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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterlasereinrichtung,
die einen aktiven Bereich aufweist, der Licht mit einer vorbestimmten
Wellenlänge aussendet,
als Halbleiterlichtemittervorrichtung.
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Eine
Laserdiode, die ein Halbleiterlichtemitterelement darstellt, weist
einen lichtaussendenden, aktiven Bereich zwischen einer ersten Endoberfläche und
einer zweiten Endoberfläche
auf, die einander zugewandt sind. Ein teilweise reflektierender
Film ist auf der Seite der ersten Oberfläche vorgesehen, wogegen ein
total reflektierender Film auf der Seite der ersten Endoberfläche angeordnet
ist. Ein Laserresonator wird zwischen diesem teilweise reflektierenden und
diesem total reflektierenden Film ausgebildet. Das Licht, das in
dem aktiven Bereich ausgesandt wird, wird nämlich an dem total reflektierenden
Film vollständig
reflektiert, und teilweise an dem zum Teil reflektierenden Film
reflektiert. Das ausgesandte Licht wird ausgesandt, und kehrt in
den Laserresonator zurück,
der durch diesen teilweise reflektierenden und diesen total reflektierenden
Film gebildet wird, und zu diesem Zeitpunkt wird eine induzierte
Emission hervorgerufen. Auf diese Weise wird eine Laseroszillation
der Laserdiode durchgeführt.
Dann wird ein Teil des Lichts, das von dem aktiven Bereich aus den
teilweise reflektierenden Film erreicht hat, durch den teilweise
reflektierenden Film reflektiert, wogegen der Rest durch den teilweise
reflektierenden Film hindurchgeht. Das Licht, das durch den teilweise
reflektierenden Film hindurchgelassen wird, dient als abgegebener
Laserstrahl.
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Da
ein derartiger Laserstrahl, der von der Laserdiode abgegeben wird,
einen großen
Aufweitungswinkel aufweist, kann er nicht unmittelbar bei verschiedenen
Zwecken eingesetzt werden. Aus diesem Grund wird, wie im japanischen
Patent Nr. 3071360 beschrieben, ein Optikelement wie beispielsweise
eine Linse, oder ein Umwandlungselement im optischen Weg zusammen
mit der Laserdiode eingesetzt, um den Laserstrahl zu sammeln, der von
der Laserdiode ausgegeben wird. Bei der Halbleiterlasereinrichtung,
welche die voranstehend geschilderte Laserdiode und das Optikelement
aufweist, kann daher der von der Laserdiode abgegebene Laserstrahl
einen kleinen Aufweitungswinkel aufweisen, infolge der Einwirkung
des optischen Elements wie einer Linse und eines Wandlerelements für den optischen
Weg, selbst wenn das ausgesandte Licht ursprünglich einen großen Aufweitungswinkel aufwies.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Nach
Untersuchung einer herkömmlichen Halbleiterlasereinrichtung
haben die Erfinder die folgenden Probleme ermittelt.
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Unabhängig davon,
dass eine Laserdiode selbst kleine Abmessungen aufweist, weist eine
herkömmliche
Halbleiterlasereinrichtung ein optisches Element zusätzlich zur
Laserdiode auf, was zu einer vergrößerten Abmessung der Erfindung
führt.
Insbesondere werden bei solchen Fällen, bei denen ein Laserdiodenfeld
und ein Laserdiodenfeldstapel in einem solchen Zustand vereinigt
sind, dass mehrere Laserdioden in einem Feld angeordnet sind, die
Abmessungen der Halbleiterlasereinrichtung noch weiter vergrößert. Die
vorliegende Erfindung wurde zur Überwindung
der voranstehend geschilderten Probleme entwickelt, und ein Vorteil
besteht in der Bereitstellung einer Halbleiterlasereinrichtung,
welche einen Aufweitungswinkel des ausgesandten Lichts durch Verkleinerung
verkleinern kann.
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Eine
Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung weist eine erste Endoberfläche und eine zweite Endoberfläche auf,
die einander zugewandt sind, einen aktiven Bereich, der zwischen dieser
ersten und dieser zweiten Endoberfläche angeordnet ist, eine erste
reflektierende Anordnung und eine teilweise reflektierende Anordnung,
die auf der Seite der ersten Endoberfläche vorgesehen sind, und eine
zweite reflektierende Anordnung, die auf der Seite der zweiten Endoberfläche angeordnet
ist. Der aktive Bereich ist ein Bereich, der Licht aussendet, das
eine vorbestimmte Wellenlänge
aufweist, und sich entlang einer ersten Richtung erstreckt. Die
erste reflektierende Anordnung reflektiert vollständig das
Licht, das sich durch den aktiven Bereich ausgebreitet hat. Die
teilweise reflektierende Anordnung lässt einen Teil des Lichts durch,
das sich durch den aktiven Bereich ausgebreitet hat, und reflektiert
den Rest des Lichts. Ein Laserresonator wird durch diese erste reflektierende
Anordnung und die teilweise reflektierende Anordnung ausgebildet.
Eine Endoberfläche
des aktiven Bereichs, welche der ersten Endoberfläche entspricht,
ist in einen total reflektierenden Bereich und einen teilweise reflektierenden
Bereich aufgeteilt, die sich nicht gegenseitig überlappen, in Kombination mit
der ersten reflektierenden Anordnung und der teilweise reflektierenden
Anordnung. Weiterhin reflektiert die zweite reflektierende Anordnung
vollständig
das Licht, das sich durch den aktiven Bereich ausgebreitet hat.
Die zweite reflektierende Anordnung ist auf dem Weg eines optischen
Resonanzweges des Laserresonators vorgesehen, der durch die erste
reflektierende Anordnung und die teilweise reflektierende Anordnung
gebildet wird.
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Bei
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
breitet sich das in dem aktiven Bereich ausgesandte Licht durch
den aktiven Bereich aus, und kommt das Licht an der ersten reflektierenden
Anordnung, der zweiten reflektierenden Anordnung, oder der teilweise
reflektierenden Anordnung an. Das Licht, das von dem aktiven Bereich
aus an der ersten reflektierenden Anordnung ankommt, wird vollständig durch
die erste reflektierende Anordnung reflektiert. Das Licht, das durch
die erste reflektierende Anordnung reflektiert wird, kommt an der zweiten
reflektierenden Anordnung an, nachdem es sich durch den aktiven
Bereich ausgebreitet hat. Das Licht, das an der zweiten reflektierenden
Anordnung von innerhalb des aktiven Bereiches aus ankommt, wird
vollständig
durch die zweite reflektierende Anordnung reflektiert. Dann kommt
das Licht, das von der zweiten reflektierenden Anordnung reflektiert wird,
an der ersten reflektierenden Anordnung oder der teilweise reflektierenden
Anordnung an, nachdem es sich durch den aktiven Bereich ausgebreitet hat.
