JP2005202470A - 定電流回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】 正負電源や高電圧電源を用いることができる定電流回路を提供すること。
【解決手段】 本発明では、基準電流を通電する第1のトランジスタと出力電流を通電する第2のトランジスタとをカレントミラー接続した電流出力部と、前記第1のトランジスタにカスコード接続した第3のトランジスタと前記第2のトランジスタにカスコード接続した第4のトランジスタとをカレントミラー接続した電流折返し部とを有する定電流回路において、前記電流出力部に、前記第1及び第2のトランジスタのゲート電圧を調整するためのゲート電圧調整手段を接続し、前記電流折返し部に、前記第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を一定に保持するためのドレイン・ソース間電圧保持手段を接続した。
【選択図】 図1

Description

本発明は、定電流回路に関するものである。
従来より半導体集積回路においては、一定の電流を通電する定電流回路が内部回路として広く用いられていた。
この定電流回路11の代表的なものとしては、図4に示すように、カレントミラー接続した一対の第1及び第2のトランジスタTr11,Tr12からなる電流出力部12と、カレントミラー接続した一対の第3及び第4のトランジスタTr13,Tr14からなる電流折返し部13とをカスコード接続したカスコード接続型カレントミラー回路14を有する構成となっていた(たとえば、特許文献1参照)。
この定電流回路11の具体的な構成について説明すると、定電流回路11は、図4に示すように、電源端子VCCに電流源I11を接続するとともに、この電流源I11にNチャンネルMOS構造の第1のトランジスタTr11のドレインを接続し、一方、電源端子VCCに抵抗R11を接続するとともに、この抵抗R11にNチャンネルMOS構造の第2のトランジスタTr12のドレインを接続し、この第2のトランジスタTr12のゲートに第1のトランジスタTr11のゲートとドレインとを接続することによって第1のトランジスタTr11と第2のトランジスタTr12とをカレントミラー接続しており、これらの第1及び第2のトランジスタTr11,Tr12によって電流出力部12を構成していた。
また、定電流回路11は、図4に示すように、第1のトランジスタTr11のソースにNチャンネルMOS構造の第3のトランジスタTr13のドレインをカスコード接続するとともに、この第3のトランジスタTr13のソースにグランド端子GNDを接続し、一方、第2のトランジスタTr12のソースにNチャンネルMOS構造の第4のトランジスタTr14のドレインをカスコード接続するとともに、この第4のトランジスタTr14のソースにグランド端子GNDを接続し、この第4のトランジスタTr14のゲートに第3のトランジスタTr13のゲートとドレインとを接続することによって第3のトランジスタTr13と第4のトランジスタTr14とをカレントミラー接続しており、これらの第3及び第4のトランジスタTr13,Tr14によって電流折返し部13を構成していた。
なお、上記の定電流回路11は、全てのトランジスタTr11〜Tr14の特性が同一となるように半導体基板上に製造されていた。
そして、上記の定電流回路11では、電流折返し部13において、電流源I11で発生した基準電流i11をカレントミラー接続した第3及び第4のトランジスタTr13,Tr14で折返すことによって抵抗R11に流れる出力電流i'11を生成するとともに、電流出力部12において、第1のトランジスタTr11が基準電流i11を通電する一方、第2のトランジスタTr12が出力電流i'11を通電して、出力電流i'11を取出せるようにしていた。
特開2000−236226号公報
ところが、上記した従来の定電流回路11にあっては、第2のトランジスタTr12のドレイン・ソース間電圧がドレイン・ソース降伏電圧の定格値を超えないようにするために、正負電源や高電圧電源を用いた回路構成とすることができなかった。
すなわち、上記の定電流回路11では、各トランジスタTr11〜Tr14のゲート・ソース間電圧をそれぞれVGS1,VGS2,VGS3,VGS4とすると、第1及び第2のトランジスタTr11,Tr12のゲート電位V11は、
V11=VGS1+VGS3
となり、これから、第2のトランジスタTr12のソース電位V12は、
V12=V11−VGS2=VGS1+VGS3−VGS2
となる。
ここで、全てのトランジスタTr11〜Tr14のゲート・ソース間電圧VGS1,VGS2,VGS3,VGS4が等しいとすると、
V12=VGS1
となる。
一方、電源電圧をVccとし、抵抗R11の抵抗値をr11とし、i11=i'11とすると、第2のトランジスタTr12のドレイン電位V13は、
