JP2005180504A - オリフィス部材 - Google Patents

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【課題】 オリフィスの孔径精度を保持することができるオリフィス部材を提供すること。
【解決手段】 流路の途中に配管され、その流路をつなぐオリフィス38を有し流路周りに設けられたシール部に荷重をかけて取り付けられるものであって、シール部とオリフィス38との間に凹部43が形成されたオリフィス部材28。
【選択図】 図5

Description

本発明は、例えば半導体製造装置を構成するガス供給流路上に設けられるオリフィス部材に関する。
従来、半導体製造装置の材料ガス反応炉の配管系では、真空発生系配管と反応炉が真空発生器を介して接続されており、真空発生系配管の上流側から不活性ガス(N2等)が所定の圧力をもって流されると、真空発生器の通過と共にその下流側が真空状態になり、反応炉内の残存ガス(シラン等)が真空引きされる。
反応炉の使用を停止して不活性ガスの供給弁を閉じると真空発生器または反応炉内に下流側より大気が逆流し、真空発生器または反応炉内の残存ガスと大気が反応して生成物を作り、反応炉内を汚染させてしまったり真空発生器の狭い孔に詰まりが生じたり、また反応炉内に材料ガスを供給する弁にまで逆流し、弁を汚染させたりすることがあった。このため従来から微少流量のガスを常時下流側に流し、反応炉内やガス供給弁に大気や他の材料ガスが逆流しないようにする定流量リーク弁が、例えば特開平7−35248号公報や特開平8−14415号公報に提案されている。
こうしたリーク弁は、材料ガスを流す流路上の特に弁部付近にオリフィスを形成して定流量リーク弁として構成されているが、このほかにも別流路から供給されたパージガスをその別流路上にオリフィスを設けて、大材料ガスの流路上に微少流量だけ常時流すようにする構成のものもある。その場合、当該別流路を構成するパージガス配管を材料ガス供給弁に接続するための継手部にシールを兼ねたオリフィス板が取り付けられ、そこに形成されたオリフィスが流路上に設けられる。すなわち、オリフィス板を取り付けるだけで、前記公報に開示されている定流量リーク弁とすることなく、常時微少流量のパージガスを流すことができるようになっている。
特開平7−35248号公報(第3頁、図1) 特開平8−14415号公報(第3−4頁、図1)
ところでオリフィス板は、微少流量を流すオリフィスの機能とガス漏れを防止するガスケットを備えたシール機能を兼ねているため、シール機能を果たすためには継手を締め込んでつぶすようにして配管の接続部分に取り付けられる。しかしながら、従来のオリフィス板は、こうして取り付けられた場合に精度良く形成されたオリフィスが締め込んでつぶされた際に変形して孔径がくるってしまうことがある。すると、オリフィスの孔径がくるって流路断面積が変化し、供給される微少流量が規定から外れてしまうことになってしまう。特に、このオリフィスの孔径は例えば50±5μmと極めて小さいため変形によって生じるズレは大きい。
そこで本発明は、かかる課題を解決すべく、オリフィスの孔径精度を保持することができるオリフィス部材を提供することを目的とする。
本発明に係るオリフィス部材は、流路の途中に配管され、その流路をつなぐオリフィスを有し流路周りに設けられたシール部に荷重をかけて取り付けられるものであって、前記シール部とオリフィスとの間に凹部が形成されたものであることを特徴とする。
また、本発明のオリフィス部材は、前記凹部が前記オリフィスを囲むように環状に形成されたものであることを特徴とする。
更に、本発明のオリフィス部材は、前記シール部にはシール部材を配置し、そのシール部材を介して荷重が加えられるものであって、そのシール部材が配置されるシール面がバニシング加工されたものであることを特徴とする。
こうした本発明のオリフィス部材によれば、シール部に応力が作用してそこを起点とした歪みが生じたとしても、その内側にある凹部において応力集中が生じて大きく変形し、オリフィス部材全体に生じる歪みが吸収されるため、更に凹部の内側にあるオリフィスには歪みが伝播されずに孔径をくるわせることはない。
よって本発明は、シール部とオリフィスとの間に凹部を形成した構成としたので、組み付けの際に加わる荷重の歪みによって流路断面積が変化してしまうことがなく、オリフィスの孔径精度を保持するオリフィス部材を提供することが可能となる。特に、オリフィスの全周を囲むように形成することでより効果的に孔径精度の保持が可能となる。
また、本発明は、シール部にシール部材を配置してそのシール部材を介して荷重が加えられるものである場合、そのシール部材が配置されるシール面をバニシング加工するようにしたので、シール面をシール部材に対して硬化し、歪みも生じにくくなる。
次に、本発明に係るオリフィス部材について、その一実施形態を図面を参照しながら以下に説明する。本実施形態のオリフィス部材は、前述した半導体製造装置の材料ガス反応炉の配管系に設けられたガス供給弁に組み込まれるものである。そこで先ずガス供給弁を示しながら以下に説明する。図1及び図2は、それぞれガス供給弁を示した側面図あるいは正面図である。また、図3は図1のA−A断面図であり、図4は図1のB−B断面図である。
