JP2005209462A - 誘電体保護膜の処理方法及びプラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】誘電体層を保護すると共に、ＰＤＰの放電特性・ばらつきの改善を実現する誘電体保護膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、誘電体保護層を形成後、同一チャンバもしくは真空中を搬送可能な別チャンバにおいて、Ｃ，Ｆを含むガスのプラズマに曝して前記誘電体保護層表面をＣを含む堆積物で覆う工程を有することで解決できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、テレビやコンピュータ等の画像表示に用いられるプラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と称す）とその製造方法に関するものであり、特に誘電体保護膜の処理方法に関する。

従来のＡＣ型ＰＤＰの場合、その製造工程は、前面基板の形成工程、背面基板の形成工程及びこれらの組立工程に大別され、特に前面基板の形成工程は、電極の形成工程と、誘電体層の形成工程と、誘電体保護層の形成工程からなる。

この前面基板の構造の一例を図４を参照しながら以下に説明する。

図４において、ガラス基板４１上に電極４２、誘電体層４３を形成し、その上に、放電によるイオン衝突から誘電体層４３を保護するとともに、2次電子放出による蛍光体の発光を促進する目的で、誘電体保護層４４が形成されている。この誘電体保護層は、一般的には耐スパッタ性能に優れかつ、２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が広く用いられている。

しかしながら、ＭｇＯ膜は、大気中の水分（Ｈ₂Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ₂）と反応して水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウムなどの化合物を生成し、その化合物がＭｇＯ膜の表面に析出する。その表面に存在する化合物層４５の影響のため、初期放電特性のばらつきや劣化を招いたり、エージング工程に多量の時間を要したりするなどの問題が生じている。

そこで、特許文献１や特許文献２に開示されるように、誘電体保護層の上部にさらに第２の保護層を形成する方法が提案されている。これらの方法によれば、誘電体保護層の上部に、更にＳｉＮ，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，ＴｉＯ₂，ＭｇＦ₂などを成膜することで、誘電体保護層を水分や炭酸ガスの吸着から守り、かつエージング工程にてそのスパッタ性を利用して第２保護層を除去できるというものである。

また、特許文献３に開示されるように、誘電体保護層であるＭｇＯ表面をプラズマエッチングすることで、ＭｇＯの２次電子放出係数を向上させ、ＰＤＰの発光効率を改善する方法も提案されている。更に、特許文献４には、誘電体保護層の第２保護層として、フッ化物材料を主成分とするガス吸収防止膜を形成する方法が提案されている。
特許第３０７３４５１号公報 特開平１１−１４９８６５号公報 特許第３３３１９０７号公報 特開２０００−３４８６２６号公報

しかしながら、上記したように誘電体保護層にＳｉＮ，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，ＴｉＯ₂，ＭｇＦ₂などの第２保護層を形成した場合、パネルを組み立ててエージング工程で放電を行っても、その第２保護層はスパッタリングによってなかなか除去できず、その下の誘電体保護膜が露出するまでには多量のエージング時間が必要となってしまうことになる。

また、ＭｇＯ表面をプラズマエッチングすることによってＭｇＯの２次電子放出係数を向上させる場合には、プラズマエッチング後にＭｇＯ表面が大気に曝されることで空気中の水分や炭酸ガスが吸着してしまい、特に、プラズマ処理後は表面が活性化されているため、プラズマ処理されていないものと比較しても吸着量が増大し、エージング時間の増大や放電特性の劣化・ばらつき増大などの問題を引き起こしてしまうことになる。

本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、誘電体層を保護すると共に、ＰＤＰの放電特性・ばらつきの改善を実現する誘電体保護膜の処理方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本願第１の発明に係る請求項１に記載された誘電体保護膜の処理方法は、真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、誘電体保護層を形成後、同一チャンバもしくは真空中を搬送可能な別チャンバにおいて、Ｃ，Ｆを含むガスのプラズマに曝して前記誘電体保護層表面をＣを含む堆積物で覆う工程を有することを特徴とする。

