues occur, which causes a reduction in yield.

【0004】レジスト剥離液として用いられる非水系溶
液は、通常70〜90℃で使用されている。レジスト剥
離液に使用される成分の沸点は、有機溶媒が190〜2
40℃程度であり、アルカノールアミン、例えばモノエ
タノールアミン(以下、単にMEAという)が171℃
である。従って、レジスト剥離溶液は、使用中にレジス
ト剥離槽の大気シールのためのパージ窒素ガスに同伴し
て低沸点のMEAが優先的に蒸発することで、MEA濃
度が下降して濃度変動を生じる。また、アルカリである
MEAが、溶解レジストの酸との反応、ならびに空気中
の炭酸ガスの吸収、反応により、あるいは分解により濃
度低下を生じる。そのため逐次レジスト剥離性能が低下
するが、従来はMEA濃度をリアルタイムで測定するこ
とが行なわれず、かつ所定濃度に一定に制御することが
行なわれていなかった。
The non-aqueous solution used as a resist stripping solution is usually used at 70 to 90 ° C. The boiling point of the component used in the resist stripping solution is 190 to 2 for the organic solvent.
It is about 40 ° C, and alkanolamine such as monoethanolamine (hereinafter simply referred to as MEA) is 171 ° C.
Is. Therefore, the resist stripping solution accompanies the purge nitrogen gas for sealing the atmosphere of the resist stripping tank during use and preferentially evaporates the low boiling point MEA, whereby the MEA concentration decreases and the concentration changes. In addition, the concentration of MEA, which is an alkali, decreases due to the reaction with the acid of the dissolved resist and the absorption and reaction of carbon dioxide gas in the air, or due to decomposition. As a result, the resist stripping performance is gradually deteriorated, but conventionally, the MEA concentration was not measured in real time, and the MEA concentration was not constantly controlled to a predetermined concentration.

【0005】また、レジスト剥離処理によってレジスト
剥離液中に溶解したレジストは逐次濃縮し、レジスト剥
離性能劣化の一因となっているが、従来は溶解レジスト
濃度をリアルタイムで測定することが行なわれず、かつ
所定濃度に一定に制御することが行なわれていなかっ
た。
Further, the resist dissolved in the resist stripping solution by the resist stripping process is successively concentrated, which is a cause of deterioration of the resist stripping performance, but conventionally, the concentration of the dissolved resist is not measured in real time. Moreover, it has not been performed to control the concentration to a predetermined value.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従って、この間のME
A濃度及び溶解レジスト濃度は経時的に変化して一定で
ないため、レジストの剥離残渣を生じ、液晶基板の高精
細寸法の精度制御が困難で、製品の品質を不安定にし、
歩留りを低下させていた。また液交換時の操業停止(ダ
ウンタイム)により大幅な稼動率低下をきたし、レジス
ト剥離液の交換作業に伴う労務コストが必要であった。
Therefore, during this period, the ME
Since the A concentration and the dissolved resist concentration change with time and are not constant, a resist peeling residue is generated, it is difficult to control the precision of the high-definition dimension of the liquid crystal substrate, and the product quality becomes unstable.
It was reducing the yield. Further, the operation rate (downtime) at the time of exchanging the liquid caused a large decrease in the operating rate, and the labor cost associated with the exchanging work of the resist stripping liquid was required.

【0007】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、液晶基板製造工程などの大量生産
に適した簡便な従来技術によるライン搬送方式の利点を
生かしながら、前述した従来技術の問題点を解消するも
のである。すなわち、本発明の目的は、有機溶媒とアル
カノールアミンの原液を用意しておけば、レジスト剥離
液を所定のアルカノールアミン濃度と溶解レジスト濃度
に自動制御し、かつレジスト剥離処理槽の液補給に対し
て適切な管理を行ない、もってレジスト剥離性能を常時
一定化するとともに、使用原液量を削減し、操業停止時
間を大幅に短縮して総合的な製造コストの低減を可能と
することにある。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to make use of the advantages of the conventional conventional line transfer system suitable for mass production such as a liquid crystal substrate manufacturing process, while taking advantage of the above-mentioned conventional method. It eliminates technical problems. That is, the object of the present invention is to prepare an undiluted solution of an organic solvent and an alkanolamine, to automatically control the resist stripping solution to a predetermined alkanolamine concentration and a dissolved resist concentration, and to replenish the resist stripping tank. The purpose is to maintain proper resist stripping performance at all times, reduce the amount of stock solution used, and significantly reduce the downtime of operations, thus making it possible to reduce overall manufacturing costs.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、レジ
スト剥離処理槽のレジスト剥離液中に溶解したレジスト
濃度は、図8に示すように、その吸光度と相関関係にあ
ることを実験により確認したことから、溶解レジスト濃
度を吸光度測定により調整、制御し、さらにレジスト剥
離液中のMEA濃度が、図5に示すように、その吸光度
との間に相関関係にあることを実験によって確認したこ
とから、MEA濃度を吸光度測定により調整、制御する
ようにしたものである。
According to the present invention, it is confirmed by experiments that the concentration of resist dissolved in the resist stripping solution in the resist stripping tank is correlated with its absorbance, as shown in FIG. Therefore, the concentration of the dissolved resist was adjusted and controlled by measuring the absorbance, and further, it was confirmed by experiments that the MEA concentration in the resist stripping solution has a correlation with the absorbance as shown in FIG. Therefore, the MEA concentration is adjusted and controlled by measuring the absorbance.

【0009】すなわち、上記の目的を達成するために、
本発明のレジスト剥離液管理装置は、図1に示すよう
に、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計1
6により検出してレジスト剥離液を排出するレジスト剥
離液排出手段と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レ
ベル計3により検出して有機溶媒とアルカノールアミン
とを補給する第一補給手段と、レジスト剥離液のアルカ
ノールアミン濃度を吸光光度計15により検出して、有
機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも一方を補給
する第二補給手段とを備えたことを特徴としている。ま
た、本発明のレジスト剥離液管理装置は、第一補給手段
において、有機溶媒とアルカノールアミンとを補給する
代わりに、図2に示すように、有機溶媒とアルカノール
アミンとを予め調合したレジスト剥離新液をもって補給
するようにしたことを特徴としている。
That is, in order to achieve the above object,
As shown in FIG. 1, the resist stripping solution management apparatus of the present invention measures the dissolved resist concentration of the resist stripping solution by an absorptiometer 1
A resist stripping solution discharging means for discharging the resist stripping solution detected by 6; and a first replenishing means for sensing the liquid level of the resist stripping solution by the liquid level meter 3 to replenish the organic solvent and the alkanolamine. A second replenishing means for replenishing at least one of the organic solvent and the alkanolamine by detecting the alkanolamine concentration of the resist stripping solution by the absorptiometer 15 is provided. In addition, the resist stripping solution management apparatus of the present invention is, in the first replenishing means, instead of replenishing the organic solvent and the alkanolamine, as shown in FIG. The feature is that it is replenished with liquid.

