JP2003126764A - Method and apparatus for treating substrate - Google Patents

Method and apparatus for treating substrate

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JP2003126764A
JP2003126764A JP2001329241A JP2001329241A JP2003126764A JP 2003126764 A JP2003126764 A JP 2003126764A JP 2001329241 A JP2001329241 A JP 2001329241A JP 2001329241 A JP2001329241 A JP 2001329241A JP 2003126764 A JP2003126764 A JP 2003126764A
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良治 久保
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賢哉 青木
Hiroshi Nagata
広 永田
Masaya Shinozaki
賢哉 篠崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently carry out the substitution of a liquid on a substrate to be treated in flat flowing system. SOLUTION: A liquid A on a substrate G, which is delivered from a treating part of the preceding stage, is swept out to the side or the side direction by the flow of a rinse liquid B by supplying the rinse liquid B from a V-shaped nozzle 160 on the surface-to-be treated of the substrate G transported in horizontal attitude in a transporting passage 114 to flow in the oblique direction to the transporting direction. In more detail, the surface-to-be-treated on the substrate G is divided left and right two parts, the liquid is passed to the left direction from the left nozzle part 160L of the V-shape nozzle 160 in the left half region and the liquid is passed to the right direction from the right nozzle part 160R of the V-shaped nozzle 160 in the right half region to efficiently sweep out the liquid A present on each part of the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板を水平
に搬送しながら基板に所定の処理を施す基板処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for carrying out a predetermined processing on a substrate while horizontally transferring the substrate to be processed.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、LCD(液晶表示ディスプレイ)
製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、LC
D基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現
像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷
設してなる搬送路上でLCD基板を搬送しながら洗浄処
理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し
方式が注目されている。このような平流し方式は、基板
を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱い
や搬送系および駆動系の構成が簡単であり、ミストの発
生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。
2. Description of the Related Art Recently, LCD (Liquid Crystal Display)
In the resist coating development processing system in manufacturing, LC
As a cleaning method or a developing method that can advantageously cope with an increase in the size of the D substrate, the cleaning process or the developing process is performed while the LCD substrate is being transported on a transport path in which a transport roller and a transport belt are laid horizontally. The so-called flat flow method is drawing attention. Compared to the spinner method of rotating the substrate, such a flat-flow method has a simpler handling of the substrate and the configuration of the transfer system and the drive system, and has an advantage that mist is not generated or redeposition on the substrate is small. is there.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】一般に、平流し方式の
洗浄処理装置では、ブラシスクラバやジェットスクラバ
等の洗浄手段と並べて下流側の搬送路上方にリンスノズ
ルを配置し、該リンスノズルよりその直下を通過する基
板に向けてリンス液を噴射して、基板上の汚れている液
をリンス液で置換するようにしている。しかしながら、
スピンナ方式と異なり、平流し方式では基板に遠心力が
働かないため、基板上から液を掃き出すのが難しく、置
換効率がよくないという問題がある。
Generally, in a flat-flow type cleaning treatment apparatus, a rinse nozzle is arranged above a conveying path on the downstream side in parallel with a cleaning means such as a brush scrubber or a jet scrubber, and directly below the rinse nozzle. The rinse liquid is jetted toward the substrate passing through the substrate to replace the dirty liquid on the substrate with the rinse liquid. However,
Unlike the spinner method, the flat flow method does not exert a centrifugal force on the substrate, which makes it difficult to sweep out the liquid from the substrate and has a problem that the substitution efficiency is not good.

【0004】また、平流し方式の現像処理装置でも、現
像部の下流側に設けるリンス部ないし乾燥部において、
たとえばバブルリンス後に基板上の汚れている液を新し
いリンス液で置換することがあるが、上記と同様に置換
効率がよくない。本発明は、かかる従来の問題点に鑑み
てなされたものであって、平流し方式において被処理基
板上の液を効率的かつ良好に置換できるようにした基板
処理方法および基板処理装置を提供することを目的とす
る。
Further, even in the flat-flow type developing apparatus, in the rinse section or the drying section provided on the downstream side of the developing section,
For example, after the bubble rinse, the dirty liquid on the substrate may be replaced with a new rinse liquid, but the replacement efficiency is not good as in the above case. The present invention has been made in view of the above conventional problems, and provides a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of efficiently and satisfactorily replacing a liquid on a substrate to be processed in a flat flow system. The purpose is to

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板処理方法は、被処理基板上で第1の
液を第2の液に置換する基板処理方法において、前記基
板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に搬送
し、前記基板の被処理面に対して前記第2の液を前記基
板上で搬送方向に対して斜めまたは横方向に流れるよう
に供給して、前記基板上から前記第1の液を前記第2の
液の流れる方向に掃き出す方法とした。
In order to achieve the above-mentioned object, the substrate processing method of the present invention is a substrate processing method for substituting a first liquid with a second liquid on a substrate to be processed. Of the substrate is conveyed in a horizontal direction with the surface to be treated facing upward, and the second liquid flows to the surface to be treated of the substrate obliquely or laterally with respect to the conveying direction on the substrate. It is a method of supplying and sweeping the first liquid in the flowing direction of the second liquid from the substrate.

【0006】また、本発明の基板処理装置は、被処理基
板をその被処理面が上を向く姿勢で水平方向に支持して
搬送するための搬送路と、第1の液が存在する前記搬送
路上の前記基板の被処理面に対して第2の液を前記基板
上で搬送方向に対して斜めまたは横方向に流れるように
供給する液供給手段とを有し、前記基板上で前記第1の
液を前記第2の液の流れる方向に掃き出して第2の液に
置換する構成とした。
Further, the substrate processing apparatus of the present invention comprises a transfer path for horizontally supporting and transferring the substrate to be processed with the surface to be processed facing upward, and the transfer in which the first liquid is present. Liquid supply means for supplying a second liquid to the surface to be processed of the substrate on the path so as to flow obliquely or laterally with respect to the transport direction on the substrate, and the first liquid on the substrate The liquid was swept out in the flowing direction of the second liquid and replaced with the second liquid.

【0007】本発明では、基板上で第2の液を搬送方向
に対して斜めまたは横方向に流すことにより、第2の液
の流れによって基板上の第1の液(被置換液)を搬送方
向に対して基板の横または側方へ掃き出すことができ
る。
In the present invention, the second liquid is caused to flow obliquely or laterally with respect to the transfer direction on the substrate, so that the first liquid (the liquid to be replaced) on the substrate is transferred by the flow of the second liquid. It can be swept laterally or laterally of the substrate with respect to the direction.

【0008】本発明の一態様は、基板上で第2の液を基
板の進行に逆らう向きで左側または右側へ斜め方向に流
す方式である。かかる方式によれば、第2の液の流れに
より基板上の第1の液を掻き出すようにしてより確実か
つ効率的に基板の横または側方へ掃き出すことができ
る。
One embodiment of the present invention is a system in which the second liquid is slanted to the left side or the right side in a direction against the progress of the substrate. According to such a method, the first liquid on the substrate can be scraped out by the flow of the second liquid, and can be swept laterally or laterally of the substrate more reliably and efficiently.

【0009】上記態様の方式において、好ましくは、基
板上で、搬送方向と平行に設定された境界線より左側の
被処理面領域については第2の液を基板の進行に逆らう
向きで左側へ斜め方向に流し、該境界線より右側の被処
理面領域については第2の液を基板の進行に逆らう向き
で右側へ斜め方向に流すようにしてよい。このように、
基板上の被処理面を左右に二分し、それぞれの被処理面
領域について逆向きかつ外側斜め方向に第2の液を流す
ことにより、基板上の第1の液を各位置から近い方の基
板側方へ効率良く掃き出すことができる。
In the method of the above aspect, it is preferable that, on the substrate, the surface to be processed on the left side of the boundary line set parallel to the transport direction is inclined to the left side in a direction countering the progress of the second liquid. The second liquid may be made to flow diagonally to the right in a direction against the progress of the substrate in the surface area to be processed on the right side of the boundary line. in this way,
The surface to be processed on the substrate is divided into left and right, and the second liquid is caused to flow in the opposite and obliquely outward directions with respect to the respective areas of the surface to be processed, so that the first liquid on the substrate is closer to each position. It can be swept out to the side efficiently.

【0010】本発明の別の態様は、基板上で、搬送方向
と平行に設定された境界線より左側の被処理面領域につ
いては第2の液を左側へ横方向に流し、該境界線より右
側の被処理面領域については第2の液を右側へ横方向に
流す方式である。この態様の方式でも、基板上の第1の
液を各位置から近い方の基板側方へ効率良く掃き出すこ
とができる。
According to another aspect of the present invention, the second liquid is caused to flow laterally to the left in a surface area to be processed on the left side of the boundary line set parallel to the transport direction on the substrate, As for the surface to be treated on the right side, the second liquid is laterally flowed to the right side. Also in this system, the first liquid on the substrate can be efficiently swept from each position to the side of the substrate which is closer to the first liquid.

【0011】本発明の別の態様は、基板上で、第2の液
を基板の一方の側端から他方の側端まで横断させるよう
に流す方式である。この態様の方式でも、第2の液の流
れによって基板上の第1の液を搬送方向に対して基板の
横または側方へ掃き出すことができる。この方式におい
て、好ましくは、基板の一方の側端部からの第2の液の
流れを増強するために、基板上の途中で新たな第2の液
の流れを追加して合流させるようにしてよい。
Another aspect of the present invention is a system in which the second liquid is flowed across the substrate from one side edge of the substrate to the other side edge thereof. Also in this system, the first liquid on the substrate can be swept laterally or laterally of the substrate with respect to the transport direction by the flow of the second liquid. In this method, it is preferable that a new second liquid flow is added and merged midway on the substrate in order to enhance the flow of the second liquid from one side end of the substrate. Good.

【0012】また、本発明の各態様において、基板上で
第2の液の流れを所望の方向に整流するための流体を供
給することも有効である。
In each aspect of the present invention, it is also effective to supply a fluid for rectifying the flow of the second liquid in a desired direction on the substrate.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0014】図1に、本発明の現像処理装置を適用でき
る一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この
塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置
され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
ク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシス
テムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われ
る。
FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one structural example to which the developing treatment apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing treatment system 10 is installed in a clean room, and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be treated, and performs various treatments such as cleaning, resist coating, prebaking, developing and postbaking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. It is a thing. The exposure process is performed by an external exposure device 12 installed adjacent to this system.

【0015】この塗布現像処理システム10は、中心部
に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置
し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーシ
ョン(C/S)14とインタフェースステーション(I
/F)18とを配置している。
In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is arranged at the center, and cassette stations (C / S) 14 and interface stations (P / S) 16 are provided at both ends in the longitudinal direction (X direction). I
/ F) 18 are arranged.

【0016】カセットステーション(C/S)14は、
システム10のカセット搬入出ポートであり、基板Gを
多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセット
Cを水平方向たとえばY方向に4個まで並べて載置可能
なカセットステージ20と、このステージ20上のカセ
ットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22と
を備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手
段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの
4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション
(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようにな
っている。
The cassette station (C / S) 14 is
A cassette stage 20 which is a cassette loading / unloading port of the system 10 and on which a plurality of cassettes C capable of accommodating a plurality of substrates G can be placed side by side in a horizontal direction, for example, in the Y direction, on the stage 20. And a transport mechanism 22 for loading / unloading the substrate G into / from the cassette C. The transfer mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transfer arm 22a, and can operate on four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate G. It can be handed over.

