JP2005204068A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】アクセスタイムを増大させることなく、入力ノイズを除去することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】入力信号Aのパルス波形の立ち上がりエッジを検出する立ち上がり検出回路11と、入力信号Aのパルス波形の立ち下がりエッジを検出する立ち下がり検出回路12と、検出回路11、12の検出結果からパルス波形のパルス幅が所定期間より短いか否かを判別する判別回路13と、判別回路13によりパルス波形のパルス幅が所定期間より短いことが判ったとき、パルス信号を発生するパルス発生回路14と、パルス発生回路14が発生したパルス信号に応じて、保持状態または導通状態に設定される保持回路とから構成される。
【選択図】 図1
【解決手段】入力信号Aのパルス波形の立ち上がりエッジを検出する立ち上がり検出回路11と、入力信号Aのパルス波形の立ち下がりエッジを検出する立ち下がり検出回路12と、検出回路11、12の検出結果からパルス波形のパルス幅が所定期間より短いか否かを判別する判別回路13と、判別回路13によりパルス波形のパルス幅が所定期間より短いことが判ったとき、パルス信号を発生するパルス発生回路14と、パルス発生回路14が発生したパルス信号に応じて、保持状態または導通状態に設定される保持回路とから構成される。
【選択図】 図1
Description
この発明は、半導体装置に関するものであり、特に入力信号の異常波形を検出して異常波形の伝達を阻止する回路を備えた半導体装置に関するものである。
従来から、半導体装置、特に半導体メモリにおいて実装基板上のノイズや、CPU側から出てくるアドレス信号のスキューなどにより、入力波形のパルス幅がある一定期間より短い異常波形が半導体メモリに入力される場合がある。一般的に、5ns以下の短いパルス幅の信号が入力されることはよくあることである。
この場合、半導体メモリがこの異常波形に応答してしまい、システムが誤動作することがあり、問題視されてきた。この問題に対する対策としては、従来から入力系の信号経路にノイズフィルタを配置し、異常波形に対し応答しないようにする方法が一般的に行われてきた(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−295988号公報
しかしながら、この方法の問題点は、例えば5ns以下のパルス幅の入力に対して応答しないようにすると、正常な入力の場合でも応答が5ns遅れてしまうことである。アクセスタイムが30nsから50nsの高速動作を要求されているシステムにおいて、アクセスタイムが5ns遅れると動作マージンが非常に小さくなるため、アクセスタイムを犠牲にしない方法が必要とされている。
そこでこの発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、アクセスタイムを増大させることなく、入力ノイズを除去することができる半導体装置を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、この発明の一実施形態の半導体装置は、入力信号のパルス波形の前縁を検出する第1の検出回路と、前記入力信号のパルス波形の後縁を検出する第2の検出回路と、前記第1、第2の検出回路の検出結果から前記パルス波形のパルス幅が所定期間より短いか否かを判別する判別回路と、前記判別回路により前記パルス波形のパルス幅が所定期間より短いことが判ったとき、パルス信号を発生するパルス発生回路とを具備する。
さらに、前記半導体装置は、前記パルス発生回路が発生した前記パルス信号に応じて、保持状態及び導通状態のいずれか一方の状態に設定される保持回路を具備する。
この発明によれば、アクセスタイムを増大させることなく、入力ノイズを除去することができる半導体装置を提供することが可能である。
以下、図面を参照してこの発明の実施形態の半導体装置について説明する。説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
[第1の実施形態]
まず、この発明の第1の実施形態では、前半にパルス波形検出回路について述べ、後半にこのパルス波形検出回路を用いて異常波形の除去を行う半導体メモリについて述べる。パルス波形検出回路は、入力波形のパルス幅が予め設定された所定期間よりも短い場合を検出して、パルス信号を発生する。半導体メモリの出力バッファ回路の前段に配置された保持回路(ラッチ回路)は、パルス波形検出回路を用いてパルス幅が所定期間より短い異常波形の通過を遮断し、パルス幅が所定期間よりも長い正常波形のみを通過させるように構成されている。ここで、異常波形とは、入力波形のパルス幅が所定期間より短いノイズ信号を指し、正常波形とは入力波形のパルス幅が所定期間以上である正常な信号を指す。
