JP2005150549A - イオン照射での触媒励起によるlsi保護膜等の改質除去方法及び装置 - Google Patents
イオン照射での触媒励起によるlsi保護膜等の改質除去方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005150549A JP2005150549A JP2003388428A JP2003388428A JP2005150549A JP 2005150549 A JP2005150549 A JP 2005150549A JP 2003388428 A JP2003388428 A JP 2003388428A JP 2003388428 A JP2003388428 A JP 2003388428A JP 2005150549 A JP2005150549 A JP 2005150549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lsi
- protective film
- catalyst
- material layer
- excitation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】 弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬を全く用いることなしに、LSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜やパッケージ材料残存膜等の剥離・除去作業を行うことができる方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 LSI表面に被覆されている保護膜または、LSIにおける絶縁物質および前記保護膜を改質し剥離すべく、前記保護膜表面に触媒物質層を形成し、改質し剥離すべき部位に指向してイオンビームを照射して前記触媒物質を励起し所望部位の保護膜等を改質する。
【選択図】 図2
【解決手段】 LSI表面に被覆されている保護膜または、LSIにおける絶縁物質および前記保護膜を改質し剥離すべく、前記保護膜表面に触媒物質層を形成し、改質し剥離すべき部位に指向してイオンビームを照射して前記触媒物質を励起し所望部位の保護膜等を改質する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬を全く用いることなしに、LSI表面に被覆されている保護膜または、LSIチップにおける絶縁物質および前記保護膜を改質し剥離せしめるための方法および装置に関する。
近年、LSIの設計、製造プロセスが複雑になるにつれ、初版の製造を終えた段階で、LSIが所期の特性を発揮しないことがしばしばある。而して、初版の製造で得られたLSIを分析したり、加工修正処理することが必要となる。LSIを分析したり加工修正処理するに際しては、LSIパッケージを開封した後、回路素子表面を被覆している保護膜や合成樹脂等のパッケージ材料残存膜等を剥離・除去する必要がある。
従来、LSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜や合成樹脂等のパッケージ材料残存膜等の剥離・除去には、弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬を開封および剥離所望部位に適用してなされていた。即ち、図3に示すように、LSIパッケージ3や保護膜2等を剥離・除去すべき部位の位置、寸法、形状に合わせたマスク4を作成し、このマスクに対応させて弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬を用いて選択エッチングを行ってLSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜や合成樹脂等のパッケージ材料残存膜等の剥離・除去をしていた。図3において、1はSi基板であって、回路素子が組み込まれている。5はパッケージ開封部分である。
このような劇薬の使用を伴う開封・剥離作業を行うには、弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬を取り扱い得る施設を必要とするのみならず、LSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜や合成樹脂等のパッケージ材料残存膜等の剥離・除去後に、使用された前記劇薬(廃液)の無公害化処理が必要となる。また、選択的に所望部位をエッチングするためのマスクの製作に多大なコストを要していた。
このような、弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬による従来の、LSIパッケージ(樹脂)の開封手段における寸法精度の問題即ち、樹脂除去部分の寸法がたとえばICチップ外径寸法を超過して周囲のパッケージ樹脂に埋設されていたリードフレームまで露出させ、リードフレームに接続されているボンディングワイヤを剥離させたりボンディングワイヤを引っ張って断線させたりする問題を解決した技術が知られている(たとえば、特許文献1参照)。しかしながら、この先行技術にあっても、樹脂開封手段として発煙硝酸を用いている点において、従来技術と変わる処がない。
特開2001−358158号公報
一方、LSI製造プロセスが、設計、製造から回路の特性試験までを行う一貫製造プロセスから、LSI設計工程と設計に従ってなされる製造工程とが分化される製造プロセスへと変化してきている。而して、LSI設計工程を独立して担う企業化が進行してきている。LSI設計工程は、通常、事務所といった作業環境の下で遂行される。そうすると、LSI設計作業に付随するLSIの分析や加工修正作業も併せ事務所といった作業環境下に遂行し得ることが必要となってきた。このように、LSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜や合成樹脂等のパッケージ材料残存膜等の剥離・除去作業を、従来のような弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬の取り扱いを前提とした特殊な作業環境を必要とする形態から、上記事務所といった作業環境下で行える形態に変える必要が生じてきた。