【0010】さらに、本発明のレジスト剥離液管理装置
は、図3に示すように、レジスト剥離液の溶解レジスト
濃度を吸光光度計16により検出して有機溶媒とアルカ
ノールアミンとを補給する第三補給手段と、レジスト剥
離液のアルカノールアミン濃度を吸光光度計15により
検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも
一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴とし
ている。また、本発明のレジスト剥離液管理装置は、図
4に示すように、有機溶媒とアルカノールアミンとを補
給する第三補給手段において、有機溶媒とアルカノール
アミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアルカノール
アミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補給するよ
うにしたことを特徴としている。有機溶媒としては、例
えばジメチルスルホキシド系原液、N−メチルピロリド
ン系原液、グライコールエーテル系原液などが用いられ
る。また、アルカノールアミンとしては、モノエタノー
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエ
チルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミ
ン、N−メチル−N,N−ジエタノールアミン、N,N
−ジブチルエタノールアミン、N−メチルエタノールア
ミン、3−アミノ−1−プロパノールを挙げることがで
きる。
Further, as shown in FIG. 3, the resist stripping solution management apparatus of the present invention detects the dissolved resist concentration of the resist stripping solution with an absorptiometer 16 and replenishes the organic solvent and the alkanolamine with the third replenishment. And a second replenishing means for replenishing at least one of the organic solvent and the alkanolamine by detecting the alkanolamine concentration of the resist stripping solution with the absorptiometer 15. Further, as shown in FIG. 4, the resist stripping solution management apparatus of the present invention uses a third replenishing means for replenishing the organic solvent and the alkanolamine, instead of replenishing the organic solvent and the alkanolamine. The feature is that a new resist stripping solution prepared in advance with amine is replenished. As the organic solvent, for example, a dimethylsulfoxide-based stock solution, an N-methylpyrrolidone-based stock solution, a glycol ether-based stock solution, or the like is used. As alkanolamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, aminoethylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N
-Dibutyl ethanolamine, N-methyl ethanolamine, 3-amino-1-propanol can be mentioned.

【0011】[0011]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の好適な実施例
を、アルカノールアミンとしてモノエタノールアミン
(MEA)を用いる場合について詳細に説明する。ただ
し、この実施例に記載されている構成機器の形状、その
相対配置などは、とくに特定的な記載がない限りは、本
発明の範囲をそれらのみに限定するものではなく、単な
る説明例にすぎない。図1は本発明の一実施例を示す装
置系統図である。図中の参照番号1〜13は、従来の既
設のレジスト剥離処理装置を構成する機器である。すな
わち、この従来のレジスト剥離処理装置は、レジスト剥
離液を貯留するレジスト剥離処理槽1、オーバーフロー
槽2、液面レベル計3、レジスト剥離室フード4、レジ
スト剥離液スプレー7、レジスト剥離液スプレーへの送
液ポンプ8、レジスト剥離液中の微細粒子等を除去する
ためのフィルター9、基板を配置してレジスト剥離しつ
つ移動するローラーコンベアー5、基板6、及びレジス
ト剥離液の清浄化と攪拌のための循環ポンプ11、微細
粒子除去用フィルター13、ならびにN2 ガス、MEA
等の配管類などからなっている。
The preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings in the case of using monoethanolamine (MEA) as an alkanolamine. However, the shape of the constituent devices described in this embodiment, the relative arrangement thereof, and the like, unless otherwise specified, do not limit the scope of the present invention to only those, but are merely illustrative examples. Absent. FIG. 1 is a system diagram showing an embodiment of the present invention. Reference numerals 1 to 13 in the figure are devices constituting a conventional existing resist stripping processing apparatus. That is, this conventional resist stripping processing apparatus is applied to a resist stripping processing tank 1 for storing a resist stripping solution, an overflow tank 2, a liquid level meter 3, a resist stripping chamber hood 4, a resist stripping solution spray 7, a resist stripping solution spray. Liquid feed pump 8, a filter 9 for removing fine particles and the like in the resist stripping solution, a roller conveyor 5 for disposing the substrate and moving while stripping the resist, a substrate 6, and cleaning and stirring of the resist stripping solution. Circulation pump 11 for cleaning, fine particle removing filter 13, N 2 gas, MEA
It is composed of piping etc.

【0012】本発明にもとづき、上記レジスト剥離処理
装置に付設される機器は、吸光光度計15、吸光光度計
16、液排出ポンプ18、及び有機溶媒原液供給缶1
9、有機溶媒供給用の流量調節弁21、MEA原液(M
EAを主成分とし有機溶媒を混合した溶液も含む)供給
缶29、MEA供給用の流量調節弁22と、これら各機
器を接続する配管類、電気計装類又は空気計装類などで
ある。
According to the present invention, the equipment attached to the resist stripping processing apparatus is an absorptiometer 15, an absorptiometer 16, a liquid discharge pump 18, and an organic solvent stock solution supply can 1.
9, flow control valve 21 for supplying organic solvent, MEA stock solution (M
A supply can 29, a flow control valve 22 for MEA supply, and pipes connecting these devices, electric instrumentation or air instrumentation, etc. are also included.

【0013】レジスト剥離処理槽1に貯留される液量
は、レジスト剥離液スプレー7の所要量を供給できれば
足りるが、工程の安定上からは制御されることが必要で
ある。液面レベル計3は、レジスト剥離処理中に基板に
付着して系外に持ち出されることで自然減量することに
よる液面レベル低下を検出し、あるいはレジスト剥離性
能が劣化した液を強制排出したときの液面レベル低下を
検出し、レジスト剥離処理槽1の液量を一定範囲に管理
する。ここで、レジスト剥離劣化液は、排出ポンプ18
を作動することによりドレン用配管に流下する。なお、
劣化液をドレン用配管を経由せずに直接系外に抜き出す
場合もある。
The amount of liquid stored in the resist stripping treatment tank 1 is sufficient if the required amount of the resist stripping liquid spray 7 can be supplied, but it is necessary to control it in order to stabilize the process. The liquid level meter 3 detects a decrease in the liquid level due to spontaneous reduction by adhering to the substrate during the resist stripping process and being taken out of the system, or when the liquid with degraded resist stripping performance is forcibly discharged. The decrease in the liquid level is detected and the liquid amount in the resist stripping tank 1 is controlled within a certain range. Here, the resist peeling deterioration liquid is the discharge pump 18
Is activated to flow down to the drain pipe. In addition,
In some cases, the deterioration liquid may be directly extracted from the system without passing through the drain pipe.

