JP2005191488A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 複数の発光部を有するアレイ構造の半導体発光素子において、素子特性が劣化することなく、コヒーレンスを低下させスペックルを除去することができるようにする。
【解決手段】 基板1に形成された溝2a〜2dは、その底面の幅が互いに異なっている。溝2a〜2d内にエピタキシャル成長をさせると、底面の幅の狭い溝ほど、その斜面と底面の境界部分の近傍において成長材料が大量に消費されるため、底面の幅に応じて層厚の異なる発光部4a〜4dが同時に形成される。これら発光部4a〜4dからは互いに波長の異なる光が出射され、これら波長の異なる光が混ざりあってコヒーレンスが低下し、スペックルが除去された均一なレーザ光となる。よって、この半導体レーザ10を適用したディスプレイでは高品質な映像を表現することが可能になる。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板1に形成された溝2a〜2dは、その底面の幅が互いに異なっている。溝2a〜2d内にエピタキシャル成長をさせると、底面の幅の狭い溝ほど、その斜面と底面の境界部分の近傍において成長材料が大量に消費されるため、底面の幅に応じて層厚の異なる発光部4a〜4dが同時に形成される。これら発光部4a〜4dからは互いに波長の異なる光が出射され、これら波長の異なる光が混ざりあってコヒーレンスが低下し、スペックルが除去された均一なレーザ光となる。よって、この半導体レーザ10を適用したディスプレイでは高品質な映像を表現することが可能になる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、基板上に複数の発光部を有するアレイ構造の半導体発光素子およびその製造方法に関する。
通信あるいは計測などに用いられる光にはコヒーレンシーが高いレーザ光が用いられている。しかしながら、このコヒレンシーの高い光を、レーザディスプレイなどに用いられる普通の光として利用すると、光自身が干渉し、スペックルと呼ばれる光の干渉パターンが発生し、均一に光を照射することできず、高品質な映像を表現することができない。従って、レーザディスプレイにおいて高品質な映像を表現するためには、コヒーレンシーを低下させスペックルを除去することが必要である。
一般に、スペックルを除去する方法としては、レーザ光の出力を高速で切り換える手法、あるいはレーザ光を高速で振動させる手法などがあり、具体的には、レーザに変調をかけたり、レーザ光源自体を高速で振動させたり、あるいは光路中にフィルタを設置し、このフィルタを高速で振動させたりする手法がとられている。
上述のように、従来、スペックルを除去する方法として種々提案されているが、これらの手法では、レーザ光を出射するためのドライバ(駆動回路)を特殊な機能を有するものとし、あるいは装置内に可動可能な部分を設置する必要があるため装置を小型化するのには限界があった。
なお、下記の特許文献1から特許文献3には、本発明の半導体レーザに類似するものが開示されている。これらは、活性層を含む積層構造(発光部)を形成するにあたり、2回以上のエピタキシャル成長を行っているため、2回目のエピタキシャル成長の際に、1回目に形成された積層構造(発光部)が熱によりダメージを受け、素子特性が劣化するという問題がある。また、特許文献4には、液相成長法による半導体レーザが開示されているが、このレーザにおいても、成長条件を変え、2回に分けて積層構造を形成しているため、素子が劣化するという問題がある。更に、特許文献5には、SiO2 (二酸化珪素)膜をマスクとしてAlGaAs(アルミニウム・ガリウム・ヒ素)系材料からなる積層構造(発光部)を形成する方法が開示されているが、マスクをエッチングにより除去する際に積層構造もダメージを受けるため、この場合にも素子特性が劣化してしまうという問題がある。
特開昭62−272581号公報
特開2001−237495号公報
特開昭62−271485号公報
特開昭58−79791号公報
特開平2−62090号公報
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の発光部を有するアレイ構造の素子特性を劣化させることなく、コヒーレンスを低下させスペックルを除去することができ、ディスプレイに適用した場合に高品質な映像を表現することができる半導体発光素子、およびそのアレイ構造を一度の工程で実現することができる半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体発光素子は、基板の一面に設けられると共に、底面の幅が少なくとも2つにおいて異なる複数の溝と、これら複数の溝にそれぞれ設けられると共に、少なくとも2つにおいて互いに層厚の異なる複数の発光部と、を備えた構成を有している。
この半導体発光素子では、層厚の異なる複数の発光部において、互いに異なる波長の光が出射され、これら波長の異なる光が混ざり合い、その結果コヒーレンスは低下し、スペックルを生ずることなく、全体として均一な光として照射される。