まず、この発明の第1の実施形態では、前半にパルス波形検出回路について述べ、後半にこのパルス波形検出回路を用いて異常波形の除去を行う半導体メモリについて述べる。パルス波形検出回路は、入力波形のパルス幅が予め設定された所定期間よりも短い場合を検出して、パルス信号を発生する。半導体メモリの出力バッファ回路の前段に配置された保持回路(ラッチ回路)は、パルス波形検出回路を用いてパルス幅が所定期間より短い異常波形の通過を遮断し、パルス幅が所定期間よりも長い正常波形のみを通過させるように構成されている。ここで、異常波形とは、入力波形のパルス幅が所定期間より短いノイズ信号を指し、正常波形とは入力波形のパルス幅が所定期間以上である正常な信号を指す。
図1は、第1の実施形態のパルス波形検出回路10の構成を示す回路図である。入力端子TI1には6つのインバータIV1、IV2、…、IV6が直列に接続されている。インバータIV2の出力端はnチャネルMOSトランジスタTN1のゲートに接続され、インバータIV5の出力端はnチャネルMOSトランジスタTN2のゲートに接続されている。このnチャネルMOSトランジスタTN1のドレインは、nチャネルMOSトランジスタTN2のソースに接続されている。nチャネルMOSトランジスタTN2のドレインは、インバータIV7を介して論理積否定回路(以下、NAND回路と記す)ND1の第1入力端に接続されている。nチャネルMOSトランジスタTN2のドレインは、またpチャネルMOSトランジスタTP1のドレインに接続され、pチャネルMOSトランジスタTP1のソースには電源電圧Vccが供給されている。さらに、pチャネルMOSトランジスタTP1のゲート、及びnチャネルMOSトランジスタTN1のソースには、基準電位Vssが供給されている。
また、インバータIV3の出力端はnチャネルMOSトランジスタTN3のゲートに接続され、インバータIV6の出力端はnチャネルMOSトランジスタTN4のゲートに接続されている。nチャネルMOSトランジスタTN3のドレインは、nチャネルMOSトランジスタTN4のソースに接続されている。nチャネルMOSトランジスタTN4のドレインは、インバータIV8を介してNAND回路ND1の第2入力端に接続されている。nチャネルMOSトランジスタTN4のドレインは、またpチャネルMOSトランジスタTP2のドレインに接続され、pチャネルMOSトランジスタTP2のソースには電源電圧Vccが供給されている。さらに、pチャネルMOSトランジスタTP2のゲート、及びnチャネルMOSトランジスタTN3のソースには、基準電位Vssが供給されている。
NAND回路ND1の出力端は、インバータIV9を介してnチャネルMOSトランジスタTN5のゲートに接続されている。インバータIV9の出力端は、また直列接続されたインバータIV10、IV11、IV12を介してnチャネルMOSトランジスタTN6のゲートに接続されている。nチャネルMOSトランジスタTN6のドレインは、nチャネルMOSトランジスタTN5のソースに接続されている。nチャネルMOSトランジスタTN5のドレインは、インバータIV13を介して出力端子TO1に接続されている。nチャネルMOSトランジスタTN5のドレインは、pチャネルMOSトランジスタTP3のドレインに接続され、pチャネルMOSトランジスタTP3のソースには電源電圧Vccが供給されている。さらに、pチャネルMOSトランジスタTP3のゲート、及びnチャネルMOSトランジスタTN6のソースには、基準電位Vssが供給されている。
ここで、入力端子TI1に入力される信号をAとし、インバータIV2から出力される信号をB、インバータIV3から出力される信号をC、インバータIV5から出力される信号をD、インバータIV6から出力される信号をEとする。さらに、インバータIV8から出力される信号をF、インバータIV7から出力される信号をGとし、出力端子TO1から出力される信号をIとする。
次に、第1の実施形態のパルス波形検出回路10の動作について説明する。
図2及び図3は、前記パルス波形検出回路の動作を示すタイミングチャートである。図2は信号Aとして異常波形が入力された場合を示し、図3は正常波形が入力された場合を示す。