【0014】有機溶媒、例えば、ブチルジグリコール
(以下、BDGと略称する。沸点は、230.6℃であ
る。)を貯留する有機溶媒原液供給缶19は、配管20
からのN2 ガスで1〜2Kgf /cm2 に加圧されており、
有機溶媒流量調節弁21の開により圧送される。また、
MEAを貯留するMEA原液供給缶29は、配管30か
らのN2 ガスで1〜2Kgf /cm2 に加圧されており、M
EA流量調節弁22の開により送液される。この有機溶
媒及びMEAはそれぞれの弁を自動調節して送液され、
管路23で合流して管路12に流入し、循環流とともに
混合されながらレジスト剥離処理槽1に入る。なお、有
機溶媒とMEAとを合流させずに、管路12又はレジス
ト剥離処理槽1にそれぞれ連結することも可能である。
しかし、図1に示すように有機溶媒とMEAとを管路2
3で合流させた後、循環管路12に流入させるのが、十
分な混合がなされるので望ましい。
An organic solvent stock solution supply canister 19 for storing an organic solvent such as butyldiglycol (hereinafter, abbreviated as BDG; boiling point is 230.6 ° C.) is provided with a pipe 20.
Is pressurized to 1-2 Kgf / cm 2 with N 2 gas from
The pressure is fed by opening the organic solvent flow control valve 21. Also,
The MEA undiluted solution supply canister 29 that stores the MEA is pressurized to 1-2 Kgf / cm 2 with N 2 gas from the pipe 30, and
Liquid is delivered by opening the EA flow rate control valve 22. The organic solvent and MEA are sent by automatically adjusting their valves.
They merge in the pipe line 23, flow into the pipe line 12, and enter the resist stripping tank 1 while being mixed with the circulating flow. It is also possible to connect the organic solvent and the MEA to the pipe line 12 or the resist stripping treatment tank 1 without joining them.
However, as shown in FIG.
It is desirable to join them in 3 and then to flow them into the circulation line 12 because sufficient mixing is achieved.

【0015】また、レジスト剥離液スプレー用の管路1
0にオンラインで設置した吸光光度計15と吸光光度計
16(例えば、両器は一体構成)には、管路14から試
料液が導入されて両者の吸光度が連続測定され、測定済
み液は管路17から管路10に戻される。なお、吸光光
度計15と吸光光度計16とを別体として設置すること
も可能である。
Further, a pipe line 1 for spraying the resist stripping solution.
A sample solution is introduced from the conduit 14 into the absorptiometer 15 and the absorptiometer 16 (for example, both instruments are integrated) installed online at 0, and the absorbances of both are continuously measured, and the measured solution is Returning from line 17 to line 10. It is also possible to install the absorptiometer 15 and the absorptiometer 16 as separate bodies.

【0016】図2は、本発明の他の実施例を示す装置系
統図である。本実施例は、レジスト剥離液の液面レベル
を液面レベル計3により検出して有機溶媒とMEAとを
補給する代わりに、図2に示すように、レジスト剥離液
の液面レベルを液面レベル計3により検出して有機溶媒
とMEAとを予め調合したレジスト剥離新液を補給する
ように構成したものである。27はレジスト剥離新液供
給缶、28は新液流量調節弁である。他の構成は図1の
場合と同様である。
FIG. 2 is a system diagram showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, instead of detecting the liquid level of the resist stripping liquid with the liquid level meter 3 and replenishing the organic solvent and MEA, the liquid level of the resist stripping liquid is changed to the liquid level as shown in FIG. It is configured so that a resist stripping new liquid prepared by preliminarily mixing an organic solvent and MEA as detected by the level meter 3 is replenished. 27 is a resist stripping new liquid supply can, and 28 is a new liquid flow rate control valve. Other configurations are similar to those in the case of FIG.

【0017】図3は、本発明の他の実施例を示す装置系
統図である。本実施例は、レジスト剥離液の溶解レジス
ト濃度を吸光光度計16により検出して有機溶媒とME
Aとを補給するように構成したものである。図3に示す
ように、通常において、液面レベルはオーバーフロー用
の堰の位置付近にあり、有機溶媒及びMEAの少なくと
も一方が補給された場合は、オーバーフロー用の堰から
劣化したレジスト剥離液がオーバーフローして自動排出
される。なお、排出ポンプ18は必ずしも必要ではな
く、排出ポンプ18の代わりに弁を設けてもよい。他の
構成は図1の場合と同様である。
FIG. 3 is a system diagram showing another embodiment of the present invention. In this embodiment, the concentration of dissolved resist in the resist stripper is detected by an absorptiometer 16 to detect the organic solvent and ME.
It is configured to supply A and A. As shown in FIG. 3, normally, the liquid level is near the position of the overflow weir, and when at least one of the organic solvent and MEA is replenished, the deteriorated resist stripping liquid overflows from the overflow weir. Then, it is automatically ejected. The discharge pump 18 is not always necessary, and a valve may be provided instead of the discharge pump 18. Other configurations are similar to those in the case of FIG.

【0018】図4は、本発明のさらに他の実施例を示す
装置系統図である。本実施例は、レジスト剥離液の溶解
レジスト濃度を吸光光度計16により検出して補給する
第三補給手段において、有機溶媒とMEAとを補給する
代わりに、図4に示すように、有機溶媒とMEAとを予
め調合したレジスト剥離新液を補給するように構成した
ものである。他の構成は図3の場合と同様である。
FIG. 4 is a device system diagram showing still another embodiment of the present invention. In the present embodiment, in the third replenishing means for detecting the dissolved resist concentration of the resist stripping solution by the absorptiometer 16 and replenishing it, instead of replenishing the organic solvent and MEA, as shown in FIG. MEA and MEA are prepared in advance to supply a new resist stripping solution. Other configurations are similar to those in the case of FIG.

