JP2017167194A - Apparatus for preparing aqueous resist peeling liquid and apparatus for preparing nonaqueous resist peeling liquid - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造工程およびフラットパネルディスプレイ製造工程などにおいて、レジストの剥離に用いられる水系レジスト剥離液を調製する調製装置および非水系レジスト剥離液を調製する調製装置に関する。 The present invention relates to a preparation apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution used for resist stripping and a preparation apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping liquid in a semiconductor manufacturing process and a flat panel display manufacturing process.
半導体製造工程やフラットパネルディスプレイ基板の製造工程におけるフォトリソグラフィ工程の最終段階では、レジストを基板から完全に剥離する工程が必要である。半導体やフラットパネルディスプレイ基板のレジスト剥離工程においては、酸素プラズマによるドライアッシング工程とレジスト剥離液による湿式剥離工程の併用が実施されている。酸素プラズマによるドライアッシング工程を経た基板にはシリコン酸化物やアルミ酸化物が生成しており、次の湿式剥離工程ではレジストを剥離するだけでなく、金属酸化物を完全に除去することが必要である。 In the final stage of the photolithography process in the semiconductor manufacturing process or the flat panel display substrate manufacturing process, a process of completely removing the resist from the substrate is necessary. In the resist stripping process of semiconductors and flat panel display substrates, a combination of a dry ashing process using oxygen plasma and a wet stripping process using a resist stripper is performed. Silicon oxide and aluminum oxide are formed on the substrate that has undergone the dry ashing process using oxygen plasma. In the next wet stripping process, it is necessary not only to strip the resist but also to completely remove the metal oxide. is there.
半導体やフラットパネルディスプレイ基板のレジスト剥離工程においては、レジスト剥離液として、有機アルカリや有機溶剤を組み合わせた溶液(以下、「非水系レジスト剥離液」ともいう)が主に使用されている。また、この溶液に適量の水を添加した溶液(以下、「水系レジスト剥離液」ともいう)が使用されている。本明細書において、「水系レジスト剥離液」と「非水系レジスト剥離液」とを明確に区別する必要がない場合は、単に「レジスト剥離液」ということもある。 In the resist stripping process for semiconductors and flat panel display substrates, as a resist stripping solution, a solution combining an organic alkali or an organic solvent (hereinafter also referred to as “non-aqueous resist stripping solution”) is mainly used. Further, a solution obtained by adding an appropriate amount of water to this solution (hereinafter also referred to as “aqueous resist stripping solution”) is used. In the present specification, when there is no need to clearly distinguish between “aqueous resist stripping solution” and “non-aqueous resist stripping solution”, they may be simply referred to as “resist stripping solution”.
レジスト剥離液の濃度を管理するレジスト剥離液管理装置として、例えば、下記の特許文献1や特許文献2が知られている。
For example, the following
特許文献1には、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥離液を排出するレジスト剥離液排出手段と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計により検出して、有機溶媒とアルカノールアミンとを補給する、または、有機溶媒とアルカノールアミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補給する、第一補給手段と、レジスト剥離液のアルカノールアミン濃度を吸光光度計により検出して有機溶媒およびアルカノールアミンの少なくとも一方を補給する第二補給手段と、を備えたレジスト剥離液管理装置が記載されている。
また、下記の特許文献2には、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥離液を排出するレジスト剥離液排出手段と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計により検出して、レジスト剥離液と純水とを補給する、または、レジスト剥離原液と純水とを予め調合したレジスト剥離新液を補給する、第一補給手段と、レジスト剥離液の水分濃度を吸光光度計により検出して、レジスト剥離原液および純水の少なくとも一方を補給する第二補給手段と、を備えたレジスト剥離液管理装置が記載されている。
特許文献1、2に記載されているように、レジスト剥離液を所定の成分濃度に維持管理する管理装置は、すでに発明されている。しかし、所定の成分濃度のレジスト剥離液を成分濃度の測定値に基づいてその原料から自動的に調製する調製装置は、存在していなかった。これは、管理装置と調製装置との間に、次のような根本的な相違があるためである。
As described in
管理装置の場合、特許文献1や2のように、管理装置の適用される対象は、初めは管理すべき所定の成分濃度にあったレジスト剥離液である。レジスト剥離液が使用されることにより、レジスト剥離液の成分濃度が当初の成分濃度から徐々にずれてくる。これに対し、管理装置は、レジスト剥離液に補充液を補充する等の動作により、レジスト剥離液の成分濃度を当初の管理すべき所定の濃度に戻そうとする。つまり、管理装置は、成分濃度の復元メカニズムを導入することによって、管理すべき所定の成分濃度を中心とした成分濃度の安定制御系を構築しよう、との技術思想によるものである。
In the case of the management apparatus, as in
一方、調製装置は、各種の原料を混ぜ合わせることによって、所定の成分濃度のレジスト剥離液を調製する装置である。調製装置が適用される対象は、もともと、調製しようとする所定の成分濃度にはない。そのため、調製装置には、管理装置の技術思想をそのまま用いることができない。調製装置は、管理装置から直ちに着想できる技術的関係にはないのである。 On the other hand, the preparation apparatus is an apparatus for preparing a resist stripping solution having a predetermined component concentration by mixing various raw materials. The object to which the preparation device is applied is not originally at the predetermined component concentration to be prepared. Therefore, the technical idea of the management device cannot be used as it is for the preparation device. The preparation device is not in a technical relationship that can be conceived immediately from the management device.
このような根本的相違のため、特許文献1や2のような管理装置があっても、成分濃度を測定して所定の成分濃度となるようにレジスト剥離液を調製する調製装置は、今までなかった。従来のレジスト剥離液の調製装置は、原料を容量または重量により濃度を調整するものであった。そのため、従来の調製装置により調製されるレジスト剥離液は、その成分濃度の調整精度があまり良くなかった。レジスト剥離液が所定の濃度に調整されていないと、良好な剥離速度が得られず、剥離残渣および金属酸化物の残渣が生じ、歩留まりの低下の原因となりかねない。また、フォトリソグラフィ工程の最終段階であるレジスト剥離工程において不良品が発生すると損害額が大きくなるという問題があった。
Due to such a fundamental difference, even if there is a management apparatus such as
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものである。本発明は、所定の濃度のレジスト剥離液を精度良く、自動的かつ連続的に調製することができる水系レジスト剥離液の調製装置および非水系レジスト剥離液の調製装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances. An object of the present invention is to provide an aqueous resist stripping solution preparation device and a non-aqueous resist stripping solution preparation device that can accurately and continuously prepare a resist stripping solution having a predetermined concentration. .
本発明は、上記の目的を達成するために、所定の成分濃度の水系レジスト剥離液が調製される調製槽と、調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液の成分濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液の成分濃度、の少なくとも一方を測定する測定手段と、測定手段により測定された測定値に基づいて、調製槽内の水系レジスト剥離液が所定の成分濃度となるように、調製槽に供給される水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御する制御手段と、を備える水系レジスト剥離液の調製装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention relates to a preparation tank in which an aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration is prepared, and an aqueous resist stripping solution in the preparation tank, and a correlation with the component concentration of the aqueous resist stripping solution. Measuring means for measuring at least one of the physical property value of the aqueous resist stripping solution and the component concentration of the aqueous resist stripping solution, and the aqueous resist stripping solution in the preparation tank based on the measured value measured by the measuring means And a control means for controlling the supply amount of the raw material of the aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank so as to have a predetermined component concentration.
本発明の水系レジスト剥離液の調製装置は、水系レジスト剥離液の成分濃度と相関のある物性値または成分濃度の少なくとも一方の測定を行い、水系レジスト剥離液を調製している。そのため、本発明の水系レジスト剥離液の調製装置によれば、容量や重量により調製していた従来の調製装置に比べ、より正確な成分濃度の水系レジスト剥離液を調製することができる。 The apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution of the present invention measures at least one of a physical property value or a component concentration correlated with the component concentration of the aqueous resist stripping solution to prepare an aqueous resist stripping solution. Therefore, according to the aqueous resist stripping solution preparation apparatus of the present invention, it is possible to prepare an aqueous resist stripping liquid having a more accurate component concentration than conventional preparation apparatuses prepared by volume or weight.
本発明は、上記の目的を達成するために、所定のアミン濃度の水系レジスト剥離液が調製される調製槽と、調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液のアミン濃度、の少なくとも一方を測定するアミンに関する測定手段と、アミンに関する測定手段により測定された測定値に基づいて、調製槽内の水系レジスト剥離液が所定のアミン濃度となるように、調製槽に供給される水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御するアミンに関する制御手段と、を備える水系レジスト剥離液の調製装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention relates to a preparation tank in which an aqueous resist stripping solution having a predetermined amine concentration is prepared, and an aqueous resist stripping solution in the preparation tank, which correlates with the amine concentration of the aqueous resist stripping solution. Based on the measured value measured by the measuring means for the amine for measuring at least one of the physical property value of the aqueous resist stripping solution and the amine concentration of the aqueous resist stripping solution, and in the preparation tank There is provided an aqueous resist stripping solution preparation apparatus comprising: an amine control unit that controls a supply amount of a raw material of an aqueous resist stripping solution supplied to a preparation tank so that the aqueous resist stripping solution has a predetermined amine concentration. .
本発明の水系レジスト剥離液の調製装置は、水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関のある物性値またはアミン濃度の少なくとも一方の測定を行い、水系レジスト剥離液を調製している。そのため、本発明の水系レジスト剥離液の調製装置によれば、容量や重量により調製していた従来の調製装置に比べ、より正確なアミン濃度の水系レジスト剥離液を調製することができる。 The apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution of the present invention prepares an aqueous resist stripping solution by measuring at least one of a physical property value or an amine concentration correlated with the amine concentration of the aqueous resist stripping solution. Therefore, according to the preparation apparatus of the aqueous resist stripping solution of the present invention, an aqueous resist stripping liquid having a more accurate amine concentration can be prepared as compared with the conventional preparation apparatus prepared by capacity and weight.
本発明は、上記の目的を達成するために、所定の水分濃度の水系レジスト剥離液が調製される調製槽と、調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液の水分濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液の水分濃度、の少なくとも一方を測定する水分に関する測定手段と、水分に関する測定手段により測定された測定値に基づいて、調製槽内の水系レジスト剥離液が所定の水分濃度となるように、調製槽に供給される水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御する水分に関する制御手段と、を備える水系レジスト剥離液の調製装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention relates to a preparation tank in which an aqueous resist stripping solution having a predetermined water concentration is prepared, and an aqueous resist stripping solution in the preparation tank, which has a correlation with the water concentration of the aqueous resist stripping solution. Based on the measured value measured by the moisture measuring means for measuring at least one of the physical property value of the aqueous resist stripping solution and the water concentration of the aqueous resist stripping solution, and in the preparation tank An apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution is provided, comprising: water-related control means for controlling the supply amount of the raw material of the aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank so that the aqueous resist stripping solution has a predetermined moisture concentration. .
本発明の水系レジスト剥離液の調製装置は、水系レジスト剥離液の水分濃度と相関のある物性値または水分濃度の少なくとも一方の測定を行い、水系レジスト剥離液を調製している。そのため、本発明の水系レジスト剥離液の調製装置によれば、容量や重量により調製していた従来の調製装置に比べ、より正確な水分濃度の水系レジスト剥離液を調製することができる。 The apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution of the present invention prepares an aqueous resist stripping solution by measuring at least one of a physical property value or a moisture concentration correlated with the water concentration of the aqueous resist stripping solution. Therefore, according to the apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution of the present invention, an aqueous resist stripping liquid having a more accurate moisture concentration can be prepared as compared with a conventional preparing apparatus that has been prepared based on volume and weight.
本発明は、上記の目的を達成するために、所定のアミン濃度、および、所定の水分濃度を有する水系レジスト剥離液が調製される調製槽と、調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液のアミン濃度、の少なくとも一方を測定するアミンに関する測定手段と、調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液の水分濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液の水分濃度、の少なくとも一方を測定する水分に関する測定手段と、アミンに関する測定手段により測定された測定値、および、水分に関する測定手段により測定された測定値、に基づいて、調製槽内の水系レジスト剥離液が、所定のアミン濃度および所定の水分濃度となるように、調製槽に供給される水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御する制御手段と、を備える水系レジスト剥離液の調製装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a preparation tank in which an aqueous resist stripping solution having a predetermined amine concentration and a predetermined water concentration is prepared, and an aqueous resist stripping solution in the preparation tank. About the physical property value of the aqueous resist stripping solution having a correlation with the amine concentration of the stripping solution, and the amine measuring means for measuring at least one of the amine concentration of the aqueous resist stripping solution, and the aqueous resist stripping solution in the preparation tank, Measured by a measuring means for water measuring at least one of the physical property value of the aqueous resist removing liquid having a correlation with the water concentration of the aqueous resist removing liquid and the water concentration of the aqueous resist removing liquid, and by a measuring means concerning the amine Based on the measured value and the measured value measured by the moisture-related measuring means, the aqueous resist in the preparation tank is removed. Provided is a water-based resist stripping solution preparation apparatus comprising: control means for controlling the supply amount of the water-based resist stripping solution supplied to the preparation tank so that the liquid has a predetermined amine concentration and a predetermined water concentration. To do.
本発明の水系レジスト剥離液の調製装置は、水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関のある物性値またはアミン濃度の少なくとも一方の測定を行い、水系レジスト剥離液を調製している。同時に、水系レジスト剥離液の水分濃度と相関のある物性値または水分濃度の少なくとも一方の測定を行い、水系レジスト剥離液を調製している。そのため、本発明の水系レジスト剥離液の調製装置によれば、容量や重量により調製していた従来の調製装置に比べ、より正確なアミン濃度、かつ、より正確な水分濃度の水系レジスト剥離液を調製することができる。 The apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution of the present invention prepares an aqueous resist stripping solution by measuring at least one of a physical property value or an amine concentration correlated with the amine concentration of the aqueous resist stripping solution. At the same time, at least one of a physical property value or a moisture concentration correlated with the water concentration of the aqueous resist stripping solution is measured to prepare an aqueous resist stripping solution. Therefore, according to the preparation apparatus of the aqueous resist stripping solution of the present invention, an aqueous resist stripping solution having a more accurate amine concentration and a more accurate water concentration than a conventional preparation device prepared by volume and weight. Can be prepared.
本発明の好ましい態様においては、アミンに関する測定手段が、吸光光度計、導電率計、密度計、超音波濃度計、および、粘度計のいずれか一つを備える。これらの測定装置により測定される水系レジスト剥離液の吸光度、導電率、密度、超音波伝播速度、粘度は、水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関を有するので、アミン濃度を精度よく所定の濃度に合わせることができる。 In a preferred aspect of the present invention, the amine-related measuring means includes any one of an absorptiometer, a conductivity meter, a density meter, an ultrasonic densitometer, and a viscometer. Since the absorbance, conductivity, density, ultrasonic wave propagation speed, and viscosity of the aqueous resist stripping solution measured by these measuring instruments have a correlation with the amine concentration of the aqueous resist stripping solution, the amine concentration is accurately adjusted to a predetermined concentration. Can be matched.
本発明のより好ましい態様においては、アミンに関する測定手段が吸光光度計を備え、アミンがモノエタノールアミンである場合、吸光光度計の測定波長が、1000から1600nmの波長領域から選択される特定の波長であり、アミンがヒドロキシルアミンである場合、吸光光度計の測定波長が、1050から1090nmの波長領域から選択される特定の波長である。 In a more preferred embodiment of the present invention, when the measuring means relating to amine comprises an absorptiometer and the amine is monoethanolamine, the measuring wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from a wavelength region of 1000 to 1600 nm. When the amine is hydroxylamine, the measurement wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from the wavelength range of 1050 to 1090 nm.
これらの波長領域で測定された水系レジスト剥離液の吸光度は、そのアミン濃度との間に比較的良好な直線関係が得られる。このため、この波長領域で測定された吸光度、あるいは、この吸光度とこの直線関係により得られるアミン濃度は、アミン濃度を正確に所定の濃度とするために用いるのに好適である。アミンがモノエタノールアミンである場合には特に1048nmを測定波長として測定される吸光度が、アミンがヒドロキシルアミンである場合には特に1074nmを測定波長として測定される吸光度が、前述の波長領域の中でも特に感度がよくアミン濃度との間に良好な直線関係が得られるため、より一層好ましい。 A relatively good linear relationship is obtained between the absorbance of the aqueous resist stripping solution measured in these wavelength regions and its amine concentration. For this reason, the absorbance measured in this wavelength region or the amine concentration obtained from this absorbance and this linear relationship is suitable for use in order to accurately set the amine concentration to a predetermined concentration. When the amine is monoethanolamine, the absorbance measured particularly at 1048 nm as the measurement wavelength, and when the amine is hydroxylamine, the absorbance measured particularly at 1074 nm as the measurement wavelength is particularly in the above-mentioned wavelength region. Since sensitivity is good and a good linear relationship is obtained with the amine concentration, it is even more preferable.