V13=Vcc−r11・i11
となる。
したがって、第2のトランジスタTr12のドレイン・ソース間電圧V14は、
V14=V13−V12=Vcc−r11・i11−VGS1
となる。
ここで、電源電圧Vccを5(V)とし、全てのトランジスタTr11〜Tr14のゲート・ソース間電圧VGS1,VGS2,VGS3,VGS4を0.9(v)とすると、
V14=4.1(v)−r11・i11
となる。
そのため、抵抗R11の抵抗値r11が小さい場合には、第2のトランジスタTr12のドレイン・ソース間電圧V14がドレイン・ソース降伏電圧の定格値(約3(V))を超えることになる。
そして、上記定電流回路11では、電源電圧Vccの値を高くすればするほど、第2のトランジスタTr12のドレイン・ソース間電圧V14がドレイン・ソース降伏電圧の定格値を超えるおそれが高くなる。
そこで、請求項1に係る本発明では、基準電流を通電する第1のトランジスタと出力電流を通電する第2のトランジスタとをカレントミラー接続した電流出力部と、前記第1のトランジスタにカスコード接続した第3のトランジスタと前記第2のトランジスタにカスコード接続した第4のトランジスタとをカレントミラー接続した電流折返し部とを有する定電流回路において、前記電流出力部に、前記第1及び第2のトランジスタのゲート電圧を調整するためのゲート電圧調整手段を接続することにした。
また、請求項2に係る本発明では、前記請求項1に係る本発明において、前記電流折返し部に、前記第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を一定に保持するためのドレイン・ソース間電圧保持手段を接続することにした。
また、請求項3に係る本発明では、前記ゲート電圧調整手段は、前記第1及び第2のトランジスタのゲートに接続した可変電圧源によって前記ゲート電圧を調整するように構成し、前記ドレイン・ソース間電圧保持手段は、前記ゲート電圧に応じて前記基準電流の一部を通電する第5のトランジスタと、この第5のトランジスタに通電される電流によって前記第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を決める抵抗とから構成することにした。
そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。
すなわち、請求項1に係る本発明では、基準電流を通電する第1のトランジスタと出力電流を通電する第2のトランジスタとをカレントミラー接続した電流出力部と、前記第1のトランジスタにカスコード接続した第3のトランジスタと前記第2のトランジスタにカスコード接続した第4のトランジスタとをカレントミラー接続した電流折返し部とを有する定電流回路において、前記電流出力部に、前記第1及び第2のトランジスタのゲート電圧を調整するためのゲート電圧調整手段を接続しているため、このゲート電圧調整手段を用いて第1及び第2のトランジスタのゲート電圧を調整することによって、第1及び第2のトランジスタのドレイン・ソース間電圧をドレイン・ソース降伏電圧の定格値よりも低く設定することができ、これにより、正負電源や高電圧電源を用いた定電流回路とすることができる。
また、請求項2に係る本発明では、前記電流折返し部に、前記第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を一定に保持するためのドレイン・ソース間電圧保持手段を接続しているため、このドレイン・ソース間電圧保持手段によって第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧が一定値に保持されるため、チャネル長変調の影響を受けることなく、精度良く出力電流を生成することができる。
また、請求項3に係る本発明では、前記ゲート電圧調整手段は、前記第1及び第2のトランジスタのゲートに接続した可変電圧源によって前記ゲート電圧を調整するように構成し、前記ドレイン・ソース間電圧保持手段は、前記ゲート電圧に応じて前記基準電流の一部を通電する第5のトランジスタと、この第5のトランジスタに通電される電流によって前記第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を決める抵抗とから構成することにしているため、ゲート電圧調整手段及びドレイン・ソース間電圧保持手段の回路構成を簡略化することができ、機能追加による定電流回路の回路規模の増大やコストの増大を抑制することができる。
本発明に係る定電流回路は、カレントミラー接続した一対の第1及び第2のトランジスタからなる電流出力部と、カレントミラー接続した一対の第3及び第4のトランジスタからなる電流折返し部とをカスコード接続したカスコード接続型カレントミラー回路を有するものである。