【0019】次に図1に示す実施例装置の制御系統につ
いて説明する。液面レベル計3とレジスト剥離処理槽1
の液面レベル、吸光光度計15とレジスト剥離液のME
A濃度、吸光光度計16とレジスト剥離液の溶解レジス
ト濃度の3者は、本質的にはそれぞれ独立機能として作
用するが、本発明においては、これらを相互の補完的な
関連において機能させることを特徴としている。また、
はじめに製品基板の品質管理上で必要なレジスト剥離液
のMEA濃度の目標値、溶解レジスト濃度の濃縮限界値
などは、操業実績又は計算に基づき予め各制御器に設定
しておかねばならない。
Next, the control system of the embodiment apparatus shown in FIG. 1 will be described. Liquid level meter 3 and resist stripping tank 1
Liquid level, absorptiometer 15 and ME of resist stripper
The A concentration, the absorptiometer 16 and the dissolved resist concentration of the resist stripping solution essentially act as independent functions, respectively, but in the present invention, it is necessary to make them function in a mutually complementary relationship. It has a feature. Also,
First, the target value of the MEA concentration of the resist stripping solution and the concentration limit value of the dissolved resist concentration, which are necessary for quality control of the product substrate, must be set in advance in each controller based on the operation results or calculation.

【0020】以下、レジスト剥離液としてBDGとME
Aの混合溶液を使用した実施例について説明する。通
常、約80℃の一定液温に保持されたレジスト剥離液の
MEA濃度は、主としてパージN2 ガスに同伴して低沸
点のMEAが優先的に蒸発することにより、基板処理枚
数の増加とともに減少するので、レジスト剥離液のレジ
スト剥離性能が劣化してくる。このため、MEA濃度は
所定の目標値、例えば39.0±1.0%に管理する必
要がある。従来は、経験からの基板処理枚数との相関あ
るいは化学分析等によって、レジスト剥離液劣化の程度
を判定していたが、迅速かつ正確な把握が困難であっ
た。
Below, BDG and ME were used as resist stripping solutions.
An example using the mixed solution A will be described. Normally, the MEA concentration of the resist stripping solution kept at a constant solution temperature of about 80 ° C. decreases as the number of substrates processed increases, mainly because MEA having a low boiling point is preferentially evaporated along with the purge N 2 gas. Therefore, the resist stripping performance of the resist stripping solution deteriorates. Therefore, it is necessary to control the MEA concentration to a predetermined target value, for example, 39.0 ± 1.0%. Conventionally, the degree of deterioration of the resist stripping solution has been determined by experience based on correlation with the number of processed substrates, chemical analysis, or the like, but it has been difficult to grasp quickly and accurately.

【0021】本発明者は、レジスト剥離液のMEA濃度
と吸光度との関係を実験により検討し、図5に示す如
く、MEA濃度は、測定波長λ=1048nmの吸光度と
は溶解レジスト濃度などの影響なしに高度な直線関係に
あり、正確に測定できることを確認した。管路10にオ
ンラインで設置した吸光光度計15は、測定誤差を最小
限とするための諸補償機能と吸光度制御器25を備えて
いる。管路10から導入した試料液の吸光度測定値を、
吸光度制御器25に入力して、その値が目標値になるよ
うに、出力信号により有機溶媒及びMEAの少なくとも
一方を、流量調節弁21、22によりそれぞれ自動制御
して、MEA濃度を目標値に調整するまで補給する。
The present inventor examined the relationship between the MEA concentration of the resist stripping solution and the absorbance by experiment, and as shown in FIG. 5, the MEA concentration is the absorbance at the measurement wavelength λ = 1048 nm and the influence of the dissolved resist concentration or the like. It was confirmed that there was a high degree of linearity and that accurate measurement was possible. The absorptiometer 15 installed online in the conduit 10 is equipped with various compensation functions for minimizing measurement errors and an absorbance controller 25. The absorbance measurement value of the sample liquid introduced from the pipe line 10 is
At least one of the organic solvent and the MEA is automatically controlled by the flow rate adjusting valves 21 and 22 by inputting it to the absorbance controller 25 so that the value becomes the target value, and the MEA concentration becomes the target value. Replenish until adjusted.

【0022】レジスト剥離性能の劣化は上述のMEA濃
度によるほか、溶解レジスト濃度も関与している。基板
処理のレジスト剥離液は、送液ポンプ8によりレジスト
剥離処理槽1から取り出され、レジスト剥離液スプレー
7を経て循環使用されるため、溶解物質がレジスト剥離
液中に漸次濃縮してくる。その主な溶解物質はレジスト
であり、図6に操業例として示すように、基板処理枚数
の増加により濃縮されており、結果的にレジスト剥離性
能を著しく劣化させている。従来は、この濃度変化をリ
アルタイムで測定することが行なわれておらず、かつレ
ジスト剥離性能を一定値で管理することが行なわれてい
なかった。すなわち、基板の処理枚数を劣化指標とした
りしているが、基板の形状やレジストの膜厚やレジスト
剥離パターンが一定でないため、基板種類毎の溶解レジ
スト量も異なってくるので、処理枚数を判定要因とする
ことには無理がある。
The deterioration of the resist stripping performance depends not only on the MEA concentration described above but also on the dissolved resist concentration. The resist stripping solution for substrate processing is taken out from the resist stripping processing tank 1 by the liquid feed pump 8 and is circulated through the resist stripping solution spray 7, so that the dissolved substance is gradually concentrated in the resist stripping solution. The main dissolved substance is resist, which is concentrated as the number of processed substrates increases, as shown in the operation example of FIG. 6, and as a result, the resist stripping performance is significantly deteriorated. Conventionally, this change in concentration has not been measured in real time, and the resist stripping performance has not been managed at a constant value. In other words, the number of processed substrates is used as a deterioration index, but since the shape of the substrate, the film thickness of the resist, and the resist stripping pattern are not constant, the amount of dissolved resist differs for each substrate type. It is impossible to use it as a factor.