本発明の好ましい態様においては、水分に関する測定手段が、吸光光度計、導電率計、密度計、超音波濃度計、および、粘度計のいずれか一つを備える。これらの測定装置により測定される水系レジスト剥離液の吸光度、導電率、密度、超音波伝播速度、粘度は、水系レジスト剥離液の水分濃度と相関を有するので、水分濃度を精度よく所定の濃度に合わせることができる。 In a preferred embodiment of the present invention, the moisture-related measuring means includes any one of an absorptiometer, a conductivity meter, a density meter, an ultrasonic densitometer, and a viscometer. Since the absorbance, conductivity, density, ultrasonic wave propagation speed, and viscosity of the aqueous resist stripping solution measured by these measuring devices have a correlation with the water concentration of the aqueous resist stripping solution, the water concentration is accurately adjusted to a predetermined concentration. Can be matched.
本発明のより好ましい態様においては、水分に関する測定手段が吸光光度計であり、吸光光度計の測定波長が、950から2000nmの波長領域から選択される特定の波長である。 In a more preferred embodiment of the present invention, the moisture-related measuring means is an absorptiometer, and the measuring wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from a wavelength region of 950 to 2000 nm.
この近赤外線領域の測定波長で測定された水系レジスト剥離液の吸光度は、その水分濃度との間に比較的良好な直線関係が得られる。このため、この波長領域で測定された吸光度、あるいは、この測定された吸光度とこの直線関係とにより得られる水分濃度は、水分濃度を正確に所定の濃度とするために用いるのに好適である。特に1940nmと976nmを測定波長として測定される吸光度が、この波長領域の中でも特に感度がよく水分濃度との間に良好な直線関係が得られるため、より一層好ましい。 A relatively good linear relationship is obtained between the absorbance of the aqueous resist stripping solution measured at the measurement wavelength in the near infrared region and the water concentration. For this reason, the absorbance measured in this wavelength region, or the moisture concentration obtained from this measured absorbance and this linear relationship, is suitable for use in order to accurately set the moisture concentration to a predetermined concentration. In particular, the absorbance measured using 1940 nm and 976 nm as measurement wavelengths is even more preferable because it has particularly high sensitivity and a good linear relationship with the water concentration in this wavelength region.
本発明の好ましい態様においては、調製槽で調製された水系レジスト剥離液を貯留する貯留槽をさらに備える。 In the preferable aspect of this invention, the storage tank which stores the aqueous resist stripping solution prepared with the preparation tank is further provided.
この態様によれば、所定の成分濃度に調製された水系レジスト剥離液が貯留槽に常に貯留されているので、水系レジスト剥離液が必要となった時に随時、所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を得ることができる。 According to this aspect, since the aqueous resist stripping solution prepared at a predetermined component concentration is always stored in the storage tank, the aqueous resist stripping solution having the predetermined component concentration is required whenever the aqueous resist stripping solution is required. Can be obtained.
本発明の好ましい態様においては、調製槽を複数備える。 In a preferred embodiment of the present invention, a plurality of preparation tanks are provided.
この態様によれば、調製槽の一つが故障などにより動かなくなっても、他の調製槽により水系レジスト剥離液の調製を維持することができる。また、一つの調製槽が空になっても、他の調製槽から水系レジスト剥離液の供給を受けることができる。 According to this aspect, even if one of the preparation tanks does not move due to a failure or the like, the preparation of the aqueous resist stripping solution can be maintained by another preparation tank. Moreover, even if one preparation tank becomes empty, the supply of the aqueous resist stripping solution can be received from another preparation tank.
本発明の好ましい態様においては、調製槽と貯留槽とが連通管により接続されている。 In the preferable aspect of this invention, the preparation tank and the storage tank are connected by the communicating pipe.
この態様によれば、水系レジスト剥離液を供給したことにより貯留槽内の水系レジスト剥離液が減少しても、調製槽から貯留槽に所定濃度に調製された水系レジスト剥離液が自動的に連続して移送される。この際、送液ポンプなどの設備を要さない。 According to this aspect, even if the aqueous resist stripping solution in the storage tank decreases due to the supply of the aqueous resist stripping solution, the aqueous resist stripping solution prepared at a predetermined concentration from the preparation tank to the storage tank automatically continues. Then transferred. At this time, equipment such as a liquid feed pump is not required.
本発明の好ましい態様においては、調製槽に供給する水系レジスト剥離液の原料を予め混合する予備混合手段を備える。 In a preferred embodiment of the present invention, premixing means for premixing raw materials of the aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank is provided.
本発明の好ましい態様においては、調製槽に供給する水系レジスト剥離液の原料を予め混合する予備混合手段を、調製槽ごとに備える。 In a preferred embodiment of the present invention, a premixing means for previously mixing the raw material of the aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank is provided for each preparation tank.
この態様によれば、水系レジスト剥離液の原料が予め混合されるので、調製槽内での混合や攪拌の負担が軽減され、より速やかに均一な濃度の水系レジスト剥離液が調製できる。また、測定される成分濃度や物性値によって比較的狭い濃度範囲でしか相関関係を得られない場合であっても、予備混合手段を用いることにより、正確に所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を調製することができる。 According to this aspect, since the raw material of the aqueous resist stripping solution is mixed in advance, the burden of mixing and stirring in the preparation tank is reduced, and an aqueous resist stripping solution having a uniform concentration can be prepared more quickly. In addition, even when a correlation can be obtained only in a relatively narrow concentration range depending on the measured component concentration and physical property value, an aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration can be accurately obtained by using a premixing means. Can be prepared.
本発明は、上記の目的を達成するために、所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液が調製される調製槽と、調製槽内の非水系レジスト剥離液について、非水系レジスト剥離液の成分濃度と相関関係を有する非水系レジスト剥離液の物性値、および、非水系レジスト剥離液の成分濃度、の少なくとも一方を測定する測定手段と、測定手段により測定された測定値に基づいて、調製槽内の非水系レジスト剥離液が所定の成分濃度となるように、調製槽に供給される非水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御する制御手段と、を備える非水系レジスト剥離液の調製装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a preparation tank in which a non-aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration is prepared, and a non-aqueous resist stripping solution component concentration in the preparation tank. Based on the measured value measured by the measuring means for measuring at least one of the physical property value of the non-aqueous resist stripping solution and the component concentration of the non-aqueous resist stripping solution A non-aqueous resist stripping solution preparation device comprising: control means for controlling a supply amount of the non-aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank so that the non-aqueous resist stripping solution has a predetermined component concentration. provide.
本発明の非水系レジスト剥離液の調製装置は、非水系レジスト剥離液の成分濃度と相関のある物性値または成分濃度の少なくとも一方の測定を行い、非水系レジスト剥離液を調製している。そのため、本発明の非水系レジスト剥離液の調製装置によれば、容量や重量により調製していた従来の調製装置に比べ、より正確な成分濃度の非水系レジスト剥離液を調製することができる。 The apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping solution of the present invention prepares a non-aqueous resist stripping solution by measuring at least one of a physical property value or a component concentration correlated with the component concentration of the non-aqueous resist stripping solution. Therefore, according to the apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping solution of the present invention, a non-aqueous resist stripping liquid having a more accurate component concentration can be prepared as compared with a conventional preparing apparatus that has been prepared based on volume and weight.
本発明は、上記の目的を達成するために、所定のアミン濃度の非水系レジスト剥離液が調製される調製槽と、調製槽内の非水系レジスト剥離液について、非水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関関係を有する非水系レジスト剥離液の物性値、および、非水系レジスト剥離液のアミン濃度、の少なくとも一方を測定するアミンに関する測定手段と、アミンに関する測定手段により測定された測定値に基づいて、調製槽内の非水系レジスト剥離液が所定のアミン濃度となるように、調製槽に供給される非水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御するアミンに関する制御手段と、を備える非水系レジスト剥離液の調製装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a preparation tank in which a non-aqueous resist stripping solution having a predetermined amine concentration is prepared, and a non-aqueous resist stripping solution in which the amine concentration of the non-aqueous resist stripping liquid is prepared. Based on the measured value measured by the measuring means for the amine that measures at least one of the physical property value of the non-aqueous resist stripping solution and the amine concentration of the non-aqueous resist stripping solution, and the measuring means for the amine And an amine control means for controlling the supply amount of the raw material of the non-aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank so that the non-aqueous resist stripping solution in the preparation tank has a predetermined amine concentration. An apparatus for preparing a stripping solution is provided.
本発明の非水系レジスト剥離液の調製装置は、非水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関関係を有する物性値および非水系レジスト剥離液のアミン濃度の少なくとも一方を測定し、この測定値に基づいて非水系レジスト剥離液を調製している。そのため、本発明の非水系レジスト剥離液の調製装置によれば、容量や重量により調製していた従来の調製装置に比べ、より正確なアミン濃度の非水系レジスト剥離液を調製することができる。 The apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping solution of the present invention measures at least one of a physical property value correlated with the amine concentration of the non-aqueous resist stripping solution and the amine concentration of the non-aqueous resist stripping solution, and based on this measured value. A non-aqueous resist stripping solution is prepared. Therefore, according to the apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping solution of the present invention, a non-aqueous resist stripping liquid having a more accurate amine concentration can be prepared as compared with a conventional preparing apparatus that has been prepared based on volume and weight.
本発明の好ましい態様においては、アミンに関する測定手段が、吸光光度計、導電率計、密度計、超音波濃度計、および、粘度計のいずれか一つを備える。これらの測定装置により測定される非水系レジスト剥離液の吸光度、導電率、密度、超音波伝播速度、粘度は、非水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関を有するので、アミン濃度を精度よく所定の濃度に合わせることができる。 In a preferred aspect of the present invention, the amine-related measuring means includes any one of an absorptiometer, a conductivity meter, a density meter, an ultrasonic densitometer, and a viscometer. The absorbance, conductivity, density, ultrasonic wave velocity, and viscosity of the non-aqueous resist stripping solution measured by these measuring devices have a correlation with the amine concentration of the non-aqueous resist stripping solution. Can be adjusted to the concentration.
本発明のより好ましい態様においては、アミンに関する測定手段が吸光光度計を備え、アミンがモノエタノールアミンである場合、吸光光度計の測定波長が、1000から1600nmの波長領域から選択される特定の波長であり、アミンがヒドロキシルアミンである場合、吸光光度計の測定波長が、1050から1090nmの波長領域から選択される特定の波長である。 In a more preferred embodiment of the present invention, when the measuring means relating to amine comprises an absorptiometer and the amine is monoethanolamine, the measuring wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from a wavelength region of 1000 to 1600 nm. When the amine is hydroxylamine, the measurement wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from the wavelength range of 1050 to 1090 nm.
これらの波長領域で測定された非水系レジスト剥離液の吸光度は、そのアミン濃度との間に比較的良好な直線関係が得られる。このため、この波長領域で測定された吸光度、あるいは、この吸光度とこの直線関係により得られるアミン濃度は、アミン濃度を正確に所定の濃度とするために用いるのに好適である。アミンがモノエタノールアミンである場合には特に1048nmを測定波長として測定される吸光度が、アミンがヒドロキシルアミンである場合には特に1074nmを測定波長として測定される吸光度が、前述の波長領域の中でも特に感度がよくアミン濃度との間に良好な直線関係が得られるため、より一層好ましい。 A relatively good linear relationship is obtained between the absorbance of the non-aqueous resist stripping solution measured in these wavelength regions and its amine concentration. For this reason, the absorbance measured in this wavelength region or the amine concentration obtained from this absorbance and this linear relationship is suitable for use in order to accurately set the amine concentration to a predetermined concentration. When the amine is monoethanolamine, the absorbance measured particularly at 1048 nm as the measurement wavelength, and when the amine is hydroxylamine, the absorbance measured particularly at 1074 nm as the measurement wavelength is particularly in the above-mentioned wavelength region. Since sensitivity is good and a good linear relationship is obtained with the amine concentration, it is even more preferable.
本発明の好ましい態様においては、調製槽で調製された非水系レジスト剥離液を貯留する貯留槽をさらに備える。 In the preferable aspect of this invention, the storage tank which stores the non-aqueous resist stripping solution prepared with the preparation tank is further provided.
この態様によれば、所定の成分濃度に調製された非水系レジスト剥離液が貯留槽に常に貯留されているので、非水系レジスト剥離液が必要となった時に随時、所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を得ることができる。 According to this aspect, since the non-aqueous resist stripping solution prepared at a predetermined component concentration is always stored in the storage tank, when the non-aqueous resist stripping solution is required, the non-aqueous system having a predetermined component concentration is required at any time. A resist stripping solution can be obtained.
本発明の好ましい態様においては、調製槽を複数備える。 In a preferred embodiment of the present invention, a plurality of preparation tanks are provided.
この態様によれば、調製槽の一つが故障などにより動かなくなっても、他の調製槽により非水系レジスト剥離液の調製を維持することができる。また、一つの調製槽が空になっても、他の調製槽から非水系レジスト剥離液の供給を受けることができる。 According to this aspect, even if one of the preparation tanks does not move due to a failure or the like, the preparation of the non-aqueous resist stripping solution can be maintained by another preparation tank. Moreover, even if one preparation tank becomes empty, supply of a non-aqueous resist stripping solution can be received from another preparation tank.
本発明の好ましい態様においては、調製槽と貯留槽とが連通管により接続されている。 In the preferable aspect of this invention, the preparation tank and the storage tank are connected by the communicating pipe.
この態様によれば、非水系レジスト剥離液を供給したことにより貯留槽内の非水系レジスト剥離液が減少しても、調製槽から貯留槽に所定濃度に調製された非水系レジスト剥離液が自動的に連続して移送される。この際、送液ポンプなどの設備を要さない。 According to this aspect, even if the non-aqueous resist stripping solution in the storage tank decreases due to the supply of the non-aqueous resist stripping solution, the non-aqueous resist stripping solution prepared at a predetermined concentration from the preparation tank to the storage tank is automatically Continuously. At this time, equipment such as a liquid feed pump is not required.
本発明の好ましい態様においては、調製槽に供給する非水系レジスト剥離液の原料を予め混合する予備混合手段を備える。 In a preferred embodiment of the present invention, premixing means for premixing raw materials of the non-aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank is provided.
本発明の好ましい態様においては、調製槽に供給する非水系レジスト剥離液の原料を予め混合する予備混合手段を、調製槽ごとに備える。 In the preferable aspect of this invention, the premixing means which mixes the raw material of the non-aqueous resist stripping solution supplied to a preparation tank beforehand is provided for every preparation tank.
この態様によれば、非水系レジスト剥離液の原料が予め混合されるので、調製槽内での混合や攪拌の負担が軽減され、より速やかに均一な濃度の非水系レジスト剥離液が調製できる。また、測定される成分濃度や物性値によって比較的狭い濃度範囲でしか相関関係を得られない場合であっても、予備混合手段を用いることにより、正確に所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を調製することができる。 According to this aspect, since the raw material of the non-aqueous resist stripping solution is mixed in advance, the burden of mixing and stirring in the preparation tank is reduced, and a non-aqueous resist stripping solution having a uniform concentration can be prepared more quickly. In addition, even when a correlation can be obtained only in a relatively narrow concentration range depending on the measured component concentration and physical property value, a non-aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration can be accurately obtained by using a premixing means. Can be prepared.
本発明の水系レジスト剥離液の調製装置は、水系レジスト剥離液の成分濃度と相関関係を有する物性値、および、水系レジスト剥離液の成分濃度、の少なくとも一方を測定し、この測定値に基づいて、調製槽内の水系レジスト剥離液が所定の成分濃度となるように水系レジスト剥離液を調製している。そのため、本発明の水系レジスト剥離液の調製装置によれば、容量や重量で調製していた従来の調製装置に比べ、正確な成分濃度の水系レジスト剥離液を調製することができる。また、本発明の水系レジスト剥離液の調製装置によれば、同様に、より正確なアミン濃度や水分濃度の水系レジスト剥離液を調製することができる。さらに、本発明の水系レジスト剥離液の調製装置によれば、必要時にいつでも所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を得ることができる。所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を、自動的かつ連続的に調製することもできる。 The apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution of the present invention measures at least one of a physical property value having a correlation with the component concentration of the aqueous resist stripping solution and a component concentration of the aqueous resist stripping solution, and based on this measured value. The aqueous resist stripping solution is prepared so that the aqueous resist stripping solution in the preparation tank has a predetermined component concentration. Therefore, according to the aqueous resist stripping solution preparation apparatus of the present invention, it is possible to prepare an aqueous resist stripping liquid having an accurate component concentration as compared with the conventional preparation apparatus prepared by volume or weight. Moreover, according to the apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution of the present invention, an aqueous resist stripping solution having a more accurate amine concentration and moisture concentration can be similarly prepared. Furthermore, according to the apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution of the present invention, an aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration can be obtained whenever necessary. An aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration can also be prepared automatically and continuously.
