JP2005172511A - Radiation detector, its manufacturing method, and radiation imaging systems - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光電変換素子の表面に接着剤を介して蛍光体を積層してなる、X線エリアセンサーなどの放射線検出装置およびその製造方法に関する。なお、本明細書においては、放射線の範疇に、X線、γ線などの電磁波も含むものとして説明する。 The present invention relates to a radiation detection apparatus such as an X-ray area sensor, in which a phosphor is laminated on the surface of a photoelectric conversion element via an adhesive, and a manufacturing method thereof. In the present specification, description will be made on the assumption that the category of radiation includes electromagnetic waves such as X-rays and γ-rays.
図5は、従来例としてのX線蛍光体を用いた放射線検出装置の製造方法を説明する断面模式図である。図5に示すように、デジタルX線撮影装置のセンサーであるX線エリアセンサー(放射線検出装置)は、ガラス基板210上に格子状に配列された光電変換素子212と、それらをつなぐ配線部213と、そしてこれらを保護する光センサー保護層214とを備える光センサー211上に、柱状に結晶化される蛍光体層203及びその反射層202を形成して作成される。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a radiation detection apparatus using an X-ray phosphor as a conventional example. As shown in FIG. 5, an X-ray area sensor (radiation detection device) that is a sensor of a digital X-ray imaging apparatus includes photoelectric conversion elements 212 arranged in a lattice pattern on a glass substrate 210 and a wiring unit 213 that connects them. And a phosphor layer 203 crystallized in a columnar shape and a reflection layer 202 thereof are formed on an optical sensor 211 including an optical sensor protective layer 214 for protecting them.
現在、光センサー211上に蛍光体層203を形成する手段として、1)直接光センサー211上に蛍光体層203を蒸着及びコーティングする手法(「センサー直接蒸着タイプ」とも呼ぶ)と、2)図5に示すように、光センサー211とは別な蛍光体基板201上に反射層202及び蛍光体層203を形成し、保護層204で覆ったのちローラー220を使い、接着剤層206を介し光センサー211に貼り合せる手法(「センサー貼り合わせタイプ」とも呼ぶ)とが知られている(図中の205は緩衝材を示す)。両者を比べると、後者(センサー貼り合わせタイプ)の方が歩留まり良く効率的に、蛍光体203を光センサー211上に形成することができる。上記従来例は、例えば特許文献1などに開示されている。
Currently, as means for forming the phosphor layer 203 on the optical sensor 211, 1) a method of directly depositing and coating the phosphor layer 203 on the optical sensor 211 (also referred to as “sensor direct deposition type”), and 2) FIG. As shown in FIG. 5, a reflection layer 202 and a phosphor layer 203 are formed on a
図6は、上記センサー貼り合わせタイプのX線エリアセンサーの断面模式図を示す。このX線エリアセンサーは、ガラス基板201と、これに形成される光電変換素子212及びその配線部213を有する光センサー211を有する。この光センサー211上には、接着剤層206を介し蛍光板207が貼り合せられる。また、光センサー211の周辺部にはその駆動用、信号処理用などのIC回路240が配置され、配線部213を介して光電変換素子212に接続される。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the sensor-bonded type X-ray area sensor. This X-ray area sensor has a
蛍光板207は、柱状結晶化した蛍光体よりなる柱状蛍光体層203と、蛍光体層203を支持する蛍光体基板201及び下引層208と、蛍光体層203で変換された光を光センサー211側へ反射するアルミニウム薄膜よりなる反射層202及びその反射層保護層209と、蛍光体層203等を外気から保護する有機樹脂よりなる保護層204とを有する。また、この蛍光板207上には、第2接着剤層230を介し電磁シールド層231が形成される。
The fluorescent plate 207 includes a columnar phosphor layer 203 made of columnar crystallized phosphor, a
上記構成のX線エリアセンサーにおいて、蛍光体基板201側から蛍光体層203へ入射してくるX線は、蛍光体層203でX線から可視光等の光へ波長変換され、その後、可視光は光センサー211の光電変換素子212により光電変換され電気信号に変わる。その信号を増幅し、画像処理を加えることによりX線デジタル画像が形成される。
In the X-ray area sensor having the above-described configuration, X-rays that enter the phosphor layer 203 from the
また、高感度なX線エリアセンサー用の蛍光体の材料として、柱状結晶構造を有するハロゲン化アルカリ蛍光体が使われ始めている。このうち、特にその発光波長が光電変換素子の感度波長とマッチングするCsI(ヨウ化セシウム):Tlが使われている。最大発光波長は500nm〜600nmである。このハロゲン化アルカリ蛍光体の成膜方法として、蒸着法が用いられる。例えば、CsI:Tlは、CsI(沃化セシウム)とTlI(沃化タリウム)を、基板上に共蒸着することによって得られる。基板上に蒸着によって形成される上記柱状結晶構造を有する蛍光体を用いることによって、形成される上記柱状結晶構造を有する蛍光体の膜厚の制御が容易となる。柱状蛍光体層の厚さは、200μm〜450μmが知られている。蒸着によって得られる上記ハロゲン化アルカリ蛍光体は、蒸着工程後に発光量を上げるために、蛍光体層を200℃〜250℃の温度で加熱処理することが必要である。 Further, alkali halide phosphors having a columnar crystal structure have begun to be used as phosphor materials for highly sensitive X-ray area sensors. Among these, CsI (cesium iodide): Tl whose emission wavelength matches the sensitivity wavelength of the photoelectric conversion element is used. The maximum emission wavelength is 500 nm to 600 nm. A vapor deposition method is used as a method for forming the alkali halide phosphor. For example, CsI: Tl is obtained by co-evaporating CsI (cesium iodide) and TlI (thallium iodide) on a substrate. By using the phosphor having the columnar crystal structure formed by vapor deposition on the substrate, the film thickness of the phosphor having the columnar crystal structure to be formed can be easily controlled. The thickness of the columnar phosphor layer is known to be 200 μm to 450 μm. The alkali halide phosphor obtained by vapor deposition needs to heat-treat the phosphor layer at a temperature of 200 ° C. to 250 ° C. in order to increase the light emission amount after the vapor deposition step.
