JP2005161217A - Nozzle, and substrate treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶デバイスの製造工程において、液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display:LCD)等に使用されるLCD基板に対し所定の液処理を行いLCD基板を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置に用いられるノズルに関する。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is used in a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus for performing predetermined liquid processing on an LCD substrate used for a liquid crystal display (LCD) or the like and drying the LCD substrate in a liquid crystal device manufacturing process. It relates to the nozzle.
LCDの製造工程において、LCD用のLCD基板上にITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをLCD基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。 In the LCD manufacturing process, a photolithography technique similar to that used for manufacturing semiconductor devices is used to form an ITO (Indium Tin Oxide) thin film or electrode pattern on an LCD substrate for LCD. In the photolithography technique, a photoresist is applied to an LCD substrate, which is exposed and further developed.
これらレジスト塗布、露光及び現像の一連の処理は、従来から、塗布、現像あるいはベーキングや洗浄等の各処理を行う基板処理装置によって行われている。 Conventionally, a series of processes such as resist coating, exposure, and development are performed by a substrate processing apparatus that performs each process such as coating, developing, baking, and cleaning.
この基板処理装置における現像処理及び洗浄処理では、例えば、基板をコロ式の搬送ローラによりほぼ水平に搬送させながら、現像液や洗浄液等の処理液を基板に供給して現像処理、洗浄処理を行っている。その後、一端部が搬送方向の最も下流側となるように斜めに配置されたエアナイフノズルから基板に高圧のエアを噴出して基板上の処理液を除去し液切りを行っている(例えば、特許文献1参照。)。 In the development processing and cleaning processing in this substrate processing apparatus, for example, while the substrate is transported almost horizontally by a roller-type transport roller, a processing liquid such as a developing solution or a cleaning liquid is supplied to the substrate to perform development processing and cleaning processing. ing. Thereafter, high-pressure air is ejected from the air knife nozzle disposed obliquely so that one end portion is the most downstream side in the transport direction to remove the processing liquid on the substrate and perform liquid cutting (for example, patents) Reference 1).
また、基板の全面にエアを噴出するためのノズルとは別に、基板における搬送方向の後端の一方の角部に集中的にエアを噴出するためのノズルを設けることで、液切りが困難な基板後端の一方の角部において液切りをする技術も知られている(例えば、特許文献2参照。)。
しかしながら、特許文献1の技術では、処理液の除去が困難な基板の後端付近において、基板の搬送方向に直交する幅方向にほぼ均一にエアを噴出する。このとき、エアナイフノズルの一端部が搬送方向の最も下流側となるように傾けて配置されているため、基板後端の一方の角部に処理液が残り易く、この角部の処理液を充分に除去しきれない場合がある。この角部の処理液を充分に除去するためにエアの使用量を増加させると、コスト高となるとともに、設備に過大な負担を掛けることになる。
However, with the technique of
また、特許文献2の技術では、基板の全面にエアを噴出するためのノズルとは別に、処理液の残留し易い基板後端の一方の角部にエアを噴出するためのエア噴出ノズルが設けられている。このため、基板処理装置がコスト高となるとともに、エアの使用量が増加するという問題がある。
Further, in the technique of
上記事情に鑑み、本発明は、気体の使用量の増加を抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域(角部)に付着する処理液を除去可能な基板処理装置及び該基板処理装置に用いられるノズルを提供することを課題とする。 In view of the above circumstances, the present invention is a substrate capable of removing processing liquid adhering to a region (corner portion) near the rear end in the transport direction among regions near the side end of the substrate while suppressing an increase in the amount of gas used. It is an object to provide a processing apparatus and a nozzle used in the substrate processing apparatus.
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板を搬送する搬送機構と、搬送される前記基板の側端付近以外の領域である第1の領域に向けて第1の流量で気体を噴出可能であり、前記基板の側端付近の領域である第2の領域に向けて第1の流量より多い第2の流量で気体を噴出可能な長尺状のノズルと、前記ノズルの一端部を前記第2の領域に対向させ、かつ、該一端部を前記基板の搬送方向の最も下流側に配置させるように前記ノズルを前記搬送方向に対して斜めに保持する保持部と、前記ノズルに気体を供給する供給機構とを具備する。 In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus according to the present invention has a transport mechanism for transporting a substrate and a first flow rate toward a first region that is a region other than the vicinity of the side edge of the substrate being transported. An elongated nozzle capable of ejecting gas and capable of ejecting gas at a second flow rate greater than the first flow rate toward a second region which is a region near a side edge of the substrate; A holding portion that holds the nozzle obliquely with respect to the transport direction so that the one end portion faces the second region and the one end portion is disposed on the most downstream side in the transport direction of the substrate; And a supply mechanism for supplying gas to the nozzle.
本発明では、ノズルが基板の搬送方向に対して斜めに設けられている。このため、基板が搬送されると、基板の第2の領域のうち搬送方向の後端付近の領域(角部)に処理液が押し流される。このとき、ノズルによりこの基板の第1の領域より第2の領域に多く気体を噴出することができる。従って、第1の領域での気体の使用量の増加を抑制しつつ、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域(角部)に付着している処理液を拡散して除去することができる。 In the present invention, the nozzles are provided obliquely with respect to the substrate transport direction. For this reason, when the substrate is transported, the processing liquid is swept away into a region (corner portion) near the rear end in the transport direction in the second region of the substrate. At this time, more gas can be ejected to the second area than the first area of the substrate by the nozzle. Therefore, while suppressing an increase in the amount of gas used in the first region, the processing liquid adhering to the region (corner) near the rear end in the transport direction out of the region near the side edge of the substrate is diffused. Can be removed.
本発明の一の形態によれば、前記供給機構は、前記ノズルから噴出される気体を、前記搬送される基板の後端付近以外の領域に向けて第3の流量で噴出し、前記後端付近の領域に向けて前記第3の流量より多い第4の流量で噴出するように制御する手段を有する。これにより、例えば、第3の流量より多い第4の流量の領域を基板の後端の領域に限定することができる。従って、気体の使用量の増加を抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域(角部)に付着する処理液を除去することができる。 According to an aspect of the present invention, the supply mechanism ejects the gas ejected from the nozzle at a third flow rate toward a region other than the vicinity of the rear end of the transported substrate, and the rear end. Means for controlling to eject at a fourth flow rate greater than the third flow rate toward a nearby region. Thereby, for example, the region of the fourth flow rate higher than the third flow rate can be limited to the region at the rear end of the substrate. Therefore, it is possible to remove the processing liquid adhering to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction among the regions near the side edges of the substrate while suppressing an increase in the amount of gas used.