本発明の非水系レジスト剥離液の調製装置は、非水系レジスト剥離液の成分濃度と相関関係を有する物性値、および、非水系レジスト剥離液の成分濃度の少なくとも一方を測定し、この測定値に基づいて、調製槽内の非水系レジスト剥離液が所定の成分濃度となるように非水系レジスト剥離液を調製している。そのため、本発明の非水系レジスト剥離液の調製装置によれば、容量や重量で調製していた従来の調製装置に比べ、正確な成分濃度の非水系レジスト剥離液を調製することができる。また、本発明の非水系レジスト剥離液の調製装置によれば、同様に、より正確なアミン濃度の非水系レジスト剥離液を調製することができる。さらに、本発明の非水系レジスト剥離液の調製装置によれば、必要時にいつでも所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を得ることができる。所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を、自動的かつ連続的に調製することもできる。 The apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping solution of the present invention measures at least one of a physical property value having a correlation with a component concentration of the non-aqueous resist stripping solution and a component concentration of the non-aqueous resist stripping solution, Based on this, the non-aqueous resist stripping solution is prepared so that the non-aqueous resist stripping solution in the preparation tank has a predetermined component concentration. Therefore, according to the non-aqueous resist stripping solution preparation apparatus of the present invention, it is possible to prepare a non-aqueous resist stripping liquid having an accurate component concentration as compared with a conventional preparation apparatus prepared by volume or weight. Moreover, according to the apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping solution of the present invention, a non-aqueous resist stripping solution having a more accurate amine concentration can be similarly prepared. Furthermore, according to the apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping solution of the present invention, a non-aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration can be obtained whenever necessary. A non-aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration can be prepared automatically and continuously.
また、本発明の調製装置は、レジスト剥離液を使用する設備に組み込んで用いることができる。この場合、レジスト剥離液を使用する設備に常に正確な濃度のレジスト剥離液を供給することができる。 Moreover, the preparation apparatus of the present invention can be used by being incorporated in equipment using a resist stripping solution. In this case, the resist stripping solution having an accurate concentration can always be supplied to equipment using the resist stripping solution.
以下、適宜図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。ただし、これらの実施の形態に記載されている構成機器の形状、大きさ、寸法比、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲を図示されているもののみに限定するものではない。単なる説明例として、模式的に図示しているにすぎない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with appropriate reference to the drawings. However, the shapes, sizes, dimensional ratios, relative arrangements, and the like of the component devices described in these embodiments are only those that illustrate the scope of the present invention unless otherwise specified. It is not limited to. It is only schematically shown as an illustrative example.
〔水系レジスト剥離液の調製装置〕
[第1実施形態]
図1は、本実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。本実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置10は、主に、調製槽3、測定手段2、制御手段1などからなる。
[Preparation equipment for aqueous resist stripper]
[First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic view for explaining a preparation apparatus for an aqueous resist stripping solution according to this embodiment. A water-based resist stripping
調製槽3は、配管などを介して供給を受けた水系レジスト剥離液の原料を調合して、所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を調製するための調合容器である。調製槽3は、水系レジスト剥離液の原料の供給を受けるために、各原料供給配管41、42、43などが接続されているほか、原料を均一に混合するための攪拌手段36を備えている。また、調製した所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を供給するための供給配管4を備えている。
The
測定手段2は、調製槽3内で調製される水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度の少なくとも一方を測定する。測定手段2により測定される水系レジスト剥離液の物性値は、この水系レジスト剥離液の成分濃度との間に相関を有する物性値である。この相関関係を用いれば、測定された物性値から成分濃度を得ることができるし、水系レジスト剥離液を所定の成分濃度に調整することもできる。
The measuring means 2 measures at least one of the physical property value or the component concentration of the aqueous resist stripping solution prepared in the
制御手段1は、測定手段2の測定信号を受信できるように、測定手段2と信号線47などにより接続されている。また、制御手段1は、原料を調製槽3に供給するための原料供給配管41、42、43に設けられた制御弁17、18、19と、接続されている。制御手段1がこれらの制御弁を制御することにより、調製槽3に供給される原料の供給量が、水系レジスト剥離液の成分濃度が所定の成分濃度となるように、調節される。
The control means 1 is connected to the measurement means 2 by a
水系レジスト剥離液は、アミン、有機溶媒および純水を主成分とする。アミンは、アミン原料導入口52からアミン原料供給配管42を介して調製槽3に供給される。有機溶媒は、有機溶媒原料導入口53から有機溶媒原料供給配管43を介して調製槽3に供給される。同様に、純水は、純水導入口51から純水供給配管41を介して、調製槽3に供給される。これらのほかに、添加剤など他の原料がある場合には、その原料を供給するための導入口、供給配管、制御弁などを用意して、供給すればよい。添加剤など他の原料の供給ラインは、図1には図示していない。また、各原料は、調製槽3に直接供給される場合に限定されない。例えば、調製槽3内の水系レジスト剥離液を循環攪拌する場合には、各原料を、液が循環する循環管路34に合流させるようにして、調製槽3に供給してもよい。
The aqueous resist stripping solution contains amine, an organic solvent and pure water as main components. The amine is supplied from the amine
各原料供給配管41、42、43には、制御手段1と信号線46を介して接続された制御弁17、18、19が設けられている。各制御弁は、制御手段1により発せられる制御信号を受けて、動作制御される。各制御弁は、例えば、単位時間当たりの流量を増減させるように、制御手段1により制御されるのが、望ましい。各制御弁は、流量のデフォルト値として、このデフォルト値の流量で供給された原料を調合して得られる水系レジスト剥離液の成分濃度が、測定手段2により測られる物性値が成分濃度と相関関係を有する濃度範囲に入るように、予め設定されているものとする。
The raw
原料導入口51、52、53より導入された各原料は、原料供給配管41、42、43、および、制御弁17、18、19を介して、調製槽3に供給される。調製槽3内に供給された原料は、攪拌手段36により攪拌され、均一な濃度の水系レジスト剥離液となる。
The raw materials introduced from the raw
攪拌手段36は、調製槽3内を均一な濃度に攪拌するものである。図1では、調製槽3の底部から側部にループ状に接続された循環管路34を介して、調製槽3内の液の一部を抜き取り、これを循環攪拌ポンプ33により調製槽3内に攪拌流が生じるように再度調製槽3内に戻す循環攪拌方式を描いているが、これに限定されない。攪拌翼をモーターで回転させる攪拌装置でもよいし、攪拌子を調製槽3内で回転させるものでもよい。
The agitating means 36 agitates the inside of the
調製槽3内で調製された水系レジスト剥離液は、測定手段2により、測定される。測定されるのは、調製槽3内で調製された水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度の少なくともいずれか一方である。両方でもよい。ここで測定される成分濃度は、所定の濃度に調節しようとしている水系レジスト剥離液の成分についての濃度である。同様に、測定される物性値は、所定の濃度に調節しようとしている水系レジスト剥離液の成分と相関のある水系レジスト剥離液の物性値である。測定手段2により測定される物性値や成分濃度に対応する水系レジスト剥離液の成分は、一つとは限らず、複数であってもよい。
The aqueous resist stripping solution prepared in the
成分濃度は直接測ることができないので、通常は、成分濃度は、これと相関を有する物性値を測定して、その測定値から相関関係を用いて算出される。そのため、測定手段2は、水系レジスト剥離液の物性値を測定する測定装置を備える。物性値のみしか測らない場合は、測定手段2は測定装置そのものであってもよい。測定した物性値から成分濃度を算出する場合は、測定した物性値を成分濃度に演算加工する必要があるので、測定手段2は、測定装置を備えるほか、測定値から成分濃度を演算する演算装置などをも備えている。 Since the component concentration cannot be measured directly, the component concentration is usually calculated by measuring a physical property value correlated with the component concentration and using the correlation value from the measured value. Therefore, the measuring means 2 includes a measuring device that measures the physical property value of the aqueous resist stripping solution. When only the physical property value is measured, the measuring means 2 may be the measuring device itself. When calculating the component concentration from the measured physical property value, it is necessary to calculate and process the measured physical property value into the component concentration. Therefore, the measuring means 2 includes a measuring device and an arithmetic device that calculates the component concentration from the measured value. And so on.
測定手段2が備える物性値の測定装置は、濃度を調節すべき水系レジスト剥離液の成分や測定される物性値に応じて、最適な装置が選択される。濃度を調節しようとしている水系レジスト剥離液の成分について、調節しようとしているその所定の成分濃度を含む濃度範囲において、その成分濃度と良好な相関関係を得ることができる物性値を測定する測定装置を採用すればよい。例えば、このような測定装置として、吸光光度計、導電率計、密度計、超音波濃度計、粘度計、などが好適である。 As an apparatus for measuring physical property values provided in the measuring means 2, an optimum apparatus is selected according to the components of the aqueous resist stripping solution whose concentration should be adjusted and the physical property values to be measured. A measuring device for measuring a physical property value capable of obtaining a good correlation with the component concentration in a concentration range including the predetermined component concentration to be adjusted for the component of the aqueous resist stripping solution whose concentration is to be adjusted. Adopt it. For example, as such a measuring apparatus, an absorptiometer, conductivity meter, density meter, ultrasonic densitometer, viscometer, and the like are suitable.
測定手段2は、調製槽3内で調製された水系レジスト剥離液をサンプリングして、その物性値を測定する。測定前にサンプリングした水系レジスト剥離液を温度調整するなど、常に同じ測定条件で測定がなされるようになっていることが、好ましい。そのため、測定手段2は、サンプリングチューブ、サンプリングポンプ(図示せず)、温度コントローラ(図示せず)などを、備えていることが好ましい。
The measuring means 2 samples the aqueous resist stripping solution prepared in the
しかし、測定の手法は、試料をサンプリングする方式に限定されない。センサー部を水系レジスト剥離液内に浸漬する方式や、循環管路34などに測定装置を設置する方式など、採用した測定装置に応じて、最適な方式により測定すればよい。
However, the measurement method is not limited to the method of sampling a sample. What is necessary is just to measure by an optimal system according to the employ | adopted measuring apparatuses, such as the system which immerses a sensor part in a water-system resist stripping solution, and the system which installs a measuring apparatus in the
測定手段2が成分濃度を測定する場合、測定手段2に備えられた測定装置により測定された物性値から、成分濃度が算出される。成分濃度の算出には、物性値と成分濃度との相関関係が用いられる。この相関関係は、物性値と成分濃度との対応関係であり、両者が一対一に対応していれば、この相関関係に基づいて、測定された物性値から対応する成分濃度を求めることができる。 When the measuring means 2 measures the component concentration, the component concentration is calculated from the physical property values measured by the measuring device provided in the measuring means 2. For the calculation of the component concentration, the correlation between the physical property value and the component concentration is used. This correlation is a correspondence between the physical property value and the component concentration. If the two correspond one-to-one, the corresponding component concentration can be obtained from the measured physical property value based on this correlation. .
相関関係は、所定の感度を得るために、ある程度の傾きを備えていることが好ましいが、必ずしも直線でなくてもよい。調節しようとする成分濃度を含む濃度範囲で、成分濃度が物性値と一対一に対応づけられた連続関数としての相関関係を有していれば、測定された物性値から対応する成分濃度を算出できる。 The correlation is preferably provided with a certain degree of inclination in order to obtain a predetermined sensitivity, but may not necessarily be a straight line. If the component concentration has a correlation as a continuous function that has a one-to-one correspondence with the physical property value in the concentration range that includes the component concentration to be adjusted, the corresponding component concentration is calculated from the measured physical property value. it can.
測定手段2は、測定した物性値または成分濃度を、制御手段1に送信する。制御手段1は、測定手段2から測定値を受信する。測定手段2と制御手段1とは、信号線47で接続されている。測定値の送受信は、この信号線47を介して行われる。しかし、これに限定されない。無線を介して測定値の送受信がなされてもよい。また、複数の成分について物性値や成分濃度が測定される場合には、成分ごとに測定装置と制御手段1とをつなぐ信号線を備えていてもよい。
The measuring
制御手段1には、濃度制御において目標とする成分濃度の値が設定されている。制御手段1は、受信した成分濃度の測定値と設定されている成分濃度の目標値とを比較する。比較の結果、調節すべき成分の濃度が目標値より低い場合は、その成分の供給量がその他の成分の供給量に対して相対的に増加するように、対応する制御弁を制御する。逆に、調節すべき成分の濃度が目標値より高い場合は、その成分の供給量がその他の成分の供給量に対して相対的に減少するように、対応する制御弁を制御する。どの制御弁をどの程度制御するかは、成分濃度の目標値からのずれの程度、原料の構成、各原料の濃度などの諸条件に基づいて、制御手段1が制御プログラムにより適切に計算する。ただし、制御の方法は、これに限定されない。上記のような制御量の目標値と現在値とを比較して制御する比例制御(P制御)のほか、いわゆる積分制御(I制御)や微分制御(D制御)などを採用できる。これらの制御方法を適宜組み合わせたPID制御により制御するのが、好ましい。
The
水系レジスト剥離液の原料供給配管に設けられた各制御弁17、18、19は、信号線46により、制御手段1と接続されている。図1では、各制御弁17、18、19が信号線46により直列に接続されているように描いたが、各制御弁がそれぞれ個別に制御手段1と信号線で接続されていてもよい。信号線によらずとも、無線により制御されるようになっていてもよい。
Each
また、図1では、制御手段1が制御弁を制御することになっているが、制御手段1としてはコンピュータが好ましく採用される。コンピュータの代わりに、汎用のコントローラを用いて制御してもよい。濃度を調節する成分ごとに個別に用意されたコントローラの集合体として、制御手段1を構成してもよい。また、測定手段2と制御手段1の代わりに、測定手段2と制御手段1とが一つの装置として構成されたようないわゆる濃度管理装置、を用いるのでもよい。濃度管理装置を用いる場合には、調製槽3内の水系レジスト剥離液が常時所定の成分濃度となるように、濃度管理装置に制御弁を制御させればよい。
In FIG. 1, the control means 1 controls the control valve, but a computer is preferably employed as the control means 1. Control may be performed using a general-purpose controller instead of the computer. The control means 1 may be configured as a collection of controllers individually prepared for each component for adjusting the concentration. Further, instead of the measuring means 2 and the control means 1, a so-called concentration management device in which the measuring means 2 and the control means 1 are configured as one device may be used. In the case of using the concentration management device, the concentration management device may be controlled by the concentration management device so that the aqueous resist stripping solution in the
測定手段2により測定されるのが物性値である場合には、制御手段1は、物性値に基づいた制御を行う。すなわち、測定手段により測定される物性値は成分濃度と相関関係を有するので、この相関関係上に、調節すべき所定の成分濃度に対応した“所定の物性値”を見出すことができる。制御手段1は、測定手段2により測定された物性値がこの“所定の物性値”になるように、原料の供給量を増減させるよう、制御弁17、18、19を制御すればよい。
When the physical property value is measured by the measuring
本実施形態の調製装置10は、上記の調合、測定、制御のサイクルを繰り返し連続して行うことにより、所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を自動的かつ連続的に調製することができる。一度調製槽3内に所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を調製してしまえば、あとは、供給により減量した分を補うように、所定の成分濃度を維持しながら、水系レジスト剥離液を追加調製すればよい。
The
調製槽3で調製された水系レジスト剥離液は、調製槽3の底部に接続された水系レジスト剥離液供給配管4から、調製槽3の外へ供給される。調製装置10は、単独で使用することもできるが、水系レジスト剥離液を使用する他の剥離設備に接続して使用することもできる。この場合、水系レジスト剥離液供給配管4を他の剥離設備の水系レジスト剥離液供給口54と接続する。こうすることで、他の剥離設備に新鮮な状態の所定の成分濃度の水系レジスト剥離液を必要な時にいつでも自動的に供給することも可能となる。
The aqueous resist stripping solution prepared in the
調製装置10は、調製槽3内の水系レジスト剥離液の液面位置を検出するための液面計32を備えていることが好ましい。調製装置10の供給する水系レジスト剥離液の供給量が常時ほぼ一定であれば、液面計がなくても、調製量を供給量とバランスさせることで、調製槽3を空にすることなく、連続的な調製ができる。しかし、供給量が増減する場合には、液面計32により調製槽3内の液面位置を検出し、調製槽3が空にならないように制御することが好ましい。
The
液面計32は、調製槽3内の液面位置を検出できるように調製槽3に設置されているほか、信号線48を介して制御手段1と接続される。例えば、液面計32は、調製槽3内の液面が下限値を下回ったことを検出して、制御手段1に警報信号を発する。制御手段1は、液面位置が回復するように、制御弁17、18、19を制御して原料の供給量を増加させ、水系レジスト剥離液の調製量を増やす。液面位置が下限値を上回ると警報信号が停止し、調製槽3内の水系レジスト剥離液の量が所定の量まで回復すると、制御手段1はこの液面位置を維持するように制御する。こうして、調製槽3内が空にならないようにすることができる。合わせて液面位置の上限を設定しておけば、調製槽3のオーバーフローを防止することもできる。
The
なお、図1では、水系レジスト剥離液の各原料を供給する原料供給配管41、42、43が調製槽3の側部に接続されている態様を描いたが、これに限定されない。状況に応じて、調製槽3の上部や底部に接続されていてもよい。循環管路34に接続されるのでもよい。また、原料供給配管41、42、43は、調製槽3と一体的に接続されている必要はない。例えば、原料を調製槽内に上部から滴下して供給するようになっていてもよい。また、原料が液状物ではなく粉状物である場合は、配管ではなく、粉体供給装置が接続されているのでもよい。
In addition, although the raw
<水系レジスト剥離液の原料>
水系レジスト剥離液の調製には、アミン、水、有機溶媒、その他の添加剤からなる原料を用いることができる。
<Raw material for aqueous resist stripper>
In preparing the aqueous resist stripping solution, a raw material comprising an amine, water, an organic solvent and other additives can be used.