X線エリアセンサーに用いられる蛍光体に要求される物性として、被写体から、蛍光体層までのX線の吸収量が限りなく小さいことが要求される。したがって蛍光体の形成基板材料として耐熱性が高く、X線の吸収料が小さい材料が必須である。従来、この特性を満足する材料として、アモルファスカーボン基板等が開示されている(例えば、特許文献2等)。
しかしながら、アモルファスカーボン基板は、45cm×45cm、厚さ1mm程度で、数万円〜十数万円のコストがかかり、X線エリアセンサーのコスト高につながっている。 However, the amorphous carbon substrate has a size of about 45 cm × 45 cm and a thickness of about 1 mm, and costs tens of thousands of yen to several tens of thousands of yen, leading to high cost of the X-ray area sensor.
また、カーボン基板は導電性があるために、カーボン基板上に形成された蛍光の金属反射層の電気化学的腐食を促進させる悪影響があった。電気化学的腐食を抑制するために、図6に示すように、カーボン基板上に下引絶縁層、反射層、反射層保護層、および蛍光体層を順に積層する必要がありコスト高につながる。 Further, since the carbon substrate is conductive, there is an adverse effect of promoting electrochemical corrosion of the fluorescent metal reflective layer formed on the carbon substrate. In order to suppress electrochemical corrosion, as shown in FIG. 6, it is necessary to sequentially laminate an undercoat insulating layer, a reflective layer, a reflective layer protective layer, and a phosphor layer on a carbon substrate, leading to high costs.
さらに、カーボン基板といえども、X線の吸収は存在し、特にX線のエネルギーが低い撮影条件においては厚さ1mmのカーボンではX線の吸収が問題となる。 Further, even with a carbon substrate, X-ray absorption exists, and X-ray absorption becomes a problem with carbon having a thickness of 1 mm, particularly under imaging conditions with low X-ray energy.
本発明は、蛍光体形成基板のX線吸収を改善し、かつ高価な耐熱性基板を再利用可能にする放射線検出装置の製造方法を提供するものである。 The present invention provides a method for manufacturing a radiation detection apparatus that improves X-ray absorption of a phosphor-formed substrate and enables reuse of an expensive heat-resistant substrate.
本発明は、少なくとも、柱状蛍光体層、保護層、接着剤層、及び光電変換素子を有するX線エリアセンサーにおいて、基板に柱状蛍光体層を形成する工程、蛍光体層を光電変換素子に積層する工程、および該基板を剥離する工程を有する放射線検出装置の製造方法を特徴とする。 The present invention relates to an X-ray area sensor having at least a columnar phosphor layer, a protective layer, an adhesive layer, and a photoelectric conversion element, a step of forming a columnar phosphor layer on a substrate, and laminating the phosphor layer on the photoelectric conversion element The manufacturing method of the radiation detection apparatus which has the process to peel and the process to peel off this board | substrate is characterized.
さらに、該基板と柱状蛍光体層の間に剥離可能層を設けたことを特徴とする放射線検出装置の製造方法を要旨とする。 Furthermore, the gist of the manufacturing method of the radiation detecting apparatus is characterized in that a peelable layer is provided between the substrate and the columnar phosphor layer.
本発明は、このような着想のもとに完成されたものである。 The present invention has been completed based on such an idea.
すなわち、本発明に係る放射線検出装置の製造方法は、放射線を光電変換素子が感知可能な光に波長変換する蛍光体層を有するシンチレータと、前記蛍光体層で波長変換された光を光電変換する光電変換素子を複数有してなる光電変換部を有する光電変換パネルと、を接着剤層を介して貼り合わされてなる放射線検出装置の製造方法であって、蛍光体形成基板上に前記蛍光体層を設けて、該蛍光体層を有するシンチレータを準備する工程と、前記蛍光体層を有する側の前記シンチレータの表面を、前記接着剤層を介して前記光電変換パネルの前記光電変換部上に貼り合わせる工程と、前記光電変換パネルに貼り合わされた前記シンチレータから前記蛍光体形成基板を剥離する工程とを有することを特徴とする。 That is, the method for manufacturing a radiation detection apparatus according to the present invention photoelectrically converts a scintillator having a phosphor layer that converts wavelength of radiation into light that can be sensed by a photoelectric conversion element, and light that has been wavelength-converted by the phosphor layer. A photoelectric conversion panel having a photoelectric conversion part having a plurality of photoelectric conversion elements, and a method for producing a radiation detection device bonded together via an adhesive layer, the phosphor layer on a phosphor-forming substrate Providing a scintillator having the phosphor layer, and attaching the surface of the scintillator on the side having the phosphor layer onto the photoelectric conversion portion of the photoelectric conversion panel via the adhesive layer. And a step of peeling the phosphor-forming substrate from the scintillator bonded to the photoelectric conversion panel.
本発明において、前記シンチレータを準備する工程は、前記蛍光体層形成基板に設けられた剥離可能層上に、蒸着により柱状結晶構造を有する蛍光体層を形成する工程を有し、前記剥離する工程は、前記剥離可能層を用いて前記蛍光体形成基板を前記シンチレータから剥離するものであることが好適である。 In the present invention, the step of preparing the scintillator includes a step of forming a phosphor layer having a columnar crystal structure by vapor deposition on a peelable layer provided on the phosphor layer forming substrate, and the step of peeling It is preferable that the phosphor-forming substrate is peeled from the scintillator using the peelable layer.
本発明において、前記剥離する工程は、前記剥離可能層を加熱によって前記蛍光体形成基板を前記シンチレータから剥離するものであることが好適である。 In the present invention, it is preferable that the peeling step is to peel the phosphor-forming substrate from the scintillator by heating the peelable layer.
本発明において、前記剥離可能層は熱可塑性樹脂からなり、前記剥離する工程は、前記剥離可能層を加熱によって前記蛍光体形成基板を前記シンチレータから剥離するものであることが好適である。 In the present invention, it is preferable that the peelable layer is made of a thermoplastic resin, and in the peeling step, the phosphor forming substrate is peeled from the scintillator by heating the peelable layer.