Hierbei wird unter dem Licht, das an der teilweise reflektierenden
Anordnung angelangt ist, ein Teil, der durch die teilweise reflektierende
Anordnung durchgelassen wurde, nach außerhalb der Halbleiterlasereinrichtung
abgegeben, während
der Rest, der durch die teilweise reflektierende Anordnung reflektiert wird,
erneut an der zweiten reflektierenden Anordnung ankommt, nachdem
es sich durch den aktiven Bereich ausgebreitet hat. Während sich
das von den voranstehenden Anordnungen reflektierte Licht ausbreitet,
wird daher eine induzierte Emission hervorgerufen, wodurch eine
Laseroszillation erzeugt wird. Auf diese Weise dient unter dem Licht,
das von dem aktiven Bereich aus an der teilweise reflektierenden Anordnung
ankommt, das Licht, das in dem teilweise reflektierenden Bereich
durchgelassen wird, als Ausgangslaserstrahl.
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Bei
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
ist es vorzuziehen, dass die Endoberfläche des aktiven Bereichs, welche
der ersten Endoberfläche
entspricht, eine solche Form aufweist, dass eine Breite einer zweiten
Richtung orthogonal zur ersten Richtung größer ist als jene einer dritten
Richtung, die sowohl zur ersten Richtung als auch zur zweiten Richtung
orthogonal ist. Hierbei ist es vorzuziehen, dass der total reflektierende
Bereich und der teilweise reflektierende Bereich, die an der Endoberfläche des
aktiven Bereichs entsprechend der ersten Endoberfläche unterteilt
sind, entlang der zweiten Richtung ausgerichtet sind. Diese Konstruktion
wird dazu eingesetzt, die erste reflektierende Anordnung und die
teilweise reflektierende Anordnung an der Seite der ersten Endoberfläche anzuordnen.
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Weiterhin
ist es bei der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
vorzuziehen, dass die Endoberfläche
des aktiven Bereiches entsprechend der ersten Endoberfläche breiter
ist als der aktive Bereich entsprechend der zweiten Endoberfläche. Ein
Abschnitt orthogonal zur ersten Richtung in dem aktiven Bereich
verengt sich daher von der ersten Endoberfläche zur zweiten Endoberfläche.
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Spezieller
ist es vorzuziehen, dass in einem Bereich des aktiven Bereiches,
durch welchen Licht, das total unter einem Reflexionswinkel von
Null Grad durch die erste reflektierende Anordnung reflektiert wird,
hindurchgeht, unter dem Licht, welches die zweite reflektierende
Oberfläche
erreicht, der Bereich eine derartige Form aufweist, dass eine Schnittfläche an der
Seite der zweiten Endoberfläche schmäler ist
als an der Seite der ersten Endoberfläche. In diesem Fall wird eine
vertikale Resonanz zwischen der ersten reflektierenden Anordnung
und der zweiten reflektierenden Anordnung unterdrückt, und wird
wirksam ein Laserresonator zwischen der ersten reflektierenden Anordnung
und der teilweise reflektierenden Anordnung hervorgerufen. Dies
führt dazu, dass
die Leistung des Laserstrahls verstärkt wird, der von der teilweise
reflektierenden Anordnung abgegeben wird.
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Andererseits
kann in einem Bereich des aktiven Bereichs, durch welchen Licht
hindurchgeht, das bei einem Reflexionswinkel von Null Grad durch
die teilweise reflektierende Anordnung reflektiert wird, unter dem
Licht, das die zweite reflektierende Anordnung erreicht, der Bereich
so geformt sein, dass eine Schnittfläche an der Seite der zweiten
Endoberfläche schmäler ist
als jene an der Seite der ersten Endoberfläche. Auch in diesem Fall wird
eine vertikale Resonanz zwischen der teilweise reflektierenden Anordnung
und der zweiten reflektierenden Anordnung unterdrückt, und
wird wirksam ein Laserresonator zwischen der ersten reflektierenden
Anordnung und der teilweise reflektierenden Anordnung erzeugt. Dies
führt dazu,
dass die Leistung des Laserstrahls erhöht wird, der von der teilweise
reflektierenden Anordnung ausgegeben wird.
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Weiterhin
kann bei der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
eine Anzahl an Wellenleiterbereichen vorgesehen sein, die jeweils
eine ähnliche
Konstruktion in Bezug auf den voranstehend geschilderten, aktiven
Bereich aufweisen, also eine Halbleiterlichtemittervorrichtung.
Jeder der mehreren Wellenleiterbereiche erstreckt sich entlang der
ersten Richtung, und sendet Licht mit einer vorbestimmten Wellenlänge aus.
Weiterhin ist vorzugsweise eine Endoberfläche, welche der ersten Endoberfläche jedes
der mehreren Wellenleiterbereiche entspricht, auf einen total reflektierenden
Bereich und einen teilweise reflektierenden Bereich aufgeteilt,
in Kombination mit der ersten reflektierenden Anordnung und der
teilweise reflektierenden Anordnung, und sind die mehreren Wellenleiterbereiche eindimensional
in einem Feld so angeordnet, dass diese Endoberflächen entlang
der zweiten Richtung ausgerichtet sind. Allerdings können die
mehreren Wellenleiterbereiche zweidimensional so in einem Feld angeordnet
sein, dass diese Endoberflächen entlang
der zweiten Richtung ausgerichtet sind, und entlang der dritten
Richtung übereinander
angeordnet sind.
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Die
vorliegende Erfindung wird besser aus der nachstehenden, detaillierten
Beschreibung und den beigefügten
Zeichnungen verständlich,
die nur zur Erläuterung
vorhanden sind, und nicht als die vorliegende Erfindung einschränkend angesehen
werden sollen.
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Der
weitere Umfang der Einsetzbarkeit der vorliegenden Erfindung wird
aus der nachstehenden, detaillierten Beschreibung deutlich werden.
