JP2005167046A - 有機薄膜の形成方法 - Google Patents
有機薄膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005167046A JP2005167046A JP2003405419A JP2003405419A JP2005167046A JP 2005167046 A JP2005167046 A JP 2005167046A JP 2003405419 A JP2003405419 A JP 2003405419A JP 2003405419 A JP2003405419 A JP 2003405419A JP 2005167046 A JP2005167046 A JP 2005167046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- fluorinated
- forming
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【課題】 比誘電率2.0〜2.4である有機物薄膜を安定して形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料ガスを活性化する加熱反応室を有し、その下流側に配置された被処理基板の冷却機能を有する被処理基板載置台のおかれた成膜室に活性化したガスを導入し成膜するCVD装置を用いて薄膜を形成するにあたり、還元性ガスと原料ガスを混合して加熱反応室に導入することを特徴とするフッ素化芳香族炭化水素重合体膜の形成方法である。
【選択図】 なし
【解決手段】 原料ガスを活性化する加熱反応室を有し、その下流側に配置された被処理基板の冷却機能を有する被処理基板載置台のおかれた成膜室に活性化したガスを導入し成膜するCVD装置を用いて薄膜を形成するにあたり、還元性ガスと原料ガスを混合して加熱反応室に導入することを特徴とするフッ素化芳香族炭化水素重合体膜の形成方法である。
【選択図】 なし
Description
本発明は半導体装置を製造する方法に係わり、特に低抵抗・低容量の多層配線構造を形成するために用いるフッ素化芳香族炭化水素重合体からなる低誘電率有機薄膜の形成方法に関する。
半導体装置の微細化に伴い、配線抵抗の上昇や、配線間,あるいは配線層間の容量が上昇する傾向にある。ところで、これらの配線抵抗が上昇したり、あるいは配線層間の容量が上昇したりすると、多層配線基板の信号伝搬速度が低下し、伝送遅延が発生し半導体デバイスの特性を悪化させる。そこで、その改善策として、配線に銅を、層間絶縁膜に低誘電率膜を用いることにより抵抗・容量の低下を図ることが行われている。
この低誘電率膜としては、SiO2中にメチル基を導入した無機材料のSiOC膜や、ポリアリルエーテル誘導体等の有機膜の開発が行われている。ところで、これらの薄膜の誘電率は2.6〜2.9程度であり、次世代に向けたさらなる低誘電率化においては十分であるとはいえないことから、さらに低誘電率化の試みとして、絶縁材料層内に空孔を導入することで、膜の密度を下げ、誘電率2.0〜2.4の膜を実現するための開発が進められている。しかしながら、膜に空孔を導入すると、膜の機械的強度が低下して、製造工程中に基板上に形成された膜が割れやすくなったり、空孔に吸着するガスや薬剤により膜特性が劣化したり、劣化対策としての後処理が必要であったりするため、これらの空孔を有する膜を半導体装置の製造に適用することが困難であった。
このため空孔を持たない構造で、誘電率2.0〜2.4の膜が望まれており、この仕様を満たす膜として化学的気相成長法(CVD法)にて成膜するフッ素化アリレン膜が知られている(特許文献1参照)。ところで、このフッ素化アリレン膜をCVD装置で成膜すると、フッ素化アリレン膜の成膜時間経過とともに成膜速度が低下するという問題があった。このため、CVD装置を用いたフッ素化アリレン膜の成膜においては、膜厚の再現性が悪く、厚膜化も困難であるという問題があった。
特開2003−273096号公報
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、低誘電率有機絶縁膜をCVD装置で形成する際に、成膜時間の経過とともに成膜速度が低下する問題を解決し、膜厚の再現性に優れた低誘電率有機絶縁材料膜を成膜する方法を提供することを目的としている。