本発明において、前記剥離可能層は、前記蛍光体形成基板に密着する第1剥離可能層と、前記第1剥離可能層と密着する第2剥離可能層とからなり、前記剥離可能層を加熱によって前記蛍光体形成基板を前記シンチレータから剥離するものであることが好適である。 In this invention, the said peelable layer consists of a 1st peelable layer closely_contact | adhered to the said fluorescent substance formation board | substrate, and a 2nd peelable layer closely_contact | adhered to the said 1st peelable layer, The said peelable layer is heated by heating. It is preferable that the phosphor-forming substrate is peeled from the scintillator.
本発明において、前記剥離する工程の後、少なくとも前記蛍光体形成基板が剥離された側の蛍光体層上に、蛍光反射層と、防湿保護膜と、を形成する工程を更に有することが好適である。 In the present invention, it is preferable to further include a step of forming a fluorescent reflection layer and a moisture-proof protective film on at least the phosphor layer from which the phosphor-forming substrate is peeled after the peeling step. is there.
本発明に係るシンチレータの製造方法は、放射線を光電変換素子が感知可能な光に波長変換する蛍光体層を有するシンチレータの製造方法であって、蛍光体形成基板に設けられた剥離可能層上に前記蛍光体層を形成する工程を有することを特徴とする。 A method for manufacturing a scintillator according to the present invention is a method for manufacturing a scintillator having a phosphor layer that converts a wavelength of radiation into light that can be sensed by a photoelectric conversion element, on a peelable layer provided on a phosphor-forming substrate. It has the process of forming the said fluorescent substance layer, It is characterized by the above-mentioned.
また、本発明にかかる放射線検出装置は、放射線を光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層と、前記蛍光体層で波長変換された光を光電変換する光電変換素子を複数有してなる光電変換部を有する光電変換パネルと、を接着剤層を介して貼り合わされてなる放射線検出装置において、前記蛍光体層の前記光電変換パネル側の表面と側面を被覆する第1の防湿保護層と、前記蛍光体層の放射線入射面と前記第1の防湿保護層に密着し、前記蛍光体層の放射線入射面を被覆する第2の防湿保護層と、を有することを特徴とする。 The radiation detection apparatus according to the present invention includes a plurality of phosphor layers that convert radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion elements, and a plurality of photoelectric conversion elements that photoelectrically convert light that has been wavelength-converted by the phosphor layers. And a photoelectric conversion panel having a photoelectric conversion part formed through the adhesive layer, the first moisture-proof protection that covers the surface and the side surface of the phosphor layer on the photoelectric conversion panel side And a second moisture-proof protective layer that is in close contact with the radiation incident surface of the phosphor layer and the first moisture-proof protective layer and covers the radiation incident surface of the phosphor layer.
本発明において、前記蛍光体層は柱状結晶構造を有してなるものであることが好適である。 In the present invention, it is preferable that the phosphor layer has a columnar crystal structure.
本発明に係る放射線撮像システムは、上記いずれかに記載の放射線検出装置と、前記放射線撮像装置からの信号を画像として処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録する記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示する表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送する伝送処理手段と、前記放射線を発生させる放射線源とを備えたことを特徴とする。 A radiation imaging system according to the present invention includes any of the radiation detection apparatuses described above, a signal processing unit that processes a signal from the radiation imaging apparatus as an image, and a recording unit that records a signal from the signal processing unit. A display means for displaying a signal from the signal processing means, a transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means, and a radiation source for generating the radiation.
本発明によれば、蛍光体形成基板を剥離し、上記第1の防湿保護層及び第2の防湿保護層において蛍光体層を被覆することによって、センサー貼り合せタイプの放射線検出装置において蛍光体形成基板のない構成となるため、基板材料のX線吸収を無視して安価なガラス基板を用いることが可能となり、X線エリアセンサーのコストを低減することが可能となる。 According to the present invention, the phosphor-forming substrate is peeled off, and the phosphor layer is covered with the first moisture-proof protective layer and the second moisture-proof protective layer, thereby forming the phosphor in the sensor-bonded type radiation detection apparatus. Since the substrate does not exist, an inexpensive glass substrate can be used ignoring the X-ray absorption of the substrate material, and the cost of the X-ray area sensor can be reduced.
また、剥離可能層上に蒸着法によって形成された柱状結晶構造を有する蛍光体層から、剥離可能層を用いて蛍光体形成基板を剥離することにより、蛍光体層に対して柱状結晶構造を破壊するような衝撃を与えることなく蛍光体形成基板を剥離することが可能となる。 In addition, the columnar crystal structure is destroyed with respect to the phosphor layer by peeling the phosphor-forming substrate from the phosphor layer having a columnar crystal structure formed by vapor deposition on the peelable layer. It is possible to peel off the phosphor-formed substrate without giving such an impact.
また、本発明によれば、剥離された蛍光体形成基板を洗浄して再利用することによって、更にX線エリアセンサーの製造コストを低減することが可能となる。 Further, according to the present invention, it is possible to further reduce the manufacturing cost of the X-ray area sensor by cleaning and reusing the peeled phosphor-forming substrate.
また更に、従来のセンサー貼り合せタイプの放射線検出装置と比較して蛍光体形成基板のない構成となるため層構成が簡略化され、被写体から蛍光体までのX線の吸収が減少するため、効率の良いX線撮影が可能となる。 Furthermore, compared to conventional sensor-bonded type radiation detectors, the structure is eliminated and the layer structure is simplified, and the absorption of X-rays from the subject to the phosphor is reduced. X-ray imaging with good quality.
以下、本発明に係る放射線検出装置の製造方法を実施するための最良の形態を添付図面を参照して説明する。以下の実施例では、本発明の放射線検出装置はX線エリアセンサーとして適用されている。 The best mode for carrying out a method for manufacturing a radiation detection apparatus according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following embodiments, the radiation detection apparatus of the present invention is applied as an X-ray area sensor.
図1(a)〜(f)は、本実施例のX線エリアセンサーおよびその製法を説明するための模式断面図を示す。 1A to 1F are schematic cross-sectional views for explaining an X-ray area sensor of this embodiment and a manufacturing method thereof.