ここで、電流出力部は、基準電流を通電する第1のトランジスタと出力電流を通電する第2のトランジスタとをカレントミラー接続した構成としており、また、電流折返し部は、第1のトランジスタにカスコード接続した第3のトランジスタと第2のトランジスタにカスコード接続した第4のトランジスタとをカレントミラー接続した構成としている。
しかも、電流出力部には、第1及び第2のトランジスタのゲート電圧を調整するためのゲート電圧調整手段を接続し、また、電流折返し部には、第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を一定に保持するためのドレイン・ソース間電圧保持手段を接続している。
そのため、このゲート電圧調整手段を用いて第1及び第2のトランジスタのゲート電圧を調整することによって、第1及び第2のトランジスタのドレイン・ソース間電圧をドレイン・ソース降伏電圧の定格値よりも低く設定することができる。したがって、電位差の大きい正負電源や高電圧電源を用いた回路構成としても、第1及び第2のトランジスタのドレイン・ソース間電圧がドレイン・ソース降伏電圧の定格値を超えてしまうのを未然に防止することができるので、正負電源や高電圧電源を用いた定電流回路とすることができる。
また、ドレイン・ソース間電圧保持手段によって第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧が一定値に保持されているために、ドレイン・ソース間電圧の変動に応じてドレイン・ソース間電流が変動するといったチャネル長変調の影響を受けることがなくなり、基準電流に対応した出力電流を精度良く生成することができる。
特に、第1及び第2のトランジスタのゲートに接続した可変電圧源によってゲート電圧を調整するようにゲート電圧調整手段を構成し、ゲート電圧に応じて基準電流の一部を通電する第5のトランジスタと、この第5のトランジスタに通電される電流によって第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を決める抵抗とからドレイン・ソース間電圧保持手段を構成するようにした場合には、ゲート電圧調整手段及びドレイン・ソース間電圧保持手段の回路構成を簡略化することができ、機能追加による定電流回路の回路規模の増大やコストの増大を抑制することができる。
以下に、本発明に係る定電流回路の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
本発明に係る定電流回路1は、図1に示すように、カレントミラー接続した一対の第1及び第2のトランジスタTr1,Tr2からなる電流出力部2と、カレントミラー接続した一対の第3及び第4のトランジスタTr3,Tr4からなる電流折返し部3とをカスコード接続したカスコード接続型カレントミラー回路4を有する構成となっている。
この定電流回路1は、図1に示すように、電源端子VCCに電流源I1を接続するとともに、この電流源I1にNチャンネルMOS構造の第1のトランジスタTr1のドレインを接続し、一方、電源端子VCCに抵抗R1を接続するとともに、この抵抗R1にNチャンネルMOS構造の第2のトランジスタTr2のドレインを接続し、この第2のトランジスタTr2のゲートに第1のトランジスタTr1のゲートとドレインとを接続することによって第1のトランジスタTr1と第2のトランジスタTr2とをカレントミラー接続しており、これらの第1及び第2のトランジスタTr1,Tr2によって電流出力部2を構成している。
また、定電流回路1は、図1に示すように、第1のトランジスタTr1のソースにNチャンネルMOS構造の第3のトランジスタTr3のドレインをカスコード接続するとともに、この第3のトランジスタTr3のソースにグランド端子GNDを接続し、一方、第2のトランジスタTr2のソースにNチャンネルMOS構造の第4のトランジスタTr4のドレインをカスコード接続するとともに、この第4のトランジスタTr4のソースにグランド端子GNDを接続し、この第4のトランジスタTr4のゲートに第3のトランジスタTr3のゲートとドレインとを接続することによって第3のトランジスタTr3と第4のトランジスタTr4とをカレントミラー接続しており、これらの第3及び第4のトランジスタTr3,Tr4によって電流折返し部3を構成している。
なお、定電流回路1を実際に半導体基板上に製造する際には、全てのトランジスタTr1〜Tr4の特性が同一となるように同一形状に製造している。
そして、定電流回路1では、電流折返し部3において、電流源I1で発生した基準電流i1をカレントミラー接続した第3及び第4のトランジスタTr3,Tr4で折返すことによって抵抗R1に流れる出力電流i'1を生成するとともに、電流出力部2において、第1のトランジスタTr1が基準電流i1を通電する一方、第2のトランジスタTr2が出力電流i'1を通電して、出力電流i'1を取出せるようにしている。