本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、第1の幅で設けられ気体を噴出するための第1の噴出口と、前記ノズルのほぼ長手方向で前記第1の噴出口と隣接して前記一端部に設けられるとともに、前記第1の幅より広い第2の幅で設けられた第2の噴出口とを前記ノズルの先端に有する噴出部と、前記第1の噴出口及び前記第2の噴出口に連通して設けられ、前記供給機構から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路とを有する。これにより、供給機構から流路に気体を流通させて、この気体を第2の噴出口から基板に向けて噴出することができる。第2の噴出口の第2の幅は、第1の噴出口の第1の幅より広いので、基板の側端付近の領域に多く気体を噴出して後端付近の領域(角部)に付着する処理液を除去することができる。 According to an aspect of the present invention, the nozzle is provided with a first width and is adjacent to the first jet outlet in a substantially longitudinal direction of the nozzle. A jet part having a second jet port provided at the one end portion and having a second width larger than the first width at the tip of the nozzle, the first jet port, and the first jet port. And a flow path that is provided in communication with the two jet outlets and introduces the gas supplied from the supply mechanism and distributes the gas to the jet section. Thereby, gas can be distribute | circulated to a flow path from a supply mechanism, and this gas can be ejected toward a board | substrate from a 2nd jet nozzle. Since the second width of the second jet port is wider than the first width of the first jet port, a large amount of gas is jetted in the region near the side edge of the substrate, and the region (corner) near the rear end. The treatment liquid that adheres can be removed.
本発明の一の形態によれば、前記流路は、前記先端に向かうにつれて狭まるように構成されており、前記第2の噴出口は、前記一端部の前記先端が切り欠かれて設けられている。このような構成によれば、切り欠きを設けることにより第2の噴出口の大きさが大きくなる。このため、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域(角部)に多く気体を噴出して角部に付着する処理液を拡散して除去することができる。 According to an aspect of the present invention, the flow path is configured to narrow toward the tip, and the second jet port is provided with the tip of the one end cut out. Yes. According to such a structure, the magnitude | size of a 2nd jet nozzle becomes large by providing a notch. For this reason, it is possible to diffuse and remove the processing liquid adhering to the corner portion by ejecting a large amount of gas to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction in the region near the side edge of the substrate.
本発明の一の形態によれば、前記第2の幅は、0.2mm乃至0.5mmである。このような構成によれば、第2の幅が0.2mm以上なので、第2の噴出口の大きさを確保して処理液に長時間第2の流量の気体を噴出することができる。また、第2の幅が0.5mm以下なので、第2の噴出口が大きくなり過ぎて気体の流速を確保することが困難となることを防止することができる。 According to an embodiment of the present invention, the second width is 0.2 mm to 0.5 mm. According to such a configuration, since the second width is 0.2 mm or more, it is possible to ensure the size of the second ejection port and eject the gas having the second flow rate into the processing liquid for a long time. In addition, since the second width is 0.5 mm or less, it is possible to prevent the second jet outlet from becoming too large to ensure the gas flow rate.
本発明の一の形態によれば、前記第2の幅は0.3mmである。これにより、基板1枚当たり、例えば、1600l/min程度の最小の気体の流量で基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域(角部)に付着する処理液を除去することができる。 According to one aspect of the invention, the second width is 0.3 mm. This removes the processing liquid adhering to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction out of the region near the side edge of the substrate with a minimum gas flow rate of about 1600 l / min per substrate, for example. be able to.
本発明の一の形態によれば、前記噴出部は、前記第1の噴出口と前記第2の噴出口との間に設けられ、該第1から第2の噴出口に向かうにつれて幅が広くなる第3の噴出口を有する。これにより、第1の噴出口と第2の噴出口との間において急激な気体の流量変化が生ずることを防止して、第2の噴出口を設けることにより基板上に処理液が残留することを防止することができる。 According to one form of this invention, the said ejection part is provided between the said 1st ejection port and the said 2nd ejection port, and a width | variety becomes wide as it goes to this 2nd ejection port from this 1st. A third spout is formed. This prevents a sudden change in the gas flow rate between the first outlet and the second outlet, and the treatment liquid remains on the substrate by providing the second outlet. Can be prevented.
本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、前記搬送される基板を挟むように上下に相対して配設されている。これにより、気体の流量のバランスを安定させて、基板の上下面全域において処理液を除去することができる。 According to an aspect of the present invention, the nozzles are disposed so as to be opposed to each other so as to sandwich the substrate to be transported. Thereby, the balance of the gas flow rate can be stabilized and the processing liquid can be removed in the entire upper and lower surfaces of the substrate.
本発明の一の形態によれば、前記流路を流通する気体を加熱する加熱機構を更に具備する。これにより、加熱機構により加熱された気体を処理液に噴出して処理液の乾燥を促進させることができる。 According to one form of this invention, the heating mechanism which heats the gas which distribute | circulates the said flow path is further comprised. Thereby, the gas heated by the heating mechanism can be ejected to the treatment liquid to promote drying of the treatment liquid.
本発明に係るノズルは、第1の幅で設けられ気体を噴出するための第1の噴出口と、一端部に設けられ長手方向で前記第1の噴出口と隣接して前記第1の幅より広い第2の幅で設けられた第2の噴出口とを有する噴出部と、前記第1の噴出口及び前記第2の噴出口に連通して設けられ、外部から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路とを具備する。 The nozzle according to the present invention is provided with a first width and provided with a first width for ejecting a gas, and the first width is provided at one end and adjacent to the first width in the longitudinal direction. A jet part having a second jet port provided with a wider second width, and a gas supplied from the outside, which is provided in communication with the first jet port and the second jet port, are introduced. And a flow path that circulates to the ejection part.
本発明では、外部から流路に気体を流通させて、この気体を第1の噴出口及び第2の噴出口から基板に向けて噴出することができる。このとき、第2の噴出口の第2の幅は、第1の噴出口の第1の幅より広いので、基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域(角部)に多く気体を噴出して角部に付着する処理液を除去することができる。 In the present invention, gas can be circulated from the outside to the flow path, and this gas can be ejected from the first ejection port and the second ejection port toward the substrate. At this time, since the second width of the second ejection port is wider than the first width of the first ejection port, the region (corner portion) near the rear end in the transport direction in the region near the side edge of the substrate. It is possible to remove the treatment liquid adhering to the corners by ejecting a large amount of gas.