【0017】プロセスステーション(P/S)16は、
システム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向き
の一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまた
は工程の順に配置している。より詳細には、カセットス
テーション(C/S)14側からインタフェースステー
ション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスライン
Aには、洗浄プロセス部24と、第1の熱的処理部26
と、塗布プロセス部28と、第2の熱的処理部30とを
横一列に配置している。一方、インタフェースステーシ
ョン(I/F)18側からカセットステーション(C/
S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、第2
の熱的処理部30と、現像プロセス部32と、脱色プロ
セス部34と、第3の熱的処理部36とを横一列に配置
している。このライン形態では、第2の熱的処理部30
が、上流側のプロセスラインAの最後尾に位置するとと
もに下流側のプロセスラインBの先頭に位置しており、
両ラインA,B間に跨っている。
The process station (P / S) 16 is
The processing units are arranged in the order of process flow or steps on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the system longitudinal direction (X direction). More specifically, in the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side, a cleaning process section 24 and a first thermal processing section 26 are provided.
The coating process section 28 and the second thermal processing section 30 are arranged in a horizontal row. On the other hand, from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C /
S) In the process line B on the downstream side toward the 14 side, the second
The thermal processing section 30, the development processing section 32, the decolorization processing section 34, and the third thermal processing section 36 are arranged in a horizontal row. In this line form, the second thermal processing unit 30
Is located at the end of the upstream process line A and at the beginning of the downstream process line B,
It straddles both lines A and B.

【0018】両プロセスラインA,Bの間には補助搬送
空間38が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に
載置可能なシャトル40が図示しない駆動機構によって
ライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっ
ている。
An auxiliary transfer space 38 is provided between the two process lines A and B, and a shuttle 40 capable of horizontally mounting the substrates G one by one is arranged in a line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). You can move in both directions.

【0019】上流部のプロセスラインAにおいて、洗浄
プロセス部24は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)4
2を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット(SCR)
42内のカセットステーション(C/S)10と隣接す
る場所にエキシマUV照射ユニット(e−UV)41を
配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット
(SCR)42内の洗浄部は、LCD基板Gをコロ搬送
またはベルト搬送により水平姿勢でラインA方向に搬送
しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すようになっている。
In the upstream process line A, the cleaning process section 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 4
This includes 2 scrubber cleaning units (SCR)
An excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 is arranged in a position adjacent to the cassette station (C / S) 10 in 42. As will be described later, the cleaning section in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 brushes the upper surface (processed surface) of the substrate G while the LCD substrate G is being horizontally transported by the roller transport or the belt transport in the line A direction. And blow cleaning.

【0020】洗浄プロセス部24の下流側に隣接する第
1の熱的処理部26は、プロセスラインAに沿って中心
部に縦型の搬送機構46を設け、その前後両側に複数の
ユニットを多段に積層配置している。たとえば、図2に
示すように、上流側の多段ユニット部(TB)44に
は、基板受け渡し用のパスユニット(PASS)50、
脱水ベーク用の加熱ユニット(DHP)52,54およ
びアドヒージョンユニット(AD)56が下から順に積
み重ねられる。ここで、パスユニット(PASS)50
は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42側と基板Gの
受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段
ユニット部(TB)48には、基板受け渡し用のパスユ
ニット(PASS)60、冷却ユニット(CL)62,
64およびアドヒージョンユニット(AD)66が下か
ら順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PAS
S)60は、塗布プロセス部28側と基板Gの受け渡し
を行うためのものである。
The first thermal processing section 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process section 24 is provided with a vertical transfer mechanism 46 at the center along the process line A, and a plurality of units are provided on both the front and rear sides thereof in multiple stages. Are arranged in layers. For example, as shown in FIG. 2, the upstream multi-stage unit (TB) 44 has a substrate transfer pass unit (PASS) 50,
Heating units (DHP) 52 and 54 for dehydration baking and an adhesion unit (AD) 56 are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS) 50
Is used to transfer the substrate G to and from the scrubber cleaning unit (SCR) 42 side. Further, the downstream multi-stage unit (TB) 48 includes a substrate transfer pass unit (PASS) 60, a cooling unit (CL) 62,
64 and adhesion unit (AD) 66 are stacked in order from the bottom. Here, pass unit (PAS
S) 60 is for transferring the substrate G to and from the coating process unit 28 side.

【0021】図2に示すように、搬送機構46は、鉛直
方向に延在するガイドレール68に沿って昇降移動可能
な昇降搬送体70と、この昇降搬送体70上でθ方向に
回転または旋回可能な旋回搬送体72と、この旋回搬送
体72上で基板Gを支持しながら前後方向に進退または
伸縮可能な搬送アームまたはピンセット74とを有して
いる。昇降搬送体70を昇降駆動するための駆動部76
が垂直ガイドレール68の基端側に設けられ、旋回搬送
体72を旋回駆動するための駆動部78が垂直搬送体7
0に取り付けられ、搬送アーム74を進退駆動するため
の駆動部80が回転搬送体72に取り付けられている。
各駆動部76,78,80はたとえば電気モータ等で構
成されてよい。
As shown in FIG. 2, the transport mechanism 46 includes an elevating / conveying body 70 which can be moved up and down along a guide rail 68 extending in the vertical direction, and on the elevating / conveying body 70, it rotates or swivels in the θ direction. It has a rotatable carrier 72 and a carrier arm or tweezers 74 that can move forward and backward or extend and retract while supporting the substrate G on the carrier 72. A drive unit 76 for raising and lowering the elevation carrier 70
Is provided on the base end side of the vertical guide rail 68, and a drive unit 78 for driving the turning carrier 72 to rotate is provided on the vertical carrier 7.
A drive unit 80, which is attached to 0 and drives the transport arm 74 forward and backward, is attached to the rotary transport body 72.
Each drive unit 76, 78, 80 may be composed of, for example, an electric motor or the like.

【0022】上記のように構成された搬送機構46は、
高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部
(TB)44,48の中の任意のユニットにアクセス可
能であり、補助搬送空間38側のシャトル40とも基板
Gを受け渡しできるようになっている。
The transport mechanism 46 constructed as described above is
It is possible to move up and down or rotate at high speed to access an arbitrary unit in the multi-stage unit sections (TB) 44 and 48 on both sides, and to transfer the substrate G to and from the shuttle 40 on the auxiliary transfer space 38 side. .

【0023】第1の熱的処理部26の下流側に隣接する
塗布プロセス部28は、図1に示すように、レジスト塗
布ユニット(CT)82、減圧乾燥ユニット(VD)8
4およびエッジリムーバ・ユニット(ER)86をプロ
セスラインAに沿って一列に配置している。図示省略す
るが、塗布プロセス部28内には、これら3つのユニッ
ト(CT)82、(VD)84、(ER)86に基板G
を工程順に1枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設
けられており、各ユニット(CT)82、(VD)8
4、(ER)86内では基板1枚単位で各処理が行われ
るようになっている。
The coating process unit 28 adjacent to the downstream side of the first thermal processing unit 26 has a resist coating unit (CT) 82 and a reduced pressure drying unit (VD) 8 as shown in FIG.
4 and the edge remover unit (ER) 86 are arranged in a line along the process line A. Although not shown, in the coating process unit 28, the substrate G is provided in these three units (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86.
A transport device is provided for loading and unloading the sheets one by one in the order of steps, and each unit (CT) 82, (VD) 8
4. In the (ER) 86, each process is performed on a substrate-by-substrate basis.

【0024】塗布プロセス部28の下流側に隣接する第
2の熱的処理部30は、上記第1の熱的処理部26と同
様の構成を有しており、両プロセスラインA,Bの間に
縦型の搬送機構90を設け、プロセスラインA側(最後
尾)に一方の多段ユニット部(TB)88を設け、プロ
セスラインB側(先頭)に他方の多段ユニット部(T
B)92を設けている。
The second thermal processing section 30 adjacent to the downstream side of the coating process section 28 has the same structure as the first thermal processing section 26, and is located between both process lines A and B. Is provided with a vertical transfer mechanism 90, one multi-stage unit (TB) 88 is provided on the process line A side (last), and the other multi-stage unit (T) is provided on the process line B side (head).
B) 92 is provided.

【0025】図示省略するが、たとえば、プロセスライ
ンA側の多段ユニット部(TB)88には、最下段に基
板受け渡し用のパスユニット(PASS)が置かれ、そ
の上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)
がたとえば3段積み重ねられてよい。また、プロセスラ
インB側の多段ユニット部(TB)92には、最下段に
基板受け渡し用のパスユニット(PASS)が置かれ、
その上に冷却ユニット(COL)がたとえば1段重ねら
れ、その上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBA
KE)がたとえば2段積み重ねられてよい。
Although not shown, for example, in the multi-stage unit (TB) 88 on the process line A side, a substrate transfer pass unit (PASS) is placed at the bottom, and a pre-baking heating unit (PASS) is placed thereon. PREBAKE)
May be stacked in three layers, for example. In the multi-stage unit (TB) 92 on the process line B side, a substrate transfer pass unit (PASS) is placed at the bottom.
For example, a cooling unit (COL) is stacked on top of it, and a heating unit for pre-baking (PREBA) is placed on it.
KE) may for example be stacked in two layers.

【0026】第2の熱的処理部30における搬送機構9
0は、両多段ユニット部(TB)88,92のそれぞれ
のパスユニット(PASS)を介して塗布プロセス部2
8および現像プロセス部32と基板Gを1枚単位で受け
渡しできるだけでなく、補助搬送空間38内のシャトル
40や後述するインタフェースステーション(I/F)
18とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっ
ている。
The transport mechanism 9 in the second thermal processing section 30.
0 indicates the coating process unit 2 via the respective pass units (PASS) of the multi-stage unit units (TB) 88, 92.
8 and the development process unit 32 and the substrate G can be delivered one by one, and also the shuttle 40 in the auxiliary transfer space 38 and an interface station (I / F) described later.
The substrate 18 can be handed over in a unit of 18.

【0027】下流部のプロセスラインBにおいて、現像
プロセス部32は、基板Gを水平姿勢で搬送しながら一
連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユ
ニット(DEV)94を含んでいる。
In the downstream process line B, the developing process section 32 includes a so-called flat-flow developing unit (DEV) 94 which carries out a series of developing processing steps while the substrate G is conveyed in a horizontal posture.

【0028】現像プロセス部32の下流側には脱色プロ
セス部34を挟んで第3の熱的処理部36が配置され
る。脱色プロセス部34は、基板Gの被処理面にi線
(波長365nm)を照射して脱色処理を行うためのi
線UV照射ユニット(i−UV)96を備えている。
A third thermal processing section 36 is arranged downstream of the developing process section 32 with a decolorizing process section 34 interposed therebetween. The decolorization processing unit 34 irradiates the surface to be processed of the substrate G with i-line (wavelength 365 nm) to perform the decolorization process.
A line UV irradiation unit (i-UV) 96 is provided.