本発明は、原料ガスを活性化する加熱反応室を備え、活性化された前記原料ガスを被処理基板上に供給し、前記被処理基板表面に前記原料ガスの重合膜薄膜を形成するにあたり、
前記原料ガスと、還元性ガスとを混合して前記加熱反応室に導入することを特徴とするフッ素化芳香族炭化水素重合膜からなる有機薄膜の形成方法である。
前記原料ガスと、還元性ガスとを混合して前記加熱反応室に導入することを特徴とするフッ素化芳香族炭化水素重合膜からなる有機薄膜の形成方法である。
前記本発明において、前記フッ素化芳香族炭化水素重合体膜は、(−CF2−C6H4−CF2−)nからなる構造を有するフッ素化ポリキシリレンもしくはその共重合体、あるいは(−CF2−C6F4−CF2−)nを基本構造とするフッ素化ポリフルオロキシリレンもしくはその共重合体とすることができる。
CVD装置を用いて低誘電率有機膜を成膜するに当たり原料ガスに還元性ガスを添加することによって、原料有機物反応装置の内壁に付着する副生ハロゲンを除く事により、原料ガスの分解反応を安定化させ、成膜速度の経時的な低下を防止する。
本実施の形態において、被処理基板上に有機絶縁膜であるフッ素化芳香族炭化水素重合膜からなる低誘電率有機薄膜を形成するための方法は、有機薄膜原料を加熱分解して被処理基板上に有機薄膜前駆体を生成する工程と、この有機薄膜前駆体を化学的気相成長法(CVD法)によって被処理基板上に被着させる工程とを少なくとも備えた方法である。この被処理基板としては、シリコンウェハのような半導体基板が適しているがこれに限定されるものではない。
(有機絶縁膜)
本実施の形態において、シリコンウェハのような被処理基板上に被着する有機絶縁膜材料としては、誘電率が特に低いことからフッ素化芳香族炭化水素の重合体が使用する。このフッ素化芳香族炭化水素の重合体としては、フッ素化ポリジアルキルベンゼン、フッ素化ポリフルオロジアルキルベンゼンなどの重合体であることが好ましい。更に具体的には、本実施の形態で用いるのに適したフッ素化芳香族炭化水素の重合体としては、フッ素化ポリキシリレン(−CF2−C6H4−CF2−)n、フッ素化ポリフルオロキシリレン(−CF2−C6F4−CF2−)n、フッ素化ポリジエチルベンゼン、フッ素化ポリフルオロジエチルベンゼン、フッ素化ポリメチルエチルベンゼン、フッ素化ポリフルオロメチルエチルベンゼンなどが挙げられる。
本実施の形態において、シリコンウェハのような被処理基板上に被着する有機絶縁膜材料としては、誘電率が特に低いことからフッ素化芳香族炭化水素の重合体が使用する。このフッ素化芳香族炭化水素の重合体としては、フッ素化ポリジアルキルベンゼン、フッ素化ポリフルオロジアルキルベンゼンなどの重合体であることが好ましい。更に具体的には、本実施の形態で用いるのに適したフッ素化芳香族炭化水素の重合体としては、フッ素化ポリキシリレン(−CF2−C6H4−CF2−)n、フッ素化ポリフルオロキシリレン(−CF2−C6F4−CF2−)n、フッ素化ポリジエチルベンゼン、フッ素化ポリフルオロジエチルベンゼン、フッ素化ポリメチルエチルベンゼン、フッ素化ポリフルオロメチルエチルベンゼンなどが挙げられる。
(成膜装置及び成膜プロセス)
図1が、本実施の形態で用いられる成膜装置の概念図である。図1に示すように、本実施の形態の成膜装置1は、原料収納容器2、原料ガス流量制御装置4、還元ガス収納容器6、還元ガス流量制御装置8、加熱反応室10、成膜室12、圧力制御装置14、及び排気装置16などを備え、これらの各装置間を配管で接続しているものである。
図1が、本実施の形態で用いられる成膜装置の概念図である。図1に示すように、本実施の形態の成膜装置1は、原料収納容器2、原料ガス流量制御装置4、還元ガス収納容器6、還元ガス流量制御装置8、加熱反応室10、成膜室12、圧力制御装置14、及び排気装置16などを備え、これらの各装置間を配管で接続しているものである。
以下、本成膜装置の詳細及びこれを用いた成膜プロセスについて説明する。図1の成膜装置1においては、原料収納容器2に原料ガスが収容されている。
上記フッ化芳香族炭化水素重合体からなる有機絶縁膜を形成するのに用いられる原料ガスは、下記の式(1)〜式(4)で表される化合物(ジ(テトラフルオロ−p−キシリレン)およびその誘導体、ジブロモテトラフルオロ−p−キシリレンおよびその誘導体)よりなる群から選ばれる少なくともいずれか1種の化合物、もしくはこれらの化合物の混合物を原料として、図示しない加熱装置により加熱気化したものである。
