JP2005191094A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 出射光の拡がり角を小さくすることができ小型化可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 第１反射部３１と部分反射部３３との間でレーザ共振器が構成されている。活性領域１３で放出された光は、活性領域１３により導波されて、第１反射部３１、第２反射部３２または部分反射部３３に入射する。活性領域１３から第１反射部３１に入射して第１反射部３１で反射された光Ｌ１は、活性領域１３を導波した後に第２反射部３２に入射する。活性領域１３から第２反射部３２に入射して第２反射部３２で反射された光Ｌ２，Ｌ３は、活性領域１３を導波した後に第１反射部３１または部分反射部３３に入射する。活性領域１３から部分反射部３３に入射した光のうち、部分反射部３３で反射された光Ｌ４は、活性領域１３を導波した後に第２反射部３２に入射し、部分反射部３３を透過した光Ｌ５は、外部へ出力される。
【選択図】 図３

Description

本発明は、半導体発光素子を含む半導体レーザ装置に関するものである。

半導体発光素子であるレーザダイオードは、光を放出する活性領域を互いに対向する第１端面と第２端面との間に有しており、第１端面側に部分反射膜が形成され、第２端面側に全反射膜が形成されていて、これら部分反射膜と全反射膜との間でレーザ共振器が構成されている。すなわち、活性領域で放出された光は、全反射膜で全反射されるとともに、部分反射膜で一部が反射されることで、レーザ共振器内を往復し、その際に活性領域において誘導放出を引き起こしてレーザ発振する。そして、活性領域から部分反射膜に入射した光の一部が部分反射膜で反射される一方で残部が部分反射膜を透過して、この透過光が出力レーザ光となる。

このようなレーザダイオードから出力されるレーザ光は、拡がり角が大きく、種々の用途において直ちに用いることはできない。そこで、一般には、レーザダイオードから出力されるレーザ光をコリメートするために、レンズや光路変換素子などの光学素子がレーザダイオードとともに用いられる（特許文献１を参照）。すなわち、上記のようなレーザダイオードと光学素子とを含む半導体レーザ装置では、レーザダイオードから出力されたレーザ光は、当初は拡がり角が大きい発散光であっても、レンズや光路変換素子などの光学素子の作用により拡がり角は小さくなる。
特許第３０７１３６０号公報

しかしながら、レーザダイオードは小型であるにも拘らず、上記のようなレーザダイオードと光学素子とを含む半導体レーザ装置は大型になってしまう。特に、レーザダイオードがアレイ配置されて一体化されたレーザダイオードアレイやレーザダイオードアレイスタックの場合には、半導体レーザ装置は更に大型になる。

本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、出射光の拡がり角を小さくすることができ小型化可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体レーザ装置は、光を放出する活性領域を互いに対向する第１端面と第２端面との間に有する半導体発光素子において、第１端面上の互いに異なる領域に第１反射部および部分反射部が設けられ、第２端面上に第２反射部が設けられていて、第１反射部と部分反射部との間でレーザ共振器が構成され、その共振光路の途中に第２反射部が設けられていることを特徴とする。

この半導体レーザ装置では、活性領域で放出された光は、活性領域により導波されて、第１反射部、第２反射部または部分反射部に入射する。活性領域から第１反射部に入射して第１反射部で反射された光は、活性領域を導波した後に第２反射部に入射する。活性領域から第２反射部に入射して第２反射部で反射された光は、活性領域を導波した後に第１反射部または部分反射部に入射する。また、活性領域から部分反射部に入射した光のうち、部分反射部で反射された光は、活性領域を導波した後に第２反射部に入射し、部分反射部を透過した光は、外部へ出力される。したがって、活性領域において誘導放出が引き起こされてレーザ発振し、活性領域から部分反射部に入射した光のうち部分反射部を透過した光が出力レーザ光となる。

本発明に係る半導体レーザ装置は、第１端面における活性領域の形状が第１端面上の第１方向よりこれに直交する第２方向に長く、この第２方向に沿って互いに異なる領域に第１反射部および部分反射部が設けられているのが好適である。この場合には、第１反射部と部分反射部とを設けるのに好都合である。