本実施形態のガス供給弁1は、図示するように横向きに突き出た入力側パイプ11と下方に突き出た出力側パイプ12が弁ブロック13内に形成された弁を介して連通している。そして、その入力側パイプ11と出力側パイプ12との先端には継手がはめ込まれている。弁ブロック13には出力側パイプ12に連通する二次側流路15が上下方向に穿設され、二次側流路15の上端開口部には弁座16が設けられている。そして、この弁座16に対し当接・離間するようにダイアフラム17が設けられている。ダイアフラム17は、その周縁部分が保持部材18によって弁ブロック13との間で挟み込まれ、弁座16が位置する中央部分が上下方向に撓むように形成されている。こうしてダイアフラム17の下方に覆われて形成された弁室19には、図3に示す二次側流路15上にある出力側パイプ12と、図4に示すその弁室19に連通する一次側流路14を介して入力側パイプ11とがつながっている。
筒状の保持部材18内には押圧ブロック21が上下方向に摺動可能に挿入されている。この押圧ブロック21はピストンロッド22に連結され、ピストン23の上下動によってダイアフラム17を弁座16に対して押圧および離間させるようになっている。このガス供給弁1は、そのピストン23がシリンダ24内において上方からスプリング25によって付勢され、逆にピストンロッド22に形成されたエア流路26を通して供給されたエアによって上方に持ち上げられるようになったエアオペレート弁である。そしてこのガス供給弁1は、通常はスプリング25の付勢力によって押圧ブロック21を介してダイアフラム17が弁座16に当接した状態が維持されるノーマルクローズタイプの弁である。
こうしたガス供給弁1の二次側流路15には弁ブロック13に形成されたパージ流路27が分岐し、オリフィス板28を介してパージガス供給パイプ31が延びている。このオリフィス板28は、図4に示すように先ずパージガス供給パイプ31が連結されたパージガスブロック32に対しボルトの締め付けによって一体に固定され、更にその一体になったパージガスブロック32とともにボルトの締め付けによって弁ブロック13に対して固定される。ここで図5は、図4に示したオリフィス板28の拡大断面図であり、図6は更にそのC部を拡大した図である。
オリフィス板28には前述した固定のためのボルトを通す孔33が形成され、その内側中央に流路が形成されている。流路35部分にはオリフィス板28の両面にガスケットを装填する凹部41,42が形成され、その外側縁にはリングシール34を装填する環状の凹みが形成されている。そして、凹部41,42の底面はシール面となるため、表面粗さを向上させる他に表面を加工硬化させ耐久性の優れた仕上がり面とすべくローダバニシング加工が施される。
オリフィス板28に形成された流路35は、パージガス供給パイプ側からNC旋盤などによって段階的に形成され、凹部の中心に球面状の凹み36に続いて孔部37が機械加工される。そして孔部37は反対側に貫通しないように凹部42の底面手前で止められ、そしてその未貫通部にオリフィス38が形成される。
本実施形態の場合、オリフィス板28の板厚t1が10mmであり、オリフィス38が形成される部分の厚さt2は0.5mmである。そして、この未貫通部にレーザによって細孔があけられてオリフィス38が形成される。本実施形態では例えばそのオリフィス38の孔径は50±5μmである。そして、このオリフィスが貫通した凹部42側には、そのオリフィス38を中心にして45°の傾斜で谷形状に形成された環状溝43が設けられている。すなわち本実施形態ではオリフィス38がこの環状溝43に囲まれたその中心に形成されている。そして、その環状溝43はオリフィス38の長さよりも深く形成されている。
そこで本実施形態のガス供給弁1では、凹部41,42の底面外周の凹みに沿ってリングシール34がはめ込まれ、ボルトによって図4に示すように弁ブロック13やパージガスブロック32とともに組み付けられる。ところで、このリングシール34を含め弁ブロック13やオリフィス板28、パージガスブロック32は、耐腐食性を考慮してSUS316Lが使用されている。従ってボルトによってオリフィス板28を組み付ける場合、同じ硬さのリングシール34が押し潰されると、同じようにオリフィス板28にも応力がかかって歪みが生じることになる。
しかしながら本実施形態のオリフィス板28は、リングシール34のある凹部42の外周部分に応力が作用し、そこを起点として歪みが生じたとしてもオリフィス38にまでその変形が伝わらない。つまり、凹部42の外周部分においてオリフィス板28に荷重が作用すると、その内側にある環状溝43に応力集中が起こり、そこで大きく変形することにでオリフィス板28全体に生じる歪みを吸収する。従って、更にその環状溝43よりも内側にあるオリフィス38には凹部42の外周部分から生じた歪みが伝播されないため、そのオリフィス38の孔径がくるってしまうことが回避される。また、凹部42の底面をローラバニシング加工によって表面をリングシール34に比べて硬化させているので、歪みも生じにくくなっている。
こうしたオリフィス板28を備えたガス供給弁1は、ピストン23がスプリング25に付勢されて下降し、その付勢力がピストンロッド22及び押圧ブロック21を介してダイアフラム17を弁座16に当接させている。従って、ノーマルクローズタイプのガス供給弁1では、通常は閉弁状態にあるため入力側パイプ11から流入したガスは弁室19内に止められ、二次側の出力側パイプ12へは流れない。
