JP3126690B2 - Resist stripper management system - Google Patents

Resist stripper management system

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JP3126690B2
JP3126690B2 JP09311403A JP31140397A JP3126690B2 JP 3126690 B2 JP3126690 B2 JP 3126690B2 JP 09311403 A JP09311403 A JP 09311403A JP 31140397 A JP31140397 A JP 31140397A JP 3126690 B2 JP3126690 B2 JP 3126690B2
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程や
液晶基板製造工程においてレジストの剥離に用いられる
レジスト剥離液の管理装置、詳しくは、レジスト剥離液
の循環使用における連続自動補給機構、ヒドロキシルア
ミン濃度調整機構、水分濃度調整機構、液面レベル調節
機構又はオーバーフロー機構、及びレジスト剥離で溶出
したレジストの濃縮化に伴う溶解レジスト濃度調整機構
を併せて有するレジスト剥離液管理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for managing a resist stripping solution used for stripping a resist in a semiconductor manufacturing process or a liquid crystal substrate manufacturing process. The present invention relates to a resist stripping liquid management device having a concentration adjusting mechanism, a water concentration adjusting mechanism, a liquid level adjusting mechanism or an overflow mechanism, and a dissolved resist concentration adjusting mechanism accompanying concentration of a resist eluted by resist stripping.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体や液晶基板の製造工程におけるフ
ォトリソグラフィ工程で使用されるレジスト材料には、
露光によって可溶化するポジ型と、露光によって不溶化
するネガ型とがあり、主としてポジ型が多用されてい
る。ポジ型レジストの代表例として、ナフトキノンジア
ジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂（ノボラック樹脂）
を主成分とするものがある。フォトリソグラフィ工程の
最終段階では、レジストを基板から完全に剥離する工程
が必要である。半導体や液晶基板のレジスト剥離工程に
おいては、酸素プラズマによるドライアッシング工程と
レジスト剥離液による湿式剥離工程の併用が実施されて
いる。酸素プラズマによるドライアッシング工程を経た
基板にはシリコン酸化物やアルミ酸化物が生成してお
り、次の湿式剥離工程ではレジストを剥離するだけでな
く金属酸化物を完全に除去することが必要である。2. Description of the Related Art Resist materials used in a photolithography process in a semiconductor or liquid crystal substrate manufacturing process include:
There are a positive type which is solubilized by exposure and a negative type which is insolubilized by exposure, and the positive type is often used. Representative examples of positive resists include naphthoquinonediazide-based photosensitizers and alkali-soluble resins (novolak resins)
There is a thing which has as a main component. In the final stage of the photolithography step, a step of completely removing the resist from the substrate is required. In a resist stripping process for a semiconductor or a liquid crystal substrate, a dry ashing process using oxygen plasma and a wet stripping process using a resist stripping solution are both used. Silicon oxide and aluminum oxide are generated on the substrate that has undergone the dry ashing process using oxygen plasma. In the next wet stripping process, it is necessary not only to strip the resist but also to completely remove the metal oxide. .

【０００３】特開平７−２３５４８７号公報には、レジ
スト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出
してレジスト剥離液を排出するレジスト剥離液排出手段
と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レベル計により
検出して有機溶媒とアルカノールアミンとを、又は有機
溶媒とアルカノールアミンとを予め調合したレジスト剥
離新液を補給する第一補給手段と、レジスト剥離液のア
ルカノールアミン濃度を吸光光度計により検出して有機
溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも一方を補給す
る第二補給手段とを備えたレジスト剥離液管理装置が記
載されている。また、本出願人は、既に、レジスト剥離
液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出してレジ
スト剥離液を排出するレジスト剥離液排出手段と、レジ
スト剥離液の液面レベルを液面レベル計により検出して
レジスト剥離原液と純水とを、又はレジスト剥離原液と
純水とを予め調合したレジスト剥離新液を補給する第一
補給手段と、レジスト剥離液の水分濃度を吸光光度計に
より検出して、レジスト剥離原液及び純水の少なくとも
一方を補給する第二補給手段とを備えたレジスト剥離液
管理装置を開発し、特許出願している（特願平８−１９
３００５号）。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-235487 discloses a resist stripping solution discharging means for detecting the dissolved resist concentration of a resist stripping solution with an absorptiometer and discharging the resist stripping solution, and a liquid level of the resist stripping solution. A first replenishing means for replenishing an organic solvent and an alkanolamine, or a new resist stripping solution prepared in advance by mixing an organic solvent and an alkanolamine with a surface level meter, and an absorptiometer for measuring the alkanolamine concentration of the resist stripping solution And a second replenishing means for replenishing at least one of an organic solvent and an alkanolamine. In addition, the present applicant has already used a resist stripper discharging means for detecting the dissolved resist concentration of the resist stripper with an absorptiometer and discharging the resist stripper, and a liquid level meter for the resist stripper with a liquid level meter. A first replenishing means for detecting and replenishing a resist stripping solution and pure water, or a new resist stripping solution prepared in advance with a resist stripping solution and pure water, and detecting the water concentration of the resist stripping solution by an absorptiometer. A resist stripping liquid management device including a resist stripping solution and a second replenishing means for replenishing at least one of pure water has been developed, and a patent application has been filed (Japanese Patent Application No. 8-19).
No. 3005).

【０００４】半導体や液晶基板のレジスト剥離工程にお
いては、上記のように、レジスト剥離液として有機アル
カリや有機溶剤を組み合わせた溶液が主として使用され
ており、また、これに適量の水を添加した溶液も使用さ
れているが、更に適量のヒドロキシルアミンを添加した
溶液が優れた効果を有することが明らかとなった。即
ち、適量のヒドロキシルアミンを含有したレジスト剥離
液は、基板の処理温度を従来の約８０℃から約６５℃以
下、例えば、４０℃前後に低下させることができ基板や
半導体回路を形成する下地メタルへのダメージを減少で
きること、シリコン酸化物やアルミ酸化物などを除去で
きることなどの効果を有する。例えば、ジメチルスルホ
キシド系とヒドロキシルアミンの溶液、Ｎ−メチルピロ
リドン系とヒドロキシルアミンの溶液、アルカノールア
ミンとヒドロキシルアミンの溶液、アルカノールアミン
とグライコールエーテルとヒドロキシルアミンの溶液、
またはこれらに純水や各種添加剤が添加された溶液など
がスプレー方式、カセット方式あるいはディップ方式な
どで使用されている。In the resist stripping process for semiconductors and liquid crystal substrates, as described above, a solution in which an organic alkali or an organic solvent is combined is mainly used as a resist stripping solution, and a solution obtained by adding an appropriate amount of water to the solution is used. However, it has been found that a solution to which an appropriate amount of hydroxylamine is added has an excellent effect. That is, a resist stripping solution containing an appropriate amount of hydroxylamine can lower the processing temperature of a substrate from about 80 ° C. to about 65 ° C. or less, for example, about 40 ° C., and can form a base metal for forming a substrate or a semiconductor circuit. This has the effect of reducing damage to silicon and removing silicon oxide and aluminum oxide. For example, a solution of dimethyl sulfoxide and hydroxylamine, a solution of N-methylpyrrolidone and hydroxylamine, a solution of alkanolamine and hydroxylamine, a solution of alkanolamine and glycol alcohol and hydroxylamine,
Alternatively, a solution in which pure water or various additives are added thereto is used in a spray system, a cassette system, a dip system, or the like.

【０００５】従来法では、レジスト剥離処理槽へ所定濃
度の一定量のレジスト剥離新液を充填してスタートし、
経験等にもとづく基板処理枚数などを指標として、レジ
スト剥離液が減量しつつ所定劣化濃度域に達したとき、
予め用意した新液と一挙に全量交換するバッチ操業の形
態をとっている。この液交換時期は槽容量や基板の種
類、処理枚数等により一定ではないが、およそ４日間前
後に１回の頻度で行なわれている。レジスト剥離液が劣
化すると、一定の剥離速度が得られず剥離残渣及び金属
酸化物残渣が生じ歩留りの低下を引き起こす。フォトリ
ソグラフィ工程の最終段階であるレジスト剥離工程にて
不良品が発生すると損害額が大きい。[0005] In the conventional method, a predetermined amount of a predetermined amount of a new resist stripping solution is charged into a resist stripping treatment tank and started.
As an index, such as the number of substrates processed based on experience, etc., when the resist stripper reaches a predetermined degradation concentration range while reducing the amount,
It is in the form of a batch operation in which the entire quantity is exchanged at once with a new liquid prepared in advance. The liquid exchange time is not constant depending on the tank capacity, the type of substrate, the number of substrates to be processed, etc., but is performed once every about four days. When the resist stripping solution is deteriorated, a constant stripping rate cannot be obtained, and stripping residues and metal oxide residues are generated, which causes a reduction in yield. If a defective product occurs in the resist stripping process, which is the final stage of the photolithography process, the damage amount is large.

【０００６】ヒドロキシルアミンを含むレジスト剥離液
は、通常３０〜６５℃で使用されている。レジスト剥離
液に使用される成分の沸点は、有機アルカリや有機溶剤
が１６０〜２５０℃程度であり、ヒドロキシルアミンが
約１６０℃であり、水が１００℃である。従って、レジ
スト剥離液は、使用中にレジスト剥離槽の大気シールの
ためのパージ窒素ガスに同伴して低沸点の水分が優先的
に蒸発することで、水分濃度が下降して濃度変動を生じ
る。そのため逐次レジスト剥離性能が低下するが、従来
は水分濃度をリアルタイムで測定することが行なわれ
ず、かつ所定濃度に一定に制御することが行なわれてい
なかった。水分濃度が更に低下すると、引火点を有する
ようになり爆発の危険性が生じる。[0006] A resist stripping solution containing hydroxylamine is usually used at 30 to 65 ° C. The boiling points of components used in the resist stripping solution are about 160 to 250 ° C. for organic alkalis and organic solvents, about 160 ° C. for hydroxylamine, and 100 ° C. for water. Accordingly, during use, the low-boiling-point water evaporates preferentially with the use of the purge nitrogen gas for sealing the atmosphere of the resist-removing tank during use. For this reason, the resist stripping performance is sequentially reduced, but conventionally, the water concentration has not been measured in real time, and the water concentration has not been constantly controlled to a predetermined concentration. If the moisture concentration is further reduced, it will have a flash point and an explosion hazard will occur.

【０００７】また、レジスト剥離液は、使用中にレジス
ト剥離槽の大気シールのためのパージ窒素ガスに同伴し
て水の次に低沸点のヒドロキシルアミンが蒸発し、ヒド
ロキシルアミン濃度が下降して濃度変動を生じる。その
ため逐次レジスト剥離性能が低下するが、従来はヒドロ
キシルアミン濃度をリアルタイムで測定することが行な
われず、かつ所定濃度に一定に制御することが行なわれ
ていなかった。During use, the resist stripping solution is accompanied by a purge nitrogen gas for sealing the atmosphere of the resist stripping tank, and the low boiling point hydroxylamine evaporates next to the water, and the hydroxylamine concentration decreases. Cause fluctuations. For this reason, the resist stripping performance is sequentially reduced, but conventionally, the hydroxylamine concentration has not been measured in real time and the concentration has not been controlled to a predetermined concentration.

【０００８】さらに、レジスト剥離処理によってレジス
ト剥離液中に溶解したレジストは逐次濃縮し、剥離速度
の低下や剥離残渣の発生などレジスト剥離性能劣化の一
因となっているが、従来は溶解レジスト濃度をリアルタ
イムで測定することが行なわれず、かつ所定濃度に一定
に制御することが行なわれていなかった。Further, the resist dissolved in the resist stripping solution by the resist stripping process is successively concentrated, which causes deterioration of the resist stripping performance such as a reduction in stripping rate and generation of stripping residue. Has not been measured in real time and has not been constantly controlled to a predetermined concentration.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従って、この間の水分
濃度、ヒドロキシルアミン濃度及び溶解レジスト濃度は
経時的に変化して一定でないため、レジストの剥離残渣
や金属酸化物残渣を生じ、液晶基板の高精細寸法の精度
制御が困難で、製品の品質を不安定にし、歩留りを低下
させていた。また液交換時の操業停止（ダウンタイム）
により大幅な稼動率低下をきたし、レジスト剥離液の交
換作業に伴う労務コストが必要であった。Therefore, since the water concentration, hydroxylamine concentration and dissolved resist concentration during this period change with time and are not constant, resist peeling residues and metal oxide residues are generated, resulting in a high liquid crystal substrate. It was difficult to control the precision of the fine dimensions, making the product quality unstable and reducing the yield. Operation stoppage during liquid exchange (downtime)
As a result, the operation rate was greatly reduced, and labor costs for replacing the resist stripping solution were required.