本発明の半導体発光素子の製造方法は、一つの基板の表面に、底面の幅が少なくとも2つにおいて互いに異なり、かつ各々壁面が斜面をなすように複数の溝を形成する工程と、エピタキシャル成長により、複数の溝それぞれに対し、少なくとも2つにおいて互いに層厚の異なる複数の発光部を形成する工程とを含むものである。
すなわち、この方法では、1回のエピタキシャル成長で、壁面が斜面をなす複数の溝に対しそれぞれ発光部が形成されるが、これら発光部は各溝における底面の幅に応じて互いに層厚が異なるように形成される。この層厚の相違によって各発光部から波長の異なる光が出射される。
本発明の半導体発光素子では、基板の一面に、底面の幅が異なる複数の溝を設け、これら複数の溝にそれぞれ互いに層厚の異なる複数の発光部を設けるようにしたので、各発光部から互いに異なる波長の光を出射させることができる。これらの光が混ざり合って発振波長の半値幅が広くなってコヒーレンスが低下し、スペックルの除去された均一な光として出力されるため、ディスプレイに用いることにより高品質な映像を表現することが可能になる。
特に、発光するレーザの最大波長と最小波長との差を3nm以上とすることにより、より均一な光を発生することが可能になる。
本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、一つの基板に、底面の幅が互いに異なり、かつ各々壁面が斜面をなすように複数の溝を形成したのちエピタキシャル成長させることにより異なる層厚の発光部を形成するようにしたので、1回の工程で、波長の異なる光を発光可能なアレイ構造を容易に実現することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の一実施の形態に係る半導体レーザの断面を表すものである。ここでは、一例としてAlGaInP系の半導体レーザについて説明する。なお、同図において各構成要素は、本発明が理解できる程度の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示したものであり、実寸とは異なっている。
この半導体レーザ10は、例えば、溝2(2a,2b,2c,2d)を有したGaAsからなるn型基板1の表面に、例えばSiO2 (二酸化珪素)やSi3 N4 (窒化珪素)からなる電極電流挟窄層3を有している。これら複数の溝2の内部にはレーザ光を発光可能な発光部4(4a,4b,4c,4d)が形成されている。
電極電流挟窄層3の表面には例えばTi(チタン)/Pt(白金)/Au(金)からなるp側電極6が、基板1の裏面には例えばAu−Ge(金−ゲルマニウム)/Ni(ニッケル)/Auからなるn側電極7が形成されている。。なお、ここではp側電極6およびn側電極7をともに共通電極としているが、いずれも個別電極とするようにしてもよい。
各溝2a〜2dはその内壁が斜面となっており、断面略逆台形状で、光の導波方向(ここでは紙面に垂直)に沿って帯状に延びる形状を有している。
溝2a〜2dの底面の幅は互いに異なっており、それぞれD1,D2,D3,D4とすると、D1<D2<D3<D4の関係にある。例えば、最も大きな溝2dの底面の幅は、10〜500μmであり、その深さは、例えば2〜3μmである。なお、本実施の形態では溝2の底面の深さはすべて同一であるが、必ずしも同一である必要はない。
発光部4は、溝2の底面から斜面の中間位置まで覆い、その上部は、断面略台形の形状を有している。なお、この発光部4は、溝2に沿って、すなわち、光の導波方向に沿って帯状に延びた形状を有している。
図2は、上記溝2a〜2dのうちの溝2a,溝2dを拡大して表したものである。溝2a,2dには、上述のように発光部4a,4dが形成されており、これらの発光部4a,4dは、例えばAlInP(アルミニウム・インジウム・リン)からなるn型クラッド層4e、GaInP(ガリウム・インジウム・リン)からなる活性層4f、AlInPからなる第1のp型クラッド層4g、GaInPからなるエッチング停止層4h、AlInPからなる第2のp型クラッド層4iおよびGaAs(ガリウム・砒素)からなるp型コンタクト層4jが順次積層された構造を有している。n型クラッド層4eには、ドーパントとしてn型不純物、例えばSe(セレン)が添加されている。また、第1のp型クラッド層4g、第2のp型クラッド層4iおよびGaAsからなるp型コンタクト層4jには、ドーパントとしてp型不純物、例えばZn(亜鉛)が添加されている。
発光部4a,4dは、それぞれn型クラッド層4e、活性層4f、第1のp型クラッド層4gおよびエッチング停止層4hのみが溝2a,2dと接触している。なお、図2では図示しないが、発光部4b,4cも同様の構造を有している。