【0023】本発明者は、レジスト剥離液中のレジスト
濃縮による汚染状態の研究から、レジスト濃度を吸光度
との関係において測定することに着目し、実験により図
7及び図8に示すような結果を得た。図8に見る如く、
溶解レジスト濃度と吸光度とはMEA濃度などの影響な
しに高度な直線関係にあり、基板処理枚数によらない、
溶解レジスト濃度自体によるレジスト剥離性能限界値が
判定可能となった。なお、溶解レジスト濃度の妥当な測
定波長としてはλ=550nmを使用した。従って、管路
10に吸光光度計15と一体又は別体で設置した吸光光
度計16が、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を連続
測定して劣化限界値を超えたことを検出し、吸光度制御
器26の出力信号により排出ポンプ18が作動し、劣化
したレジスト剥離液をレジスト剥離処理槽1から抜き出
してドレン管に廃棄するか、又は直接系外に廃棄する。
その結果、減量したレジスト剥離処理槽1には、直ちに
液面レベル計3が下降した液面レベルを検出することに
よって、新鮮なレジスト剥離液が補給され、溶解レジス
ト濃度は劣化限界値に希釈されることでレジスト剥離性
能が回復し、排出ポンプ18は停止する。
The inventors of the present invention focused on measuring the resist concentration in relation to the absorbance from the study of the contamination state due to the resist concentration in the resist stripping solution, and obtained the results shown in FIGS. 7 and 8 by experiments. Obtained. As shown in FIG.
The dissolved resist concentration and the absorbance have a highly linear relationship without being affected by the MEA concentration, etc., and do not depend on the number of processed substrates.
It became possible to determine the resist stripping performance limit value based on the dissolved resist concentration itself. In addition, λ = 550 nm was used as an appropriate measurement wavelength of the dissolved resist concentration. Therefore, the absorptiometer 16 installed in the conduit 10 integrally with or separately from the absorptiometer 15 detects continuously that the dissolved resist concentration of the resist stripping solution exceeds the deterioration limit value, and the absorbance controller The discharge pump 18 operates according to the output signal of 26, and the deteriorated resist stripping liquid is extracted from the resist stripping processing tank 1 and discarded in the drain pipe or directly outside the system.
As a result, in the resist stripping treatment tank 1 whose amount has been reduced, the liquid level meter 3 immediately detects the lowered liquid level, so that fresh resist stripping liquid is replenished and the dissolved resist concentration is diluted to the deterioration limit value. As a result, the resist peeling performance is restored and the discharge pump 18 is stopped.

【0024】ここで、図1に示す本実施例装置が意図し
た制御系統の機能的関連について述べる。レジスト剥離
処理槽1が空の建浴時においては、液面レベル計3が空
であることを検出して、液面レベル制御器24の出力信
号により、有機溶媒及びMEAが適正な流量比におい
て、流量調節弁21,22により弁開度を調節して送液
される。ついで、吸光光度計15が建浴レジスト剥離液
の吸光度を連続測定して、吸光度制御器25の出力信号
により、有機溶媒及びMEAの少なくとも一方が適正な
微少流量において、流量調節弁21及び22の少なくと
も一方により弁開度を調節して送液され、目標値のME
A濃度になるよう自動制御される。
Here, the functional relationship of the control system intended by the apparatus of this embodiment shown in FIG. 1 will be described. When the resist stripping tank 1 is empty, the liquid level meter 3 detects that the liquid level meter 3 is empty, and the output signal of the liquid level controller 24 causes the organic solvent and MEA to flow at an appropriate flow ratio. The valve opening is adjusted by the flow rate adjusting valves 21 and 22 to deliver the liquid. Then, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the building bath resist stripping solution, and at least one of the organic solvent and the MEA is at a proper minute flow rate according to the output signal of the absorbance controller 25, and the flow rate control valves 21 and 22 are operated. The valve opening is adjusted by at least one of the two, and the liquid is delivered, and the target value ME
It is automatically controlled to obtain the A concentration.

【0025】次にレジスト剥離処理が開始されると、M
EA濃度の下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶
解レジスト濃縮が進行する。MEA濃度下降の場合は、
吸光光度計15がレジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器25の出力信号により、MEAが適正
な微少流量において流量調節弁22により弁開度を調節
して送液され、目標値のMEA濃度になるよう自動制御
される。基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面
レベル計3が下降した液面レベルを検出して、液面レベ
ル制御器24の出力信号により、有機溶媒及びMEAが
適正な流量比において、流量調節弁21,22により弁
開度を調節して送液される。
Next, when the resist stripping process is started, M
The EA concentration decreases, the amount of the liquid is reduced by taking out the substrate, and the concentration of the dissolved resist proceeds. If the MEA concentration drops,
The absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 25 causes the MEA to adjust the valve opening by the flow rate control valve 22 at an appropriate minute flow rate to deliver the solution. The MEA concentration is automatically controlled. When the amount of the liquid is reduced by taking out the substrate, the liquid level meter 3 detects the lowered liquid level and the output signal of the liquid level controller 24 causes the organic solvent and the MEA to flow at an appropriate flow ratio. The control valves 21 and 22 adjust the valve opening degree to deliver the liquid.

【0026】溶解レジスト濃度が濃縮されて劣化限界値
に達した場合は、吸光光度計16がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器26の出力信号により排出ポン
プ18が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥
離処理槽1から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は
直接系外に廃棄する。その結果、液面レベルが低下する
ので、液面レベル計3が下降した液面レベルを検出し
て、液面レベル制御器24の出力信号により、有機溶媒
及びMEAが適正な流量比において流量調節弁21,2
2により弁開度を調節して送液される。レジスト剥離処
理槽1には、新鮮なレジスト剥離液が補給されるので、
溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されることでレジ
スト剥離性能が回復し、排出ポンプ18は停止する。液
面レベル計3より上部に、オーバーフロー用の堰が通常
ではオーバーフローしない位置に設けられてあるが、若
干オーバーフローすることがあってもよい。
When the dissolved resist concentration is concentrated and reaches the deterioration limit value, the absorptiometer 16 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripping liquid and detects that the deterioration limit value is exceeded, and the absorbance controller The discharge pump 18 operates according to the output signal of 26, and the deteriorated resist stripping liquid is extracted from the resist stripping processing tank 1 and discarded in the drain pipe or directly outside the system. As a result, since the liquid level decreases, the liquid level meter 3 detects the lowered liquid level and the output signal of the liquid level controller 24 adjusts the flow rate of the organic solvent and MEA at an appropriate flow ratio. Valves 21,2
The valve opening is adjusted by 2 to deliver the liquid. Since the resist stripping tank 1 is replenished with fresh resist stripping liquid,
When the dissolved resist concentration is diluted to the deterioration limit value, the resist stripping performance is restored, and the discharge pump 18 is stopped. A weir for overflow is provided above the liquid level meter 3 at a position where it does not normally overflow, but it may overflow slightly.