Allerdings wird darauf hingewiesen, dass zwar die detaillierte Beschreibung
und die speziellen Beispiele bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
angeben, jedoch nur zur Erläuterung
vorhanden sind, da Fachleuten auf diesem Gebiet aus dieser detaillierten Beschreibung
verschiedene Änderungen
und Modifikationen innerhalb des Wesens und Umfangs der Erfindung
deutlich werden.
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KURZBESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Perspektivansicht einer Konstruktion einer ersten Ausführungsform
einer Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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2 ist
eine Vorderansicht der Konstruktion der ersten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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3 ist
eine Querschnittsansicht der Konstruktion der ersten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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4 ist
eine Querschnittsansicht einer Konstruktion einer zweiten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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5 ist
eine Querschnittsansicht einer Konstruktion einer dritten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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6 ist
eine Querschnittsansicht einer Konstruktion einer vierten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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7 ist
eine Perspektivansicht einer Konstruktion einer fünften Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
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8 ist
eine Vorderansicht der Konstruktion der fünften Ausführungsform der Halbleiterlasereinrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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9 ist
eine Querschnittsansicht der Konstruktion der fünften Ausführungsform der Halbleiterlasereinrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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10 ist
eine Perspektivansicht einer Konstruktion einer Anwendung der Halbleiterlasereinrichtung;
und
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11 ist
eine Vorderansicht der Konstruktion der Anwendung der Halbleiterlasereinrichtung.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Nachstehend
werden Ausführungsformen
einer Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
im einzelnen unter Bezugnahme auf die 1 bis 11 erläutert. Bei
der Erläuterung der
Zeichnungen werden dieselben Elemente mit denselben Bezugszeichen
bezeichnet, und wird auf deren redundante Beschreibung verzichtet.
Es wird darauf hingewiesen, dass die Zeichnungen jeweils mit einem
xyz-Rechteckkoordinatensystem zum Zwecke der Erläuterung versehen sind.
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(Erste Ausführungsform)
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Zuerst
wird eine erste Ausführungsform
einer Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
nachstehend erläutert. 1 ist
eine Perspektivansicht, welche eine Konstruktion der ersten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt. 2 ist eine Vorderansicht, welche die Konstruktion
der ersten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt. 3 ist eine Querschnittsansicht, welche die Konstruktion der
ersten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt.
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Eine
Halbleiterlasereinrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform
weist eine Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 auf, die
einen lichtaussendenden Bereich 13 zwischen einer ersten
Endoberfläche 11 und
einer zweiten Endoberfläche 12 aufweist,
die einander zugewandt sind. Ein erster Reflexionsfilm 21,
der in einer ersten reflektierenden Anordnung vorgesehen ist, und
ein teilweise reflektierender Film 23, der in einer teilweise
reflektierenden Anordnung vorgesehen ist, sind auf der Seite der
ersten Endoberfläche 11 der
Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 vorgesehen, während ein
zweiter Reflexionsfilm 22, der in einer zweiten reflektierenden
Anordnung vorgesehen ist, an der Seite der zweiten Endoberfläche 12 vorgesehen
ist. Die erste Endoberfläche 11 und die
zweite Endoberfläche 12 sind
jeweils parallel zur xy-Ebene. Darüber hinaus sind der erste und
der zweite Reflexionsfilm 21, 22 total reflektierende
Filme.
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2 ist
eine Vorderansicht der Halbleiterlasereinrichtung 1, wenn
die erste Endoberfläche 11 entlang
der Richtung der z-Achse betrachtet wird. Wie aus 2 hervorgeht,
sind die Schichten in der Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 in
der x-Achsenrichtung übereinander
angeordnet, und weist der xy-Schnitt des aktiven Bereichs 13 eine
solche Form auf, dass eine Breite in Richtung der y-Achse (zweite Richtung)
orthogonal sowohl zur z-Achse als auch zur x-Achse größer ist
als jene der Richtung der x-Achse (dritte Richtung) orthogonal zur
z-Achse (erste Richtung), in welcher sich der aktive Bereich 13 erstreckt.
Der teilweise reflektierende Film 23 ist so ausgebildet,
dass er die gesamte Oberfläche
und deren Umfang des aktiven Bereichs 13 auf der ersten Endoberfläche 11 abdeckt,
und der erste Reflexionsfilm 21 ist außerhalb des teilweise reflektierenden Films 23 so
vorgesehen, dass er einen Teil des aktiven Bereichs 13 auf
der ersten Endoberfläche 11 abdeckt.
Der zweite Reflexionsfilm 22 ist so ausgebildet, dass er
die gesamte Oberfläche
und deren Umfang des aktiven Bereichs 13 an der zweiten
Endoberfläche 12 abdeckt.
Diese bestehen aus dielektrischen Mehrschichtfilmen. Oder es ist
aber der erste Reflexionsfilm 21 und der zweite Reflexionsfilm 22 jeweils
als Metallfilm ausgebildet. Das jeweilige Reflexionsvermögen des
ersten Reflexionsfilms 21 und des zweiten Reflexionsfilms 22,
welche ankommendes Licht total reflektieren, beträgt 90 %
oder mehr, vorzugsweise im wesentlichen 100 %. Das Reflexionsvermögen des
teilweise reflektierenden Films 23 beträgt 3-15 %.
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3 ist
eine Ansicht, die einen yz-Schnitt zeigt, der den aktiven Bereich 13 der
Halbleiterlasereinrichtung 1 enthält. Wie in 3 gezeigt,
bildet an der ersten Endoberfläche 11 ein
Abschnitt, der sich mit dem aktiven Bereich 13 in dem ersten
Reflexionsfilm 21 überlappt,
einen ersten total reflektierenden Bereich 31, wogegen
ein Abschnitt, der sich nicht mit dem ersten Reflexionsfilm 21 in
dem teilweise reflektierenden Film 23 überlappt, einen teilweise reflektierenden
Bereich 33 bildet. An der zweiten Endoberfläche 12 bildet
ein Abschnitt, der sich mit dem aktiven Bereich 13 in dem
zweiten Reflexionsfilm 22 überlappt, einen zweiten, total
reflektierenden Bereich 2. Bei der Lasereinrichtung 1 gemäß der ersten
Ausführungsform
ist eine Dicke des aktiven Bereichs 13 in Richtung der
x-Achse konstant entlang der Richtung der z-Achse, und ist auch
eine Breite des aktiven Bereichs 13 in Richtung der y-Achse
konstant entlang der Richtung der z-Achse.