まず、図1(a)に示すように、蛍光体を形成する蛍光体形成基板1の上に剥離可能層2を形成した。蛍光体形成基板1としては、耐熱性に優れたガラス基板、カーボン基板、アルミ基板等を用いることができ、X線の吸収を無視して選択することが可能である。剥離可能層2として、溶融温度が200℃〜250℃のホットメルト樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。その他、シリコン樹脂、フッ素系樹脂なども利用できる。剥離可能層2の厚さは、20〜50μmが好ましい。
First, as shown to Fig.1 (a), the
次いで、図1(b)に示すように、剥離可能層2上に柱状蛍光体層3を蒸着法により厚さ500μm積層した。柱状蛍光体層3は、ハロゲン化アルカリ金属、例えばCsI:Na、CsI:Tl、CsBrTl等からなる。柱状蛍光体層3の材料は、光電変換素子の受光感度の波長に合わせて選択される。柱状蛍光体層3の形成は、CsI:Tlの場合は、CsI(沃化セシュウム)とTlI(沃化タリウム)の共蒸着によって形成される。形成後、200℃で柱状蛍光体層5は熱処理され、これによりその発光状態が安定になる。
Next, as shown in FIG. 1B, a
次いで、図1(c)に示すように、柱状蛍光体層3上に防湿保護層4を積層した。防湿保護層4の材料としては、ハロゲン化アルカリ金属からなる柱状蛍光体層3を溶解しない材料が望まれる。材料として、熱CVD法、プラズマCVD法等の気相重合でえられる有機膜が用いられる。有機膜としては、ポリパラキシリレン製樹脂の熱CVD法によって形成された気相重合膜、または含フッ素化合物不飽和炭化水素モノマーのプラズマ重合膜不飽和炭化水素モノマーのプラズマ重合膜が用いられる。
Next, as shown in FIG. 1C, a moisture-proof
以上の工程により、蛍光体形成基板1上に剥離可能層2を介して柱状蛍光体層3が形成され、放射線を光電変換素子が感知可能な光に波長変換する柱状蛍光体層3を有する蛍光板(「シンチレータ」又は「シンチレータパネル」とも呼ぶ)100が得られた。
Through the above steps, a
次いで、得られた蛍光板100の欠陥検査を行い基準を満たす良品を、図1(d)に示すように、接着剤層5を用いて、予めガラス基板7に形成された複数の光電変換素子6を有する光センサー110(「センサーパネル」又は「光電変換パネル」とも呼ぶ)上に貼り合わせて積層した。接着剤層5として、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の熱硬化、又は常温硬化の接着剤を用いた。接着には、図5に示されるようなラミネート方式を用いた。複数の光電変換素子6を有する光センサー110は、例えばアモルファスシリコン(a−Si)を用いたフォトセンサー及びTFT(薄膜トランジスタ)を同一層で形成するものでも、互いに積層構造とするものでも、いずれでも適用可能である。
Next, non-defective products that satisfy the criteria by performing defect inspection on the obtained
次いで、図1(e)に示すように、上記のように光センサー110上に貼り合せた蛍光板100において、剥離可能層2と柱状蛍光体層3との界面で、蛍光体形成基板1を剥離した。蛍光体形成基板1の剥離は、剥離可能層2がホットメルト樹脂の場合、光電変換素子6側は吸着板(不図示)で固定し、蛍光体形成基板1側から200〜250℃の温度の熱ローラーで蛍光体形成基板1の一方の端部から反対側の端部に向かってホットメルト樹脂からなる剥離可能層2を溶融しながら、蛍光体形成基板1の一方の端部を吸着板(不図示)にて持ち上げる。上記方法により、蛍光体形成基板1と剥離可能層2は密着性は剥離可能層2と柱状蛍光体層3の密着性に比べて大きいため、蛍光体形成基板1及び剥離可能層2を柱状蛍光体層3から剥離することが可能である。これにより、剥離可能層2上に蒸着法によって形成された柱状結晶構造を有する柱状蛍光体層3から、剥離可能層2を溶融して蛍光体形成基板1を剥離することにより、柱状蛍光体層3に対して柱状結晶構造を破壊するような衝撃を与えることなく蛍光体形成基板1を剥離することが可能となる。また、更に剥離された蛍光体形成基板1を洗浄して再利用することが可能となり、更にX線エリアセンサーの製造コストを低減することが可能となる。
Next, as shown in FIG. 1 (e), the phosphor-forming substrate 1 is peeled off at the interface between the
最後に、図1(f)に示すように、少なくとも蛍光体形成基板1及び剥離可能層2を除去した柱状蛍光体層3上に、第2接着剤層8を用いて、アルミ箔で形成された蛍光反射層、防湿層、および電磁シールド層を兼用する多機能層9を積層し、その多機能層9上に保護樹脂層10を形成した。ここで、多機能層9の替わりに蛍光体反射層、防湿保護層、電磁シールド層をそれぞれ別に設けてもよい。
Finally, as shown in FIG. 1 (f), it is formed of aluminum foil using the second adhesive layer 8 on the
以上の工程により、X線エリアセンサーを得ることができた。 The X-ray area sensor was able to be obtained by the above process.
従って、本実施例のX線エリアセンサーによれば、柱状蛍光体層3を光電変換素子6に貼り合わせる工程の後に蛍光体形成基板1を剥離する工程を設けたことによって、蛍光体形成基板1の基板材料として、X線の吸収を無視して選択することが可能になるため、例えば高価なアモルファスカーボン基板に代えて、より安価なガラス基板を用いることができ、これによりX線エリアセンサー全体のコストを安くすることが可能になった。
Therefore, according to the X-ray area sensor of the present embodiment, the phosphor forming substrate 1 is provided by providing the step of peeling the phosphor forming substrate 1 after the step of bonding the
また、剥離可能層2上に蒸着法によって形成された柱状結晶構造を有する柱状蛍光体層3から、剥離可能層2を用いて蛍光体形成基板1を剥離することにより、柱状蛍光体層3に対して構造を破壊するような衝撃を与えることなく蛍光体形成基板1を剥離することが可能になった。
Further, the
また、更に剥離された蛍光体形成基板1を洗浄して再利用することが可能となり、X線エリアセンサーの製造コストを更に低減することが可能になった。 Further, the phosphor-formed substrate 1 that has been further peeled can be cleaned and reused, and the manufacturing cost of the X-ray area sensor can be further reduced.