【００１０】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、液晶基板製造工程の大量生産に適
した簡便な従来技術によるライン搬送方式の利点を生か
しながら、また、半導体製造工程においてはシリコンウ
エハーのカセット処理方式の利点を生かしながら、前述
した従来技術の問題点を解消するものである。すなわ
ち、本発明の目的は、所定の成分比をもった原液を用意
しておけば、レジスト剥離液を所定の水分濃度、ヒドロ
キシルアミン濃度及び溶解レジスト濃度に自動制御し、
かつ、レジスト剥離処理槽の液補給に対して適切な管理
を行ない、もってレジスト剥離性能を常時一定化すると
ともに、使用原液量を削減し、安全を確保し、操業停止
時間を大幅に短縮して総合的な製造コストの低減を可能
とすることにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to make use of the advantages of a simple conventional line transfer system suitable for mass production of a liquid crystal substrate manufacturing process, and to provide a semiconductor manufacturing method. In the process, the above-mentioned problem of the prior art is solved while taking advantage of the silicon wafer cassette processing method. That is, the object of the present invention is to prepare a stock solution having a predetermined component ratio and automatically control the resist stripper to a predetermined water concentration, hydroxylamine concentration and dissolved resist concentration,
In addition, by appropriately managing the replenishment of the liquid in the resist stripping tank, the resist stripping performance is constantly kept constant, the amount of stock solution used is reduced, safety is secured, and the operation stoppage time is greatly reduced. An object of the present invention is to make it possible to reduce the overall manufacturing cost.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、レジスト剥離
処理槽のレジスト剥離液中に溶解したレジスト濃度が、
図１１に示すように、その吸光度と密接な関係（高度な
直線関係）にあることを実験により確認したことから、
溶解レジスト濃度を吸光度測定することにより調整、制
御し、レジスト剥離液中の水分濃度が、図７に示すよう
に、その吸光度との間に密接な関係（高度な直線関係）
にあることを実験によって確認したことから、水分濃度
を吸光度測定により調整、制御するようにしたものであ
る。さらに、本発明は、レジスト剥離液中のヒドロキシ
ルアミン濃度が、図８に示すように、その吸光度との間
に密接な関係（高度な直線関係）にあることを実験によ
って確認したことから、ヒドロキシルアミン濃度を吸光
度測定により調整、制御するようにしたものであり、水
分濃度、ヒドロキシルアミン濃度及びレジスト濃度の３
成分の濃度の少なくともいずれかを単独又は同時に管理
するようにしたものである。According to the present invention, the concentration of a resist dissolved in a resist stripping solution in a resist stripping tank is determined as follows.
As shown in FIG. 11, it was confirmed by experiments that the absorbance was closely related to the absorbance (highly linear relationship).
The dissolved resist concentration is adjusted and controlled by measuring the absorbance, and the water concentration in the resist stripping solution is closely related to the absorbance (highly linear relationship) as shown in FIG.
Was confirmed by an experiment, and the water concentration was adjusted and controlled by measuring the absorbance. Further, the present invention has confirmed by experiments that the hydroxylamine concentration in the resist stripping solution has a close relationship (highly linear relationship) with its absorbance as shown in FIG. The amine concentration is adjusted and controlled by absorbance measurement.
At least one of the concentrations of the components is controlled independently or simultaneously.

【００１２】すなわち、上記の目的を達成するために、
本発明のレジスト剥離液管理装置は、レジスト剥離原
液、ヒドロキシルアミン溶液、純水及び予め調合したレ
ジストヒドロキシルアミン系剥離新液の少なくとも一つ
をレジスト剥離処理槽に供給して液面調節機構により一
定液面レベルに保つ液面調節・液補給手段と、このレジ
スト剥離処理槽内のレジストヒドロキシルアミン系剥離
液のヒドロキシルアミン濃度を吸光光度計により検出し
てレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水
の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に補給するヒド
ロキシルアミン濃度検出・液補給手段（以下、第二補給
手段と記す）とを備えたことを特徴としている（図１参
照）。That is, in order to achieve the above object,
The resist stripping liquid management apparatus of the present invention supplies at least one of a resist stripping undiluted solution, a hydroxylamine solution, pure water, and a pre-prepared resist hydroxylamine-based stripping solution to a resist stripping treatment tank, and the liquid is adjusted by a liquid level adjusting mechanism. A liquid level adjusting / liquid replenishing means for maintaining the liquid level, and a hydroxylamine concentration of the resist hydroxylamine-based stripping solution in the resist stripping treatment tank detected by an absorptiometer to detect a resist stripping solution, a hydroxylamine solution and pure water. It is characterized by including a hydroxylamine concentration detection / liquid replenishing means (hereinafter, referred to as a second replenishing means) for replenishing at least one of the resist stripping tanks (see FIG. 1).

【００１３】また、本発明のレジスト剥離液管理装置
は、レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロキシルアミ
ン系剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出
してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液、純水
及び予め調合したレジストヒドロキシルアミン系剥離新
液の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に補給するレ
ジスト濃度検出・液補給手段（以下、第一補給手段と記
す）と、レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロキシル
アミン系剥離液のヒドロキシルアミン濃度を吸光光度計
により検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン
溶液及び純水の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に
補給する第二補給手段とを備えたことを特徴としている
（図２参照）。Further, the resist stripping liquid management apparatus of the present invention includes a resist hydroxyl group in a resist stripping tank.
A resist that detects the concentration of the dissolved resist in the resin-based stripping solution with an absorptiometer and replenishes at least one of the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution, pure water, and the pre-prepared resist hydroxylamine-based stripping solution to the resist stripping tank. Concentration detection and liquid replenishment means (hereinafter referred to as first replenishment means) and resist hydroxyl in the resist stripping tank
And a second replenishing means for replenishing at least one of a resist stripping solution, a hydroxylamine solution and pure water to the resist stripping tank by detecting the hydroxylamine concentration of the amine-based stripping solution with an absorptiometer. (See FIG. 2).

【００１４】また、本発明のレジスト剥離液管理装置
は、レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロキシルアミ
ン系剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出
してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液、純水
及び予め調合したレジストヒドロキシルアミン系剥離新
液の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に補給する第
一補給手段と、レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロ
キシルアミン系剥離液の水分濃度を吸光光度計により検
出してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び
純水の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に補給する
水分濃度検出・液補給手段（以下、第三補給手段と記
す）とを備えたことを特徴としている（図３参照）。Further, the resist stripping liquid management apparatus of the present invention comprises a resist hydroxyl group in a resist stripping tank.
The concentration of the dissolved resist in the resist stripping solution is detected by an absorptiometer, and at least one of the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution, pure water and a pre-prepared resist hydroxylamine stripping solution is supplied to the resist stripping tank. One replenishing means and a resist hydro in the resist stripping tank
Water concentration detection and liquid replenishment means (hereinafter referred to as third replenishment) that detects the water concentration of the xylamine-based stripping solution with an absorptiometer and replenishes at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water to the resist stripping tank. (Referred to as means) (see FIG. 3).

【００１５】また、本発明のレジスト剥離液管理装置
は、レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロキシルアミ
ン系剥離液のヒドロキシルアミン濃度を吸光光度計によ
り検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液
及び純水の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に補給
する第二補給手段と、レジスト剥離処理槽内のレジスト
ヒドロキシルアミン系剥離液の水分濃度を吸光光度計に
より検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶
液及び純水の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に補
給する第三補給手段とを備えたことを特徴としている
（図４及び図６参照）。Further, the resist stripping liquid management apparatus of the present invention comprises a resist hydroxylamine in a resist stripping tank.
A second replenishing means for detecting the hydroxylamine concentration of the resist- based stripping solution with an absorptiometer and replenishing at least one of the resist stripping solution, the hydroxylamine solution and pure water to the resist stripping tank; and Resist
A third replenishing means for detecting the water concentration of the hydroxylamine-based stripping solution by an absorptiometer and replenishing at least one of a resist stripping solution, a hydroxylamine solution and pure water to the resist stripping tank. (See FIGS. 4 and 6).

【００１６】また、本発明のレジスト剥離液管理装置
は、レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロキシルアミ
ン系剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計により検出
してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液、純水
及び予め調合したレジストヒドロキシルアミン系剥離新
液の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に補給する第
一補給手段と、レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロ
キシルアミン系剥離液のヒドロキシルアミン濃度を吸光
光度計により検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシル
アミン溶液及び純水の少なくとも一つをレジスト剥離処
理槽に補給する第二補給手段と、レジスト剥離処理槽内
のレジストヒドロキシルアミン系剥離液の水分濃度を吸
光光度計により検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシ
ルアミン溶液及び純水の少なくとも一つをレジスト剥離
処理槽に補給する第三補給手段とを備えたことを特徴と
している（図５参照）。Further, the resist stripping liquid management apparatus of the present invention comprises a resist hydroxyl group in a resist stripping tank.
The concentration of the dissolved resist in the resist stripping solution is detected by an absorptiometer, and at least one of the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution, pure water and a pre-prepared resist hydroxylamine stripping solution is supplied to the resist stripping tank. One replenishing means and a resist hydro in the resist stripping tank
Second replenishing means for detecting the hydroxylamine concentration of the xylamine-based stripping solution by an absorptiometer and replenishing at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water to the resist stripping tank, and A third supply means for detecting the water concentration of the resist hydroxylamine-based stripping solution with an absorptiometer and replenishing at least one of a resist stripping solution, a hydroxylamine solution and pure water to the resist stripping tank; (See FIG. 5).

【００１７】レジスト剥離原液としては、例えば、ジメ
チルスルホキシド系原液、Ｎ−メチルピロリドン系原
液、ジグリコール系原液、アルカノールアミンとグライ
コールエーテル系溶剤との混合原液、又はこれらに純水
や各種添加剤が添加された原液などが用いられる。アル
カノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールア
ミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−
Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノ
ールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ
−１−プロパノールなどを挙げることができる。グライ
コールエーテル系溶剤としては、ブチルジグリコール、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテルなどを挙げることができる。各種
添加剤としては、カテコール、還元剤、金属防食剤、キ
レート剤などを挙げることができる。Examples of the resist stripping solution include a dimethyl sulfoxide stock solution, an N-methylpyrrolidone stock solution, a diglycol stock solution, a mixed stock solution of an alkanolamine and a glycol ether solvent, or pure water or various additives. A stock solution to which is added is used. Examples of the alkanolamine include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, aminoethylethanolamine, N-methyl-
Examples thereof include N, N-diethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, N-methylethanolamine, and 3-amino-1-propanol. As the glycol ether solvent, butyl diglycol,
Examples thereof include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diethylene glycol monopropyl ether. Examples of the various additives include catechol, a reducing agent, a metal anticorrosive, and a chelating agent.

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施の形態を詳細に説明する。ただし、これらの実
施の形態に記載されている構成機器の形状、その相対配
置などは、とくに特定的な記載がない限りは、本発明の
範囲をそれらのみに限定するものではなく、単なる説明
例にすぎない。図１は、本発明の実施の第１形態による
レジスト剥離液管理装置を示す系統図である。図中の参
照番号１〜１３は従来の既設のレジスト剥離処理装置を
構成する機器である。すなわち、この従来のレジスト剥
離処理装置は、レジスト剥離液を貯留するレジスト剥離
処理槽１、オーバーフロー槽２、液面レベル計３、レジ
スト剥離室フード４、レジスト剥離液スプレー７、レジ
スト剥離液スプレーへの送液ポンプ８、レジスト剥離液
中の微細粒子等を除去するためのフィルター９、基板を
載置してレジストを剥離しつつ移動するローラーコンベ
ア５、基板６、及びレジスト剥離液の清浄化と撹拌のた
めの循環ポンプ１１、微細粒子除去用フィルター１３、
ならびにＮ2 ガス、純水等の配管類などからなってい
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. However, the shapes of the components described in these embodiments, the relative arrangement thereof, and the like are not intended to limit the scope of the present invention to them unless otherwise specified, and are merely illustrative examples. It's just FIG. 1 is a system diagram showing a resist stripping liquid management device according to a first embodiment of the present invention. Reference numerals 1 to 13 in the drawing denote equipment constituting a conventional resist stripping apparatus. That is, the conventional resist stripping apparatus includes a resist stripping processing tank 1 for storing a resist stripping liquid, an overflow tank 2, a liquid level meter 3, a resist stripping chamber hood 4, a resist stripping liquid spray 7, and a resist stripping liquid spray. Pump 8, a filter 9 for removing fine particles and the like in the resist stripper, a roller conveyor 5 on which a substrate is mounted and moves while stripping the resist, a substrate 6, and cleaning of the resist stripper. Circulation pump 11 for stirring, filter 13 for removing fine particles,
And piping such as N 2 gas and pure water.

