JP2005210090A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005210090A5
JP2005210090A5 JP2004366464A JP2004366464A JP2005210090A5 JP 2005210090 A5 JP2005210090 A5 JP 2005210090A5 JP 2004366464 A JP2004366464 A JP 2004366464A JP 2004366464 A JP2004366464 A JP 2004366464A JP 2005210090 A5 JP2005210090 A5 JP 2005210090A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
forming
dielectric
conductive layer
annealing
capacitors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004366464A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005210090A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/005,350 external-priority patent/US7256980B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2005210090A publication Critical patent/JP2005210090A/ja
Publication of JP2005210090A5 publication Critical patent/JP2005210090A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (10)

  1. マグネシア、アルミナ、ガラス−セラミック、ジルコニア、アルミン酸マグネシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムからなる群から選択される少なくとも1種の材料を含むセラミック基板を提供する工程、
    第1導電層をセラミック基板の上に形成する工程であって、前記第1導電層は、ニッケル、銅、マンガン、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、金および銀からなる群から選択される少なくとも1種の金属を含む工程、
    第1導電層の上に誘電体を形成する工程、および
    誘電体の上に第2導電層を形成する工程
    を含み、
    前記誘電体を形成する工程が、第1導電層の上に誘電体層を形成する工程、および少なくとも800℃の温度でアニーリングする工程を含み、
    前記第1導電層、誘電体、および第2導電層がコンデンサーを形成する
    ことを特徴とする、1つまたはそれ以上の薄膜コンデンサーを基板上に作製する方法。
  2. アニーリングする工程は、結晶質チタン酸バリウムを含む誘電体をもたらすことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. アニーリングする工程は、
    約800〜1050℃の範囲の温度でアニールする工程、あるいは、10−6気圧未満の酸素分圧を有する環境または窒素雰囲気でアニールする工程
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 前記誘電体を形成する工程は、
    前記アニーリングする工程から得られる前記誘電体を再酸素化する工程、またはドープされた誘電体を形成する工程
    を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 前記誘電体を形成する工程は、
    厚さ約0.2〜2.0ミクロンの範囲の誘電体を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 前記第2電極層から複数の電極を形成する工程、それによって複数のコンデンサーを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 請求項1に記載の方法によって作製され、印刷配線板上に実装されることを特徴とする1つまたはそれ以上のコンデンサー。
  8. 請求項1に記載の方法によって作製され、集積回路基板上に実装されることを特徴とする1つまたはそれ以上のコンデンサー。
  9. 請求項1に記載の方法によって作製される1つまたはそれ以上のコンデンサーを含むことを特徴とする集積回路パッケージ。
  10. 請求項1に記載の方法によって作製される1つまたはそれ以上のコンデンサーを含むことを特徴とする集積受動装置。
JP2004366464A 2003-12-30 2004-12-17 セラミック上の薄膜コンデンサー Pending JP2005210090A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US53319503P 2003-12-30 2003-12-30
US11/005,350 US7256980B2 (en) 2003-12-30 2004-12-06 Thin film capacitors on ceramic

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005210090A JP2005210090A (ja) 2005-08-04
JP2005210090A5 true JP2005210090A5 (ja) 2007-11-29

Family

ID=34576103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004366464A Pending JP2005210090A (ja) 2003-12-30 2004-12-17 セラミック上の薄膜コンデンサー