本発明に係る半導体レーザ装置は、第１反射部で反射角０度で反射された光線が第２反射部に到達するまでに通過する活性領域中の部分において、第１端面側の断面積より第２端面側の断面積が狭いのが好適である。この場合には、第１反射部３１と第２反射部３２との間での垂直共振が抑えられて、第１反射部３１と部分反射部３３との間での共振が効率的に発生し、部分反射部３３から出力されるレーザ光のパワーが強くなる。

本発明に係る半導体レーザ装置は、部分反射部で反射角０度で反射された光線が第２反射部に到達するまでに通過する活性領域中の部分において、第１端面側の断面積より第２端面側の断面積が狭いのが好適である。この場合には、部分反射部３３と第２反射部３２との間での垂直共振が抑えられて、第１反射部３１と部分反射部３３との間での共振が効率的に発生し、部分反射部３３から出力されるレーザ光のパワーが強くなる。

本発明に係る半導体レーザ装置は、半導体発光素子が複数の活性領域を含み、これら複数の活性領域が同一端面側に光を出射し得るようにして１次元状または２次元状にアレイ配置されているのが好適である。

本発明に係る半導体レーザ装置は、出射光の拡がり角を小さくすることができ、しかも、小型化が可能である。

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一または同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、各図には説明の便宜のためにｘｙｚ直交座標系が示されている。

（第１実施形態）
先ず、本発明に係る半導体レーザ装置の第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の斜視図である。図２は、第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の正面図である。また、図３は、第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の断面図である。

これらの図に示される半導体レーザ装置１は、光を放出する活性領域１３を互いに対向する第１端面１１と第２端面１２との間に有する半導体発光素子１０において、第１端面１１上に第１反射膜２１および部分反射膜２３が形成され、第２端面１２上に第２反射膜２２が形成されている。第１端面１１および第２端面１２それぞれはｘｙ平面に平行である。

図２は、第１端面１１をｚ軸方向に見た図である。この図２に示されるように、半導体発光素子１０における各層はｘ軸方向に積層されており、活性領域１３のｘｙ断面形状はｘ軸方向よりｙ軸方向に長い。部分反射膜２３は、第１端面１１上において活性領域１３の全面およびその周辺を覆うように形成されており、また、第１反射膜２１は、第１端面１１上において活性領域１３の一部を覆うように部分反射膜２３の外側に形成されている。第２反射膜２２は、第２端面１２上において活性領域１３の全面およびその周辺を覆うように形成されている。これらは誘電体多層膜からなる。或いは、第１反射膜２１および第２反射膜２２それぞれは金属膜からなる。第１反射膜２１および第２反射膜２２それぞれの反射率は略１００％である。また、部分反射膜２３の反射率は３％〜１５％である。

図３は、活性領域１３を含むｙｚ断面を示す図である。この図３に示されるように、第１端面１１において、第１反射膜２１のうち活性領域１３と重なる部分が第１反射部３１を構成しており、部分反射膜２３のうち第１反射膜２１と重ならない部分が部分反射部３３を構成している。第２端面１２において、第２反射膜２２のうち活性領域１３と重なる部分が第２反射部３２を構成している。また、第１実施形態に係る半導体レーザ装置１では、活性領域１３のｘ軸方向の厚みはｚ軸方向に沿って一定であり、活性領域１３のｙ軸方向の幅もｚ軸方向に沿って一定である。

半導体レーザ装置１の具体的寸法の一例は以下のとおりである。半導体発光素子１０全体のｘ軸方向の厚みは１００μｍ〜１５０μｍであり、半導体発光素子１０全体のｙ軸方向の幅は５００μｍ〜１０００μｍであり、半導体発光素子１０全体のｚ軸方向の長さは０.５ｍｍ〜２ｍｍである。活性領域１３のｘ軸方向の厚みは１μｍであり、活性領域１３のｙ軸方向の幅は１００μｍ〜２５０μｍである。また、第１端面１１において活性領域１３と第１反射膜２１との重なり部分のｙ軸方向の幅は４０μｍ〜１２５μｍである。

第１反射部３１と部分反射部３３との間でレーザ共振器が構成されている。すなわち、活性領域１３で放出された光は、活性領域１３により導波されて、第１反射部３１、第２反射部３２または部分反射部３３に入射する。活性領域１３から第１反射部３１に入射して第１反射部３１で反射された光Ｌ１は、活性領域１３を導波した後に第２反射部３２に入射する。活性領域１３から第２反射部３２に入射して第２反射部３２で反射された光Ｌ２，Ｌ３は、活性領域１３を導波した後に第１反射部３１または部分反射部３３に入射する。また、活性領域１３から部分反射部３３に入射した光のうち、部分反射部３３で反射された光Ｌ４は、活性領域１３を導波した後に第２反射部３２に入射し、部分反射部３３を透過した光Ｌ５は、外部へ出力される。