【００１９】本発明に基づき、上記レジスト剥離処理装
置に付設される機器は、ヒドロキシルアミン濃度を検出
する吸光光度計１５、液排出ポンプ１９、及びレジスト
剥離原液供給缶２０、レジスト剥離原液供給用の流量調
節弁２４、ヒドロキシルアミン溶液供給缶２１、ヒドロ
キシルアミン溶液供給用の流量調節弁２５、レジスト剥
離新液供給缶２２、レジスト剥離新液供給用の流量調節
弁２６、純水供給用の流量調節弁２７と、これら各機器
を接続する配管類及び電気計装類又は空気計装類などで
ある。補給液としては、レジスト剥離原液、ヒドロキシ
ルアミン溶液、レジスト剥離新液及び純水であるが、必
ずしも全て必要というのではなく、レジスト剥離液の組
成、濃度変化の程度、設備条件、運転条件、補給液の入
手条件などにより、最適な補給液及び供給装置が選択さ
れる。なお、後述する図２〜６についても同様である。
ヒドロキシルアミン溶液としては、ヒドロキシルアミン
の水溶液（例えば、５０％水溶液）が用いられるが、ヒ
ドロキシルアミンと他の溶剤との混合液、ヒドロキシル
アミン１００％の液等を用いることも可能である。In accordance with the present invention, the equipment attached to the resist stripping apparatus includes an absorptiometer 15 for detecting hydroxylamine concentration, a liquid discharge pump 19, a resist stripping stock solution supply can 20, and a resist stripping stock solution supply. Flow control valve 24, hydroxylamine solution supply can 21, flow control valve 25 for supplying hydroxylamine solution, resist stripping new liquid supply can 22, flow control valve 26 for supplying new resist stripping liquid, flow control for pure water supply There are a valve 27, piping for connecting these devices, electric instrumentation, air instrumentation, and the like. The replenishing solution is a stock solution for resist stripping, a hydroxylamine solution, a new solution for resist stripping, and pure water, but not all of which are necessary. The composition of the resist stripping solution, the degree of concentration change, equipment conditions, operating conditions, and replenishment An optimum replenisher and supply device are selected depending on conditions for obtaining the liquid. The same applies to FIGS. 2 to 6 described later.
As the hydroxylamine solution, an aqueous solution of hydroxylamine (for example, a 50% aqueous solution) is used, but a mixed solution of hydroxylamine and another solvent, a 100% hydroxylamine solution, or the like can also be used.

【００２０】レジスト剥離処理槽１に貯留される液量
は、レジスト剥離液スプレー７の所要量を供給できれば
足りるが、工程の安定上からは制御されることが必要で
ある。図１に示すように、通常において、レジスト剥離
処理槽１の液面レベルはオーバーフロー未満の液面レベ
ル計付近の位置で運転される。液面レベル計３は、レジ
スト剥離処理中に液が基板に付着して系外に持ち出され
ることで自然減量することによる液面レベル低下を検出
し、あるいは、レジスト剥離性能が劣化した液を強制排
出したときの液面レベル低下を検出し、レジスト剥離処
理槽１の液量を一定範囲に管理するためのものである。
ここで、レジスト剥離劣化液は排出ポンプ１９を作動さ
せることによりドレン用配管に流下する。なお、劣化液
をドレン用配管を経由せずに直接系外に抜き出す場合も
ある。The amount of liquid stored in the resist stripping tank 1 is sufficient as long as a required amount of the resist stripping liquid spray 7 can be supplied, but it is necessary to control it from the viewpoint of process stability. As shown in FIG. 1, normally, the liquid level of the resist stripping tank 1 is operated at a position near a liquid level meter below an overflow. The liquid level meter 3 detects a drop in the liquid level due to a natural decrease due to the liquid being attached to the substrate and being taken out of the system during the resist stripping process, or forcing the liquid whose resist stripping performance has deteriorated. The purpose is to detect a decrease in the liquid level when the liquid is discharged and to control the liquid amount in the resist stripping tank 1 within a certain range.
Here, the resist stripping deterioration liquid flows down to the drain pipe by operating the discharge pump 19. In some cases, the deteriorated liquid is directly drawn out of the system without passing through the drain pipe.

【００２１】レジスト剥離原液、例えば、モノエタノー
ルアミン（以下、ＭＥＡと略称する）とブチルジグリコ
ール（以下、ＢＤＧと略称する）の所定濃度混合液を貯
留するレジスト剥離原液供給缶２０は、配管２３からの
Ｎ2 ガスで１〜２Kgf ／cm2に加圧されており、レジス
ト剥離原液流量調節弁２４の開により圧送される。ヒド
ロキシルアミン溶液を貯留するヒドロキシルアミン溶液
供給缶２１は、配管２３からのＮ2 ガスで１〜２Kgf ／
cm2 に加圧されており、ヒドロキシルアミン溶液流量調
節弁２５の開により圧送される。レジスト剥離新液を貯
留するレジスト剥離新液供給缶２２は、配管２３からの
Ｎ2 ガスで１〜２Kgf ／cm2 に加圧されており、レジス
ト剥離新液流量調節弁２６の開により圧送される。純水
は既設配管からの分岐管に通じており、純水流量調節弁
２７の開により送液される。これらの補給液はそれぞれ
の弁を自動調節して送液され、管路２８で合流して管路
１２に流入し、循環流とともに混合されながらレジスト
剥離処理槽１に入る。なお、これらの補給液を合流させ
ずに、管路１２又はレジスト剥離処理槽１にそれぞれ連
結することも可能である。A stock solution 20 for supplying a stock solution for resist removal, for example, a predetermined concentration mixture of monoethanolamine (hereinafter abbreviated as MEA) and butyl diglycol (hereinafter abbreviated as BDG) is connected to a pipe 23. Is pressurized to 1-2 kgf / cm 2 with N 2 gas from the nozzle, and is fed by opening the resist stripping solution flow rate control valve 24. The hydroxylamine solution supply can 21 for storing the hydroxylamine solution is supplied with N 2 gas from a pipe 23 to 1-2 kgf /
It has been pressurized to cm 2 and is pumped by opening the hydroxylamine solution flow control valve 25. The new resist removing liquid supply can 22 for storing the new resist removing liquid is pressurized to 1 to 2 kgf / cm 2 with N 2 gas from a pipe 23, and is fed by opening the resist removing new liquid flow rate control valve 26. You. The pure water is connected to a branch pipe from the existing pipe, and is sent by opening the pure water flow control valve 27. These replenishing liquids are sent by automatically adjusting the respective valves, merge in the pipe 28, flow into the pipe 12, and enter the resist stripping tank 1 while being mixed with the circulating flow. It is also possible to connect these replenishers to the pipeline 12 or the resist stripping tank 1 without merging them.

【００２２】また、レジスト剥離液スプレー用の管路１
０にオンラインで設置された吸光光度計１５には、管路
１４から試料液が導入されて吸光度が連続測定され、測
定済み液は管路１８から管路１０に戻される。A line 1 for spraying a resist stripping solution
The sample liquid is introduced into the absorptiometer 15 installed online at 0 and the absorbance is continuously measured through the pipe 14, and the measured liquid is returned from the pipe 18 to the pipe 10.

【００２３】図２は、本発明の実施の第２形態を示す装
置系統図である。本実施形態では、レジスト剥離液スプ
レー用の管路１０にオンラインで設置されたヒドロキシ
ルアミン濃度を検出する吸光光度計１５と溶解レジスト
濃度を検出する吸光光度計１６（例えば、両器は一体構
成）とに、管路１４から試料液が導入されてそれぞれの
吸光度が連続測定され、測定済み液は管路１８から管路
１０に戻される。なお、吸光光度計１５と吸光光度計１
６とを別体として設置することや測定用の循環ポンプを
使用して試料液を吸光光度計１５と吸光光度計１６とに
導入することも可能である。また、図２に示すように、
通常において、レジスト剥離処理槽１の液面レベルはオ
ーバーフローの堰の位置付近で運転される。新鮮な補給
液が補給された場合は、オーバーフロー用の堰から劣化
したレジスト剥離液がオーバーフローして自動排出され
る。なお、排出ポンプ１９は必ずしも必要ではなく、ま
た、排出ポンプ１９の代わりに弁を設けてもよい。他の
構成等は図１の場合と同様である。FIG. 2 is an apparatus system diagram showing a second embodiment of the present invention. In this embodiment, an absorptiometer 15 for detecting the concentration of hydroxylamine and an absorptiometer 16 for detecting the concentration of the dissolved resist (for example, both units are integrally configured) are installed in the conduit 10 for spraying the resist stripping solution online. At this time, the sample liquid is introduced from the pipe 14 and the respective absorbances are continuously measured, and the measured liquid is returned from the pipe 18 to the pipe 10. The absorption photometer 15 and the absorption photometer 1
The sample liquid can be introduced into the absorptiometer 15 and the absorptiometer 16 using a separate circulating pump for measurement or using a circulating pump for measurement. Also, as shown in FIG.
Normally, the liquid level of the resist stripping tank 1 is operated near the position of the overflow weir. When fresh replenishing liquid is supplied, the deteriorated resist stripping liquid overflows from the overflow weir and is automatically discharged. Note that the discharge pump 19 is not necessarily required, and a valve may be provided instead of the discharge pump 19. Other configurations are the same as those in FIG.

【００２４】図３は、本発明の実施の第３形態を示す装
置系統図である。本実施形態では、レジスト剥離液スプ
レー用の管路１０にオンラインで設置された溶解レジス
ト濃度を検出する吸光光度計１６と水分濃度を検出する
吸光光度計１７（例えば、両器は一体構成）とに、管路
１４から試料液が導入されてそれぞれの吸光度が連続測
定され、測定済み液は管路１８から管路１０に戻され
る。また、図３に示すように、通常において、レジスト
剥離処理槽１の液面レベルはオーバーフローの堰の位置
付近で運転される。他の構成等は図１及び図２の場合と
同様である。FIG. 3 is an apparatus system diagram showing a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, an absorptiometer 16 for detecting the dissolved resist concentration and an absorptiometer 17 for detecting the water concentration (for example, both units are integrally configured) are provided on-line in the line 10 for spraying the resist stripper. Then, the sample liquid is introduced from the pipe 14, and the respective absorbances are continuously measured, and the measured liquid is returned from the pipe 18 to the pipe 10. As shown in FIG. 3, the liquid level of the resist stripping tank 1 is normally operated near the overflow weir. Other configurations are the same as those in FIGS.

【００２５】図４は、本発明の実施の第４形態を示す装
置系統図である。本実施形態では、レジスト剥離液スプ
レー用の管路１０にオンラインで設置されたヒドロキシ
ルアミン濃度を検出する吸光光度計１５と水分濃度を検
出する吸光光度計１７（例えば、両器は一体構成）と
に、管路１４から試料液が導入されてそれぞれの吸光度
が連続測定され、測定済み液は管路１８から管路１０に
戻される。また、図４に示すように、通常において、レ
ジスト剥離処理槽１の液面レベルはオーバーフローの堰
の位置付近で運転される。他の構成等は図１及び図２の
場合と同様である。FIG. 4 is an apparatus system diagram showing a fourth embodiment of the present invention. In the present embodiment, an absorptiometer 15 for detecting the concentration of hydroxylamine and an absorptiometer 17 for detecting the concentration of water (for example, both units are integrally configured) are installed on line 10 for spraying the resist stripping solution on-line. Then, the sample liquid is introduced from the pipe 14, and the respective absorbances are continuously measured, and the measured liquid is returned from the pipe 18 to the pipe 10. Also, as shown in FIG. 4, the liquid level of the resist stripping tank 1 is usually operated near the position of the overflow weir. Other configurations are the same as those in FIGS.

【００２６】図５は、本発明の実施の第５形態を示す装
置系統図である。本実施形態では、レジスト剥離液スプ
レー用の管路１０にオンラインで設置されたヒドロキシ
ルアミン濃度を検出する吸光光度計１５、溶解レジスト
濃度を検出する吸光光度計１６及び水分濃度を検出する
吸光光度計１７（例えば、３器は一体構成）に、管路１
４から試料液が導入されてそれぞれの吸光度が連続測定
され、測定済み液は管路１８から管路１０に戻される。
また、図５に示すように、通常において、レジスト剥離
処理槽１の液面レベルはオーバーフローの堰の位置付近
で運転される。他の構成等は図１及び図２の場合と同様
である。FIG. 5 is an apparatus system diagram showing a fifth embodiment of the present invention. In the present embodiment, an absorptiometer 15 for detecting hydroxylamine concentration, an absorptiometer 16 for detecting dissolved resist concentration, and an absorptiometer for detecting water concentration, which are installed online in a line 10 for spraying a resist stripping liquid. 17 (for example, three units are integrally configured),
The sample liquid is introduced from 4 and the respective absorbances are continuously measured, and the measured liquid is returned from the pipe 18 to the pipe 10.
In addition, as shown in FIG. 5, the liquid level of the resist stripping tank 1 is normally operated near the overflow weir. Other configurations are the same as those in FIGS.