≪アミン≫
水系レジスト剥離液の原料に用いられるアミンとしては、アルカノールアミンが好ましく用いられる。アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N−メチル−N,N−ジエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、3−アミノ−1−プロパノールなどを挙げることができる。また、他のアミンとして、ヒドロキシルアミン、N−メチルジエタノールアミン、ノーマルプロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、アルキルベンゼンスルホン酸、ジグリコールアミン、メチルアミノエタノール、エチルアミノエタノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、トリエチレンテトラミン、N,Nジメチルアセトアミド、モノメチルホルムアミドを用いることができる。
≪Amine≫
As the amine used as a raw material for the aqueous resist stripping solution, alkanolamine is preferably used. Examples of the alkanolamine include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, aminoethylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N- Examples thereof include dibutylethanolamine, N-methylethanolamine, and 3-amino-1-propanol. Other amines include hydroxylamine, N-methyldiethanolamine, normal propanolamine, monoisopropanolamine, N-methyldiethanolamine, alkylbenzene sulfonic acid, diglycolamine, methylaminoethanol, ethylaminoethanol, 2- (2-amino Ethoxy) ethanol, triethylenetetramine, N, N dimethylacetamide, monomethylformamide can be used.
≪有機溶媒≫
有機溶媒としては、グライコールエーテル系の有機溶媒が好ましく用いられる。グライコールエーテル系の有機溶媒としては、ブチルジグリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルなどを挙げることができる。他の有機溶媒として、ジメチルスルホキシド、アルキルヒドロキシベンゼン、ブチンジオール、SAA、メチルメトキシブタノール、N−メチル−2−ピロリドン、Phn、オルトジクロロベンゼン、トリエチレンテトラミン、メチルジグリコールを用いることができる。
≪Organic solvent≫
As the organic solvent, a glycol ether organic solvent is preferably used. Examples of the glycol ether organic solvent include butyl diglycol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diethylene glycol monopropyl ether. As other organic solvents, dimethyl sulfoxide, alkylhydroxybenzene, butynediol, SAA, methylmethoxybutanol, N-methyl-2-pyrrolidone, Phn, orthodichlorobenzene, triethylenetetramine, methyldiglycol can be used.
≪その他の添加剤≫
水系レジスト剥離液としては、アミン、有機溶媒、水(純水)の他に、添加剤として、カテコール、マルトール、シリコン系消泡剤、p−ニトロ安息香酸、還元剤(ソルビ―トールなど)、金属防食剤、キレート剤などを添加することができる。その他の添加剤の濃度は、水系レジスト剥離液の調製時に、水系レジスト剥離液の容量に応じて添加することで、濃度を調節することができる。
≪Other additives≫
As an aqueous resist stripping solution, in addition to amine, organic solvent, water (pure water), additives include catechol, maltol, silicon-based antifoaming agent, p-nitrobenzoic acid, reducing agent (such as sorbitol), Metal anticorrosives, chelating agents and the like can be added. Concentrations of other additives can be adjusted by adding them according to the volume of the aqueous resist stripping solution when preparing the aqueous resist stripping solution.
[第2実施形態]
図2は、本実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。本実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置110は、第1実施形態の調製装置10とほぼ同じであり、主に調製槽3、測定手段102、制御手段101などからなる。測定手段102がアミンに関する測定手段121を備え、制御手段101がアミンに関する制御手段123を備え、調製槽3で所定のアミン濃度の水系レジスト剥離液が調製される点で、特徴的である。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a schematic view for explaining the preparation apparatus of the aqueous resist stripping solution of the present embodiment. The aqueous resist stripping
本実施形態では、測定手段102はアミンに関する測定手段121を備える。アミンに関する測定手段121は、調製槽3内の水系レジスト剥離液の物性値またはアミン濃度のうちの少なくとも一方を測定するためのものである。両方を測定してもよい。調製装置110がアミン濃度だけを測定してこれを所定の濃度値に調節する場合には、測定手段102はアミンに関する測定手段121と同じでよい。しかし、一般には、測定手段102は、アミンに関する測定手段121のほかに、他の成分に関する測定を行うための測定手段を別途備えていてもよい。
In the present embodiment, the measuring
アミンに関する測定手段121が測定する物性値は、アミン濃度と相関関係を有する物性値である。アミン濃度と相関関係を有する物性値としては、吸光度、導電率、密度、超音波伝播速度、および、粘度から選択される物性値を用いることが好ましい。この場合、アミンに関する測定手段121は、それぞれ、吸光光度計、導電率計、密度計、超音波濃度計、粘度計などとなる。 The physical property value measured by the measuring means 121 regarding the amine is a physical property value having a correlation with the amine concentration. As a physical property value having a correlation with the amine concentration, it is preferable to use a physical property value selected from absorbance, conductivity, density, ultrasonic wave propagation speed, and viscosity. In this case, the measuring means 121 relating to the amine is an absorptiometer, a conductivity meter, a density meter, an ultrasonic densitometer, a viscometer, or the like.
アミンに関する測定手段121としては、なかでも吸光光度計が好ましい。適切な測定波長を用いれば、水系レジスト剥離液の吸光度値とアミン濃度との間に、比較的良好な直線関係を得ることができる。 As the measuring means 121 for amine, an absorptiometer is particularly preferable. If an appropriate measurement wavelength is used, a relatively good linear relationship can be obtained between the absorbance value of the aqueous resist stripping solution and the amine concentration.
アミン濃度と直線関係を有する物性値の一例として、図3および図4を示すことができる。図3は、モノエタノールアミン(MEA:monoethanolamine)濃度と吸光度(測定波長λ=1048nm)の関係を示すグラフ図であり、図4は、ヒドロキシルアミン濃度と吸光度(測定波長λ=1074nm)の関係を示すグラフ図である。 FIG. 3 and FIG. 4 can be shown as examples of physical property values having a linear relationship with the amine concentration. FIG. 3 is a graph showing the relationship between monoethanolamine (MEA) concentration and absorbance (measurement wavelength λ = 1048 nm), and FIG. 4 shows the relationship between hydroxylamine concentration and absorbance (measurement wavelength λ = 1074 nm). FIG.
図3に示すように、水系レジスト剥離液に含まれるアミンがアルカノールアミンの一種であるモノエタノールアミンである場合、水系レジスト剥離液のモノエタノールアミンの濃度は、近赤外部の波長領域にある特定波長(例えば、1048nm)における水系レジスト剥離液の吸光度に対して高度な直線関係を有する。また、図4に示すように、水系レジスト剥離液のヒドロキシルアミンの濃度も、近赤外部の波長領域にある特定波長(例えば、1074nm)における水系レジスト剥離液の吸光度に対して高度な直線関係を有する。したがって、水系レジスト剥離液の吸光度を測定することで、アミン濃度を正確に測定することができる。測定する波長は、アミンがモノエタノールアミンである場合、1000から1600nmの波長領域から選択される特定の波長であることが好ましい。他の成分の影響が小さい1048nm付近が、感度が大きく特に良好である。また、ヒドロキシルアミンである場合、1050から1090nmの波長領域から選択される特定の波長であることが好ましい。他の成分の影響が小さい1074nm付近が、感度が大きく特に良好である。 As shown in FIG. 3, when the amine contained in the aqueous resist stripping solution is monoethanolamine, which is a kind of alkanolamine, the concentration of monoethanolamine in the aqueous resist stripping solution is a specific value in the wavelength region of the near infrared region. It has a highly linear relationship with the absorbance of the aqueous resist stripper at a wavelength (for example, 1048 nm). Further, as shown in FIG. 4, the concentration of hydroxylamine in the aqueous resist stripping solution is also highly linear with respect to the absorbance of the aqueous resist stripping solution at a specific wavelength (for example, 1074 nm) in the near infrared wavelength region. Have. Therefore, the amine concentration can be accurately measured by measuring the absorbance of the aqueous resist stripping solution. When the amine is monoethanolamine, the wavelength to be measured is preferably a specific wavelength selected from a wavelength region of 1000 to 1600 nm. In the vicinity of 1048 nm where the influence of other components is small, the sensitivity is large and particularly good. Moreover, when it is hydroxylamine, it is preferable that it is a specific wavelength selected from the wavelength range of 1050 to 1090 nm. In the vicinity of 1074 nm where the influence of other components is small, the sensitivity is large and particularly good.
本実施形態の調製装置110では、アミンに関する測定手段121が、例えば、測定波長1048nmにおける水系レジスト剥離液の吸光度を測定する。この波長における吸光度は、アミン濃度(MEA濃度)と図3のような直線関係があるので、この直線関係を用いて、吸光度の測定値から正確に水系レジスト剥離液のアミン濃度(MEA濃度)を得ることができる。
In the
本実施形態における制御手段101は、アミンに関する制御手段123を備える。本実施形態の調製装置110がアミン濃度だけを所定の濃度に調節する場合には、制御手段101はアミンに関する制御手段123と同じでよい。本実施形態の調製装置110がアミン以外の成分についても濃度を調節する場合には、制御手段101はアミンに関する制御手段123を備えるだけでなく、他の成分に関する制御手段も別途備えている。
The control means 101 in this embodiment includes a control means 123 related to amine. When the
アミンに関する制御手段123は、アミンに関する測定手段121と信号線147により接続されるなどしており、アミンに関する測定手段121が得た測定値をアミンに関する測定手段121から受信する。アミンに関する制御手段123は、調節すべき所定のアミン濃度が濃度制御における目標値のアミン濃度として設定されている。アミンに関する制御手段123は、受信したアミン濃度の測定値と目標値のアミン濃度とを比較する。アミンに関する制御手段123は、各原料供給配管41、42、43に設けられた制御弁17、18、19と、信号線46により接続されるなどしており、濃度の比較の結果に応じて、制御弁17、18、19を適切に動作制御する。
The amine-related control means 123 is connected to the amine-related measuring means 121 by a signal line 147, and receives the measurement value obtained by the amine-related measuring means 121 from the amine-related measuring means 121. In the amine control means 123, the predetermined amine concentration to be adjusted is set as the target amine concentration in the concentration control. The amine-related control means 123 compares the received measured value of the amine concentration with the target amine concentration. The control means 123 related to the amine is connected to the
例えば、測定手段102のアミンに関する測定手段121により測定されたアミン濃度が目標値のアミン濃度より低い場合は、制御手段101のアミンに関する制御手段123は制御弁18の流量を増やして、あるいは、制御弁17や19の流量を減らして、アミン原液の相対的な供給量を増やす。アミン濃度が目標値のアミン濃度より高い場合は、逆に、アミンに関する制御手段123は制御弁18の流量を減らして、あるいは、制御弁17や19の流量を増やして、純水および有機溶媒の少なくともいずれかの供給量を相対的に増やし、アミン原液の相対的な供給量を減らして、アミン濃度を制御する。ただし、制御方法は、これに限定されない。PID制御など、各種の制御方法を適宜採用し得る。
For example, when the amine concentration measured by the measuring means 121 related to the amine of the measuring means 102 is lower than the target amine concentration, the control means 123 related to the amine of the control means 101 increases the flow rate of the
なお、アミンに関する測定手段121が測定した物性値から、測定した物性値と相関関係上の目標値のアミン濃度に対応する物性値とを比較することよりアミン濃度を制御してもよい。 The amine concentration may be controlled by comparing the measured physical property value with the physical property value corresponding to the target amine concentration in the correlation from the physical property value measured by the measuring means 121 related to the amine.
例えば、図3や図4に示すような直線関係が得られる場合のように、物性値とアミン濃度とが一対一に対応した相関関係を有する場合には、この相関関係に基づいて、アミン濃度に対応する物性値を得ることができる。したがって、調節すべき所定のアミン濃度に対応する“所定の物性値”が存在する。アミンに関する測定手段121が測定した物性値がこの“所定の物性値”になるように、アミンに関する制御手段123が原料の供給量を制御することで、調製槽3で調製される水系レジスト剥離液を所定のアミン濃度にすることができる。
For example, when the physical property value and the amine concentration have a one-to-one correlation, as in the case where a linear relationship as shown in FIG. 3 or FIG. 4 is obtained, the amine concentration is based on this correlation. The physical property value corresponding to can be obtained. Therefore, there is a “predetermined physical property value” corresponding to a predetermined amine concentration to be adjusted. Aqueous resist stripping solution prepared in the
本実施形態の第1実施形態と共通するその他の構成については、第1実施形態と同じであるので、その説明を省略する。 Since the other configuration common to the first embodiment of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.
[第3実施形態]
図5は、本実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。本実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置210は、第1実施形態の調製装置10とほぼ同じであり、主に調製槽3、測定手段202、制御手段201などからなる。測定手段202が水分に関する測定手段222を備え、制御手段201が水分に関する制御手段224を備え、調製槽3で所定の水分濃度の水系レジスト剥離液が調製される点で、特徴的である。
[Third Embodiment]
FIG. 5 is a schematic view for explaining an apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution according to this embodiment. The aqueous resist stripping
本実施形態では、測定手段202は水分に関する測定手段222を備える。水分に関する測定手段222は、調製槽3内の水系レジスト剥離液の物性値または水分濃度のうちの少なくとも一方を測定するためのものである。両方を測定してもよい。調製装置210が水分濃度だけを測定してこれを所定の濃度値に調節する場合には、測定手段202は水分に関する測定手段222と同じでよい。しかし、一般には、測定手段202は、水分に関する測定手段222のほかに、他の成分に関する測定を行うための測定手段を別途備えていてもよい。
In the present embodiment, the
水分に関する測定手段222が測定する物性値は、水分濃度と相関関係を有する物性値である。水分濃度と相関関係を有する物性値についても、吸光度、導電率、密度、超音波伝播速度、および、粘度から選択され、水分濃度と直線関係が得られる物性値を用いることが好ましい。この場合、水分に関する測定手段222は、それぞれ、吸光光度計、導電率計、密度計、超音波濃度計、粘度計などとなる。 The physical property value measured by the measuring means 222 relating to moisture is a physical property value having a correlation with the moisture concentration. As for the physical property value having a correlation with the water concentration, it is preferable to use a physical property value that is selected from absorbance, conductivity, density, ultrasonic wave propagation speed, and viscosity and has a linear relationship with the water concentration. In this case, the moisture measuring means 222 is an absorptiometer, conductivity meter, density meter, ultrasonic densitometer, viscometer, or the like.
水分に関する測定手段222としては、なかでも吸光光度計が好ましい。適切な測定波長を用いれば、水系レジスト剥離液の吸光度値とアミン濃度との間に、比較的良好な直線関係を得ることができる。 As the moisture measuring means 222, an absorptiometer is particularly preferable. If an appropriate measurement wavelength is used, a relatively good linear relationship can be obtained between the absorbance value of the aqueous resist stripping solution and the amine concentration.
水分濃度と直線関係を有する物性値の一例として、図6に、水系レジスト剥離液の水分濃度と吸光度の関係を示すグラフ図を示す。水分濃度との直線関係を示す吸光度の測定波長は、近赤外線領域の950nmから2000nmの範囲から選択される特定の波長であることが好ましい。特に1940nm付近で感度が大きく、好ましい。また、950nmから1010nmの範囲、特に976nm付近において感度が大きく好ましい。図6は、測定波長λ=1940nmにおける水系レジスト剥離液の吸光度と水分濃度との関係を示すグラフ図である。なお、測定波長λ=976nmにおいても、図6に示すグラフと同様に高度な直線関係を有することが実験により確認されている。このように、水系レジスト剥離液の吸光度を検出することで、水分濃度を正確に測定することができる。 As an example of the physical property value having a linear relationship with the water concentration, FIG. 6 is a graph showing the relationship between the water concentration and the absorbance of the aqueous resist stripping solution. The absorbance measurement wavelength showing a linear relationship with the water concentration is preferably a specific wavelength selected from a range of 950 nm to 2000 nm in the near infrared region. The sensitivity is particularly high near 1940 nm, which is preferable. Further, the sensitivity is preferably large in the range of 950 nm to 1010 nm, particularly in the vicinity of 976 nm. FIG. 6 is a graph showing the relationship between the absorbance of the aqueous resist stripping solution and the water concentration at the measurement wavelength λ = 1940 nm. In addition, it has been confirmed by experiments that at the measurement wavelength λ = 976 nm, there is a high degree of linear relationship as in the graph shown in FIG. Thus, the moisture concentration can be accurately measured by detecting the absorbance of the aqueous resist stripping solution.