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Eine
spezielle Abmessung der Lasereinrichtung 1 gemäß der ersten
Ausführungsform
ist folgendermaßen.
Eine Dicke der gesamten Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 in
Richtung der x-Achse beträgt 100-150 μm; eine Breite
der gesamten Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 in Richtung
der y-Achse beträgt
500-1000 μm;
eine Länge
der gesamten Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 in Richtung
der z-Achse beträgt
0,5-2 mm. Eine Dicke des aktiven Bereichs 13 in Richtung
der x-Achse beträgt
1 μm, und
eine Breite des aktiven Bereichs 13 in Richtung der y-Achse
beträgt
100-500 μm.
An der ersten Endoberfläche 11 ist
eine Breite eines überlappenden
Abschnitts des aktiven Bereichs 13 und des ersten Reflexionsfilms 21 in
Richtung der y-Achse gleich 40-250 μm.
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Bei
der Lasereinrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform
wird ein Laserresonator zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 ausgebildet.
Das Licht, das innerhalb des aktiven Bereichs 13 ausgesandt
wird, breitet sich in dem aktiven Bereich 13 aus, und erreicht
dann den ersten total reflektierenden Bereich 31, den zweiten
total reflektierenden Bereich 32, oder den teilweise reflektierenden
Bereich 33. Das Licht, das von innerhalb des aktiven Bereichs 13 aus
den ersten total reflektierenden Bereich 13 erreicht hat,
wird durch den ersten total reflektierenden Bereich 31 reflektiert.
Das Licht L1, das durch den ersten, total reflektierenden Bereich 31 reflektiert wird,
erreicht den zweiten total reflektierenden Bereich 32 nach
Ausbreitung innerhalb des aktiven Bereichs 13. Das Licht
L2, L3, das durch den zweiten total reflektierenden Bereich 32 reflektiert
wird, erreicht den ersten total reflektierenden Bereich 31 oder
den teilweise reflektierenden Bereich 33 nach Ausbreitung
innerhalb des aktiven Bereichs 13. Unter dem Licht, das
von innerhalb des aktiven Bereichs 13 den teilweise reflektierenden
Bereich 33 erreicht hat, erreicht das Licht L4, das durch
den teilweise reflektierenden Bereich 33 reflektiert wird,
den zweiten total reflektierenden Bereich 32 erneut nach
Ausbreitung in dem aktiven Bereich 13, während das
Licht L5, das in den teilweise reflektierenden Bereich 33 durchgelassen
wurde, nach außerhalb
der Halbleiterlasereinrichtung 1 ausgegeben wird.
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Auf
diese Weise wird der Laserresonator zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 gebildet,
und ist der zweite total reflektierende Bereich 32 auf
dem Wege des optischen Resonanzweges angeordnet. Daher wird eine
induzierte Emission in dem aktiven Bereich 13 hervorgerufen,
und führt
die Lasereinrichtung 1 eine Laseroszillation durch. Dies
führt dazu,
dass unter dem Licht, das von dem aktiven Bereich 13 aus
den teilweise reflektierenden Bereich 33 erreicht, das
in den teilweise reflektierenden Bereich 33 durchgelassene
Licht als Ausgangslaserstrahl dient.
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Wie
voranstehend geschildert weist bei der Halbleiterlasereinrichtung 1 gemäß der ersten
Ausführungsform
der Laserstrahl, der von dem teilweise reflektierenden Bereich 33 ausgegeben
wird, einen gewissen Aufweitungswinkel auf. Bei dem Aufweitungswinkel
ist ein Aufweitungswinkel in Richtung der y-Achse auf ein 1/2 bis
1/4 verringert, verglichen mit dem von einer herkömmliche
Laserdiode in Richtung der y-Achse ausgesandten Licht. Weiterhin
kann die Halbleiterlasereinrichtung 1 gemäß der ersten
Ausführungsform
einen Laserstrahl ausgeben, der einen kleinen Aufweitungswinkel
in Richtung der y-Achse aufweist, ohne ein Optikbauelement wie beispielsweise
ein Wandlerelement für
den optischen Weg und/oder eine Linse zum Sammeln des von einer
Laserdiode ausgesandten Emissionslichts aufzuweisen, wodurch eine
Verkleinerung erzielt wird. Wenn die Größe des aktiven Bereichs 13 auf
demselben Niveau liegt wie jene einer herkömmlichen Laserdiode, ist darüber hinaus
die Fläche
eines Laserstrahlaussendeabschnitts (des teilweise reflektierenden
Bereichs 33 bei der ersten Ausführungsform) schmäler als
jene des Aussendeabschnitts der herkömmlichen Laserdiode, was zur
Erhöhung
der Leistungsdichte des Laserstrahls führt, der von der Halbleiterlasereinrichtung 1 ausgegeben
wird.
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(Zweite Ausführungsform)
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Eine
zweite Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird
als nächstes
nachstehend erläutert. 4 ist eine
Querschnittsansicht, welche eine Konstruktion der zweiten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt. Es wird darauf hingewiesen, dass das Erscheinungsbild einer
Halbleiterlasereinrichtung 2 gemäß der zweiten Ausführungsform ähnlich jenem
der Halbleiterlasereinrichtung 1 gemäß der voranstehenden ersten Ausführungsform
ist (siehe die 1 und 2).
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Wie
in 4 gezeigt, bildet an einer ersten Endoberfläche 11 ein
Abschnitt, der sich mit einem aktiven Bereich 13 in einem
ersten Reflexionsfilm 21 überlappt, einen ersten total
reflektierenden Bereich 31, während ein Abschnitt, der sich
nicht dem ersten Reflexionsfilm 21 in einem total reflektierenden
Film 23 überlappt,
einen teilweise reflektierenden Bereich 33 bildet. An einer
zweiten Endoberfläche 12 bildet ein
Abschnitt, der sich mit dem aktiven Bereich 13 in einem
zweiten reflektierenden Bereich 22 überlappt, einen zweiten total
reflektierenden Bereich 32.