ところで、反応炉の使用を停止して不活性ガスを流すこのガス供給弁1を閉じていると、真空発生器または反応炉内に下流側より大気が逆流し、真空発生器または反応炉内の残存ガスと大気が反応して生成物を作り、反応炉内を汚染させてしまったり真空発生器の狭い孔に詰まりが生じたり、また反応炉内に材料ガスを供給する弁にまで逆流し、弁を汚染させたりすることがある。そのためこのガス供給弁1でも微少流量のパージガスを常時下流側に流し、反応炉内やガス供給弁に大気や他の材料ガスが逆流しないようにする。
パージガスはパージガス供給パイプ31からオリフィス板28の流路35を通り、弁ブロック13のパージ流路27から二次側流路15へと流れる。その際、オリフィス板28の流路35ではオリフィス38を通過するため、二次側流路15は微少流量となって流れる。そして、本実施形態では前述したようにオリフィス板28の組み付けに際してオリフィス38部分に歪みが生じないようにして孔径のくるいを回避しているため、設定通りの流量が二次側流路15へと流れる。
そして、開弁するときはシリンダ24上部のポートからエア流路26に圧縮エアが送り込まれ、それがピストン23を下方から加圧しスプリング25の付勢力に抗して押し上げる。それよってピストンロッド22が上昇し、ダイアフラム17が押圧ブロック21を押し上げて上方に撓む。従って、弁座16からダイアフラム17が離間して開弁し、入力側パイプ11からガスは弁室19内に流入したガスは二次側流路15へと流れて反応炉へと送り込まれる。一方、エア流路26から圧縮エアを排気すれば、再びスプリング25の付勢力によってピストン23が下降し、ダイアフラム17が弁座16に当接して閉弁状態に戻る。そして、オリフィス38を通った微少流量のパージガスが二次側流路15へと常時流され、反応炉内に大気や他の材料ガスが逆流しないようにする。
続いて第2実施形態として、図7に示したガスケット機能を備えたオリフィス部材について説明する。このオリフィス板50は、流路61,62の接続部分に設けられたものであり、円盤の中心にはオリフィス51が形成され、外周には継手63,64の突起65,66がはまり込んでシールする環状に形成された同じ径のシール溝53,54が両面に形成されている。そして、このオリフィス51とシール溝53,54との間には、オリフィス板50の肉厚を薄くして歪みを吸収するための環状溝55,56が同じ径で両面に環状に形成されている。
そこで、図示するようにオリフィス板50を挟んで継手51,52を連結させる場合にには、オリフィス板50を挟み込む流路61,62の軸方向に荷重がかかる。その荷重は、継手51,52の突起65,66によってオリフィス板50を押し潰すように両側から作用する。このときその荷重によって、オリフィス板28に歪みが生じる。
しかしながら本実施形態のオリフィス板50は、突起65,66に押さえ付けられたシール溝53,54のある外周部分に応力が作用し、そこを起点として変形が生じたとしてもオリフィス51にまでその変形が伝わらない。つまり、シール溝53,54部分においてオリフィス板51に荷重が作用すると、その内側にある環状溝53,54によって応力集中が起こり、そこで大きく変形することにでオリフィス板50全体に生じる変形を吸収する。従って、更にその環状溝53,54の内側にあるオリフィス51には外側で生じた変形が伝播されずに、そのオリフィス38の孔径がくるってしまうことが回避される。
以上、オリフィス部材ついて実施形態を説明したが、本発明はこれに限定されることなくその趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
ガス供給弁を示した側面図である。 ガス供給弁を示した正面図である。 第1実施形態のオリフィス部材が示されている図1のA−A断面図である。 第1実施形態のオリフィス部材が示されている図1のB−B断面図である。 図4に示したオリフィス板の拡大断面図である。 図5に示したオリフィス板のC部を拡大した図である。 第2実施形態のガスケット機能を備えたオリフィス部材を示した断面図である。
符号の説明
1 ガス供給弁
15 二次側流路
27 パージガス流路
28 オリフィス板
34 リングシール
38 オリフィス
43 環状溝

Claims (3)

  1. 流路の途中に配管され、その流路をつなぐオリフィスを有し流路周りに設けられたシール部に荷重をかけて取り付けられるオリフィス部材において、
    前記シール部とオリフィスとの間に凹部が形成されたものであることを特徴とするオリフィス部材。
  2. 請求項1に記載するオリフィス部材において、
    前記凹部は、前記オリフィスを囲むように環状に形成されたものであることを特徴とするオリフィス部材。
  3. 請求項1又は請求項2に記載するオリフィス部材において、
    前記シール部にはシール部材を配置し、そのシール部材を介して荷重が加えられるものであって、そのシール部材が配置されるシール面がバニシング加工されたものであることを特徴とするオリフィス部材。
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