JP2005203407A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】反応速度が速く、均一性の良いエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、反応室12の壁面37で囲まれた円筒形の反応空間38内に、円形の基板15を配置し、反応空間内に反応ガスとラジカルを導入し、基板表面のエッチング対象物と反応させた後、基板を昇温させ、反応生成物を熱分解させ、エッチング対象物を除去するエッチング方法であり、基板15の周囲と壁面37との間の距離を25mm以下にしている。その結果、導入した反応ガスやラジカルが基板15と壁面の間を流れず、基板15と基板15の間を流れるので、反応速度が速く、均一なエッチングを行うことができる。
【選択図】 図2
Description
請求項2記載の発明は、前記基板を複数枚所定間隔で平行にして前記反応空間内に配置する請求項1記載のエッチング方法である。
請求項3記載の発明は、前記各基板の中心を前記反応空間の中心軸線上に配置する請求項2記載のエッチング方法である。
請求項4記載の発明は、前記反応ガスとして化学構造中にフッ素を有するガスを用い、前記活性ガスとして水素ラジカルを生成させるガスを用い、前記エッチング対象物がシリコン酸化物である請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のエッチング方法である。
処理装置5は、反応装置10と、搬送ロボット42と、ストッカー43と、作業台44とを有している。
搬出入室11の一側面には、搬出入口14が設けられている。
反応室12の内部平面図を図3に示す。
反応ガス導入装置35とラジカル導入装置36は、一定間隔で小孔が複数個形成されており、基板15を水平面内で回転させながら、先ず、反応ガスを反応ガス導入装置35に供給すると、反応ガスは、反応ガス導入装置35の小孔から反応空間38に導入される。
中間生成物NHxFyは常温で下記式のようにシリコン酸化物と反応し、(NH4)2SiF6から成る反応生成物が生成される。
上記反応により、反応生成物が十分生成された後、活性ガスと反応ガスとμ波の供給を停止し、反応空間38の圧力を低下させる。
反応空間38の周囲には、一乃至複数台の赤外線ランプ51が配置されている。
が進行し、生成されたNH3ガス、HFガス、及びSiF4ガスは基板表面から脱離し、真空排気されることで、基板15の表面からシリコン酸化物の薄膜が除去される。熱分解によって生成されたガスを除去する際、N2ガスやArガス等の不活性ガスを大量に流し、熱分解ガスを不活性ガスの流れに乗せて除去することもできる。
12……反応室
15……基板
20……中心軸線
37……壁面
Claims (6)
- 反応室の壁面で囲まれた断面が略円形の反応空間内に、円形の基板の周辺を前記壁面に対向して配置し、
前記反応空間内に反応ガスと活性ガスから生成したラジカルを導入し、前記基板表面のエッチング対象物と反応させた後、前記基板を昇温させ、前記反応生成物を熱分解させ、前記エッチング対象物を除去するエッチング方法であって、
前記基板の周囲と前記壁面とを非接触にし、且つ、前記基板の周囲と前記壁面との間の距離を25mm以下にし、前記反応ガスと前記ラジカルを導入するときに、前記基板を回転させるエッチング方法。 - 前記基板を複数枚所定間隔で平行にして前記反応空間内に配置する請求項1記載のエッチング方法。
- 前記各基板の中心を前記反応空間の中心軸線上に配置する請求項2記載のエッチング方法。
- 前記反応ガスとして化学構造中にフッ素を有するガスを用い、
前記活性ガスとして水素ラジカルを生成させるガスを用い、
前記エッチング対象物がシリコン酸化物である請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のエッチング方法。 - 前記反応ガスとしてNF3ガスを用い、前記活性ガスとしてNH3ガス又はH2ガスの少なくとも一方を用いる請求項4記載のエッチング方法。
- 前記反応ガスとしてNF3ガスを用い、前記活性ガスにN2ガスを添加する請求項5記載のエッチング方法。
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