本実施形態の調製装置210では、水分に関する測定手段222が、例えば、測定波長1940nmにおける水系レジスト剥離液の吸光度を測定する。この波長における吸光度は、水分濃度と図6のような直線関係があるので、この直線関係を用いて、吸光度の測定値から正確に水系レジスト剥離液の水分濃度を得ることができる。
In the
本実施形態における制御手段201は、水分に関する制御手段224を備える。本実施形態の調製装置210が水分濃度だけを所定の濃度に調節する場合には、制御手段201は水分に関する制御手段224と同じでよい。本実施形態の調製装置210が水分以外の成分についても濃度を調節する場合には、制御手段201は水分に関する制御手段224を備えるだけでなく、他の成分に関する制御手段も別途備えている。
The
水分に関する制御手段224は、水分に関する測定手段222と信号線247により接続されるなどしており、水分に関する測定手段222が得た測定値を水分に関する測定手段222から受信する。水分に関する制御手段224は、調節すべき所定の水分濃度が濃度制御における目標値の水分濃度として設定されている。水分に関する制御手段224は、受信した水分濃度の測定値と目標値の水分濃度とを比較する。水分に関する制御手段224は、各原料供給配管41、42、43に設けられた制御弁17、18、19と、信号線46により接続されるなどしており、濃度の比較の結果に応じて、制御弁17、18、19を適切に動作制御する。
The moisture-related control means 224 is connected to the moisture-related measuring means 222 by a
水分濃度についても、測定手段202の水分に関する測定手段222により測定された水分濃度が目標値の水分濃度より低い場合は、制御手段201は制御弁17の流量を増やして、あるいは、制御弁18や19の流量を減らして、純水の相対的な供給量を増やす。水分濃度が目標値の水分濃度より高い場合は、逆に、水分に関する制御手段224は制御弁17の流量を減らして、あるいは、制御弁18や19の流量を増やして、アミン原液および有機溶媒の少なくともいずれかの供給量を相対的に増やし、純水の相対的な供給量を減らして、水分濃度を制御する。ただし、制御方法は、これに限定されない。PID制御など、各種の制御方法を適宜採用し得る。
As for the water concentration, when the water concentration measured by the measuring
なお、水分濃度の調節についても、水分に関する測定手段222が測定した物性値から、測定した物性値と相関関係上の目標値の水分濃度に対応する物性値とを比較することにより水分濃度を制御してもよい。 Regarding the adjustment of the moisture concentration, the moisture concentration is controlled by comparing the measured physical property value with the physical property value corresponding to the target moisture concentration in the correlation from the physical property value measured by the moisture measuring means 222. May be.
例えば、図6に示すような直線関係が得られる場合のように、物性値と水分濃度とが一対一に対応した相関関係を有する場合には、この相関関係に基づいて、水分濃度に対応する物性値を得ることができる。したがって、調節すべき所定の水分濃度に対応する“所定の物性値”が存在する。水分に関する測定手段222が測定した物性値がこの“所定の物性値”になるように、水分に関する制御手段224が原料の供給量を制御することで、調製槽3で調製される水系レジスト剥離液を所定の水分濃度にすることができる。
For example, when the physical property value and the moisture concentration have a one-to-one correlation as in the case where a linear relationship as shown in FIG. 6 is obtained, the moisture concentration is handled based on this correlation. Physical property values can be obtained. Therefore, there is a “predetermined physical property value” corresponding to a predetermined moisture concentration to be adjusted. A water-based resist stripping solution prepared in the
本実施形態の第1実施形態と共通するその他の構成については、第1実施形態と同じであるので、その説明を省略する。 Since the other configuration common to the first embodiment of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.
[第4実施形態]
図7は、本実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。本実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置310は、第1実施形態の調製装置10とほぼ同じであり、主に調製槽3、測定手段302、制御手段301などからなる。しかし、測定手段302がアミンに関する測定手段321および水分に関する測定手段322を備える点、制御手段301が調製槽3内の水系レジスト剥離液のアミン濃度が所定のアミン濃度となるように、および、調製槽3内の水系レジスト剥離液の水分濃度が所定の水分濃度となるように、原料の供給量を制御する点、および、調製槽3で所定のアミン濃度および所定の水分濃度の水系レジスト剥離液が調製される点で、特徴的である。
[Fourth Embodiment]
FIG. 7 is a schematic view for explaining an apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution according to the present embodiment. The aqueous resist stripping
本実施形態では、測定手段302はアミンに関する測定手段321、および、水分に関する測定手段322を備える。アミンに関する測定手段321は、調製槽3内の水系レジスト剥離液の物性値またはアミン濃度のうちの少なくとも一方を測定するためのものである。両方を測定してもよい。水分に関する測定手段322は、調製槽3内の水系レジスト剥離液の物性値または水分濃度のうちの少なくとも一方を測定するためのものである。両方を測定してもよい。調製装置310がアミン濃度と水分濃度だけを測定してこれらを所定の濃度値に調節する場合には、測定手段302はアミンに関する測定手段321と水分に関する測定手段322だけでよい。しかし、一般には、測定手段302は、これらのほかに、他の成分に関する測定を行うための測定手段を別途備えていてもよい。
In the present embodiment, the measuring
本実施形態における制御手段301は、アミンに関する制御手段323、水分に関する制御手段324、その他の成分に関する制御手段などを備える。あるいは、これらの機能に相当する機能をひとまとめに備えた一つの制御手段であってもよい。本実施形態のアミン濃度の制御は、第2実施形態と同様である。本実施形態の水分濃度の制御は、第3実施形態と同様である。そのほか、第1〜3の実施形態と共通する構成については、それぞれの実施形態で説明した事項と同じであるから、本実施形態におけるその説明を省略する。 The control means 301 in this embodiment includes a control means 323 related to amine, a control means 324 related to moisture, a control means related to other components, and the like. Alternatively, it may be a single control unit that collectively includes functions corresponding to these functions. The control of the amine concentration in this embodiment is the same as that in the second embodiment. The control of the water concentration in the present embodiment is the same as in the third embodiment. In addition, since the configuration common to the first to third embodiments is the same as that described in each embodiment, the description in this embodiment is omitted.
なお、図7では、本実施形態の調製装置310が、原料貯留容器320と、水系レジスト剥離液を使用する剥離設備390と、に接続された態様を示した。このように、調製装置310は、原料貯留容器320や、剥離設備390と接続して、剥離工程が行われる工場におけるオンサイト運転をすることができる。
In addition, in FIG. 7, the
原料貯留容器320は、水系レジスト剥離液の原料を一時的に貯留しておくための容器である。アミン貯留容器311a、311bや、有機溶媒貯留容器312a、312bなどからなる。アミン貯留容器311a、311bや有機溶媒貯留容器312a、312bは、それぞれ一つでもよいが、図7に示すようにそれぞれ二つ備えているとより好ましい。アミン貯留容器311a、311bは、アミン原料導入口52からアミン原料補充配管342を介して、アミンが常時貯留されている。また、有機溶媒貯留容器312a、312bは、有機溶媒原料導入口53から有機溶媒原料補充配管343を介して、有機溶媒が常時貯留されている。原料貯留容器320に常に必要な原料を用意しておくことで、調製装置310は、途切れることなく原料の供給を受けることができ、連続的に水系レジスト剥離液を調製することが可能となる。
The raw
アミン貯留容器311a、311bおよび有機溶媒貯留容器312a、312bは、調製装置310とアミン供給配管344および有機溶媒供給配管345により接続され、原料貯留容器320から各種の原料が調製槽3へ供給される。供給の方式は、送液ポンプによる方式でも、容器の加圧圧送方式でもよい。必要があれば、図7に示すように、原料貯留容器320と調製槽3を接続するアミン供給配管344および有機溶媒供給配管345に制御弁313a〜316bを設けて、調製装置310がこれらを制御するようにしてもよい。
The
一方、調製装置310は、剥離設備390と、調製槽3に接続された水系レジスト剥離液供給配管304を介して接続される。水系レジスト剥離液供給配管304には、送液ポンプ325および制御弁326などが設けられている。
On the other hand, the
調製槽3で調製された水系レジスト剥離液は、送液ポンプ325により、水系レジスト剥離液供給配管304を通って、水系レジスト剥離液供給口354から剥離設備390に供給される。剥離設備390は、信号線392を介して制御手段301と接続されている。制御手段301は、剥離設備390から発せられる水系レジスト剥離液供給リクエスト信号を、信号線392を介して受信する。制御弁326は、信号線349を介して制御手段301と接続されている。制御手段301は、剥離設備390側の要求に応じて、制御弁326を開閉制御する。これにより、剥離設備390は、水系レジスト剥離液が必要な時に、必要な量だけ、自動的に水系レジスト剥離液の供給を受けることができる。
The aqueous resist stripping solution prepared in the
[第5実施形態]
図8は、第5実施形態に係る水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。第1から第4までの実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置10、110、210、310とは、調製槽3で調製された水系レジスト剥離液を貯留する貯留槽402を備える点が異なっている。
[Fifth Embodiment]
FIG. 8 is a schematic view for explaining an apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution according to the fifth embodiment. The water-based resist stripping
第5実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置410においても、第1実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置10と同様に、調製槽3内の水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度の少なくともいずれか一方を測定することで、調製槽3内のレジスト剥離液の成分濃度を所定の濃度に調節する。
In the aqueous resist
調製槽3で調製された水系レジスト剥離液は、調製槽3から貯留槽402へ送液され、貯留槽402に貯留される。送液の方法は、送液ポンプなどにより移送する方式などでよく、特に限定はしない。図8に示すように、連通管435により調製槽3と貯留槽402とを連結しておくと、送液ポンプなどを要さず自然送液されるため簡便で都合よく、好適である。
The aqueous resist stripping solution prepared in the
連通管435は、水系レジスト剥離液が流通する管路である。図8に示すように、調製槽3は貯留槽402よりも高い位置に設置される。連通管435は、例えば図8のように、調製槽3の底部と貯留槽402の側部とを接続する。貯留槽402から剥離設備390に水系レジスト剥離液が供給されることで、貯留槽402内に貯留されている水系レジスト剥離液量が減少すると、調製槽3で調製された水系レジスト剥離液が連通管435を通って、貯留槽402に自然に移動する。連通管435は適度な長さと配管内径とを有し、調製槽3で生じる水系レジスト剥離液の濃度の変動が貯留槽402内に及ばないようにする濃度変動の緩衝作用を有する。
The
貯留槽402も、調製槽3と同様、測定手段431および液面計432とを備えていることが好ましい。測定手段431としては、調製槽3に備えられているものと同じものを用いることができる。測定手段431は、さらに、アミンに関する測定手段、および、水分に関する測定手段のいずれか、あるいは両方を備えていてもよい。これらの装置により、貯留槽402に貯留された水系レジスト剥離液の物性値、または、成分濃度の測定をすることができる。
Similarly to the
また、測定手段431および液面計432も、信号線447、448を介して制御手段401と接続される。制御手段401は、測定手段431が測定する貯留槽402内の水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度や液面計432が測定する貯留槽402内の水系レジスト剥離液の液面位置に応じて、調製槽3の場合と同様に、適宜制御弁17、18、19を制御する。貯留槽402は、濃度変動が極めて小さいので、実際には、貯留槽402内部の水系レジスト剥離液の濃度の監視と液量管理が行われる。
Further, the measuring means 431 and the
貯留槽402内の水系レジスト剥離液は、循環管路434に備えられた循環攪拌ポンプ433によって循環攪拌される。これにより、貯留槽402内の水系レジスト剥離液は、均一な濃度に維持される。
The aqueous resist stripping solution in the
[第6実施形態]
図9は、第6実施形態に係る水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。第6実施形態に係る水系レジスト剥離液の調製装置510は、調製槽を2つ備えている点がこれまでに説明した実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置と異なっている。
[Sixth Embodiment]
FIG. 9 is a schematic view for explaining an apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution according to the sixth embodiment. The aqueous resist
調製槽503も調製槽3と同様に、測定手段531および液面計532を備え、信号線547および信号線548を介して制御手段501と接続される。調製槽503内の水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度、および、液面位置は制御手段501により監視され、信号線546を介して接続された制御弁517、518、519を制御し、調製槽3内の水系レジスト剥離液の成分濃度を調節する場合と同様の方法で、成分濃度や液面位置の調節を行う。調製槽503で調製された水系レジスト剥離液は、連通管535を通って、貯留槽402に貯留される。また、調製槽503は循環管路534を備え、調製槽503内の水系レジスト剥離液は、循環管路534に備えられた循環攪拌ポンプ533によって循環攪拌される。
Similar to the
第6実施形態に係る水系レジスト剥離液の調製装置によれば、調製槽を2つ備えているので、例えば、調製槽3が故障などにより動かなくなっても、調製槽503から貯留槽402に水系レジスト剥離液を調製して供給することで、装置を止めることなく水系レジスト剥離液の調製と供給を続けることができる。また、調製槽3内が空になっていても、調製槽503から水系レジスト剥離液を供給することができる。
According to the apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution according to the sixth embodiment, since two preparation tanks are provided, for example, even if the
なお、図9においては、調製槽を2つ備える構成を記載したが、調製槽の数は特に限定されず、3つ以上の複数の槽を備えてもよい。ただし、装置が大型化すること、故障時の予備であることを考慮すると、貯留槽1つに対して調製槽を2つ備えれば十分である。 In addition, in FIG. 9, although the structure provided with two preparation tanks was described, the number of preparation tanks is not specifically limited, You may provide three or more several tanks. However, considering that the apparatus is enlarged and is a spare at the time of failure, it is sufficient to provide two preparation tanks for one storage tank.
[第7実施形態]
図10は、第7実施形態に係る水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。第7実施形態に係る水系レジスト剥離液の調製装置610は、水系レジスト剥離液の原料を予め混合する予備混合手段として混合準備槽605を備えている点がこれまでに説明してきた実施形態の水系レジスト剥離液の調製装置と異なっている。
[Seventh Embodiment]
FIG. 10 is a schematic diagram for explaining an apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution according to the seventh embodiment. The water-based resist stripping
混合準備槽605は、純水供給配管41、アミン供給配管344、および、有機溶媒供給配管345に接続されている。また、混合準備槽605は、配管606により調製槽3に接続されている。
The mixing
混合準備槽605を設け、調製槽3に供給される原料を混合準備槽605で混合して調製槽3に供給することで、調製槽3に水系レジスト剥離液の組成に近い濃度で供給することができる。したがって、調製槽3内の水系レジスト剥離液の濃度が急に変化することを防止することができるとともに、水系レジスト剥離液の調製を容易に行うことができる。また、水系レジスト剥離液の原料が予め混合されるので、調製槽3内での混合や攪拌の負担が軽減され、より速やかに均一な濃度の水系レジスト剥離液を調製することができる。
A mixing
混合準備槽605での混合は、制御手段601により、信号線646を介して接続された制御弁617、618、619を制御することで、純水、アミン原液、および、有機溶媒の流量を制御し、調製槽3で調製される水系レジスト剥離液の濃度とすることが好ましい。水系レジスト剥離液の最終的な濃度の調製は、調製槽3で行うため、混合準備槽605では、精度良く調製しなくてもよい。混合準備槽605で混合されたレジスト剥離液の濃度が、測定手段2で測定される物性値が成分濃度と相関関係を有する濃度範囲に入る程度に、各原料の混合がなされればよい。ただし、調製槽3と同様に、測定装置により、物性値または成分濃度を測定してもよい。
Mixing in the
本実施形態の調製装置610が備える予備混合手段は、簡易な混合槽としてふるまう混合準備槽605のような態様に限定されない。例えば、原料を供給する純水供給配管41、アミン供給配管344、有機溶媒供給配管345等が調製槽3の手前で合流して、合流配管内で原料が混合されるような方式でもよい。その場合、さらに、インラインミキサーやスタティックミキサーなどの配管型混合装置を採用することもできる。循環管路34に合流させてもよい。
The premixing means provided in the
また、予備混合手段は、第6実施形態のように、調製槽を複数備える水系レジスト剥離液の調製装置においては、調製槽ごとに予備混合手段を備える構成としてもよい。 In addition, the premixing means may be configured to include premixing means for each preparation tank in the aqueous resist stripping solution preparation apparatus including a plurality of preparation tanks as in the sixth embodiment.