本発明に係る基板処理方法は、(a)搬送される基板の後端付近以外の領域のうち側端付近の領域である第1の領域に向けて第1の流量で気体を噴出する工程と、(b)前記基板の後端付近以外の領域のうち前記第1の領域以外の第2の領域に向けて第1の流量より少ない第2の流量で気体を噴出する工程と、(c)前記基板の後端付近の領域のうち側端付近以外の領域である第3の領域に向けて前記第2の流量より多い第3の流量で気体を噴出する工程と、(d)後端付近の領域のうち前記第3の領域以外の第4の領域に向けて前記第1の流量より多い第4の流量で気体を噴出する工程とを具備する。 The substrate processing method according to the present invention includes: (a) a step of ejecting gas at a first flow rate toward a first region that is a region near the side edge among regions other than the vicinity of the rear end of the substrate to be transferred; (B) jetting gas at a second flow rate less than the first flow rate toward a second region other than the first region among regions other than the vicinity of the rear end of the substrate; and (c). A step of jetting gas at a third flow rate greater than the second flow rate toward a third region which is a region other than the vicinity of the side edge in a region near the rear end of the substrate; and (d) near the rear end And jetting gas at a fourth flow rate greater than the first flow rate toward a fourth region other than the third region.
本発明では、第2の領域に噴出される第2の流量が第1の領域に噴出される第1の流量より少ない。このため、第1、第2の領域において第1の流量で気体を噴出する場合に比べて気体の流量を抑制して処理液を除去することができる。また、第3の領域に噴出される第3の流量が第4の領域に噴出される第4の流量より少なく、第4の流量が第1の流量より多い。このため、第3の領域において気体の流量を抑えつつ第4の領域の後端付近の角部に付着した処理液を拡散して除去することができる。 In the present invention, the second flow rate ejected to the second region is smaller than the first flow rate ejected to the first region. For this reason, compared with the case where gas is ejected at the first flow rate in the first and second regions, the treatment liquid can be removed while suppressing the gas flow rate. Further, the third flow rate ejected to the third region is smaller than the fourth flow rate ejected to the fourth region, and the fourth flow rate is larger than the first flow rate. For this reason, it is possible to diffuse and remove the processing liquid adhering to the corner near the rear end of the fourth region while suppressing the gas flow rate in the third region.
本発明の一の形態によれば、前記工程(a)の前に、前記基板に疎水性の処理液を塗布する工程を更に具備する。これにより、基板に気体を噴出して処理液を拡散する前に、基板上の処理液を乾燥させることができる。 According to an aspect of the present invention, the method further includes a step of applying a hydrophobic treatment liquid to the substrate before the step (a). Thus, the processing liquid on the substrate can be dried before gas is blown onto the substrate to diffuse the processing liquid.
本発明によれば、気体の使用量が増加することを抑制しつつ基板の側端付近の領域のうち搬送方向の後端付近の領域(角部)に付着する処理液を拡散して除去することができる。 According to the present invention, the processing liquid adhering to the region (corner portion) near the rear end in the transport direction out of the region near the side edge of the substrate is suppressed while increasing the amount of gas used is suppressed. be able to.
以下、本発明の第1の実施の形態について図面を参照して説明する。 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view showing a resist coating and developing apparatus for an LCD substrate according to a first embodiment of the present invention.
レジスト塗布現像処理装置100は、複数のLCD基板G(以下、基板Gと略称する。)を収容するカセットCを載置するカセットステーション(搬入出部)1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理部)2と、露光装置4との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション(インターフェイス部)3とを備えており、処理ステーション2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイスステーション3が配置されている。なお、図1において、レジスト塗布現像処理装置100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。
The resist coating / developing
カセットステーション1は、カセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えており、このカセットステーション1において外部に対するカセットCの搬入出が行われる。また、搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによりカセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入出が行われる。
The
処理ステーション2は、基本的にX方向に伸びる基板G搬送用の平行な2列の搬送ラインA、Bを有しており、搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けてスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21、第1の熱的処理ユニットセクション26、レジスト処理ユニット23および第2の熱的処理ユニットセクション27が配列されている。また、搬送ラインBに沿ってインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて第2の熱的処理ユニットセクション27、現像処理ユニット(DEV)24、i線UV照射ユニット(i−UV)25および第3の熱的処理ユニットセクション28が配列されている。なお、エキシマUV照射ユニット(e−UV)22はスクラバ洗浄に先立って基板Gの有機物を除去するために設けられ、i線UV照射ユニット(i−UV)25は現像の脱色処理を行うために設けられる。
The
スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21は、その中で基板Gが従来のように回転されることなく、後述するように略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。現像処理ユニット(DEV)24も、その中で基板Gが回転されることなく、後述するように略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25への基板Gの搬送は、現像処理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。 The scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 is configured to perform cleaning processing and drying processing while being transported substantially horizontally, as will be described later, without the substrate G being rotated in the conventional manner. The development processing unit (DEV) 24 also performs the developer application, the developer cleaning after the development, and the drying process while being transported substantially horizontally as will be described later, without the substrate G being rotated therein. ing. In the scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the transport inlet and the transport outlet of the substrate G are opposed short sides. Is provided. Further, the transport of the substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the transport mechanism of the development processing unit (DEV) 24.