このように、第１反射部３１と部分反射部３３との間でレーザ共振器が構成されていて、その共振光路の途中に第２反射部３２が設けられている。したがって、活性領域１３において誘導放出が引き起こされてレーザ発振し、活性領域１３から部分反射部３３に入射した光のうち部分反射部３３を透過した光が出力レーザ光となる。

このようにして本実施形態に係る半導体レーザ装置１の部分反射部３３から出力されるレーザ光は或る拡がり角を有しているが、そのうち、ｙ軸方向への拡がり角は、従来のレーザダイオードの出射光のｙ軸方向への拡がり角と比べて１／２〜１／４に低減される。しかも、本実施形態に係る半導体レーザ装置１は、レーザダイオードから出射した発散光をコリメートするためのレンズや光路変換素子などの光学素子を用いることなく、ｙ軸方向への拡がり角が小さいレーザ光を出力することができるので、小型化が可能である。さらに、活性領域１３のサイズが従来のものと同程度とした場合に、レーザ光を出射する部分（本実施形態では部分反射部３３）の面積は、従来のレーザダイオードの出射部分の面積より狭いので、この半導体レーザ装置１から出力されるレーザ光のパワー密度が高い。

（第２実施形態）
次に、本発明に係る半導体レーザ装置の第２実施形態について説明する。図４は、第２実施形態に係る半導体レーザ装置２の断面図である。なお、この第２実施形態に係る半導体レーザ装置２の外観は、前述の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の外観（図１、図２）と同様である。

この図４に示されるように、第１端面１１において、第１反射膜２１のうち活性領域１３と重なる部分が第１反射部３１を構成しており、部分反射膜２３のうち第１反射膜２１と重ならない部分が部分反射部３３を構成している。第２端面１２において、第２反射膜２２のうち活性領域１３と重なる部分が第２反射部３２を構成している。

第２実施形態に係る半導体レーザ装置２では、活性領域１３のｘ軸方向の厚みはｚ軸方向に沿って一定であるが、活性領域１３のｙ軸方向の幅は、第１端面１１側より第２端面１２側の方が狭くなっている。特に、幾何光学的に考えたときに、第１反射部３１で反射角０度で反射された光線が第２反射部３２に到達するまでに通過する活性領域１３中の部分において、第１端面１１側の幅より第２端面１２側の幅が狭い。この点で、第１実施形態の場合と相違する。活性領域１３の幅は、ｚ軸方向に沿った全範囲に亘って変化していてもよいし、ｚ軸方向に沿った一部範囲に亘ってのみ変化していてもよい。

第１実施形態の場合と同様に、この第２実施形態に係る半導体レーザ装置２でも、第１反射部３１と部分反射部３３との間でレーザ共振器が構成されていて、その共振光路の途中に第２反射部３２が設けられている。したがって、活性領域１３において誘導放出が引き起こされてレーザ発振し、活性領域１３から部分反射部３３に入射した光のうち部分反射部３３を透過した光が出力レーザ光となる。

この第２実施形態に係る半導体レーザ装置２は、第１実施形態の場合と同様の効果を奏する他、以下のような効果をも奏することができる。すなわち、この半導体レーザ装置２では、上述したような活性領域１３の形状となっていることから、第１反射部３１と第２反射部３２との間での垂直共振が抑えられて、第１反射部３１と部分反射部３３との間での共振が効率的に発生し、部分反射部３３から出力されるレーザ光のパワーが強くなる。また、部分反射部３３から出力されるレーザ光のｙ軸方向への拡がり角が更に小さくなる。

（第３実施形態）
次に、本発明に係る半導体レーザ装置の第３実施形態について説明ずる。図５は、第３実施形態に係る半導体レーザ装置３の断面図である。なお、この第３実施形態に係る半導体レーザ装置３の外観は、前述の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の外観（図１、図２）と同様である。