【0027】次に、図3に示す実施例装置が意図した制
御系統の機能的関連について述べる。レジスト剥離処理
槽1が空の建浴時においては、手動操作により、有機溶
媒及びMEAが適正な流量比において、流量調節弁2
1,22により弁開度を調節して所定の液面レベルに達
するまで送液される。次いで、吸光光度計15が建浴レ
ジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器2
5の出力信号により、有機溶媒及びMEAの少なくとも
一方が適正な微少流量において、流量調節弁21及び2
2の少なくとも一方により弁開度を調節して送液され、
目標値のMEA濃度になるように自動制御させる。
Next, the functional relationship of the control system intended by the embodiment apparatus shown in FIG. 3 will be described. When the resist stripping treatment tank 1 is empty, the flow rate control valve 2 is manually operated at an appropriate flow rate ratio of the organic solvent and MEA.
The valve opening is adjusted by 1 and 22 and liquid is supplied until a predetermined liquid level is reached. Then, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the building bath resist stripping solution, and the absorbance controller 2
According to the output signal of 5, at least one of the organic solvent and the MEA has an appropriate minute flow rate, the flow rate control valves 21 and 2
The valve opening is adjusted by at least one of the two, and liquid is sent,
The MEA density is automatically controlled to reach the target value.

【0028】次にレジスト剥離処理が開始されると、M
EA濃度下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解
レジスト濃縮が進行する。MEA濃度下降の場合は、吸
光光度計15がレジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器25の出力信号により、MEAが適正
な微少流量において、流量調節弁22により弁開度を調
節して送液され、目標値のMEA濃度になるよう自動制
御される。基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液
面レベル計はオーバーフロー用の堰の位置より若干低下
する。
Next, when the resist stripping process is started, M
The EA concentration decreases, the amount of the liquid is reduced by taking out the substrate, and the concentration of the dissolved resist proceeds. When the MEA concentration decreases, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 25 adjusts the valve opening degree by the flow rate control valve 22 at a proper minute flow rate of the MEA. Then, the solution is sent, and the MEA concentration of the target value is automatically controlled. When the amount of the liquid is reduced by taking out the substrate, the liquid level meter is slightly lower than the position of the overflow weir.

【0029】溶解レジスト濃度が、濃縮されて劣化限界
値に達した場合は、吸光光度計16がレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこ
とを検出し、吸光度制御器26の出力信号により、有機
溶媒及びMEAが適正な流量比において、流量調節弁2
1及び22により弁開度を調節して送液される。新鮮な
レジスト剥離液が補給されるので、溶解レジスト濃度は
劣化限界値に希釈されてレジスト剥離性能が回復する。
When the dissolved resist concentration is concentrated and reaches the deterioration limit value, the absorptiometer 16 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripper to detect that it exceeds the deterioration limit value and controls the absorbance. According to the output signal of the device 26, the flow rate control valve 2 is operated at a proper flow rate ratio of the organic solvent and MEA.
The valve opening is adjusted by 1 and 22 to deliver the liquid. Since the fresh resist stripping solution is replenished, the dissolved resist concentration is diluted to the deterioration limit value and the resist stripping performance is restored.

【0030】液面レベルは、オーバーフロー用の堰の位
置付近にあり、有機溶媒又はMEAが補給されたとき
は、オーバーフロー用の堰から劣化したレジスト剥離液
がオーバーフローする。本発明者は、以上のように各制
御機能に基づく結果を相互補完的な関連で運用すること
によって、総合的にレジスト剥離性能の回復、連続操
業、及びレジスト剥離液使用量の削減を容易に実現する
ことができることを実験により知見している。
The liquid level is near the position of the overflow weir, and when the organic solvent or MEA is replenished, the deteriorated resist stripping liquid overflows from the overflow weir. The present inventor facilitates comprehensive recovery of resist stripping performance, continuous operation, and reduction of resist stripping solution usage by operating results based on each control function in a mutually complementary relationship as described above. We have experimentally found that it can be realized.

【0031】次に、概念的理解のために、本発明と従来
法の操業パターンの効果の比較を図9〜図12に示す。
従来法では、図9に示すようにスタート時のMEA濃度
が、例えば40.0wt%で、その濃度が時間の経過につ
れて下降して、例えば30.0wt%(化学分析値)に達
したときに液交換を行なっていた。この場合、MEA濃
度の経時変化は鋸歯状になり、その濃度に変化幅が生じ
るので、レジスト剥離性能が一定しなかった。しかし、
本発明の装置を用いれば、図10に示すようにMEA濃
度は時間が経過しても、例えば39.0±1.0wt%で
一定であり、レジスト剥離性能が安定するとともに、液
交換作業の必要もなくなる。
Next, for conceptual understanding, a comparison of the effects of the operation patterns of the present invention and the conventional method is shown in FIGS.
In the conventional method, as shown in FIG. 9, the MEA concentration at the start is, for example, 40.0 wt%, and when the concentration decreases with the passage of time and reaches, for example, 30.0 wt% (chemical analysis value). The liquid was being exchanged. In this case, the change over time in the MEA concentration has a saw-tooth shape, and there is a variation range in the concentration, so the resist stripping performance is not constant. But,
When the apparatus of the present invention is used, the MEA concentration is constant, for example, 39.0 ± 1.0 wt% over time, as shown in FIG. There is no need.