レジスト処理ユニット23は、基板Gにレジストを塗布するためのレジスト塗布処理装置(CT)23a、基板G上に形成されたレジスト膜を減圧容器で減圧乾燥する減圧乾燥装置(VD)23b、およびステージに載置された基板Gの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドにより基板Gの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置(ER)23cがその順に配置されている。レジスト処理ユニット23は、相対向する短辺に基板Gの搬入口および搬出口が設けられている。
The resist
第1の熱的処理ユニットセクション26は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31,32を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)31はスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)32はレジスト処理ユニット23側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31,32の間に第1の搬送装置33が設けられている。
The first thermal
熱的処理ユニットブロック(TB)31は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)、基板Gに対して脱水ベーク処理を行う2つの脱水ベークユニット(DHP)、基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)の4段積層されて構成されている(図示を省略する)。熱的処理ユニットブロック(TB)32は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)、基板Gを冷却する2つのクーリングユニット(COL)、基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)の4段積層されて構成されている。第1の搬送装置33は、パスユニット(PASS)を介してのスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21からの基板Gの受け取り、熱的処理ユニット間の基板Gの搬入出、およびパスユニット(PASS)を介してレジスト処理ユニット23への基板Gの受け渡しを行う。
The thermal processing unit block (TB) 31 includes a pass unit (PASS) that transfers the substrate G in order from the bottom, two dehydration bake units (DHP) that perform a dehydration bake process on the substrate G, and a substrate G. The adhesion processing unit (AD) for performing the hydrophobization process is configured by being stacked in four stages (not shown). The thermal processing unit block (TB) 32 includes a pass unit (PASS) for transferring the substrate G in order from the bottom, two cooling units (COL) for cooling the substrate G, and an adhesion for applying a hydrophobic treatment to the substrate G. The processing units (AD) are stacked in four stages. The
第1の搬送装置33は、上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック(TB)31,32のいずれのユニットにもアクセス可能である。第2の熱的処理ユニットセクション27及び第3の熱的処理ユニットセクション28について同様に構成されている。
Since the
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置100においては、まず、カセットステーション1に配置されたカセットC内の基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット(e−UV)22に直接搬入され、スクラバ前処理が行われる。次いで、搬送装置11により、基板GがエキシマUV照射ユニット(e−UV)22の下に配置されたスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入され、スクラバ洗浄される。このスクラバ洗浄では、基板Gが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを2台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラバ洗浄処理後、基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)に搬出される。
In the resist coating and developing
パスユニット(PASS)に配置された基板Gは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第1の熱的処理ユニットセクション26に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック(TB)31の脱水ベークユニット(DHP)のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック(TB)32のクーリングユニット(COL)のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック(TB)31のアドヒージョン処理ユニット(AD)、および熱的処理ユニットブロック(TB)32のアドヒージョン処理ユニット(AD)のいずれかに搬送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎水化処理)され、その後、上記クーリングユニット(COL)のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)に搬送される。この際に搬送処理は全て第1の搬送装置33によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Gは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット(PASS)に搬送される。
The substrate G placed in the pass unit (PASS) is lifted by protruding a pin (not shown), and is transported to the first thermal
その後、パスユニット(PASS)に配置された基板Gがレジスト処理ユニット23のサブアームによりレジスト処理ユニット23内へ搬入される。そして、基板Gはまずその中のレジスト塗布処理装置(CT)23aに搬送され、そこで基板Gに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアームにより減圧乾燥装置(VD)23bに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアームにより周縁レジスト除去装置(ER)23cに搬送されて基板G周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Gはサブアームによりレジスト処理ユニット23から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置(CT)23aの後に減圧乾燥装置(VD)23bを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Gをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Gに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置(VD)により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
Thereafter, the substrate G placed in the pass unit (PASS) is carried into the resist processing
このようにして塗布処理が終了し、サブアームによりレジスト処理ユニット23から搬出された基板Gは、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)に受け渡される。パスユニット(PASS)に配置された基板Gは、第2の搬送装置36により、熱的処理ユニットブロック(TB)34のプリベークユニット(PREBAKE)および熱的処理ユニットブロック(TB)35のプリベークユニット(PREBAKE)のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)35のクーリングユニット(COL)に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第2の搬送装置36により、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)に搬送される。
Thus, the substrate G carried out of the resist processing
その後、基板Gは第2の搬送装置36によりインターフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44へ搬送され、インターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置42により露光装置4に搬送されてそこで基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ(BUF)43上のバッファーカセットに基板Gを収容してから露光装置4に搬送される。
Thereafter, the substrate G is transferred to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the