また、本実施例のX線エリアセンサーでは、図6に示された従来の貼り合せ方式のX線エリアセンサーと比較して、反射層の電気化学的腐食を抑制するためにカーボン基板上に下引絶縁層、反射層、反射層保護層、および蛍光体層を順に積層する必要がなくなり、この点から層構成をより簡略化でき、被写体から蛍光体までのX線の吸収が減少し効率の良いX線撮影が可能となった。 Further, in the X-ray area sensor of this example, compared with the conventional bonding type X-ray area sensor shown in FIG. It is no longer necessary to sequentially stack the pulling insulating layer, the reflective layer, the reflective layer protective layer, and the phosphor layer. From this point, the layer configuration can be further simplified, the absorption of X-rays from the subject to the phosphor is reduced, and the efficiency is improved. Good X-ray photography became possible.
図2(a)〜(e)は、本実施例のX線エリアセンサーおよびその製法を説明するための模式断面図を示す。 FIGS. 2A to 2E are schematic cross-sectional views for explaining the X-ray area sensor of this embodiment and the manufacturing method thereof.
まず、図2(a)に示すように、蛍光体形成基板1の基板表面に剥離可能層2を形成し、その剥離可能層2上に耐熱樹脂層11を積層した本発明の柱状蛍光体層3に使用されるハロゲン化アルカリ蛍光体を蒸着法により形成する際には、柱状蛍光体層3と蛍光体形成基板1の蒸着表面との密着性を維持するために、蒸着時に蛍光体形成基板1の表面の温度を130℃以上にする必要がある。したがって耐熱樹脂層11は少なくとも130℃以上の耐熱性が必要となる。さらに本発明の柱状蛍光体層3に使用されるハロゲン化アルカリ蛍光体は、発光量を向上させるために、蛍光体を180℃−250℃の温度で熱処理することが必要となる、したがって耐熱樹脂層11は、さらに180℃以上での耐熱性があることが好ましい。このとき、基板表面に、蛍光体形成基板1と剥離可能層2との間が十分に密着するようにプラズマ処理およびコロナ処理した。剥離可能層2としては、耐熱樹脂層11形成時に剥離可能層2が溶解しない材料、例えばポリイミド前駆体の溶剤に溶解しない材料で、かつ 剥離可能層と密着性の低い材料である、シリコン系樹脂(商品名:コルコート2000)を用いた。耐熱樹脂層11としては、ポリイミド前駆体を剥離可能層2上に塗布して温度200℃で熱硬化させたポリイミド樹脂層、またはポリパラキシリレンの熱CVD膜を用いることができる。耐熱樹脂層11の膜厚は、10〜30μmが好ましい。耐熱樹脂層11は、後に形成される光センサーに対して、蛍光体形成基板1剥離の際に行われる加熱による影響を防止するためのものである。
First, as shown in FIG. 2A, the columnar phosphor layer of the present invention in which the
次いで、図2(b)に示すように、耐熱樹脂層11上に柱状蛍光体層3およびその防湿保護層4を形成した。柱状蛍光体層3およびその防湿保護層4は、前述と同様のものを用いた。
Next, as shown in FIG. 2B, the
以上の工程により、蛍光体形成基板1上に剥離可能層2および耐熱樹脂層11を介して柱状蛍光体層3を形成した蛍光板100が得られた。
Through the above steps, a
次いで、得られた蛍光板100の欠陥検査を行い基準を満たす良品を、図2(c)に示すように、接着剤層5を用いて、予めガラス基板7に形成された複数の光電変換素子6を有する光センサー110上に貼り合わせて積層した。複数の光電変換素子6を有する光センサー110は、前述と同様のものを用いた。
Next, a non-defective product that satisfies the criteria by performing defect inspection on the obtained
次いで、図2(d)に示すように、上記のように光センサー110上に貼り合せた蛍光板100において、剥離可能層2と耐熱樹脂層11との界面で、剥離可能層2及び蛍光体形成基板1を剥離した。このとき、光電変換素子6側のガラス基板7を固定した状態で、蛍光体形成基板1の一方の端を引き上げながら、その基板1上を200℃の加熱ローラーで蛍光体形成基板1の一方の端部から反対側の端部に向かって加熱すると、蛍光体形成基板1と剥離可能層2は密着処理によって十分密着されているため、蛍光体形成基板1と耐熱樹脂層11との間の熱膨張差によって剥離可能層2と耐熱樹脂層11とがその界面に沿って容易に剥離する。ここで、蛍光体形成基板1としては、ガラス基板、カーボン基板を用いることが可能である。これら材料の熱膨張係数は、耐熱樹脂層11の熱膨張係数の1/30〜1/10の値であるため、両者の熱膨張係数の差で剥離が可能となる。
Next, as shown in FIG. 2D, in the
最後に、図2(e)に示すように、耐熱樹脂層11の上に蛍光反射層、防湿保護層および電磁シールド層を兼ねた多機能層9を積層し、その多機能層9上に保護樹脂層10を形成した。ここで本実施例では、柱状蛍光体層4側からの水分の侵入を抑制し、柱状蛍光体層3及び光電変換素子6の耐湿性を向上させるために、加熱プレス装置によって柱状蛍光体層3の周辺の耐熱樹脂層11を折り曲げ、柱状蛍光体層3の最外周部および側面を覆う構造とした。上記構成を用いた放射線撮影装置の柱状蛍光体層3は、耐熱樹脂層11が折り曲げられない構造のものと比較して、耐湿性が向上した。ここで、多機能層9の替わりに蛍光反射層、防湿保護層、電磁シールド層をそれぞれ別に設けてもよい。
Finally, as shown in FIG. 2 (e), a multi-functional layer 9 that also serves as a fluorescent reflection layer, a moisture-proof protective layer, and an electromagnetic shield layer is laminated on the heat-
以上の工程により、X線エリアセンサーを得ることができた。 The X-ray area sensor was able to be obtained by the above process.
従って、本実施例によれば、上記実施例1と同様の効果に加え、さらに耐熱樹脂層を用いることにより、加熱による光センサー側の熱的影響を抑制し、蛍光体形成基板1との熱膨張差を用いた剥離工程をより効果的に実施することができる。 Therefore, according to the present embodiment, in addition to the same effects as in the first embodiment, the thermal effect on the optical sensor side due to heating is suppressed by using a heat-resistant resin layer, and the heat with the phosphor-forming substrate 1 is increased. The peeling process using the expansion difference can be carried out more effectively.