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7256980B2 (ja)
EP (1) EP1551041B1 (ja)
JP (1) JP2005210090A (ja)
KR (1) KR100680107B1 (ja)
CN (1) CN1637973A (ja)
DE (1) DE602004005145T2 (ja)
TW (1) TW200527456A (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7539005B2 (en) * 2005-07-29 2009-05-26 Tdk Corporation Dielectric film production process and capacitor
JP4983134B2 (ja) * 2005-07-29 2012-07-25 Tdk株式会社 誘電体膜の製造方法及びコンデンサ
JP4956939B2 (ja) 2005-08-31 2012-06-20 Tdk株式会社 誘電体膜及びその製造方法
JP4670612B2 (ja) * 2005-11-30 2011-04-13 Tdk株式会社 誘電体素子とその製造方法
US7531416B2 (en) * 2005-12-21 2009-05-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film capacitors on ceramic interconnect substrates
US20080001271A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Flipped, stacked-chip IC packaging for high bandwidth data transfer buses
US20080010798A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Borland William J Thin film dielectrics with co-fired electrodes for capacitors and methods of making thereof
US20080037198A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 Borland William J Methods of forming individual formed-on-foil thin capacitors for embedding inside printed wiring boards and semiconductor packages
US7818855B2 (en) * 2006-11-10 2010-10-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of making thin-film capacitors on metal foil using thick top electrodes
US7841075B2 (en) * 2007-06-19 2010-11-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Methods for integration of thin-film capacitors into the build-up layers of a PWB
US20100284123A1 (en) * 2009-05-05 2010-11-11 Pulugurtha Markondeyaraj Systems and methods for fabricating high-density capacitors
US8084841B2 (en) * 2009-05-05 2011-12-27 Georgia Tech Research Systems and methods for providing high-density capacitors
CN104903982B (zh) * 2012-11-21 2018-08-17 3M创新有限公司 包括第一介电层和第二介电层的多层膜
WO2014081918A2 (en) * 2012-11-21 2014-05-30 3M Innovative Properties Company Multilayer film including first and second dielectric layers
CN103219318B (zh) * 2013-04-12 2015-07-08 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种耐高温的微波内匹配晶体管用mim电容及其制造方法
CN105261657B (zh) * 2015-10-30 2018-05-11 中国振华集团云科电子有限公司 一种mis薄膜电容器的制造工艺
WO2017127995A1 (en) * 2016-01-25 2017-08-03 Schott Glass Technologies (Suzhou) Co. Ltd. Article with high capacity per area and use of such article in finger-print sensors
CN106158373A (zh) * 2016-08-01 2016-11-23 合肥佳瑞林电子技术有限公司 一种薄膜电容器的制备方法
US10760156B2 (en) 2017-10-13 2020-09-01 Honeywell International Inc. Copper manganese sputtering target
US11035036B2 (en) 2018-02-01 2021-06-15 Honeywell International Inc. Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3138177A1 (de) * 1981-09-25 1983-04-14 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg "verfahren zur herstellung eines dielektrikums"
US4870539A (en) 1989-01-17 1989-09-26 International Business Machines Corporation Doped titanate glass-ceramic for grain boundary barrier layer capacitors
US5198269A (en) 1989-04-24 1993-03-30 Battelle Memorial Institute Process for making sol-gel deposited ferroelectric thin films insensitive to their substrates
WO1992019564A1 (en) 1991-05-01 1992-11-12 The Regents Of The University Of California Amorphous ferroelectric materials
US5614018A (en) 1991-12-13 1997-03-25 Symetrix Corporation Integrated circuit capacitors and process for making the same
US5271955A (en) 1992-04-06 1993-12-21 Motorola, Inc. Method for making a semiconductor device having an anhydrous ferroelectric thin film
US5348894A (en) * 1993-01-27 1994-09-20 Texas Instruments Incorporated Method of forming electrical connections to high dielectric constant materials
US5384294A (en) 1993-11-30 1995-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Sol-gel derived lead oxide containing ceramics