露光終了後、基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラー(TITLER)に搬入されて基板Gに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に載置され、そこから再び処理ステーション2に搬入される。すなわち、基板Gは第2の搬送装置36により、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)に搬送される。そして、パスユニット(PASS)においてピンを突出させて基板Gを上昇させた状態から下降させることにより、後述する現像処理ユニット(DEV)24からパスユニット(PASS)まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Gが現像処理ユニット(DEV)24へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Gが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを3台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
After the exposure is completed, the substrate G is loaded into the upper titler (TITLER) of the
現像処理終了後、基板Gは現像処理ユニット(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送され、基板Gに対して脱色処理が施される。その後、基板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内の搬送機構、例えばコロ搬送により第3の熱的処理ユニットセクション28に属する熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)に搬出される。
After the development processing is completed, the substrate G is transported from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous transport mechanism, for example, roller transport, and the substrate G is subjected to decolorization processing. The Thereafter, the substrate G is transferred to a pass unit (PASS) of the thermal processing unit block (TB) 37 belonging to the third thermal
このパスユニット(PASS)に配置された基板Gは、第3の搬送装置39により熱的処理ユニットブロック(TB)37のポストベークユニット(POBAKE)および熱的処理ユニットブロック(TB)38のポストベークユニット(POBAKE)のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)38のパス・クーリングユニット(PASS・COL)に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。
The substrate G placed in the pass unit (PASS) is post-baked by the
図2(a)はスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21を示す概略側面図である。スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21には、搬送機構を構成するコロ式の搬送ローラ58が複数設けられている。搬送ローラ58の両端には、昇降動作により他の処理部との間で基板の受け渡しを行う受け渡しピン59が配置されており、この両受け渡しピン59の間には、この基板の搬送上流側(図において左側)から、ロールブラシ洗浄室56、スプレー洗浄室57及び乾燥処理装置60が順に配置されている。ロールブラシ洗浄室56にはロールブラシ65が設けられ、スプレー洗浄室57には、洗浄液を噴出するスプレー式のノズル66が設けられている。なお、ノズル66は、基板Gの表面側だけでなく、基板G裏面側にも更に配置するようにしてもかまわない。
FIG. 2A is a schematic side view showing the scrubber cleaning unit (SCR) 21. The scrubber cleaning processing unit (SCR) 21 is provided with a plurality of roller-
このようなスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21においては、先ずロールブラシ洗浄室56で基板G上の比較的大きいゴミを除去洗浄した後、スプレー洗浄室57で微細なゴミを除去洗浄し、乾燥処理装置60で乾燥処理される。
In such a scrubber cleaning processing unit (SCR) 21, first, relatively large dust on the substrate G is removed and cleaned in the roll
図2(b)は現像処理ユニット(DEV)24を示す概略側面図である。現像処理ユニット(DEV)24には、スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)21と同様に、搬送機構を構成するコロ式の搬送ローラ58及び受け渡しピン59が配置されている。この両受け渡しピン59の間には、搬送上流側(図において左側)から、プリウェット処理室61、現像処理室62、リンス処理室63及び乾燥処理装置60が順に配置されている。プリウェット処理室61には、プリウェットノズル67が、また現像処理室62には現像液を吐出する現像液ノズル68がそれぞれ設けられ、またリンス処理室63にはリンスノズル69が設けられている。
FIG. 2B is a schematic side view showing the development processing unit (DEV) 24. In the development processing unit (DEV) 24, similarly to the scrubber cleaning processing unit (SCR) 21, a roller-
このような現像処理ユニット(DEV)24においては、先ず、プリウェット処理室61で、現像液吐出の際の基板Gに対するインパクト軽減のために、基板Gをプリウェットし、次に現像処理室62で現像液が吐出されて現像され、そしてリンス処理室63で現像液が洗い流され、最後に乾燥処理装置60で乾燥処理される。
In such a development processing unit (DEV) 24, first, the substrate G is pre-wet in the
なお、現像処理室62においては、現像時間を確保するために、搬送ローラ58を逆回転させ基板Gを往復させながら現像処理を行っている。
In the
図3は、乾燥処理装置60におけるエア供給機構90を模式的に示すブロック図である。また、図4は、乾燥処理装置60の平断面図である。図3に示すように、乾燥処理装置60のチャンバ71内の空間は、搬送上流側(図3において左側)から仕切り板83によって仕切られている。チャンバ71の上流端及び下流端には、それぞれ基板Gを搬入及び搬出するための開口部71a及び71bが形成されている。
FIG. 3 is a block diagram schematically showing the
仕切り板83の下端切り欠き部83aには、搬送される基板Gに対しエアを噴出して基板Gを乾燥させる長尺状のエアナイフノズル73A及び73Bが、搬送される基板Gを挟みこむように上下に相対して配設されている。
In the
ブロアファン80、180は、それぞれ切換弁110、111を介してフィルタ部79、179に接続されている。切換弁110、111には、例えば、電磁式切換弁を用いることができる。フィルタ部79、179には、それぞれ例えば粗いパーティクル用のプレフィルタ81、181と細かいパーティクル用のULPAフィルタ82、182が設けられている。このULPAフィルタ82、182は、HEPAフィルタであってもよい。ブロアファン80、180は、例えばクリーンルーム内又は外部の空気を取り入れている。ブロアファン180が基板Gに供給可能なエアの流量は、ブロアファン80が供給可能な流量より大きく設定されている。フィルタ部79、179は、それぞれ2つのフローメータ85、185を介して供給管86によりエアナイフノズル73A、73Bに接続されている。制御部70は、CPU76、メモリ77を有しており、切換弁110、111はこの制御部70により例えばオンオフ切換、すなわち開閉切換のタイミングが制御されるようになっている。
The
このように、ブロアファン80、180を設けることで、制御部70により基板Gに噴出するエアの流量を2段階に切り替える制御を行うことができる。また、工場の高圧エアコンプレッサを使用する必要がなくなり、工場用力を削減し省エネルギー化を図ることができる。特に基板Gの大型に伴い用力も増大する傾向にあるのでブロアファンを使用する効果は大きい。また、ブロアファンはエアコンプレッサに比べ経済的にも極めて有利である。
As described above, by providing the
チャンバ71の下流側上部には、開口が形成されここにファンフィルタユニット72が設置されている。このファンフィルタユニット72は、例えばクリーンルーム内あるいは外部のエアを清浄にしてチャンバ71内に取り入れ、この取り入れたエアを、搬送上流側の上下部に設けられた排気口75a及び75bから排気している。排気口75a及び75bは図示しないバキューム装置等に接続されている。これにより、チャンバ71内の気圧を、下流側から上流側に向かうにつれて低くなるように制御しており、この気圧の制御により液切りによる基板G上の処理液をも効率良く排出することができる。
An opening is formed in the upper part on the downstream side of the
エアナイフノズル73A、73Bより搬送上流側には、例えば発光部Sa及び受光部Sbを備えた光センサS1が配置されている。例えば、基板Gによって光センサS1の光が遮光されると、その情報が制御部70に伝えられるようになっている。
For example, an optical sensor S1 including a light emitting portion Sa and a light receiving portion Sb is disposed on the upstream side of the
光センサS1の下流側かつエアナイフノズル73A、73Bの上流側には、例えば疎水性の処理液としてのアルコールなどの有機材料を基板Gの上下面に吐出するための一対の吐出ノズルLが配置されている。吐出ノズルLは、アルコール等を収容する図示を省略した収容タンクにポンプ等を介して接続されている。これにより、例えば、基板Gによって光センサS1の光が遮光されると、その情報が制御部70に伝えられ、ポンプを駆動させることにより、吐出ノズルLからアルコールを吐出することができる。従って、基板Gにアルコールを吐出して基板Gの上下面の処理液の乾燥を促進させることができる。
