JP2005191506A - 不揮発性記憶装置、半導体集積回路装置、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 MOSトランジスタのソース、ウエル、基板もしくは深いウエルから構成される縦型バイポーラトランジスタにおいて、ウエルをベースとして順バイアスを印加し、基板もしくは深いウエルから注入される少数キャリアを加速してホットキャリア化し、コレクタとなるソース近郷のサイドスペーサへ注入・トラップさせて書込みを行う。トランジスタの絶縁膜サイドスペーサを電荷蓄積領域とすることにより、リテンション等の性能がゲート酸化膜厚に依存しないため、100nm以下の微細CMOSトランジスタプロセスにおいても、製造工程を全く変更することなく製造可能となる。
【選択図】 図1
Description
図5には、本発明に係る半導体装置が有するソース線分割型の不揮発性メモリセルの断面構造が示される。同図において、抵抗率10ΩcmのP型シリコン基板1の表面領域に、深さ2μm、平均リン濃度1x1017cm−3の深いN型ウエル3、深いN型ウエル3の内部に、深さ0.8μm、平均ボロン濃度2x1017cm−3のP型ウエル4が配置され、深さ250nmの素子分離2によって分離されたメモリセルのNチャンネル型トランジスタは、膜厚5nmのゲート酸化膜5、膜厚200nmでリン濃度2x1020cm−3のポリシリコン膜からなる長さ0.3μmのゲート6、平均砒素濃度5x1018cm−3の低濃度ソース・ドレイン7、平均砒素濃度1x1020cm−3のソース・ドレイン9、膜厚10nmの酸化膜50、膜厚20nmの窒化膜51、および、膜厚30nmの酸化膜サイドスペーサ8から構成され、前記深いN型ウエル3へ接続するための平均砒素濃度1x1020cm−3のN型拡散層10、前記P型ウエル4へ接続するための平均ボロン濃度1x1020cm−3のP型拡散層11が配置されている。
図9には、本発明に係る半導体装置が有するPチャンネル型の不揮発性メモリセルの断面構造が示される。同図において、抵抗率10ΩcmのP型シリコン基板61の表面領域に、深さ1μm、平均リン濃度1x1017cm−3のN型ウエル63、深さ1μm、平均ボロン濃度2x1017cm−3のP型ウエル64が配置され、深さ250nmの素子分離62によって分離されたメモリセルのPチャンネル型トランジスタは、膜厚5nmのゲート酸化膜5、膜厚200nmでボロン濃度2x1020cm−3のポリシリコン膜からなる長さ0.3μmのゲート66、平均ボロン濃度5x1018cm−3のドレインイクステンション67、平均ボロン濃度1x1020cm−3のソース・ドレイン69、幅80nmの酸化膜サイドスペーサ68から構成され、前記N型ウエル63へ接続するための平均砒素濃度1x1020cm−3のN型拡散層71、前記P型ウエル64へ接続するための平均ボロン濃度1x1020cm−3のP型拡散層70が配置されている。
図13には、本発明に係る半導体装置が有するソース線分割Pチャンネル型の不揮発性メモリセルの等価回路が示される。同図において、負荷トランジスタである2つのPチャンネル型トランジスタ(MPL、MPR)と、2つのNチャンネル型トランジスタ(MNL、MNR)がフリップフロップを構成しており、前記Pチャンネル型トランジスタ(MPL、MPR)は図9に示された構造を持つ記憶トランジスタであり、各々記憶トランジスタは共通のN型ウエル(NW)内配に配置され、各々のP型ソースは左右の電源線VCCL、VCCRへ接続されている。2つのNチャンネル型トランジスタ(MNL、MNR)のソースはともに共通ソース線(VS)へ接続されている。
図16には、本発明に係る半導体装置が有するソースオフセット型の不揮発性メモリセルの断面構造が示される。同図において、抵抗率10ΩcmのP型シリコン基板101の表面領域に、深さ2μm、平均リン濃度1x1017cm−3の深いN型ウエル103、深いN型ウエル103の内部に深さ0.8μm、平均ボロン濃度2x1017cm−3のP型ウエル104が配置され、深さ250nmの素子分離102によって分離されたメモリセルのNチャンネル型トランジスタは、膜厚5nmのゲート酸化膜105、膜厚200nmでリン濃度2x1020cm−3のポリシリコン膜からなる長さ0.3μmのゲート106、平均砒素濃度5x1018cm−3のドレインイクステンション107、平均砒素濃度1x1020cm−3のソース・ドレイン109、膜厚50nmの酸化膜サイドスペーサ108から構成され、前記深いN型ウエル103へ接続するための平均砒素濃度1x1020cm−3のN型拡散層110、前記P型ウエル104へ接続するための平均ボロン濃度1x1020cm−3のP型拡散層111が配置されている。