【0029】第3の熱的処理部36は、上記第1の熱的
処理部26や第2の熱的処理部30と同様の構成を有し
ており、プロセスラインBに沿って縦型の搬送機構10
0とその前後両側に一対の多段ユニット部(TB)9
8,102を設けている。
The third thermal processing section 36 has the same structure as the first thermal processing section 26 and the second thermal processing section 30, and is of a vertical type along the process line B. Transport mechanism 10
0 and a pair of multi-stage unit parts (TB) 9 on the front and back sides
8, 102 are provided.

【0030】図示省略するが、たとえば、上流側の多段
ユニット部(TB)98には、最下段にパスユニット
(PASS)が置かれ、その上にポストベーキング用の
加熱ユニット(POBAKE)がたとえば3段積み重ね
られてよい。また、下流側の多段ユニット部(TB)1
02には、最下段にポストベーキング・ユニット(PO
BAKE)が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却
用のパス・クーリングユニット(PASS・COL)が
1段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニ
ット(POBAKE)が2段積み重ねられてよい。
Although not shown, for example, a pass unit (PASS) is placed at the lowermost stage in the multi-stage unit (TB) 98 on the upstream side, and a heating unit (POBAKE) for post-baking is provided on the pass unit (PASS). It may be stacked. In addition, the downstream multi-stage unit (TB) 1
02 has a post-baking unit (PO
BAKE) may be placed on top of which one pass / cooling unit (PASS / COL) for substrate transfer and cooling may be stacked, and two heating units (POBAKE) for post-baking may be stacked thereon.

【0031】第3の熱的処理部36における搬送機構1
00は、両多段ユニット部(TB)98,102のパス
ユニット(PASS)およびパス・クーリングユニット
(PASS・COL)を介してそれぞれi線UV照射ユ
ニット(i−UV)96およびカセットステーション
(C/S)14と基板Gを1枚単位で受け渡しできるだ
けでなく、補助搬送空間38内のシャトル40とも基板
Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。
The transport mechanism 1 in the third thermal processing section 36
00 is an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 and a cassette station (C / C) via a pass unit (PASS) and a pass cooling unit (PASS / COL) of both multi-stage unit sections (TB) 98 and 102, respectively. S) 14 and the substrate G can be delivered not only in the unit of one sheet, but also the substrate G can be delivered in the unit of one sheet with the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38.

【0032】インタフェースステーション(I/F)1
8は、隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行う
ための搬送装置104を有し、その周囲にバッファ・ス
テージ(BUF)105、エクステンション・クーリン
グステージ(EXT・COL)106および周辺装置1
10を配置している。バッファ・ステージ(BUF)1
05には定置型のバッファカセット(図示せず)が置か
れる。エクステンション・クーリングステージ(EXT
・COL)106は、冷却機能を備えた基板受け渡し用
のステージであり、プロセスステーション(P/S)1
6側と基板Gをやりとりする際に用いられる。周辺装置
110はたとえばタイトラー(TITLER)と周辺露
光装置(EE)とを上下に積み重ねた構成であってよ
い。搬送装置104は、基板Gを保持できる手段たとえ
ば搬送アーム104aを有し、隣接する露光装置12や
各ユニット(BUF)105、(EXT・COL)10
6、(TITLER/EE)110と基板Gの受け渡し
を行えるようになっている。
Interface station (I / F) 1
8 has a transfer device 104 for exchanging the substrate G with the adjacent exposure device 12, and a buffer stage (BUF) 105, an extension cooling stage (EXT, COL) 106, and a peripheral device 1 around the transfer device 104.
10 are arranged. Buffer stage (BUF) 1
In 05, a stationary buffer cassette (not shown) is placed. Extension cooling stage (EXT
COL) 106 is a substrate transfer stage having a cooling function, and includes a process station (P / S) 1
It is used when exchanging the substrate G with the 6 side. The peripheral device 110 may have a structure in which, for example, a TITLER and a peripheral exposure device (EE) are vertically stacked. The transfer device 104 has a means capable of holding the substrate G, for example, a transfer arm 104a, and is provided with an adjacent exposure device 12 and each unit (BUF) 105, (EXT.COL) 10.
6, (TITLER / EE) 110 and the substrate G can be transferred.

【0033】図3に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C
/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上
の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、
プロセスステーション(P/S)16の洗浄プロセス部
24のエキシマUV照射ユニット(e−UV)41に搬
入する(ステップS1)。
FIG. 3 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, the cassette station (C
/ S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from the predetermined cassette C on the stage 20,
It is carried into the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 of the cleaning process section 24 of the process station (P / S) 16 (step S1).

【0034】エキシマUV照射ユニット(e−UV)4
1内で基板Gは紫外線照射による乾式洗浄を施される
(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表
面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板
Gは、カセットステーション(C/S)14の搬送機構
22によって洗浄プロセス部24のスクラバ洗浄ユニッ
ト(SCR)42へ移される。
Excimer UV irradiation unit (e-UV) 4
In 1 the substrate G is subjected to dry cleaning by UV irradiation (step S2). This ultraviolet cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After the UV cleaning is completed, the substrate G is transferred to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process unit 24 by the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.

【0035】スクラバ洗浄ユニット(SCR)42で
は、上記したように基板Gをコロ搬送またはベルト搬送
により水平姿勢でプロセスラインA方向に平流しで搬送
しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の
汚れを除去する(ステップS3)。そして、洗浄後も基
板Gを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後に
エアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。
In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, as described above, the substrate G is brushed on the upper surface (processed surface) of the substrate G while being horizontally conveyed by the roller conveyance or belt conveyance in the horizontal direction in the process line A direction. By performing cleaning or blow cleaning, particulate dirt is removed from the substrate surface (step S3). Then, after cleaning, the substrate G is subjected to a rinsing treatment while being conveyed in a uniform flow, and finally the substrate G is dried using an air knife or the like.

【0036】スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内で
洗浄処理の済んだ基板Gは、第1の熱的処理部26の上
流側多段ユニット部(TB)44内のパスユニット(P
ASS)50に搬入される。
The substrate G, which has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42, passes through the pass unit (P) in the upstream multi-stage unit (TB) 44 of the first thermal processing section 26.
ASS) 50.

【0037】第1の熱的処理部26において、基板Gは
搬送機構46により所定のシーケンスで所定のユニット
を回される。たとえば、基板Gは、最初にパスユニット
(PASS)50から加熱ユニット(DHP)52,5
4の1つに移され、そこで脱水処理を受ける(ステップ
S4)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)6
2,64の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷
却される(ステップS5)。しかる後、基板Gはアドヒ
ージョンユニット(AD)56に移され、そこで疎水化
処理を受ける(ステップS6)。この疎水化処理の終了
後に、基板Gは冷却ユニット(COL)62,64の1
つで一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。
最後に、基板Gは下流側多段ユニット部(TB)48に
属するパスユニット(PASS)50に移される。
In the first thermal processing section 26, the substrate G is rotated by the transfer mechanism 46 in a predetermined unit in a predetermined sequence. For example, the substrate G may be first processed from the pass unit (PASS) 50 to the heating unit (DHP) 52, 5
It is moved to one of 4 and undergoes dehydration treatment there (step S4). Next, the substrate G is cooled by the cooling unit (COL) 6
It is moved to one of the Nos. 2 and 64 and cooled there to a constant substrate temperature (Step S5). Thereafter, the substrate G is transferred to the adhesion unit (AD) 56, where it is subjected to a hydrophobic treatment (step S6). After the completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled by one of the cooling units (COL) 62, 64.
Then, it is cooled to a constant substrate temperature (step S7).
Finally, the substrate G is transferred to the pass unit (PASS) 50 belonging to the downstream multi-stage unit section (TB) 48.

【0038】このように、第1の熱的処理部26内で
は、基板Gが、搬送機構46を介して上流側の多段ユニ
ット部(TB)44と下流側の多段ユニット部(TB)
48との間で任意に行き来できるようになっている。な
お、第2および第3の熱的処理部30,36でも同様の
基板搬送動作を行えるようになっている。
As described above, in the first thermal processing section 26, the substrate G has the multi-stage unit section (TB) 44 on the upstream side and the multi-stage unit section (TB) on the downstream side via the transfer mechanism 46.
You can go back and forth between the 48 and the other. The second and third thermal processing units 30 and 36 can perform the same substrate transfer operation.

【0039】第1の熱的処理部26で上記のような一連
の熱的または熱系の処理を受けた基板Gは、下流側多段
ユニット部(TB)48内のパスユニット(PASS)
60から下流側隣の塗布プロセス部28のレジスト塗布
ユニット(CT)82へ移される。
The substrate G which has been subjected to the series of thermal or thermal processing as described above in the first thermal processing section 26 is a pass unit (PASS) in the downstream multi-stage unit section (TB) 48.
From 60, it is moved to the resist coating unit (CT) 82 of the coating process unit 28 on the downstream side.

【0040】基板Gはレジスト塗布ユニット(CT)8
2でたとえばスピンコート法により基板上面(被処理
面)にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾
燥ユニット(VD)84で減圧による乾燥処理を受け、
次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット(ER)8
6で基板周縁部の余分(不要)なレジストを取り除かれ
る(ステップS8)。
The substrate G is a resist coating unit (CT) 8
In 2, the resist solution is applied to the upper surface (the surface to be processed) of the substrate by, for example, the spin coating method, and immediately after that, the vacuum drying unit (VD) 84 adjacent on the downstream side is subjected to the drying processing under reduced pressure,
Next to the downstream edge remover unit (ER) 8
In step 6, excess (unnecessary) resist on the peripheral portion of the substrate is removed (step S8).

【0041】上記のようなレジスト塗布処理を受けた基
板Gは、減圧乾燥ユニット(VD)84から隣の第2の
熱的処理部30の上流側多段ユニット部(TB)88に
属するパスユニット(PASS)に受け渡される。
The substrate G that has undergone the resist coating process as described above passes from the vacuum drying unit (VD) 84 to the pass unit (TB) 88 belonging to the upstream multi-stage unit (TB) 88 of the second thermal processing unit 30 adjacent thereto. PASS).

【0042】第2の熱的処理部30内で、基板Gは、搬
送機構90により所定のシーケンスで所定のユニットを
回される。たとえば、基板Gは、最初に該パスユニット
(PASS)から加熱ユニット(PREBAKE)の1
つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受け
る(ステップS9)。次に、基板Gは、冷却ユニット
(COL)の1つに移され、そこで一定の基板温度まで
冷却される(ステップS10)。しかる後、基板Gは下流
側多段ユニット部(TB)92側のパスユニット(PA
SS)を経由して、あるいは経由せずにインタフェース
ステーション(I/F)18側のエクステンション・ク
ーリングステージ(EXT・COL)106へ受け渡さ
れる。
In the second thermal processing section 30, the substrate G is rotated by the transfer mechanism 90 in a predetermined sequence in a predetermined unit. For example, the substrate G is the first from the pass unit (PASS) to the heating unit (PREBAKE).
And is subjected to baking after resist application (step S9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) and cooled there to a constant substrate temperature (step S10). Thereafter, the substrate G is transferred to the path unit (PA) on the downstream multi-stage unit (TB) 92 side.
It is transferred to the extension / cooling stage (EXT / COL) 106 on the side of the interface station (I / F) 18 via the SS) or not.