〔非水系レジスト剥離液の調製装置〕
[第8実施形態]
図11は、本実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。本実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置710は、主に、調製槽703、測定手段702、制御手段701などからなる。
[Non-aqueous resist stripper preparation equipment]
[Eighth Embodiment]
FIG. 11 is a schematic view for explaining the non-aqueous resist stripping solution preparation apparatus of the present embodiment. The non-aqueous resist
調製槽703は、配管などを介して供給を受けた非水系レジスト剥離液の原料を調合して、所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を調製するための調合容器である。調製槽703は、非水系レジスト剥離液の原料の供給を受けるために、各原料供給配管742、743などが接続されているほか、原料を均一に混合するための攪拌手段736を備えている。また、調製した所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を供給するための供給配管704を備えている。
The
測定手段702は、調製槽703内で調製される非水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度の少なくとも一方を測定する。測定手段702により測定される非水系レジスト剥離液の物性値は、この非水系レジスト剥離液の成分濃度との間に相関を有する物性値である。この相関関係を用いれば、測定された物性値から成分濃度を得ることができるし、非水系レジスト剥離液を所定の成分濃度に調整することもできる。
The measuring means 702 measures at least one of the physical property value and the component concentration of the non-aqueous resist stripping solution prepared in the
制御手段701は、測定手段702の測定信号を受信できるように、測定手段702と信号線747などにより接続されている。また、制御手段701は、原料を調製槽703に供給するための原料供給配管742、743に設けられた制御弁718、719と、接続されている。制御手段701がこれらの制御弁を制御することにより、調製槽703に供給される原料の供給量が、水系レジスト剥離液の成分濃度が所定の成分濃度となるように、調節される。
The
非水系レジスト剥離液は、アミンおよび有機溶媒を主成分とする。アミンは、アミン原料導入口752からアミン原料供給配管742を介して調製槽703に供給される。有機溶媒は、有機溶媒原料導入口753から有機溶媒原料供給配管743を介して調製槽703に供給される。これらのほかに、添加剤など他の原料がある場合には、その原料を供給するための導入口、供給配管、制御弁などを用意して、供給すればよい。添加剤など他の原料の供給ラインは、図11には図示していない。また、各原料は、調製槽703に直接供給される場合に限定されない。例えば、調製槽703内の非水系レジスト剥離液を循環攪拌する場合には、各原料を、液が循環する循環管路734に合流させるようにして、調製槽703に供給してもよい。
The non-aqueous resist stripping solution contains an amine and an organic solvent as main components. The amine is supplied from the amine
各原料供給配管742、743には、制御手段701と信号線746を介して接続された制御弁718、719が設けられている。各制御弁は、制御手段701により発せられる制御信号を受けて、動作制御される。各制御弁は、例えば、単位時間当たりの流量を増減させるように、制御手段701により制御されるのが、望ましい。各制御弁は、流量のデフォルト値として、このデフォルト値の流量で供給された原料を調合して得られる非水系レジスト剥離液の成分濃度が、測定手段702により測られる物性値が成分濃度と相関関係を有する濃度範囲に入るように、予め設定されているものとする。
The raw
原料導入口752、753より導入された各原料は、原料供給配管742、743、および、制御弁718、719を介して、調製槽703に供給される。調製槽703内に供給された原料は、攪拌手段736により攪拌され、均一な濃度の非水系レジスト剥離液となる。
The respective raw materials introduced from the raw
攪拌手段736は、調製槽703内を均一な濃度に攪拌するものである。図11では、調製槽703の底部から側部にループ状に接続された循環管路734を介して、調製槽703内の液の一部を抜き取り、これを循環攪拌ポンプ733により調製槽703内に攪拌流が生じるように再度調製槽703内に戻す循環攪拌方式を描いているが、これに限定されない。攪拌翼をモーターで回転させる攪拌装置でもよいし、攪拌子を調製槽703内で回転させるものでもよい。
The stirring means 736 is for stirring the inside of the
調製槽703内で調製された非水系レジスト剥離液は、測定手段702により、測定される。測定されるのは、調製槽703内で調製された非水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度の少なくともいずれか一方である。両方でもよい。ここで測定される成分濃度は、所定の濃度に調節しようとしている非水系レジスト剥離液の成分についての濃度である。同様に、測定される物性値は、所定の濃度に調節しようとしている非水系レジスト剥離液の成分と相関のある非水系レジスト剥離液の物性値である。測定手段702により測定される物性値や成分濃度に対応する非水系レジスト剥離液の成分は、一つとは限らず、複数であってもよい。
The non-aqueous resist stripping solution prepared in the
成分濃度は直接測ることができないので、通常は、成分濃度は、これと相関を有する物性値を測定して、その測定値から相関関係を用いて算出される。そのため、測定手段702は、非水系レジスト剥離液の物性値を測定する測定装置を備える。物性値のみしか測らない場合は、測定手段702は測定装置そのものであってもよい。測定した物性値から成分濃度を算出する場合は、測定した物性値を成分濃度に演算加工する必要があるので、測定手段702は、測定装置を備えるほか、測定値から成分濃度を演算する演算装置などをも備えている。
Since the component concentration cannot be measured directly, the component concentration is usually calculated by measuring a physical property value correlated with the component concentration and using the correlation value from the measured value. Therefore, the measuring
測定手段702が備える物性値の測定装置は、濃度を調節すべき非水系レジスト剥離液の成分や測定される物性値に応じて、最適な装置が選択される。濃度を調節しようとしている非水系レジスト剥離液の成分について、調節しようとしているその所定の成分濃度を含む濃度範囲において、その成分濃度と良好な相関関係を得ることができる物性値を測定する測定装置を採用すればよい。例えば、このような測定装置として、吸光光度計、導電率計、密度計、超音波濃度計、粘度計、などが好適である。 As an apparatus for measuring physical property values provided in the measuring means 702, an optimum apparatus is selected according to the components of the non-aqueous resist stripping solution whose concentration is to be adjusted and the physical property values to be measured. A measuring device that measures a physical property value capable of obtaining a good correlation with the component concentration in a concentration range including the predetermined component concentration to be adjusted with respect to the component of the non-aqueous resist stripping solution whose concentration is to be adjusted. Should be adopted. For example, as such a measuring apparatus, an absorptiometer, conductivity meter, density meter, ultrasonic densitometer, viscometer, and the like are suitable.
測定手段702は、調製槽703内で調製された非水系レジスト剥離液をサンプリングして、その物性値を測定する。測定前にサンプリングした非水系レジスト剥離液を温度調整するなど、常に同じ測定条件で測定がなされるようになっていることが、好ましい。そのため、測定手段702は、サンプリングチューブ、サンプリングポンプ(図示せず)、温度コントローラ(図示せず)などを、備えていることが好ましい。
The measuring means 702 samples the non-aqueous resist stripping solution prepared in the
しかし、測定の手法は、試料をサンプリングする方式に限定されない。センサー部を非水系レジスト剥離液内に浸漬する方式や、循環管路734などに測定装置を設置する方式など、採用した測定装置に応じて、最適な方式により測定すればよい。
However, the measurement method is not limited to the method of sampling a sample. What is necessary is just to measure by an optimal system according to the employ | adopted measuring apparatuses, such as the system which immerses a sensor part in a non-aqueous resist stripping solution, the system which installs a measuring apparatus in the
測定手段702が成分濃度を測定する場合、測定手段702に備えられた測定装置により測定された物性値から、成分濃度が算出される。成分濃度の算出には、物性値と成分濃度との相関関係が用いられる。この相関関係は、物性値と成分濃度との対応関係であり、両者が一対一に対応していれば、この相関関係に基づいて、測定された物性値から対応する成分濃度を求めることができる。
When the measuring
相関関係は、所定の感度を得るために、ある程度の傾きを備えていることが好ましいが、必ずしも直線でなくてもよい。調節しようとする成分濃度を含む濃度範囲で、成分濃度が物性値と一対一に対応づけられた連続関数としての相関関係を有していれば、測定された物性値から対応する成分濃度を算出できる。 The correlation is preferably provided with a certain degree of inclination in order to obtain a predetermined sensitivity, but may not necessarily be a straight line. If the component concentration has a correlation as a continuous function that has a one-to-one correspondence with the physical property value in the concentration range that includes the component concentration to be adjusted, the corresponding component concentration is calculated from the measured physical property value. it can.
測定手段702は、測定した物性値または成分濃度を、制御手段701に送信する。制御手段701は、測定手段702から測定値を受信する。測定手段702と制御手段701とは、信号線747で接続されている。測定値の送受信は、この信号線747を介して行われる。しかし、これに限定されない。無線を介して測定値の送受信がなされてもよい。また、複数の成分について物性値や成分濃度が測定される場合には、成分ごとに測定装置と制御手段701とをつなぐ信号線を備えていてもよい。
The measuring
制御手段701には、濃度制御において目標とする成分濃度の値が設定されている。制御手段701は、受信した成分濃度の測定値と設定されている成分濃度の目標値とを比較する。比較の結果、調節すべき成分の濃度が目標値より低い場合は、その成分の供給量がその他の成分の供給量に対して相対的に増加するように、対応する制御弁を制御する。逆に、調節すべき成分の濃度が目標値より高い場合は、その成分の供給量がその他の成分の供給量に対して相対的に減少するように、対応する制御弁を制御する。どの制御弁をどの程度制御するかは、成分濃度の目標値からのずれの程度、原料の構成、各原料の濃度などの諸条件に基づいて、制御手段701が制御プログラムにより適切に計算する。ただし、制御の方法は、これに限定されない。上記のような制御量の目標値と現在値とを比較して制御する比例制御(P制御)のほか、いわゆる積分制御(I制御)や微分制御(D制御)などを採用できる。これらの制御方法を適宜組み合わせたPID制御により制御するのが、好ましい。
In the control means 701, a target component concentration value is set in the concentration control. The
非水系レジスト剥離液の原料供給配管に設けられた各制御弁718、719は、信号線746により、制御手段701と接続されている。図11では、各制御弁718、719が信号線746により直列に接続されているように描いたが、各制御弁がそれぞれ個別に制御手段701と信号線で接続されていてもよい。信号線によらずとも、無線により制御されるようになっていてもよい。
The
また、図11では、制御手段701が制御弁を制御することになっているが、制御手段701としてはコンピュータが好ましく採用される。コンピュータの代わりに、汎用のコントローラを用いて制御してもよい。濃度を調節する成分ごとに個別に用意されたコントローラの集合体として、制御手段701を構成してもよい。また、測定手段702と制御手段701の代わりに、測定手段702と制御手段701とが一つの装置として構成されたようないわゆる濃度管理装置、を用いるのでもよい。濃度管理装置を用いる場合には、調製槽703内の非水系レジスト剥離液が常時所定の成分濃度となるように、濃度管理装置に制御弁を制御させればよい。
In FIG. 11, the control means 701 controls the control valve, but a computer is preferably employed as the control means 701. Control may be performed using a general-purpose controller instead of the computer. The control means 701 may be configured as a collection of controllers prepared separately for each component for adjusting the concentration. Further, instead of the
測定手段702により測定されるのが物性値である場合には、制御手段701は、物性値に基づいた制御を行う。すなわち、測定手段により測定される物性値は成分濃度と相関関係を有するので、この相関関係上に、調節すべき所定の成分濃度に対応した“所定の物性値”を見出すことができる。制御手段701は、測定手段702により測定された物性値がこの“所定の物性値”になるように、原料の供給量を増減させるよう、制御弁718、719を制御すればよい。
When the physical property value is measured by the measuring
本実施形態の調製装置710は、上記の調合、測定、制御のサイクルを繰り返し連続して行うことにより、所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を自動的かつ連続的に調製することができる。一度調製槽703内に所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を調製してしまえば、あとは、供給により減量した分を補うように、所定の成分濃度を維持しながら、非水系レジスト剥離液を追加調製すればよい。
The
調製槽703で調製された非水系レジスト剥離液は、調製槽703の底部に接続された非水系レジスト剥離液供給配管704から、調製槽703の外へ供給される。調製装置710は、単独で使用することもできるが、非水系レジスト剥離液を使用する他の剥離設備に接続して使用することもできる。この場合、非水系レジスト剥離液供給配管704を他の剥離設備の非水系レジスト剥離液供給口754と接続する。こうすることで、他の剥離設備に新鮮な状態の所定の成分濃度の非水系レジスト剥離液を必要な時にいつでも自動的に供給することも可能となる。
The non-aqueous resist stripping solution prepared in the
調製装置710は、調製槽703内の非水系レジスト剥離液の液面位置を検出するための液面計732を備えていることが好ましい。調製装置710の供給する非水系レジスト剥離液の供給量が常時ほぼ一定であれば、液面計がなくても、調製量を供給量とバランスさせることで、調製槽703を空にすることなく、連続的な調製ができる。しかし、供給量が増減する場合には、液面計732により調製槽703内の液面位置を検出し、調製槽703が空にならないように制御することが好ましい。
The
液面計732は、調製槽703内の液面位置を検出できるように調製槽703に設置されているほか、信号線748を介して制御手段701と接続される。例えば、液面計732は、調製槽703内の液面が下限値を下回ったことを検出して、制御手段701に警報信号を発する。制御手段701は、液面位置が回復するように、制御弁718、719を制御して原料の供給量を増加させ、非水系レジスト剥離液の調製量を増やす。液面位置が下限値を上回ると警報信号が停止し、調製槽3内の非水系レジスト剥離液の量が所定の量まで回復すると、制御手段1はこの液面位置を維持するように制御する。こうして、調製槽703内が空にならないようにすることができる。合わせて液面位置の上限を設定しておけば、調製槽703のオーバーフローを防止することもできる。
The
なお、図11では、非水系レジスト剥離液の各原料を供給する原料供給配管742、743が調製槽703の側部に接続されている態様を描いたが、これに限定されない。状況に応じて、調製槽703の上部や底部に接続されていてもよい。循環管路34に接続されるのでもよい。また、原料供給配管742、743は、調製槽703と一体的に接続されている必要はない。例えば、原料を調製槽内に上部から滴下して供給するようになっていてもよい。また、原料が液状物ではなく粉状物である場合は、配管ではなく、粉体供給装置が接続されているのでもよい。
In addition, although the raw
<非水系レジスト剥離液の原料>
本実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置に用いられる非水系レジスト剥離液は、アミン、有機溶媒、その他の添加剤からなる原料を用いることができる。
<Raw material for non-aqueous resist stripper>
The non-aqueous resist remover used in the non-aqueous resist remover preparation apparatus of the present embodiment can use a raw material composed of an amine, an organic solvent, and other additives.
≪アミン≫
非水系レジスト剥離液の原料に用いられるアミンとしては、アルカノールアミンが好ましく用いられる。アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N−メチル−N,N−ジエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、3−アミノ−1−プロパノールなどを挙げることができる。また、他のアミンとして、ヒドロキシルアミン、N−メチルジエタノールアミン、ノーマルプロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、アルキルベンゼンスルホン酸、ジグリコールアミン、メチルアミノエタノール、エチルアミノエタノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、トリエチレンテトラミン、N,Nジメチルアセトアミド、モノメチルホルムアミドを用いることができる。
≪Amine≫
As the amine used as a raw material for the non-aqueous resist stripping solution, alkanolamine is preferably used. Examples of the alkanolamine include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, aminoethylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N- Examples thereof include dibutylethanolamine, N-methylethanolamine, and 3-amino-1-propanol. Other amines include hydroxylamine, N-methyldiethanolamine, normal propanolamine, monoisopropanolamine, N-methyldiethanolamine, alkylbenzene sulfonic acid, diglycolamine, methylaminoethanol, ethylaminoethanol, 2- (2-amino Ethoxy) ethanol, triethylenetetramine, N, N dimethylacetamide, monomethylformamide can be used.
≪有機溶媒≫
有機溶媒としては、グライコールエーテル系の有機溶媒が好ましく用いられる。グライコールエーテル系の有機溶媒としては、ブチルジグリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルなどを挙げることができる。他の有機溶媒として、ジメチルスルホキシド、アルキルヒドロキシベンゼン、ブチンジオール、SAA、メチルメトキシブタノール、N−メチル−2−ピロリドン、Phn、オルトジクロロベンゼン、トリエチレンテトラミン、メチルジグリコールを用いることができる。
≪Organic solvent≫
As the organic solvent, a glycol ether organic solvent is preferably used. Examples of the glycol ether organic solvent include butyl diglycol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diethylene glycol monopropyl ether. As other organic solvents, dimethyl sulfoxide, alkylhydroxybenzene, butynediol, SAA, methylmethoxybutanol, N-methyl-2-pyrrolidone, Phn, orthodichlorobenzene, triethylenetetramine, methyldiglycol can be used.
≪その他の添加剤≫
非水系レジスト剥離液としては、アミンおよび有機溶媒の他に、添加剤として、カテコール、マルトール、シリコン系消泡剤、p−ニトロ安息香酸、還元剤(ソルビ―トールなど)、金属防食剤、キレート剤などを添加することができる。その他の添加剤の濃度は、非水系レジスト剥離液の調製時に、非水系レジスト剥離液の容量に応じて添加することで、濃度を調節することができる。
≪Other additives≫
In addition to amines and organic solvents, non-aqueous resist stripping solutions include catechol, maltol, silicon-based antifoaming agents, p-nitrobenzoic acid, reducing agents (such as sorbitol), metal anticorrosives, and chelates. An agent or the like can be added. Concentrations of other additives can be adjusted by adding them according to the capacity of the non-aqueous resist stripping solution when preparing the non-aqueous resist stripping solution.