また、発光部4aにおけるn型クラッド層4e、活性層4fおよび第1のp型クラッド層4gの総層厚は、発光部4dにおける総層厚よりも小さく、また、発光部4aの各層(4e,4f,4g)の層厚も、発光部4dの各層(4e,4f,4g)の層厚よりも小さくなっている。すなわち、発光部4dにおけるn型クラッド層4e、活性層4fおよび第1のp型クラッド層4gよりも、発光部4aにおける各層の方がバンドギャプが大きくなっており、その結果、発光部4aは発光部4dよりも短波長のレーザ光を発光する。
これは発光部4a〜4dそれぞれの関係も同様である。すなわち、アレイ構造全体として、n型クラッド層4e、活性層4fおよび第1のp型クラッド層4gの層厚は、各溝2a〜2dの底面の幅の大きさに比例して、発光部4a,4b,4c,4dの順に小さく、この順にバンドギャップが大きくなっているため、この順により短波長のレーザ光を発光する。
ここで、発光部4aと発光部4dとが発光するレーザ光の波長の差(すなわち半導体レーザが発光する最大波長と最小波長の差)は、3nm以上であることことが好ましい。各レーザ光が混ざり合った光のコヒーレンスを低下させ、特に効果的にスペックルを除去することができ、全体としてより均一な光とすることができるからである。
また、各発光部4a〜4dにおける活性層4fは、発光効率を良くするという観点から、量子井戸構造であることが好ましい。
発光部4a〜4dが発光するレーザの波長は、例えば赤色の光源を用いる場合には、視感度の高い波長を選択するという観点から、630〜650nmが好ましい。
電極電流挟窄層3は、各発光部4a〜4dの上部に通じる一定幅dの溝3Aを有しており、この溝3Aを通じて電流が各発光部4a〜4dの活性層4fに注入可能となっている。
このように本実施の形態の半導体レーザ10では、基板1上に、互いに層厚が異なり、バンドギャップが異なる発光部4a〜4dがアレイ状に形成されているため、閾値以上の電流がp側電極6およびn側電極7から注入されると、各発光部4a〜4dからは互いに波長の異なる光が同時に出射される。そのためこの半導体レーザ10からは、これら波長の異なる光が混ざりあって発振波長の半値幅の広いレーザ光が出力される。すなわち、コヒーレンスが低下し、スペックルが除去された均一なレーザ光となり、この半導体レーザ10を適用したディスプレイでは高品質な映像を表現することが可能になる。
特に、各発光部4a〜4dの出射光のうち、最も層厚の小さな発光部4aと最も層厚の大きな発光部4dが発光するレーザ光の波長の差を3nm以上とすると、特に均一な光を照射することができる。
次に、上記半導体レーザ10の製造方法について説明する。
図3に示したように、基板1上に、溝形成用の例えばSiO2 からなるマスク8を形成する。次に、図4に示したように、このマスク8を用いて、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)により基板1の中間深さまで選択的に除去し、そののちマスク8を除去する。これにより、基板1の表面に互いに底面の幅が異なると共に壁面に斜面を有し、かつ同じ深さの溝2a〜2dが形成される。
続いて、図5に示したように、この基板1上に、TMGa(トリメチルガリウム)、TMAl(トリメチルアルミニウム)、TMIn(トリメチルインジウム)、AsH3 (水素化砒素)、PH3 (水素化リン)、DMZn(ジメチル亜鉛)およびH2 Se(水素化セレン)からなる材料を用いて、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition :有機金属化学気相成長)法により、n型クラッド層4e、活性層4f、第1のp型クラッド層4g、エッチング停止層4h、第2のp型クラッド層4i、およびGaAsからなるp型コンタクト層4jの順に順次エピタキシャル成長させる。このときの成長条件としては、例えば、温度を650℃、気圧を50Torrとする。
このとき、底面の幅が狭い溝ほど、その斜面と底面の境界部分の近傍において、上述した材料が大量に堆積して多結晶状に形成されやすい。すなわち、底面の幅が最も狭い溝2aでは、上記材料がこの多結晶形成のために多量に消費され、底面部分での成長速度が相対的に低下する。そのため、図6に示したように、溝2aの底面上に形成される積層構造の層厚は小さなものとなる。一方、底面の幅が最も広い溝2dでは、斜面において上記材料が消費される量が溝2a〜2cに比較して少なくなり、成長速度が速くなる。従ってこの溝2dの底面上に形成される積層構造の層厚は大きなものとなる。このように、溝2a,2b,2c,2dに形成される積層構造の層厚はこの順に小さくなる。
次に、図7に示したように、溝2a〜2dの内部に発光部4a〜4dが形成されるように、それぞれの溝2a〜2dに幅がD1,D2,D3,D4のマスク9を形成する。続いて、マスク9が形成されていない領域をRIEにより選択的に除去し、そののち、マスク9を取り除く。これにより、図8に示したように、溝2a〜2dには、各底面の幅の大きさに比例して層厚の異なる発光部4a〜4dが形成される。