図19には、本発明に係る半導体装置が有するソースオフセット型の不揮発性メモリモジュールの回路ブロックの概略が示される。同図において、使用するメモリセルは図5から図7に示したソース線分割型の不揮発性メモリであり、フリップフロップ型のメモリセルは横一列に64ビット(n=64)が配置されている。状態制御回路(Program,Erase,Read Status Controller)により、メモリモジュールの動作が制御され、書込むべきデータ、および読み出されたデータを保持するためのデータラッチ回路(Data Latch Circuit)を備えている。前記データラッチ回路は電源電圧Vccで動作し、書き込みデータをメモリセルへ転送する場合には、レベルシフター(Level Shifter)により電源電圧Vccから書き込み用の高電圧Vppへ変換される。書込みと読出し動作は、前記状態制御回路によってトランスファゲート信号VGP、およびVGRのいずれか一方が選択され、前記データラッチ回路への入出力が行われる。書込み動作においては、トランスファゲート信号VGPが選択され、前記データラッチ回路の保持データがレベルシフターを介して、各メモリセルの2つの左右ソース線(VSL、VSR)に相補的な書込み電圧(Vss、Vpp)、あるいは(Vpp、Vss)が与えられた後、共通P型ウエル線VPへ順バイアス電圧が印加されて、所望の領域へ基板ホットエレクトロンが注入される。
図20には、本発明に係る半導体装置が有するソースオフセット型の不揮発性メモリモジュールを搭載したRFIDチップの回路ブロックが示されている。パッドP1、およびP2に、外部のリーダーから発信されたRF信号を受信するため、チップ外部に配置されたアンテナLが接続され、前記パッドP1−P2間には容量120pFの電源キャパシタCT、電圧クランプ回路(Voltage Clamp)、電源モジュレーター(Modulator)、およびブリッジ整流器(Bridge Rectifier)が接続され、前記ブリッジ整流器の出力から内部電源電圧(Vcc)と高電圧(Vpp)を発生するVcc検出回路(Vcc Detector)、Vpp昇圧回路(Vpp Generator)が接続されている。また、前記ブリッジ整流器により、受信したRF信号に含まれる動作モードを検出する回路(Mode Selector)、クロック検出回路(Clock Extractor)、および不揮発性メモリモジュール(EEPROM)への書込みデータを取り出す回路(Data Modulator)が接続され、動作モードがコントローラ(Controller)へ送られて不揮発性メモリモジュールの動作が制御される。書込み前記内部電源電圧Vccと高電圧Vppが不揮発性メモリへ供給されて、書込み、読出し動作が行われる。前期ブリッジ整流器の出力には電源安定化キャパシタCFが接続され、出力電圧を検出するための電圧レギュレータ(Regulator)の制御信号が前記電圧クランプ回路へフィードバックされて、電源電圧の安定化が図られている。
図21には本発明に係る半導体装置の一例であるシステムLSIのチップ平面図が概略的に示されている。同図に示されるシステムLSIは、特に制限されないが、半導体基板の周縁に多数のボンディングパッド等の外部接続電極120が配置され、その内側に外部入出力回路121、アナログ入出力回路122が設けられている。外部入出力回路121及びアナログ入出力回路122は3.3Vのような相対的にレベルの高い外部電源を動作電源とする。レベルシフト回路123は前記外部電源を1.8Vのような内部電源電圧に降圧する。レベルシフト回路123の内側には、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)124、中央処理装置(CPU)125、キャッシュメモリ(CACH)126、ロジック回路(LOG)127、フェーズ・ロックド・ループ回路(PLL)128、アナログ・ディジタル変換回路(ADC)129、及びディジタル・アナログ変換回路(DAC)130、システムコントローラ(SYSC)131を有する。132、133、134で示されるものは夫々電気的に消去及び書き込みが可能な不揮発性メモリ(EPROM)であり、図19で説明した不揮発性メモリセルモジュールをベースにメモリ容量を変更して備える。
2、62、102−素子分離
4、26、64、84、104−P型ウエル
3、24、103−深いN型ウエル
25、63、85−N型ウエル
5、65、105、142、162、182−ゲート絶縁膜
6、27、28、66、86、106、143、163、183−ゲート、セレクトゲート
7、168−低濃度ソース・ドレイン
8、68,108−サイドスペーサ
9、109−ソース・ドレイン
10、71、91、110−N型拡散層
11、32、70、111−P型拡散層
12、150、173−電子、ホットエレクトロン
13−トラップ電子