【００２７】図６は、本発明の実施の第６形態を示す装
置系統図である。本実施形態は、カセット処理方式であ
り、図４におけるローラーコンベア５の代わりにローダ
ーによるカセット３３の搬入・搬出を行ない、カセット
３３には基板３４（例えば、半導体製造用のシリコンウ
エハーが２０枚）が配列されている。本実施形態では、
レジスト剥離液スプレー用の管路１０にオンラインで設
置したヒドロキシルアミン濃度を検出する吸光光度計１
５と水分濃度を検出する吸光光度計１７（例えば、両器
は一体構成）とに、管路１４から試料液が導入されてそ
れぞれの吸光度が連続測定され、測定済み液は管路１８
から管路１０に戻される。また、図６に示すように、通
常において、レジスト剥離処理槽１の液面レベルはオー
バーフロー堰の位置付近で運転される。他の構成等は図
４の場合と同様である。FIG. 6 is an apparatus system diagram showing a sixth embodiment of the present invention. The present embodiment is a cassette processing system, in which a cassette 33 is loaded and unloaded by a loader instead of the roller conveyor 5 in FIG. 4, and the cassette 33 has a substrate 34 (for example, 20 silicon wafers for semiconductor manufacturing). Are arranged. In this embodiment,
Spectrophotometer 1 for online detection of hydroxylamine concentration installed in conduit 10 for resist stripper spray
The sample liquid is introduced from a pipe 14 into an absorption spectrophotometer 17 (for example, both instruments are integrated) for detecting the water concentration, and the respective absorbances are continuously measured.
Is returned to the pipeline 10. As shown in FIG. 6, the liquid level of the resist stripping tank 1 is usually operated near the overflow weir. Other configurations are the same as those in FIG.

【００２８】次に、図１〜６に示す実施形態による装置
の制御系統について説明する。液面レベル計３とレジス
ト剥離処理槽１の液面レベル、吸光光度計１５とレジス
ト剥離液のヒドロキシルアミン濃度、吸光光度計１６と
レジスト剥離液の溶解レジスト濃度、吸光光度計１７と
レジスト剥離液の水分濃度は、本質的にはそれぞれ独立
機能として作用するが、本発明においては、これらの二
つ以上を相互の補完的な関連において機能させることを
特徴としている。また、はじめに製品基板の品質管理上
で必要なレジスト剥離液のヒドロキシルアミン濃度の目
標値、レジスト剥離液の水分濃度の目標値、溶解レジス
ト濃度の濃縮限界値などは、操業実績又は計算に基づき
予め各制御器に設定しておかねばならない。Next, a control system of the apparatus according to the embodiment shown in FIGS. The liquid level meter 3 and the liquid level of the resist stripping tank 1, the hydroxylamine concentration of the absorption photometer 15 and the resist stripping solution, the dissolved resist concentration of the absorption photometer 16 and the resist stripping solution, the absorption photometer 17 and the resist stripping solution The water concentrations essentially function as independent functions, but the present invention is characterized in that two or more of them function in a mutually complementary relationship. First, the target value of the hydroxylamine concentration of the resist stripping solution, the target value of the water concentration of the resist stripping solution, and the concentration limit value of the dissolved resist concentration necessary for quality control of the product substrate are determined in advance based on the operation results or calculations. It must be set for each controller.

【００２９】以下、レジスト剥離液としてＭＥＡとＢＤ
Ｇとヒドロキシルアミンと純水を混合した溶液を使用し
た実施例について説明する。通常、約６５℃の一定液温
に保持されたレジスト剥離液の水分濃度は、主としてパ
ージＮ2 ガスに同伴して水分が蒸発することにより、基
板処理枚数の増加とともに減少するので、レジスト剥離
液のレジスト剥離性能が劣化してくる。このため、水分
濃度は所定の目標値、例えば２４．０±１．０％に管理
する必要がある。従来は、経験からの基板処理枚数との
相関あるいは化学分析等によって、レジスト剥離液劣化
の程度を判定していたが、迅速かつ正確な把握が困難で
あった。Hereinafter, MEA and BD are used as a resist stripper.
An example using a solution in which G, hydroxylamine and pure water are mixed will be described. Normally, the water concentration of the resist stripping solution maintained at a constant temperature of about 65 ° C. decreases with an increase in the number of substrates to be processed, mainly due to evaporation of water accompanying the purge N 2 gas. The resist stripping performance is deteriorated. For this reason, it is necessary to control the water concentration to a predetermined target value, for example, 24.0 ± 1.0%. Conventionally, the degree of deterioration of the resist stripper has been determined based on experience based on correlation with the number of processed substrates or chemical analysis, but it has been difficult to quickly and accurately determine the degree of deterioration.

【００３０】本発明者は、レジスト剥離液の水分濃度と
吸光度との関係を実験により検討し、吸光度の測定波長
は、近赤外線領域の９５０nmから１０１０nmの範囲が適
切であり、９７６nm付近が感度が大きく特に良好であっ
た。なお、測定波長は、近赤外線領域から選択され、剥
離液とレジストの種類や濃度に応じて使い分けられる。
図７に示す如く、測定波長λ＝９７６nmにおける吸光度
と水分濃度とは高度な直線関係にあり、吸光度を検出す
ることにより水分濃度が正確に測定できることを確認し
た。図３、４、５、６に示すように、管路１０にオンラ
インで設置された吸光光度計１７（吸光光度計１５又は
／及び吸光光度計１６と一体又は別体、なお、単独の場
合もある）は、測定誤差を最小限とするための諸補償機
能と吸光度制御器３２を備えている。管路１０から導入
された試料液の吸光度測定値を、吸光度制御器３２に入
力して、その値が目標値になるように、出力信号により
レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水の
少なくとも一つを、流量調節弁２４、２５、２７により
それぞれ自動制御して、水分濃度を目標値に調整するま
で補給する。The inventor of the present invention examined the relationship between the water concentration of the resist stripping solution and the absorbance by experiments, and it was found that the wavelength of the absorbance measured was 950 nm to 1010 nm in the near infrared region, and the sensitivity was around 976 nm. Large and particularly good. The measurement wavelength is selected from the near-infrared region, and is properly used depending on the types and concentrations of the stripping solution and the resist.
As shown in FIG. 7, the absorbance at the measurement wavelength λ = 976 nm and the water concentration were in a highly linear relationship, and it was confirmed that the water concentration could be accurately measured by detecting the absorbance. As shown in FIGS. 3, 4, 5, and 6, the absorptiometer 17 (integral with or separate from the absorptiometer 15 and / or the absorptiometer 16, which is installed online in Is equipped with various compensation functions and an absorbance controller 32 for minimizing measurement errors. The measured absorbance value of the sample solution introduced from the pipe 10 is input to the absorbance controller 32 and at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water is output by an output signal so that the value becomes the target value. These are automatically controlled by flow control valves 24, 25 and 27, respectively, to supply water until the water concentration is adjusted to the target value.

【００３１】また、レジスト剥離液のヒドロキシルアミ
ン濃度は、水分の次に沸点が低いので、水分と共沸的に
蒸発することにより減少するので、レジスト剥離液のレ
ジスト剥離性能が劣化してくる。このため、ヒドロキシ
ルアミン濃度は所定の目標値、例えば６．０±１．０％
に管理する必要がある。従来は、経験からの基板処理枚
数との相関あるいは化学分析等によって、レジスト剥離
液劣化の程度を判定していたが、迅速かつ正確な把握が
困難であった。Further, the hydroxylamine concentration of the resist stripping solution is lower by boiling point than water, and thus decreases by azeotropic evaporation with water, so that the resist stripping performance of the resist stripping solution deteriorates. Therefore, the hydroxylamine concentration is set to a predetermined target value, for example, 6.0 ± 1.0%.
Need to be managed. Conventionally, the degree of deterioration of the resist stripper has been determined based on experience based on correlation with the number of processed substrates or chemical analysis, but it has been difficult to quickly and accurately determine the degree of deterioration.

【００３２】本発明者は、レジスト剥離液のヒドロキシ
ルアミン濃度と吸光度との関係を実験により検討し、吸
光度の測定波長は、近赤外線領域の１０５０nmから１０
９０nmの範囲が適切であり、他の成分の影響が小さい１
０７４nm付近が感度が大きく特に良好であった。なお、
測定波長は、近赤外線領域から選択され、剥離液とレジ
ストの種類や濃度に応じて使い分けられる。図８に示す
如く、測定波長λ＝１０７４nmにおける吸光度とヒドロ
キシルアミン濃度とは高度な直線関係にあり、吸光度を
検出することによりヒドロキシルアミン濃度が正確に測
定できることを確認した。図１、２、４、５、６に示す
ように、管路１０にオンラインで設置された吸光光度計
１５は、測定誤差を最小限とするための諸補償機能と吸
光度制御器３０を備えている。管路１０から導入された
試料液の吸光度測定値を、吸光度制御器３０に入力し
て、その値が目標値になるように、出力信号によりレジ
スト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水の少な
くとも一つを、流量調節弁２４、２５、２７によりそれ
ぞれ自動制御して、ヒドロキシルアミン濃度を目標値に
調整するまで補給する。The inventor of the present invention examined the relationship between the hydroxylamine concentration of the resist stripping solution and the absorbance by experiment, and measured the absorbance wavelength from 1050 nm in the near infrared region to 1050 nm.
90 nm range is appropriate, and the influence of other components is small.
The sensitivity was large near 074 nm, and particularly good. In addition,
The measurement wavelength is selected from the near-infrared region, and is used properly according to the types and concentrations of the stripping solution and the resist. As shown in FIG. 8, the absorbance at the measurement wavelength λ = 1070 nm and the hydroxylamine concentration have a high linear relationship, and it was confirmed that the hydroxylamine concentration can be accurately measured by detecting the absorbance. As shown in FIGS. 1, 2, 4, 5, and 6, the absorptiometer 15 installed on-line in the conduit 10 has various compensation functions for minimizing measurement errors and an absorptivity controller 30. I have. The measured absorbance value of the sample solution introduced from the pipe 10 is input to the absorbance controller 30 and at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water is output by the output signal so that the value becomes the target value. These are automatically supplied by flow control valves 24, 25, and 27, respectively, and replenished until the hydroxylamine concentration is adjusted to a target value.

【００３３】レジスト剥離性能の劣化は上述の水分濃度
とヒドロキシルアミン濃度によるほか、溶解レジスト濃
度も関与している。基板処理用のレジスト剥離液は、送
液ポンプ８によりレジスト剥離処理槽１から取り出さ
れ、レジスト剥離液スプレー７を経て循環使用されるた
め、溶解物質がレジスト剥離液中に漸次濃縮してくる。
その主な溶解物質はレジストであり、図９に操業例とし
て示すように、基板処理枚数の増加により濃縮されてお
り、結果的にレジスト剥離性能を著しく劣化させてい
る。従来は、この濃度変化をリアルタイムで測定するこ
とが行なわれておらず、かつ、レジスト剥離性能を一定
値で管理することが行なわれていなかった。なお、図９
は、レジスト剥離液として、ＭＥＡ、ＢＤＧ、ヒドロキ
シルアミン及び純水からなるものを用いた場合のグラフ
である。すなわち、基板の処理枚数を劣化指標としたり
しているが、基板の形状やレジストの膜厚やレジスト剥
離パターンが一定でないため、基板種類毎の溶解レジス
ト量も異なってくるので、処理枚数を判定要因とするこ
とには無理がある。Deterioration of the resist stripping performance depends not only on the above-mentioned water concentration and hydroxylamine concentration but also on the dissolved resist concentration. The resist stripping liquid for substrate processing is taken out of the resist stripping tank 1 by the liquid feed pump 8 and is circulated through the resist stripping liquid spray 7, so that the dissolved substance gradually concentrates in the resist stripping liquid.
The main dissolved substance is a resist, and as shown in an operation example in FIG. 9, the resist is concentrated due to an increase in the number of processed substrates, and as a result, the resist stripping performance is significantly deteriorated. Conventionally, this change in concentration has not been measured in real time, and the resist stripping performance has not been managed at a constant value. Note that FIG.
Is a graph in the case where a solution composed of MEA, BDG, hydroxylamine and pure water is used as a resist stripping solution. That is, although the number of processed substrates is used as a degradation index, the number of processed resists is determined because the shape of the substrate, the thickness of the resist, and the resist peeling pattern are not constant, and the amount of dissolved resist for each type of substrate is different. It is impossible to make it a factor.

【００３４】本発明者は、レジスト剥離液中のレジスト
濃縮による汚染状態の研究から、レジスト濃度を吸光度
との関係において測定することに着目し、実験により図
１０及び図１１に示すような結果を得た。図１１に見る
如く、溶解レジスト濃度と吸光度とは水分濃度などの影
響なしに高度な直線関係にあり、基板処理枚数によらな
い、溶解レジスト濃度自体によるレジスト剥離性能限界
値が判定可能となった。溶解レジスト濃度の妥当な測定
波長としてはλ＝５６０nmを使用した。なお、測定波長
は、可視光線領域の４００nmから近赤外線領域の８００
nmの範囲から選択され、レジストの種類や濃度に応じて
使い分けられる。The present inventor focused on measuring the resist concentration in relation to the absorbance from the study of the contamination state due to the concentration of the resist in the resist stripping solution, and obtained the results shown in FIGS. 10 and 11 through experiments. Obtained. As shown in FIG. 11, the dissolved resist concentration and the absorbance are in a highly linear relationship without being affected by the moisture concentration and the like, and the resist stripping performance limit value can be determined by the dissolved resist concentration itself, regardless of the number of processed substrates. . As a proper measurement wavelength of the dissolved resist concentration, λ = 560 nm was used. The measurement wavelength ranges from 400 nm in the visible light region to 800 nm in the near infrared region.
It is selected from the range of nm, and can be used depending on the type and concentration of the resist.

