JP2005183452A - 端子部の接合構造及び接合方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応、製造コストの低減が可能であり、設計上の自由度が制限される虞もなく、接合部分が酸化、剥離する等の虞もない端子部の接合構造及び接合方法を提供する。
【解決手段】 本発明の端子部の接合構造は、FPCの接続端子のAuメッキ膜15とRPCの接続端子のAuメッキ膜25との接合構造であって、接合された2つのAuメッキ膜15、25の接合界面には1つ以上の空隙31が形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明の端子部の接合構造は、FPCの接続端子のAuメッキ膜15とRPCの接続端子のAuメッキ膜25との接合構造であって、接合された2つのAuメッキ膜15、25の接合界面には1つ以上の空隙31が形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は、電子機器における配線基板間の接合に係わり、特に、携帯用情報機器、携帯用電話機、携帯用情報端末等の電子機器に用いて好適な端子部の接合構造及び接合方法に関するものである。
従来、ノート型パーソナルコンピュータ等の携帯用情報機器や、折り畳み式の携帯用電話機あるいは携帯用情報端末等の電子機器においては、中央演算処理装置(CPU)や各種電子部品を搭載するリジッド配線基板の接続端子と、液晶表示装置等に接続されるフレキシブルプリント配線基板の接続端子とを電気的に接続する必要がある。そこで、これらの基板の接続端子同士を接続するために、同じ層数の配線基板の接続端子同士を接合したリジッドフレックス構造(特許文献1参照)、一方の配線基板のコネクタ端子と他方の配線基板のコネクタ部品とを嵌め合わせたコネクタ接続(特許文献2参照)、配線基板の接続端子同士を半田を介して接合した半田による接続端子間接合(特許文献3参照)等が用いられている。
特開平5−013958号公報
特開平7−176341号公報
特開平5−267811号公報
ところで、従来のリジッドフレックス構造では、接続端子のパターン配置において不要な部分の占める面積が大きく、高密度化、狭ピッチ化への対応が難しいという問題点、接合の工程が複雑であるために製造コストが高くなるという問題点、接合する配線基板の層数が同じ層数に限定されてしまい設計上の自由度が制限されるという問題点があった。
また、従来のコネクタ接続では、配線基板とは別部材であるコネクタ端子及びコネクタ部品を用いているために、コネクタ接続部分の厚みを薄くすることには限界があり、コネクタ接続部分の薄厚化、小型化が難しいという問題点があった。
また、従来の半田による接続端子間接合では、接合を容易かつ安価に行うことができるものの、接合後のリフロー時においては、接合部分の酸化、剥離等の問題点があった。
また、従来の半田による接続端子間接合では、接合を容易かつ安価に行うことができるものの、接合後のリフロー時においては、接合部分の酸化、剥離等の問題点があった。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応、製造コストの低減が可能であり、設計上の自由度が制限される虞もなく、接合部分が酸化、剥離する等の虞もない端子部の接合構造及び接合方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は次の様な端子部の接合構造及び接合方法を提供した。
すなわち、本発明の端子部の接合構造は、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部との接合構造であって、接合された2つの端子部の接合界面には、1つ以上の空隙が形成されていることを特徴とする。
すなわち、本発明の端子部の接合構造は、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部との接合構造であって、接合された2つの端子部の接合界面には、1つ以上の空隙が形成されていることを特徴とする。
この端子部の接合構造では、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部とを半田等を介在させることなく直接接合することにより、接合精度が向上し、耐熱性に優れたものとなる。これにより、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応が容易になる。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在しないことから、後工程のリフロー時においても、端子部の接合部分が酸化、剥離する等の虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在しないことから、後工程のリフロー時においても、端子部の接合部分が酸化、剥離する等の虞もない。
本発明の他の端子部の接合構造は、2つの可撓性基板の端子部同士の接合構造であって、接合された2つの端子部の接合界面には、1つ以上の空隙が形成されていることを特徴とする。
