JP2005169568A - リテーナリング及びそれを用いた研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化学的機械的研磨に用いられるリテーナリング501において、少なくとも研磨パッド及び研磨対象である基盤502に接触する面の材質が、超高分子量ポリエチレン樹脂を主成分とする樹脂組成物であり、さらに当該樹脂(100重量部)中に0.01重量部〜20重量部の有機充填物及び/又は無機充填物を少なくとも1種類以上含有させる。
【選択図】図6
Description
すなわち本願発明は、
(1) 少なくとも研磨パッド及び研磨対象に接触する面の材質が、超高分子量ポリエチレン樹脂を主成分とする樹脂組成物であることを特徴とする化学的機械的研磨に用いられるリテーナリングである。
(2) 超高分子量ポリエチレン樹脂(100重量部)中に0.01重量部〜20重量部の有機充填物及び/又は無機充填物を少なくとも1種類以上含有していることを特徴とする(1)に記載のリテーナリングである。
(3) 研磨テーブル表面に設けられた研磨パッドと、研磨対象の基板の外周側面に位置し、研磨パッドと接するように設置されたリテーナリングを有する基板保持部とを備えた研磨装置であって、前記リテーナリングが(1)〜(2)いずれかに記載のリテーナリングであることを特徴とする研磨装置である。
上記のリテーナリング501を用いた研磨装置により、4インチ径のシリコン基板を試料とし、下記の研磨条件にて化学的機械的研磨を行った。リテーナリングの評価は、室温にて研磨処理中のリテーナリング501が研磨パッドと接触している部分の温度を測定し、単位時間当たりの温度上昇率の比較をもって行った。リテーナリングの温度上昇率は、ポリフェニレンサルファイド樹脂製リテーナリングの温度上昇率を100としたときの相対値で表した。
(研磨条件)
1.荷重;500gf/cm2
2.研磨スラリー;12.5重量%のコロイダルシリカスラリー
3.リテーナリングサイズ;内径100mm、外径120mm
4.研磨スラリー供給量;30ml/min
5.研磨テーブル回転数;50rpm
6.研磨時間;1min
(実施例1)
リテーナリング501に重量平均分子量590万の超高分子量ポリエチレン樹脂製のリテーナリングを用いて評価を行った。その結果、リテーナリング501の温度上昇率が48であった。
リテーナリング501に重量平均分子量340万の超高分子量ポリエチレン樹脂(100重量部)中にガラスビーズ2.5重量部、カーボンファイバー2.2重量部、カーボンブラック0.05重量部、アドマパウダー1.5重量部を含有したリテーナリングを用いて評価を行った結果、リテーナリング501の温度上昇率が35であった。
リテーナリング501に重量平均分子量340万の超高分子量ポリエチレン樹脂(100重量部)中にガラスビーズ5.0重量部、アドマパウダー2.0重量部を含有したリテーナリングを用いて評価を行った結果、リテーナリング501の温度上昇率が40であった。この温度上昇率は超高分子ポリエチレン樹脂単体での温度上昇率よりも低く、充填材を含有することにより温度上昇を抑制することが証明された。
リテーナリング501に重量平均分子量が1万の低密度ポリエチレン樹脂製リテーナリングを用いて評価を行った。その結果、リテーナリング501の温度上昇率が82であった。
リテーナリング501に重量平均分子量が10万の高密度ポリエチレン樹脂製リテーナリングを用いて評価を行った。その結果、リテーナリング501の温度上昇率が63であった。
リテーナリング501にポリアセタール樹脂製リテーナリングを用いて評価を行った。その結果、リテーナリング501の温度上昇率が56であった。
リテーナリング501にポリカーボネート樹脂製リテーナリングを用いて評価を行った。その結果、リテーナリング501の温度上昇率が63であった。
リテーナリング501にポリエチレンテレフタレート樹脂製リテーナリングを用いて評価を行った。その結果、リテーナリング501の温度上昇率が104であった。
リテーナリング501にポリエーテルエーテルケトン樹脂製リテーナリングを用いて評価を行った。その結果、リテーナリング501の温度上昇率が67であった。
リテーナリングの樹脂組成物部分…201a、301a、401a
リテーナリングの機械的強度の高い部分.…201b、301b、401b
研磨パッド…107、505
インサートパッド…105、205、305、405、504
基板…103、203、303、403、502
荷重調整機構…104、204、304、404
基板保持部…102、202、302、402、508
研磨テーブル…106、506
研磨液供給口…108、507
コンディショニング機構…109
Claims (3)
- 少なくとも研磨パッド及び研磨対象に接触する面の材質が、超高分子量ポリエチレン樹脂を主成分とする樹脂組成物であることを特徴とする化学的機械的研磨に用いられるリテーナリング。
- 超高分子量ポリエチレン樹脂(100重量部)中に0.01重量部〜20重量部の有機充填物及び/又は無機充填物を少なくとも1種類以上含有していることを特徴とする請求項1に記載のリテーナリング。
- 研磨テーブル表面に設けられた研磨パッドと、研磨対象の基板の外周側面に位置し、研磨パッドと接するように設置されたリテーナリングを有する基板保持部とを備えた研磨装置であって、前記リテーナリングが請求項1〜2いずれかに記載のリテーナリングであることを特徴とする研磨装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007158201A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Nippon Seimitsu Denshi Co Ltd | Cmp装置のリテーナリング |
JP2009131946A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-06-18 | Ebara Corp | 研磨装置 |
JP2010036288A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumco Techxiv株式会社 | 研磨用治具 |
JP2011067924A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Fujibo Holdings Inc | 保持パッド |
CN102528649A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-07-04 | 株式会社尼康 | 工件载具及具备该工件载具之研磨装置 |
WO2014185003A1 (ja) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | 信越半導体株式会社 | ワークの研磨装置 |
US9999957B2 (en) | 2015-02-16 | 2018-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing head and polishing carrier apparatus having the same |
KR20200023731A (ko) * | 2018-08-27 | 2020-03-06 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 리테이너 |
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2003
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007158201A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Nippon Seimitsu Denshi Co Ltd | Cmp装置のリテーナリング |
JP2009131946A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-06-18 | Ebara Corp | 研磨装置 |
US8100743B2 (en) | 2007-10-29 | 2012-01-24 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP2010036288A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumco Techxiv株式会社 | 研磨用治具 |
JP2011067924A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Fujibo Holdings Inc | 保持パッド |
CN102528649A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-07-04 | 株式会社尼康 | 工件载具及具备该工件载具之研磨装置 |
WO2014185003A1 (ja) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | 信越半導体株式会社 | ワークの研磨装置 |
JP2014223692A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 信越半導体株式会社 | ワークの研磨装置 |
CN105189045A (zh) * | 2013-05-16 | 2015-12-23 | 信越半导体株式会社 | 工件的研磨装置 |
KR20160008550A (ko) * | 2013-05-16 | 2016-01-22 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 워크의 연마장치 |
KR102192288B1 (ko) * | 2013-05-16 | 2020-12-17 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 워크의 연마장치 |
US9999957B2 (en) | 2015-02-16 | 2018-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing head and polishing carrier apparatus having the same |
KR20200023731A (ko) * | 2018-08-27 | 2020-03-06 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 리테이너 |
KR102144846B1 (ko) * | 2018-08-27 | 2020-08-14 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 리테이너 |
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