[第9実施形態]
図12は、本実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。本実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置810は、第8実施形態の調製装置710とほぼ同じであり、主に調製槽703、測定手段802、制御手段801などからなる。しかし、測定手段802がアミンに関する測定手段821を備え、制御手段801がアミンに関する制御手段823を備え、調製槽703で所定のアミン濃度の非水系レジスト剥離液が調製される点で、特徴的である。
[Ninth Embodiment]
FIG. 12 is a schematic view for explaining the non-aqueous resist stripping solution preparation apparatus of the present embodiment. The non-aqueous resist stripping
本実施形態では、測定手段802はアミンに関する測定手段821を備える。アミンに関する測定手段821は、調製槽703内の非水系レジスト剥離液の物性値またはアミン濃度のうちの少なくとも一方を測定するためのものである。両方を測定してもよい。調製装置810がアミン濃度だけを測定してこれを所定の濃度値に調節する場合には、測定手段802はアミンに関する測定手段821と同じでよい。しかし、一般には、測定手段802は、アミンに関する測定手段821のほかに、他の成分に関する測定を行うための測定手段を別途備えていてもよい。
In the present embodiment, the measuring
アミンに関する測定手段821が測定する物性値は、アミン濃度と相関関係を有する物性値である。アミン濃度と相関関係を有する物性値としては、吸光度、導電率、密度、超音波伝播速度、および、粘度から選択される物性値を用いることが好ましい。この場合、アミンに関する測定手段821は、それぞれ、吸光光度計、導電率計、密度計、超音波濃度計、粘度計などとなる。 The physical property value measured by the measuring means 821 regarding the amine is a physical property value having a correlation with the amine concentration. As a physical property value having a correlation with the amine concentration, it is preferable to use a physical property value selected from absorbance, conductivity, density, ultrasonic wave propagation speed, and viscosity. In this case, the measurement means 821 related to amine is an absorptiometer, conductivity meter, density meter, ultrasonic densitometer, viscometer, etc., respectively.
アミンに関する測定手段821としては、なかでも吸光光度計が好ましい。適切な測定波長を用いれば、非水系レジスト剥離液の吸光度値とアミン濃度との間に、比較的良好な直線関係を得ることができる。 As the measuring means 821 for amine, an absorptiometer is particularly preferable. If an appropriate measurement wavelength is used, a relatively good linear relationship can be obtained between the absorbance value of the non-aqueous resist stripping solution and the amine concentration.
アミン濃度と直線関係の得られる物性値として、例えば、図3および図4に示す吸光度を用いることができる。図3は、モノエタノールアミン(MEA:monoethanolamine)濃度と吸光度(測定波長λ=1048nm)の関係を示すグラフ図であり、図4は、ヒドロキシルアミン濃度と吸光度(測定波長λ=1074nm)の関係を示すグラフ図である。なお、図3および図4は、水系レジスト剥離液におけるアミン濃度と吸光度の関係を示すグラフ図であるが、非水系レジスト剥離液においても同様の直線関係が得られる。 For example, the absorbance shown in FIG. 3 and FIG. 4 can be used as a physical property value obtained in a linear relationship with the amine concentration. FIG. 3 is a graph showing the relationship between monoethanolamine (MEA) concentration and absorbance (measurement wavelength λ = 1048 nm), and FIG. 4 shows the relationship between hydroxylamine concentration and absorbance (measurement wavelength λ = 1074 nm). FIG. 3 and 4 are graphs showing the relationship between the amine concentration and the absorbance in the aqueous resist stripping solution, the same linear relationship is also obtained in the non-aqueous resist stripping solution.
図3に示すように、非水系レジスト剥離液に含まれるアミンがアルカノールアミンの一種であるモノエタノールアミンである場合、非水系レジスト剥離液のモノエタノールアミンの濃度は、近赤外部の波長領域にある特定波長(例えば、1048nm)における非水系レジスト剥離液の吸光度に対して高度な直線関係を有する。また、図4に示すように、非水系レジスト剥離液のヒドロキシルアミンの濃度も、近赤外部の波長領域にある特定波長(例えば、1074nm)における非水系レジスト剥離液の吸光度に対して高度な直線関係を有する。したがって、非水系レジスト剥離液の吸光度を測定することで、アミン濃度を正確に測定することができる。測定する波長は、アミンがモノエタノールアミンである場合、1000から1600nmの波長領域から選択される特定の波長であることが好ましい。他の成分の影響が小さい1048nm付近が、感度が大きく特に良好である。また、ヒドロキシルアミンである場合、1050から1090nmの波長領域から選択される特定の波長であることが好ましい。他の成分の影響が小さい1074nm付近が、感度が大きく特に良好である。 As shown in FIG. 3, when the amine contained in the non-aqueous resist stripping solution is monoethanolamine, which is a kind of alkanolamine, the concentration of monoethanolamine in the non-aqueous resist stripping solution is in the near infrared region wavelength region. It has a high linear relationship with the absorbance of the non-aqueous resist stripper at a specific wavelength (for example, 1048 nm). Further, as shown in FIG. 4, the concentration of hydroxylamine in the non-aqueous resist stripping solution is also highly linear with respect to the absorbance of the non-aqueous resist stripping solution at a specific wavelength (for example, 1074 nm) in the near infrared wavelength region. Have a relationship. Therefore, the amine concentration can be accurately measured by measuring the absorbance of the non-aqueous resist stripping solution. When the amine is monoethanolamine, the wavelength to be measured is preferably a specific wavelength selected from a wavelength region of 1000 to 1600 nm. In the vicinity of 1048 nm where the influence of other components is small, the sensitivity is large and particularly good. Moreover, when it is hydroxylamine, it is preferable that it is a specific wavelength selected from the wavelength range of 1050 to 1090 nm. In the vicinity of 1074 nm where the influence of other components is small, the sensitivity is large and particularly good.
本実施形態の調製装置810では、アミンに関する測定手段821が、例えば、測定波長1048nmにおける非水系レジスト剥離液の吸光度を測定する。この波長における吸光度は、アミン濃度(MEA濃度)と図3のような直線関係があるので、この直線関係を用いて、吸光度の測定値から正確に非水系レジスト剥離液のアミン濃度(MEA濃度)を得ることができる。
In the
本実施形態における制御手段801は、アミンに関する制御手段823を備える。本実施形態の調製装置810がアミン濃度だけを所定の濃度に調節する場合には、制御手段801はアミンに関する制御手段823と同じでよい。本実施形態の調製装置810がアミン以外の成分についても濃度を調節する場合には、制御手段801はアミンに関する制御手段823を備えるだけでなく、他の成分に関する制御手段も別途備えている。
The control means 801 in this embodiment includes a control means 823 related to amine. When the
アミンに関する制御手段823は、アミンに関する測定手段821と信号線847により接続されるなどしており、アミンに関する測定手段821が得た測定値をアミンに関する測定手段821から受信する。アミンに関する制御手段823は、調節すべき所定のアミン濃度が濃度制御における目標値のアミン濃度として設定されている。アミンに関する制御手段823は、受信したアミン濃度の測定値と目標値のアミン濃度とを比較する。アミンに関する制御手段823は、各原料供給配管742、743に設けられた制御弁718、719と、信号線746により接続されるなどしており、濃度の比較の結果に応じて、制御弁718、719を適切に動作制御する。
The amine-related control means 823 is connected to the amine-related measuring means 821 by a signal line 847, and receives the measurement value obtained by the amine-related measuring means 821 from the amine-related measuring means 821. In the amine control means 823, the predetermined amine concentration to be adjusted is set as the target amine concentration in the concentration control. The amine control means 823 compares the received measured amine concentration with the target amine concentration. The control means 823 related to amine is connected to control
例えば、測定手段802のアミンに関する測定手段821により測定されたアミン濃度が目標値のアミン濃度より低い場合は、制御手段801のアミンに関する制御手段823は制御弁718の流量を増やして、あるいは、制御弁719の流量を減らして、アミン原液の相対的な供給量を増やす。アミン濃度が目標値のアミン濃度より高い場合は、逆に、アミンに関する制御手段823は制御弁718の流量を減らして、あるいは、制御弁719の流量を増やして、有機溶媒の供給量を相対的に増やし、アミン原液の相対的な供給量を減らして、アミン濃度を制御する。ただし、制御方法は、これに限定されない。PID制御など、各種の制御方法を適宜採用し得る。
For example, when the amine concentration measured by the measuring means 821 related to the amine of the measuring means 802 is lower than the target amine concentration, the control means 823 related to the amine of the control means 801 increases the flow rate of the
なお、アミンに関する測定手段821が測定した物性値から、測定した物性値と相関関係上の目標値のアミン濃度に対応する物性値とを比較することよりアミン濃度を制御してもよい。 The amine concentration may be controlled by comparing the measured physical property value with the physical property value corresponding to the amine concentration of the target value in the correlation from the physical property value measured by the measuring means 821 regarding the amine.
例えば、図3や図4に示すような直線関係が得られる場合のように、物性値とアミン濃度とが一対一に対応した相関関係を有する場合には、この相関関係に基づいて、アミン濃度に対応する物性値を得ることができる。したがって、調節すべき所定のアミン濃度に対応する“所定の物性値”が存在する。アミンに関する測定手段821が測定した物性値がこの“所定の物性値”になるように、アミンに関する制御手段823が原料の供給量を制御することで、調製槽703で調製される非水系レジスト剥離液を所定のアミン濃度にすることができる。
For example, when the physical property value and the amine concentration have a one-to-one correlation, as in the case where a linear relationship as shown in FIG. 3 or FIG. 4 is obtained, the amine concentration is based on this correlation. The physical property value corresponding to can be obtained. Therefore, there is a “predetermined physical property value” corresponding to a predetermined amine concentration to be adjusted. The non-aqueous resist stripping prepared in the
本実施形態の第8実施形態と共通するその他の構成については、第8実施形態と同じであるので、その説明を省略する。 Since other configurations in common with the eighth embodiment of the present embodiment are the same as those of the eighth embodiment, description thereof is omitted.
なお、図12では、本実施形態の調製装置810が、原料貯留容器820と、非水系レジスト剥離液を使用する剥離設備890と、に接続された態様を示した。このように、調製装置810は、原料貯留容器820や、剥離設備890と接続して、剥離工程が行われる工場におけるオンサイト運転をすることができる。
In addition, in FIG. 12, the
原料貯留容器820は、非水系レジスト剥離液の原料を一時的に貯留しておくための容器である。アミン貯留容器811a、811bや、有機溶媒貯留容器812a、812bなどからなる。アミン貯留容器811a、811bや有機溶媒貯留容器812a、812bは、それぞれ一つでもよいが、図12に示すようにそれぞれ二つ備えているとより好ましい。アミン貯留容器811a、811bは、アミン原料導入口752からアミン原料補充配管842を介して、アミンが常時貯留されている。また、有機溶媒貯留容器812a、812bは、有機溶媒原料導入口753から有機溶媒原料補充配管843を介して、有機溶媒が常時貯留されている。原料貯留容器820に常に必要な原料を用意しておくことで、調製装置810は、途切れることなく原料の供給を受けることができ、連続的に非水系レジスト剥離液を調製することが可能となる。
The raw
アミン貯留容器811a、811bおよび有機溶媒貯留容器812a、812bは、調製装置810とアミン供給配管844および有機溶媒供給配管845により接続され、原料貯留容器820から各種の原料が調製槽703へ供給される。供給の方式は、送液ポンプによる方式でも、容器の加圧圧送方式でもよい。必要があれば、図12に示すように、原料貯留容器820と調製槽703を接続するアミン供給配管844および有機溶媒供給配管845に制御弁813a〜816bを設けて、調製装置810がこれらを制御するようにしてもよい。
The
一方、調製装置810は、剥離設備890とは、調製槽703に接続された非水系レジスト剥離液供給配管804を介して接続される。非水系レジスト剥離液供給配管804には、送液ポンプ825および制御弁826などが設けられている。
On the other hand, the
調製槽703で調製された非水系レジスト剥離液は、送液ポンプ825により、非水系レジスト剥離液供給配管804を通って、非水系レジスト剥離液供給口854から剥離設備890に供給される。剥離設備890は、信号線892を介して制御手段801と接続されている。制御手段801は、剥離設備890から発せられる非水系レジスト剥離液供給リクエスト信号を、信号線892を介して受信する。制御弁826は、信号線849を介して制御手段801と接続されている。制御手段801は、剥離設備890側の要求に応じて、制御弁826を開閉制御する。これにより、剥離設備890は、非水系レジスト剥離液が必要な時に、必要な量だけ、自動的に非水系レジスト剥離液の供給を受けることができる。
The non-aqueous resist stripping solution prepared in the
[第10実施形態]
図13は、第10実施形態に係る非水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。第8、9実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置710、810とは、調製槽703で調製された非水系レジスト剥離液を貯留する貯留槽902を備える点が異なっている。
[Tenth embodiment]
FIG. 13 is a schematic diagram for explaining a non-aqueous resist stripper preparation apparatus according to the tenth embodiment. The non-aqueous resist stripping
第10実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置910においても、第8実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置710と同様に、調製槽703内の非水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度の少なくともいずれか一方を測定することで、調製槽703内の非水系レジスト剥離液の成分濃度を所定の濃度に調節する。
In the non-aqueous resist stripping solution preparation apparatus 910 of the tenth embodiment, similarly to the non-aqueous resist stripping
調製槽703で調製された非水系レジスト剥離液は、調製槽703から貯留槽902へ送液され、貯留槽902に貯留される。送液の方法は、送液ポンプなどにより移送する方式などでよく、特に限定はしない。図13に示すように、連通管935により調製槽703と貯留槽902とを連結しておくと、送液ポンプなどを要さず自然送液されるため簡便で都合よく、好適である。
The non-aqueous resist stripping solution prepared in the
連通管935は、非水系レジスト剥離液が流通する管路である。図13に示すように、調製槽703は貯留槽902よりも高い位置に設置される。連通管935は、例えば図13のように、調製槽703の底部と貯留槽902の側部とを接続する。貯留槽902から剥離設備890に非水系レジスト剥離液が供給されることで、貯留槽902内に貯留されている非水系レジスト剥離液が減少すると、調製槽703で調製された非水系レジスト剥離液が連通管935を通って、貯留槽902に自然に移動する。連通管935は適度な長さと配管内径とを有し、調製槽703で生じる非水系レジスト剥離液の濃度の変動が貯留槽902内に及ばないようにする濃度変動の緩衝作用を有する。
The
貯留槽902も、調製槽703と同様、測定手段931および液面計932とを備えていることが好ましい。測定手段931としては、調製槽703に備えられているものと同じものを用いることができる。測定手段931は、さらに、アミンに関する測定手段を備えていてもよい。これらの装置により、貯留槽902に貯留された非水系レジスト剥離液の物性値、または、成分濃度を測定することができる。
Similarly to the
また、測定手段931および液面計932も、信号線947、948を介して制御手段901と接続される。制御手段901は、測定手段931が測定する貯留槽902内の非水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度や液面計932が測定する貯留槽902内の非水系レジスト剥離液の液面位置に応じて、調製槽703の場合と同様に、適宜制御弁718、719を制御する。貯留槽902は、濃度変動が極めて小さいので、実際には、貯留槽902内部の非水系レジスト剥離液の濃度の監視と液量管理が行われる。
Further, the measuring
貯留槽902内の非水系レジスト剥離液は、循環管路934に備えられた循環攪拌ポンプ933によって循環攪拌される。これにより、貯留槽902内の非水系レジスト剥離液は、均一な濃度に維持される。
The non-aqueous resist stripping solution in the
[第11実施形態]
図14は、第11実施形態に係る非水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。第11実施形態に係る非水系レジスト剥離液の調製装置1010は、調製槽を2つ備えている点が第8から第10までの実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置710、810、910と異なっている。
[Eleventh embodiment]
FIG. 14 is a schematic view for explaining a non-aqueous resist stripper preparation apparatus according to the eleventh embodiment. The non-aqueous resist stripping
調製槽1003も調製槽703と同様に、測定手段1031および液面計1032を備え、信号線1047および信号線1048を介して制御手段1001と接続される。調製槽1003内の非水系レジスト剥離液の物性値または成分濃度、および、液面位置は制御手段1001により監視され、信号線1046を介して接続された制御弁1018、1019を制御し、調製槽703内の非水系レジスト剥離液の成分濃度を調節する場合と同様の方法で成分濃度や液面位置の調節を行う。調製槽1003で調製された非水系レジスト剥離液は、連通管1035を通って、貯留槽902に貯留される。また、調製槽1003は循環管路1034を備え、調製槽1003内の非水系レジスト剥離液は、循環管路1034に備えられた循環攪拌ポンプ1033によって循環攪拌される。
Similar to the
第11実施形態に係る非水系レジスト剥離液の調製装置1010によれば、調製槽を2つ備えているので、例えば、調製槽703が故障などにより動かなくなっても、調製槽1003から貯留槽902に非水系レジスト剥離液を調製して供給することで、装置を止めることなく非水系レジスト剥離液の調製と供給を続けることができる。また、調製槽703内が空になっていても、調製槽1003から非水系レジスト剥離液を供給することができる。
According to the non-aqueous resist stripping
なお、図14においては、調製槽を2つ備える構成を記載したが、調製槽の数は特に限定されず、3つ以上の複数の槽を備えてもよい。ただし、装置が大型化すること、故障時の予備であることを考慮すると、貯留槽1つに対して調製槽を2つ備えれば十分である。 In addition, in FIG. 14, although the structure provided with two preparation tanks was described, the number of preparation tanks is not specifically limited, You may provide three or more several tanks. However, considering that the apparatus is enlarged and is a spare at the time of failure, it is sufficient to provide two preparation tanks for one storage tank.