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Bei
der Halbleiterlasereinrichtung 2 gemäß der zweiten Ausführungsform
ist eine Dicke des aktiven Bereichs 13 in Rotort der x-Achse
konstant entlang der Richtung der z-Achse, während eine Breite des aktiven
Bereichs 13 in Richtung der y-Achse kleiner an der Seite
der zweiten Endoberfläche 12 als
an der ersten Endoberfläche 11 ist.
Insbesondere wenn diese Angelegenheit geometrisch betrachtet wird,
ist in einem Bereich des aktiven Bereichs 13, durch welchen
Licht hindurchgeht, das in dem ersten total reflektierenden Bereich 31 bei
einem Reflexionswinkel von Null Grad reflektiert wird, unter dem
Licht, welches den zweiten total reflektierenden Bereich 32 erreicht,
eine Breite an der Seite der zweiten Endoberfläche 12 kleiner als
an der Seite der ersten Endoberfläche 11. In dieser
Hinsicht besteht ein Unterschied gegenüber dem Falle der ersten Ausführungsform. Die
Breite des aktiven Bereichs 13 kann sich über den
gesamten Bereich entlang der Richtung der z-Achse ändern, oder
kann sich nur in einem Teilbereich entlang der Richtung der z-Achse ändern.
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Ein
Laserresonator 13 wird zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 auch
bei der Halbleiterlasereinrichtung 2 gemäß der zweiten
Ausführungsform
ausgebildet, ebenso wie im Falle der ersten Ausführungsform, und der zweite
total reflektierenden Bereich 32 ist auf dem Weg des zugehörigen optischen
Resonanzweges angeordnet. Daher wird eine induzierte Emission in
dem aktiven Bereich 13 hervorgerufen, und hierdurch führt die
Lasereinrichtung 2 eine Laseroszillation durch. Dies führt dazu, dass
unter dem Licht, welches von dem aktiven Bereich 13 aus
den teilweise reflektierenden Bereich 33 erreicht, das
Licht, das durch den teilweise reflektierenden Bereich 33 durchgelassen
wird, als ein Ausgangslaserstrahl dient.
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Die
Halbleiterlasereinrichtung 2 gemäß der zweiten Ausführungsform
führt zu
folgenden Effekten, zusätzlich
zu ähnlichen
Effekten wie im Falle der ersten Ausführungsform. Bei der Halbleiterlasereinrichtung 2 gemäß der zweiten
Ausführungsform
weist der aktiven Bereich 13 die voranstehend geschilderte Querschnittsform
auf, wodurch eine Vertikalresonanz zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 unterdrückt wird.
Dies führt
dazu, dass effizient Resonanz zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 erzeugt wird.
Die Leistung des Laserstrahls kann verstärkt werden, der von dem teilweise
reflektierenden Bereich 33 ausgegeben wird. Weiterhin kann
ein Aufweitungswinkel des von dem teilweise reflektierenden Bereichs 33 zur
Richtung der y-Achse ausgegebenen Laserstrahls weiter verringert
werden.
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(Dritte Ausführungsform)
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Eine
dritte Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird
nachstehend erläutert. 5 ist
eine Querschnittsansicht, welche einen Aufbau der dritten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt. Es wird darauf hingewiesen, dass das Erscheinungsbild einer
Halbleiterlasereinrichtung 3 gemäß der dritten Ausführungsform ähnlich jenem
der Halbleiterlasereinrichtung 1 gemäß der voranstehend geschilderten
ersten Ausführungsform
ist (siehe 1 und 2).
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Wie
in 5 gezeigt, bildet an einer ersten Endoberfläche 11 ein
Abschnitt, der sich mit einem aktiven Bereich 13 in einem
ersten Reflexionsfilm 21 überlappt, einen ersten total
reflektierenden Bereich 31, während ein Abschnitt, der sich
nicht mit dem ersten reflektierenden Bereich 21 in einem
teilweise reflektierenden Film 23 überlappt, einen teilweise reflektierenden
Bereich 33 bildet. An einer zweiten Endoberfläche 12 bildet
ein Abschnitt, der sich mit dem aktiven Bereich 13 in einem
zweiten Reflexionsbereich 22 überlappt, einen zweiten total
reflektierenden Bereich 32.
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Bei
der Halbleiterlasereinrichtung 3 gemäß der dritten Ausführungsform
ist eine Dicke des aktiven Bereichs 13 in Richtung der
x-Achse konstant entlang der Richtung der z-Achse, während ein
Breite des aktiven Bereichs 13 in Richtung der y-Achse
kleiner auf der Seite der zweiten Endoberfläche 12 als an der
Seite der ersten Endoberfläche 11 ist.
Insbesondere ist, wenn man diese Angelegenheit geometrisch betrachtet,
in einem Bereich des aktiven Bereichs 13, durch welchen
Licht hindurchgeht, das in dem teilweise reflektierenden Bereich 33 bei
einem Reflexionswinkel von Null Grad reflektiert wird, unter dem
Licht, welches den zweiten total reflektierenden Bereich 32 erreicht,
eine Breite an der Seite der zweiten Endoberfläche 12 kleiner als
an der Seite der ersten Endoberfläche 11. In dieser
Hinsicht besteht ein Unterschied gegenüber dem Falle der ersten Ausführungsform.
Die Richtung des aktiven Bereichs 13 kann z-Achse ändern, oder
kann sich nur in einem Teilbereich entlang der Richtung der z-Achse ändern.
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Ein
Laserresonator wird zwischen dem ersten total reflektierenden Bereich 31 und
dem teilweise reflektierenden Bereich 33 auch in der Halbleiterlasereinrichtung 3 gemäß der dritten
Ausführungsform
gebildet, ebenso wie im Falle der ersten Ausführungsform, und der zweite
total reflektierenden Bereich 32 ist auf dem Wege des zugehörigen optischen
Resonanzweges angeordnet. Daher wird eine induzierte Emission in
dem aktiven Bereich 13 hervorgerufen, und führt hierdurch
die Lasereinrichtung 3 eine Laseroszillation durch. Dies
führt dazu,
dass unter dem Licht, welches von dem aktiven Bereich 13 aus
den teilweise reflektierenden Bereich 33 erreicht hat,
das Licht, das durch den teilweise reflektierenden Bereich 33 durchgelassen
wurde, als ein Ausgangslaserstrahl dient.