この端子部の接合構造では、2つの可撓性基板の端子部同士を半田等を介在させることなく直接接合することにより、接合精度が向上し、耐熱性に優れたものとなる。これにより、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応が容易になる。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在しないことから、後工程のリフロー時においても、端子部の接合部分が酸化、剥離する等の虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在しないことから、後工程のリフロー時においても、端子部の接合部分が酸化、剥離する等の虞もない。
これらの端子部の接合構造においては、前記接合された2つの端子部のうち少なくとも一方の端子部の接合面に、耐腐食性金属膜が形成されていることが好ましい。
前記耐腐食性金属膜は、金、白金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、イリジウムの群から選択された1種または2種以上を含有していることが好ましい。
前記耐腐食性金属膜の接合面は、表面処理されていることが好ましい。
前記耐腐食性金属膜は、金、白金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、イリジウムの群から選択された1種または2種以上を含有していることが好ましい。
前記耐腐食性金属膜の接合面は、表面処理されていることが好ましい。
また、これらの端子部の接合構造においては、前記接合された2つの端子部のうち少なくとも一方の端子部の接合面に、該端子部と略同一組成の微粒子を析出した構成としてもよい。
前記微粒子は、前記端子部の接合面を還元処理することにより析出したものとしてもよい。
前記微粒子は、前記端子部の接合面を還元処理することにより析出したものとしてもよい。
本発明の端子部の接合方法は、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部とを接合する方法であって、前記可撓性基板の端子部と前記非可撓性基板の端子部とを対向配置させ、これら端子部同士を超音波接合法により接合することを特徴とする。
この端子部の接合方法では、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部とを対向配置させ、これら端子部同士を超音波接合法により接合することにより、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部との接合が容易になり、接合部の接合精度が高く、耐熱性にも優れた端子部の接合構造を容易に得ることが可能になる。
本発明の他の端子部の接合方法は、2つの可撓性基板の端子部同士を接合する方法であって、これらの端子部を対向配置させ、これらの端子部同士を超音波接合法により接合することを特徴とする。
この端子部の接合方法では、2つの可撓性基板の端子部同士を対向配置させ、これらの端子部同士を超音波接合法により接合することにより、2つの可撓性基板の端子部同士の接合が容易になり、接合部の接合精度が高く、耐熱性にも優れた端子部の接合構造を容易に得ることが可能になる。
上記の端子部の接合方法各々では、これらの端子部を対向配置させる前に、少なくとも一方の前記端子部の接合面を表面処理することが好ましい。
前記端子部の接合面を表面処理することにより、これらの端子部を接合した際に、接合界面に不純物等が介在する虞が無くなり、接合部の接合強度が高まる。
前記端子部の接合面を表面処理することにより、これらの端子部を接合した際に、接合界面に不純物等が介在する虞が無くなり、接合部の接合強度が高まる。
上記の端子部の接合方法各々では、これらの端子部を対向配置させる前に、少なくとも一方の前記端子部の接合面に耐腐食性金属膜を形成し、この耐腐食性金属膜を表面処理することが好ましい。
前記耐腐食性金属膜を表面処理することにより、これらの端子部を接合した際に、接合界面に不純物等が介在する虞が無くなり、接合部の接合強度が高まる。
前記耐腐食性金属膜を表面処理することにより、これらの端子部を接合した際に、接合界面に不純物等が介在する虞が無くなり、接合部の接合強度が高まる。
本発明の端子部の接合構造によれば、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部との接合界面に、1つ以上の空隙を形成したので、2つの端子部を半田等を介せずに超音波接合法により直接接合することで、半田等を介して接合したものに比べて接合精度を向上させることができ、耐熱性に優れたものとすることができる。
したがって、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応を容易とすることができ、設計上の自由度が制限される虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在していないので、後工程のリフロー時においても、端子部の接合部分が酸化、剥離する等の虞がない。
したがって、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応を容易とすることができ、設計上の自由度が制限される虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在していないので、後工程のリフロー時においても、端子部の接合部分が酸化、剥離する等の虞がない。