21、22、23、81、82、83−活性領域
31−N型ソース・ドレイン
34、69−P型ソース・ドレイン
35、92−コンタクトホール
36、37、38、39、40、54、93、94、95、96、97、98、99−第1金属配線
41−スルーホール
42−第2金属配線
50、145、164、184−下部酸化膜
51、146、165、185−シリコン窒化膜
67、107−ドレインイクステンション
72、112−ホットホール
73、113−トラップホール
87−N型ドレイン
88−N型ソース
89−P型ドレイン
90−P型ソース
120−外部接続電極
122−アナログ入出力回路
123−レベルシフト回路
124−スタティク・ランダム・アクセス・メモリSRAM
125−中央処理装置CPU
126−キャッシュメモリCACH
127−ロジック回路LOG
128−フェーズ・ロックド・ループ回路PLL
129−アナログ・ディジタル変換回路ADC
120−ディジタル・アナログ変換回路DAC
131−システムコントローラSYSC
132、133、134−不揮発性メモリEPROM
144、171、187−ソース
147、166、186−上部酸化膜
148−コントロールゲート
149、170、188−ドレイン
167−サイドゲート
172−サリサイド膜
MPL、MPR−Pチャンネル型トランジスタ
MNL、MNR−Nチャンネル型トランジスタ
PW−P型ウエル
VPL、VPR、VP、Vsub−P型ウエル線
VDN−深いN型ウエル線
VNL、VNR、VN−N型ウエル線
VCC−電源線
VSL、VSR、VS−ソース線
VL、VR−ノード線
Vcc−電源電圧
Vpp−書込み・消去用高電圧
Vss−接地電位
INV−インバータ
Claims (16)
- 第1導電型の半導体基板、もしくは深いウエル内に、第2導電型のウエルを内在し、前記第2導電型のウエル内に、第1導電型のソース、及びドレイン、前記ソース、及びドレインの間にチャンネル、前記チャンネルの上部にゲート絶縁膜を介在してゲート、前記ゲートの側部に絶縁膜サイドスペーサを持つ第2導電型の記憶トランジスタにおいて、前記第2導電型のウエルと前記第1導電型の半導体基板、もしくは深いウエルを順方向バイアスする第1電位を、前記第2導電型のウエルへ印加し、前記ソースと前記第2導電型のウエルを逆バイアスする第2電位を、前記ソースへ印加して、前記第1導電型の半導体基板、もしくは深いウエルから前記第2導電型のウエルへ少数キャリアを注入し、前記少数キャリアを前記絶縁膜サイドスペーサ、及び前記ゲート絶縁膜内へ注入することにより、情報の書込み、もしくは消去を行うことを特徴とする不揮発性記憶装置。
- 前記ドレインから前記チャンネルへキャリアを注入して情報の読み出しを行うことを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記第1電位は、前記第2導電型のウエルと前記第1導電型の半導体基板、もしくは深いウエルが構成する接合のビルトイン電圧より高く、前記第2電位は、前記第1導電型のソースの接合耐圧より低いことを特徴とする請求項1、及び請求項2記載の不揮発性記憶装置。
- 前記第1導電型のソース、およびドレインの不純物分布が非対称であることを特徴とする請求項1、請求項2、及び請求項3記載の不揮発性記憶装置。
- 2つの第1導電型の負荷トランジスタと、前記第1導電型の半導体基板、もしくは深いウエル内に前記第2導電型のウエルを内在し、前記第2導電型のウエル内に形成された2つの前記第2導電型の記憶トランジスタとからフリップフロップが構成され、少なくとも情報の書込み、もしくは消去動作においては、各々の前記第1導電型のソースへ印加される前記第2電位が異なることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項3、及び請求項4記載の不揮発性記憶装置。
- 2つの第1導電型の負荷トランジスタと、前記第1導電型の半導体基板、もしくは深いウエル内に2つの前記第2導電型のウエルを内在し、各々の前記第2導電型のウエル内に形成された前記第2導電型の記憶トランジスタとからフリップフロップが構成され、少なくとも情報の書込み、もしくは消去動作においては、各々の前記第2導電型のウエルへ印加される前記第1電位が異なることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項3、及び請求項4記載の不揮発性記憶装置。
- 前記不揮発性記憶装置と、前記不揮発性記憶装置へデータを書き込みための書込み制御回路と、前記不揮発性記憶装置へ書き込むデータ、及び前記不揮発性記憶装置から読み出されたデータを保持するためのデータラッチ回路を備えた半導体集積回路装置。