このパルス波形検出回路は、入力波形の立ち上がりエッジ(前縁)を検出する立ち上がり検出回路11と、入力波形の立ち下がりエッジ(後縁)を検出する立ち下がり検出回路12と、立ち上がり検出回路11と立ち下がり検出回路12の検出結果から入力波形のパルス幅が所定期間より短いか否かを判別する判別回路13と、一定のパルス幅の信号を発生するパルス発生回路14とを備える。そして、入力波形の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとの間の期間があらかじめ設定した所定時間(例えば5ns)より短い場合、異常波形であることを検出する。異常波形を検出したとき、パルス発生回路14により一定のパルス幅のパルス信号を発生する。
まず、信号Aの入力波形が異常波形である場合、以下のようになる。入力端子TI1に、信号Aとして異常波形が入力されると、図2に示すような信号B、C、D、Eが出力される。信号Aの異常波形の立ち上がりエッジを検出したのが信号Gであり、信号Bの立ち上がりエッジに同期して信号Gが立ち上がる。信号Aの異常波形の立ち下がりエッジを検出したのが信号Fであり、信号Cの立ち下がりエッジに同期して信号Fが立ち上がる。信号G、Fは、立ち上がりから所定期間“H”レベルになるように設定されている。
ここで、信号Gの立ち上がりと信号Fの立ち上がりとの間隔が前記所定期間より短いため、信号G及び信号FがNAND回路ND1、インバータIV9を通過した信号H、すなわち両者の論理積をとった信号Hは“H”レベルになる。この信号Hの立ち上がりエッジに同期して、パルス発生回路14の出力である信号Iが立ち上がり、信号Iは一定期間“H”レベルになる。このように、信号Iが“H”レベルになることにより、信号Aの入力波形が異常波形であることが検出される。
次に、信号Aの入力波形が正常波形である場合は以下のようになる。入力端子TI1に、信号Aとして正常波形が入力されると、図3に示すような信号B、C、D、Eが出力される。信号Aの正常波形の立ち上がりエッジを検出したのが信号Gであり、信号Bの立ち上がりエッジに同期して信号Gが立ち上がる。信号Aの正常波形の立ち下がりエッジを検出したのが信号Fであり、信号Cの立ち下がりエッジに同期して信号Fが立ち上がる。信号G、Fは、前述したように立ち上がりから所定期間“H”レベルになるように設定されている。
ここで、信号Gの立ち上がりと信号Fの立ち上がりとの間隔が前記所定期間より長く、信号Gと信号Fが共に“H”レベルになっている期間が離れているため、信号Gと信号FがNAND回路ND1、インバータIV9を通過した信号H、すなわち両者の論理積をとった信号Hは“H”レベルにならず、パルス発生回路14の出力である信号Iは“L”レベルのままである。
以上の動作により、前記パルス波形検出回路では、入力された信号が異常入力(ノイズ)であるかどうか、すなわち所定時間より短いパルス幅の信号であるかどうかを検出することができる。
次に、図1に示したパルス波形検出回路を備えた半導体メモリについて説明する。この半導体メモリでは、パルス波形検出回路の出力を半導体メモリの出力バッファ回路の前段に配置したラッチ回路に供給し、異常波形により生じた信号の伝達を阻止している。
図4は、パルス波形検出回路を備えた半導体メモリの構成を示すブロック図である。なお図4では、図1に示したパルス波形検出回路の詳細な構成は省略している。
半導体メモリの出力バッファ回路15の前段には、図4に示すように、センスアンプ16、ラッチ回路17が配置されている。ラッチ回路17には、パルス波形検出回路10からラッチ信号Iが入力されている。ラッチ信号Iは、ラッチ回路17におけるラッチタイミングを制御する。ラッチ回路17は、例えば図4に示すように、2つのインバータIV14、IV15と2つのスイッチ回路S1、S2から構成されている。スイッチ回路S1、S2はトランスファゲートからなっており、スイッチ回路S1はラッチ信号Iが“H”のとき導通状態になり、ラッチ信号Iが“L”のとき遮断状態になる。逆に、スイッチ回路S2は、ラッチ信号Iが“H”のとき遮断状態になり、ラッチ信号Iが“L”のとき導通状態になる。なお、ラッチ回路17は、図4に示した構成に限るものではなく、他の構成のものであってもよい。
センスアンプ16は、メモリセルから読み出したビット線電位を増幅してラッチ回路17へ出力する。ラッチ回路17は、ラッチ信号Iをラッチパルスとして用いてセンスアンプ16から出力された信号をラッチまたはラッチせずに、その信号を出力バッファ回路15へ出力する。