US5663088A (en) * 1995-05-19 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method of forming a Ta2 O5 dielectric layer with amorphous diffusion barrier layer and method of forming a capacitor having a Ta2 O5 dielectric layer and amorphous diffusion barrier layer
US6066581A (en) 1995-07-27 2000-05-23 Nortel Networks Corporation Sol-gel precursor and method for formation of ferroelectric materials for integrated circuits
JP3481807B2 (ja) * 1995-12-13 2003-12-22 京セラ株式会社 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ
US5843830A (en) * 1996-06-26 1998-12-01 Micron Technology, Inc. Capacitor, and methods for forming a capacitor
US5912044A (en) * 1997-01-10 1999-06-15 International Business Machines Corporation Method for forming thin film capacitors
US5910880A (en) * 1997-08-20 1999-06-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor circuit components and capacitors
US5962654A (en) 1998-01-30 1999-10-05 International Business Machines Operation Alkoxyalkoxides and use to form films
US6023407A (en) 1998-02-26 2000-02-08 International Business Machines Corporation Structure for a thin film multilayer capacitor
WO2001033588A1 (fr) * 1999-11-02 2001-05-10 Tdk Corporation Condensateur multicouche
US6727143B1 (en) * 1999-11-30 2004-04-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for reducing charge gain and charge loss when using an ARC layer in interlayer dielectric formation
US6339527B1 (en) * 1999-12-22 2002-01-15 International Business Machines Corporation Thin film capacitor on ceramic
US6404615B1 (en) * 2000-02-16 2002-06-11 Intarsia Corporation Thin film capacitors
US6541137B1 (en) 2000-07-31 2003-04-01 Motorola, Inc. Multi-layer conductor-dielectric oxide structure
US6611419B1 (en) 2000-07-31 2003-08-26 Intel Corporation Electronic assembly comprising substrate with embedded capacitors
JP2002260958A (ja) * 2000-12-28 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 板状コンデンサおよびその製造方法ならびにこのコンデンサを用いたチップサイズパッケージ
JP2002231575A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Kyocera Corp 薄膜コンデンサおよびコンデンサ基板
JP2003045742A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Kyocera Corp 薄膜コンデンサ
US6477034B1 (en) 2001-10-03 2002-11-05 Intel Corporation Interposer substrate with low inductance capacitive paths
JP3986859B2 (ja) * 2002-03-25 2007-10-03 富士通株式会社 薄膜キャパシタ及びその製造方法
US6818469B2 (en) * 2002-05-27 2004-11-16 Nec Corporation Thin film capacitor, method for manufacturing the same and printed circuit board incorporating the same
US7029971B2 (en) * 2003-07-17 2006-04-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thin film dielectrics for capacitors and methods of making thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005210090A5 (ja)
JP6351159B2 (ja) 積層セラミック電子部品及びその実装基板並びに製造方法
TWI277375B (en) Co-fired ceramic capacitor and method for forming ceramic capacitors or use in printed wiring boards
JP2008504690A (ja) ベース金属電極上の金属セラミックス薄膜
JP2014504800A (ja) 高性能マルチレイヤセラミックコンデンサの製造方法
KR100680107B1 (ko) 세라믹 상의 박막 축전기
JPS61288498A (ja) 電子部品内蔵多層セラミツク基板
KR100898974B1 (ko) 박막 커패시터, 적층구조물 및 그 제조방법
JP2000208943A (ja) 受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法
JP3955389B2 (ja) コンデンサ内蔵基板およびその製造方法
JP2002043758A (ja) 多層基板及びその製造方法
JPH06140737A (ja) 回路基板
JP2000223347A (ja) 受動セラミック素子
JPH04208591A (ja) セラミック・プリント配線板
KR20220095541A (ko) 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
JPS63122295A (ja) 電子部品内蔵多層セラミツク基板
JP2003040670A (ja) 高熱膨張磁器組成物、高熱膨張磁器およびその製造方法、並びに多層配線基板およびその実装構造
JP3246166B2 (ja) 薄膜コンデンサ
JP2007012772A (ja) 混成集積回路用基板
JPH05347227A (ja) 積層薄膜コンデンサ
JPS5943805B2 (ja) 電子部品の製法
JPS6092697A (ja) 複合積層セラミツク部品
JP2569716B2 (ja) 多層厚膜ic基板の製造法
JPH03220711A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JPS6089995A (ja) 複合積層セラミツク部品