続いて、図9に示したように、発光部4a〜4dの上部に通じる一定幅dの溝3Aを有する電極電流挟窄層3を形成したのち、図1に示したように、電極電流挟窄層3の表面にスパッタあるいは蒸着法によりTi/Pt/Auからなるp側電極6を形成すると共に、基板1の裏面にAu−Ge/Ni/Auからなるn側電極7を形成して、半導体レーザ10が完成する。
このように本実施の形態においては、上述の材料を用いて基板1上にエピタキシャル成長をさせた場合に、底面の幅の狭い溝ほど、その斜面と底面の境界部分の近傍において材料が大量に堆積され多結晶化する、という現象を利用するものであり、これにより溝幅に応じて互いに層厚の異なるアレイ構造の発光部4a〜4dを1回のエピタキシャル成長で形成することができる。よって、従来の2回のエピタキシャル成長を行う場合に比べて、素子特性を劣化させるようなことがなくなる。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、発光部4の材料は特に限定するものではなく、AlGaAs系あるいはInGaAsP系などの材料により形成されていてもよい。また、エピタキシャル成長をさせる方法としては、ハライド気相成長法、分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy;MBE)法、スパッタリング、真空蒸着などの物理気相成長(PVD)法、液相エピタキシ(LPE)法などを用いてもよい。また、エッチングプロセスとしては、ドライエッチング、ウェットエッチングまたはこれらの組み合わせであってもよい。加えて、基板1に形成される各溝の深さを異なるようにして、発光部の層厚を制御するようにしてもよい。また、層厚の異なる発光部と層厚の同じ発光部が混在するような構成としてもよく、あるいは、特定の発光部のみに閾値以上の電流を注入することにより、特定の発光部のみから選択的にレーザ光を発光させるような構成としてもよい。
1…基板、2(2a〜2d)…溝、3…電極電流挟窄層、3A…溝、4(4a〜4d)…発光部、4e…n型クラッド層、4f…活性層、4g…第1のp型クラッド層、4h…エッチング停止層、4i…第2のp型クラッド層、4j…p型コンタクト層、6…p側電極、7…n側電極、8…マスク、9…マスク、10…半導体レーザ
Claims (10)
- 基板の一面に設けられると共に、底面の幅が少なくとも2つにおいて異なる複数の溝と、
前記複数の溝にそれぞれ設けられると共に、少なくとも2つにおいて互いに層厚の異なる複数の発光部と
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記複数の溝の壁面は斜面をなしている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記発光部は、AlGaInP系、AlGaAs系およびInGaAsP系の半導体材料のうち少なくとも1種の材料により形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記溝の底面の幅は、10μm以上300μm以下である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記溝の深さは、2μm以上3μm以下である
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記複数の発光部のうち少なくとも2つは互いに異なる波長のレーザ光を発光する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 前記複数の発光部が発光するレーザ光の最大波長と最小波長との差が3nm以上である
ことを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子。 - ディスプレイ用として用いられる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 一つの基板の表面に、底面の幅が少なくとも2つにおいて互いに異なり、かつ各々壁面が斜面をなすように複数の溝を形成する工程と、
エピタキシャル成長により、前記複数の溝それぞれに対し、少なくとも2つにおいて互いに層厚の異なる複数の発光部を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記複数の発光部を形成するための材料は、AlGaInP系、AlGaAs系およびInGaAsP系の半導体材料のうち少なくとも1種である
ことを特徴とする請求項9記載の半導体発光素子の製造方法。
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JP2003434408A JP2005191488A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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2003
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