JP2005181142A - コモンバイアス回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】差動電流増幅回路の入力リーク電流による磁気抵抗素子の中点におけるバイアス電圧オフセット変動を抑えたコモンバイアス回路を提供する。
【解決手段】差動電流増幅回路1の入力のリーク電流(IB1)と擬似差動増幅回路2の入力のリーク電流(IB2)と第1の抵抗(R1)と第2の抵抗(R2)と第3の抵抗(R3)と第4の抵抗(R4)とにおいて、R1=R2,R3=R4,R3×IB1=2×R1×IB2なる関係をもたせることにより、磁気抵抗素子(RMR)の中点の電位VMをVM=0とする。
【選択図】図1
【解決手段】差動電流増幅回路1の入力のリーク電流(IB1)と擬似差動増幅回路2の入力のリーク電流(IB2)と第1の抵抗(R1)と第2の抵抗(R2)と第3の抵抗(R3)と第4の抵抗(R4)とにおいて、R1=R2,R3=R4,R3×IB1=2×R1×IB2なる関係をもたせることにより、磁気抵抗素子(RMR)の中点の電位VMをVM=0とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、磁気抵抗素子の電位を定めるコモンバイアス回路に関するものである。
近年、ハードディスク装置の高速化の進展に伴い、プリアンプのリード方式が従来からあるシングルエンド型からディファレンシャル型へ移行しつつある。そのため、簡易な構成で、磁気抵抗素子の中点をGNDの電位に設定する回路が求められている。
仮に、磁気抵抗素子の中点電位がGNDから大きくずれると、GNDの電位になっているディスクと磁気抵抗素子の間の電界が強くなり、磁気抵抗素子の信頼性を低下させる可能性がある。
以下に従来のコモンバイアス回路について説明する。
図2は従来のコモンバイアス回路の一般的な構成を示す回路図である。
図2において、磁気抵抗素子(RMR)の一端が擬似差動増幅回路2の入力と第6の抵抗R6に接続され、磁気抵抗素子(RMR)の他端が擬似差動増幅回路2の他方の入力と他端を第1の電源電圧VCCに接続された第1の電流源I1と第5の抵抗R5と差動電流増幅回路1の出力に接続され、第5の抵抗R5の他端が入力の一方を接地された差動電流増幅回路1の入力と第6の抵抗R6に接続され、第6の抵抗R6の他方が他端を第2の電源電圧VEEに接続された第2の電流源I2と磁気抵抗素子(RMR)の他方に接続されている。
以上のように構成されたコモンバイアス回路について、以下、その動作を説明する。
図2において、差動電流増幅回路1は一方の入力を接地され、他方の入力に対して負帰還を構成しているため、その入力端子は仮想接地される。この入力端子は第5の抵抗R5と第6の抵抗R6によって磁気抵抗素子(RMR)の中点電位になるように分圧されている。したがって、磁気抵抗素子(RMR)の中点がGNDの電位にバイアスされる。
しかしながら、前記従来の構成では、差動電流増幅回路1の入力のリーク電流(IB1)が第5の抵抗R5と第6の抵抗R6により電圧降下を発生させ、それが磁気抵抗素子(RMR)の中点電位をGNDの電位からずらし、オフセットを発生させる原因になっていた。差動電流増幅回路1の入力のリーク電流(IB1)は、主にトランジスタのベース電流なので、素子バラツキあるいは温度変動に対して合わせこむことが難しかった。
本発明は、前記従来の問題点を解決するものであり、簡易な構成により、素子バラツキあるいは温度変動に対して、差動電流増幅回路の入力におけるリーク電流(IB1)によるオフセットの発生の少ないコモンバイアス回路を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明のコモンバイアス回路は、図1に示すごとく、磁気抵抗素子の一端が擬似差動増幅回路の入力と第1の抵抗に接続され、前記磁気抵抗素子の他端が前記擬似差動増幅回路の他方の入力と第2の抵抗に接続され、前記第1の抵抗の他方が他端を第1の電源電圧に接続された第1の電流源と第3の抵抗と差動電流増幅回路の出力に接続され、前記第1の抵抗の他端が入力の一方を接地された前記差動電流増幅回路の入力と第4の抵抗に接続され、前記第4の抵抗の他方が他端を第2の電源電圧に接続された第2の電流源と前記第2の抵抗の他方に接続され、前記差動電流増幅回路の入力のリーク電流(IB1)と前記擬似差動増幅回路の入力のリーク電流(IB2)と前記第1の抵抗(R1)と前記第2の抵抗(R2)と前記第3の抵抗(R3)と前記第4の抵抗(R4)とにおいて、R1=R2,R3=R4,IB1×R3=2×IB2×R1なる関係をもたせたことを特徴とする。
前記構成の本発明によれば、簡易な構成であり、素子バラツキあるいは温度変動に対して差動電流増幅回路の入力におけるリーク電流(IB1)によるオフセットの発生が少ないコモンバイアス回路を提供することができる。