A pair of discharge nozzles L for discharging an organic material such as alcohol as a hydrophobic treatment liquid onto the upper and lower surfaces of the substrate G is disposed on the downstream side of the optical sensor S1 and on the upstream side of the
エアナイフノズル73A、73Bより搬送下流側には、例えば発光部Sc及び受光部Sdを備えた光センサS2が配置されている。更に、光センサS2の搬送下流側には、例えば発光部Se及び受光部Sfを備えた光センサS3が配置されている。基板Gによって光センサS2、S3の光が遮断され、または透過率が低下すると、その情報が制御部70に伝えられ、これに基づき切換弁110、111が切り替えられ、後述するようにそれぞれエアの流量を切り替えることができるように構成されている。
For example, an optical sensor S2 including a light emitting unit Sc and a light receiving unit Sd is disposed downstream of the
図4に示すように、エアナイフノズル73A(73B)は、長尺状の形状を有しており、長手方向Dの一端部Eが基板Gの搬送方向(X方向)の最も下流側に配置されように搬送方向(X方向)に対して斜めに設けられている。すなわち、エアナイフノズル73A(73B)は、その長手方向Dが基板Gの幅方向(Y方向)に対して角度θだけ傾斜するように配置されている。角度θは例えば5°〜50°、より好ましくは10°〜30°に設定することができるが、これらに限られるものではない。エアナイフノズル73A(73B)は、例えばその両端部がそれぞれ保持部材201により保持されている。基板Gが搬送されるときには、一端部Eは、基板Gの側端付近の領域である第1の領域H1に対向する。第1の領域H1のY方向の幅は、30mm〜100mm程度とする。以下、基板Gの第1の領域H1以外の領域を第2の領域H2という。また、エアナイフノズル73A(73B)は、その長手方向Dの両端部が基板Gの両端部からはみ出すように配置されている。例えば、基板Gの幅(Y方向)の長さが1000mmのときに、エアナイフノズル73A、73Bの長手方向Dの長さを1060mmに設定することができる。これにより、搬送される基板Gの上(下)面の全面に渡ってエアを噴出することができる。なお、角度θは、例えば、10度に設定することができるが、基板Gの搬送速度やエアナイフノズル73A、73Bからのエアの流量などに応じて適宜変更するようにしてもよい。
As shown in FIG. 4, the air knife nozzle 73 </ b> A (73 </ b> B) has a long shape, and one end E in the longitudinal direction D is disposed on the most downstream side in the transport direction (X direction) of the substrate G. Thus, it is provided obliquely with respect to the transport direction (X direction). That is, the
搬送機構を構成する基板Gを搬送するための搬送ローラ58には、例えば、その軸心部材の一端に複数の歯車95が取り付けられ、これらの歯車95にそれぞれ噛合する歯車88が軸部材64にそれぞれ取り付けられている。この軸部材64は、モータ91の駆動により回転するようになっており、モータ91の駆動により搬送ローラ58が回転し基板Gを搬送するようになっている。
For example, a plurality of
図5は、乾燥処理装置60のエアナイフノズル73A、73Bの斜視図である。図5に示すように、エアナイフノズル73A、73Bは、X方向に搬送される基板Gを挟むように上下に相対して配設されている。これにより、エアの流量のバランスを安定させて、基板Gの上下面全域において処理液を除去することができる。エアナイフノズル73A、73Bは、エアがZ方向に対して40°以上傾いて噴出されるように、基板Gに対しZ方向から例えば40°以上傾けて配設されている。
FIG. 5 is a perspective view of the air knife nozzles 73 </ b> A and 73 </ b> B of the drying
エアナイフノズル73Aの先端73tには、エアを噴出するための第1の噴出口73u、第2の噴出口73v、第3の噴出口73wがそれぞれ長手方向Dで連続して設けられている。すなわち、第1の噴出口73uと第2の噴出口73vとの間に第3の噴出口73wが設けられている。第2の噴出口73vは、基板Gの第1の領域H1に対向している。第2の噴出口73v、第3の噴出口73wの長手方向Dの長さa、bは、例えばそれぞれ50mm、20mmに設定されている。第3の噴出口73wは、第1の噴出口73uから第2の噴出口73vに向かうにつれて幅が広くなるような形状を有している。これにより、第1の噴出口73uと第2の噴出口73vとの間におけるエアの急激な流量変化を抑制することができる。従って、急激な流量変化により処理液等の処理液が基板G上に残留することを防止できる。
A
図6は、エアナイフノズル73Aの側断面図である。図6に示すように、ブロアファン80に接続された供給管86は、エアナイフノズル73Aの長手方向Dの略中央に接続されている。エアナイフノズル73A内には、供給管86から導入されたエアが流通する流路Pが設けられている。なお、供給管86の本数及び配置位置についてはこれに限定されない。例えば、エアナイフノズル73Aの長手方向Dに等間隔に複数設けるようにしてもよい。また、供給管86から導入されたエアの流れを整流する図示を省略した整流板をエアナイフノズル73A内に設けるようにしてもよい。このようにすることで、例えば、長手方向Dにおいてエア噴出量の均一性を確保することができる。
FIG. 6 is a side sectional view of the
図7は、エアナイフノズル73Aの断面図である。図7に示すように、エアナイフノズル73Aは、先端73tに向かうにつれて流路Pが狭まるように構成されている。第1、第2の幅d1、d2は、それぞれ0.15mm、0.2mm以上0.5mm以下に設定されている。従って、ブロアファン80により第2の噴出口73vから噴出されるエアの流量Q2は、第1の噴出口73uから噴出される流量Q1より多くなる。また、ブロアファン180により第2の噴出口73vから噴出される流量Q4は、第1の噴出口73uから噴出される流量Q3より多くなる(図6参照)。ここで、流量とは、エアナイフノズル73A(73B)の第1又は第2の噴出口73u、73vの単位長さ(ノズルの長手方向の単位長さ)、単位時間当たりのエアの噴出量である。第2の噴出口73vは、第1の噴出口73uより幅が広いので、第2の噴出口73vにおけるエアの流れの抵抗が小さくなり、その結果、流量に違いが生じると考えられる。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the
次に、本実施形態の乾燥処理装置60を用いる乾燥手順について図を参照しながら説明する。
Next, a drying procedure using the drying
図8(a)に示すように、図3に示す搬送ローラ58を回転させチャンバ71内に基板Gを搬送する。次いで、搬送された基板Gの先端を光センサS1により検知し、吐出ノズルLからアルコールを基板Gの上下面に吐出する。これにより、基板Gの上下面に付着する処理液などの乾燥を促進させることができる。
As illustrated in FIG. 8A, the
次いで、図8(b)に示すように、例えば、アルコールの吐出後ブロアファン80を駆動させて、エアナイフノズル73A、73Bから基板Gの後端付近の領域R4、R3以外の領域のうち基板Gの側端付近の領域である領域R1と、領域R4、R3以外の領域のうち領域R1以外の領域R2とにそれぞれ流量Q1、Q2のエアを噴出する。これにより、領域R1、R2では、搬送方向に前端側から後端側に処理液が押し流され除去される。
Next, as shown in FIG. 8B, for example, the
次いで、搬送される基板Gの先端を光センサS2により検知し、制御部70により図3に示す切換弁110をオフ、切換弁111をオンとし、ブロアファン180を駆動する。これにより、所定長さeの後端付近の領域R3、R4にそれぞれ流量Q2、Q1より多い流量Q3、Q4のエアを噴出する。この所定長さeは、例えば、基板Gの搬送速度を30mm/sとするときに300mm以上に設定することができる。すなわち、光センサS2の位置は、後端付近の領域R4内の角部J付近に確実に流量Q4でエアを噴出することができるように設定されている。従って、領域R2及び後端付近の領域R3での流量を抑えつつ基板Gの角部J付近に噴出する流量を増大さることができる。従って、エアの使用量を従来より40%削減しつつ、これまで除去することが困難であった基板Gの角部Jの処理液を拡散して除去することができる。このように、エアの使用量の増加を抑制することができるので、ブロアファン80、180などに過大な負荷が掛かることを防止することができる。なお、領域R1及び後端付近の領域R4を合わせた領域が第1の領域H1に相当し、領域R2及び後端付近の領域R3を合わせた領域が第2の領域H2に相当する。
Next, the tip of the substrate G to be transported is detected by the optical sensor S2, and the
続いて、図8(c)に示すように、基板Gの前端を光センサS3により検知し、切換弁111をオフ、ブロアファン180を停止し乾燥処理を終了する。光センサS3が基板Gの前端を検知したときに、基板Gの後端が完全にエアナイフノズル73A、73Bを通過するように、光センサS3及びノズル73Aが配置される位置が予め設定されている。これにより、無駄なエアの使用量を抑制することができる。
Subsequently, as shown in FIG. 8C, the front end of the substrate G is detected by the optical sensor S3, the switching valve 111 is turned off, the
本実施形態では、エアナイフノズル73A、73Bが基板Gの搬送方向に対して斜めに設けられている。このため、基板Gが搬送されると基板Gの後端付近の領域R4の角部Jに処理液が押し流される。このとき、図9(a)に示すように、基板Gの角部Jに付着する処理液は、小径になっているため接触角θ2が小さくなり付着エネルギーが大きくなっていると考えられる。また、基板Gの角部Jなどの端部においては、例えば処理液が基板Gの側壁Gaにまとわりつくことによって付着面積がより大きくなり、その結果、付着エネルギーがより大きくなっていると考えられる。従来のように、エアの噴出口の幅dが例えば0.15mmであるエアナイフノズル73Dを用いる場合には、エアが基板Gに噴出される領域の幅f1が小さくなる。