【００３５】図２、３、５に示すように、管路１０にオ
ンラインで設置された吸光光度計１６は、測定誤差を最
小限とするための諸補償機能と吸光度制御器３１を備え
ている。吸光光度計１６が、レジスト剥離液の溶解レジ
スト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたことを検出
し、吸光度制御器３１の出力信号によりレジスト剥離原
液、ヒドロキシルアミン溶液、純水及び予め調合したレ
ジスト剥離新液の少なくとも一つを、流量調節弁２４、
２５、２６、２７によりそれぞれ自動制御して、溶解レ
ジスト濃度を目標値に調整するまで補給する。その結
果、新鮮な補給液が補給され、溶解レジスト濃度は劣化
限界値に希釈されることでレジスト剥離性能が回復す
る。As shown in FIGS. 2, 3, and 5, the absorptiometer 16 installed on-line in the conduit 10 has various compensation functions and an absorbance controller 31 for minimizing measurement errors. . The absorptiometer 16 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripping solution to detect that the deterioration limit value has been exceeded, and based on the output signal of the absorbance controller 31, the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution, pure water and pre-mixed At least one of the new resist stripping liquids,
Replenishment is performed until the concentration of the dissolved resist is adjusted to the target value by automatically controlling each of the steps 25, 26 and 27. As a result, a fresh replenishing solution is replenished, and the dissolved resist concentration is diluted to a deterioration limit value, thereby recovering the resist peeling performance.

【００３６】図１に示すように、液面レベル計３は、液
面レベル制御器２９に接続されており（液面レベル制御
器２９は、図１のみに図示しているが、図２〜６にも取
り付けられている）、レジスト剥離液が基板に付着して
後工程に持ち出されることで自然減量することによる液
面レベル低下を検出し、液面レベル制御器２９の出力信
号によりレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液、
純水及び予め調合したレジスト剥離新液の少なくとも一
つを、流量調節弁２４、２５、２６、２７によりそれぞ
れ自動制御して、液面レベルを回復させる。その結果、
新鮮な補給液が補給され、溶解レジスト濃度が希釈され
ることでレジスト剥離性能が回復する。As shown in FIG. 1, the liquid level gauge 3 is connected to a liquid level controller 29 (the liquid level controller 29 is shown only in FIG. 6), the resist stripper adheres to the substrate and is taken out in the subsequent process, and the decrease in the liquid level due to the natural decrease is detected, and the resist stripper is output by the output signal of the liquid level controller 29. Undiluted solution, hydroxylamine solution,
At least one of pure water and a previously prepared resist stripping solution is automatically controlled by flow control valves 24, 25, 26 and 27, respectively, to recover the liquid level. as a result,
The fresh stripping solution is replenished and the dissolved resist concentration is diluted, so that the resist stripping performance is restored.

【００３７】ここで、図１に示す実施の第１形態の装置
が意図した制御系統の機能的関連について述べる。本実
施形態は、主として、レジスト剥離液の水分濃度が小さ
い剥離液を使用する場合、または、レジスト剥離処理に
おいてヒドロキシルアミン濃度の管理が重要な場合など
に適用される。Here, the functional relationship of the control system intended by the device of the first embodiment shown in FIG. 1 will be described. This embodiment is mainly applied to a case where a stripper having a low water concentration of the resist stripper is used, or a case where the control of the hydroxylamine concentration is important in the resist stripping process.

【００３８】レジスト剥離処理槽１が空の建浴時におい
ては、液面レベル計３が空であることを検出して、液面
レベル制御器２９の出力信号によりレジスト剥離原液、
ヒドロキシルアミン溶液、純水及び予め調合したレジス
ト剥離新液の少なくとも一つを、流量調節弁２４、２
５、２６、２７によりそれぞれ自動制御して送液し、液
面レベルを設定位置にする。通常は、液面レベル制御器
２９の出力信号により予め調合したレジスト剥離新液が
送液される。なお、液面レベル制御器２９の出力信号に
より、レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び
純水をレジスト剥離新液とほぼ同等の濃度となるように
適正な流量比において、流量調節弁２４、２５、２７に
より弁開度を調節して送液してもよい。When the resist stripping tank 1 is empty, it is detected that the liquid level meter 3 is empty, and the output signal of the liquid level controller 29 is used to remove the resist stripping solution.
At least one of a hydroxylamine solution, pure water, and a new resist stripping solution prepared in advance is supplied to the flow control valves 24, 2
Liquids are automatically controlled by 5, 26, and 27, respectively, and the liquid level is set to a set position. Normally, a new resist stripping solution prepared in advance by the output signal of the liquid level controller 29 is sent. The output signals of the liquid level controller 29 allow the flow rate control valves 24, 25, and 25 to be adjusted so that the unstripped resist stripping solution, hydroxylamine solution, and pure water have substantially the same concentrations as the new stripped resist solution. The liquid may be sent by adjusting the valve opening degree by 27.

【００３９】ついで、吸光光度計１５が建浴レジスト剥
離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器３０の出力
信号により、レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶
液及び純水の少なくとも一つが適正な微少流量におい
て、流量調節弁２４、２５及び２７の少なくとも一つに
より弁開度を調節して送液され、目標値のヒドロキシル
アミン濃度になるよう自動制御される。Next, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the bath stripping solution, and at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water is supplied with an appropriate minute flow rate according to the output signal of the absorbance controller 30. In, the liquid is sent by adjusting the valve opening by at least one of the flow control valves 24, 25, and 27, and is automatically controlled to reach the target value of the hydroxylamine concentration.

【００４０】次にレジスト剥離処理が開始されると、水
分濃度の下降、ヒドロキシルアミン濃度の下降、基板の
持ち出しによる液の減量及び溶解レジスト濃縮が進行す
る。ヒドロキシルアミン濃度下降の場合は、吸光光度計
１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度
制御器３０の出力信号により、ヒドロキシルアミン溶液
が適正な微少流量において流量調節弁２５により弁開度
を調節して送液され、目標値のヒドロキシルアミン濃度
になるよう自動制御される。また、ヒドロキシルアミン
濃度下降の場合は水分濃度も下降するので、吸光度制御
器３０の出力信号により、純水が適正な微少流量におい
て流量調節弁２７により弁開度を調節して送液され、所
定範囲の水分濃度になるような自動制御機構を付加して
も良い。Next, when the resist stripping process is started, a decrease in the water concentration, a decrease in the hydroxylamine concentration, a reduction in the amount of the liquid due to the removal of the substrate, and a concentration of the dissolved resist proceed. In the case of a decrease in the concentration of hydroxylamine, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 30 allows the hydroxylamine solution to open at an appropriate minute flow rate by the flow control valve 25 at an appropriate small flow rate. Is adjusted, and the liquid is automatically controlled so that the hydroxylamine concentration reaches a target value. In addition, in the case of a decrease in the concentration of hydroxylamine, the water concentration also decreases. Therefore, the pure water is supplied by adjusting the valve opening degree by the flow control valve 27 at an appropriate minute flow rate by the output signal of the absorbance controller 30, and An automatic control mechanism for providing a moisture concentration in a range may be added.

【００４１】基板の持ち出しによる液の減量の場合は、
液面レベル計３が下降した液面レベルを検出して、液面
レベル制御器２９の出力信号により予め調合したレジス
ト剥離新液が流量調節弁２６から送液される。なお、レ
ジスト剥離新液を送液する代わりに、液面レベル制御器
２９の出力信号により、レジスト剥離原液、ヒドロキシ
ルアミン溶液及び純水を所定の調合濃度となるように適
正な流量比において、流量調節弁２４、２５、２７によ
り弁開度を調節して送液しても良い。In the case of reducing the amount of liquid by taking out the substrate,
The liquid level meter 3 detects the lowered liquid level, and a new resist stripping liquid prepared in advance is sent from the flow rate control valve 26 based on the output signal of the liquid level controller 29. Instead of sending the new resist stripping solution, the output signal of the liquid level controller 29 is used to adjust the flow rate of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water at an appropriate flow rate ratio so as to have a predetermined concentration. The liquid may be sent by adjusting the valve opening degree by the control valves 24, 25, and 27.

【００４２】次に、図２に示す実施の第２形態の装置が
意図した制御系統の機能的関連について述べる。本実施
形態は、主として、レジスト剥離液の水分濃度が小さい
剥離液を使用する場合、または、レジスト剥離処理にお
いてヒドロキシルアミン濃度の管理が重要な場合などに
適用される。レジスト剥離処理槽１が空の建浴時におい
ては、例えば、手動操作により、レジスト剥離原液、ヒ
ドロキシルアミン溶液、純水及び予め調合したレジスト
剥離新液の少なくとも一つを、流量調節弁２４、２５、
２６、２７によりそれぞれ送液し、液面レベルを所定位
置にする。通常は、手動操作により予め調合したレジス
ト剥離新液が送液される。なお、レジスト剥離原液、ヒ
ドロキシルアミン溶液及び純水をレジスト剥離新液とほ
ぼ同等の濃度となるように適正な流量比において、流量
調節弁２４、２５、２７により弁開度を調節して送液し
てもよい。ついで、吸光光度計１５が建浴レジスト剥離
液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器３０の出力信
号により、レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液
及び純水の少なくとも一つが適正な微少流量において、
流量調節弁２４、２５及び２７の少なくとも一つにより
弁開度を調節して送液され、目標値のヒドロキシルアミ
ン濃度になるよう自動制御される。Next, the functional relationship of the control system intended by the device of the second embodiment shown in FIG. 2 will be described. This embodiment is mainly applied to a case where a stripper having a low water concentration of the resist stripper is used, or a case where the control of the hydroxylamine concentration is important in the resist stripping process. When the resist stripping tank 1 is empty, for example, at least one of a resist stripping stock solution, a hydroxylamine solution, pure water, and a pre-mixed resist stripping solution is supplied to the flow control valves 24 and 25 by manual operation. ,
The liquids are fed by 26 and 27, respectively, to bring the liquid level to a predetermined position. Usually, a new resist stripping solution prepared in advance by manual operation is sent. In addition, the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution and pure water were supplied at an appropriate flow ratio so that the valve opening was adjusted by the flow rate control valves 24, 25, and 27 so that the concentrations were substantially the same as those of the new resist stripping solution. May be. Next, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the building bath resist stripping solution, and according to the output signal of the absorbance controller 30, at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water has an appropriate minute flow rate,
The liquid is sent by adjusting the valve opening by at least one of the flow control valves 24, 25, and 27, and is automatically controlled to a target value of the hydroxylamine concentration.

【００４３】レジスト剥離処理に伴い、水分濃度の下
降、ヒドロキシルアミン濃度の下降、基板の持ち出しに
よる液の減量及び溶解レジスト濃縮が進行する。ヒドロ
キシルアミン濃度下降の場合は、吸光光度計１５がレジ
スト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器３０
の出力信号により、ヒドロキシルアミン溶液が適正な微
少流量において流量調節弁２５により弁開度を調節して
送液され、目標値のヒドロキシルアミン濃度になるよう
自動制御される。また、ヒドロキシルアミン濃度下降の
場合は水分濃度も下降するので、吸光度制御器３０の出
力信号により、純水が適正な微少流量において流量調節
弁２７により弁開度を調節して送液され、所定範囲の水
分濃度になるような自動制御機構を付加しても良い。With the resist stripping process, a decrease in the water concentration, a decrease in the hydroxylamine concentration, a reduction in the amount of liquid due to the removal of the substrate, and a concentration of the dissolved resist proceed. In the case of a decrease in the hydroxylamine concentration, the absorbance meter 15 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the absorbance controller 30
The hydroxylamine solution is sent by adjusting the valve opening by the flow control valve 25 at an appropriate minute flow rate according to the output signal of (1), and is automatically controlled so that the hydroxylamine concentration reaches the target value. In addition, in the case of a decrease in the concentration of hydroxylamine, the water concentration also decreases. Therefore, the pure water is supplied by adjusting the valve opening degree by the flow control valve 27 at an appropriate minute flow rate by the output signal of the absorbance controller 30, and An automatic control mechanism for providing a moisture concentration in a range may be added.