従来の、弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬の取り扱いを前提としたLSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜や合成樹脂等のパッケージ材料残存膜等の剥離・除去作業は危険を伴う作業であり、緻密さに欠けるものとならざるを得なかった。而して、LSIが微細化し複雑化する趨勢の中で、緻密さに欠ける「粗っぽい」LSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜や合成樹脂等のパッケージ材料残存膜等の剥離・除去作業を余儀なくされていた。
本発明は、弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬を全く用いることなしに、LSIパッケージの開封および回路素子表面を被覆している保護膜やパッケージ材料残存膜等の剥離・除去作業を行うことができる方法および装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための、請求項1に記載の発明は、LSI表面に被覆されている保護膜または、LSIにおける絶縁物質および前記保護膜を改質し剥離すべく、前記保護膜表面に触媒物質層を形成し、改質・剥離すべき部位に指向してイオンビームを照射して前記触媒物質を励起するようにしたイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去方法である。
請求項2に記載の発明は、イオンビーム衝突後の飛程を変化させる請求項1に記載のイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去方法である。この発明によって触媒物質層の励起エネルギの大きさを制御することができる。
請求項3に記載の発明は、イオンビーム衝突後の飛程を変化させる手段が、LSIチップを搭載している治具をLSIチップ表面に平行に延在する軸の軸心回りに揺動せしめて、イオンビーム照射対象への入射角を変化させるものである請求項2に記載のイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去方法である。
請求項4に記載の発明は、回路パターンの拡大写真等回路の設計情報に基づいて、LSI保護膜等の改質除去を行うようにした請求項1乃至請求項3何れかに記載のイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去方法である。この発明によれば、きわめて正確に、分析或は加工修正処理すべき部位のみのLSI保護膜等の改質除去を行うことができる。
請求項5に記載の発明は、気相イオンを発生させる手段、該気相イオンを、その表面に触媒物質層が形成されている、剥離・除去されるべき、LSI表面に被覆されている保護膜または、LSIにおける絶縁物質および前記保護膜に指向して静電場または磁場によって加速させる手段、およびLSIチップを搭載している治具をLSIチップ表面に平行に延在する軸の軸心回りに揺動せしめる手段とを有するイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去装置である。
本発明によれば、弗酸、発煙硝酸、濃硫酸といった劇薬を用いることなしに、LSIパッケージの開封ならびに回路素子の保護膜やパッケージ材料の残存膜等の改質、剥離・除去を行うことができるから、前記劇薬の使用に伴う特別な作業環境・施設や廃液処理の必要がなく、通常の事務所といった作業環境の下でLSIの設計、初版LSIの分析、加工修正処理作業を遂行することができる。
また、装置などに搭載されるパッケージ化されたプリント基板の分野に対して、従来、「修正作業」の導入が困難であった領域において「製作してから修正工程を付加する。」という新しいプロセスを創造し、製造ラインを変革することができる。
さらに、所望の位置、寸法、形状の、LSIパッケージの開封ならびに回路素子の保護膜やパッケージ材料の残存膜等の改質、剥離・除去を高い精度下に行うことができる。
発明者らは先に、発煙硝酸や濃硫酸を用いることのない、主として合成樹脂が用いられるLSIパッケージの開封方法及び装置を特願2003−091003号にて提案した。本発明においても、LSIパッケージの開封段階に前記LSIパッケージの開封方法及び装置を好適に用いることができる。前記特願2003−091003号にて提案した発明は、樹脂を開封し回路部品等を露出させるべき部位に、ガラス状態にある物質の融液を滴下させ樹脂への酸素遮断下に樹脂を加熱して樹脂の所望部位を変質、軟化せしめた後、機械的加工を施して樹脂を開封するようにした点によって特徴づけられる。
図1および図2に示すように、LSIパッケージ13が開封された状態の、LSI保護膜12やパッケージ材料残存膜に指向してイオンビームが照射される。その際、予めSiの酸化物や窒化物等からなるLSI保護膜12等に、触媒物質たとえば酸化チタンの膜16が形成される。イオンビーム19は、この触媒物質層16に指向して照射される。イオンのエネルギは触媒物質層16中で消失し、触媒物質のエネルギ準位を上昇せしめて触媒作用を発現せしめる。而して、その部位のLSI保護膜12やパッケージ材料残存膜が改質、分解・剥離される。
本発明においては、好ましい実施形態として、イオンビームが触媒物質層16に衝突した後の飛程を変化させ得るようにしている。これは、触媒物質層16中でイオンが失うエネルギ即ち触媒物質が得る励起用エネルギを変化させる制御を行うためである。気相イオンを静電場または磁場によって加速してイオンビームを形成するが、たとえばイオンに電圧を印加して加速する場合、電圧は必ずしも一定ではなくばらつきをもっており、触媒物質への最適な励起用エネルギをイオンが担持することにはならない場合がある。また、触媒物質層16たとえば酸化チタン膜の厚さにもばらつきがある。さらに、触媒物質を酸化チタンとする場合、酸化チタンにはルチル型、アナターゼ型、ブルッカイト型と異なる結晶構造があり、それぞれの結晶構造に対応する励起用エネルギ準位がある。そして、これらが触媒物質への最適な励起用エネルギをイオンが担持しようとするときの外乱因子となる。