上記フッ化芳香族炭化水素重合体からなる有機絶縁膜を形成するのに用いられる原料ガスは、下記の式(1)〜式(4)で表される化合物(ジ(テトラフルオロ−p−キシリレン)およびその誘導体、ジブロモテトラフルオロ−p−キシリレンおよびその誘導体)よりなる群から選ばれる少なくともいずれか1種の化合物、もしくはこれらの化合物の混合物を原料として、図示しない加熱装置により加熱気化したものである。
原料収納容器2内の原料図示しない加熱処理装置によって加熱・ガス化され、このガス化された原料ガスは、配管3から原料ガス流量制御装置4を経由して配管5を通過した後、加熱反応室6に移送される。原料ガス流量制御装置4は加熱反応室6に送られる原料ガスの流量を所望の値に制御するものであり、手動もしくは電気信号によって制御されるバルブのような流量制御装置を用いることができる。この原料収納容器2から流量制御装置4に至る経路の途中に、図示しないポンプのような気体移送手段を配置してもよい。また、ポンプとバルブを組み合わせて流量制御装置とすることもできる。
また、上記原料ガスには、希釈ガスを添加して用いることもできる。希釈ガスは、原料収納容器の原料に混合して用いてもよいし、原料収納容器2とは別に、希釈ガス容器を配置し、原料ガスが加熱反応室に供給される前の段階で混合されてもよい。
希釈ガスとしては、例えば窒素ガス、あるいはアルゴンガスなどの不活性ガス等を用いることができる。希釈ガスを原料ガスに混合して用いることにより、例えば半導体の被処理基板上に被着する膜の均一性を向上させることができる。但し、希釈ガスを用いなくても本発明を実施することは可能であり、その場合は有機薄膜前駆体のみを成膜室12に導入すればよい。
上記図1の成膜装置1では、原料収納容器2と平行して還元性ガスを加熱反応室10に供給する還元性ガス容器6を備えている。
この還元性ガスは、原料ガスの活性化反応の進行に伴って加熱反応室10内部に蓄積するハロゲン化物を除去するためのものであり、本実施の形態で用いることのできる還元性ガスとしては、水素、アンモニア、及び、ヒドラジンなどが挙げられる。また、これらのガスは、純粋なガスとして用いてもよいし、窒素あるいはアルゴンのような不活性ガスと混合して用いてもよい。
この還元性ガスは、原料ガスの活性化反応の進行に伴って加熱反応室10内部に蓄積するハロゲン化物を除去するためのものであり、本実施の形態で用いることのできる還元性ガスとしては、水素、アンモニア、及び、ヒドラジンなどが挙げられる。また、これらのガスは、純粋なガスとして用いてもよいし、窒素あるいはアルゴンのような不活性ガスと混合して用いてもよい。
還元性ガス容器6から供給される還元性ガスは、配管7を経由し流量制御装置8によって、流量が制御される。この流量制御装置8としては、手動もしくは電気信号によって制御されるバルブなどを用いることができる。この還元性ガス容器6から流量制御装置8に至る経路中に、図示しないポンプのような気体移送手段を配置してもよい。また、このポンプとバルブを組み合わせて、移送機能と流量制御機能を備えた装置を用いることもできる。前記流量制御装置8によって流量を制御された還元性ガスは、次いで、配管9を介して、加熱反応室10に供給される。
(加熱反応室)
本成膜装置1において、前記原料ガス及び還元性ガスは、被処理基板が載置さている成膜室12に供給される前に、加熱反応室10内に導入される。この機構は、原料ガスを活性化させて、重合反応によって、被処理基板上に重合膜を形成するための有機薄膜前駆体を形成する機構である。この加熱反応室10は、内部を電気ヒータのような加熱手段で加熱することができるようになっている容器であり、その内部温度は、室温〜700℃程度まで昇温することができるようにすることが好ましい。
本成膜装置1において、前記原料ガス及び還元性ガスは、被処理基板が載置さている成膜室12に供給される前に、加熱反応室10内に導入される。この機構は、原料ガスを活性化させて、重合反応によって、被処理基板上に重合膜を形成するための有機薄膜前駆体を形成する機構である。この加熱反応室10は、内部を電気ヒータのような加熱手段で加熱することができるようになっている容器であり、その内部温度は、室温〜700℃程度まで昇温することができるようにすることが好ましい。