また、本願第２の発明に係る請求項２に記載された誘電体保護膜の処理方法は、真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、誘電体保護層を形成後、前記誘電体層に対してプラズマによる表面処理を施したのち、そのまま同一チャンバもしくは真空中を搬送可能な別チャンバにてＣ，Ｆを含むガスのプラズマに曝して前記誘電体保護層表面をＣを含む堆積物で覆う工程を有することを特徴とする。

また、本願第３の発明に係る請求項３に記載された誘電体保護膜の処理方法は、真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、前記誘電体保護層を形成後、前記誘電体保護層を有した基板を真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で加熱処理したのち、そのまま同一チャンバもしくは真空中を搬送可能な別チャンバにて、Ｃ，Ｆを含むガスのプラズマに曝して前記誘電体保護層表面をＣを含む堆積物で覆う工程を有することを特徴とする。

本願第１〜３の発明の場合、好適にはＣ，Ｆを含むガスとして、ＣＨＦ₃ガスであることが望ましい。

また、本願第１〜３の発明の場合、電極間以外の領域に、Ｃ，Ｈを含む化合物が付着していることが望ましい。

また、本願第４の発明に係る請求項６に記載された誘電体保護膜の処理方法は、真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、前記誘電体保護層を基板上に形成後、Ｆを含むガスを少なくとも一種類有するガス雰囲気中で前記基板を加熱し、前記誘電体保護層の表面をフッ化する工程を有することを特徴とする。

このとき、誘電体保護層を形成する工程と、前記誘電体保護層の表面をフッ化する工程とを同一チャンバにて処理すると好適である。

また、本願第５の発明に係る請求項８に記載された誘電体保護膜の処理方法は、真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、前記誘電体保護層を基板に形成後、前記基板を加熱しながら、Ｆを含むガスのプラズマに曝す工程を有することを特徴とする。

このとき、誘電体保護層を形成する工程と、前記誘電体保護層の表面を加熱しながらプラズマに曝す工程を同一チャンバにて処理すると好適である。

更に、本願第６の発明に係る請求項１０に記載されたプラズマディスプレイパネルは、基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層が形成されたプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体保護層の表面がフッ化されていることを特徴とする。

以上のように、本願発明の誘電体保護膜の処理方法によれば、誘電体保護膜形成後に、Ｃ，Ｆを含むガスのプラズマに曝すことによって表面にＣを含む堆積物層を形成、或いは誘電体保護層の表面をフッ化させるので、大気中の水分や炭酸ガスの吸着を低減することができるため、エージング時間短縮が可能となる。また、放電に関与する電極間以外の領域にＣを含む堆積物を付着させること、或いは、誘電体保護層の表面をフッ化させるので、その部位からの不純物のデガスを防止でき、プラズマディスプレイパネルの放電特性のばらつき改善や長寿命を向上させることができる。

（第１の実施形態）
以下、本願発明の第１の実施形態について図１を用いて説明する。

従来のように誘電体保護層を成膜後そのまま大気中に曝すと、水分や炭酸ガスと反応して、水酸化マグネシウムや炭酸マグネシウムを生成してしまう。そこで、誘電体保護層４を成膜後、そのまま同一チャンバか、もしくは真空中を搬送して別のチャンバにて、Ｃ、Ｆを含むガスのプラズマに曝して誘電体保護層の表面にＣやＨを含む堆積物５を形成する。

以下、具体的な実施例を説明する。この場合は、誘電体保護層であるＭｇＯを形成後、基板を真空搬送して、別に用意したプラズマ処理用のチャンバに移動し、堆積層５を形成した。

プラズマ処理には、図２に示したようなＰＤＰ用の大型基板を処理できる大型誘導結合プラズマを生成可能なプラズマ処理装置を使用し、基板２１を搬送後、チャンバ２２内にＣＨＦ₃ガスをガス導入装置２３より導入し、圧力制御装置２４にて一定圧力に調圧後、誘導結合型プラズマを発生させるためのコイル２５に高周波電源２６から電力を供給してＣＨＦ₃ガスをプラズマ化し、ＭｇＯ上にＣ，Ｈ及びＦを含む堆積物を堆積させた。