In the present embodiment, the
本実施形態では、図9(b)に示すように、エアナイフノズル73A(73B)の第2の噴出口73vの第2の幅d2が、第1の噴出口73uの第1の幅d1より広く設定されている。換言すれば、第1の噴出口73uは第2の噴出口73vより幅が狭く設定されている。このため、第2の噴出口73vから流量Q4(または流量Q1)のエアを従来の幅f1より広い幅f2の領域に渡って噴出することができる。従って、第1の噴出口73uから噴出されるエアの使用量の増加を抑制しつつ短時間に処理液を拡散して除去することができると考えられる。また、図9(c)に示すように、流量Q4のエアを処理液に噴出することで、処理液の表面を更新して処理液の蒸発を促進することができると考えられる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 9B, the second width d2 of the
本実施形態では、第2の噴出口73vの第2の幅d2が0.2mm以上に設定されている。このため、第2の噴出口73vの大きさを確保して処理液に長時間流量Q4のエアを噴出して処理液を除去することができる。また、第2の噴出口73vの第2の幅d2が0.5mm以下に設定されている。このため、第2の噴出口73vの第2の幅d2の広さが広過ぎて流速を確保できず処理液を除去するために大量のエアを噴出する必要が生ずることを防止することができる。
In the present embodiment, the second width d2 of the
本実施形態によれば、エアナイフノズル73A、73Bから噴出されるエアの流量を、搬送される基板Gの領域R1、R2で流量Q1、Q2とし、後端付近の領域R3、R4で流量Q3、Q4にする制御を併用した。これにより、例えば、流量の多い領域を基板Gの後端付近の領域R3、R4に限定することができる。従って、更にエアの使用量をさらに25%削減することができる。これにより、ブロアファン80、180などに過大な負荷がかかることを防止することができる。
According to the present embodiment, the flow rate of the air ejected from the
次に、噴出口の幅が異なるエアナイフノズルを用いた乾燥処理装置を利用して基板Gの乾燥処理を行った結果を図10に示す。 Next, the result of having performed the drying process of the board | substrate G using the drying processing apparatus using the air knife nozzle from which the width | variety of a jet nozzle differs is shown in FIG.
図10に示すように、第2の幅d2が、0.2mm以上0.5mm以下のときには、基板1枚(1 Sheet)を乾燥させるために必要なエアの流量を2200(l/min・Sheet)以下に抑えることができた。また、第2の幅d2が0.3mmのときは、1600(l/min・Sheet)と必要なエアの流量(l/min・Sheet)が最小(極小)となることが判明した。 As shown in FIG. 10, when the second width d2 is not less than 0.2 mm and not more than 0.5 mm, the flow rate of air required to dry one substrate (1 sheet) is 2200 (l / min · Sheet ) I was able to keep it below. Further, it was found that when the second width d2 is 0.3 mm, 1600 (l / min · Sheet) and the required air flow rate (l / min · Sheet) are minimum (minimum).
なお、この実験において、縦1200mm及び横1000mm程度の大きさの基板を用いた。また、エアナイフノズルの流路P(図6参照)の容積を3.4×10−3m3程度と設定した。 In this experiment, a substrate having a size of about 1200 mm in length and 1000 mm in width was used. Moreover, the volume of the flow path P (see FIG. 6) of the air knife nozzle was set to about 3.4 × 10 −3 m 3 .
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。 The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible.
図11に示すように、例えば、エアナイフノズル73A(73B)の一端部Eの背面に、流路Pを流通するエアを加熱するためのヒータ101を固定するようにしてもよい。このようにすれば、基板Gにより高温のエアを噴出することができる。従って、基板G上の処理液をより確実に除去することができる。なお、ヒータ101をエアナイフノズル73A(73B)の背面に固定する例を示したが、側面に固定するようにしてもほぼ同様の効果を得ることができる。また、一端部Eに限定されず、例えば、長手方向Dの中央部付近にヒータ101を固定するようにしてもよい。
As shown in FIG. 11, for example, a
本実施形態では、第2の幅d2が一定の例を示した。しかし、図12に示すように、例えば、エアナイフノズル73Aの第2の噴出口73v内の上下面に、電源73Tに接続された圧電素子73pを設けるようにしてもよい。このようにすれば、例えば、エアナイフノズルから噴出されるエアの流量を増加させたいときに、圧電素子73pにより圧電素子73pを矢印方向に収縮させることで、噴出口の大きさを大きくして所望の流量にすることができる。
In the present embodiment, an example in which the second width d2 is constant is shown. However, as shown in FIG. 12, for example,
また、図13及び図14に示すように、エアナイフノズル173A、173Bの一端部Eにおける先端173tを切り欠くことで、切り欠き部173cを設けるようにしてもよい。このとき、例えば、第2の噴出口173v、第3の噴出口173wの長手方向Dの長さa、bを、それぞれ50mm、20mmに設定することができる。図15に示すように、エアナイフノズル173Aは、先端173tに向かうにつれて流路Pが狭まるように構成されている。このため、先端173tからの切り欠きの深さcを大きくすることで、第2の噴出口73vの第2の幅d2を広くすることができる。このとき、第1の噴出口173uから第2の噴出口173vに向かうにつれて第3の噴出口173wの幅が広くなるように切り欠く。これにより、第2の噴出口173vから噴出されるエアの流量Q2(Q3)を、第1の噴出口73uから噴出される流量Q1(Q4)より多くすることができる。従って、第1の噴出口173uと第2の噴出口173vとの間におけるエアの急激な流量変化を抑制し、処理液等の処理液が基板G上に残留することを防止できる。
Further, as shown in FIGS. 13 and 14, the
本実施形態では、図8(c)に示すように光センサS3が基板Gの先端を検出したときに、エアの流量を低下させる例を示した。しかし、これに限定されず、例えば、光センサS3を設けずに、基板Gの後端を光センサS1により検知した後、基板Gの後端がエアナイフノズル73A、73Bを通過する時間の経過後に切換弁111をオフとしブロアファン180を停止し乾燥処理を終了するようにしてもよい。このようにしても、同様にエアの無駄な使用量を抑制することができる。
In the present embodiment, an example in which the air flow rate is decreased when the optical sensor S3 detects the tip of the substrate G as shown in FIG. However, the present invention is not limited to this. For example, after the rear end of the substrate G is detected by the optical sensor S1 without providing the optical sensor S3, the passage of the rear end of the substrate G through the
本実施形態では、開口面積の異なる第1の噴出口と第2の噴出口とをノズルに設けて、それらの噴出口でそれぞれ噴出される流量を異なるようにした。しかし、ノズル内部の気体の流路を、第1の噴出口に連通する第1の流路と、第2の噴出口に連通する第2の流路とに分離して設けるようにしてもよい。そしてノズルに気体を供給する供給機構が、第1の流路と、第2の流路とに独立して気体を供給すればよい。この場合において、2つの供給機構からそれぞれ異なる流量で第1の流路と第2の流路とに供給することで流量に差を持たせることができる。 In the present embodiment, the first jet port and the second jet port having different opening areas are provided in the nozzle, and the flow rates ejected from these jet ports are made different. However, the gas flow path inside the nozzle may be provided separately into a first flow path communicating with the first jet outlet and a second flow path communicating with the second jet outlet. . And the supply mechanism which supplies gas to a nozzle should just supply gas independently to a 1st flow path and a 2nd flow path. In this case, the flow rate can be made different by supplying the first flow path and the second flow path from the two supply mechanisms at different flow rates.
