JP2005147679A - Semiconductor wafer, and inspection method and inspection device of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve efficiency of IC inspection, to prevent complication of the hardware of an LSI tester, and to reduce inspection cost. <P>SOLUTION: An inspection auxiliary device (BOST unit) used hitherto for inspection of an analog interface-related circuit or the like in an IC after packaging is integrated into this semiconductor wafer 20. A plurality of IC chips 22a-22f and the inspection auxiliary device (integrated BOST unit) 24 integrated into the semiconductor wafer 20 are electrically connected by a wire L, and inspection thereof is performed in a time division system or in a simultaneous system. In order to guarantee accuracy of the inspection auxiliary device 24 as a measuring machine, trimming or the like of the inspection auxiliary device 24 itself is performed as the need arises before inspection of the IC chips. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウエハ、半導体装置の検査方法および検査装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer, a semiconductor device inspection method, and an inspection apparatus.

複雑なICの検査をLSIテスタのみで行おうとすると、LSIテスタの負担が重くなる。そこで、検査補助装置を利用することで、LSIテスタの負担を軽減する手法が用いられている。検査補助装置を用いる検査方式としては、BIST(Built In Self Test:組み込み自己テスト)と、BOST(Built Off Self Test:外部自己テスト)とがあり、BISTは、主として、メモリやマイクロプロセッサなどのデジタルICの検査に用いられている。一方、例えば、アナログ/デジタル混在ICに搭載されるアナログ入出力インタフェース回路(A/D変換器、D/A変換器、高周波増幅アンプ等を含む)の検査は、デジタル信号に比べて取り扱いが困難なアナログ信号の処理を伴うものであるため、半導体ウェハからICチップを切り出し、パッケージングした後に(あるいは、ベアチップ状態で)、BOSTを利用して行われる。BOST方式の検査を行う検査補助装置(以下、BOSTユニットという)は、LSIテスタに内蔵される場合もあるが、テスタのハードウェアのコスト削減、テスト時間削減、ノイズ削減等の目的で、評価治具(テストボード)上に搭載される場合が多い。   If a complicated IC is inspected only with an LSI tester, the burden on the LSI tester becomes heavy. Therefore, a technique for reducing the burden on the LSI tester by using an inspection auxiliary device is used. There are BIST (Built In Self Test) and BOST (Built Off Self Test) as an inspection method using an auxiliary inspection device. BIST is mainly digital such as a memory or a microprocessor. Used for IC inspection. On the other hand, for example, inspection of analog input / output interface circuits (including A / D converters, D / A converters, high-frequency amplification amplifiers, etc.) mounted on analog / digital mixed ICs is more difficult to handle than digital signals. Since this process involves analog signal processing, an IC chip is cut out from a semiconductor wafer and packaged (or in a bare chip state), and then BOST is used. A test auxiliary device (hereinafter referred to as a “BOST unit”) that performs a BOST test may be built in an LSI tester. However, for the purpose of reducing tester hardware cost, test time, noise, etc. It is often mounted on a tool (test board).

図11はBOST用の検査装置の構成を示す図である。図示されるように、LSIテスタ101上に評価治具102が設けられ、評価治具102上にBOSTユニット(検査補助装置)104が搭載される。BOSTユニット(検査補助装置)104は、信号線110を介して検査対象であるIC(ここでは、アナログ/デジタル混在ICとする)103に接続される。   FIG. 11 is a diagram showing the configuration of an inspection apparatus for BOST. As shown in the figure, an evaluation jig 102 is provided on the LSI tester 101, and a BOST unit (inspection auxiliary device) 104 is mounted on the evaluation jig 102. The BOST unit (inspection auxiliary device) 104 is connected to an IC (in this case, an analog / digital mixed IC) 103 to be inspected via a signal line 110.

IC103に内蔵されるD/A変換器の検査を行う場合を考えると、BOSTユニット(検査補助装置)104から検査用のアナログ信号を与え、この結果としてIC103から出力される信号をBOSTユニット104に取り込み、取り込まれた信号を、BOSTユニット104に内蔵されるA/D変換器(デジタイザ)によりデジタル信号化した後、直線性を検査する。そして、検査結果(PASS/FAIL)を、LSIテスタ101に送る。BOSTを用いた、パッケージング後のICの検査方法、およびその方法に用いられるソケット等については、特許文献1に記載されている。   Considering the case where the D / A converter built in the IC 103 is inspected, an analog signal for inspection is given from the BOST unit (inspection auxiliary device) 104, and as a result, the signal output from the IC 103 is sent to the BOST unit 104. The captured signal is converted into a digital signal by an A / D converter (digitizer) built in the BOST unit 104, and then the linearity is inspected. Then, the inspection result (PASS / FAIL) is sent to the LSI tester 101. A method for inspecting an IC after packaging using BOST and a socket used in the method are described in Patent Document 1.