異常波形が入力バッファ回路(不図示)へ入力された場合、入力バッファ回路からデコーダ、メモリセル(不図示)を経由して、さらにセンスアンプ16からラッチ回路17に一時的に異常波形により生じた信号が出力される。このとき、パルス波形検出回路10にも信号Aとして異常波形が入力され、ラッチ回路17に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルになるため、ラッチ回路17は直前の状態をラッチする。したがって、出力バッファ回路15へは異常波形により生じた信号が伝わらず、外部から見る限り応答していないことになる。
また、正常波形が入力バッファ回路へ入力された場合、ラッチ回路17に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルにならないため、センスアンプ16から出力された信号は通常通りラッチ回路17を通って出力バッファ回路15へ出力される。したがって、ラッチ回路17、出力バッファ回路15を通って、出力端子TO2に伝達される信号に遅れはない。
以上説明したように、パルス波形検出回路の出力を半導体メモリの出力バッファ回路前段のラッチ回路に供給することにより、異常波形が入力されたときは、この異常波形により生じた信号が出力バッファ回路に伝わるのを防止することができ、正常波形が入力されたときは通常と同様に信号を遅らせることなく通過させるため、アクセスタイムを遅くすることはない。これにより、正常波形が入力された場合のアクセスタイムを犠牲にすることなく、異常波形が入力された場合のみ、異常波形に対する対策を行うことができる。
[第2の実施形態]
次に、この発明の第2の実施形態のパルス波形検出回路を備えたページモード機能付きの読み出し専用メモリ(ROM)について説明する。この読み出し専用メモリでは、図1に示したパルス波形検出回路の出力を、読み出し専用メモリのアドレスバッファ後段のページモードデコーダ、及び出力バッファ回路前段のラッチ回路に供給している。これにより、異常波形、及び異常波形により生じた信号の伝達を阻止している。
次に、この発明の第2の実施形態のパルス波形検出回路を備えたページモード機能付きの読み出し専用メモリ(ROM)について説明する。この読み出し専用メモリでは、図1に示したパルス波形検出回路の出力を、読み出し専用メモリのアドレスバッファ後段のページモードデコーダ、及び出力バッファ回路前段のラッチ回路に供給している。これにより、異常波形、及び異常波形により生じた信号の伝達を阻止している。
図5は、パルス波形検出回路を備えたページモード機能付きの読み出し専用メモリの構成を示すブロック図である。なお図5では、図1に示したパルス波形検出回路の詳細な構成は省略している。
ページモード機能付きの読み出し専用メモリは、複数のセンスアンプ21、ページモード切り替え回路22、アドレスバッファ23、ページモードデコーダ24、ラッチ回路25、及び出力バッファ回路26を備えている。なお、ラッチ回路25は、図4に示したラッチ回路17と同様の構成であってもよいし、他の構成のものであってもよい。
この読み出し専用メモリ(ROM)では、通常の4倍または8倍の数のセンスアンプ21を設けており、これらセンスアンプ21によりメモリセルのデータをパラレルに読み出す。読み出したデータは、出力バッファ回路26の前段に配置されたページモード切り替え回路22へ出力される。
ページモードデコーダ24にはアドレスバッファ23を介してアドレス信号A0、A1が入力され、ページモードデコーダ24はアドレス信号A0、A1に基づいてページモードを選択する。ページモード切り替え回路22は、ページモードデコーダ24により選択されたページモードに応じて、センスアンプ21により読み出したデータを切り替えてラッチ回路25へ出力する。
ラッチ回路25には、パルス波形検出回路10からラッチ信号Iが入力されている。ラッチ信号Iは、ラッチ回路25におけるラッチタイミングを制御する。ラッチ回路25は、ラッチ信号Iをラッチパルスとして用いてページモード切り替え回路22から出力されたデータをラッチまたはラッチせずに、そのデータを出力バッファ回路26へ出力する。ページモード機能付きの読み出し専用メモリでは、このように読み出したデータをページモード切り替え回路22により切り替えて出力することにより、高速読み出し動作を実現している。
通常のアクセスタイムが100ns程度のものでは、ページモードでのアクセスタイムは30ns程度が必要とされるため、ページモードでの入出力に5ns程度のノイズフィルタを入れると動作マージンが非常に小さくなる。このため、従来はこのような製品にはノイズ対策を行うことができないとされてきたが、このような製品に本発明を適用すると非常に有効である。