【0032】また、従来法では、図11に示すように、
スタート時から溶解レジスト濃度が時間の経過とともに
増加し、この濃度がレジスト剥離性能を低下させる領域
値に達して液交換を行なっていた。この場合、図11に
示すように、溶解レジスト濃度の経時変化は鋸歯状にな
り、溶解レジスト濃度の変化幅が生じるので、レジスト
剥離性能が一定しなかった。しかし、本発明の装置を用
いれば、図12に示すように、溶解レジスト濃度はある
時間の経過後は一定となり、したがってレジスト剥離性
能が安定するとともに、液交換作業の必要もなくなる。
なお以上において、本発明は、レジスト剥離液としてB
DGとMEAの混合溶液を使用した場合に限らず、レジ
スト剥離液としてBDG以外の有機溶媒溶液とMEA又
はMEA以外のアルカノールアミン溶液の混合溶液を使
用した場合にも適用できる。
In the conventional method, as shown in FIG.
From the start, the concentration of dissolved resist increased with the passage of time, and the concentration reached a region value that deteriorates the resist stripping performance, and liquid exchange was performed. In this case, as shown in FIG. 11, the change over time in the dissolved resist concentration has a saw-tooth shape, and a variation width of the dissolved resist concentration occurs, so that the resist peeling performance was not constant. However, when the apparatus of the present invention is used, as shown in FIG. 12, the dissolved resist concentration becomes constant after a certain period of time, so that the resist stripping performance is stable and the liquid replacement work is not necessary.
In the above, the present invention provides a B
The invention is not limited to the case of using the mixed solution of DG and MEA, and can be applied to the case of using the mixed solution of the organic solvent solution other than BDG and the MEA or the alkanolamine solution other than MEA as the resist stripping solution.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明は、上記のように構成されている
ので、つぎのような効果を奏する。 (1) 本発明を、液晶基板や半導体などのレジスト剥
離工程に適用することにより、レジスト剥離液のアルカ
ノールアミン濃度及び溶解レジスト濃度を常時監視して
所望の目標値に制御し、かつ安定した液面レベルにおい
て長時間の連続操業を可能とする。 (2) レジスト剥離液品質を一定に制御することがで
きるので、レジスト剥離性能も安定化し、従って、液晶
基板製造工程や半導体製造工程などに適用する場合は、
液使用量の大幅削減、歩留りの向上、操業停止時間の減
少及び労務コストの低減という総合的効果も達成でき
る。
Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects. (1) By applying the present invention to a resist stripping process for a liquid crystal substrate, a semiconductor or the like, the alkanolamine concentration and the dissolved resist concentration of the resist stripping liquid are constantly monitored and controlled to desired target values, and a stable liquid is obtained. Allows continuous operation for a long time at the surface level. (2) Since the resist stripping solution quality can be controlled to be constant, the resist stripping performance is also stabilized. Therefore, when applied to a liquid crystal substrate manufacturing process or a semiconductor manufacturing process,
It is possible to achieve the comprehensive effects of drastically reducing the amount of liquid used, improving the yield, reducing the downtime, and reducing the labor cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示すレジスト剥離液管理装
置の系統図である。
FIG. 1 is a system diagram of a resist stripping solution management apparatus showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例を示すレジスト剥離液管理
装置の系統図である。
FIG. 2 is a system diagram of a resist stripping solution management apparatus showing another embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の実施例を示すレジスト剥離液管理
装置の系統図である。
FIG. 3 is a system diagram of a resist stripping solution management apparatus showing another embodiment of the present invention.

【図4】本発明のさらに他の実施例を示すレジスト剥離
液管理装置の系統図である。
FIG. 4 is a system diagram of a resist stripping liquid management apparatus showing still another embodiment of the present invention.

【図5】本発明に係わるレジスト剥離液のMEA濃度と
吸光度との関係を示す実施例のグラフである。
FIG. 5 is a graph of an example showing the relationship between the MEA concentration and the absorbance of the resist stripping solution according to the present invention.

【図6】レジスト剥離処理枚数と溶解レジスト濃度との
関係を示す操業例のグラフである。
FIG. 6 is a graph of an operation example showing the relationship between the number of resist stripping treatments and the dissolved resist concentration.

【図7】本発明に係わるレジスト剥離処理枚数とレジス
ト剥離液の吸光度との関係を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the number of resist stripping treatments and the absorbance of a resist stripping solution according to the present invention.

【図8】本発明に係わるレジスト剥離液の溶解レジスト
濃度と吸光度との関係を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the dissolved resist concentration and the absorbance of the resist stripping solution according to the present invention.

【図9】従来法におけるMEA濃度と操業時間との関係
を示すグラフである。
FIG. 9 is a graph showing the relationship between MEA concentration and operating time in the conventional method.

【図10】本発明の装置を用いた場合におけるMEA濃
度と操業時間との関係を示すグラフである。
FIG. 10 is a graph showing the relationship between MEA concentration and operating time when the device of the present invention is used.

【図11】従来法における溶解レジスト濃度と操業時間
との関係を示すグラフである。
FIG. 11 is a graph showing the relationship between dissolved resist concentration and operating time in the conventional method.

【図12】本発明の装置を用いた場合における溶解レジ
スト濃度と操業時間との関係を示すグラフである。
FIG. 12 is a graph showing the relationship between dissolved resist concentration and operating time when the apparatus of the present invention is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レジスト剥離処理槽 3 液面レベル計 5 ローラーコンベアー 6 基板 7 レジスト剥離液スプレー 8 送液ポンプ 11 循環ポンプ 15 吸光光度計 16 吸光光度計 18 排出ポンプ 19 有機溶媒原液供給缶 21 有機溶媒流量調節弁 22 MEA流量調節弁 24 液面レベル制御器 25 吸光度制御器 26 吸光度制御器 27 レジスト剥離新液供給缶 28 新液流量調節弁 29 MEA原液供給缶 1 resist stripping treatment tank 3 liquid level meter 5 roller conveyor 6 substrate 7 resist stripping solution spray 8 liquid feed pump 11 circulation pump 15 absorptiometer 16 absorptiometer 18 discharge pump 19 organic solvent stock solution supply can 21 organic solvent flow control valve 22 MEA flow rate control valve 24 Liquid level controller 25 Absorbance controller 26 Absorbance controller 27 Resist stripping new solution supply can 28 New solution flow rate control valve 29 MEA stock solution supply can

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 修 東京都中央区日本橋小舟町5番1号 長瀬 産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 嘉高 東京都中央区日本橋小舟町5番1号 長瀬 産業株式会社内 (72)発明者 塩津 信一郎 兵庫県竜野市竜野町中井236 ナガセ電子 化学株式会社兵庫工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Osamu Ogawa 5-1 Nihonbashi Kobunecho, Chuo-ku, Tokyo Nagase Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Yoshitaka Sato 5-1 Nibashi-kobunecho, Chuo-ku, Tokyo Nagase Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Shinichiro Shiozu 236 Nakai, Tatsuno-cho, Tatsuno-shi, Hyogo Nagase Electronic Chemical Co., Ltd. Hyogo factory