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Die
Halbleiterlasereinrichtung 3 gemäß der dritten Ausführungsform
führt zu
folgenden Effekten, zusätzlich
zu ähnlichen
Effekten wie im Falle der ersten Ausführungsform. Bei der Halbleiterlasereinrichtung 3 gemäß der dritten
Ausführungsform
weist der aktiven Bereich 13 die voranstehend geschilderte Querschnittsform
auf, wodurch eine vertikale Resonanz zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 unterdrückt wird.
Dies führt
dazu, dass effizient eine Resonanz zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 erzeugt
wird. Die Leistung des Laserstrahls kann erhöht werden, der von dem teilweise
reflektierenden Bereich 33 abgegeben wird. Weiterhin kann
ein Aufweitungswinkel des Laserstrahls, der von dem teilweise reflektierenden
Bereich 33 zur Richtung der y-Achse abgegeben wird, weiter
verringert werden.
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(Vierte Ausführungsform)
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Eine
vierte Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird
als nächstes
nachstehend erläutert. 6 ist eine
Querschnittsansicht, welche eine Konstruktion der vierten Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt. Es wird darauf hingewiesen, dass das Erscheinungsbild einer
Halbleiterlasereinrichtung 4 gemäß der vierten Ausführungsform
gleich jenem der Halbleiterlasereinrichtung 1 gemäß der voranstehend
geschilderten ersten Ausführungsform
ist (siehe 1 und 2).
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Wie
in 6 gezeigt, bildet an einer ersten Endoberfläche 11 ein
Abschnitt, der sich mit einem aktiven Bereich 13 in einem
ersten Reflexionsfilm 21 überlappt, einen ersten total
reflektierenden Bereich 31, während ein Abschnitt, der sich
nicht mit dem ersten Reflexionsbereich 21 in einem teilweise
reflektierenden Film 23 überlappt, einen teilweise reflektierenden
Bereich 33 bildet. An einer zweiten Endoberfläche bildet
ein Abschnitt, der sich mit dem aktiven Bereich 13 in einem
zweiten Reflexionsbereich 22 überlappt, einen zweiten total
reflektierenden Bereich 32.
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Bei
der Halbleiterlasereinrichtung 4 gemäß der vierten Ausführungsform
ist eine Dicke des aktiven Bereichs 13 in Richtung der
x-Achse entlang der Richtung der z-Achse konstant, während eine
Breite des aktiven Bereichs 13 in Richtung der y-Achse
geringer auf der Seite der zweiten Endoberfläche 12 als an der
Seite der ersten Endoberfläche 11 ist.
Im einzelnen, wenn diese Angelegenheit geometrisch betrachtet wird,
ist in einem Bereich des aktiven Bereichs 13, durch welchen
Licht hindurchgelangt, das in dem ersten total reflektierenden Bereich 31 bei
einem Reflexionswinkel von Null Grad reflektiert wird, unter dem
Licht, welches den zweiten total reflektierenden Bereich 32 erreicht,
eine Breite auf der Seite der zweiten Endoberfläche 12 kleiner als
jene auf der Seite der ersten Endoberfläche 11. Weiterhin
ist, wenn man die Angelegenheit geometrisch überlegt, in einem Bereich des
aktiven Bereichs 13, durch welchen Licht hindurchgelangt,
das in dem teilweise reflektierenden Bereich 33 bei einem
Reflexionswinkel von Null Grad reflektiert wird, unter dem Licht,
welches den zweiten total reflektierenden Bereich 32 erreicht,
eine Breite auf der Seite der zweiten Endoberfläche 12 kleiner als
auf der Seite der ersten Endoberfläche 11. In dieser
Hinsicht sind einige Unterschiede gegenüber dem Falle der ersten Ausführungsform
vorhanden. Die Breite des aktiven Bereichs 13 kann sich über den
gesamten Bereich entlang der Richtung der z-Achse ändern, oder
kann sich nur in einem Teilbereich entlang der Richtung der z-Achse ändern.
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Ein
Laserresonator wird zwischen dem ersten total reflektierenden Bereich 31 und
dem teilweise reflektierenden Bereich 33 auch bei der Halbleiterlasereinrichtung 4 gemäß der vierten
Ausführungsform
ausgebildet, ebenso wie im Falle der ersten Ausführungsform, und der zweite
total reflektierenden Bereich 32 ist auf dem Wege des zugehörigen optischen
Resonanzweges angeordnet. Daher wird induzierte Emission in dem
aktiven Bereich 13 hervorgerufen, und führt hierdurch die Lasereinrichtung 4 eine
Laseroszillation aus. Dies führt
dazu, dass unter dem Licht, das von dem aktiven Bereich 13 aus den
teilweise reflektierenden Bereich 33 erreicht, jenes Licht,
das durch den teilweise reflektierenden Bereich 33 durchgelassen
wird, als ein Ausgangslaserstrahl dient.
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Die
Halbleiterlasereinrichtung 4 gemäß der vierten Ausführungsform
führt zu
folgenden Effekten, zusätzlich
zu gleichen Effekten wie im Falle der ersten Ausführungsform.
Bei der Halbleiterlasereinrichtung 4 gemäß der vierten
Ausführungsform
weist der aktiven Bereich 13 die voranstehend geschilderte Querschnittsform
auf, wodurch eine vertikale Resonanz zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem zweiten total reflektierenden Bereich 32 unterdrückt wird,
und darüber
hinaus auch eine vertikale Resonanz zwischen dem teilweise reflektierenden
Bereich 33 und dem zweiten total reflektierenden Bereich 32 unterdrückt wird.
Dies führt dazu,
dass effizient Resonanz zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 hervorgerufen
wird. Die Leistung des von dem teilweise reflektierenden Bereich 33 ausgegebenen
Laserstrahls kann erhöht werden.
Darüber
hinaus kann ein Aufweitungswinkel des Laserstrahls, der von dem
teilweise reflektierenden Bereich 33 zur Richtung der y-Achse
ausgegeben wird, weiter verringert werden.
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(Fünfte Ausführungsform)
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Eine
fünfte
Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird
als nächstes
nachstehend erläutert. 7 ist eine
Perspektivansicht, welche eine Konstruktion der fünften Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt. 8 ist eine Vorderansicht, welche die Konstruktion
der fünften
Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt. Weiterhin ist 9 eine Querschnittsansicht,
welche die Konstruktion der fünften
Ausführungsform
der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt.