異常波形がアドレスバッファ23へ入力された場合、アドレスバッファ23からページモードデコーダ24、ページモード切り替え回路22を経由して、ページモード切り替え回路22をからラッチ回路25に一時的に異常波形により生じた信号が出力される。このとき、パルス波形検出回路にも信号Aとして異常波形が入力され、ラッチ回路25に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルになるため、ラッチ回路25は直前の状態をラッチする。したがって、出力バッファ回路26へは異常波形により生じた信号が伝わらず、外部から見る限り応答していないことになる。
一方、正常波形がアドレスバッファ23へ入力された場合、ラッチ回路25に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルにならないため、ページモード切り替え回路22から出力された信号は通常通りラッチ回路25を通って出力バッファ回路26へ出力される。したがって、ラッチ回路25、出力バッファ回路26を通って、出力端子TO3に出力される信号に遅れはない。
また、ページモードデコーダ24内にこの出力をラッチするラッチ回路を設け、パルス波形検出回路10から供給される信号Iをラッチパルスとしてラッチ回路に供給するようにしてもよい。このラッチ回路は、図4に示したラッチ回路17と同様の構成であってもよいし、他の構成のものであってもよい。
異常波形がアドレスバッファ23へ入力された場合、アドレスバッファ23からページモードデコーダ24内のラッチ回路へ一時的に異常波形により生じた信号が出力される。このとき、ページモードデコーダ24内のラッチ回路に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルになるため、ラッチ回路は直前の状態をラッチする。したがって、アドレスバッファ23からの異常波形により生じた信号は、ラッチ回路を通過せず、ページモード切り替え回路22には伝わらない。
また、正常波形がアドレスバッファ23へ入力された場合、ページモードデコーダ24内のラッチ回路に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルにならない。このため、アドレスバッファ23から出力されたアドレス信号A0、A1に基づいて出力されるページモードデコーダ24の出力は通常通りラッチ回路を通って、ページモード切り替え回路22へ出力される。したがって、ページモードデコーダ24、及びそのラッチ回路を通って、ページモード切り替え回路22へ出力される信号に遅れはない。
以上説明したように、パルス波形検出回路の出力を、ページモード機能付きの読み出し専用メモリの出力バッファ回路前段のラッチ回路、及びアドレスバッファ後段のページモードデコーダ24内のラッチ回路に供給することにより、異常波形が入力されたときは、この異常波形により生じた信号が出力バッファ回路に伝わるのを防止することができ、正常波形が入力されたときは通常と同様に信号を遅らせることなく通過させるため、アクセスタイムを遅くすることはない。これにより、正常波形が入力された場合のアクセスタイムを犠牲にすることなく、異常波形が入力された場合のみ、異常波形に対する対策を行うことができる。
[第3の実施形態]
次に、この発明の第3の実施形態のパルス波形検出回路を備えた半導体メモリ、例えば、読み出し専用メモリ(ROM)について説明する。この読み出し専用メモリでは、図1に示したパルス波形検出回路の出力を、読み出し専用メモリにおけるアドレスバッファ後段のカラムデコーダ内のラッチ回路に供給している。これにより、異常波形により生じた信号の伝達を阻止している。
次に、この発明の第3の実施形態のパルス波形検出回路を備えた半導体メモリ、例えば、読み出し専用メモリ(ROM)について説明する。この読み出し専用メモリでは、図1に示したパルス波形検出回路の出力を、読み出し専用メモリにおけるアドレスバッファ後段のカラムデコーダ内のラッチ回路に供給している。これにより、異常波形により生じた信号の伝達を阻止している。
図6は、パルス波形検出回路を備えた読み出し専用メモリの構成を示すブロック図である。なお図6では、図1に示したパルス波形検出回路の詳細な構成は省略している。
読み出し専用メモリは、メモリセル31、アドレスバッファ32、ロウデコーダ33、カラムデコーダ34、カラム切り替え回路35、センスアンプ36、及び出力バッファ回路37を備えている。
