JP2005164570A - ガスセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 左側及び右側の各密着層70となるゾル溶液を、保護層50の表面のうち各発熱抵抗体30に対する対応表面部位にスピンコート法により層状に塗布し左側及び右側の各ゾル溶液層として形成する。ついで、ガス検知層80及び参照層90となる各ペーストを上記左側及び右側の各ゾル溶液層の表面にスクリーン印刷法により印刷して左側及び右側のペースト層として形成する。然る後、各ゾル溶液層及び各ペースト層を共に焼成し各密着層、ガス検知層及び参照層として形成する。
【選択図】 図1
Description
この密着層は、ガス検知層のうち密着層の近傍部位に埋まるように、形成されていることを特徴とする。
板厚方向に空洞部(11)を形成してなる半導体基板(10)と、
この半導体基板上に形成されて上記空洞部に対する対応部にて隔壁部(21)を有してなる絶縁層(20)と、
上記隔壁部上に形成される発熱抵抗体(30)と、
この発熱抵抗体を覆うように絶縁層上に形成される保護層(50)と、
この保護層を介し発熱抵抗体に対向するように保護層上に厚膜状に形成される多孔質性ガス検知層(80)とを有する。
この密着層は、ガス検知層のうち密着層の近傍部位に埋まるように、形成されていることを特徴とする。
絶縁性密着層(70)となるゾル溶液でもってゾル溶液層(71)を基体(10、20、30、50)上に形成し、
ガス検知層(80)となるペーストでもってゾル溶液層上にペースト層(81)を形成し、
ゾル溶液層及びペースト層を共に焼成し密着層及びガス検知層として形成する。
絶縁性密着層(70)となるゾル溶液でもって基体(10、20、30、50)上にゾル溶液層(71)を形成するゾル溶液層形成工程と、
このゾル溶液層形成工程後、ガス検知層(80)となるペーストでもってゾル溶液層上にペースト層(81)を形成するペースト層形成工程と、
このペースト層形成工程後、ゾル溶液層及びペースト層を所定焼成条件にて共に焼成し密着層及びガス検知層として形成する焼成工程とを備える。
この滴下工程後、ガス検知層を密着層とともに所定の再焼成条件にて再焼成する再焼成工程とを備えることを特徴とする。
(第1実施形態)
図1及び図2は、本発明に係るガスセンサの一つである接触燃焼式ガスセンサの第1実施形態を示しており、この接触燃焼式ガスセンサは、図1にて示すごとく、シリコン製半導体基板10及び上下両側絶縁層20を備えている。上側絶縁層20は、半導体基板10の表面に形成されており、一方、下側絶縁層20は、半導体基板10の裏面に形成されている。
(1)各絶縁層20の形成工程
シリコン基板を半導体基板10として準備する(図3参照)。このように半導体基板10としてシリコン基板を採用するのは、当該シリコン基板は、微細加工技術により容易に小型化可能なためである。
(2)各発熱抵抗体30及び各配線膜40の形成工程
上述のように各絶縁層20を形成した後、所定温度の雰囲気内において、下側タンタル膜(Ta膜)を上側絶縁層20の表面にスパッタリングにより形成し、ついで、白金膜(Pt膜)を上記下側タンタル膜にスパッタリングにより積層状に形成し、さらに、上側タンタル膜を当該白金膜にスパッタリングにより積層状に形成する。なお、上記下側タンタル膜は、上記白金膜の上側絶縁層20との密着強度を高める役割をもつ。
(3)保護層50の形成工程
上述のように各発熱抵抗体30及び各配線膜40を形成した後、酸化シリコン層(SiO2層)を、化学蒸着法により、各発熱抵抗体30及び各配線膜40を覆うようにして上側絶縁層20の表面上に成膜形成する。さらに、当該酸化シリコン層上に、窒化シリコン層(Si3N4層)を、化学蒸着法により積層状に成膜形成する。
(4)各電極膜60の形成工程
上述のように保護層50を形成した後、白金(Pt)、金(Au)、アルミニウム(Al)或いはニッケル(Ni)等の導電性金属を、化学蒸着法或いは物理蒸着法等の一般的な成膜法でもって、保護層50上に金属膜として形成する。然る後、このように形成した金属膜のうち各コンタクトホール51に対する対応部以外の部位を、フォトリソグラフィ処理のもとエッチングにより除去する。
(5)各空洞部11の形成工程
上述のように各電極膜60を形成した後、下側絶縁層20のうち左右両側発熱抵抗体30に対応する各部位を、フォトリソグラフィ処理のもと、エッチングにより除去し、ついで、この除去部位に対応する半導体基板10の各部位を水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて異方性エッチングにより除去して、上側絶縁層20のうち各発熱抵抗体30に対応する部位を外方に露呈させる。
(6)各密着層70並びにガス検知層80及び参照層90の形成工程
上述のように各空洞部11を形成した後、次のようにして各密着層70並びにガス検知層80及び参照層90を共に形成する。
(第2実施形態)
図15は、本発明の第2実施形態を示している。この第2実施形態では、上記第1実施形態にて述べたガスセンサにおいて、下側絶縁層20及び参照層90が廃止され、半導体基板10がその各空洞部11を廃止した形状となっている。その他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について説明する。この第3実施形態では、上記第1実施形態にて述べたガスセンサの製造工程とは、次のような工程を付加する製造工程となっている点で相違する。その他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態について説明する。この第4実施形態では、上記第2実施形態と同様に、上記第1実施形態にて述べたガスセンサにおいて下側絶縁層20及び参照層90を廃止し、かつ半導体基板10をその各空洞部11を廃止した形状となっている。そして、このような形状のガスセンサの製造にあたり、上記第3実施形態にて述べた製造工程が本第4実施形態において採用されている。
(1)各絶縁層20或いは保護層50は、上記各実施形態にて述べたように複層のものに限らず、酸化シリコン膜(SiO2膜)或いは窒化シリコン膜(Si3N4膜)でもって単層に形成してもよい。
(2)各絶縁層20は次のように形成してもよい。即ち、半導体基板10を洗浄した上で当該半導体基板10の表裏面に酸化シリコン膜(SiO2膜)を薄膜形成法(例えば、化学蒸着法)により形成する。