本発明の他の端子部の接合構造によれば、2つの可撓性基板の端子部同士の接合界面に、1つ以上の空隙を形成したので、2つの端子部を半田等を介せずに超音波接合法により直接接合することで、半田等を介して接合したものに比べて接合精度を向上させることができ、耐熱性に優れたものとすることができる。
したがって、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応を容易とすることができ、設計上の自由度が制限される虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在していないので、後工程のリフロー時においても、端子部の接合部分が酸化、剥離する等の虞がない。
したがって、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応を容易とすることができ、設計上の自由度が制限される虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在していないので、後工程のリフロー時においても、端子部の接合部分が酸化、剥離する等の虞がない。
本発明の端子部の接合方法によれば、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部とを対向配置させ、これら端子部同士を超音波接合法により接合するので、接合部の接合精度が高く、耐熱性にも優れた端子部の接合構造を容易かつ安価に得ることができる。
本発明の他の端子部の接合方法によれば、2つの可撓性基板の端子部同士を対向配置させ、これらの端子部同士を超音波接合法により接合するので、接合部の接合精度が高く、耐熱性にも優れた端子部の接合構造を容易かつ安価に得ることができる。
本発明の端子部の接合構造及び接合方法の各実施の形態について、図面に基づき説明する。
なお、これらの実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明は、これらの実施の形態に限定されない。
なお、これらの実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明は、これらの実施の形態に限定されない。
「第1の実施形態」
図1は本発明の第1の実施形態の端子部の接合構造を示す断面図、図2は同接合構造の要部拡大断面図であり、図において、符号1はフレキシブルプリント配線基板(可撓性基板)(以下、FPCと称する)、2はリジッドプリント配線基板(非可撓性基板)(以下、RPCと称する)である。
図1は本発明の第1の実施形態の端子部の接合構造を示す断面図、図2は同接合構造の要部拡大断面図であり、図において、符号1はフレキシブルプリント配線基板(可撓性基板)(以下、FPCと称する)、2はリジッドプリント配線基板(非可撓性基板)(以下、RPCと称する)である。
FPC1は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)等からなる可撓性を有する樹脂基板11の表面に銅(Cu)箔をエッチングして所定の回路配線とした配線部12が形成され、この配線部12の一端部が外部と電気的に接続するための接続端子(端子部)13とされている。
そして、配線部12の上面は、ポリイミド樹脂(PI)、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂からなるフィルム状の絶縁材14により被覆され、この絶縁材14に覆われずに露出している接続端子13の上面には、耐腐食性金属膜である金(Au)メッキ膜15が形成されている。
そして、配線部12の上面は、ポリイミド樹脂(PI)、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂からなるフィルム状の絶縁材14により被覆され、この絶縁材14に覆われずに露出している接続端子13の上面には、耐腐食性金属膜である金(Au)メッキ膜15が形成されている。
一方、RPC2は、エポキシ樹脂及びガラス繊維からなる複合材料を主成分とする可撓性を有しないエポキシガラス繊維樹脂基板(EGF)21の表面に銅(Cu)箔をエッチングして所定の回路配線とした配線部22が形成され、この配線部22の一端部が外部と電気的に接続するための接続端子(端子部)23とされている。
この配線部22の上面及びEGF21の露出面は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂からなるフィルム状の絶縁材24により被覆され、この絶縁材24に覆われずに露出している接続端子23の上面には、耐腐食性金属膜である金(Au)メッキ膜25が形成されている。
この配線部22の上面及びEGF21の露出面は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂からなるフィルム状の絶縁材24により被覆され、この絶縁材24に覆われずに露出している接続端子23の上面には、耐腐食性金属膜である金(Au)メッキ膜25が形成されている。