入力端子TI2に入力されたアドレス信号は、アドレスバッファ32を介してロウデコーダ33に入力される。ロウデコーダ33は、アドレス信号に基づいてメモリセルに接続されたワード線を選択し駆動する。また、アドレス信号は、アドレスバッファ32を介してカラムデコーダ34に入力される。カラムデコーダ34は、その出力をラッチするラッチ回路を有しており、アドレス信号に基づいてメモリセルに接続されたビット線を選択する。このラッチ回路は、図4に示したラッチ回路17と同様の構成であってもよいし、他の構成のものであってもよい。
カラム切り替え回路35は、カラムデコーダ34により選択されたビット線とセンスアンプ36とが接続されるように、ビット線とセンスアンプ36との間の接続を切り替える。さらに、センスアンプ36は、メモリセルから読み出されたビット線電位を増幅し、出力バッファ回路37へ出力する。
通常、読み出し専用メモリでは、ロウデコーダ系はワード線の寄生抵抗が大きいため、短いパルス幅(異常波形)の入力に対して応答しにくい。一方、カラムデコーダ系は寄生抵抗がほとんどなく、例えば5ns程度のパルス幅の入力に対しても応答してしまうことがあり、問題となることがあった。
この実施形態では、カラムデコーダ34内の出力側にこの出力をラッチするラッチ回路を設け、パルス波形検出回路10から供給される信号Iをラッチパルスとしてラッチ回路に供給する。
カラムデコーダ34内にラッチ回路を設けることにより、異常波形がアドレスバッファ32へ入力された場合、アドレスバッファ32からカラムデコーダ34内のラッチ回路へ一時的に異常波形により生じた信号が出力される。このとき、パルス波形検出回路10からカラムデコーダ34内のラッチ回路に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルになるため、ラッチ回路は直前の状態をラッチする。したがって、アドレスバッファ23からの異常波形により生じた信号は、ラッチ回路を通過せず、カラム切り替え回路35には伝わらない。
正常波形がアドレスバッファ32へ入力された場合、カラムデコーダ34内のラッチ回路に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルにならない。このため、アドレスバッファ32から出力されたアドレス信号に基づいて出力されるカラムデコーダ34の出力は通常通りラッチ回路を通って、カラム切り替え回路35へ出力される。したがって、カラムデコーダ34、及びそのラッチ回路を通って、カラム切り替え回路35へ出力される信号に遅れはない。
また、メモリセルの構成によってはロウデコーダ系もカラムデコーダ系と同様に、短いパルス幅(異常波形)の入力に対して応答してしまう場合がある。このような場合は、さらにロウデコーダ33内の出力側にこの出力をラッチするラッチ回路を設け、パルス波形検出回路10から供給される信号Iをラッチパルスとしてラッチ回路に供給するようにする。このラッチ回路は、図4に示したラッチ回路17と同様の構成であってもよいし、他の構成のものであってもよい。
ロウデコーダ33内にラッチ回路を設けることにより、異常波形がアドレスバッファ32へ入力された場合、アドレスバッファ32からロウデコーダ33内のラッチ回路へも一時的に異常波形により生じた信号が出力される。このとき、パルス波形検出回路10からロウデコーダ33内のラッチ回路に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルになるため、ラッチ回路は直前の状態をラッチする。したがって、アドレスバッファ32からの異常波形により生じた信号は、ラッチ回路を通過せず、メモリセル31のワード線には伝わらない。
正常波形がアドレスバッファ32へ入力された場合、ロウデコーダ33内のラッチ回路に入力されるラッチ信号Iは“H”レベルにならない。このため、アドレスバッファ32から出力されたアドレス信号に基づいて出力されるロウデコーダ33の出力は通常通りラッチ回路を通って、メモリセル31のワード線へ出力される。したがって、ロウデコーダ33、及びそのラッチ回路を通って、メモリセル31へ出力される信号に遅れはない。