原料ガス供給手段及び還元性ガス供給手段によって、この加熱反応室10内部に、原料ガス及び還元性ガスが導入され、500℃〜650℃、好ましくは550℃〜 600℃の温度に加熱され、原料ガスは加熱分解されて(テトラフルオロ−p−キシリレン)ポリマーなどの有機薄膜前駆体が形成される。この際に、加熱反応室10の内壁には、前記反応により、分解して生成した副生ハロゲン化合物が堆積することになる。加熱反応室10内壁に堆積したこの副生ハロゲン化合物は、原料ガスと同時に加熱反応室内に導入された還元性ガスと接触して、揮発性のハロゲン化水素を生成し、系外に排出されることになる。これによって、副生ハロゲン化合物に起因して不安定化していた被処理基板上へのフッ素化芳香族化合物重合体の成膜が安定化して行われるようになる。
(成膜室)
成膜室13は、被処理基板をその内部に配置できるように、被処理基板配置台を備えた容器であり、この成膜室13は、加熱ないしは冷却できるように図示しない温度制御装置が付設され、また、その内部の圧力を制御する圧力制御装置14が付設される。この成膜室13は、いわゆる常圧CVD装置あるは減圧CVD装置など、公知の装置を使用することができる。また、前記圧力制御装置14にはポンプのような排気装置16が配管15を介して接続されており、成膜室12の残存ガスなどが排出されるようになっている。
成膜室13は、被処理基板をその内部に配置できるように、被処理基板配置台を備えた容器であり、この成膜室13は、加熱ないしは冷却できるように図示しない温度制御装置が付設され、また、その内部の圧力を制御する圧力制御装置14が付設される。この成膜室13は、いわゆる常圧CVD装置あるは減圧CVD装置など、公知の装置を使用することができる。また、前記圧力制御装置14にはポンプのような排気装置16が配管15を介して接続されており、成膜室12の残存ガスなどが排出されるようになっている。
この成膜室の内部は、予め所定の真空度に減圧されていて、図示しないシリコンウェハなどの被処理基板が載置されている。導入した混合ガスを、表面温度を−50℃〜0 ℃、好ましくは−40℃〜−30℃に保持した被処理基板の上に導き、被処理基板上に下記の式(5)または式(6)で表される繰り返し単位を有するポリ(テトラフルオロ−p−キシリレン)またはその誘導体の薄膜を形成する。式(5)のポリ(テトラフルオロ−p−キシリレン)は、前述した式(1)または式(3)で表される原料を用いた場合に生成し、式(6)の誘導体は、前述した式(2)または式(4)で表される原料を用いた場合に生成する。尚、成膜室内での成膜時間を制御することによって所望の膜厚とすることができる。
上記プロセスによって成膜した芳香族炭化水素重合膜は、さらに加熱処理し、結晶性を向上させることによってさらに機械的特性などの膜特性を改善することができる。
この加熱条件としては、約300℃〜約500 ℃、好ましくは約350℃〜約400℃の温度で30分間〜180分間、好ましくは60分間〜90分間が好ましい。温度が300℃より低いと、結晶性の向上が期待できず、機械的強度が充分でなく、一方、温度が500℃より高くなると、被処理基板に被着したポリマーの分解反応が発生し膜が劣化する。
この加熱条件としては、約300℃〜約500 ℃、好ましくは約350℃〜約400℃の温度で30分間〜180分間、好ましくは60分間〜90分間が好ましい。温度が300℃より低いと、結晶性の向上が期待できず、機械的強度が充分でなく、一方、温度が500℃より高くなると、被処理基板に被着したポリマーの分解反応が発生し膜が劣化する。
前記加熱処理は、芳香族炭化水素重合膜を形成したチャンバー内で行ってもよいし、前記重合膜を成膜した被処理基板を加熱炉に移載して、加熱してもよい。また、加熱処理の際の雰囲気としては、非酸化性雰囲気もしくは真空であることが好ましく、非酸化性雰囲気としては、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気が好ましい。
したがって、本発明によるポリ(テトラフルオロ−p−キシリレン)またはその誘導体を絶縁膜材料として用いれば絶縁膜の低誘電率化を実現することができ、そして上記熱処理を行うことにより絶縁膜として充分な機械的硬度を付与することができる。