上記プラズマ処理時に、ガス流量、圧力、高周波電力のパワー、処理時間等を制御することで、形成される堆積層の膜厚や膜質を任意にコントロールすることが可能であり、誘電体保護膜の膜質やＰＤＰ放電セルの構造などに合わせて調節することができる。

また、図３は前述したようにＣＨＦ₃ガスのプラズマによりＭｇＯ上に堆積層を形成した場合と、従来のように堆積させずにＭｇＯが露出している場合とで、大気中に曝した際の水分、炭酸ガスの吸着量を昇温脱離ガス（ＴＤＳ）により比較したグラフである。この結果より、堆積層を形成した場合は、２５０℃付近に現れる水分の化学吸着と思われるピークが減少し、二酸化炭素の吸着量も大幅に減少していることから、堆積層を設けることで大気に曝した際の反応防止の効果があることが確認できた。

また、ＣＨＦ₃ガスプラズマによる堆積物は、従来事例で示したＳｉＮ，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，ＴｉＯ₂，ＭｇＦ₂などの第２保護層と比較するとスパッタにより剥がれやすく、ＰＤＰとしてパネルを形成した後、エージング工程にて放電を発生させることで容易に除去でき、その結果清浄なＭｇＯ表面が簡単に得られるため、これまで吸着物の影響で長時間化していたエージング工程が、ＭｇＯ表面の堆積層を除去するだけに簡略化され、大幅なタクト改善が実現できた。

（第２の実施形態）
以下に、本願発明の第２の実施形態について説明する。

誘電体保護膜を成膜後、同一チャンバもしくは別チャンバにて、まず反応性もしくはスパッタ性のプラズマに曝して表面処理を施す。この際、別チャンバにて処理を行う場合は、真空中を搬送することが望ましいが、大気に曝しても効果はある。続いて、そのまま同一チャンバもしくは別チャンバにてＣ，Ｆを含むガスのプラズマに曝し、Ｃを含む堆積物を誘電体保護膜上に堆積させる。この際、別チャンバにて処理を施す場合は、真空中を基板搬送する必要がある。

以下、具体的な実施例を説明する。誘電体保護膜としてＭｇＯを成膜後、大気中を別チャンバに搬送した。その別チャンバでのプラズマ処理には、図２に示したようなＰＤＰ用の大型基板を処理できる大型誘導結合プラズマを生成可能なプラズマ処理装置を使用した。

以下、具体的な動作手順を説明する。まず，基板２１を搬送後、チャンバ２２内にＯ₂ガスをガス導入装置２３より導入し、圧力制御装置２４にて一定圧力に調圧後、誘導結合型プラズマを発生させるためのコイル２５に高周波電源２６から電力を供給してＯ₂ガスをプラズマ化し、ＭｇＯ上の吸着物を除去するクリーニングを実施した。つづいて、チャンバ内にＣＨＦ₃ガスを導入し、一定圧力に調圧後、コイルに高周波電力を供給してＣＨＦ₃ガスをプラズマ化し、ＭｇＯ上にＣ，Ｈを含む堆積物を堆積させた。

その結果、大気中を搬送したにもかかわらず、真空中を搬送した場合と同様、大気中の水分や炭酸ガスの影響を受けておらず、また、更にＰＤＰの放電開始電圧が下がるという効果も見られた。

このような効果が見られたのは、大気に曝した後にＯ₂プラズマに曝すことで表面に吸着した水分や炭酸ガスを除去し、その後、ＣＨＦ₃ガスによって保護層を堆積させたためであり、また放電開始電圧が下がったのは、Ｏ₂プラズマ処理により、ＭｇＯ表面が微細にエッチングされ、見かけの表面積が増大して２次電子放出係数が向上したためであると思われる。