【0043】インタフェースステーション(I/F)1
8において、基板Gは、エクステンション・クーリング
ステージ(EXT・COL)106から周辺装置110
の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周
辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光
を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップ
S11)。
Interface station (I / F) 1
8, the substrate G is moved from the extension / cooling stage (EXT / COL) 106 to the peripheral device 110.
Is carried into the peripheral exposure apparatus (EE), where it is exposed to remove the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G during development, and then sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S11).

【0044】露光装置12では基板G上のレジストに所
定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光
を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースス
テーション(I/F)18に戻されると(ステップS1
1)、先ず周辺装置110のタイトラー(TITLRE
R)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情
報が記される(ステップS12)。しかる後、基板Gはエ
クステンション・クーリングステージ(EXT・CO
L)106に戻される。インタフェースステーション
(I/F)18における基板Gの搬送および露光装置1
2との基板Gのやりとりは搬送装置104によって行わ
れる。
In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist on the substrate G. Then, the substrate G that has undergone the pattern exposure is returned from the exposure device 12 to the interface station (I / F) 18 (step S1).
1) First, the peripheral device 110 Titler (TITLRE
R), where predetermined information is written on a predetermined portion on the substrate (step S12). After that, the substrate G is mounted on the extension / cooling stage (EXT / CO).
L) 106. Substrate G Transport and Exposure Apparatus 1 at Interface Station (I / F) 18
The transfer device 104 exchanges the substrate G with the substrate 2.

【0045】プロセスステーション(P/S)16で
は、第2の熱的処理部30において搬送機構90がエク
ステンション・クーリングステージ(EXT・COL)
106より露光済の基板Gを受け取り、プロセスライン
B側の多段ユニット部(TB)92内のパスユニット
(PASS)を介して現像プロセス部32へ受け渡す。
In the process station (P / S) 16, the transfer mechanism 90 in the second thermal processing section 30 has an extension / cooling stage (EXT / COL).
The exposed substrate G is received from 106 and is transferred to the development process section 32 via the pass unit (PASS) in the multi-stage unit section (TB) 92 on the process line B side.

【0046】現像プロセス部32では、該多段ユニット
部(TB)92内のパスユニット(PASS)から受け
取った基板Gを現像ユニット(DEV)94に搬入す
る。現像ユニット(DEV)94において基板Gはプロ
セスラインBの下流に向って平流し方式で搬送され、そ
の搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が
行われる(ステップS13)。
In the developing process section 32, the substrate G received from the pass unit (PASS) in the multi-stage unit section (TB) 92 is carried into the developing unit (DEV) 94. In the developing unit (DEV) 94, the substrate G is conveyed toward the downstream of the process line B in a flat flow system, and a series of development processing steps of developing, rinsing and drying are performed during the conveyance (step S13).

【0047】現像プロセス部32で現像処理を受けた基
板Gは下流側隣の脱色プロセス部34へ搬入され、そこ
でi線照射による脱色処理を受ける(ステップS14)。
脱色処理の済んだ基板Gは、第3の熱的処理部36の上
流側多段ユニット部(TB)98内のパスユニット(P
ASS)に受け渡される。
The substrate G which has been subjected to the development processing in the development processing section 32 is carried into the adjacent decolorization processing section 34 on the downstream side, where it is subjected to the decolorization processing by i-ray irradiation (step S14).
The substrate G that has been subjected to the decolorization treatment is passed through the pass unit (P) in the upstream multi-stage unit (TB) 98 of the third thermal treatment unit 36.
ASS).

【0048】第3の熱的処理部(TB)98において、
基板Gは、最初に該パスユニット(PASS)から加熱
ユニット(POBAKE)の1つに移され、そこでポス
トベーキングを受ける(ステップS15)。次に、基板G
は、下流側多段ユニット部(TB)102内のパスクー
リング・ユニット(PASS・COL)に移され、そこ
で所定の基板温度に冷却される(ステップS16)。第3
の熱的処理部36における基板Gの搬送は搬送機構10
0によって行われる。
In the third thermal processing section (TB) 98,
The substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (POBAKE), where it is post-baked (step S15). Next, the substrate G
Is transferred to the pass cooling unit (PASS COL) in the downstream multi-stage unit (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S16). Third
The transfer of the substrate G in the thermal processing section 36 is performed by the transfer mechanism 10.
Performed by 0.

【0049】カセットステーション(C/S)14側で
は、搬送機構22が、第3の熱的処理部36のパスクー
リング・ユニット(PASS・COL)から塗布現像処
理の全工程を終えた基板Gを受け取り、受け取った基板
Gをいずれか1つのカセットCに収容する(ステップS
1)。
On the cassette station (C / S) 14 side, the transfer mechanism 22 transfers the substrate G from the pass cooling unit (PASS / COL) of the third thermal processing section 36 to which all the steps of coating / developing processing have been completed. The received substrate G is received and accommodated in any one of the cassettes C (step S
1).

【0050】この塗布現像処理システム10において
は、たとえば洗浄プロセス部24のスクラバ洗浄ユニッ
ト(SCR)42に本発明を適用することができる。以
下、図4〜図12を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニ
ット(SCR)42に適用した実施形態を説明する。
In the coating and developing treatment system 10, the present invention can be applied to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process unit 24, for example. Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a scrubber cleaning unit (SCR) 42 will be described with reference to FIGS. 4 to 12.

【0051】図4に、本発明の一実施形態によるスクラ
バ洗浄ユニット(SCR)42の全体構成を示す。この
スクラバ洗浄ユニット(SCR)42は、プロセスライ
ンAに沿って水平方向(X方向)に搬送ローラ112を
敷設してなるコロ搬送型の搬送路114を有し、この搬
送路114に沿って隔壁116を介して6つのブロック
またはモジュールM1〜M6を一列に連続配置してなる。
FIG. 4 shows the overall construction of the scrubber cleaning unit (SCR) 42 according to one embodiment of the present invention. The scrubber cleaning unit (SCR) 42 has a roller-conveying type conveying path 114 in which conveying rollers 112 are laid in the horizontal direction (X direction) along the process line A, and partition walls are provided along the conveying path 114. Six blocks or modules M1 to M6 are continuously arranged in a row via 116.

【0052】これら6つのモジュールM1〜M6のうち、
最上流端に位置する1番目のモジュールM1は基板搬入
部を構成し、2番目のモジュールM2はスクラビング洗
浄処理部を構成し、3番目のモジュールM3はブロー洗
浄処理部を構成し、4番目のモジュールM4はリンス処
理部を構成し、5番目のモジュールM5は乾燥処理部を
構成し、6番目つまり最後尾のモジュールM6は基板搬
出部を構成している。
Of these six modules M1 to M6,
The first module M1 located at the most upstream end constitutes the substrate loading section, the second module M2 constitutes the scrubbing cleaning processing section, the third module M3 constitutes the blow cleaning processing section, and the fourth module M3. The module M4 constitutes a rinse processing section, the fifth module M5 constitutes a drying processing section, and the sixth module M6, which is the last module, constitutes a substrate unloading section.

【0053】基板搬入部M1には、上流側隣の基板搬送
機構(図示せず)から手渡される基板Gを水平姿勢で受
け取って搬送路114上に移載するための昇降可能な複
数本のリフトピン118が設けられている。基板搬出部
M6にも、基板Gを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送
機構(図示せず)へ手渡すための昇降可能な複数本のリ
フトピン120が設けられている。
A plurality of lift pins capable of moving up and down for receiving the substrate G handed from a substrate transport mechanism (not shown) adjacent to the upstream side in a horizontal posture and transferring it onto the transport path 114 in the substrate loading section M1. 118 is provided. The substrate unloading section M6 is also provided with a plurality of lift pins 120 that can be raised and lowered to lift the substrate G in a horizontal posture and hand it to an adjacent substrate transfer mechanism (not shown).

【0054】スクラビング洗浄処理部M2には、搬送路
114に沿って上流側から順に薬液ノズル122、プレ
ウエット用の洗浄スプレー管124、スクラビング洗浄
用のロールブラシ126,128、洗い流し用の洗浄ス
プレー管130等が一列に配置されている。また、下流
側の端部または壁際には、隣室(M3)と雰囲気を遮断
するためのエアカーテン形成部またはエア吹出し部13
2が設けられている。
In the scrubbing cleaning processing section M2, the chemical solution nozzle 122, the pre-wet cleaning spray tube 124, the scrubbing cleaning roll brushes 126 and 128, and the cleaning spray tube for cleaning are sequentially provided from the upstream side along the transport path 114. 130 etc. are arranged in a line. Further, at the downstream end or near the wall, an air curtain forming portion or an air blowing portion 13 for shutting off the atmosphere from the adjacent chamber (M3).
Two are provided.

【0055】ブロー洗浄処理部M3には、たとえば2流
体ジェットノズルからなる洗浄ノズル134が搬送路1
14を挟んで上下に(図示の例では一対)配置されると
ともに、下流側の隣室(M4)と雰囲気を遮断するため
のエアカーテン形成部136も設けられている。
In the blow cleaning processing section M3, a cleaning nozzle 134 composed of, for example, a two-fluid jet nozzle is provided in the transport path 1.
An air curtain forming portion 136 is provided above and below (in the illustrated example, a pair) with 14 sandwiched therebetween, and for shutting off the atmosphere from the adjacent chamber (M4) on the downstream side.

【0056】リンス処理部M4には、本実施形態のリン
スノズル138が配置されるとともに、下流側の隣室
(M5)と雰囲気を遮断するためのエアカーテン形成部
140も設けられている。
In the rinse processing section M4, the rinse nozzle 138 of this embodiment is arranged, and an air curtain forming section 140 for shutting off the atmosphere from the adjacent chamber (M5) on the downstream side is also provided.

【0057】乾燥処理部M5には、液切り用のエアーナ
イフ142が搬送路114を挟んで上下に(図示の例で
は二対)配置されている。
In the drying processing section M5, liquid cutting air knives 142 are vertically arranged (two pairs in the illustrated example) with the transport path 114 interposed therebetween.

【0058】処理部M2〜M5においては、搬送路114
の下に落ちた液を受け集めるためのパン144,14
6,148,150がそれぞれ設けられている。各パン
144〜150の底に設けられた排液口には回収系統ま
たは排液系統の配管が接続されている。
In the processing units M2 to M5, the transport path 114
Pans 144 and 14 for collecting the liquid that has fallen below
6, 148 and 150 are provided respectively. Pipes of a recovery system or a drainage system are connected to the drainage ports provided on the bottoms of the pans 144 to 150.