この図５に示されるように、第１端面１１において、第１反射膜２１のうち活性領域１３と重なる部分が第１反射部３１を構成しており、部分反射膜２３のうち第１反射膜２１と重ならない部分が部分反射部３３を構成している。第２端面１２において、第２反射膜２２のうち活性領域１３と重なる部分が第２反射部３２を構成している。

第３実施形態に係る半導体レーザ装置３では、活性領域１３のｘ軸方向の厚みはｚ軸方向に沿って一定であるが、活性領域１３のｙ軸方向の幅は、第１端面１１側より第２端面１２側の方が狭くなっている。特に、幾何光学的に考えたときに、部分反射部３３で反射角０度で反射された光線が第２反射部３２に到達するまでに通過する活性領域１３中の部分において、第１端面１１側の幅より第２端面１２側の幅が狭い。この点で、第１実施形態の場合と相違する。活性領域１３の幅は、ｚ軸方向に沿った全範囲に亘って変化していてもよいし、ｚ軸方向に沿った一部範囲に亘ってのみ変化していてもよい。

第１実施形態の場合と同様に、この第３実施形態に係る半導体レーザ装置３でも、第１反射部３１と部分反射部３３との間でレーザ共振器が構成されていて、その共振光路の途中に第２反射部３２が設けられている。したがって、活性領域１３において誘導放出が引き起こされてレーザ発振し、活性領域１３から部分反射部３３に入射した光のうち部分反射部３３を透過した光が出力レーザ光となる。

この第３実施形態に係る半導体レーザ装置３は、第１実施形態の場合と同様の効果を奏する他、以下のような効果をも奏することができる。すなわち、この半導体レーザ装置２では、上述したような活性領域１３の形状となっていることから、部分反射部３３と第２反射部３２との間での垂直共振が抑えられて、第１反射部３１と部分反射部３３との間での共振が効率的に発生し、部分反射部３３から出力されるレーザ光のパワーが強くなる。また、部分反射部３３から出力されるレーザ光のｙ軸方向への拡がり角が更に小さくなる。

（第４実施形態）
次に、本発明に係る半導体レーザ装置の第４実施形態について説明ずる。図６は、第４実施形態に係る半導体レーザ装置４の断面図である。なお、この第４実施形態に係る半導体レーザ装置４の外観は、前述の第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の外観（図１、図２）と同様である。

この図６に示されるように、第１端面１１において、第１反射膜２１のうち活性領域１３と重なる部分が第１反射部３１を構成しており、部分反射膜２３のうち第１反射膜２１と重ならない部分が部分反射部３３を構成している。第２端面１２において、第２反射膜２２のうち活性領域１３と重なる部分が第２反射部３２を構成している。

第４実施形態に係る半導体レーザ装置４では、活性領域１３のｘ軸方向の厚みはｚ軸方向に沿って一定であるが、活性領域１３のｙ軸方向の幅は、第１端面１１側より第２端面１２側の方が狭くなっている。特に、幾何光学的に考えたときに、第１反射部３１で反射角０度で反射された光線が第２反射部３２に到達するまでに通過する活性領域１３中の部分において、第１端面１１側の幅より第２端面１２側の幅が狭い。また、幾何光学的に考えたときに、部分反射部３３で反射角０度で反射された光線が第２反射部３２に到達するまでに通過する活性領域１３中の部分において、第１端面１１側の幅より第２端面１２側の幅が狭い。この点で、第１実施形態の場合と相違する。活性領域１３の幅は、ｚ軸方向に沿った全範囲に亘って変化していてもよいし、ｚ軸方向に沿った一部範囲に亘ってのみ変化していてもよい。

第１実施形態の場合と同様に、この第４実施形態に係る半導体レーザ装置４でも、第１反射部３１と部分反射部３３との間でレーザ共振器が構成されていて、その共振光路の途中に第２反射部３２が設けられている。したがって、活性領域１３において誘導放出が引き起こされてレーザ発振し、活性領域１３から部分反射部３３に入射した光のうち部分反射部３３を透過した光が出力レーザ光となる。

この第４実施形態に係る半導体レーザ装置４は、第１実施形態の場合と同様の効果を奏する他、以下のような効果をも奏することができる。すなわち、この半導体レーザ装置２では、上述したような活性領域１３の形状となっていることから、第１反射部３１と第２反射部３２との間での垂直共振が抑えられ、また、部分反射部３３と第２反射部３２との間での垂直共振が抑えられて、第１反射部３１と部分反射部３３との間での共振が効率的に発生し、部分反射部３３から出力されるレーザ光のパワーが強くなる。また、部分反射部３３から出力されるレーザ光のｙ軸方向への拡がり角が更に小さくなる。