また、これらのような効果は、上記プラズマ処理時に、ガス種，ガス流量，圧力，高周波電力のパワー，処理時間等を制御し、ＭｇＯの膜質に適した処理条件に設定することで、より大きな効果が得られるようになる。従って、今回はＯ₂ガスのプラズマによる処理を実施したが、この他にも、ＳＦ₆ガスやＣＦ₄ガス、またＡｒガスなどによっても効果があり、また図２において基板２１を載置した電極２７に高周波電源２８から電力を供給してプラズマのスパッタ性を高めることで効果がある場合もある。

（第３の実施形態）
以下に、本願発明の第３の実施形態について説明する。

誘電体保護膜を成膜後、同一チャンバもしくは別チャンバにて、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で加熱処理を施す。この際、別チャンバにて処理を行う場合は、真空中を搬送することが望ましいが、大気に曝しても効果はある。続いて、再度同一チャンバもしくは別チャンバにてＣ，Ｆを含むガスのプラズマに曝し、Ｃを含む堆積物を誘電体保護膜上に堆積させる。この際、別チャンバにて処理を施す場合は、真空中を基板搬送する必要がある。

以下、具体的な実施例を説明する。誘電体保護膜としてＭｇＯを成膜後、大気中を別チャンバに搬送した。その別チャンバでの加熱処理は、Ｎ₂ガス雰囲気中で約４５０℃，３０分間実施した。その後真空中を搬送して、図２に示したようなＰＤＰ用の大型基板を処理できる大型誘導結合プラズマを生成可能なプラズマ処理装置へ基板を導入した。

基板導入後、チャンバ２２内にガス導入装置２３からＣＨＦ₃ガスを導入し、圧力制御装置２４にて一定圧力に調圧後、コイル２５に高周波電源２６から電力を供給してＣＨＦ₃ガスをプラズマ化し、ＭｇＯ上にＣ，Ｈを含む堆積物を堆積させた。

その結果、ＭｇＯ形成後に大気中を搬送したにもかかわらず、真空中を搬送した場合と同様、大気中の水分や炭酸ガスの影響を受けておらず、また、更にＰＤＰの放電特性ばらつきが改善されるという効果も見られた。

このような効果が見られたのは、大気に曝した後に不活性ガス中で加熱処理することで表面に吸着した水分や炭酸ガスを除去し、その後にＣＨＦ₃ガスによって保護層を堆積させたためであり、また、放電特性ばらつきが改善されたのは、加熱処理により、ＭｇＯ表面の微少な格子欠陥が緩和されるとともに表面の不純物濃度が下がって、表面の微細構造及び清浄度が向上したためであると思われる。

（第４の実施形態）
以下、本願発明の第４の実施形態について説明する。

前面板と背面版を貼りあわせて、ガスを封入してＰＤＰパネルを構成したのち、エージング工程にて放電を開始した際、誘電体保護膜や蛍光体などに付着もしくは吸収された不純物が脱離し放電空間に混入して放電特性の劣化やエージングの長時間化を招くのを防止するため、放電に使用する２つ以上の電極間以外の領域を、Cを含んだ堆積物で覆ったプラズマディスプレイのセル構造を構成する。

具体的には、誘電体保護膜としてＭｇＯを用い、ＭｇＯ成膜後にＣ、Ｆを含むプラズマに曝してＭｇＯ表面上にＣを含む堆積物を形成し、背面版と貼りあわせてエージングを行った際に、ＭｇＯの表面に付着したCを含む堆積物のうち、電極上領域に存在する部分が、プラズマのスパッタリング効果によって脱離する。その脱離した堆積物は、放電に関与する電極間以外の領域に再付着し、その部分からのデガスを防止して不純物による放電特性の劣化やエージング時間の長時間化を防止、また不純物質のない安定放電の実現による長寿命化を実現することができる。