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Bei
der Halbleiterlasereinrichtung 5 gemäß der vorliegenden Erfindung
weist eine Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 mehrere
aktiven Bereiche 13 auf, und sind die mehreren aktiven
Bereiche 13 eindimensional so in einem Feld angeordnet,
dass sie Licht an der Seite derselben Oberfläche aussenden können. Die
Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 weist jeden aktiven
Bereich 13 zwischen einer ersten Endoberfläche 11 und
einer zweiten Endoberfläche 12 auf,
die einander zugewandt sind; ein erster Reflexionsfilm 21 und
ein teilweise reflektierender Film 23 sind auf der ersten
Endoberfläche 11 vorgesehen;
ein zweiter Reflexionsfilm 22 ist auf der zweiten Endoberfläche 12 vorgesehen.
Die erste Endoberfläche 11 und
die zweite Endoberfläche 12 verlaufen
jeweils parallel zur xy-Ebene. Der erste und zweite Reflexionsfilm 21, 22 sind
total reflektierende Filme.
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8 ist
eine Vorderansicht der Halbleiterlasereinrichtung 5, wenn
die erste Endoberfläche 11 entlang
der Richtung der z-Achse betrachtet wird. Wie in 8 gezeigt,
sind die Schichten in der Halbleiterlichtemittervorrichtung 10 in
Richtung der x-Achse übereinander
angeordnet, und sind die mehreren aktiven Bereiche 13 in
einem Feld entlang der Richtung der y-Achse angeordnet. Der xy-Schnitt
jedes aktiven Bereichs 13 weist eine Form auf, die länger in Richtung
der y-Achse als in Richtung der x-Achse ist. Der teilweise reflektierende
Film 23 ist so ausgebildet, dass er die gesamte Oberfläche und
deren Umfang des aktiven Bereichs 13 auf der Endoberfläche 11 abdeckt,
und der erste Reflexionsfilm 21 ist außerhalb des partiell reflektierenden
Films 23 so vorgesehen, dass ein Teil des aktiven Bereichs 13 auf
der Endoberfläche 11 abgedeckt
wird. Der zweite Reflexionsfilm 22 ist so ausgebildet,
dass er die gesamte Oberfläche
und deren Umfang jedes aktiven Bereichs 13 auf der Endoberfläche 12 abdeckt.
Diese bestehen aus dielektrischen Mehrschichtfilmen. Oder aber es
sind der erste Reflexionsfilm 21 und der zweite Reflexionsfilm 22 jeweils
als ein Metallfilm ausgebildet. Das jeweilige Reflexionsvermögen des
ersten Reflexionsfilms 21 und des zweiten Reflexionsfilms 22,
welche ankommendes Licht total reflektieren können, beträgt 90 % oder mehr, vorzugsweise
im wesentlichen 100 %. Das Reflexionsvermögen des teilweise reflektierenden
Films 23 beträgt
3-15 %.
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9 ist
eine Ansicht, welche einen yz-Schnitt zeigt, der den aktiven Bereich 13 der
Halbleiterlasereinrichtung 5 enthält. Wie in 9 gezeigt, bildet
an der ersten Endoberfläche 11 ein
Abschnitt, der sich mit jedem aktiven Bereich 13 in dem
ersten Reflexionsfilm 21 überlappt, einen ersten total
reflektierenden Bereich 31, während ein Abschnitt, der sich nicht
mit dem ersten Reflexionsfilm 21 in dem teilweise reflektierenden
Bereich 23 überlappt,
einen teilweise reflektierenden Abschnitt 33 bildet. An
der zweiten Endoberfläche 12 bildet
ein Abschnitt, der sich mit dem aktiven Bereich 13 in dem
zweiten Reflexionsfilm 22 überlappt, einen zweiten total
reflektierenden Bereich 32. Auch bei der Lasereinrichtung 5 gemäß der fünften Ausführungsform
ist eine Dicke des aktiven Bereichs 13 in Richtung der
x-Achse konstant entlang der Richtung der z-Achse, und ist eine Breite
des aktiven Bereichs 13 in Richtung der y-Achse ebenfalls
konstant entlang der Richtung der z-Achse.
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Bei
der Lasereinrichtung 5 gemäß der fünften Ausführungsform wird in jedem der
mehreren aktiven Bereiche, die in einem Feld angeordnet sind, ein
Laserresonator zwischen dem ersten total reflektierenden Bereich 31 und
dem teilweise reflektierenden Bereich 33 ausgebildet. Licht,
das innerhalb total reflektierenden Bereich 31 und dem
teilweise reflektierenden Bereich 33 ausgebildet. Licht,
das innerhalb des aktiven Bereichs 13 ausgesandt wird,
breitet sich nämlich
in dem aktiven Bereich 13 aus, und erreicht dann den ersten
total reflektierenden Bereich 31, den zweiten total reflektierenden
Bereich 32, oder den teilweise reflektierenden Bereich 33.
Das Licht erreicht von dem aktiven Bereich 13 aus den ersten total
reflektierenden Bereich 31, und das Licht L1, das von dem
ersten total reflektierenden Bereich 31 reflektiert wird,
erreicht den zweiten total reflektierenden Bereich 32 nach
Ausbreitung innerhalb des aktiven Bereichs 13. Das Licht
L2, L3, das durch den zweiten total reflektierenden Bereich 32 reflektiert wird,
erreicht den ersten total reflektierenden Bereich 31 oder
den teilweise reflektierenden Bereich 33, nach Ausbreitung
innerhalb des aktiven Bereichs 13. Unter dem Licht, das
von innerhalb des aktiven Bereichs 13 aus den teilweise
reflektierenden Bereich 33 erreicht hat, erreicht das Licht
L4, das durch den teilweise reflektierenden Bereich 33 reflektiert
wurde, den zweiten total reflektierenden Bereich 32 erneut nach
Ausbreitung in dem aktiven Bereich 13, während das
Licht L5, das in dem teilweise reflektierenden Bereich 33 durchgelassen
wurde, nach außerhalb
der Halbleiterlasereinrichtung 5 ausgegeben wird.