図3(a)〜(f)は、本実施例のX線エリアセンサーおよびその製法を説明するための模式断面図を示す。 3A to 3F are schematic cross-sectional views for explaining the X-ray area sensor of this embodiment and the manufacturing method thereof.
まず、図3(a)に示すように、蛍光体形成基板1上に剥離可能層2を形成した。蛍光体形成基板1としては、ステンレス基板を用いた。剥離可能層2は、2層、すなわち1層目の第1剥離可能層2aおよび2層目の第2剥離可能層2bで構成した。
First, as shown in FIG. 3A, the
蛍光体形成基板1として金属材料であるステンレス基板を、蛍光反射層9aの材料として金属材料を用いる場合、剥離可能層2が1層では、蛍光体形成基板1の金属表面に対する密着性が高く、かつ蛍光反射層9aの金属表面と密着が悪い材料を選択するのが難しい。金属材料同士で密着性に著しい差異がある材料の選択は困難である。
When a stainless steel substrate that is a metal material is used as the phosphor forming substrate 1 and a metal material is used as the material of the
そこで本実施例では、剥離可能層2を2層構造とし、第1剥離可能層2aとして、金属基板との密着性が良い材料を、第2剥離可能層2bとして、第一の剥離可能層2aとの密着性が良く、かつ蛍光反射層9aと比較的密着性の悪い材料を選択した。このうち、第1剥離可能層2aとしては、金属材料と結合しての密着性を向上させるメトキシ基(OCH3)を有する、厚さ20nm(200オングストローム)のSi(OCH3)4のプラズマ重合膜を用いた。また、第2剥離可能層2bとしては、C2F4をモノマーとする厚さ40nm(400オングストローム)のプラズマ重合膜をそれぞれ用いた。
Therefore, in this embodiment, the
ここで、第2剥離可能層2bとして有機材料であるC2F4を用いたために、Si(OCH3)のプラズマ重合膜とは密着が良い膜が形成される。第1剥離可能層2aと第2剥離可能層2bの成膜はそれぞれプラズマ重合で行われるために同一の真空成膜装置内で、プラズマ放電を中断することなく連続で成膜する事が可能となり、第1剥離可能層2aと第2剥離可能層2bとの密着性向上を図ることが可能となる。第1の剥離層と第2の剥離層の界面ではテトラメトキシシランとテトラフルオロエチレンの共重合体が形成されるため密着性が良くなる。
Here, since C2F4, which is an organic material, is used as the second
次いで、図3(a)に示すように、上記の第2剥離可能層2b上に蛍光反射層9aをスパッタ法で積層し、その蛍光反射層9a上に反射層保護層12、及び柱状蛍光体層3を順に形成した。
Next, as shown in FIG. 3 (a), a fluorescent
このように、X線により柱状蛍光体層3から発生した光を無駄なく光電変換素子6に入射させるために、柱状蛍光体層3の光電変換素子6側と反対の側(X線入射側)に蛍光反射層9aを設けることが好ましい。蛍光反射層9aが金属の場合、柱状蛍光体層3と蛍光反射層9の間に、反射層保護層12を形成することが好ましい。反射層保護層12は、蛍光反射層9aと柱状蛍光体層3とが互いに接することに起因する蛍光反射層9aの腐食を抑制する働きがある。この反射層保護層12の効果は、柱状蛍光体層3がハロゲン化アルカリで構成されている場合に、特に顕著となる。
Thus, in order to make the light generated from the
上記工程において、蛍光反射層9aとしては、厚さ300nm(3000オングストローム)のアルミニウムスパッタ膜を用いた。また、反射層保護層12としては、ポリイミド前駆体(商品名:セミコファインLP62)を蛍光反射層9aの上に形成し、温度220℃でイミド化して得られる厚さ6μmのポリイミド樹脂を用いた。さらに、柱状蛍光体層3としては、前述と同様に、CsI(沃化セシウム)とTlI(沃化タリウム)を蒸着源として共蒸着により得られる厚さ500μm、柱状直径5μmのCsI:Tlを用いた。CsI:Tlの蒸着後、温度200℃で4時間熱処理を行うことにより、CsI:TlのX線による発光量を向上させた。
In the above process, an aluminum sputtered film having a thickness of 300 nm (3000 angstroms) was used as the
次いで、図3(b)に示すように、上記で形成された柱状蛍光体層3上に、防湿保護層4を形成した。防湿保護層4としては、原材料をパラキシリレンの熱CVD法によって成膜して成る厚さ20μmのポリパラキシリレン膜を用いた。
Next, as shown in FIG. 3B, a moisture-proof
以上の工程により、蛍光体形成基板1上に第1及び第2剥離可能層2a、2b、蛍光反射層9a、反射層保護層12を介し柱状蛍光体層3を形成した蛍光板100が得られた。
The
次いで、図3(c)に示すように、得られた蛍光板100の欠陥検査を行い基準を満たす良品を、接着剤層5を用いて、予めガラス基板7に形成された複数の光電変換素子6を有する光センサー110上に貼り合わせて積層した。複数の光電変換素子6を有する光センサー110は、前述と同様のものを用いた。
Next, as shown in FIG. 3C, a plurality of
次いで、図3(d)に示すように、上記のように光センサー110上に貼り合せた蛍光板100において、第2剥離可能層2bと蛍光反射層9aとの界面で、第2剥離可能層2b、第1剥離可能層2b、および蛍光体形成基板1を剥離した。本実施例においては、第2剥離可能層2bと蛍光反射層9aとの界面の密着力が最も低くなるように設計されているために、全体を温度を上昇させると、ステンレス基板からなる蛍光体形成基板1とガラス基板7との間の熱膨張差の応力が生じ、層間密着力の最も低い蛍光反射層9aと第2剥離可能層2bの間で剥離が生じる。蛍光体形成基板1の柱状蛍光体層3を形成しない側の表面とセンサガラスの光電変換素子変換素子を形成しない側の表面の双方に吸着板(不図示)をセットし、吸着板を移動させることによって、蛍光体形成基板1をそのコーナー側から剥離することが可能である。ステンレス基板は、弾性があり周辺部から剥離することが容易なためである。
Next, as shown in FIG. 3D, in the
次いで、図3(f)に示すように、蛍光体形成基板1を剥離した後、第2接着剤層8を介して電磁シールド層9bを積層する共に、光電変換素子6の周辺部に、電気信号の読み出し等で用いるIC回路13をその図示しない配線部を介して接続し、その部分を周辺部封止材14により封止した。
Next, as shown in FIG. 3 (f), after the phosphor-forming substrate 1 is peeled off, an electromagnetic shield layer 9 b is laminated via the second adhesive layer 8, and the
以上の工程により、X線エリアセンサー(デジタルX線撮影装置用センサー)を得ることができた。 Through the above steps, an X-ray area sensor (digital X-ray imaging apparatus sensor) could be obtained.