なお、上記したＣを含む堆積物が蛍光体表面に付着していても、色はほぼ透明であり、ＰＤＰの発光特性には影響を及ぼさないことは確認済みである。

（第５の実施形態）
以下、本願発明の第５の実施形態について図５を用いて説明する。

従来のように誘電体保護層を成膜後そのまま大気中に曝すと、水分や炭酸ガスと反応して、水酸化マグネシウムや炭酸マグネシウムを生成してしまう。そこで、誘電体保護層５４を成膜後、成分にＦを含むガスが少なくとも１種類は存在するガス雰囲気中で基板を加熱し、誘電体層５４の表面をフッ化してフッ下層５５を形成することにより、大気中に曝した際の水分や炭酸ガスと誘電体表面との反応を防止することができる。

前述した特許文献１に開示されるように、誘電体保護層の上部に更に第２の保護層を形成する方法が提案されているが、この方法によれば、誘電体保護層の上部に、更にＳｉＮ，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，ＴｉＯ₂，ＭｇＦ₂などを成膜することで、誘電体保護層を水分や炭酸ガスの吸着から守り、かつエージング工程にてそのスパッタ性を利用して第２保護層を除去できるというものである。また、前述した特許文献４には、誘電体保護層の第２保護層として、フッ化物材料を主成分とするガス吸収防止膜を形成する方法が提案されている。

本発明が上記したような技術と異なる点は、エージング工程での第２保護層の除去についてである。上記の従来技術に提案されたように新たに誘電体保護層上に第２保護層を形成した場合、その表面は誘電体保護層とは全く異なる性質をもつことになり、そのままＰＤＰを形成すると、２次電子放出係数の低下による放電開始電圧や維持電圧の上昇を招くため、エージング工程においてその第２保護層を不活性ガスの放電によるスパッタ効果で除去する必要がある。しかし、ＰＤＰの放電はＮｅやＸｅなどの不活性ガスの放電であり、形成された第２保護層を除去することは容易ではなく、時間もかかるため、現実的ではない。

これに対し、本発明では誘電体保護層の上に新たに第２保護層を形成するのではなく、誘電体保護層そのものの表面のみをフッ化するため、誘電体保護層の特性への影響が少ない。そのため、必ずしもフッ化層を除去する必要がなく、エージング時間の短縮を実現できる。ただし、フッ化の条件によっては、エージング工程のスパッタ効果でフッ下層が除去される場合もあるが、その場合は除去により清浄な誘電体表面が露出することになるだけで、全く問題はない。

以下、具体的な実施例を説明する。誘電体保護層としてＭｇＯを形成後、大気中を搬送して基板を金属製の炉に導入した。続いて、炉内にＮ₂ガスを導入しながら、一定圧力となるように排気を調節し、炉内を一定圧力に保ちながら、炉内の温度を室温から約４５０℃まで上昇させ、３０分保持し、自然冷却させた。これにより、まずＭｇＯ表面に付着していた水分や炭酸ガスの除去を行った。

続いて、炉内にＦ₂ガスとＮ₂ガスの混合ガスを導入し、一定圧力を保つように排気調節し、同様に炉内の温度を室温から１５０℃まで上昇させ、その後自然冷却させた。これによりＭｇＯ表面のフッ化が完了した。

図６は、上記のようにＭｇＯ表面をフッ化した場合と、ＭｇＯが露出している場合とで、大気中に曝した際の水分、炭酸ガスの吸着量がどのように異なるかを比較するため、昇温脱離ガス（ＴＤＳ）により評価したグラフである。

この結果よると、表面をフッ化した場合は、２５０℃付近に現れる水分の化学吸着と思われるピークが減少し、二酸化炭素の吸着量も大幅に減少していることから、フッ化することで大気に曝した際の反応防止の効果があることが確認できた。

また、このフッ化されたＭｇＯを用いてパネルを作製した場合、従来のように表面に吸着した水分や炭酸ガスの除去のために多量のエージング時間をかける必要がなくなり、大幅なタクト向上が図れることも確認できているほか、ＰＤＰとして問題ない性能を有することも確認できている。