【0059】ここで、このスクラバ洗浄ユニット(SC
R)42における全体の動作および作用を説明する。基
板搬入部M1は、隣の基板搬送機構(図示せず)から基
板Gを1枚単位で受け取って搬送路114に移載または
搬入する。搬送路114を構成する搬送ローラ112
は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構(図示せず)
を介して電気モータ(図示せず)の駆動力により前進方
向に回転している。したがって、搬送路112に載った
基板Gは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部M2へ向け
て搬送される。通常、LCD用の基板Gは長方形に形成
されており、その長辺方向が搬送方向と平行になる向き
で搬送路114上を搬送される。
Here, this scrubber cleaning unit (SC
The overall operation and action of R) 42 will be described. The substrate loading unit M1 receives the substrates G one by one from an adjacent substrate transport mechanism (not shown) and transfers or loads them onto the transport path 114. Conveying roller 112 that constitutes the conveying path 114
Is a transmission mechanism (not shown) such as a rotary drive shaft or gear.
The motor is rotated in the forward direction by the driving force of an electric motor (not shown). Therefore, the substrate G placed on the transport path 112 is immediately transported to the adjacent scrubbing cleaning processing unit M2. Normally, the LCD substrate G is formed in a rectangular shape, and is transported on the transport path 114 in a direction in which the long side direction is parallel to the transport direction.

【0060】スクラビング洗浄処理部M2では、搬送路
114上を搬送される基板Gの上面(被処理面)に対し
て、最初に薬液ノズル122がたとえば酸またはアルカ
リ系の薬液を基板被処理面の全面に吹き付け、直後に洗
浄スプレー管124がプリウエット用の洗浄液たとえば
純水を吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路114
の下方にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配
置して、基板Gにも薬液やプレウエット液を吹き付けて
もよい。
In the scrubbing cleaning processing section M2, the chemical liquid nozzle 122 first applies an acid or alkaline chemical liquid to the upper surface (processed surface) of the substrate G transported on the transport path 114. Immediately after spraying on the entire surface, the cleaning spray pipe 124 sprays a cleaning liquid for prewetting, for example, pure water. Although not shown, the transport path 114
A similar chemical solution nozzle and a cleaning spray pipe may be disposed below the same to spray the chemical solution or the pre-wet solution onto the substrate G as well.

【0061】次いで、基板Gはロールブラシ126,1
28の間を通り抜け、その際にロールブラシ126,1
28が基板Gの被処理面および裏面上の異物(塵埃、破
片、汚染物等)をそれぞれ擦り取る。その直後に、洗浄
スプレー管124が基板Gの被処理面全体に洗浄液たと
えば純水を吹き付け、基板上に浮遊している異物を洗い
流す。
Then, the substrate G is covered with the roll brushes 126, 1
28 between the roll brushes 126, 1
28 scrapes off foreign matter (dust, debris, contaminants, etc.) on the surface to be processed and the back surface of the substrate G, respectively. Immediately after that, the cleaning spray tube 124 sprays a cleaning liquid, for example, pure water, onto the entire surface of the substrate G to be processed, and rinses foreign substances floating on the substrate.

【0062】スクラビング洗浄処理部M2を抜けると、
基板Gは次にブロー洗浄処理部M3に入る。ブロー洗浄
処理部M3では、上下の洗浄ノズル134が、加圧され
た洗浄液(たとえば純水)と加圧された気体(たとえば
窒素)とをノズル内で混合して粒状の液滴を生成し、生
成した液滴を基板Gの上下面に向けて噴射する。こうし
てガスが溶け込んだ洗浄液が基板Gの表面に衝突するこ
とで、基板表面に付着または残存している異物が除去さ
れる。
When passing through the scrubbing cleaning section M2,
Substrate G then enters blow cleaning process M3. In the blow cleaning processing unit M3, the upper and lower cleaning nozzles 134 mix pressurized cleaning liquid (for example, pure water) and pressurized gas (for example, nitrogen) inside the nozzle to generate granular droplets, The generated droplets are jetted toward the upper and lower surfaces of the substrate G. In this way, the cleaning liquid in which the gas is dissolved collides with the surface of the substrate G, so that the foreign matter attached to or remaining on the substrate surface is removed.

【0063】ブロー洗浄処理部M3の次に基板Gはリン
ス処理部M4を通過する。リンス処理部M4では、搬送路
114上を水平姿勢で搬送される基板Gの被処理面に対
して、リンスノズル138がリンス液たとえば純水を基
板G上で搬送方向(X方向)に対して斜めまたは横方向
に流れるように供給する。これによって、ブロー洗浄処
理部M3から持ち込まれた基板G上の液(異物が浮遊し
ている液)がリンス液と一緒に流れて側方へ掃き出さ
れ、スムースにリンス液に置換される。なお、搬送路1
14の下にも同型または別型のリンスノズル(図示せ
ず)を設けて、基板Gの下面(裏面)に向けてリンス液
を同様に当てることも可能である。
Subsequent to the blow cleaning processing unit M3, the substrate G passes through the rinse processing unit M4. In the rinse processing unit M4, the rinse nozzle 138 moves the rinse liquid, for example, pure water, on the substrate G to be processed on the transfer path 114 in a horizontal posture in the transfer direction (X direction). Supply so that it flows diagonally or laterally. As a result, the liquid on the substrate G (liquid in which foreign matter is suspended) brought in from the blow cleaning processing unit M3 flows along with the rinse liquid and is swept out to the side, and is smoothly replaced by the rinse liquid. The transport path 1
It is also possible to provide a rinse nozzle (not shown) of the same type or a different type under 14 so that the rinse liquid is similarly applied toward the lower surface (back surface) of the substrate G.

【0064】リンス処理部M4の次に基板Gは乾燥処理
部M5に送られる。乾燥処理部M5では、搬送路114上
を水平姿勢で搬送される基板Gの上下面に対して、上下
のエアーナイフ142がナイフ状の鋭利な気体流たとえ
ばエアーを当てることにより、基板Gの全面からリンス
液が基板後方へ払い落とされる(液切りされる)。な
お、乾燥処理後に基板G上に水あかが部分的または局所
的に残るのを防止するために、エアーナイフ142の少
し上流側でプレウエット用のノズル(図示せず)よりた
とえば純水を基板Gの上面または全面に吹き付けるのが
好ましい。
Subsequent to the rinse processing section M4, the substrate G is sent to the drying processing section M5. In the drying processing section M5, the upper and lower air knives 142 apply a knife-like sharp gas flow, eg, air, to the upper and lower surfaces of the substrate G conveyed in a horizontal position on the conveyance path 114, whereby the entire surface of the substrate G is exposed. The rinse liquid is discharged from the back of the substrate (drained). It should be noted that, in order to prevent water scales partially or locally remaining on the substrate G after the drying process, pure water, for example, pure water is supplied from a pre-wetting nozzle (not shown) slightly upstream of the air knife 142. It is preferable to spray it on the upper surface or the entire surface of.

【0065】乾燥処理部M5で液切りされた基板Gはそ
のまま搬送路114に乗って基板搬出部M6に送られ
る。基板搬出部M6は、基板搬入部M1と同様の構成を有
しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対に
なるだけで基板搬入部M1と同様に動作する。つまり、
基板受け渡し用のリフトピン120を搬送路114より
も低い位置に待機させて基板Gが上流側(乾燥部M5)
から流れてくるのを待ち、基板Gがリフトピン120の
直上の所定位置に着いたならリフトピン120を上方へ
突き上げて基板Gを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送
機構(図示せず)へ渡す。
The substrate G drained in the drying processing section M5 is sent to the substrate unloading section M6 along the transport path 114 as it is. The substrate carry-out section M6 has the same configuration as the substrate carry-in section M1 and operates in the same manner as the substrate carry-in section M1 except that the substrate transfer procedure is reversed between carry-in and carry-out. That is,
The substrate transfer lift pins 120 are made to stand by at a position lower than the transport path 114 so that the substrate G is on the upstream side (drying unit M5).
When the substrate G reaches a predetermined position directly above the lift pin 120, the lift pin 120 is pushed upward to lift the substrate G in a horizontal posture, and the substrate G is transferred to an adjacent substrate transfer mechanism (not shown).

【0066】次に、図5〜図12につき、本実施形態の
リンス処理部M4に設けられるリンスノズル138の実
施例を説明する。
Next, an example of the rinse nozzle 138 provided in the rinse processing section M4 of this embodiment will be described with reference to FIGS.

【0067】図5に、第1の実施例によるリンスノズル
138を示す。このリンスノズル138は、“V”字ま
たは“く”字状に形成されたパイプからなるV型ノズル
160で構成されている。このV型ノズル160の頂部
または折曲部にはリンス液導入口162が設けられ、こ
のリンス液導入口162にリンス液供給管(図示せず)
が接続されている。V型ノズル160の頂部から左右斜
めに分岐する両翼ノズル部160L,160Rには軸方
向に一定の間隔で複数個の吐出口164が設けられてい
る。なお、この実施形態において「左」と「右」は搬送
方向(X方向)を向いて(基準として)定義している。
FIG. 5 shows a rinse nozzle 138 according to the first embodiment. The rinse nozzle 138 is composed of a V-shaped nozzle 160 composed of a pipe formed in a “V” shape or a “V” shape. A rinse liquid inlet 162 is provided at the top or bent portion of the V-shaped nozzle 160, and a rinse liquid supply pipe (not shown) is provided at the rinse liquid inlet 162.
Are connected. A plurality of outlets 164 are provided at regular intervals in the axial direction in both blade nozzle portions 160L and 160R that branch diagonally from the top of the V-shaped nozzle 160 to the left and right. In this embodiment, “left” and “right” are defined (as a reference) in the transport direction (X direction).

【0068】図示のように、V型ノズル160は、各吐
出口164が基板の進行に逆らう向きで、好ましくは頂
部が搬送路114の幅方向中心部に位置し、左右ノズル
部160L,160Rがそれぞれ基板Gの左半分領域お
よび右半分領域をカバーするように、搬送路114の上
方(または下方)に水平に配置される。各吐出口164
は水平面に対して搬送路114側に所定の角度で向けら
れてよい。
As shown in the figure, in the V-shaped nozzle 160, each discharge port 164 is oriented in the direction opposite to the progress of the substrate, preferably the top is located in the widthwise center of the transport path 114, and the left and right nozzles 160L and 160R are provided. It is horizontally arranged above (or below) the transport path 114 so as to cover the left half region and the right half region of the substrate G, respectively. Each discharge port 164
May be oriented at a predetermined angle toward the transport path 114 with respect to the horizontal plane.

【0069】したがって、基板Gが搬送路114上でV
型ノズル160の直下を通過する際に、リンス液供給部
(図示せず)よりV型ノズル160にリンス液Bが圧送
され、各吐出口164より基板Gに向けてリンス液が吐
出または噴射される。そうすると、左ノズル部160L
の各吐出口164より吐出されたリンス液Bは基板G上
で矢印Lで模式的に示すように基板の進行に逆らう向き
で左斜め方向に流れ、右ノズル部160Rの各吐出口1
64より吐出されたリンス液Bは基板G上で矢印Rで模
式的に示すように基板の進行に逆らう向きで右斜め方向
に流れる。
Therefore, the substrate G is V on the transfer path 114.
When passing directly under the mold nozzle 160, the rinse liquid B is pressure-fed to the V-shaped nozzle 160 from the rinse liquid supply unit (not shown), and the rinse liquid is discharged or jetted toward the substrate G from each discharge port 164. It Then, the left nozzle 160L
The rinsing liquid B discharged from each of the discharge ports 164 of the right nozzle portion 160R flows diagonally to the left in the direction against the progress of the substrate as schematically shown by the arrow L on the substrate G, and each of the discharge ports 1 of the right nozzle portion 160R.
The rinse liquid B discharged from 64 flows obliquely to the right on the substrate G in a direction against the progress of the substrate as schematically shown by an arrow R.