以上説明したように、パルス波形検出回路の出力を、半導体メモリ、例えば読み出し専用メモリにおけるアドレスバッファ後段のカラムデコーダ34内またはロウデコーダ33内のラッチ回路に供給することにより、異常波形が入力されたときは、この異常波形により生じた信号がカラム切り替え回路35またはメモリセル31に伝わるのを防止することができ、正常波形が入力されたときは通常と同様に信号を遅らせることなく通過させるため、アクセスタイムを遅くすることはない。これにより、正常波形が入力された場合のアクセスタイムを犠牲にすることなく、異常波形が入力された場合のみ、異常波形に対する対策を行うことができる。
[第4の実施形態]
次に、この発明の第4の実施形態のパルス波形検出回路を備えたノイズフィルタ回路について説明する。このノイズフィルタ回路は、図1に示したパルス波形検出回路の出力を、ノイズフィルタ回路のイネーブル信号として用いた例である。
次に、この発明の第4の実施形態のパルス波形検出回路を備えたノイズフィルタ回路について説明する。このノイズフィルタ回路は、図1に示したパルス波形検出回路の出力を、ノイズフィルタ回路のイネーブル信号として用いた例である。
図7は、パルス波形検出回路を備えたノイズフィルタ回路の構成を示すブロック図である。なお図7では、前記第1の実施形態におけるパルス波形検出回路の詳細な構成は省略している。
入力端子TI3は入力バッファ回路41の入力端に接続されている。この入力バッファ回路41の出力端は、ノイズフィルタ回路42内のNAND回路ND2の第1入力端に接続される。入力バッファ回路41の出力端は、また直列接続された3つのインバータIV16、IV17、IV18を介してNAND回路ND3の第1入力端に接続されている。
NAND回路ND3の第2入力端には、パルス波形検出回路10からイネーブル信号Iが入力される。イネーブル信号Iはノイズフィルタ回路42を稼働状態(イネーブル状態)または非稼働状態に制御する。NAND回路ND3の出力端はNAND回路ND2の第2入力端に接続されている。そして、NAND回路ND2の出力端はインバータIV19を介して後段の回路に接続されている。なお、前記NAND回路ND2、ND3、インバータIV16からIV19、及びパルス波形検出回路10により、ノイズフィルタ回路42が構成されている。
以下に、図7に示したパルス波形検出回路を備えたノイズフィルタ回路の動作について説明する。
ノイズフィルタ回路42内のNAND回路ND3の第2入力端には、パルス波形検出回路10からイネーブル信号Iが供給される。入力端子TI3及びパルス波形検出回路10に異常波形が入力された場合、パルス波形検出回路10から出力されるイネーブル信号Iは“H”となる。このイネーブル信号I(“H”)がNAND回路ND3の第2入力端に入力されると、ノイズフィルタ回路42が稼働状態になりフィルタ機能が働き、入力バッファ回路41から出力される異常波形を除去する。
一方、入力端子TI3及びパルス波形検出回路10に正常波形が入力された場合、パルス波形検出回路10から出力されるイネーブル信号Iは“L”となる。このイネーブル信号I(“L”)がNAND回路ND3の第2入力端に入力されると、ノイズフィルタ回路42が非稼働状態になりフィルタ機能が働かず、入力バッファ回路41から出力される正常波形は遅れることなく後段の回路に伝達される。
以上説明したように、パルス波形検出回路の出力をノイズフィルタ回路のイネーブル信号として使用することにより、異常波形が入力されたときは、この異常波形が後段の回路に伝わるのを防止することができ、正常波形が入力されたときは通常と同様に信号を遅らせることなく通過させるため、アクセスタイムを遅くすることはない。
なお、この実施形態では、入力バッファ回路41の後段にノイズフィルタ回路42を配置した例を示したが、これに限るわけではなく、入力バッファ回路41の前段に配置しても同様の効果が得られる。さらに、ノイズフィルタ回路42を、図5及び図6に示したページモードデコーダ24内部、カラムデコーダ34内部、及びロウデコーダ33内部に入れても同様の効果が得られる。
また、前述した各実施形態はそれぞれ、単独で実施できるばかりでなく、適宜組み合わせて実施することも可能である。さらに、前述した各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、各実施形態において開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせにより、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