(3)発熱抵抗体30は、上側絶縁層20の隔壁部21やガス検知層80を所定温度に加熱することができればよい。従って、発熱抵抗体30は、白金膜に代えて、金(Au)或いはルテニウム(Ru)からなる膜であってもよく、一般的には貴金属であってもよい。また、当該発熱抵抗体30は、シリコン(Si)で形成されていてもよい。
(4)密着層70となるゾル溶液をゾル溶液層として形成するにあたっては、スピンコート法に限ることなく、スクリーン印刷法や塗布法に依ってもよい。これによっても、スピンコート法による場合と同様に簡便にゾル溶液層を形成することができ、安価に済む。
(5)ガス検知層80となるペーストは、上記多孔質性セラミックスのみをペースト化し、このようにペースト化したものを、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ルテニウム(Ru)或いはロジウム(Rh)等の貴金属を含有する溶液に浸漬させて当該貴金属を担持させて形成したものでもよい。
(6)ガス検知層80となるペーストをペースト層として形成するにあたっては、スクリーン印刷法に限ることなく、ディスペンサーによるディップ等に依ってもよい。
(7)上記ゾル溶液は、上述のようにゾル溶液層として形成された後、液状を保つため、単独では焼成されないが、当該ゾル溶液層に脱水処理程度の加熱処理を施してもよい。
(8)半導体基板10及び上側絶縁層20に代えて、アルミナ基板を採用し、このアルミナ基板上に発熱抵抗体を介し密着層を形成し、当該密着層上にガス検知層を形成するようにしてもよい。
(9)接触燃焼式ガスセンサに限ることなく、例えば、当該接触燃焼式ガスセンサの発熱抵抗体及びガス検知層に相当する発熱抵抗体及びガス検知層を有する半導体式ガスセンサに本発明を適用してもよい。
(10)上記第1実施形態にて述べたガスセンサにおいて、上記温度補償部を構成する上記参照層を廃止して、当該温度補償部を発熱抵抗体のみからなる温度補償部としてもよく、さらには、温度補償部を廃止してもよい。
(11)上述の密着層70となるゾル溶液としては、アルミナゾルからなる溶液に限ることなく、例えば、シリカゾル或いはチタニアゾルからなる溶液を採用してもよく、一般的には、焼成後に電気絶縁体となる材料からなる溶液であればよい。
50…保護層、70…密着層、71…ゾル溶液層、80…ガス検知層、81…ペースト層、90…参照層。
Claims (5)
- 基体上に厚膜状に形成される多孔質性ガス検知層を有するガスセンサにおいて、
前記ガス検知層と前記基体との間に形成される絶縁性密着層を備えて、
この密着層は、前記ガス検知層のうち前記密着層の近傍部位に埋まるように、形成されていることを特徴とするガスセンサ。 - 板厚方向に空洞部を形成してなる半導体基板と、
この半導体基板上に形成されて前記空洞部に対する対応部にて隔壁部を有してなる絶縁層と、
前記隔壁部上に形成される発熱抵抗体と、
この発熱抵抗体を覆うように前記絶縁層上に形成される保護層と、
この保護層を介し前記発熱抵抗体に対向するように前記保護層上に厚膜状に形成される多孔質性ガス検知層とを有するガスセンサにおいて、
前記保護層を介し前記発熱抵抗体に対向するように前記ガス検知層と前記保護層との間に形成される絶縁性密着層を備えて、
この密着層は、前記ガス検知層のうち前記密着層の近傍部位に埋まるように、形成されていることを特徴とするガスセンサ。 - 絶縁性密着層となるゾル溶液でもってゾル溶液層を基体上に形成し、
ガス検知層となるペーストでもって前記ゾル溶液層上にペースト層を形成し、
前記ゾル溶液層及び前記ペースト層を共に焼成し前記密着層及び前記ガス検知層として形成するガスセンサ。 - 絶縁性密着層となるゾル溶液でもって基体上にゾル溶液層を形成するゾル溶液層形成工程と、
このゾル溶液層形成工程後、ガス検知層となるペーストでもって前記ゾル溶液層上にペースト層を形成するペースト層形成工程と、
このペースト層形成工程後、前記ゾル溶液層及び前記ペースト層を所定焼成条件にて共に焼成し前記密着層及びガス検知層として形成する焼成工程とを備えるガスセンサの製造方法。 - 前記焼成工程後、前記ゾル溶液を前記ガス検知層に滴下する滴下工程と、
この滴下工程後、前記ガス検知層を前記密着層とともに所定の再焼成条件にて再焼成する再焼成工程とを備えることを特徴とする請求項4に記載のガスセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004252206A JP4283188B2 (ja) | 2003-11-11 | 2004-08-31 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003381629 | 2003-11-11 | ||
JP2004252206A JP4283188B2 (ja) | 2003-11-11 | 2004-08-31 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005164570A true JP2005164570A (ja) | 2005-06-23 |
JP4283188B2 JP4283188B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=34741651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004252206A Active JP4283188B2 (ja) | 2003-11-11 | 2004-08-31 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4283188B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP7421442B2 (ja) | 2020-08-07 | 2024-01-24 | 新コスモス電機株式会社 | Mems型半導体式ガス検知素子 |
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JP4283188B2 (ja) | 2009-06-24 |
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