【0070】この構成例では、V型ノズル160の中心
部にリンス液導入口を設けているため、左右ノズル部1
60L,160Rの各々において基板中心部に近い吐出
口164ほど大きな圧力ないし流量でリンス液Bを吐出
する。こうして、前段の処理部(ブロー洗浄処理部M
3)から持ち込まれた基板G上の液AがV型ノズル16
0の左右ノズル部160L,160Rより供給されるリ
ンス液Bの流れにより掻き出されるようにして基板被処
理面の左半分領域および右半分領域別に左側および右側
へ掃き出される。その結果、V型ノズル160の下流側
では基板G上にリンス液Bだけが残る。
In this configuration example, since the rinse liquid inlet is provided at the center of the V-shaped nozzle 160, the left and right nozzle portions 1
In each of 60L and 160R, the rinse liquid B is discharged with a larger pressure or flow rate toward the discharge port 164 closer to the center of the substrate. In this way, the former processing unit (blow cleaning processing unit M
3) The liquid A on the substrate G brought from the V-shaped nozzle 16
The rinse liquid B supplied from the left and right nozzle portions 160L and 160R of 0 is swept out to the left and right sides of the left half region and the right half region of the substrate surface to be processed. As a result, only the rinse liquid B remains on the substrate G on the downstream side of the V-shaped nozzle 160.

【0071】このように、この実施例では、搬送路11
4上を水平姿勢で搬送される基板Gの被処理面に対し
て、V型ノズル160がリンス液Bを基板G上で搬送方
向に対して斜め方向に流れるように供給することによ
り、前段の処理部(M3)から持ち込まれた基板G上の
液Aをリンス液Bの流れにより基板の横または側方へ掃
き出す(押し出す)ようにしたので、簡単かつ容易にリ
ンス液Bに置換することができる。
Thus, in this embodiment, the transport path 11
The V-shaped nozzle 160 supplies the rinse liquid B to the surface to be processed of the substrate G conveyed in a horizontal posture on the substrate 4 in such a manner that the rinse liquid B flows obliquely to the conveyance direction on the substrate G. Since the liquid A on the substrate G brought in from the processing section (M3) is swept (extruded) to the side or the side of the substrate by the flow of the rinse liquid B, the rinse liquid B can be easily and easily replaced. it can.

【0072】さらに、この実施例では、基板G上の被処
理面を左右に二分し、左半分領域についてはV型ノズル
160の左ノズル部160Lにより液を左方へ流し、右
半分領域についてはV型ノズル160の右ノズル部16
0Rにより液を右方へ流すようにしたので、基板上の各
部に存在していた旧液または被置換液Aを側方へ効率良
く掃き出すことができる。しかも、V型ノズル160の
左右ノズル部160L,160Rにより基板G上でリン
ス液Bを基板の進行に逆らう向きに流すため、基板G上
の旧液または被置換液Aを強制的に掻き出すようにして
一層効率的かつ良好に側方または横へ掃き出すことがで
きる。
Further, in this embodiment, the surface to be processed on the substrate G is divided into left and right parts, the left half region is made to flow leftward by the left nozzle portion 160L of the V-shaped nozzle 160, and the right half region is made to flow. The right nozzle portion 16 of the V-shaped nozzle 160
Since the liquid is caused to flow to the right by 0R, the old liquid or the liquid to be replaced A existing in each part on the substrate can be efficiently swept out to the side. Moreover, since the rinse liquid B flows on the substrate G in a direction against the progress of the substrate by the left and right nozzle portions 160L and 160R of the V-shaped nozzle 160, the old liquid or the liquid to be replaced A on the substrate G is forcibly scraped out. Can be swept laterally or laterally more efficiently and better.

【0073】また、この実施例におけるV型のノズル1
60は、搬送方向の所要スペースが小さくて済むため、
装置の小型化に有利である。
The V-shaped nozzle 1 in this embodiment is also used.
Since 60 requires a small space in the carrying direction,
This is advantageous for downsizing the device.

【0074】この実施例では、基板G上の置換領域を左
右に分けるための境界線(搬送方向と平行でV型ノズル
160の中心部を通る線)を基板中心部に設定したが、
適宜左側または右側にオフセットさせることも可能であ
る。ノズル160のリンス液導入口は任意の箇所に任意
の数だけ設けることができる。
In this embodiment, the boundary line for dividing the replacement area on the substrate G into the right and left (the line parallel to the carrying direction and passing through the center of the V-shaped nozzle 160) is set in the center of the substrate.
It is also possible to offset to the left or right as appropriate. The rinse liquid introduction port of the nozzle 160 can be provided in an arbitrary number and in an arbitrary number.

【0075】また、この実施例において、基板G上の左
右領域境界線付近でも液の置換を確実に行うためには、
V型ノズル160において左右ノズル部160L,16
0Rの頂部寄りの吐出口164,164を可及的に近づ
ける構成としてよい。あるいは、図6に示すように、ノ
ズル160の頂部にも吐出口164を設けて、この頂部
吐出口164から搬送方向と反対向きにリンス液Bを吐
出させる構成としてもよい。
Further, in this embodiment, in order to surely perform the liquid replacement even in the vicinity of the boundary line between the left and right regions on the substrate G,
In the V-shaped nozzle 160, the left and right nozzle portions 160L, 16
The discharge ports 164 and 164 near the top of the 0R may be arranged as close as possible. Alternatively, as shown in FIG. 6, a discharge port 164 may be provided at the top of the nozzle 160, and the rinse liquid B may be discharged from the top discharge port 164 in the direction opposite to the transport direction.

【0076】また、図7に示すように、V型ノズル16
0の左右分岐部160L,160Rにおいてリンス液吐
出部を軸方向に延びるスリット166で構成することも
可能である。また、上記した第1の実施例(図5〜図
7)の一変形例として、V型ノズル160の左右分岐部
160L,160Rを各々独立または分離したノズルと
して構成することもできる。
Further, as shown in FIG. 7, the V-shaped nozzle 16
In the left and right branch portions 160L and 160R of 0, the rinse liquid ejecting portion can be configured by the slit 166 extending in the axial direction. Further, as a modification of the first embodiment (FIGS. 5 to 7) described above, the left and right branch portions 160L and 160R of the V-shaped nozzle 160 may be configured as independent or separate nozzles.

【0077】図8に、第2の実施例によるリンスノズル
138を示す。このリンスノズル138は、搬送路の幅
方向中心部付近に、搬送方向に対してそれぞれほぼ直角
の左方向および右方向に向けて一対のノズル168,1
70を並列に配置する。両ノズル168,170の吐出
口は多口型でもよくスリット型でもよい。両ノズル16
8,170は配管(図示せず)を介してリンス液供給部
(図示せず)に接続されている。
FIG. 8 shows a rinse nozzle 138 according to the second embodiment. The rinse nozzle 138 has a pair of nozzles 168, 1 in the vicinity of the central portion in the width direction of the conveyance path toward the left direction and the right direction substantially orthogonal to the conveyance direction.
70 are arranged in parallel. The discharge ports of both nozzles 168 and 170 may be of a multi-mouth type or a slit type. Both nozzles 16
8 and 170 are connected to a rinse liquid supply unit (not shown) via a pipe (not shown).

【0078】一方のノズル168はリンス液Bを搬送方
向に対してほぼ直角の左方向に吐出または噴射し、他方
のノズル170はリンス液Bを搬送方向に対してほぼ直
角の右方向に吐出する。これにより、基板G上の左半分
領域では、矢印Lで模式的に示すようにノズル168か
らのリンス液Bが基板中心部から基板上を横断するよう
に左方に流れ、このリンス液Bの流れにより各部の旧液
または被置換液Aが左方へ掃き出される。他方、基板G
上の右半分領域では、矢印Rで模式的に示すようにノズ
ル170からのリンス液Bが基板中心部から基板上を横
断するように右方に流れ、このリンス液Bの流れにより
各部の被置換液Aが右方へ掃き出される。こうして両ノ
ズル168,170の下流側では基板G上にリンス液B
だけが残る。
One of the nozzles 168 discharges or jets the rinse liquid B in the left direction substantially perpendicular to the carrying direction, and the other nozzle 170 discharges the rinse liquid B in the right direction substantially perpendicular to the carrying direction. . As a result, in the left half region on the substrate G, the rinse liquid B from the nozzle 168 flows to the left so as to cross the substrate from the central portion of the substrate as schematically shown by the arrow L, and the rinse liquid B The old liquid or the liquid A to be replaced in each part is swept out to the left by the flow. On the other hand, the substrate G
In the upper right half region, as schematically shown by an arrow R, the rinse liquid B from the nozzle 170 flows to the right from the center of the substrate so as to traverse over the substrate, and the flow of the rinse liquid B causes each portion to be covered. The substitution liquid A is swept out to the right. Thus, on the downstream side of both nozzles 168 and 170, the rinse liquid B is deposited on the substrate G.
Only remains.

【0079】両ノズル168,170の配置位置は任意
に変更または調整されてよい。特に、両ノズル168,
170を搬送路幅方向で適宜オフセットさせることで、
基板G上の左右領域境界線付近にもリンス液Bを十分に
施して良好な置換を行うことができる。
Arrangement positions of both nozzles 168 and 170 may be arbitrarily changed or adjusted. In particular, both nozzles 168,
By appropriately offsetting 170 in the width direction of the conveyance path,
The rinsing liquid B can be sufficiently applied to the vicinity of the boundary between the left and right regions on the substrate G to perform good replacement.

【0080】あるいは、図9に示すように、左右に吐出
口172L,172Rを有する1つのノズル172から
リンス液Bを左右横方向に吐出させる構成も可能であ
る。この場合、ノズル172の真下を通過する基板中心
部にもリンス液Bを十分に施すために、左右吐出口17
2L,172Rよりも上流側に設けられる中心吐出口1
72Cより搬送方向と反対方向または基板面にほぼ垂直
な方向にリンス液Bを吐出させる構成が好ましい。
Alternatively, as shown in FIG. 9, the rinse liquid B may be discharged laterally from one nozzle 172 having discharge ports 172L and 172R on the left and right. In this case, in order to sufficiently apply the rinse liquid B also to the central portion of the substrate passing directly under the nozzle 172, the left and right discharge ports 17 are formed.
2L, 172R central discharge port provided on the upstream side
It is preferable that the rinse liquid B is discharged from 72C in a direction opposite to the transport direction or in a direction substantially perpendicular to the substrate surface.