（第５実施形態）
次に、本発明に係る半導体レーザ装置の第５実施形態について説明する。図７は、第５実施形態に係る半導体レーザ装置５の斜視図である。図８は、第５実施形態に係る半導体レーザ装置５の正面図である。また、図９は、第５実施形態に係る半導体レーザ装置５の断面図である。

これらの図に示される半導体レーザ装置５では、半導体発光素子１０が複数の活性領域１３を含み、これら複数の活性領域１３が同一端面側に光を出射し得るようにして１次元状にアレイ配置されている。半導体発光素子１０は、互いに対向する第１端面１１と第２端面１２との間に各活性領域１３を有し、第１端面１１上に第１反射膜２１および部分反射膜２３が形成され、第２端面１２上に第２反射膜２２が形成されている。第１端面１１および第２端面１２それぞれはｘｙ平面に平行である。

図８は、第１端面１１をｚ軸方向に見た図である。この図８に示されるように、半導体発光素子１０における各層はｘ軸方向に積層されており、複数の活性領域１３はｙ軸方向にアレイ配置され、各活性領域１３のｘｙ断面形状はｘ軸方向よりｙ軸方向に長い。部分反射膜２３は、第１端面１１上において各活性領域１３の全面およびその周辺を覆うように形成されており、また、第１反射膜２１は、第１端面１１上において各活性領域１３の一部を覆うように部分反射膜２３の外側に形成されている。第２反射膜２２は、第２端面１２上において各活性領域１３の全面およびその周辺を覆うように形成されている。これらは誘電体多層膜からなる。或いは、第１反射膜２１および第２反射膜２２それぞれは金属膜からなる。第１反射膜２１および第２反射膜２２それぞれの反射率は略１００％である。また、部分反射膜２３の反射率は３％〜１５％である。

図９は、各活性領域１３を含むｙｚ断面を示す図である。この図９に示されるように、第１端面１１において、第１反射膜２１のうち各活性領域１３と重なる部分が第１反射部３１を構成しており、部分反射膜２３のうち第１反射膜２１と重ならない部分が部分反射部３３を構成している。第２端面１２において、第２反射膜２２のうち各活性領域１３と重なる部分が第２反射部３２を構成している。また、第５実施形態に係る半導体レーザ装置５では、各活性領域１３のｘ軸方向の厚みはｚ軸方向に沿って一定であり、各活性領域１３のｙ軸方向の幅もｚ軸方向に沿って一定である。

この半導体レーザ装置５では、アレイ配置された複数の活性領域１３それぞれについて、第１反射部３１と部分反射部３３との間でレーザ共振器が構成されている。すなわち、活性領域１３で放出された光は、活性領域１３により導波されて、第１反射部３１、第２反射部３２または部分反射部３３に入射する。活性領域１３から第１反射部３１に入射して第１反射部３１で反射された光Ｌ１は、活性領域１３を導波した後に第２反射部３２に入射する。活性領域１３から第２反射部３２に入射して第２反射部３２で反射された光Ｌ２，Ｌ３は、活性領域１３を導波した後に第１反射部３１または部分反射部３３に入射する。また、活性領域１３から部分反射部３３に入射した光のうち、部分反射部３３で反射された光Ｌ４は、活性領域１３を導波した後に第２反射部３２に入射し、部分反射部３３を透過した光Ｌ５は、外部へ出力される。

このように、第１反射部３１と部分反射部３３との間でレーザ共振器が構成されていて、その共振光路の途中に第２反射部３２が設けられている。したがって、各活性領域１３において誘導放出が引き起こされてレーザ発振し、各活性領域１３から部分反射部３３に入射した光のうち部分反射部３３を透過した光が出力レーザ光となる。

このようにして本実施形態に係る半導体レーザ装置５の部分反射部３３から出力されるレーザ光は或る拡がり角を有しているが、そのうち、ｙ軸方向への拡がり角は、従来のレーザダイオードの出射光のｙ軸方向への拡がり角と比べて１／２〜１／４に低減される。しかも、本実施形態に係る半導体レーザ装置５は、レーザダイオードから出射した発散光をコリメートするためのレンズや光路変換素子などの光学素子を用いることなく、ｙ軸方向への拡がり角が小さいレーザ光を出力することができるので、小型化が可能である。さらに、各活性領域１３のサイズが従来のものと同程度とした場合に、レーザ光を出射する部分（本実施形態では部分反射部３３）の面積は、従来のレーザダイオードの出射部分の面積より狭いので、この半導体レーザ装置５から出力されるレーザ光のパワー密度が高い。