（第６の実施形態）
以下に、本願発明の第６の実施形態について図７を用いて説明する。

誘電体保護層が形成されたＰＤＰ基板７４は、耐高温材で構成された支持台７３上にそれぞれ載置され、１０Ｐａ程度まで真空排気が可能な気密性を有する炉７２内に導入される。炉７２は加熱装置７１で覆われ、温度測定・制御装置７８により温度測定しながら炉７２内の温度を任意に制御できるようになっている。また、炉７２には、ガス導入装置７５からＦを含むガス及び不活性ガスを導入することができ、かつ、圧力調整装置７６により調圧しながら排気装置７７で排気を行うことで炉内の圧力を任意に調節可能である。

上記のような装置を使用して、誘電体保護層の表面をフッ化する際、ガス流量、圧力、温度など任意の条件で処理することが可能となり、誘電体保護層の膜種，膜厚，膜質，結晶方位などの誘電体保護層自体の特性に適したフッ化条件を選ぶことで、より効果の高いフッ化層を形成することが可能となる。

但し、本実施形態においては、炉の構造、ＰＤＰ基板の投入状態などは図７に示すような装置形態としたが、この限りではなく他の実施形態においても、同様の効果が得られる。

（第７の実施形態）
以下に、本願発明の第７の実施形態について、図８を用いて説明する。

誘電体保護層を形成後のＰＤＰ基板８１を、チャンバ８２内のステージ８３上に搬送する。ステージ８３は、加熱装置８４によって温度制御しながら加熱可能であり、搬送された基板８１は、加熱されたステージ８３の熱により昇温される。チャンバ８２内には、ガス導入装置８５からＦを含むガスを導入可能であり、排気装置８６によってチャンバ８２内の圧力を一定に保つように制御可能である。チャンバ８２内にガス導入し、一定圧力に保ったのち、誘電体天板８７上に配置されたアンテナ部材８８に高周波電源８９から高周波電力を印加することにより、チャンバ８２内のガスをプラズマ化し、基板８１上の誘電体保護層表面をフッ化することができる。

以下に、具体的な実施例を説明する。誘電体保護層としてＭｇＯが形成されたＰＤＰ基板を、図８に示したプラズマ処理装置内の加熱ステージ上に搬送し、まず、真空排気しながら３００℃まで加熱してＭｇＯ表面に付着した水分や炭酸ガスを除去した。

続いて、チャンバ内にＳＦ₆ガスを導入して一定圧力８０Ｐａに保ち、高周波電源に電力３０００Wを投入してチャンバ内のＳＦ₆ガスをプラズマ化した。そのまま１０分間保持したのち、高周波電力の投入をオフし、ステージの加熱もオフして基板を自然乾燥させたのち、大気中に取り出した。

以上のように処理を施したＭｇＯ表面は、最表面がフッ化され、大気中の水分や炭酸ガスの吸着を防止することができるため、後工程のエージングにて多量の時間を要する必要がなくなるほか、本願発明の第５の実施形態で示した方法と比較してより短時間、低温での処理が可能となる。

また、上記の実施例においては温度，ガス種，圧力，電力，時間を上記の通りとしたが、その限りではなく、様々な条件にて処理を行っても同様の効果が得られる。また、プラズマ処理装置についても、図８のような誘導結合型のプラズマ処理装置に限らず、容量結合型などその他のプラズマ源を用いても同様の効果が得られる。

（第８の実施形態）
以下、本願発明の第８の実施形態について説明する。

図５のように表面がフッ化された誘電体保護層を用いてプラズマディスプレイパネルを構成する。従来のＰＤＰでは、誘電体の保護及び放電開始電圧を下げる目的から、耐スパッタ性及び２次電子放出係数に優れているＭｇＯがよく用いられるが、ＭｇＯの表面をフッ化することで水分や炭酸ガスの吸着が低減して放電特性のばらつきを改善することができるほか、対スパッタ性がさらに向上してＰＤＰとしての寿命を改善できる。