【００４４】溶解レジスト濃度が濃縮されて劣化限界値
に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器３１の出力信号により予め調合
したレジスト剥離新液が流量調節弁２６から送液され
る。なお、レジスト剥離新液を送液する代わりに、吸光
度制御器３１の出力信号により、レジスト剥離原液、ヒ
ドロキシルアミン溶液及び純水を所定の調合濃度となる
ように適正な流量比において、流量調節弁２４、２５、
２７により弁開度を調節して送液しても良い。その結
果、新鮮な補給液が補給され、溶解レジスト濃度は劣化
限界値に希釈されることでレジスト剥離性能が回復す
る。液面レベルは、オーバーフロー用の堰の位置付近に
あり、補給液が補給されたときは、オーバーフロー用の
堰から劣化したレジスト剥離液がオーバーフローする。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベルは
オーバーフロー用の堰の位置より若干低下する。When the concentration of the dissolved resist reaches the deterioration limit value due to concentration, the absorptiometer 16 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripping solution and detects that the concentration exceeds the deterioration limit value. According to the output signal of 31, a new resist stripping solution prepared in advance is sent from the flow control valve 26. Instead of sending a new resist stripping solution, the flow rate adjusting valve is controlled by an output signal of the absorbance controller 31 at an appropriate flow ratio so that the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water have a predetermined compounding concentration. 24, 25,
The liquid may be sent by adjusting the valve opening degree by using 27. As a result, a fresh replenishing solution is replenished, and the dissolved resist concentration is diluted to a deterioration limit value, thereby recovering the resist peeling performance. The liquid level is near the position of the overflow weir, and when the replenishing liquid is replenished, the deteriorated resist stripper overflows from the overflow weir.
When the amount of liquid is reduced by taking out the substrate, the liquid level is slightly lower than the position of the overflow weir.

【００４５】次に、図３に示す実施の第３形態の装置が
意図した制御系統の機能的関連について述べる。本実施
形態は、主として、レジスト剥離液の水分濃度が大きい
剥離液を使用する場合、又はレジスト剥離処理において
水分濃度の管理が重要な場合などに適用される。レジス
ト剥離処理槽１が空の建浴時においては、例えば、手動
操作により、レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶
液、純水及び予め調合したレジスト剥離新液の少なくと
も一つを、流量調節弁２４、２５、２６、２７によりそ
れぞれ送液し、液面レベルを所定位置にする。通常は、
手動操作により予め調合したレジスト剥離新液が送液さ
れる。なお、レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶
液及び純水をレジスト剥離新液とほぼ同等の濃度となる
ように適正な流量比において、流量調節弁２４、２５、
２７により弁開度を調節して送液してもよい。ついで、
吸光光度計１７が建浴レジスト剥離液の吸光度を連続測
定して、吸光度制御器３２の出力信号により、レジスト
剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水の少なくと
も一つが適正な微少流量において、流量調節弁２４、２
５及び２７の少なくとも一つにより弁開度を調節して送
液され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。Next, the functional relationship of the control system intended by the device of the third embodiment shown in FIG. 3 will be described. The present embodiment is mainly applied to a case where a stripper having a high water concentration of the resist stripper is used, or a case where the control of the water concentration is important in the resist stripping process. When the resist stripping tank 1 is empty, for example, at least one of a resist stripping stock solution, a hydroxylamine solution, pure water, and a pre-mixed resist stripping solution is supplied to the flow control valves 24 and 25 by manual operation. , 26, and 27, respectively, to bring the liquid level to a predetermined position. Normally,
A new resist stripping solution prepared in advance by manual operation is sent. The flow rate control valves 24, 25, and the resist stripping solution, the hydroxylamine solution, and the pure water were adjusted at an appropriate flow rate ratio so as to have a concentration substantially equal to that of the new resist stripping solution.
The liquid may be sent by adjusting the valve opening degree by 27. Then
The absorptiometer 17 continuously measures the absorbance of the bath stripping resist, and at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water is adjusted to a flow rate control valve at an appropriate minute flow rate by the output signal of the absorbance controller 32. 24, 2
The liquid is fed by adjusting the valve opening by at least one of 5 and 27, and is automatically controlled to reach the target moisture concentration.

【００４６】レジスト剥離処理に伴い、水分濃度の下
降、ヒドロキシルアミン濃度の下降、基板の持ち出しに
よる液の減量及び溶解レジスト濃縮が進行する。水分濃
度下降の場合は、吸光光度計１７がレジスト剥離液の吸
光度を連続測定して、吸光度制御器３２の出力信号によ
り、純水が適正な微少流量において流量調節弁２７によ
り弁開度を調節して送液され、目標値の水分濃度になる
よう自動制御される。また、水分濃度下降の場合はヒド
ロキシルアミン濃度も下降するので、吸光度制御器３２
の出力信号により、ヒドロキシルアミン溶液が適正な微
少流量において流量調節弁２５により弁開度を調節して
送液され、所定範囲のヒドロキシルアミン濃度になるよ
うな自動制御機構を付加しても良い。With the resist stripping process, a decrease in the water concentration, a decrease in the hydroxylamine concentration, a reduction in the amount of the liquid due to the removal of the substrate, and a concentration of the dissolved resist proceed. In the case of a decrease in the water concentration, the absorbance photometer 17 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 32 adjusts the valve opening by the flow control valve 27 at an appropriate minute flow rate of pure water. The liquid is then sent and is automatically controlled to reach the target moisture concentration. In the case of a decrease in the water concentration, the concentration of the hydroxylamine also decreases.
An automatic control mechanism may be added so that the hydroxylamine solution is sent by adjusting the valve opening by the flow control valve 25 at an appropriate minute flow rate according to the output signal of the above, and the hydroxylamine concentration falls within a predetermined range.

【００４７】溶解レジスト濃度が濃縮されて劣化限界値
に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器３１の出力信号により予め調合
したレジスト剥離新液が流量調節弁２６から送液され
る。なお、レジスト剥離新液を送液する代わりに、吸光
度制御器３１の出力信号により、レジスト剥離原液、ヒ
ドロキシルアミン溶液及び純水を所定の調合濃度となる
ように適正な流量比において、流量調節弁２４、２５、
２７により弁開度を調節して送液しても良い。その結
果、新鮮な補給液が補給され、溶解レジスト濃度は劣化
限界値に希釈されることでレジスト剥離性能が回復す
る。液面レベルは、オーバーフロー用の堰の位置付近に
あり、補給液が補給されたときは、オーバーフロー用の
堰から劣化したレジスト剥離液がオーバーフローする。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベルは
オーバーフロー用の堰の位置より若干低下する。When the concentration of the dissolved resist reaches the deterioration limit value due to concentration, the absorptiometer 16 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripping solution and detects that the concentration exceeds the deterioration limit value. According to the output signal of 31, a new resist stripping solution prepared in advance is sent from the flow control valve 26. Instead of sending a new resist stripping solution, the flow rate adjusting valve is controlled by an output signal of the absorbance controller 31 at an appropriate flow ratio so that the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water have a predetermined compounding concentration. 24, 25,
The liquid may be sent by adjusting the valve opening degree by using 27. As a result, a fresh replenishing solution is replenished, and the dissolved resist concentration is diluted to a deterioration limit value, thereby recovering the resist peeling performance. The liquid level is near the position of the overflow weir, and when the replenishing liquid is replenished, the deteriorated resist stripper overflows from the overflow weir.
When the amount of liquid is reduced by taking out the substrate, the liquid level is slightly lower than the position of the overflow weir.

【００４８】次に、図４に示す実施の第４形態の装置が
意図した制御系統の機能的関連について述べる。本実施
形態は、主として、レジストの溶け込み量の小さい基板
を処理する場合、又は補給液量が大きく溶解レジスト濃
度が上昇しない場合などに適用される。レジスト剥離処
理槽１が空の建浴時においては、例えば、手動操作によ
り、レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液、純水
及び予め調合したレジスト剥離新液の少なくとも一つ
を、流量調節弁２４、２５、２６、２７によりそれぞれ
送液し、液面レベルを所定位置にする。通常は、手動操
作により予め調合したレジスト剥離新液が送液される。
なお、レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び
純水をレジスト剥離新液とほぼ同等の濃度となるように
適正な流量比において、流量調節弁２４、２５、２７に
より弁開度を調節して送液してもよい。ついで、吸光光
度計１５が建浴レジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器３０の出力信号により、レジスト剥離
原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水の少なくとも一
つが適正な微少流量において、流量調節弁２４、２５及
び２７の少なくとも一つにより弁開度を調節して送液さ
れ、目標値のヒドロキシルアミン濃度になるよう自動制
御される。また、吸光光度計１７が建浴レジスト剥離液
の吸光度を連続測定して、吸光度制御器３２の出力信号
により、レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及
び純水の少なくとも一つが適正な微少流量において、流
量調節弁２４、２５及び２７の少なくとも一つにより弁
開度を調節して送液され、目標値の水分濃度になるよう
自動制御される。Next, the functional relationship of the control system intended by the device of the fourth embodiment shown in FIG. 4 will be described. The present embodiment is mainly applied to a case where a substrate having a small amount of resist dissolved therein is processed, or a case where the amount of the replenishing solution is large and the concentration of the dissolved resist does not increase. When the resist stripping tank 1 is empty, for example, at least one of a resist stripping stock solution, a hydroxylamine solution, pure water, and a pre-mixed resist stripping solution is supplied to the flow control valves 24 and 25 by manual operation. , 26, and 27, respectively, to bring the liquid level to a predetermined position. Usually, a new resist stripping solution prepared in advance by manual operation is sent.
In addition, the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution and pure water were supplied at an appropriate flow ratio so that the valve opening was adjusted by the flow rate control valves 24, 25, and 27 so that the concentrations were substantially the same as those of the new resist stripping solution. May be. Then, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the building bath resist stripping solution, and at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water is flowed at an appropriate minute flow rate by the output signal of the absorbance controller 30. The liquid is sent by adjusting the valve opening by at least one of the control valves 24, 25, and 27, and is automatically controlled so that the hydroxylamine concentration reaches a target value. Further, the absorptiometer 17 continuously measures the absorbance of the building bath resist stripping solution, and at least one of the resist stripping solution, the hydroxylamine solution and the pure water flows at an appropriate minute flow rate according to the output signal of the absorbance controller 32. The liquid is sent by adjusting the valve opening by at least one of the control valves 24, 25, and 27, and is automatically controlled to reach the target moisture concentration.

【００４９】レジスト剥離処理に伴い、水分濃度の下
降、ヒドロキシルアミン濃度の下降、基板の持ち出しに
よる液の減量及び溶解レジスト濃縮が進行する。水分濃
度下降の場合は、吸光光度計１７がレジスト剥離液の吸
光度を連続測定して、吸光度制御器３２の出力信号によ
り、純水が適正な微少流量において流量調節弁２７によ
り弁開度を調節して送液され、目標値の水分濃度になる
よう自動制御される。ヒドロキシルアミン濃度下降の場
合は、吸光光度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続
測定して、吸光度制御器３０の出力信号により、ヒドロ
キシルアミン溶液が適正な微少流量において流量調節弁
２５により弁開度を調節して送液され、目標値のヒドロ
キシルアミン濃度になるよう自動制御される。With the resist stripping process, a decrease in the water concentration, a decrease in the hydroxylamine concentration, a reduction in the amount of liquid due to the removal of the substrate, and a concentration of the dissolved resist proceed. In the case of a decrease in the water concentration, the absorbance photometer 17 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 32 adjusts the valve opening by the flow control valve 27 at an appropriate minute flow rate of pure water. The liquid is then sent and is automatically controlled to reach the target moisture concentration. In the case of a decrease in the concentration of hydroxylamine, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 30 allows the hydroxylamine solution to open at an appropriate minute flow rate by the flow control valve 25 at an appropriate small flow rate. Is adjusted, and the liquid is automatically controlled so that the hydroxylamine concentration reaches a target value.

【００５０】次に、図５に示す実施の第５形態の装置が
意図した制御系統の機能的関連について述べる。本実施
形態は、主として、水分濃度、ヒドロキシルアミン濃度
及び溶解レジスト濃度のいずれもが重要な管理項目の場
合などに適用される。レジスト剥離処理槽１が空の建浴
時においては、例えば、手動操作により、レジスト剥離
原液、ヒドロキシルアミン溶液、純水及び予め調合した
レジスト剥離新液の少なくとも一つを、流量調節弁２
４、２５、２６、２７によりそれぞれ送液し、液面レベ
ルを所定位置にする。通常は、手動操作により予め調合
したレジスト剥離新液が送液される。なお、レジスト剥
離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水をレジスト剥
離新液とほぼ同等の濃度となるように適正な流量比にお
いて、流量調節弁２４、２５、２７により弁開度を調節
して送液してもよい。ついで、吸光光度計１５が建浴レ
ジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器３
０の出力信号により、レジスト剥離原液、ヒドロキシル
アミン溶液及び純水の少なくとも一つが適正な微少流量
において、流量調節弁２４、２５及び２７の少なくとも
一つにより弁開度を調節して送液され、目標値のヒドロ
キシルアミン濃度になるよう自動制御される。また、吸
光光度計１７が建浴レジスト剥離液の吸光度を連続測定
して、吸光度制御器３２の出力信号により、レジスト剥
離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水の少なくとも
一つが適正な微少流量において、流量調節弁２４、２５
及び２７の少なくとも一つにより弁開度を調節して送液
され、目標値の水分濃度になるよう自動制御される。Next, the functional relationship of the control system intended by the device of the fifth embodiment shown in FIG. 5 will be described. This embodiment is mainly applied to a case where all of the moisture concentration, hydroxylamine concentration and dissolved resist concentration are important management items. When the resist stripping tank 1 is empty, for example, at least one of a resist stripping solution, a hydroxylamine solution, pure water and a pre-mixed resist stripping solution is supplied to the flow control valve 2 by manual operation.
The liquids are sent by 4, 25, 26 and 27, respectively, and the liquid level is set to a predetermined position. Usually, a new resist stripping solution prepared in advance by manual operation is sent. In addition, the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution and pure water were supplied at an appropriate flow ratio so that the valve opening was adjusted by the flow rate control valves 24, 25, and 27 so that the concentrations were substantially the same as those of the new resist stripping solution. May be. Next, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the building bath resist stripping solution, and the absorbance controller 3
With the output signal of 0, at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water is sent at an appropriate minute flow rate by adjusting the valve opening by at least one of the flow control valves 24, 25 and 27, It is automatically controlled to the target value of hydroxylamine concentration. Further, the absorptiometer 17 continuously measures the absorbance of the building bath resist stripping solution, and at least one of the resist stripping solution, the hydroxylamine solution and the pure water flows at an appropriate minute flow rate according to the output signal of the absorbance controller 32. Control valves 24, 25
And the liquid is sent by adjusting the valve opening degree by at least one of the steps (a) and (b), and is automatically controlled so as to reach the target moisture concentration.