ここでは、接続端子13の上面にAuメッキ膜15を、接続端子23の上面にAuメッキ膜25を、それぞれ形成しているが、Auメッキ膜15、25に替えて、白金族である白金(Pt)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)の群から選択された1種または2種以上を含有したメッキ膜を用いてもよい。
上記の接続端子13と接続端子23とは、それぞれの上面に形成されたAuメッキ膜15、25が互いに対向するように配置され、かつ、これら接続端子13、23同士は超音波接合法により接合されている。
接続端子13、23の接合界面には、図2に示すように、空隙31が複数個点在している。この空隙31は、超音波接合法により両者を接合した場合に生じるものである。
接続端子13、23の接合界面には、図2に示すように、空隙31が複数個点在している。この空隙31は、超音波接合法により両者を接合した場合に生じるものである。
次に、本実施形態の端子部の接合方法について説明する。
まず、FPC1を作製する。
ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等からなる帯状の樹脂基板11の全面にCu箔を接着し、次いで、このCu箔上にレジストを塗布・パターニングし、このCu箔をウエットエッチングによりエッチングして所定の回路パターンとする。これにより、樹脂基板11の表面に接続端子13を有する配線部12が形成されることとなる。
なお、回路パターンの形成方法は、サブトラクティブ、アディティブのいずれでもよい。
まず、FPC1を作製する。
ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等からなる帯状の樹脂基板11の全面にCu箔を接着し、次いで、このCu箔上にレジストを塗布・パターニングし、このCu箔をウエットエッチングによりエッチングして所定の回路パターンとする。これにより、樹脂基板11の表面に接続端子13を有する配線部12が形成されることとなる。
なお、回路パターンの形成方法は、サブトラクティブ、アディティブのいずれでもよい。
次いで、配線部12の上面にポリイミド樹脂(PI)、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂からなる絶縁材14を形成する。ここでは、FPC1全面にフィルム状の絶縁材を貼り付け、この絶縁材の接続端子13に対応する部分に開口を形成することにより、配線部12の上面が絶縁膜14により覆われた状態となり、接続端子13の部分は露出された状態となる。
次いで、この接続端子13の上面に、通常の金メッキの方法を用いてAuメッキ膜15を形成する。
次いで、帯状の樹脂基板11に外形加工を施し、所定の製品形状、あるいはチップ部品実装装置に適用可能な大きさとする。
次いで、このAuメッキ膜15に表面処理を施す。
表面処理としては、Auメッキ膜15の表面が清浄面となる様な表面処理であればよく、例えば、プラズマ等を用いた表面洗浄等が好適に用いられる。
以上により、FPC1を作製することができる。
また、RPC2も、FPC1と同様にして作製することができる。
次いで、帯状の樹脂基板11に外形加工を施し、所定の製品形状、あるいはチップ部品実装装置に適用可能な大きさとする。
次いで、このAuメッキ膜15に表面処理を施す。
表面処理としては、Auメッキ膜15の表面が清浄面となる様な表面処理であればよく、例えば、プラズマ等を用いた表面洗浄等が好適に用いられる。
以上により、FPC1を作製することができる。
また、RPC2も、FPC1と同様にして作製することができる。
次いで、FPC1とRPC2を超音波接合法により接合する。
図3に示すように、FPC1の接続端子13のAuメッキ膜15とRPC2の接続端子23のAuメッキ膜25とを重ね合わせ、この重ね合わせた部分、すなわちFPC1の樹脂基板11の裏面に超音波接合機のホーン35を載置し、このホーン35に所定の圧力を加えつつ、このホーン35から発生する超音波振動を上記の重ね合わせた部分に印加することで行われる。
図3に示すように、FPC1の接続端子13のAuメッキ膜15とRPC2の接続端子23のAuメッキ膜25とを重ね合わせ、この重ね合わせた部分、すなわちFPC1の樹脂基板11の裏面に超音波接合機のホーン35を載置し、このホーン35に所定の圧力を加えつつ、このホーン35から発生する超音波振動を上記の重ね合わせた部分に印加することで行われる。
ここでは、樹脂基板11の裏面に超音波接合機のホーン35を載置し、このホーン35に所定の圧力を加えることにより、接続端子13自体に直接ホーン35が当たって傷が付く等がないため、圧力調整幅が拡がる。また、接続端子13自体に傷が付かないため、接合時及び接合後における断線を抑制することができる。
この超音波接合の条件は、例えば、加圧力:0.1〜3kgf/mm2、接合時間:0.1〜1秒、振幅:5〜30μmである。
以上により、FPC1とRPC2を超音波接合した基板部材を得ることができる。
この超音波接合された基板部材は、所定箇所にスクリーン印刷等によりクリーム半田を印刷し、次いで、各種電子部品を実装する。
以上により、FPC1とRPC2を超音波接合した基板部材を得ることができる。
この超音波接合された基板部材は、所定箇所にスクリーン印刷等によりクリーム半田を印刷し、次いで、各種電子部品を実装する。