- 前記半導体集積回路装置は、被救済回路と、被救済回路を代替する救済回路とを含み、前記不揮発性記憶装置は、前記救済回路で代替すべき被救済回路を特定する救済情報の記憶回路であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記被救済回路に対する別の救済情報記憶回路として、ヒューズ素子の溶断状態に応じて救済情報を記憶するヒューズプログラム回路を更に有して成るものであることを特徴とする請求項8記載の半導体装置。
- 前記被救済回路はDRAM内蔵のメモリセルアレイであることを特徴とする請求項8又は9記載の半導体装置。
- 前記被救済回路はマイクロコンピュータ内蔵DRAMのメモリセルアレイであることを特徴とする請求項8又は9記載の半導体装置。
- 前記被救済回路はマイクロコンピュータ内蔵SRAMのメモリセルアレイであることを特徴とする請求項8又は9記載の半導体装置。
- 前記半導体集積回路装置は、アナログ回路と、その回路定数を調整する定数トリミング回路とを含み、前記不揮発性記憶回路は、前記定数トリミング回路の前記回路定数を特定するための情報の記憶回路であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記半導体集積回路装置は、発振回路と、その発振周波数を調整する周波数トリミング回路とを含み、前記不揮発性記憶回路は、前記周波数トリミング回路の前記発振周波数を特定するための情報の記憶回路であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記半導体集積回路装置は、参照電圧発生回路と、その発生した参照電圧を調整する電圧トリミング回路とを含み、前記不揮発性記憶回路は、前記電圧トリミング回路の前記参照電圧を特定するための情報の記憶回路であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記半導体集積回路装置は、チップを特定するためのセキュリティ回路を含み、前記不揮発性記憶回路は、前記セキュリティ回路のチップを特定するための情報の記憶回路であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003436866A JP2005191506A (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 不揮発性記憶装置、半導体集積回路装置、及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003436866A JP2005191506A (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 不揮発性記憶装置、半導体集積回路装置、及び半導体装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006011477A Division JP3962076B2 (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | 不揮発性記憶装置および半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005191506A true JP2005191506A (ja) | 2005-07-14 |
JP2005191506A5 JP2005191506A5 (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=34792005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003436866A Withdrawn JP2005191506A (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 不揮発性記憶装置、半導体集積回路装置、及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005191506A (ja) |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061221 |
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A977 | Report on retrieval |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A761 | Written withdrawal of application |
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