【００５１】レジスト剥離処理に伴い、水分濃度の下
降、ヒドロキシルアミン濃度の下降、基板の持ち出しに
よる液の減量及び溶解レジスト濃縮が進行する。水分濃
度下降の場合は、吸光光度計１７がレジスト剥離液の吸
光度を連続測定して、吸光度制御器３２の出力信号によ
り、純水が適正な微少流量において流量調節弁２７によ
り弁開度を調節して送液され、目標値の水分濃度になる
よう自動制御される。ヒドロキシルアミン濃度下降の場
合は、吸光光度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続
測定して、吸光度制御器３０の出力信号により、ヒドロ
キシルアミン溶 液が適正な微少流量において流量調節
弁２５により弁開度を調節して送液され、目標値のヒド
ロキシルアミン濃度になるよう自動制御される。With the resist stripping process, a decrease in the water concentration, a decrease in the hydroxylamine concentration, a reduction in the amount of liquid due to the removal of the substrate, and a concentration of the dissolved resist proceed. In the case of a decrease in the water concentration, the absorbance photometer 17 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 32 adjusts the valve opening by the flow control valve 27 at an appropriate minute flow rate of pure water. The liquid is then sent and is automatically controlled to reach the target moisture concentration. In the case of a decrease in the concentration of hydroxylamine, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 30 allows the hydroxylamine solution to be opened by the flow control valve 25 at an appropriate minute flow rate. The liquid is sent at an adjusted degree, and is automatically controlled to reach the target hydroxylamine concentration.

【００５２】溶解レジスト濃度が濃縮されて劣化限界値
に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器３１の出力信号により予め調合
したレジスト剥離新液が流量調節弁２６から送液され
る。なお、レジスト剥離新液を送液する代わりに、吸光
度制御器３１の出力信号により、レジスト剥離原液、ヒ
ドロキシルアミン溶液及び純水を所定の調合濃度となる
ように適正な流量比において、流量調節弁２４、２５、
２７により弁開度を調節して送液しても良い。その結
果、新鮮な補給液が補給され、溶解レジスト濃度は劣化
限界値に希釈されることでレジスト剥離性能が回復す
る。液面レベルは、オーバーフロー用の堰の位置付近に
あり、補給液が補給されたときは、オーバーフロー用の
堰から劣化したレジスト剥離液がオーバーフローする。
基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面レベルは
オーバーフロー用の堰の位置より若干低下する。When the concentration of the dissolved resist reaches the deterioration limit value due to concentration, the absorptiometer 16 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripping solution and detects that the concentration exceeds the deterioration limit value. According to the output signal of 31, a new resist stripping solution prepared in advance is sent from the flow control valve 26. Instead of sending a new resist stripping solution, the flow rate adjusting valve is controlled by an output signal of the absorbance controller 31 at an appropriate flow ratio so that the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water have a predetermined compounding concentration. 24, 25,
The liquid may be sent by adjusting the valve opening degree by using 27. As a result, a fresh replenishing solution is replenished, and the dissolved resist concentration is diluted to a deterioration limit value, thereby recovering the resist peeling performance. The liquid level is near the position of the overflow weir, and when the replenishing liquid is replenished, the deteriorated resist stripper overflows from the overflow weir.
When the amount of liquid is reduced by taking out the substrate, the liquid level is slightly lower than the position of the overflow weir.

【００５３】次に、図６に示す実施の第６形態の装置に
ついて述べる。本実施形態は、主として、一般的にレジ
ストの溶け込み量の小さいシリコンウエハーをカセット
に配列して処理する場合などに適用される。その制御系
統の機能的関連については、図４の場合と同様である。
本発明者は、以上のように各制御機能に基づく結果を相
互補完的な関連で運用することによって、総合的にレジ
スト剥離性能の回復、連続操業、及びレジスト剥離液使
用量の削減を容易に実現することができることを実験に
より確認した。Next, an apparatus according to a sixth embodiment shown in FIG. 6 will be described. The present embodiment is mainly applied to a case where a silicon wafer having a small amount of resist dissolved therein is generally processed in a cassette. The functional relationship of the control system is the same as in FIG.
The present inventor can easily recover the resist stripping performance, continuously operate, and reduce the amount of the resist stripping liquid to be used comprehensively by operating the results based on the respective control functions in a mutually complementary relationship as described above. Experiments have shown that this can be achieved.

【００５４】次に、概念的理解のために、本発明と従来
法の操業パターンの効果の比較を図１２〜図１７に示
す。従来法では、図１２に示すようにスタート時の水分
濃度が、例えば２５．０wt％で、その濃度が時間の経過
につれて下降して、例えば１０．０wt％（化学分析値）
に達したときに液交換を行なっていた。この場合、水分
濃度の経時変化は鋸歯状になり、その濃度に変化幅が生
じるので、レジスト剥離性能が一定しなかった。しか
し、本発明の装置を用いれば、図１３に示すように水分
濃度は時間が経過しても、例えば２４．０±１．０wt％
で一定であり、レジスト剥離性能が安定するとともに、
液交換作業の必要もなくなる。Next, for conceptual understanding, FIGS. 12 to 17 show a comparison of the effects of the operation patterns of the present invention and the conventional method. In the conventional method, as shown in FIG. 12, the water concentration at the start is, for example, 25.0 wt%, and the concentration decreases as time passes, for example, 10.0 wt% (chemical analysis value).
Was reached when the liquid reached. In this case, the temporal change of the water concentration was saw-toothed, and the range of the change occurred, so that the resist stripping performance was not constant. However, using the apparatus of the present invention, as shown in FIG.
And the resist stripping performance is stable,
There is no need to change the liquid.

【００５５】また、従来法では、図１４に示すようにス
タート時のヒドロキシルアミン濃度が、例えば７．０wt
％で、その濃度が時間の経過につれて下降して、例えば
２．０wt％（化学分析値）に達したときに液交換を行な
っていた。この場合、ヒドロキシルアミン濃度の経時変
化は鋸歯状になり、その濃度に変化幅が生じるので、レ
ジスト剥離性能が一定しなかった。しかし、本発明の装
置を用いれば、図１５に示すようにヒドロキシルアミン
濃度は時間が経過しても、例えば６．０±１．０wt％で
一定であり、レジスト剥離性能が安定するとともに、液
交換作業の必要もなくなる。Further, in the conventional method, as shown in FIG. 14, the hydroxylamine concentration at the start is, for example, 7.0 wt.
%, The liquid exchange was performed when the concentration decreased with time and reached, for example, 2.0 wt% (chemical analysis value). In this case, the change with time of the hydroxylamine concentration became a saw-tooth shape, and the change range of the concentration occurred, so that the resist stripping performance was not constant. However, when the apparatus of the present invention is used, as shown in FIG. 15, the concentration of hydroxylamine is constant at, for example, 6.0 ± 1.0 wt% even after a lapse of time. There is no need for replacement work.

【００５６】さらに、従来法では、図１６に示すよう
に、スタート時から溶解レジスト濃度が時間の経過とと
もに増加し、この濃度がレジスト剥離性能を低下させる
領域値に達して液交換を行なっていた。この場合、図１
６に示すように、溶解レジスト濃度の経時変化は鋸歯状
になり、溶解レジスト濃度の変化幅が生じるので、レジ
スト剥離性能が一定しなかった。しかし、本発明の装置
を用いれば、図１７に示すように、溶解レジスト濃度は
ある時間の経過後は一定となり、従って、レジスト剥離
性能が安定するとともに、液交換作業の必要もなくな
る。なお、以上において、本発明は、レジスト剥離液と
してＭＥＡ、ＢＤＧ、ヒドロキシルアミン及び純水の溶
液を使用した場合に限らず、レジスト剥離液として有機
アルカリとヒドロキシルアミンと純水の溶液、有機溶剤
とヒドロキシルアミンと純水の溶液、有機アルカリと有
機溶剤とヒドロキシルアミンと純水の溶液、有機アルカ
リと有機溶剤とヒドロキシルアミンと純水と添加剤の溶
液、あるいはこれらの溶液において、純水がほとんど含
まれない溶液を使用した場合などにも適用できる。Further, in the conventional method, as shown in FIG. 16, the dissolved resist concentration increases with the elapse of time from the start, and this concentration reaches a region value that reduces the resist stripping performance, and the liquid exchange is performed. . In this case, FIG.
As shown in FIG. 6, the temporal change of the dissolved resist concentration was saw-toothed, and the range of change of the dissolved resist concentration occurred, so that the resist stripping performance was not constant. However, when the apparatus of the present invention is used, as shown in FIG. 17, the concentration of the dissolved resist becomes constant after a lapse of a certain time, so that the resist stripping performance is stabilized and the necessity of the liquid exchange work is eliminated. In the above, the present invention is not limited to the case where a solution of MEA, BDG, hydroxylamine and pure water is used as a resist stripping solution, but a solution of an organic alkali, hydroxylamine and pure water, and an organic solvent as a resist stripping solution. A solution of hydroxylamine and pure water, a solution of organic alkali and organic solvent and hydroxylamine and pure water, a solution of organic alkali and organic solvent and hydroxylamine, pure water and additives, or almost all pure water in these solutions It is also applicable to the case where a solution that is not used is used.

【００５７】[0057]

【発明の効果】本発明は、上記のように構成されている
ので、つぎのような効果を奏する。 （１） 本発明を、半導体や液晶基板のレジスト剥離工
程に適用することにより、レジストヒドロキシルアミン
系剥離液の水分濃度、ヒドロキシルアミン濃度及び溶解
レジスト濃度を、リアルタイムで連続的に監視すること
ができ、所定濃度に一定に精度よく制御することができ
る。そのため、基板のレジスト剥離性能も安定化して製
品の歩留りが大幅に向上する。また、レジストヒドロキ
シルアミン系剥離液が、通常の使用状態では引火点を有
しないという安全性を確保しながら、安定した液面レベ
ルにおいて長時間の連続操業を可能にする。 （２） 安価なレジスト剥離液を使用してその品質を一
定に制御すること及び連続操業が可能になることによ
り、液交換のダウンタイムと無駄な廃棄が無くなり、液
使用量と剥離液コストの大幅削減、稼動率の向上による
生産性の大幅な向上、無人化による労務コストの低減な
ど総合的効果も達成できる。 （３） ヒドロキシルアミン濃度が所定の値に制御され
るので、基板に付着しているシリコン酸化物やアルミ酸
化物などを確実に除去することができる。そのため、剥
離残渣及び金属酸化物残渣が発生せず、不良品がほとん
ど発生しない。 （４） 従来の有機アルカリと有機溶媒とを組み合わせ
たレジスト剥離液を用いる場合は、基板の処理温度とし
て８０℃前後を必要としたが、本発明の装置において
は、適量のヒドロキシルアミンが含まれるので、基板の
処理温度を４０℃前後に低下させることができる。その
ため、基板や半導体回路を形成する下地メタルへのダメ
ージを減少させることができる。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. (1) By applying the present invention to a resist stripping step of a semiconductor or a liquid crystal substrate, a resist hydroxylamine
The water concentration, hydroxylamine concentration and dissolved resist concentration of the system stripping solution can be continuously monitored in real time, and the concentration can be controlled to a predetermined concentration with high accuracy. Therefore, the resist stripping performance of the substrate is also stabilized, and the yield of the product is greatly improved. Also, resist hydroxy
The silamine-based stripping solution enables continuous operation for a long time at a stable liquid level while ensuring the safety that the silamine-based stripping solution does not have a flash point under normal use conditions. (2) By using an inexpensive resist stripper to control its quality to a constant level and to enable continuous operation, there is no need for downtime for liquid replacement and wasteful disposal, and the amount of liquid used and stripper cost are reduced. The overall effect can be achieved, such as a drastic reduction in productivity, a significant improvement in productivity due to an increase in the operation rate, and a reduction in labor costs due to unmanned operation. (3) Since the hydroxylamine concentration is controlled to a predetermined value, silicon oxide, aluminum oxide, and the like adhering to the substrate can be reliably removed. Therefore, no peeling residue and no metal oxide residue are generated, and almost no defective products are generated. (4) When a conventional resist stripping solution combining an organic alkali and an organic solvent is used, a processing temperature of the substrate of about 80 ° C. is required. However, the apparatus of the present invention contains an appropriate amount of hydroxylamine. Therefore, the processing temperature of the substrate can be reduced to about 40 ° C. Therefore, it is possible to reduce damage to the base metal for forming the substrate and the semiconductor circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の第１形態によるレジスト剥離液
管理装置の系統図である。FIG. 1 is a system diagram of a resist stripping liquid management device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施の第２形態によるレジスト剥離液
管理装置の系統図である。FIG. 2 is a system diagram of a resist stripping liquid management device according to a second embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施の第３形態によるレジスト剥離液
管理装置の系統図である。FIG. 3 is a system diagram of a resist stripping liquid management device according to a third embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施の第４形態によるレジスト剥離液
管理装置の系統図である。FIG. 4 is a system diagram of a resist stripping liquid management device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図５】本発明の実施の第５形態によるレジスト剥離液
管理装置の系統図である。FIG. 5 is a system diagram of a resist stripping liquid management device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図６】本発明の実施の第６形態によるレジスト剥離液
管理装置の系統図である。FIG. 6 is a system diagram of a resist stripping liquid management device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図７】本発明に係わるレジスト剥離液の水分濃度と吸
光度との関係を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the water concentration and the absorbance of the resist stripping solution according to the present invention.