各種電子部品の実装は、接合後が望ましい。なぜならば、電子部品が超音波振動が加わる部分の近傍に実装された場合、実装された電子部品が超音波により破損する虞があるからである。
その後、この基板部材をリフロー炉等を通過させることにより、クリーム半田を溶融させ、各種電子部品を半田により基板部材に固定する。
その後、この基板部材をリフロー炉等を通過させることにより、クリーム半田を溶融させ、各種電子部品を半田により基板部材に固定する。
この基板部材の超音波接合された接合部分は、超音波による金属接合であるから、リフロー工程の熱では、接続端子13、23の接合部分に酸化、剥離等の不具合が発生する虞は全くない。これにより、従来の半田接合では不可能であったリフロー工程での接合部分の酸化、剥離等の不具合を防止することができる。
その後、この基板部材の静特性及び動特性の測定、及び動作確認を行い、この検査に合格したものが出荷される。
その後、この基板部材の静特性及び動特性の測定、及び動作確認を行い、この検査に合格したものが出荷される。
以上説明した様に、本実施形態の端子部の接合構造によれば、FPC1の接続端子13とRPC2の接続端子23とは、それぞれの上面に形成されたAuメッキ膜15、25を介して超音波接合法により接合され、この接合界面に複数の空隙31が形成されているので、半田等を介して接合したものに比べて耐熱性に優れたものとなる。
従来、超音波接合法により端子部同士を接合した場合においても、実用上の接合強度は得られていたが、振動試験等の耐久試験を行うと接合部の接合強度がすぐに低下してしまうものであった。そこで、本実施形態では、超音波接合時に接合部に空隙31を設けることで、接合部の接合強度の低下を防止し、耐久性を向上させている。
耐久性が向上する理由としては、従来の接合構造では、接合界面が連続的に繋がっているために、接合界面に1箇所でも亀裂が生じた場合、そこから亀裂が伝播し、接合界面における接合強度が低下することとなる。
本実施形態では、超音波接合時に接合部に空隙31を設けることとしたので、接合界面の1箇所に亀裂が生じた場合であっても、そこからの亀裂の伝播が生じる虞はない。したがって、接合界面における接合強度は低下する虞がなく、接合構造の寿命が延びることとなる。
本実施形態では、超音波接合時に接合部に空隙31を設けることとしたので、接合界面の1箇所に亀裂が生じた場合であっても、そこからの亀裂の伝播が生じる虞はない。したがって、接合界面における接合強度は低下する虞がなく、接合構造の寿命が延びることとなる。
したがって、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応が容易となり、設計上の自由度が制限される虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在しないので、後工程のリフロー時においても、接続端子13、23の接合部分の酸化、剥離等を防止することができる。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在しないので、後工程のリフロー時においても、接続端子13、23の接合部分の酸化、剥離等を防止することができる。
また、本実施形態の端子部の接合方法によれば、FPC1の接続端子13のAuメッキ膜15とRPC2の接続端子23のAuメッキ膜25とを重ね合わせ、この重ね合わせた部分を超音波接合するので、接続端子13、23同士を容易かつ安価に接合することができる。
また、接続端子13、23同士を直接、超音波接合法により接合するので、耐熱性に優れた接続端子13、23の接合構造を実現することができる。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在する虞がないので、後工程のリフロー時においても酸化、剥離等が生じる虞がない。
また、接続端子13、23同士を直接、超音波接合法により接合するので、耐熱性に優れた接続端子13、23の接合構造を実現することができる。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在する虞がないので、後工程のリフロー時においても酸化、剥離等が生じる虞がない。
「第2の実施形態」
図4は本発明の第2の実施形態の端子部の接合構造を示す断面図であり、本実施形態の端子部の接合構造が上述した第1の実施形態の端子部の接合構造と異なる点は、FPC41の接続端子43の表面を還元処理することによりCu微粒子を表面上に析出させるとともに、RPC42の接続端子44の表面も同様に還元処理することによりCu微粒子を表面上に析出させ、これらCu微粒子が析出した接続端子43、44同士を超音波接合した点である。
なお、Cu微粒子が析出した接続端子43、44の接合界面にも、第1の実施形態の端子部の接合構造と同様、複数の空隙31が形成されている。
図4は本発明の第2の実施形態の端子部の接合構造を示す断面図であり、本実施形態の端子部の接合構造が上述した第1の実施形態の端子部の接合構造と異なる点は、FPC41の接続端子43の表面を還元処理することによりCu微粒子を表面上に析出させるとともに、RPC42の接続端子44の表面も同様に還元処理することによりCu微粒子を表面上に析出させ、これらCu微粒子が析出した接続端子43、44同士を超音波接合した点である。