10…パルス波形検出回路、11…立ち上がり検出回路、12…立ち下がり検出回路、13…判別回路、14…パルス発生回路、15…出力バッファ回路、16…センスアンプ、17…ラッチ回路、21…センスアンプ、22…ページモード切り替え回路、23…アドレスバッファ、24…ページモードデコーダ、25…ラッチ回路、26…出力バッファ回路、31…メモリセル、32…アドレスバッファ、33…ロウデコーダ、34…カラムデコーダ、35…カラム切り替え回路、36…センスアンプ、37…出力バッファ回路、41…入力バッファ回路、42…ノイズフィルタ回路。
Claims (5)
- 入力信号のパルス波形の前縁を検出する第1の検出回路と、
前記入力信号のパルス波形の後縁を検出する第2の検出回路と、
前記第1、第2の検出回路の検出結果から前記パルス波形のパルス幅が所定期間より短いか否かを判別する判別回路と、
前記判別回路により前記パルス波形のパルス幅が所定期間より短いことが判ったとき、パルス信号を発生するパルス発生回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 入力信号のパルス波形の前縁を検出して、所定期間のパルス幅を持つ第1信号を出力する第1の検出回路と、
前記入力信号のパルス波形の後縁を検出して、前記所定期間のパルス幅を持つ第2信号を出力する第2の検出回路と、
前記第1、第2の検出回路から出力された前記第1信号と第2信号とで論理演算を行い、前記パルス波形のパルス幅が前記所定期間より短いか否かを判別する判別回路と、
前記判別回路により前記パルス波形のパルス幅が前記所定期間より短いことが判ったとき、パルス信号を発生するパルス発生回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記パルス発生回路が発生した前記パルス信号に応じて、保持状態及び導通状態のいずれか一方の状態に設定される保持回路と、
メモリセルに記憶された信号を読み出して前記保持回路へ出力するセンスアンプと、
前記保持回路から出力された信号を受け取り外部へ出力する出力バッファ回路とをさらに具備し、
前記保持回路は、前記パルス信号が第1の電圧であるとき、前記センスアンプから出力された直前の第1信号を保持して、センスアンプから前記第1信号の次に出力される第2信号を遮断し、前記パルス信号が第2の電圧であるとき、センスアンプから出力される前記第2信号を通過させて前記出力バッファ回路へ出力することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記パルス発生回路が発生した前記パルス信号に応じて、保持状態及び導通状態のいずれか一方の状態に設定される保持回路と、
メモリセルに記憶されたデータを同時に並行して読み出す複数のセンスアンプと、
アドレス信号に基づいてページモードを選択するページモードデコーダと、
前記ページモードデコーダにより選択されたページモードに応じて、前記複数のセンスアンプにより読み出されたデータを切り替えて前記保持回路に出力する切り替え回路と、
前記保持回路から出力されたデータを受け取り、外部へ出力する出力バッファ回路とをさらに具備し、
前記保持回路は、前記パルス信号が第1の電圧であるとき、前記切り替え回路から出力された直前の第1データを保持して、センスアンプから前記第1データの次に出力される第2データを遮断し、前記パルス信号が第2の電圧であるとき、センスアンプから出力される前記第2データを通過させて前記出力バッファ回路へ出力することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - アドレス信号に基づいてメモリセルに接続されたビット線を選択し、選択信号を出力すると共に、前記パルス発生回路が発生した前記パルス信号に応じて、保持状態及び導通状態のいずれか一方の状態に設定される第1のデコーダ保持回路を有するカラムデコーダと、
前記メモリセルに記憶された信号を読み出すセンスアンプと、
前記第1のデコーダ保持回路から出力された前記選択信号に応じて、前記ビット線と前記センスアンプとの間の接続を切り替える切り替え回路とをさらに具備し、
前記第1のデコーダ保持回路は、前記パルス信号が第1の電圧であるとき、前記カラムデコーダから出力された直前の第1選択信号を保持して、前記カラムデコーダから前記第1選択信号の次に出力される第2選択信号を遮断し、前記パルス信号が第2の電圧であるとき、前記カラムデコーダから出力される前記第2選択信号を通過させて前記切り替え回路へ出力することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
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