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In
jedem aktiven Bereich 13 der Lasereinrichtung 5 gemäß der fünften Ausführungsform
wird ebenfalls ein Laserresonator zwischen dem ersten total reflektierenden
Bereich 31 und dem teilweise reflektierenden Bereich 33 ausgebildet,
und ist der zweite total reflektierenden Bereich 32 auf
dem Weg des optischen Resonanzweges angeordnet. Daher wird eine
induzierte Emission in dem aktiven Bereich 13 hervorgerufen,
und führt
die Lasereinrichtung 5 eine Laseroszillation durch. Dies
führt dazu,
dass das in dem teilweise reflektierenden Bereich 33 durchgelassene
Licht aus Ausgangslaserstrahl unter dem Licht dient, das von dem
aktiven Bereich 13 aus den teilweise reflektierenden Bereich 33 erreicht
hat.
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Bei
der Lasereinrichtung 5 gemäß der fünften Ausführungsform weist der von dem
teilweise reflektierenden Bereich 33 abgegebene Laserstrahl
einen bestimmten Aufweitungswinkel auf. Hierbei wird ein Aufweitungswinkel
in Richtung der y-Achse auf 1/2 bis 1/4 verkleinert, verglichen
mit jenem des von einer herkömmlichen
Laserdiode in Richtung der y-Achse ausgesandten Lichts. Weiterhin
kann die Halbleiterlasereinrichtung 5 gemäß der fünften Ausführungsform
einen Laserstrahl mit einem kleinen Aufweitungswinkel in Richtung
der y-Achse ausgeben, ohne ein optisches Element wie beispielsweise ein
Wandlerelement für
den optischen Weg und/oder eine Linse zum Kollimieren des ausgesandten
Lichts zu verwenden, das von einer Laserdiode ausgesandt wird, was
eine Verkleinerung ermöglicht.
Wenn die Größe des aktiven
Bereichs 13 auf demselben Niveau liegt wie jene einer herkömmlichen
Laserdiode, ist darüber
hinaus die Fläche
eines Laserstrahlaussendeabschnitts (des teilweise reflektierenden
Bereichs 33 bei jedem aktiven Bereich 13 bei der
fünften Ausführungsform)
kleiner als jene des Aussendeabschnitts der herkömmlichen Laserdiode, was zur
Erhöhung
der Leistungsdichte des von der Halbleiterlasereinrichtung 5 ausgegebenen
Laserstrahls führt.
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Darüber hinaus
ist, wenn eine Breite jedes teilweise reflektierenden Bereichs 33 in
Richtung der y-Achse auf "a" eingestellt ist,
und ein Feldabstand der mehreren aktiven Bereiche 13 in
Richtung der y-Achse auf "b" eingestellt ist,
ein Verhältnis
(a/b) kleiner als jenes bei einem herkömmlichen Laserfeld; wenn daher
ein Laserstrahl, der von jedem teilweise reflektierenden Bereich 33 ausgegeben
wird, durch ein Mikrolinsenfeld gesammelt wird, wird ein Sammlungseffekt
in Richtung der y-Achse verbessert. Wenn ein Aufweitungswinkel des
ausgesandten Lichts in Richtung der y-Achse klein ist, und darüber hinaus
das Verhältnis
(a/b) klein ist, ist nämlich
eine große
Entfernung vorhanden, soweit sich die jeweiligen Lichtstrahlen,
die von den benachbarten, teilweise reflektierenden Bereichen 33 ausgegeben
werden, miteinander überlappen,
was es ermöglicht,
ein Mikrolinsenfeld mit einer großen Fokussierungsentfernung
zu verwenden. Daher ist das Parallelitätsniveau des von dem Mikrolinsenfeld
gesammelten Lichtes hervorragend.
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(Anwendungen)
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Die
vorliegende Erfindung kann mit verschiedenen Abänderungen durchgeführt werden,
nicht auf die voranstehenden Ausführungsformen beschränkt. So
kann beispielsweise bei dem Halbleiterlaser 5 gemäß der voranstehend
geschilderten fünften
Ausführungsform
eine ähnliche
Form der aktiven Bereiche wie bei den aktiven Bereichen der zweiten
bis vierten Ausführungsform
vorhanden sein.
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Weiterhin
sind zwar bei der Halbleiterlasereinrichtung gemäß der fünften Ausführungsform die mehreren aktiven
Bereiche eindimensional in einem Feld in Richtung der y-Achse angeordnet,
jedoch können
die mehreren aktiven Bereiche auch feldförmig in Richtung der x-Achse
und der y-Achse angeordnet sein. In diesem Fall sind ein Kühlkörper und ein
Abschnitt mit einer ähnlichen
Konstruktion wie jener, die in den 7 und 8 gezeigt
ist, abwechselnd übereinander
in Richtung der x-Achse angeordnet.
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Weiterhin
ist bei den voranstehenden Ausführungsformen
der teilweise reflektierende Film 23 über der gesamten 21 außerhalb
eines Teils des teilweise reflektierenden Films 23 vorgesehen;
allerdings muss der teilweise reflektierende Film 23 nicht auf
einem Bereich entsprechend dem ersten total reflektierenden Bereich 31 vorhanden
sein. 10 ist eine Perspektivansicht,
welche eine Konstruktion einer Anwendung der Halbleiterlasereinrichtung
zeigt. 11 ist eine Vorderansicht, welche
die Konstruktion der Anwendung der Halbleiterlasereinrichtung zeigt.
Bei der Halbleiterlasereinrichtung 6 gemäß der Anwendung
kann der erste Reflexionsfilm 21 so ausgebildet sein, dass
er ein Teil des aktiven Bereichs 13 auf der ersten Endoberfläche 11 abdeckt,
während der
teilweise reflektierenden Film so ausgebildet sein kann, dass er
den Rest des aktiven Bereichs 13 auf der ersten Endoberfläche 11 abdeckt.
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Wie
voranstehend geschildert kann gemäß der Halbleiterlasereinrichtung
der vorliegenden Erfindung ein Aufweitungswinkel des ausgesandten Lichts
verkleinert werden, und kann eine Verkleinerung durchgeführt werden.
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Aus
der derart beschriebenen Erfindung wird offensichtlich, dass die
Ausführungsformen
der Erfindung auf zahlreiche Arten abgeändert werden können. Derartige
Abänderungen
sollen nicht als Abkehr vom Wesen und Umfang der Erfindung angesehen werden,
und es sollen alle derartigen Modifikationen, die für einen
Fachmann offensichtlich wären,
vom Umfang der folgenden Patentansprüche umfasst sein.