【0081】このように、この第2の実施例では、搬送
路114上を水平姿勢で搬送される基板Gの被処理面に
対して、搬送方向に対してほぼ直角に左および/または
右を向いた吐出口を有するノズル(168,170)、
172がリンス液Bを基板G上で搬送方向に対して横方
向に流れるように供給することにより、前段の処理部
(M3)から持ち込まれた基板G上の被置換液Aをリン
ス液Bの流れにより基板の横または側方へ掃き出すよう
にしたので、簡単かつ容易にリンス液Bに置換すること
ができる。
As described above, in the second embodiment, the left and / or right sides of the surface of the substrate G conveyed in the horizontal posture on the conveyance path 114 are moved substantially at right angles to the conveyance direction. Nozzles (168, 170) with facing outlets,
172 supplies the rinse liquid B so as to flow on the substrate G in the lateral direction with respect to the transport direction, so that the liquid A to be replaced on the substrate G brought from the processing unit (M3) in the preceding stage is replaced with the rinse liquid B. Since the substrate is swept out laterally or laterally by the flow, the rinse liquid B can be replaced easily and easily.

【0082】さらに、この第2の実施例では、基板G上
の被処理面を搬送方向に対して左右に二分し、左半分領
域については左向きのノズル168またはノズル吐出口
172Lにより液を左方へ掃き出し、右半分領域につい
ては右向きのノズル170またはノズル吐出口172R
により液を右方へ掃き出すようにしたので、基板上の各
部に存在していた被置換液Aを基板側方へ効率良く掃き
出すことができる。
Furthermore, in the second embodiment, the surface to be processed on the substrate G is divided into two parts to the left and right with respect to the carrying direction, and the left half region is leftwardly moved by the nozzle 168 or the nozzle discharge port 172L. The nozzle 170 or the nozzle outlet 172R facing right in the right half area
As a result, the liquid is swept out to the right, so that the liquid A to be replaced existing in each part on the substrate can be swept out to the side of the substrate efficiently.

【0083】この第2の実施例でも、基板G上の被処理
面を左右に分ける境界線は、基板中心部付近に限られる
ものではなく、適宜左側または右側にオフセットさせる
ことができる。
Also in the second embodiment, the boundary line that divides the surface to be processed on the substrate G into the right and left is not limited to the vicinity of the central portion of the substrate, and can be appropriately offset to the left or right.

【0084】図10に、第3の実施例によるリンスノズ
ル138を示す。このリンスノズル138は、搬送路1
14を横断する方向に直列に配置された複数個たとえば
2つのノズル174,176で構成される。より詳細に
は、ノズル174は搬送路114の傍たとえば左側から
右方向にリンス液Bを噴射し、ノズル174より噴射さ
れたリンス液Bは基板Gの左端部に当たって基板G上を
右方へ横断するように流れる。ノズル176は搬送路1
14の上方より右方向にリンス液Bを噴射し、ノズル1
76より噴射されたリンス液Bは基板Gの基板中心部に
当たって、ノズル174側からのリンス液Bの流れに合
流して、基板G上を右方へ横断するように流れる。この
ように、基板Gを横断する方向で、上流側のノズル17
4によるリンス液Bの流れに下流側のノズル176によ
るリンス液Bの流れを多重または合流させることで、リ
ンス液Bの流れを増強し、被置換液Aの横断的な掃き出
しを良好に行うことができる。この実施例で直列配置さ
れるノズルは2個に限らず、3個以上でも可能である。
FIG. 10 shows a rinse nozzle 138 according to the third embodiment. The rinse nozzle 138 is used for the transport path 1.
A plurality of nozzles 174, 176, for example, two nozzles 174, 176 are arranged in series in a direction traversing 14. More specifically, the nozzle 174 sprays the rinse liquid B from the left side to the right side of the transport path 114, and the rinse liquid B sprayed from the nozzle 174 hits the left end portion of the substrate G and crosses the substrate G rightward. Flow like you do. Nozzle 176 is transport path 1
The rinse liquid B is sprayed rightward from above 14 to the nozzle 1
The rinse liquid B sprayed from 76 hits the substrate center of the substrate G, merges with the flow of the rinse liquid B from the nozzle 174 side, and flows across the substrate G to the right. Thus, the nozzle 17 on the upstream side in the direction traversing the substrate G is
4. The flow of the rinse liquid B from the nozzle 176 on the downstream side is multiplexed or merged with the flow of the rinse liquid B from No. 4 to enhance the flow of the rinse liquid B and satisfactorily sweep out the liquid A to be replaced. You can In this embodiment, the number of nozzles arranged in series is not limited to two, and three or more nozzles are also possible.

【0085】図11に、第4の実施例によるリンスノズ
ル138を示す。このリンスノズル138は、搬送路1
14の傍たとえば左側から基板Gの被処理面に向けて右
方向にリンス液Bを噴射するノズル178と、ノズル1
78により基板G上に形成されるリンス液Bの横断的な
流れに対して側方(搬送方向の上流および/または下流
側)から流体たとえばリンス液Bを当てるスプレー管型
ノズル180とで構成される。
FIG. 11 shows a rinse nozzle 138 according to the fourth embodiment. The rinse nozzle 138 is used for the transport path 1.
Nozzle 178 for injecting rinsing liquid B rightward toward the surface to be processed of substrate G from the side near 14 and nozzle 1,
And a spray tube type nozzle 180 that applies a fluid, for example, the rinse liquid B from the side (upstream and / or downstream side in the transport direction) to the transverse flow of the rinse liquid B formed on the substrate G by 78. It

【0086】この構成においては、ノズル180により
基板G上に流体カーテンを形成することにより、ノズル
178側からのリンス液Bの流れを横方向に整流して
(広がりを防止して)、基板G上の被置換液Aに対する
横方向の掃き出しを良好に行うことができる。しかも、
ノズル178と同一の液(リンス液B)をノズル180
より供給するので、ノズル178側からのリンス液Bの
流れを増強する効果も得られる。
In this structure, by forming a fluid curtain on the substrate G by the nozzle 180, the flow of the rinse liquid B from the nozzle 178 side is rectified in the lateral direction (preventing the spread), and the substrate G is removed. The lateral sweeping out of the liquid to be replaced A can be favorably performed. Moreover,
The same liquid as the nozzle 178 (rinse liquid B) is applied to the nozzle 180.
Since it is supplied more, the effect of enhancing the flow of the rinse liquid B from the nozzle 178 side can also be obtained.

【0087】なお、ノズル180を片側だけに配置する
構成も可能である。また、ノズル180より吐出する流
体をガスたとえばエアーまたは窒素ガスとすることも可
能である。
It is also possible to arrange the nozzle 180 only on one side. Further, the fluid discharged from the nozzle 180 may be gas such as air or nitrogen gas.

【0088】図12に、第5の実施例によるリンスノズ
ル138を示す。このリンスノズル138は、基板Gを
斜めに横断するように搬送路114の上方に架けられる
スプレー管型ノズル182で構成される。このノズル1
82の搬送方向とは反対側の側面には軸方向に一定間隔
で多数の吐出口184が設けられている。これらの吐出
口184は、基板Gの被処理面に向けて基板の進行と逆
らう向きで斜め方向(図示の例では左斜め方向)にリン
ス液Bを吐出または噴射する。各吐出口184より噴射
されたリンス液Bは基板G上で矢印Lで模式的に示すよ
うに基板の進行に逆らう向きで左斜め方向に流れる。こ
の場合、右端側にいくほど吐出口184の吐出圧力また
は流量を大きくするのが好ましく、ノズル182のリン
ス液導入口186を右端部に設けてよい。
FIG. 12 shows a rinse nozzle 138 according to the fifth embodiment. The rinse nozzle 138 is composed of a spray tube type nozzle 182 that is provided above the transport path 114 so as to cross the substrate G obliquely. This nozzle 1
A large number of discharge ports 184 are provided at a constant interval in the axial direction on the side surface of the side opposite to the conveying direction of 82. These ejection ports 184 eject or eject the rinse liquid B toward the surface to be processed of the substrate G in an oblique direction (left oblique direction in the illustrated example) in a direction counter to the progress of the substrate. The rinse liquid B ejected from each of the ejection ports 184 flows diagonally to the left on the substrate G in a direction against the progress of the substrate as schematically shown by an arrow L. In this case, it is preferable to increase the discharge pressure or flow rate of the discharge port 184 toward the right end side, and the rinse liquid introduction port 186 of the nozzle 182 may be provided at the right end portion.

【0089】さらに、この実施例では、ノズル182の
右端部に搬送方向の下流側を向く1個または複数個の吐
出口188を設けている。この吐出口188より吐出さ
れるリンス液Bは、基板Gの右端部を横切って基板の外
へ流れて、基板右端部に残っている被置換液Bを右方へ
掃き出す。
Further, in this embodiment, at the right end of the nozzle 182, one or a plurality of discharge ports 188 facing the downstream side in the carrying direction are provided. The rinse liquid B discharged from the discharge port 188 crosses the right end portion of the substrate G and flows out of the substrate, and the liquid to be replaced B remaining at the right end portion of the substrate is swept out to the right.

【0090】上記した実施形態における各部の構成は一
例であり、特にリンスノズル138だけでなくスクラバ
洗浄ユニット(SCR)42内の他の部分においても種
々の変形が可能である。上記した実施形態では、搬送ロ
ーラ112を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送
路114を構成した。このようなコロ搬送型の搬送路で
は、各対向する一対の搬送ローラ112,112の中間
位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。ま
た、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設
してなるベルト搬送型の搬送路も可能である。
The configuration of each part in the above-described embodiment is an example, and various modifications can be made not only to the rinse nozzle 138 but also to other parts in the scrubber cleaning unit (SCR) 42. In the above-described embodiment, the roller conveying type conveying path 114 is configured by laying the conveying rollers 112 in the horizontal direction. In such a roller transport type transport path, a substrate transport roller may be attached at an intermediate position between the pair of transport rollers 112, 112 facing each other. Further, a belt-conveying type conveying path in which a pair of belts are laid horizontally in a certain interval is also possible.

【0091】搬送路の途中で、たとえばリンス処理部M
4内で基板Gを傾斜状態で停止または搬送することも可
能である。その場合、本発明における液置換法に重力が
加味されることになる。
In the middle of the conveying path, for example, the rinse processing unit M
It is also possible to stop or convey the substrate G in a tilted state within 4. In that case, gravity is added to the liquid replacement method of the present invention.

【0092】上記した実施形態はスクラバ洗浄ユニット
または洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は洗
浄処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、た
とえば上記のような塗布現像処理システムにおいては現
像ユニット(DEV)94にも適用可能である。すなわ
ち、現像ユニット(DEV)94における搬送路上で現
像停止用リンス処理部より下流側の最終リンス部で上記
実施形態と同様の液置換処理を行うことができる。ま
た、本発明はリンス液以外にも任意の液の置換に適用可
能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限
るものではなく、処理中に液の置換を必要とする任意の
被処理基板が含まれる。
Although the above-described embodiment relates to the scrubber cleaning unit or the cleaning processing apparatus, the present invention can be applied to a substrate processing apparatus other than the cleaning processing apparatus. For example, the coating and developing processing system as described above. In, it is also applicable to the developing unit (DEV) 94. That is, the same liquid replacement process as that in the above-described embodiment can be performed in the final rinse section on the downstream side of the development stopping rinse section on the transport path in the developing unit (DEV) 94. Further, the present invention can be applied to the replacement of any liquid other than the rinse liquid. The substrate to be processed in the present invention is not limited to the LCD substrate, but includes any substrate to be processed that requires liquid replacement during processing.