また、定電流回路1は、図1に示すように、電流出力部2に、第1及び第2のトランジスタTr1,Tr2のゲート電圧を調整するためのゲート電圧調整手段5を接続している。
さらに、定電流回路1は、図1に示すように、電流折返し部3に、第3及び第4のトランジスタTr3,Tr4のドレイン・ソース間電圧を一定に保持するためのドレイン・ソース間電圧保持手段6を接続している。
これらのゲート電圧調整手段5とドレイン・ソース間電圧保持手段6の具体的な回路構成の一例について以下に説明する。
ゲート電圧調整手段5は、図2に示すように、第1及び第2のトランジスタTr1,Tr2のゲートとグランド端子GNDとの間に可変電圧源VE1を接続した構成としている。
そして、ゲート電圧調整手段5は、可変電圧源VE1で発生する電圧を調整することによって第1及び第2のトランジスタTr1,Tr2のゲート電圧を調整できるようにしている。
また、ドレイン・ソース間電圧保持手段6は、図2に示すように、基準電流i1の一部(i3)を通電するPチャンネル型MOS構造の第5のトランジスタTr5と、この第5のトランジスタTr5に通電される電流i3によって第3及び第4のトランジスタTr3,Tr4のドレイン・ソース間電圧を決める抵抗R2とて構成している。
すなわち、ドレイン・ソース間電圧保持手段6は、可変電圧源VE1に第5のトランジスタTr5のゲートを接続するとともに、この第5のトランジスタTr5のソースに電流源I1と第1のトランジスタTr1のドレインとを接続し、さらには、第5のトランジスタTr5のドレインに第3及び第4のトランジスタTr3,Tr4のゲートを接続し、この第3及び第4のトランジスタTr3,Tr4のゲートとグランド端子GNDとの間に抵抗R2を接続している。
そして、ドレイン・ソース間電圧保持手段6は、可変電圧源VE1によって発生したゲート電圧に応じて基準電流i1の一部(i3)を第5のトランジスタTr5を介して抵抗R2に通電し、この抵抗R2での降下電圧(i3・r2)が第3及び第4のトランジスタTr3,Tr4のドレイン・ソース間電圧となるようにしている。
ここで、電流源I1で発生する基準電流i1は、第1のトランジスタTr1に流れ込む電流i2と第5のトランジスタTr5に流れ込む電流i3とに分流することになるが、抵抗R2の抵抗値r2を十分に大きい値にすることによって、i1とi2とをほぼ等しくすることができ、これにより、抵抗R1に流れる出力電流i'1を基準電流i1とほぼ等しくすることができる。
なお、上記説明では、正の電源端子VCCとグランド端子GNDとを用いた定電流回路1の構成について説明したが、本発明に係る定電流回路は、このような単一電源回路構成とした場合に限られず、図3に示すように、正の電源端子VCCと負の電源端子VEEとを用いた正負電源回路構成とすることもできる。この図3では、図2に示した定電流回路1と同一機能を有する素子には図2と同一の符号を付している。
本発明に係る定電流回路を示すブロック図。 同回路図。 正負電源を用いた場合の定電流回路を示す回路図。 従来の定電流回路を示す回路図。
符号の説明
1 定電流回路
2 電流出力部
3 電流折返し部
4 カスコード接続型カレントミラー回路
5 ゲート電圧調整手段
6 ドレイン・ソース間電圧保持手段
Tr1〜Tr5 トランジスタ
R1,R2 抵抗
I1 電流源
VE1 可変電圧源
i1 基準電流
i'1 出力電流

Claims (3)

  1. 基準電流を通電する第1のトランジスタと出力電流を通電する第2のトランジスタとをカレントミラー接続した電流出力部と、前記第1のトランジスタにカスコード接続した第3のトランジスタと前記第2のトランジスタにカスコード接続した第4のトランジスタとをカレントミラー接続した電流折返し部とを有する定電流回路において、
    前記電流出力部に、前記第1及び第2のトランジスタのゲート電圧を調整するためのゲート電圧調整手段を接続したことを特徴とする定電流回路。
  2. 前記電流折返し部に、前記第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を一定に保持するためのドレイン・ソース間電圧保持手段を接続したことを特徴とする請求項1に記載の定電流回路。
  3. 前記ゲート電圧調整手段は、前記第1及び第2のトランジスタのゲートに接続した可変電圧源によって前記ゲート電圧を調整するように構成し、
    前記ドレイン・ソース間電圧保持手段は、前記ゲート電圧に応じて前記基準電流の一部を通電する第5のトランジスタと、この第5のトランジスタに通電される電流によって前記第3及び第4のトランジスタのドレイン・ソース間電圧を決める抵抗とから構成したことを特徴とする請求項2に記載の定電流回路。
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