なお、Cu微粒子が析出した接続端子43、44の接合界面にも、第1の実施形態の端子部の接合構造と同様、複数の空隙31が形成されている。
次に、本実施形態の端子部の接合方法について説明する。
まず、FPC41を作製する。
樹脂基板11の表面に接続端子43を有する配線部12を形成し、配線部12の上面に絶縁材14を形成するまでは、第1の実施形態の端子部の接合方法と全く同様である。
その後、この接続端子43を表面処理する。
まず、FPC41を作製する。
樹脂基板11の表面に接続端子43を有する配線部12を形成し、配線部12の上面に絶縁材14を形成するまでは、第1の実施形態の端子部の接合方法と全く同様である。
その後、この接続端子43を表面処理する。
表面処理としては、様々な処理方法があるが、Cu箔の表面を清浄化するためには、還元処理が好ましい。
この還元処理は、接続端子33を酸洗いした後、還元処理溶液に浸漬することで行われる。
酸洗いは、接続端子43をFPC41毎、例えば、硫酸を5〜50v/v%、過酸化水素を1〜10v/v%含有する洗浄液に浸漬する等して、接続端子43を構成しているCu箔の表面のスケール、酸化物、油脂等の不純物を除去する。
この還元処理は、接続端子33を酸洗いした後、還元処理溶液に浸漬することで行われる。
酸洗いは、接続端子43をFPC41毎、例えば、硫酸を5〜50v/v%、過酸化水素を1〜10v/v%含有する洗浄液に浸漬する等して、接続端子43を構成しているCu箔の表面のスケール、酸化物、油脂等の不純物を除去する。
次の還元処理は、下記のように行われる。
還元処理に用いられる処理溶液としては、例えば、ヒドラジンとNaBH4とを含む処理溶液が用いられる。この処理溶液中のヒドラジンの濃度は10〜80質量%、NaBH4の濃度は10〜80質量%とされている。
上記処理溶液以外の処理溶液としては、ホルムアルデヒド、アルキルアミン、ジメチルアミンボラン、ホウ化水素、ホスフィン酸、ホスフィン酸ナトリウム等の10〜80質量%溶液が用いられる。
還元処理に用いられる処理溶液としては、例えば、ヒドラジンとNaBH4とを含む処理溶液が用いられる。この処理溶液中のヒドラジンの濃度は10〜80質量%、NaBH4の濃度は10〜80質量%とされている。
上記処理溶液以外の処理溶液としては、ホルムアルデヒド、アルキルアミン、ジメチルアミンボラン、ホウ化水素、ホスフィン酸、ホスフィン酸ナトリウム等の10〜80質量%溶液が用いられる。
この処理溶液中に接続端子43をFPC41毎浸漬する等して、接続端子43の表面に還元処理を施す。
この時の処理溶液の温度は、25℃〜80℃、処理時間は0〜10分程度とされる。
この還元処理により、接続端子43の表面に該接続端子43と同一の組成からなるCu微粒子が析出することとなる。
その後、この樹脂基板11に外形加工を施し、所定の製品形状、あるいはチップ部品実装装置に適用可能な大きさのFPC41とする。
また、RPC42も、FPC41と同様にして作製することができる。
この時の処理溶液の温度は、25℃〜80℃、処理時間は0〜10分程度とされる。
この還元処理により、接続端子43の表面に該接続端子43と同一の組成からなるCu微粒子が析出することとなる。
その後、この樹脂基板11に外形加工を施し、所定の製品形状、あるいはチップ部品実装装置に適用可能な大きさのFPC41とする。
また、RPC42も、FPC41と同様にして作製することができる。
その後、FPC41とRPC42を超音波接合法により接合する。
超音波接合法は、第1の実施形態の端子部の接合方法において用いられた超音波接合法と全く同様である。
以上により、接続端子43、44それぞれの表面を還元処理することによりCu微粒子を表面上に析出させ、これらCu微粒子が析出した接続端子43、44同士を超音波接合により接合した本実施形態の端子部の接合構造を容易に得ることができる。
超音波接合法は、第1の実施形態の端子部の接合方法において用いられた超音波接合法と全く同様である。
以上により、接続端子43、44それぞれの表面を還元処理することによりCu微粒子を表面上に析出させ、これらCu微粒子が析出した接続端子43、44同士を超音波接合により接合した本実施形態の端子部の接合構造を容易に得ることができる。
以上説明した様に、本実施形態の端子部の接合構造によれば、FPC41の接続端子43及びRPC42の接続端子44それぞれの表面には、還元処理によりCu微粒子が析出され、これらCu微粒子が析出した接続端子43、44同士が超音波接合により接合され、この接合界面に複数の空隙31が形成されているので、半田等を介して接合したものに比べて耐熱性に優れたものとなる。
したがって、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応が容易となり、設計上の自由度が制限される虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在しないので、後工程のリフロー時においても、接続端子43、44の接合部分の酸化、剥離等を防止することができる。
したがって、高密度化、狭ピッチ化、薄厚化、小型化への対応が容易となり、設計上の自由度が制限される虞もない。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在しないので、後工程のリフロー時においても、接続端子43、44の接合部分の酸化、剥離等を防止することができる。