また、各部分反射部３３のｙ軸方向の幅をａとし、複数の活性領域１３のｙ軸方向の配列ピッチをｂとしたときに、従来より比（ａ／ｂ）が小さいので、各部分反射部３３から出力されたレーザ光をマイクロレンズアレイによりコリメートする際に、ｙ軸方向のコリメート効果が向上する。すなわち、出射光のｙ軸方向への拡がり角が小さいことに加えて比（ａ／ｂ）が小さいと、隣同士の部分反射部３３それぞれから出力される光束が互いに重なるまでの距離が長いので、焦点距離が長いマイクロレンズアレイを用いることができ、したがって、マイクロレンズアレイによりコリメートされた光の平行性がよい。

（変形例）
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、第５実施形態に係る半導体レーザ装置５において、第２〜第４の実施形態で説明したような活性領域の形状としてもよい。

また、第５実施形態に係る半導体レーザ装置５では、複数の活性領域がｙ軸方向に１次元状にアレイ配列されていたが、複数の活性領域がｘ軸方向およびｙ軸方向に２次元状にアレイ配列されていてもよい。この場合、図７および図８に示された構成のものとヒートシンクとがｘ軸方向に交互に積層される。

さらに、上記の各実施形態では、第１端面１１において部分反射膜２３が全面に形成され、その部分反射膜２３の一部領域の外側に第１反射膜２１が形成されていたが、第１反射部３１の領域には部分反射膜２３は形成されていなくてもよい。図１０は変形例の半導体レーザ装置６の斜視図であり、図１１は変形例の半導体レーザ装置６の正面図である。これらの図に示されるように、第１反射膜２１は第１端面１１上において活性領域１３の一部を覆うように形成され、部分反射膜２３は第１端面１１上において活性領域１３の残部を覆うように形成されていてもよい。

第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の斜視図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の正面図である。 第１実施形態に係る半導体レーザ装置１の断面図である。 第２実施形態に係る半導体レーザ装置２の断面図である。 第３実施形態に係る半導体レーザ装置３の断面図である。 第４実施形態に係る半導体レーザ装置４の断面図である。 第５実施形態に係る半導体レーザ装置５の斜視図である。 第５実施形態に係る半導体レーザ装置５の正面図である。 第５実施形態に係る半導体レーザ装置５の断面図である。 変形例の半導体レーザ装置６の斜視図である。 変形例の半導体レーザ装置６の正面図である。

符号の説明

１〜５…半導体レーザ装置、１０…半導体発光素子、１１…第１端面、１２…第２端面、１３…活性領域、２１…第１反射膜、２２…第２反射膜、２３…部分反射膜、３１…第１反射部、３２…第２反射部、３３…部分反射部。

Claims (5)

1. 光を放出する活性領域を互いに対向する第１端面と第２端面との間に有する半導体発光素子において、前記第１端面上の互いに異なる領域に第１反射部および部分反射部が設けられ、前記第２端面上に第２反射部が設けられていて、前記第１反射部と前記部分反射部との間でレーザ共振器が構成され、その共振光路の途中に前記第２反射部が設けられている、ことを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記第１端面における前記活性領域の形状が前記第１端面上の第１方向よりこれに直交する第２方向に長く、この第２方向に沿って互いに異なる領域に前記第１反射部および前記部分反射部が設けられている、ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
3. 前記第１反射部で反射角０度で反射された光線が前記第２反射部に到達するまでに通過する前記活性領域中の部分において、前記第１端面側の断面積より前記第２端面側の断面積が狭い、ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
4. 前記部分反射部で反射角０度で反射された光線が前記第２反射部に到達するまでに通過する前記活性領域中の部分において、前記第１端面側の断面積より前記第２端面側の断面積が狭い、ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
5. 前記半導体発光素子が複数の活性領域を含み、これら複数の活性領域が同一端面側に光を出射し得るようにして１次元状または２次元状にアレイ配置されている、ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
   

Images