[第12実施形態]
図15は、第12実施形態に係る非水系レジスト剥離液の調製装置を説明するための模式図である。第12実施形態に係る非水系レジスト剥離液の調製装置1110は、非水系レジスト剥離液の原料を予め混合する予備混合手段として混合準備槽1105を備えている点が第8から第11までの実施形態の非水系レジスト剥離液の調製装置と異なっている。
[Twelfth embodiment]
FIG. 15 is a schematic diagram for explaining a non-aqueous resist stripper preparation apparatus according to the twelfth embodiment. The
混合準備槽1105は、アミン供給配管844、および、有機溶媒供給配管845に接続されている。また、混合準備槽1105は、配管1106により調製槽703に接続されている。
The mixing
混合準備槽1105を設け、調製槽703に供給される原料を混合準備槽1105で混合して調製槽703に供給することで、調製槽703に非水系レジスト剥離液の組成に近い濃度で供給することができる。したがって、調製槽703内の非水系レジスト剥離液の濃度が急に変化することを防止することができるとともに、非水系レジスト剥離液の調製を容易に行うことができる。また、非水系レジスト剥離液の原料が予め混合されるので、調製槽703内での混合や攪拌の負担が軽減され、より速やかに均一な濃度の非水系レジスト剥離液を調製することができる。
A mixing
混合準備槽1105での混合は、制御手段1101により、信号線1146を介して接続された制御弁1118、1119を制御することで、アミン原液、および、有機溶媒の流量を制御し、調製槽703で調製される非水系レジスト剥離液の濃度とすることが好ましい。非水系レジスト剥離液の最終的な濃度の調節は、調製槽703で行うため、混合準備槽1105では、精度良く調製しなくてもよい。混合準備槽1105で混合されたレジスト剥離液の濃度が、測定手段702で測定される物性値が成分濃度と相関関係を有する濃度範囲に入る程度に、各原料の混合がなされればよい。ただし、調製槽703と同様に、測定装置により、物性値または成分濃度を測定してもよい。
In the
本実施形態の調製装置1110が備える予備混合手段は、簡易な混合槽としてふるまう混合準備槽1105のような態様に限定されない。例えば、原料を供給する原料供給配管742、743等が調製槽703の手前で合流して、合流配管内で原料が混合されるような方式でもよい。その場合、さらに、インラインミキサーやスタティックミキサーなどの配管型混合装置を採用することもできる。循環管路734に合流させてもよい。
The premixing means provided in the
また、予備混合手段は、第11実施形態のように、調製槽を2つ以上備える非水系レジスト剥離液の調製装置においては、調製槽ごとに予備混合手段を設ける構成としてもよい。 In addition, the premixing means may be configured such that a premixing means is provided for each preparation tank in the non-aqueous resist stripping solution preparation apparatus having two or more preparation tanks as in the eleventh embodiment.
1、101、201、301、401、501、601、701、801、901、1001、1101…制御手段、2、102、202、302、431、531、702、802、931、1031…測定手段、3、503、703、1003…調製槽、4、304…水系レジスト剥離液供給配管(供給配管)、10、110、210、310、410、510、610…水系レジスト剥離液の調製装置、17、18、19、313a、313b、314a、314b、315a、315b、316a、316b、326、517、518、519、617、618、619、718、719、813a、813b、814a、814b、815a、815b、816a、816b、826、1018、1019、1118、1119…制御弁、32、432、532、732、932、1032…液面計、33、433、533、733、933、1033…循環攪拌ポンプ、34、434、534、734、934、1034…循環管路、36、736…撹拌手段、41…純水供給配管(原料供給配管)、42、742…アミン原料供給配管(原料供給配管)、43、743…有機溶媒原料供給配管(原料供給配管)、46、47、48、147、247、349、392、447、448、546、547、548、646、746、747、748、847、849、892、947、948、1046、1047、1048、1146…信号線、51…純水導入口(原料導入口)、52、752…アミン原料導入口(原料導入口)、53、753…有機溶媒原料導入口(原料導入口)、54、354…レジスト剥離液供給口、121、321、821…アミンに関する測定手段、123、323、823…アミンに関する制御手段、222、322…水分に関する測定手段、224、324…水分に関する制御手段、311a、311b、811a、811b…アミン貯留容器、312a、312b、812a、812b…有機溶媒貯留容器、320、820…原料貯留容器、325、825…送液ポンプ、342、842…アミン原料補充配管、343、843…有機溶媒原料補給配管、344、844…アミン供給配管、345、845…有機溶媒供給配管、402、902…貯留槽、435、535、935、1035…連通管、605、1105…混合準備槽、606、1106…配管、704、804…非水系レジスト剥離液供給配管(供給配管)、710、810、910、1010、1110…非水系レジスト剥離液の調製装置、754、854…非水系レジスト剥離液供給口
1, 101, 201, 301, 401, 501, 601, 701, 801, 901, 1001, 1101 ... control means 2, 102, 202, 302, 431, 531, 702, 802, 931, 1031 ... measurement means, 3, 503, 703, 1003 ... Preparation tank, 4, 304 ... Aqueous resist stripping solution supply piping (supply piping) 10, 110, 210, 310, 410, 510, 610 ... Aqueous resist stripping solution preparation device, 17, 18, 19, 313a, 313b, 314a, 314b, 315a, 315b, 316a, 316b, 326, 517, 518, 519, 617, 618, 619, 718, 719, 813a, 813b, 814a, 814b, 815a, 815b, 816a, 816b, 826, 1018, 1019, 1118, 1119 ... Control valve, 32, 432, 532, 732, 932, 1032 ... Level gauge, 33, 433, 533, 733, 933, 1033 ... Circulation stirring pump, 34, 434, 534, 734, 934, 1034 ... Circulation line , 36, 736 ... stirring means, 41 ... pure water supply pipe (raw material supply pipe), 42, 742 ... amine raw material supply pipe (raw material supply pipe), 43, 743 ... organic solvent raw material supply pipe (raw material supply pipe), 46 , 47, 48, 147, 247, 349, 392, 447, 448, 546, 547, 548, 646, 746, 747, 748, 847, 849, 892, 947, 948, 1046, 1047, 1048, 1146 ... signal
Claims (22)
前記調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液の成分濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液の成分濃度、の少なくとも一方を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された測定値に基づいて、前記調製槽内の水系レジスト剥離液が前記所定の成分濃度となるように、前記調製槽に供給される水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御する制御手段と、を備える水系レジスト剥離液の調製装置。 A preparation tank in which an aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration is prepared;
Measuring means for measuring at least one of the physical property value of the aqueous resist stripping solution having a correlation with the component concentration of the aqueous resist stripping solution and the component concentration of the aqueous resist stripping solution for the aqueous resist stripping solution in the preparation tank; ,
Based on the measured value measured by the measuring means, the supply amount of the raw material of the aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank is adjusted so that the aqueous resist stripping liquid in the preparation tank has the predetermined component concentration. An aqueous resist stripping solution preparation device comprising: a control means for controlling.
前記調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液のアミン濃度、の少なくとも一方を測定するアミンに関する測定手段と、
前記アミンに関する測定手段により測定された測定値に基づいて、前記調製槽内の水系レジスト剥離液が前記所定のアミン濃度となるように、前記調製槽に供給される水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御するアミンに関する制御手段と、を備える水系レジスト剥離液の調製装置。 A preparation tank in which an aqueous resist stripping solution having a predetermined amine concentration is prepared;
Measurement of amine for measuring at least one of physical property value of aqueous resist stripping solution having correlation with amine concentration of aqueous resist stripping solution and amine concentration of aqueous resist stripping solution for aqueous resist stripping solution in said preparation tank Means,
Supply of raw material of aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank based on the measurement value measured by the measuring means relating to the amine so that the aqueous resist stripping liquid in the preparation tank has the predetermined amine concentration And an aqueous resist remover preparation apparatus comprising: a control means for amine for controlling the amount.
前記調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液の水分濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液の水分濃度、の少なくとも一方を測定する水分に関する測定手段と、
前記水分に関する測定手段により測定された測定値に基づいて、前記調製槽内の水系レジスト剥離液が前記所定の水分濃度となるように、前記調製槽に供給される水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御する水分に関する制御手段と、を備える水系レジスト剥離液の調製装置。 A preparation tank in which an aqueous resist stripping solution having a predetermined moisture concentration is prepared;
For water-based resist stripping solution in the preparation tank, measurement on water for measuring at least one of the physical property value of the water-based resist stripping solution having a correlation with the water concentration of the water-based resist stripping solution and the water concentration of the water-based resist stripping solution Means,
Supply of the raw material of the aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank so that the aqueous resist stripping liquid in the preparation tank has the predetermined moisture concentration based on the measurement value measured by the measurement means regarding the moisture An apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution, comprising: water-related control means for controlling the amount.
前記調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液のアミン濃度、の少なくとも一方を測定するアミンに関する測定手段と、
前記調製槽内の水系レジスト剥離液について、水系レジスト剥離液の水分濃度と相関関係を有する水系レジスト剥離液の物性値、および、水系レジスト剥離液の水分濃度、の少なくとも一方を測定する水分に関する測定手段と、
前記アミンに関する測定手段により測定された測定値、および、前記水分に関する測定手段により測定された測定値、に基づいて、前記調製槽内の水系レジスト剥離液が、前記所定のアミン濃度および前記所定の水分濃度となるように、前記調製槽に供給される水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御する制御手段と、を備える水系レジスト剥離液の調製装置。 A preparation tank in which an aqueous resist stripping solution having a predetermined amine concentration and a predetermined water concentration is prepared;
Measurement of amine for measuring at least one of physical property value of aqueous resist stripping solution having correlation with amine concentration of aqueous resist stripping solution and amine concentration of aqueous resist stripping solution for aqueous resist stripping solution in said preparation tank Means,
For water-based resist stripping solution in the preparation tank, measurement on water for measuring at least one of the physical property value of the water-based resist stripping solution having a correlation with the water concentration of the water-based resist stripping solution and the water concentration of the water-based resist stripping solution Means,
Based on the measurement value measured by the measurement unit relating to the amine and the measurement value measured by the measurement unit relating to the water, the aqueous resist stripping solution in the preparation tank has the predetermined amine concentration and the predetermined amine concentration. An aqueous resist stripping solution preparation apparatus comprising: control means for controlling a supply amount of a raw material of the aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank so as to obtain a moisture concentration.
前記アミンがモノエタノールアミンである場合、前記吸光光度計の測定波長が、1000から1600nmの波長領域から選択される特定の波長であり、
前記アミンがヒドロキシルアミンである場合、前記吸光光度計の測定波長が、1050から1090nmの波長領域から選択される特定の波長である請求項5に記載の水系レジスト剥離液の調製装置。 The measuring means for the amine comprises an absorptiometer,
When the amine is monoethanolamine, the measurement wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from a wavelength region of 1000 to 1600 nm,
The apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution according to claim 5, wherein when the amine is hydroxylamine, a measurement wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from a wavelength region of 1050 to 1090 nm.
前記吸光光度計の測定波長が、950から2000nmの波長領域から選択される特定の波長である請求項7に記載の水系レジスト剥離液の調製装置。 The moisture measuring means comprises an absorptiometer,
The apparatus for preparing an aqueous resist stripping solution according to claim 7, wherein a measurement wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from a wavelength region of 950 to 2000 nm.
前記調製槽内の非水系レジスト剥離液について、非水系レジスト剥離液の成分濃度と相関関係を有する非水系レジスト剥離液の物性値、および、非水系レジスト剥離液の成分濃度、の少なくとも一方を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された測定値に基づいて、前記調製槽内の非水系レジスト剥離液が前記所定の成分濃度となるように、前記調製槽に供給される非水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御する制御手段と、を備える非水系レジスト剥離液の調製装置。 A preparation tank in which a non-aqueous resist stripping solution having a predetermined component concentration is prepared;
For the non-aqueous resist stripping solution in the preparation tank, measure at least one of the physical property value of the non-aqueous resist stripping solution having a correlation with the component concentration of the non-aqueous resist stripping solution and the component concentration of the non-aqueous resist stripping solution. Measuring means to
Supply of raw material of the non-aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank so that the non-aqueous resist stripping liquid in the preparation tank has the predetermined component concentration based on the measurement value measured by the measuring means A non-aqueous resist stripper preparation apparatus comprising: a control means for controlling the amount.
前記調製槽内の非水系レジスト剥離液について、非水系レジスト剥離液のアミン濃度と相関関係を有する非水系レジスト剥離液の物性値、および、非水系レジスト剥離液のアミン濃度、の少なくとも一方を測定するアミンに関する測定手段と、
前記アミンに関する測定手段により測定された測定値に基づいて、前記調製槽内の非水系レジスト剥離液が前記所定のアミン濃度となるように、前記調製槽に供給される非水系レジスト剥離液の原料の供給量を制御するアミンに関する制御手段と、を備える非水系レジスト剥離液の調製装置。 A preparation tank in which a non-aqueous resist stripping solution having a predetermined amine concentration is prepared;
For the non-aqueous resist stripping solution in the preparation tank, measure at least one of the physical property value of the non-aqueous resist stripping solution having a correlation with the amine concentration of the non-aqueous resist stripping solution and the amine concentration of the non-aqueous resist stripping solution. Means for measuring amines,
The raw material of the non-aqueous resist stripping solution supplied to the preparation tank so that the non-aqueous resist stripping liquid in the preparation tank has the predetermined amine concentration based on the measurement value measured by the measuring means related to the amine And a control means for amine for controlling the supply amount of the non-aqueous resist stripping solution.
前記アミンがモノエタノールアミンである場合、前記吸光光度計の測定波長が、1000から1600nmの波長領域から選択される特定の波長であり、
前記アミンがヒドロキシルアミンである場合、前記吸光光度計の測定波長が、1050から1090nmの波長領域から選択される特定の波長である請求項16に記載の非水系レジスト剥離液の調製装置。 The measuring means for the amine comprises an absorptiometer,
When the amine is monoethanolamine, the measurement wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from a wavelength region of 1000 to 1600 nm,
The apparatus for preparing a non-aqueous resist stripping solution according to claim 16, wherein when the amine is hydroxylamine, a measurement wavelength of the absorptiometer is a specific wavelength selected from a wavelength region of 1050 to 1090 nm.
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JPH07235487A (en) * | 1993-12-29 | 1995-09-05 | Hirama Rika Kenkyusho:Kk | Managing apparatus for resist stripper |
JPH11133630A (en) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Hirama Rika Kenkyusho:Kk | Controlling device of resist stripper |
JP2003005387A (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-08 | Hirama Rika Kenkyusho:Kk | Apparatus and method for managing aqueous resist release solution |
JP2014077937A (en) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Panasonic Corp | Preparation method and preparation apparatus for resist stripping solution |
Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
TW256929B (en) * | 1993-12-29 | 1995-09-11 | Hirama Rika Kenkyusho Kk | |
JP2000058411A (en) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing apparatus |
US6752545B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-06-22 | Nagase & Co., Ltd. | Alkali-based treating liquid, treating liquid adjusting method and equipment, treating liquid supplying method and equipment |
JP2006108304A (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Nec Electronics Corp | Substrate processing device |
KR101266897B1 (en) * | 2006-03-03 | 2013-05-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | A recycling method for resist stripper scrapped and a recycling device for same |
JP5058560B2 (en) * | 2006-10-26 | 2012-10-24 | 株式会社平間理化研究所 | Etching solution management device |
JP2012129496A (en) * | 2010-11-22 | 2012-07-05 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing method, recording medium recording program for executing the liquid processing method, and liquid processing apparatus |
CN103688222B (en) * | 2011-05-20 | 2016-11-16 | 松下知识产权经营株式会社 | Photoresist stripper, stripper blood circulation and method of operation and the round-robin method of stripper |
CN102755970B (en) * | 2012-07-16 | 2014-06-18 | 常州瑞择微电子科技有限公司 | On-line SPM generating system and control method thereof |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235487A (en) * | 1993-12-29 | 1995-09-05 | Hirama Rika Kenkyusho:Kk | Managing apparatus for resist stripper |
JPH11133630A (en) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Hirama Rika Kenkyusho:Kk | Controlling device of resist stripper |
JP2003005387A (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-08 | Hirama Rika Kenkyusho:Kk | Apparatus and method for managing aqueous resist release solution |
JP2014077937A (en) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Panasonic Corp | Preparation method and preparation apparatus for resist stripping solution |
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