従って、本実施例によれば、上記実施例1と同様の効果に加え、蛍光体形成基板1をステンレス基板で形成し且つ剥離可能層を二層構造としたため、加熱温度がより低い条件で
蛍光体形成基板1とガラス基板との熱膨張差を用いた剥離工程をより効果的に実施することができる。
Therefore, according to this example, in addition to the same effects as in Example 1, the phosphor-forming substrate 1 is formed of a stainless steel substrate and the peelable layer has a two-layer structure. The peeling process using the thermal expansion difference between the body forming substrate 1 and the glass substrate can be more effectively performed.
次に、応用例を説明する。 Next, an application example will be described.
図5は、本発明による放射線検出装置のX線診断システム(放射線撮像システム)への応用例を示したものである。 FIG. 5 shows an application example of the radiation detection apparatus according to the present invention to an X-ray diagnosis system (radiation imaging system).
図5において、X線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、図3に示したような放射線検出装置(イメージセンサ)6040に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応して放射線検出装置6040の蛍光体層は発光し、これを放射線検出装置6040の光電変換素子部が光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。
In FIG. 5, the
また、この情報は電話回線6090等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ6100によりフィルム6110に記録することもできる。
Further, this information can be transferred to a remote place by transmission processing means such as a
以上説明したように、本発明は、医療用のX線センサーに応用することが可能であるが、無破壊検査等のそれ以外の用途に応用した場合にも有効である。 As described above, the present invention can be applied to a medical X-ray sensor, but is also effective when applied to other uses such as a nondestructive inspection.
以上のように、本発明は、医療用X線診断装置、非破壊検査装置などの放射線撮像システム、これに用いる放射線検出装置、その製造方法などの用途に適用できる。 As described above, the present invention can be applied to uses such as a radiographic imaging system such as a medical X-ray diagnostic apparatus and a nondestructive inspection apparatus, a radiation detection apparatus used therefor, and a manufacturing method thereof.
1 蛍光体形成基板
2 剥離可能層
2a 第1剥離可能層
2b 第2剥離可能層
3 柱状蛍光体層
4 防湿保護層
5 接着剤層
6 光電変換素子
7 ガラス基板
8 第2接着剤層
9 多機能層
9a 蛍光反射層
9b 電磁シールド層
10 保護樹脂層
11 耐熱樹脂層
12 反射層保護層
13 IC回路
14 周辺部封止材
100 蛍光板
110 光センサー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Phosphor formation board |
Claims (11)
蛍光体形成基板上に前記蛍光体層を設けて、該蛍光体層を有するシンチレータを準備する工程と、
前記蛍光体層を有する側の前記シンチレータの表面を、前記接着剤層を介して前記光電変換パネルの前記光電変換部上に貼り合わせる工程と、
前記光電変換パネルに貼り合わされた前記シンチレータから前記蛍光体形成基板を剥離する工程と、
を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 A scintillator having a phosphor layer that converts the wavelength of radiation into light that can be sensed by the photoelectric conversion element; and a photoelectric conversion unit that includes a plurality of photoelectric conversion elements that photoelectrically convert light converted in wavelength by the phosphor layer. A method for producing a radiation detection device, wherein the photoelectric conversion panel is bonded to each other via an adhesive layer,
Providing the phosphor layer on a phosphor-forming substrate and preparing a scintillator having the phosphor layer;
Bonding the surface of the scintillator on the side having the phosphor layer onto the photoelectric conversion part of the photoelectric conversion panel via the adhesive layer;
Peeling the phosphor-forming substrate from the scintillator bonded to the photoelectric conversion panel;
The manufacturing method of the radiation detection apparatus characterized by having.
前記剥離する工程は、前記剥離可能層を用いて前記蛍光体形成基板を前記シンチレータから剥離することを特徴とする請求項1記載の放射線検出装置の製造方法。 The step of preparing the scintillator has a step of forming a phosphor layer having a columnar crystal structure by vapor deposition on a peelable layer provided on the phosphor layer forming substrate,
The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 1, wherein in the peeling step, the phosphor forming substrate is peeled from the scintillator using the peelable layer.
前記剥離する工程は、前記剥離可能層を加熱によって前記蛍光体形成基板を前記シンチレータから剥離することを特徴とする請求項3記載の放射線検出装置の製造方法。 The peelable layer is made of a thermoplastic resin,
The method of manufacturing a radiation detecting apparatus according to claim 3, wherein in the peeling step, the phosphor forming substrate is peeled from the scintillator by heating the peelable layer.
前記剥離する工程は、前記剥離可能層を加熱によって前記蛍光体形成基板を前記シンチレータから剥離することを特徴とする請求項3記載の放射線検出装置の製造方法。 The peelable layer comprises a first peelable layer that is in close contact with the phosphor-formed substrate, and a second peelable layer that is in close contact with the first peelable layer,
The method of manufacturing a radiation detecting apparatus according to claim 3, wherein in the peeling step, the phosphor forming substrate is peeled from the scintillator by heating the peelable layer.
蛍光体形成基板に設けられた剥離可能層上に前記蛍光体層を形成する工程を有することを特徴とするシンチレータの製造方法。 A method of manufacturing a scintillator having a phosphor layer that converts wavelength of radiation into light that can be sensed by a photoelectric conversion element,
A method of manufacturing a scintillator, comprising a step of forming the phosphor layer on a peelable layer provided on a phosphor-forming substrate.