また、結晶性の有機ポリマーであれば本発明による加熱処理を適用することが可能である。すなわち、このような熱処理を行うことによりポリマーの結晶化を進行させることが可能であり、無機材料膜に比べて一般的に機械的強度が劣る有機材料膜の機械的強度を充分なものとすることができる。
以下に、本発明の実施例であるフッ素化芳香族炭化水素重合体を用いた成膜方法を、本発明の薄膜形成装置の概念図である図1を用いて説明する。
フッ素化芳香族炭化水素重合体膜を以下の条件にて成膜する。すなわち、原料収納容器2より、加熱・気化させた原料ガス(C8H4F4Br2)を、流量制御装置4により流量を制御しながら、内壁温度が600℃の加熱反応室10において活性化し、重合反応を生起させ、有機薄膜を形成するための有機薄膜前駆体を形成する。
こうして生成した有機薄膜前駆体を、成膜室12内に導入し、この成膜室12内に配置されている、30℃に制御された静電チャック上に載置された被処理基板上に有機薄膜前駆体を導き、流量5sccm、成膜圧力20mTorrにて、有機物薄膜としてフッ素化ポリキシリレン(−CF2−C6H4−CF2−)nを形成した。
フッ素化芳香族炭化水素重合体膜を以下の条件にて成膜する。すなわち、原料収納容器2より、加熱・気化させた原料ガス(C8H4F4Br2)を、流量制御装置4により流量を制御しながら、内壁温度が600℃の加熱反応室10において活性化し、重合反応を生起させ、有機薄膜を形成するための有機薄膜前駆体を形成する。
こうして生成した有機薄膜前駆体を、成膜室12内に導入し、この成膜室12内に配置されている、30℃に制御された静電チャック上に載置された被処理基板上に有機薄膜前駆体を導き、流量5sccm、成膜圧力20mTorrにて、有機物薄膜としてフッ素化ポリキシリレン(−CF2−C6H4−CF2−)nを形成した。
上記成膜プロセスにおいて、還元性ガスとして水素ガス10sccmを原料ガスに添加した場合と、添加しない場合において、成膜時間を種々変更して成膜速度を測定した。その結果を図2に示す。
図2は、フッ素化芳香族炭化水素重合膜の成膜時間と膜厚の関係を示すグラフである。図2の結果から明らかなように、還元性ガスとして水素を10sccm加えた時は、成膜速度の低下が見られないが、水素を添加しなかった場合は、成膜開始からおよそ60秒後に成膜速度の低下が見られた。これは、有機薄膜前駆体生成反応の、副生成物の臭素が加熱反応室の内壁に付着し,徐々に反応効率が低下していると考えられる。
また、上記実験において、還元性ガスとして、アンモニア、ヒドラジン等を用いても同様の効果が得られた。
以上の説明においては、有機薄膜の形成方法として、フッ素化ポリキシリレン(−CF2−C6F4−CF2−)n膜の形成について説明したが、本発明の方法は必ずしもこれに限らず、フッ素化エチレン膜等のフッ素化有機膜や有機ポリマー膜を用いた薄膜の積層化の工程全般にも応用可能であり、工業的に有益な技術であることが明らかとなった。
1…成膜装置
2…原料収納容器
3、5、7、9、11、13、15、17…配管
6…還元性ガス収納容器
7…流量制御装置
10…加熱反応室
12…成膜室
14…圧力制御装置
16…排気装置
2…原料収納容器
3、5、7、9、11、13、15、17…配管
6…還元性ガス収納容器
7…流量制御装置
10…加熱反応室
12…成膜室
14…圧力制御装置
16…排気装置
Claims (3)
- 原料ガスを活性化する加熱反応室を備え、活性化された前記原料ガスを被処理基板上に供給し、前記被処理基板表面に前記原料ガスの重合膜薄膜を形成するにあたり、
前記原料ガスと、還元性ガスとを混合して前記加熱反応室に導入することを特徴とするフッ素化芳香族炭化水素重合膜からなる有機薄膜の形成方法。 - 前記フッ素化芳香族炭化水素重合体膜が、(−CF2−C6H4−CF2−)nからなる構造を有するフッ素化ポリキシリレンもしくはその共重合体であることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜の形成方法。