【図８】本発明に係わるレジスト剥離液のヒドロキシル
アミン濃度と吸光度との関係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between hydroxylamine concentration and absorbance of a resist stripping solution according to the present invention.

【図９】本発明におけるレジスト剥離液を用いた場合の
レジスト剥離処理枚数と溶解レジスト濃度との関係を示
す操業例のグラフである。FIG. 9 is a graph of an operation example showing the relationship between the number of resist stripping treatments and the dissolved resist concentration when a resist stripping solution according to the present invention is used.

【図１０】本発明に係わるレジスト剥離処理枚数と溶解
レジスト濃度測定用の吸光度との関係を示すグラフであ
る。FIG. 10 is a graph showing the relationship between the number of resist stripping treatments and the absorbance for measuring the concentration of dissolved resist according to the present invention.

【図１１】本発明に係わるレジスト剥離液の溶解レジス
ト濃度と吸光度との関係を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the relationship between the dissolved resist concentration of a resist stripping solution and the absorbance according to the present invention.

【図１２】従来法における水分濃度と操業時間との関係
を示すグラフである。FIG. 12 is a graph showing the relationship between the water concentration and the operation time in the conventional method.

【図１３】本発明の装置を用いた場合における水分濃度
と操業時間との関係を示すグラフである。FIG. 13 is a graph showing a relationship between a water concentration and an operation time when the apparatus of the present invention is used.

【図１４】従来法におけるヒドロキシルアミン濃度と操
業時間との関係を示すグラフである。FIG. 14 is a graph showing the relationship between hydroxylamine concentration and operation time in a conventional method.

【図１５】本発明の装置を用いた場合におけるヒドロキ
シルアミン濃度と操業時間との関係を示すグラフであ
る。FIG. 15 is a graph showing the relationship between hydroxylamine concentration and operation time when the apparatus of the present invention is used.

【図１６】従来法における溶解レジスト濃度と操業時間
との関係を示すグラフである。FIG. 16 is a graph showing the relationship between the dissolved resist concentration and the operation time in the conventional method.

【図１７】本発明の装置を用いた場合における溶解レジ
スト濃度と操業時間との関係を示すグラフである。FIG. 17 is a graph showing a relationship between a dissolved resist concentration and an operation time when the apparatus of the present invention is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ レジスト剥離処理槽 ３ 液面レベル計 ５ ローラーコンベア ６ 基板 ７ レジスト剥離液スプレー ８ 送液ポンプ １１ 循環ポンプ １５ 吸光光度計 １６ 吸光光度計 １７ 吸光光度計 １９ 排出ポンプ ２０ レジスト剥離原液供給缶 ２１ ヒドロキシルアミン溶液供給缶 ２２ レジスト剥離新液供給缶 ２４ 原液流量調節弁 ２５ ヒドロキシルアミン溶液流量調節弁 ２６ 新液流量調節弁 ２７ 純水流量調節弁 ２９ 液面レベル制御器 ３０ 吸光度制御器 ３１ 吸光度制御器 ３２ 吸光度制御器 ３３ カセット ３４ 基板（シリコンウエハー） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resist stripping processing tank 3 Liquid level meter 5 Roller conveyor 6 Substrate 7 Resist stripping liquid spray 8 Liquid feed pump 11 Circulation pump 15 Absorbance meter 16 Absorbance meter 17 Absorbance meter 19 Discharge pump 20 Resist stripping stock solution supply can 21 Hydroxyl Amine solution supply can 22 Resist stripping new solution supply can 24 Raw solution flow control valve 25 Hydroxylamine solution flow control valve 26 New solution flow control valve 27 Pure water flow control valve 29 Liquid level controller 30 Absorbance controller 31 Absorbance controller 32 Absorbance controller 33 Cassette 34 Substrate (silicon wafer)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 修 東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長 瀬産業株式会社内 (72)発明者 西嶋 佳孝 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ電 子化学株式会社 兵庫工場内 (72)発明者 宝山 隆博 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ電 子化学株式会社 兵庫工場内 (56)参考文献 特開 平７−235487（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−325404（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−96911（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−54442（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−22261（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/42 H01L 21/306 H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Osamu Ogawa, Inventor Nagase Sangyo Co., Ltd., 5-1 Nihonbashi Kobunacho, Chuo-ku, Tokyo (72) Yoshitaka Nishijima 236 Nakai, Tatsuno-cho, Tatsuno-shi, Hyogo Nagase Electron Chemistry Inside the Hyogo Plant Co., Ltd. (72) Takahiro Takarayama 236 Nakai, Tatsuno-cho, Tatsuno-shi, Hyogo Nagase Electronic Chemical Co., Ltd. Inside the Hyogo Plant (56) References JP-A-7-235487 (JP, A) JP-A-7- 325404 (JP, A) JP-A-9-96911 (JP, A) JP-A-9-54442 (JP, A) JP-A-10-22261 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G03F 7/42 H01L 21/306 H01L 21/027

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 レジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン
溶液、純水及び予め調合したレジストヒドロキシルアミ
ン系剥離新液の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に
供給して液面調節機構により一定液面レベルに保つ液面
調節・液補給手段と、このレジスト剥離処理槽内のレジ
ストヒドロキシルアミン系剥離液のヒドロキシルアミン
濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥離原液、ヒ
ドロキシルアミン溶液及び純水の少なくとも一つをレジ
スト剥離処理槽に補給するヒドロキシルアミン濃度検出
・液補給手段とを備えたことを特徴とするレジスト剥離
液管理装置。1. A resist stripping solution, a hydroxylamine solution, pure water, and a premixed resist hydroxylamine.
Liquid level adjusting and liquid replenishing means for supplying at least one of a new type of new stripping solution to a resist stripping tank and maintaining the level at a constant level by a liquid level adjusting mechanism, and a resist hydroxylamine stripping in the resist stripping tank Hydroxylamine concentration detection and liquid replenishment means for detecting the hydroxylamine concentration of the solution with an absorptiometer and replenishing at least one of a resist stripping solution, a hydroxylamine solution and pure water to a resist stripping tank. Resist stripping liquid management device. 【請求項２】 レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロ
キシルアミン系剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計
により検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン
溶液、純水及び予め調合したレジストヒドロキシルアミ
ン系剥離新液の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に
補給するレジスト濃度検出・液補給手段と、レジスト剥
離処理槽内のレジストヒドロキシルアミン系剥離液のヒ
ドロキシルアミン濃度を吸光光度計により検出してレジ
スト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水の少な
くとも一つをレジスト剥離処理槽に補給するヒドロキシ
ルアミン濃度検出・液補給手段とを備えたことを特徴と
するレジスト剥離液管理装置。2. A resist hydrogel in a resist stripping tank.
The concentration of the dissolved resist in the xylamine-based stripping solution is detected by an absorptiometer, and the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution, pure water, and the previously prepared resist hydroxylamine
Concentration detection and liquid replenishment means for replenishing at least one of the new resist- based stripping solution into the resist stripping tank, and detecting the hydroxylamine concentration of the resist hydroxylamine-based stripping solution in the resist stripping tank with an absorptiometer A resist stripping liquid management device, comprising: a hydroxylamine concentration detecting / liquid replenishing means for supplying at least one of a resist stripping solution, a hydroxylamine solution, and pure water to a resist stripping tank. 【請求項３】 レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロ
キシルアミン系剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計
により検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン
溶液、純水及び予め調合したレジストヒドロキシルアミ
ン系剥離新液の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に
補給するレジスト濃度検出・液補給手段と、レジスト剥
離処理槽内のレジストヒドロキシルアミン系剥離液の水
分濃度を吸光光度計により検出してレジスト剥離原液、
ヒドロキシルアミン溶液及び純水の少なくとも一つをレ
ジスト剥離処理槽に補給する水分濃度検出・液補給手段
とを備えたことを特徴とするレジスト剥離液管理装置。3. A resist hydrogel in a resist stripping tank.
The concentration of the dissolved resist in the xylamine-based stripping solution is detected by an absorptiometer, and the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution, pure water, and the previously prepared resist hydroxylamine
And the resist concentration detection and replenishing means for replenishing the at least one emission based release new solution to the resist stripping processing tank, resist water concentration of the resist hydroxylamine based stripper resist stripping treatment tank detected by absorption photometer Stripping solution,
A resist stripping liquid management device, comprising: a water concentration detecting / liquid replenishing means for supplying at least one of a hydroxylamine solution and pure water to a resist stripping tank. 【請求項４】 レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロ
キシルアミン系剥離液のヒドロキシルアミン濃度を吸光
光度計により検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシル
アミン溶液及び純水の少なくとも一つをレジスト剥離処
理槽に補給するヒドロキシルアミン濃度検出・液補給手
段と、レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロキシルア
ミン系剥離液の水分濃度を吸光光度計により検出してレ
ジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水の少
なくとも一つをレジスト剥離処理槽に補給する水分濃度
検出・液補給手段とを備えたことを特徴とするレジスト
剥離液管理装置。4. A resist hydrogel in a resist stripping tank.
A hydroxylamine concentration detecting / liquid replenishing means for detecting the hydroxylamine concentration of the xylamine-based stripping solution with an absorptiometer and supplying at least one of a resist stripping solution, a hydroxylamine solution and pure water to a resist stripping tank; Resist hydroxyl group in processing tank
A water concentration detecting / liquid replenishing means for detecting the water concentration of the min-based stripping solution with an absorptiometer and supplying at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water to the resist stripping tank. Characteristic resist stripping liquid management device. 【請求項５】 レジスト剥離処理槽内のレジストヒドロ
キシルアミン系剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計
により検出してレジスト剥離原液、ヒドロキシルアミン
溶液、純水及び予め調合したレジストヒドロキシルアミ
ン系剥離新液の少なくとも一つをレジスト剥離処理槽に
補給するレジスト濃度検出・液補給手段と、レジスト剥
離処理槽内のレジストヒドロキシルアミン系剥離液のヒ
ドロキシルアミン濃度を吸光光度計により検出してレジ
スト剥離原液、ヒドロキシルアミン溶液及び純水の少な
くとも一つをレジスト剥離処理槽に補給するヒドロキシ
ルアミン濃度検出・液補給手段と、レジスト剥離処理槽
内のレジストヒドロキシルアミン系剥離液の水分濃度を
吸光光度計により検出してレジスト剥離原液、ヒドロキ
シルアミン溶液及び純水の少なくとも一つをレジスト剥
離処理槽に補給する水分濃度検出・液補給手段とを備え
たことを特徴とするレジスト剥離液管理装置。5. A resist hydrogel in a resist stripping tank.
The concentration of the dissolved resist in the xylamine-based stripping solution is detected by an absorptiometer, and the resist stripping stock solution, hydroxylamine solution, pure water, and the previously prepared resist hydroxylamine
Concentration detection and liquid replenishment means for replenishing at least one of the new resist- based stripping solution into the resist stripping tank, and detecting the hydroxylamine concentration of the resist hydroxylamine-based stripping solution in the resist stripping tank with an absorptiometer Hydroxylamine concentration detection and liquid replenishment means for replenishing at least one of the resist stripping solution, hydroxylamine solution and pure water to the resist stripping tank, and measuring the water concentration of the resist hydroxylamine-based stripping solution in the resist stripping tank by absorbance A resist stripping liquid management device, comprising: a water concentration detecting / liquid replenishing means for detecting and replenishing at least one of a resist stripping stock solution, a hydroxylamine solution and pure water to a resist stripping treatment tank.
JP09311403A 1997-10-27 1997-10-27 Resist stripper management system Expired - Fee Related JP3126690B2 (en)

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