而して、イオンビームが触媒物質層16に衝突した後に、イオンが触媒物質層16中で失うエネルギの量を制御することが必要になってくる。そのための手段としては、(1)イオン発生源から触媒物質層16に衝突するまでの経路中に薄膜材料を配置し、その材質或は膜厚を変化させることによって、触媒物質層16に到達するイオンが担持するエネルギ量を制御する方法。(2)イオンを発生し加速させる真空チャンバの真空度を変化させて触媒物質層16に到達するイオンが担持するエネルギ量を制御する方法。(3)イオンを加速させるための電圧を変化させて触媒物質層16に到達するイオンが担持するエネルギ量を制御する方法。(4)イオンビームの経路方向と触媒物質層16表面とのなす角度を変化させて、イオンビームが触媒物質層16表面に衝突した後の飛程を変化させ、イオンが触媒物質層16中で消失するエネルギ量を制御する方法。 等がある。
発明者らの知見によれば、イオンビームの経路方向と触媒物質層16表面とのなす角度を変化させて、イオンビームが触媒物質層16表面に衝突した後の飛程を変化させ、イオンが触媒物質層16中で消失するエネルギ量を制御する方法が簡便であり、確実に触媒物質が必要とする励起用エネルギ量を制御できる点で優れている。このようにして、イオンを触媒物質層12表面に衝突させた後に触媒物質の励起エネルギ準位を上昇せしめるときのエネルギ量を変動させる外乱因子の影響を消失させることができる。
図1および図2に、本発明を実施するときの装置の概要を示す。図1および図2において、11はSi基板であって、回路素子が組み込まれている。12は保護膜であり、この実施例においてはSiの酸化物、窒化物等からなり回路素子を電気的にまた、水ほかのコンタミネーションから保護すべく機能する。13はLSIパッケージであって、たとえば合成樹脂からなっており、Si基板11、保護膜12を囲繞しこれらを保護すべく機能する。14はリード線、15はパッケージ開封部分である。16は触媒物質層であり、この実施例においては、酸化チタン膜である。17は揺動治具であって、LSIチップを搭載して軸18の軸心回りに揺動自在であり、イオンビーム19の経路方向と触媒物質層12表面とのなす角度を変化させるべく機能する。
この実施例にあっては、イオン源としてGaを用いている。1×10−5torrレベルの真空チャンバ内で、27℃〜28℃といった温度域とすることで気相となりイオン化する。この気相イオンに30kV〜40kVの電場をかけて加速しイオンビームとした。イオンビーム19は、酸化チタン(TiO2)からなる触媒物質層16表面に衝突後、触媒物質層16中を移動する。その飛程は、揺動治具17の傾斜角度によって制御される。
この実施例においては、触媒物質層16である酸化チタン膜の厚さは15nm〜20nmである。そして、触媒物質層16中でのイオンの飛程は約20nm〜30nmであって、触媒物質層16の厚さをイオンの飛程よりも薄くした。これは、触媒物質層16中を表面から底面まで、揺動治具17の傾斜角度によって好む飛程でイオンを照射することができるようにするためである。
この実施例にあっては、回路パターンの拡大写真に基づいて回路素子の露出させるべき部位の位置、寸法、形状を予定し、溶融ガラスを滴下してLSIパッケージを開封した後、1×10−5torrの真空チャンバ内、28℃の温度域で液状Ga金属を気化、イオン化させ、35kVの電場をかけて加速し、改質、分解剥離すべき部位の酸化チタン膜16に指向して照射した。酸化チタン膜16におけるイオンの損失エネルギ量は、揺動治具17によって制御された。酸化チタン膜16の励起による触媒作用によって保護膜12およびパッケージ材料残存膜が改質、分解・剥離され、きわめて脆くなった改質部分をブラッシング等簡単な機械的手段によって除去した。
本発明は、LSI分野のみならず薄膜磁気ヘッド分野、表示デバイス(液晶デバイス、プラズマ表示デバイス等)分野、プリント基板分野、CCD(charge coupled device)分野での適用が可能である。これらの分野では、従来、パッケージ工程が完了した後では僅かな不具合でも修正することなく不良廃棄処分していた。本発明を適用することによって、保護膜等の簡便な剥離・除去が可能となるので製造プロセスの変革を実現することができる。
1 Si基板
2 LSI保護膜
3 LSIパッケージ
4 マスク
5 パッケージ開封部分
11 Si基板
12 LSI保護膜
13 LSIパッケージ
14 リード線
15 パッケージ開封部分
16 触媒物質層
17 揺動治具
18 軸
19 イオンビーム
2 LSI保護膜
3 LSIパッケージ
4 マスク
5 パッケージ開封部分
11 Si基板
12 LSI保護膜
13 LSIパッケージ
14 リード線
15 パッケージ開封部分
16 触媒物質層
17 揺動治具
18 軸
19 イオンビーム
Claims (5)
- LSI表面に被覆されている保護膜または、LSIにおける絶縁物質および前記保護膜を改質し剥離すべく、前記保護膜表面に触媒物質層を形成し、改質・剥離すべき部位に指向してイオンビームを照射して前記触媒物質を励起するようにしたことを特徴とするイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去方法。
- イオンビーム衝突後の飛程を変化させる請求項1に記載のイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去方法。
- イオンビーム衝突後の飛程を変化させる手段が、LSIチップを搭載している治具をLSIチップ表面に平行に延在する軸の軸心回りに揺動せしめて、イオンビームの照射対象への入射角を変化させるものである請求項2に記載のイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去方法。
- 回路パターンの拡大写真等回路の設計情報に基づいて、LSI保護膜等の改質除去を行うようにした請求項1乃至請求項3何れかに記載のイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去方法。