具体的な実施例について説明する。本願発明の第５の実施形態にて説明した方法で、誘電体保護層の表面をフッ化し、フッ化されていないＭｇＯ表面と比較した。フッ化する際の処理温度は２種類（１５０，３００℃）とした。その結果、まず処理温度１５０℃から３００℃と上昇させることで、表面に存在するＦ原子量が増大していることが確認でき、温度が高いほど表面がより重度にフッ化されていると推測される。

また、耐スパッタ性をＡｒプラズマによるエッチングレートで評価したところ、耐スパッタ性は３００℃フッ化＞１５０℃フッ化＞フッ化なし、の順に優れていることも確認できており、フッ化されたＭｇＯを用いることでＰＤＰの寿命に効果が期待できることが分かった。

なお、上記の実施例では、本願発明の第１の実施形態によるフッ化方法を使用しているが、その限りではなく、誘電体保護層表面がフッ化されていれば同様の効果が期待できる。

本発明の誘電体保護膜の処理方法は、ＰＤＰ，ＣＲＴなどのディスプレイに適用できる。特にＰＤＰに本発明を適用すると効果が大きい。

本発明の実施形態を説明するプラズマディスプレイパネル前面板の構造を示す図 本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略を示す図 本発明と従来例との効果の比較を示す図 従来例を説明するプラズマディスプレイパネル前面板の構造を示す図 本発明の別の実施形態を説明するプラズマディスプレイパネル前面板の構造を示す図 本発明と従来例との効果の比較を示す図 本発明の実施形態に係る処理装置の概略を示す図 本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略を示す図

符号の説明

１ ガラス基板
２ 電極
３ 誘電体層
４ 誘電体保護膜
５ Ｃを含む堆積層

Claims (10)

1. 真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、誘電体保護層を形成後、同一チャンバもしくは真空中を搬送可能な別チャンバにおいて、Ｃ，Ｆを含むガスのプラズマに曝して前記誘電体保護層表面をＣを含む堆積物で覆う工程を有することを特徴とする誘電体保護膜の処理方法。
2. 真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、誘電体保護層を形成後、前記誘電体層に対してプラズマによる表面処理を施したのち、そのまま同一チャンバもしくは真空中を搬送可能な別チャンバにてＣ，Ｆを含むガスのプラズマに曝して前記誘電体保護層表面をＣを含む堆積物で覆う工程を有することを特徴とする誘電体保護膜の処理方法。
3. 真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、前記誘電体保護層を形成後、前記誘電体保護層を有した基板を真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で加熱処理したのち、そのまま同一チャンバもしくは真空中を搬送可能な別チャンバにて、Ｃ，Ｆを含むガスのプラズマに曝して前記誘電体保護層表面をＣを含む堆積物で覆う工程を有することを特徴とする誘電体保護膜の処理方法。
4. Ｃ，Ｆを含むガスは、ＣＨＦ３ガスであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の誘電体保護膜の処理方法。
5. 電極間以外の領域に、Ｃ，Ｈを含む化合物が付着していることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の誘電体保護膜の処理方法。
6. 真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、前記誘電体保護層を基板上に形成後、Fを含むガスを少なくとも一種類有するガス雰囲気中で前記基板を加熱し、前記誘電体保護層の表面をフッ化する工程を有することを特徴とする誘電体保護膜の処理方法。
7. 誘電体保護層を形成する工程と、前記誘電体保護層の表面をフッ化する工程とを同一チャンバにて処理することを特徴とする請求項６記載の誘電体保護膜の処理方法。
8. 真空チャンバ内に配置された基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層を形成する誘電体保護膜の処理方法であって、前記誘電体保護層を基板に形成後、前記基板を加熱しながら、Ｆを含むガスのプラズマに曝す工程を有することを特徴とする誘電体保護膜の処理方法。
9. 誘電体保護層を形成する工程と、前記誘電体保護層の表面を加熱しながらプラズマに曝す工程を同一チャンバにて処理することを特徴とする請求項８記載の誘電体保護膜の処理方法。
10. 基板の表面に、電極，誘電体層，誘電体保護膜，隔壁及び蛍光体層が形成されたプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体保護層の表面がフッ化されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

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