前記蛍光体層の前記光電変換パネル側の表面と側面を被覆する第1の防湿保護層と、前記蛍光体層の放射線入射面と前記第1の防湿保護層に密着し、前記蛍光体層の放射線入射面を被覆する第2の防湿保護層と、を有することを特徴とする放射線検出装置。 A phosphor layer that converts radiation into light that can be sensed by a photoelectric conversion element; and a photoelectric conversion panel that includes a plurality of photoelectric conversion elements that photoelectrically convert light converted in wavelength by the phosphor layer; In the radiation detection apparatus formed by bonding through an adhesive layer,
A first moisture-proof protective layer covering the surface and side surfaces of the phosphor layer on the photoelectric conversion panel side; and a radiation incident surface of the phosphor layer; and the first moisture-proof protective layer; A radiation detection apparatus comprising: a second moisture-proof protective layer covering the radiation incident surface.
前記放射線撮像装置からの信号を画像として処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録する記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示する表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送する伝送処理手段と、
前記放射線を発生させる放射線源とを備えたことを特徴とする放射線撮像システム。 The radiation detection apparatus according to any one of claims 9 and 10,
Signal processing means for processing a signal from the radiation imaging apparatus as an image;
Recording means for recording a signal from the signal processing means;
Display means for displaying a signal from the signal processing means;
Transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means;
A radiation imaging system comprising: a radiation source that generates the radiation.
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---|---|
JP (1) | JP2005172511A (en) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007163467A (en) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | Radiation detector |
JP2007218710A (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Aloka Co Ltd | Radiation measuring device |
JP2008082852A (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | Radiation detection apparatus |
JP2008216041A (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Radiographic image detector |
JP2008249722A (en) * | 2008-06-05 | 2008-10-16 | Aloka Co Ltd | Radiation measuring device |
JP2008309770A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Hamamatsu Photonics Kk | Radiation image conversion panel and radiation image sensor |
JP2009133837A (en) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Canon Inc | Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus, and radiation imaging system |
US7732788B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image converting panel, scintillator panel and radiation image sensor |
JP2011095281A (en) * | 2011-02-18 | 2011-05-12 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Radiation image detector |
JP4819163B2 (en) * | 2007-09-06 | 2011-11-24 | コニカミノルタエムジー株式会社 | Flat panel detector |
WO2012002224A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 富士フイルム株式会社 | Radiation detector and method of producing same |
JP2012007949A (en) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Canon Inc | Radiation imaging apparatus, radiation imaging system and method for manufacturing radiation imaging apparatus |
JP2012052847A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Fujifilm Corp | Radiation detector, radiographic image pickup device, and manufacturing method of radiation detector |
JP2012168009A (en) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Fujifilm Corp | Radiation image detector and method for manufacturing the same |
JP2012220659A (en) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Fujifilm Corp | Radiation detection device |
JP2012220272A (en) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Fujifilm Corp | Radiographic apparatus and manufacturing method |
US8525120B2 (en) | 2007-08-14 | 2013-09-03 | Hitachi Aloka Medical, Ltd. | Radiation measuring device |
JP2013178251A (en) * | 2007-03-23 | 2013-09-09 | Konica Minolta Inc | Scintillator panel and manufacturing method of the same |
CN106373631A (en) * | 2016-10-24 | 2017-02-01 | 上海健康医学院 | Fluorescent screen for X ray detection and preparation method thereof |
JP2017037096A (en) * | 2012-03-30 | 2017-02-16 | 日立金属株式会社 | Method for manufacturing scintillator array |
-
2003
- 2003-12-09 JP JP2003410528A patent/JP2005172511A/en active Pending
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007163467A (en) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Fujifilm Corp | Radiation detector |
JP2007218710A (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Aloka Co Ltd | Radiation measuring device |
JP2008082852A (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | Radiation detection apparatus |
JP2008216041A (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Radiographic image detector |
JP2013178251A (en) * | 2007-03-23 | 2013-09-09 | Konica Minolta Inc | Scintillator panel and manufacturing method of the same |
JP2008309770A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Hamamatsu Photonics Kk | Radiation image conversion panel and radiation image sensor |
US7812315B2 (en) | 2007-06-15 | 2010-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
US8525120B2 (en) | 2007-08-14 | 2013-09-03 | Hitachi Aloka Medical, Ltd. | Radiation measuring device |
JP2012008141A (en) * | 2007-09-06 | 2012-01-12 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Flat panel detector |
US8525132B2 (en) | 2007-09-06 | 2013-09-03 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Flat panel detector |
JP4819163B2 (en) * | 2007-09-06 | 2011-11-24 | コニカミノルタエムジー株式会社 | Flat panel detector |
JP2012154940A (en) * | 2007-09-06 | 2012-08-16 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Flat panel detector |
US7732788B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image converting panel, scintillator panel and radiation image sensor |
JP2009133837A (en) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Canon Inc | Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus, and radiation imaging system |
JP2008249722A (en) * | 2008-06-05 | 2008-10-16 | Aloka Co Ltd | Radiation measuring device |
JP2012007949A (en) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Canon Inc | Radiation imaging apparatus, radiation imaging system and method for manufacturing radiation imaging apparatus |
US8779372B2 (en) | 2010-06-23 | 2014-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup apparatus, radiation image pickup system, and method for manufacturing radiation image pickup apparatus |
WO2012002224A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 富士フイルム株式会社 | Radiation detector and method of producing same |
JP2012052847A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Fujifilm Corp | Radiation detector, radiographic image pickup device, and manufacturing method of radiation detector |
JP2012168009A (en) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Fujifilm Corp | Radiation image detector and method for manufacturing the same |
JP2011095281A (en) * | 2011-02-18 | 2011-05-12 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Radiation image detector |
JP2012220272A (en) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Fujifilm Corp | Radiographic apparatus and manufacturing method |
JP2012220659A (en) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Fujifilm Corp | Radiation detection device |
US9140809B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-09-22 | Fujifilm Corporation | Radiation detecting apparatus |
US9465117B2 (en) | 2011-04-07 | 2016-10-11 | Fujifilm Corporation | Radiation detecting apparatus |
JP2017037096A (en) * | 2012-03-30 | 2017-02-16 | 日立金属株式会社 | Method for manufacturing scintillator array |
CN106373631A (en) * | 2016-10-24 | 2017-02-01 | 上海健康医学院 | Fluorescent screen for X ray detection and preparation method thereof |
CN106373631B (en) * | 2016-10-24 | 2024-05-10 | 上海健康医学院 | Fluorescent screen for X-ray detection and preparation method thereof |
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