- 気相イオンを発生させる手段、該気相イオンを、その表面に触媒物質層が形成されている、剥離・除去されるべき、LSI表面に被覆されている保護膜または、LSIにおける絶縁物質および前記保護膜に指向して静電場または磁場によって加速させる手段、およびLSIチップを搭載している治具をLSIチップ表面に平行に延在する軸の軸心回りに揺動せしめる手段とを有することを特徴とするイオン照射での触媒励起によるLSI保護膜等の改質除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003388428A JP2005150549A (ja) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | イオン照射での触媒励起によるlsi保護膜等の改質除去方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003388428A JP2005150549A (ja) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | イオン照射での触媒励起によるlsi保護膜等の改質除去方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005150549A true JP2005150549A (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=34695504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003388428A Pending JP2005150549A (ja) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | イオン照射での触媒励起によるlsi保護膜等の改質除去方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005150549A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023115818A1 (zh) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 锂电电芯绝缘防护膜的激光除膜装备及其方法 |
-
2003
- 2003-11-18 JP JP2003388428A patent/JP2005150549A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023115818A1 (zh) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 锂电电芯绝缘防护膜的激光除膜装备及其方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI281187B (en) | Manufacturing process of detachable substrates | |
US10903319B2 (en) | Patterning graphene with a hard mask coating | |
CN109314043A (zh) | 在石墨烯薄片上沉积钝化层 | |
JP2008053417A (ja) | 半導体チップの製造方法及び半導体ウエハの処理方法 | |
JP2007134689A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR20140048989A (ko) | 세정 방법, 처리 장치 및 기억 매체 | |
CN1790635A (zh) | 钝化金属蚀刻结构 | |
JP2016504599A (ja) | エッチング速度を変化させるためのイオン注入 | |
US8603910B2 (en) | Method of processing a contact pad | |
JP2005150549A (ja) | イオン照射での触媒励起によるlsi保護膜等の改質除去方法及び装置 | |
Tang et al. | Decapsulation of high pin count IC packages with palladium coated copper wire bonds using an atmospheric pressure plasma | |
JP2006324691A (ja) | 加工方法及び装置 | |
JP6369021B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法および反射型マスク | |
JP3078164B2 (ja) | 微細加工方法 | |
US20210082656A1 (en) | Etching apparatus and etching method | |
JP2006253437A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3034259B2 (ja) | 有機化合物膜の除去方法 | |
US10615035B2 (en) | Method of reducing lift-off related redeposit defects on semiconductor wafers | |
JP3388059B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2010056263A (ja) | イオン注入によりカーボン層が形成されたレジストの除去方法 | |
JP2007083526A (ja) | 凹部付き基板の製造方法および凹部付き基板 | |
Vaddiraju et al. | Plasma and Thermal Processes for Materials Modification, Synthesis and Processing | |
JP2005123494A (ja) | 半導体装置の製造方法および分析方法 | |
JP2611485B2 (ja) | リフトオフ法に依るパターン形成方法 | |
JP2002222835A (ja) | 銅張り樹脂基板の加工方法 |