また、本実施形態の端子部の接合方法によれば、FPC41の接続端子43及びRPC42の接続端子44それぞれの表面に還元処理を施すことによりCu微粒子を析出させ、これらCu微粒子が析出した接続端子43、44同士を重ね合わせ、この重ね合わせた部分を超音波接合するので、接続端子43、44同士を容易かつ安価に接合することができる。
また、接続端子43、44同士を直接、超音波接合法により接合するので、耐熱性に優れた接続端子43、44の接合構造を実現することができる。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在する虞がないので、後工程のリフロー時においても酸化、剥離等が生じる虞がない。
また、接続端子43、44同士を直接、超音波接合法により接合するので、耐熱性に優れた接続端子43、44の接合構造を実現することができる。
また、接合界面に半田等の異種の物質が介在する虞がないので、後工程のリフロー時においても酸化、剥離等が生じる虞がない。
本発明の端子部の接合構造及び接合方法では、可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部を、あるいは2つの可撓性基板の端子部同士を、超音波接合法により接合し、一対化したので、線幅の狭い端子部同士を精度良く接合することができる。したがって、フレキシブルプリント配線基板とリジット配線基板との接合やフレキシブルプリント配線基板同士の接合はもとより、フレキシブル多層配線基板等の接合に対しても適用することができ、その効果は非常に大きなものである。
1、41…FPC、2、42…RPC、11…樹脂基板、12…配線部、13、43…接続端子(端子部)、14、24…絶縁材、15…Auメッキ膜、21…EGF、22…配線部、23、44…接続端子(端子部)、25…Auメッキ膜、31…空隙、35…ホーン。
Claims (11)
- 可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部との接合構造であって、
接合された2つの端子部の接合界面には、1つ以上の空隙が形成されていることを特徴とする端子部の接合構造。 - 2つの可撓性基板の端子部同士の接合構造であって、
接合された2つの端子部の接合界面には、1つ以上の空隙が形成されていることを特徴とする端子部の接合構造。 - 前記接合された2つの端子部のうち少なくとも一方の端子部の接合面には、耐腐食性金属膜が形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の端子部の接合構造。
- 前記耐腐食性金属膜は、金、白金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、イリジウムの群から選択された1種または2種以上を含有してなることを特徴とする請求項1、2または3記載の端子部の接合構造。
- 前記耐腐食性金属膜の接合面は、表面処理されていることを特徴とする請求項3または4記載の端子部の接合構造。
- 前記接合された2つの端子部のうち少なくとも一方の端子部の接合面には、該端子部と略同一組成の微粒子が析出してなることを特徴とする請求項1または2記載の端子部の接合構造。
- 前記微粒子は、前記端子部の接合面を還元処理することにより析出してなることを特徴とする請求項6記載の端子部の接合構造。
- 可撓性基板の端子部と非可撓性基板の端子部とを接合する方法であって、
前記可撓性基板の端子部と前記非可撓性基板の端子部とを対向配置させ、これら端子部同士を超音波接合法により接合することを特徴とする端子部の接合方法。 - 2つの可撓性基板の端子部同士を接合する方法であって、
これらの端子部を対向配置させ、これらの端子部同士を超音波接合法により接合することを特徴とする端子部の接合方法。 - これらの端子部を対向配置させる前に、少なくとも一方の前記端子部の接合面を表面処理することを特徴とする請求項8または9記載の端子部の接合方法。
- これらの端子部を対向配置させる前に、少なくとも一方の前記端子部の接合面に耐腐食性金属膜を形成し、この耐腐食性金属膜を表面処理することを特徴とする請求項8または9記載の端子部の接合方法。
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JP2003418028A JP2005183452A (ja) | 2003-12-16 | 2003-12-16 | 端子部の接合構造及び接合方法 |
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CN113950187A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-18 | 杨晓战 | 平面导热覆铜板及封装多块平面导热覆铜板的封装基板 |
-
2003
- 2003-12-16 JP JP2003418028A patent/JP2005183452A/ja active Pending
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