【0093】[0093]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、平流し方式において被処理基板上の液を
効率的かつ良好に置換することができる。
As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the liquid on the substrate to be processed can be efficiently and satisfactorily replaced in the flat flow system.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の基板処理装置の適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing treatment system to which a substrate treating apparatus of the present invention can be applied.

【図2】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部
の構成を示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing a configuration of a thermal processing unit in the coating and developing processing system.

【図3】上記塗布現像処理システムにおける処理の手順
を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a processing procedure in the coating and developing processing system.

【図4】実施形態におけるスクラバ洗浄ユニットの全体
構成を示す正面図である。
FIG. 4 is a front view showing the overall configuration of a scrubber cleaning unit in the embodiment.

【図5】第1の実施例におけるリンスノズルの構成を示
す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing the configuration of a rinse nozzle according to the first embodiment.

【図6】第1の実施例の一変形例におけるリンスノズル
の構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing the configuration of a rinse nozzle according to a modification of the first embodiment.

【図7】第1の実施例の一変形例におけるリンスノズル
の構成を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing the configuration of a rinse nozzle according to a modification of the first embodiment.

【図8】第2の実施例におけるリンスノズルの構成を示
す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a configuration of a rinse nozzle according to a second embodiment.

【図9】第2の実施例の一変形例におけるリンスノズル
の構成を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing the configuration of a rinse nozzle according to a modification of the second embodiment.

【図10】第3の実施例におけるリンスノズルの構成を
示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a configuration of a rinse nozzle according to a third embodiment.

【図11】第4の実施例におけるリンスノズルの構成を
示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing a configuration of a rinse nozzle according to a fourth embodiment.

【図12】第5の実施例におけるリンスノズルの構成を
示す平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing the configuration of a rinse nozzle according to a fifth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 塗布現像処理システム 16(P/S) プロセスステーション 24 洗浄プロセス部 42 スクラバ洗浄ユニット 112 搬送ローラ 114 搬送路 M4 リンス処理部 138 リンスノズル 160 V型ノズル 160L 左ノズル部 160R 右ノズル部 164 吐出口 166 スリット(吐出部) 168,170,172 ノズル 174,176,178 ノズル 180 ノズル 182 ノズル 10 Coating and developing system 16 (P / S) process station 24 Cleaning process section 42 Scrubber cleaning unit 112 Conveyor roller 114 transport path M4 rinse processing section 138 Rinse nozzle 160 V type nozzle 160L left nozzle 160R right nozzle 164 Discharge port 166 Slit (Discharge part) 168, 170, 172 nozzles 174,176,178 nozzles 180 nozzles 182 nozzles

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永田 広 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 篠崎 賢哉 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Fターム(参考) 2H088 FA21 FA23 FA25 FA30 HA01 MA20 2H090 JC07 JC19 3B201 AA02 AB14 AB44 BA02 BB88 BB90 BB93 BC01 CB15 CC01 CC12 CC15 4D075 AC07 AC09 AC13 AC72 AC74 AC93 BB65Z CA47 DA06 DB13 DC24 EA06 EA07 EA45 4F042 AA02 AA10 BA08 DA01 DF16 EB25    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Hiroshi Nagata             TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo             Sending Center Tokyo Electron Limited (72) Inventor Kenya Shinozaki             TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo             Sending Center Tokyo Electron Limited F-term (reference) 2H088 FA21 FA23 FA25 FA30 HA01                       MA20                 2H090 JC07 JC19                 3B201 AA02 AB14 AB44 BA02 BB88                       BB90 BB93 BC01 CB15 CC01                       CC12 CC15                 4D075 AC07 AC09 AC13 AC72 AC74                       AC93 BB65Z CA47 DA06                       DB13 DC24 EA06 EA07 EA45                 4F042 AA02 AA10 BA08 DA01 DF16                       EB25

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板上で第1の液を第2の液に置
換する基板処理方法において、 前記基板の被処理面を上に向けて前記基板を水平方向に
搬送し、前記基板の被処理面に対して前記第2の液を前
記基板上で搬送方向に対して斜めまたは横方向に流れる
ように供給して、前記基板上から前記第1の液を前記第
2の液の流れる方向に掃き出す基板処理方法。
1. A substrate processing method for replacing a first liquid with a second liquid on a substrate to be processed, wherein the substrate is conveyed horizontally with the surface to be processed of the substrate facing upward, The second liquid is supplied to the surface to be processed so as to flow obliquely or laterally with respect to the transfer direction on the substrate, and the first liquid flows from the substrate on the second liquid. Substrate processing method that sweeps out in the direction.
【請求項2】 前記基板上で、前記第2の液を前記基板
の進行に逆らう向きで左側または右側へ斜め方向に流す
請求項1に記載の基板処理方法。
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the second liquid is caused to flow obliquely to the left side or the right side in a direction against the progress of the substrate on the substrate.
【請求項3】 前記基板上で、搬送方向と平行に設定さ
れた境界線より左側の被処理面領域については前記第2
の液を前記基板の進行に逆らう向きで左側へ斜め方向に
流し、前記境界線より右側の被処理面領域については前
記第2の液を前記基板の進行に逆らう向きで右側へ斜め
方向に流す請求項1に記載の基板処理方法。
3. The processed surface region on the left side of a boundary line set parallel to the transport direction on the substrate is the second surface.
Liquid is flown diagonally to the left in the direction against the advance of the substrate, and the second liquid is flown diagonally to the right in the direction against the advance of the substrate for the surface area to be processed on the right side of the boundary line. The substrate processing method according to claim 1.
【請求項4】 前記基板上で、搬送方向と平行に設定さ
れた境界線より左側の被処理面領域については前記第2
の液を左側へ横方向に流し、前記境界線より右側の被処
理面領域については前記第2の液を右側へ横方向に流す
請求項1に記載の基板処理方法。
4. The processed surface region on the left side of a boundary line set parallel to the transport direction on the substrate is the second surface.
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein said liquid is laterally flowed to the left side, and said second liquid is laterally flowed to the processed surface region on the right side of said boundary line.
【請求項5】 前記基板上で、前記第2の液を基板の一
方の側端部から他方の側端部まで横断させるように流す
請求項1に記載の基板処理方法。
5. The substrate processing method according to claim 1, wherein the second liquid is caused to flow across the substrate from one side end portion of the substrate to the other side end portion thereof.
【請求項6】 前記基板の一方の側端部からの前記第2
の液の流れに対して、前記基板上の途中で新たな前記第
2の液の流れを追加する請求項2に記載の基板処理方
法。
6. The second substrate from one side edge of the substrate.
3. The substrate processing method according to claim 2, wherein a new flow of the second liquid is added midway on the substrate to the flow of the liquid.
【請求項7】 前記基板上で前記第2の液の流れを所望
の方向に整流するための流体を供給する請求項1〜6の
いずれかに記載の基板処理方法。
7. The substrate processing method according to claim 1, wherein a fluid for rectifying the flow of the second liquid in a desired direction is supplied onto the substrate.
【請求項8】 被処理基板をその被処理面が上を向く姿
勢で水平方向に搬送するための搬送路と、 第1の液が存在する前記搬送路上の前記基板の被処理面
に対して第2の液を前記基板上で搬送方向に対して斜め
または横方向に流れるように供給する液供給手段とを有
し、 前記基板上で前記第1の液を前記第2の液の流れる方向
に掃き出して第2の液に置換する基板処理装置。
8. A transport path for horizontally transporting a substrate to be processed with the surface to be processed facing upward, and a surface to be processed of the substrate on the transport path in which the first liquid is present. Liquid supply means for supplying the second liquid so as to flow obliquely or laterally with respect to the transport direction on the substrate, and the first liquid flows on the substrate in the direction in which the second liquid flows. A substrate processing apparatus that sweeps out to a second liquid and replaces it with a second liquid.
【請求項9】 前記第2の液供給手段が、前記搬送路の
上方から前記基板の被処理面に向けて前記第2の液を基
板の進行に逆らう向きで搬送方向に対して斜め方向に噴
射するノズルを含む請求項8に記載の基板処理装置。
9. The second liquid supply means is arranged in an oblique direction with respect to the transfer direction in a direction against the progress of the substrate from above the transfer path toward the surface to be processed of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising a jetting nozzle.
【請求項10】 前記液供給手段が、前記基板上の搬送
方向と平行に設定された境界線より左側の被処理面領域
に対して前記第2の液を前記基板の進行に逆らう向きで
左斜め方向に噴射して流す第1のノズル部と、前記基板
上の前記境界線より右側の被処理面領域に対して前記第
2の液を前記基板の進行に逆らう向きで右斜め方向に噴
射して流す第2のノズル部とを含む請求項8に記載の基
板処理装置。
10. The liquid supply means sets the second liquid to the left in a direction against the progress of the substrate with respect to a surface area to be processed on the left side of a boundary line set parallel to the transport direction on the substrate. A first nozzle portion that jets and flows in an oblique direction, and jets the second liquid in a right diagonal direction against the progress of the substrate to a surface area to be processed on the right side of the boundary line on the substrate. 9. The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising a second nozzle portion that flows in a flowing manner.
【請求項11】 前記液供給手段が、前記基板上の搬送
方向と平行に設定された境界線より左側の被処理面領域
に対して前記第2の液を左側へ横方向に噴射して流す第
3のノズル部と、前記基板上の前記境界線より右側の被
処理面領域に対して前記第2の液を右側へ横方向に噴射
して流す第4のノズル部とを含む請求項8に記載の基板
処理装置。
11. The liquid supply means jets the second liquid laterally to the left side of a surface to be processed on the left side of a boundary line set parallel to the transport direction on the substrate and flows the second liquid. 9. A third nozzle section and a fourth nozzle section which jets the second liquid laterally to the right side of the boundary line on the substrate and jets the second liquid to the right side. The substrate processing apparatus according to.
【請求項12】 前記液供給手段が、前記搬送路の傍か
ら前記基板の被処理面に向けて前記第2の液を噴射する
第5のノズル部を含む請求項8に記載の基板処理装置。
12. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the liquid supply unit includes a fifth nozzle unit that jets the second liquid from the side of the transport path toward the surface to be processed of the substrate. .
【請求項13】 前記液供給手段が、前記第5のノズル
部から前記基板上に供給された前記第2の液の流れを増
強するために、前記搬送路の上方から前記基板の被処理
面に向けて前記第2の液を噴射して流す第6のノズル部
を含む請求項12に記載の基板処理装置。
13. The surface to be processed of the substrate from above the transfer path in order that the liquid supply means enhances the flow of the second liquid supplied onto the substrate from the fifth nozzle portion. 13. The substrate processing apparatus according to claim 12, further comprising a sixth nozzle portion that jets and flows the second liquid toward the nozzle.
【請求項14】 前記基板上で前記第2の液の流れを所
望の方向に整流するための流体を噴射する手段を有する
請求項8〜13のいずれかに記載の基板処理装置。
14. The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising means for ejecting a fluid for rectifying the flow of the second liquid in a desired direction on the substrate.
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