- 前記フッ素化芳香族炭化水素重合体膜が、(−CF2−C6F4−CF2−)nを基本構造とするフッ素化ポリフルオロキシリレンもしくはその共重合体であることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003405419A JP2005167046A (ja) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 有機薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003405419A JP2005167046A (ja) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 有機薄膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005167046A true JP2005167046A (ja) | 2005-06-23 |
Family
ID=34728092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003405419A Pending JP2005167046A (ja) | 2003-12-04 | 2003-12-04 | 有機薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005167046A (ja) |
-
2003
- 2003-12-04 JP JP2003405419A patent/JP2005167046A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020065087A (ja) | SiOCN薄膜の形成 | |
US6991959B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide film | |
JP2023015253A (ja) | 半導体処理装置 | |
JP4066332B2 (ja) | シリコンカーバイド膜の製造方法 | |
JP2017034245A (ja) | 感受性材料上にハロゲン化物含有ald膜を統合する方法 | |
JP2002124488A (ja) | W(co)6からのタングステン膜の堆積方法 | |
TW201204862A (en) | Ultra high selectivity ashable hard mask film | |
TW201022466A (en) | Dielectric barrier deposition using oxygen containing precursor | |
TW200422425A (en) | Method for forming tungsten nitride film | |
JP2005029821A (ja) | 成膜方法 | |
JP2956693B1 (ja) | 金属窒化膜形成方法 | |
US7601402B2 (en) | Method for forming insulation film and apparatus for forming insulation film | |
JP4628257B2 (ja) | 多孔質膜の形成方法 | |
JP2005183729A (ja) | 有機薄膜の形成方法 | |
JP4015976B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP2005167046A (ja) | 有機薄膜の形成方法 | |
JP2004111688A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2005167047A (ja) | 有機薄膜の形成方法 | |
JP3228251B2 (ja) | Cvd装置及びそれを使用した半導体装置の製造方法 | |
JP4448582B2 (ja) | タンタル−炭素系薄膜の形成方法 | |
US9371430B2 (en) | Porous film with high hardness and a low dielectric constant and preparation method thereof | |
JP2001230244A (ja) | 絶縁膜の形成方法および多層配線 | |
US11133177B2 (en) | Oxidation reduction for SiOC film | |
TWI851635B (zh) | 在溝槽上面形成低k可流動介電膜的方法 | |
US20240087881A1 (en) | Systems and methods for depositing low-k dielectric films |