D…長手方向
G…基板
E…一端部
H1…第1の領域
H2…第2の領域
P…流路
Q1、Q2、Q3、Q4…流量
R1、R2…領域
R3、R4…後端付近の領域
d1…第1の幅
d2…第2の幅
58…搬送ローラ
70…制御系
73A、73B…エアナイフノズル
73u、73v、73w…第1、第2、第3の噴出口
73c…切り欠き部
90…エア供給機構
91…モータ
101…ヒータ
201…保持部材
D ... Longitudinal direction G ... Substrate E ... One end H1 ... First region H2 ... Second region P ... Channel Q1, Q2, Q3, Q4 ... Flow rate R1, R2 ... Region R3, R4 ... Region near the rear end d1 ... first width d2 ...
Claims (12)
搬送される前記基板の側端付近以外の領域である第1の領域に向けて第1の流量で気体を噴出可能であり、前記基板の側端付近の領域である第2の領域に向けて第1の流量より多い第2の流量で気体を噴出可能な長尺状のノズルと、
前記ノズルの一端部を前記第2の領域に対向させ、かつ、該一端部を前記基板の搬送方向の最も下流側に配置させるように前記ノズルを前記搬送方向に対して斜めに保持する保持部と、
前記ノズルに気体を供給する供給機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 A transport mechanism for transporting the substrate;
Gas can be ejected at a first flow rate toward a first region that is a region other than the vicinity of the side edge of the substrate to be conveyed, and toward a second region that is a region near the side edge of the substrate. A long nozzle capable of ejecting gas at a second flow rate greater than the first flow rate;
A holding portion that holds the nozzle obliquely with respect to the transport direction so that the one end portion of the nozzle faces the second region and the one end portion is disposed on the most downstream side in the transport direction of the substrate. When,
And a supply mechanism for supplying a gas to the nozzle.
前記供給機構は、前記ノズルから噴出される気体を、前記搬送される基板の後端付近以外の領域に向けて第3の流量で噴出し、前記後端付近の領域に向けて前記第3の流量より多い第4の流量で噴出するように制御する手段
を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The supply mechanism ejects the gas ejected from the nozzle at a third flow rate toward a region other than the vicinity of the rear end of the substrate to be transported, and the third mechanism toward the region near the rear end. A substrate processing apparatus comprising: means for controlling to eject at a fourth flow rate higher than the flow rate.
前記ノズルは、
第1の幅で設けられ気体を噴出するための第1の噴出口と、前記ノズルのほぼ長手方向で前記第1の噴出口と隣接して前記一端部に設けられるとともに、前記第1の幅より広い第2の幅で設けられた第2の噴出口とを前記ノズルの先端に有する噴出部と、
前記第1の噴出口及び前記第2の噴出口に連通して設けられ、前記供給機構から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路と
を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The nozzle is
A first jet port provided with a first width for ejecting gas; and provided at the one end adjacent to the first jet port in a substantially longitudinal direction of the nozzle; and the first width An ejection part having a second ejection port provided at a wider second width at the tip of the nozzle;
And a flow path that is provided in communication with the first jet port and the second jet port and introduces a gas supplied from the supply mechanism and distributes the gas to the jet part. apparatus.
前記流路は、前記先端に向かうにつれて狭まるように構成されており、
前記第2の噴出口は、前記一端部の前記先端が切り欠かれて設けられたことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The flow path is configured to narrow toward the tip,
The substrate processing apparatus, wherein the second ejection port is provided by cutting out the tip of the one end.
前記第2の幅は、0.2mm乃至0.5mmであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the second width is 0.2 mm to 0.5 mm.
前記第2の幅は0.3mmであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5,
The substrate processing apparatus, wherein the second width is 0.3 mm.
前記噴出部は、前記第1の噴出口と前記第2の噴出口との間に設けられ、該第1から第2の噴出口に向かうにつれ幅が広くなる第3の噴出口を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The ejection part has a third ejection port which is provided between the first ejection port and the second ejection port and becomes wider as it goes from the first to the second ejection port. A substrate processing apparatus.
前記ノズルは、前記搬送される基板を挟むように上下に相対して配設されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the nozzles are disposed so as to be opposed to each other so as to sandwich the substrate to be transported.
前記流路を流通する気体を加熱する加熱機構
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A substrate processing apparatus, further comprising: a heating mechanism that heats the gas flowing through the flow path.
前記第1の噴出口及び前記第2の噴出口に連通して設けられ、外部から供給される気体を導入して前記噴出部へ流通させる流路と
を具備することを特徴とするノズル。 A first jet port provided with a first width for ejecting gas, and a second width that is provided at one end and adjacent to the first jet port in the longitudinal direction and wider than the first width. An ejection part having a second ejection port provided;
A nozzle provided in communication with the first jet port and the second jet port and introducing a gas supplied from the outside to flow to the jet section.
(b)前記基板の後端付近以外の領域のうち前記第1の領域以外の第2の領域に向けて第1の流量より少ない第2の流量で気体を噴出する工程と、
(c)前記基板の後端付近の領域のうち側端付近以外の領域である第3の領域に向けて前記第2の流量より多い第3の流量で気体を噴出する工程と、
(d)後端付近の領域のうち前記第3の領域以外の第4の領域に向けて前記第1の流量より多い第4の流量で気体を噴出する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。 (A) a step of ejecting gas at a first flow rate toward a first region that is a region near the side edge among regions other than the vicinity of the rear end of the substrate to be transported;
(B) jetting gas at a second flow rate less than the first flow rate toward a second region other than the first region among regions other than the vicinity of the rear end of the substrate;
(C) jetting gas at a third flow rate greater than the second flow rate toward a third region which is a region other than the vicinity of the side edge in a region near the rear end of the substrate;
(D) jetting gas at a fourth flow rate greater than the first flow rate toward a fourth region other than the third region in a region near the rear end. Substrate processing method.
を更に具備することを特徴とする基板処理方法。 The substrate processing method further comprising the step of applying a hydrophobic processing liquid to the substrate before the step (a).
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