本発明によれば、差動電流増幅回路の入力リーク電流による磁気抵抗素子の中点におけるバイアス電圧オフセット変動を抑えたコモンバイアス回路を実現することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の実施形態のコモンバイアス回路の構成を示す回路図である。なお、図2にて説明した部材に対応する部材には同一符号を付した。
図1において、RMRは磁気抵抗素子、R1,R2,R3,R4は抵抗、I1,I2は定電流源、1は差動電流増幅回路、2は擬似差動増幅回路、IB1,IB2は入力リーク電流である。
以上のように構成されたコモンバイアス回路について、以下、その動作を説明する。
差動電流増幅回路1の入力のリーク電流(IB1)と擬似差動増幅回路2の入力のリーク電流(IB2)と第1の抵抗(R1)と第2の抵抗(R2)と第3の抵抗(R3)と第4の抵抗(R4)とに、(数1)の関係をもたせる。
これにより、磁気抵抗素子(RMR)の中点の電位VMはVM=0になる。
このことを図1を参照し、かつ計算式に基づいて説明する。
抵抗R1に流れる電流をIc、抵抗R3に流れる電流をIdとすると、磁気抵抗素子(RMR)の中点の電位VMは(数2)となる。
また、抵抗R1と抵抗R3及び抵抗R2と抵抗R4は、それぞれ一方で接続されていて同電位になっているため(数3)が成立する。
ここで、R1=R2,R3=R4とすると、(数3)の式は(数4)となる。
(数4)の式を(数2)の式に代入すると、(数5)となる。
したがって、R4×IB1=2×R2×IB2、またはR3×IB1=2×R1×IB2のとき、VM=0になる。
このように本実施形態では、簡易な構成でありながら、差動電流増幅回路の入力のリーク電流(IB1)による磁気抵抗素子(RMR)の中点におけるオフセット電圧を小さく抑えることが可能になる。また、本実施形態の構成は、素子バラツキあるいは温度変動に対しても安定して動作させることが可能である。
本発明は、磁気信号再生用磁気抵抗素子で、磁気記録媒体から読み出した情報を増幅するハードディスク用ディファレンシャル型プリアンプの磁気抵抗素子の電位を定めるコモンバイアス回路に適用して有効である。
RMR 磁気抵抗素子
R1,R2,R3,R4,R5,R6 抵抗
I1,I2 定電流源
1 差動電流増幅回路
2 擬似差動増幅回路
IB1,IB2 入力リーク電流
R1,R2,R3,R4,R5,R6 抵抗
I1,I2 定電流源
1 差動電流増幅回路
2 擬似差動増幅回路
IB1,IB2 入力リーク電流
Claims (1)
- 磁気抵抗素子の一端が擬似差動増幅回路の入力と第1の抵抗に接続され、前記磁気抵抗素子の他端が前記擬似差動増幅回路の他方の入力と第2の抵抗に接続され、前記第1の抵抗の他方が他端を第1の電源電圧に接続された第1の電流源と第3の抵抗と差動電流増幅回路の出力に接続され、前記第1の抵抗の他端が入力の一方を接地された前記差動電流増幅回路の入力と第4の抵抗に接続され、前記第4の抵抗の他方が他端を第2の電源電圧に接続された第2の電流源と前記第2の抵抗の他方に接続され、前記差動電流増幅回路の入力のリーク電流(IB1)と前記擬似差動増幅回路の入力のリーク電流(IB2)と前記第1の抵抗(R1)と前記第2の抵抗(R2)と前記第3の抵抗(R3)と前記第4の抵抗(R4)とにおいて、R1=R2,R3=R4,IB1×R3=2×IB2×R1なる関係をもたせたことを特徴とするコモンバイアス回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003423357A JP2005181142A (ja) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | コモンバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003423357A JP2005181142A (ja) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | コモンバイアス回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005181142A true JP2005181142A (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=34783920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003423357A Pending JP2005181142A (ja) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | コモンバイアス回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005181142A (ja) |
-
2003
- 2003-12-19 JP JP2003423357A patent/JP2005181142A/ja active Pending
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