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸
光光度計(16)により検出してレジスト剥離液を排出
するレジスト剥離液排出手段と、レジスト剥離液の液面
レベルを液面レベル計(3)により検出して有機溶媒と
アルカノールアミンとを補給する第一補給手段と、レジ
スト剥離液のアルカノールアミン濃度を吸光光度計(1
5)により検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの
少なくとも一方を補給する第二補給手段とを備えたこと
を特徴とするレジスト剥離液管理装置。
1. A resist stripping liquid discharge means for discharging the resist stripping liquid by detecting the dissolved resist concentration of the resist stripping liquid by an absorptiometer (16), and a liquid level meter (3) for measuring the liquid level of the resist stripping liquid. ) And the alkanolamine concentration of the resist stripping solution by means of an absorptiometer (1
5) A resist stripping solution management device, characterized in that it comprises a second replenishing means for replenishing at least one of an organic solvent and an alkanolamine as detected by 5).
【請求項2】 第一補給手段において、有機溶媒とアル
カノールアミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアル
カノールアミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補
給するようにしたことを特徴とする請求項1記載のレジ
スト剥離液管理装置。
2. The first replenishing means, instead of replenishing the organic solvent and the alkanolamine, replenish a new resist stripping solution prepared by preliminarily mixing the organic solvent and the alkanolamine. 1. The resist stripping liquid management device according to 1.
【請求項3】 レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸
光光度計(16)により検出して有機溶媒とアルカノー
ルアミンとを補給する第三補給手段と、レジスト剥離液
のアルカノールアミン濃度を吸光光度計(15)により
検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも
一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴とす
るレジスト剥離液管理装置。
3. A third replenishing means for replenishing an organic solvent and an alkanolamine by detecting the dissolved resist concentration of the resist stripping solution by an absorptiometer (16), and an alkanolamine concentration of the resist stripping solution by an absorptiometer ( 15) A resist stripping solution management device, characterized in that it comprises a second replenishing means for replenishing at least one of an organic solvent and an alkanolamine as detected by 15).
【請求項4】 第三補給手段において、有機溶媒とアル
カノールアミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアル
カノールアミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補
給するようにしたことを特徴とする請求項3記載のレジ
スト剥離液管理装置。
4. The third replenishing means, instead of replenishing the organic solvent and the alkanolamine, replenish a new resist stripping solution prepared by preliminarily mixing the organic solvent and the alkanolamine. 3. The resist stripping liquid management device described in 3.
JP33324994A 1993-12-29 1994-12-15 Resist stripper management system Expired - Lifetime JP2602179B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33324994A JP2602179B2 (en) 1993-12-29 1994-12-15 Resist stripper management system

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5-350797 1993-12-29
JP35079793 1993-12-29
JP33324994A JP2602179B2 (en) 1993-12-29 1994-12-15 Resist stripper management system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07235487A true JPH07235487A (en) 1995-09-05
JP2602179B2 JP2602179B2 (en) 1997-04-23

Family

ID=26574442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33324994A Expired - Lifetime JP2602179B2 (en) 1993-12-29 1994-12-15 Resist stripper management system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2602179B2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390567B1 (en) * 2000-12-30 2003-07-07 주식회사 동진쎄미켐 method of controlling photoresist stripping process and method of regenerating photoresist stripping composition using near infrared spectrometer
JP2005215627A (en) * 2004-02-02 2005-08-11 Japan Organo Co Ltd Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid
US7109037B2 (en) 2001-06-25 2006-09-19 Nagase & Co., Ltd. Water-based resist stripping liquid management apparatus and water-based resist stripping liquid management method
JP2014096462A (en) * 2012-11-08 2014-05-22 Panasonic Corp Device for measuring photoresist concentration and measuring method
JP2015127765A (en) * 2013-12-27 2015-07-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 Apparatus for maintaining composition ratio of resist stripping solution, and method for maintaining composition ratio of resist stripping solution
JP2016073922A (en) * 2014-10-07 2016-05-12 信越化学工業株式会社 Refining apparatus of organic solvent
JP2017167194A (en) * 2016-03-14 2017-09-21 株式会社平間理化研究所 Apparatus for preparing aqueous resist peeling liquid and apparatus for preparing nonaqueous resist peeling liquid

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390567B1 (en) * 2000-12-30 2003-07-07 주식회사 동진쎄미켐 method of controlling photoresist stripping process and method of regenerating photoresist stripping composition using near infrared spectrometer
US7109037B2 (en) 2001-06-25 2006-09-19 Nagase & Co., Ltd. Water-based resist stripping liquid management apparatus and water-based resist stripping liquid management method
JP2005215627A (en) * 2004-02-02 2005-08-11 Japan Organo Co Ltd Method and apparatus for regenerating resist-peeling waste liquid
JP2014096462A (en) * 2012-11-08 2014-05-22 Panasonic Corp Device for measuring photoresist concentration and measuring method
JP2015127765A (en) * 2013-12-27 2015-07-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 Apparatus for maintaining composition ratio of resist stripping solution, and method for maintaining composition ratio of resist stripping solution
JP2016073922A (en) * 2014-10-07 2016-05-12 信越化学工業株式会社 Refining apparatus of organic solvent
JP2017167194A (en) * 2016-03-14 2017-09-21 株式会社平間理化研究所 Apparatus for preparing aqueous resist peeling liquid and apparatus for preparing nonaqueous resist peeling liquid
TWI691811B (en) * 2016-03-14 2020-04-21 日商平間理化硏究所股份有限公司 Apparatus for preparing aqueous resist stripping liquid and apparatus for preparing non-aqueous resist stripping liquid

Also Published As

Publication number Publication date
JP2602179B2 (en) 1997-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3093975B2 (en) Resist stripper management system
KR0131698B1 (en) Apparatus for managing a stripping solution of resist
JP2561578B2 (en) Developer management device
TWI435384B (en) Etching fluid management device
US6623183B2 (en) Developer producing equipment and method
JP3914722B2 (en) Water-based resist stripping solution management apparatus and water-based resist stripping solution management method
JP3126690B2 (en) Resist stripper management system
KR100458784B1 (en) Substrate processing method, and apparatus therefor
JPH07235487A (en) Managing apparatus for resist stripper
JP3914721B2 (en) Non-aqueous resist stripping solution management apparatus and non-aqueous resist stripping solution management method
JPH07176853A (en) Etchant managing device
JP2007316360A (en) Management method and management device for water-based photoresist stripping liquid
CN108604534B (en) Apparatus and method for measuring concentration of photoresist component
JP2005191030A (en) Apparatus and method of removing resist
KR100921403B1 (en) Method and apparatus for controlling etchant composition using spectroscope
KR20230111363A (en) Mixture liquid supply apparatus, substrate processing apparatus having same, and mixture liquid supply method
JPH08146622A (en) Solution for replenishing resist peeling solution and its using method
KR20050091305A (en) Method and apparatus for controlling developer composition using spectroscope

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120129

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120129

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130129

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130129

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140129

Year of fee payment: 17

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term