特開2001−183416号公報JP 2001-183416 A

しかし、BOSTユニットを用いたICの検査は、半導体ウェハからICチップを切り出し、パッケージングした後に(あるいは、ベアチップ状態で)行われるため、複数のICを一括して検査することができない。また、ダイシングやパッケージングの後に、BOSTユニットを用いた検査を行った結果として、例えば、アナログインタフェース関連の回路の不具合が発見された場合には、そのICを不良品として廃棄することになり、結局、IC製造の後工程の処理が無駄になってしまう。また、LSIテスタと検査対象のICとの間には、BOSTユニット(すなわち、評価治具等)が介在するため、検査に関するアナログ信号が歪んだり、ノイズの影響を受ける場合もあり得る。また、検査効率(および検査精度)を向上させようとすると、LSIテスタのハードウエアが複雑化し、コストの上昇を招きやすい。   However, since the IC inspection using the BOST unit is performed after the IC chip is cut out from the semiconductor wafer and packaged (or in a bare chip state), a plurality of ICs cannot be inspected collectively. In addition, as a result of the inspection using the BOST unit after dicing or packaging, for example, when a defect in an analog interface-related circuit is found, the IC is discarded as a defective product. Eventually, post-processing of IC manufacturing is wasted. In addition, since a BOST unit (that is, an evaluation jig or the like) is interposed between the LSI tester and the IC to be inspected, an analog signal related to the inspection may be distorted or affected by noise. Further, if it is attempted to improve the inspection efficiency (and inspection accuracy), the hardware of the LSI tester becomes complicated and the cost tends to increase.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、IC検査の効率向上、LSIテスタのハードウェアの複雑化防止、検査コストの削減、ノイズの影響の低減等を図ることができる半導体ウエハ、半導体装置の検査方法および検査装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and a semiconductor wafer capable of improving the efficiency of IC inspection, preventing the complexity of LSI tester hardware, reducing inspection costs, reducing the influence of noise, and the like. An object of the present invention is to provide a semiconductor device inspection method and inspection apparatus.

本発明の半導体ウエハは、複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップの検査を行う少なくとも一つのBOST(Built Off Self Test)用の検査補助装置とを備える。BOSTユニット(検査補助装置)を半導体ウェハ上に組み込むこと(つまり、BOSTユニットのBIST化)により、半導体ウェハの状態で、複数のICチップについて、アナログ入出力インタフェースに関連する回路の検査を実施することができ、前工程の段階で良品/不良品の選別を行うことができ、したがって、検査効率が格段に向上する。また、LSIテスタは、半導体ウェハに組み込まれたBOSTユニット(以下、組み込みBOSTユニットという)に検査に必要な情報等を与え、また、検査結果を受け取ればよく、LSIテスタのハードウェアの複雑化防止、検査コストの削減を図ることができる。また、LSIテスタと半導体ウェハ上の回路とが直接に接続され、評価治具等が介在しないため、アナログ信号の歪みやノイズを抑制することができる。また、近年の半導体ウェハの大口径化に伴い、一枚のウェハ上における歩留まりのばらつきが顕在化することも予想されるが、本発明の半導体ウェハを用いれば、不良品が半導体ウェハ上のどの位置に発生し易いかといった情報も容易に取得でき、このようにして取得された情報を、製造装置の動作条件や半導体製造プロセスの条件の改善に役立てることもできる。   A semiconductor wafer according to the present invention includes a plurality of semiconductor chips and at least one inspection auxiliary device for BOST (Built Off Self Test) for inspecting the plurality of semiconductor chips. By incorporating the BOST unit (inspection auxiliary device) on the semiconductor wafer (that is, making the BOST unit BIST), the circuit related to the analog input / output interface is inspected for a plurality of IC chips in the state of the semiconductor wafer. Therefore, the non-defective product / defective product can be selected at the stage of the previous process, and thus the inspection efficiency is remarkably improved. The LSI tester provides information necessary for inspection to the BOST unit (hereinafter referred to as the embedded BOST unit) incorporated in the semiconductor wafer and receives the inspection result, thereby preventing the hardware of the LSI tester from becoming complicated. The inspection cost can be reduced. Further, since the LSI tester and the circuit on the semiconductor wafer are directly connected and no evaluation jig or the like is interposed, distortion of analog signals and noise can be suppressed. In addition, with the recent increase in the diameter of semiconductor wafers, it is expected that variations in yield on a single wafer will become apparent. However, if the semiconductor wafer of the present invention is used, any defective product on the semiconductor wafer is expected. Information on whether or not the position is likely to be generated can be easily acquired, and the information acquired in this way can be used to improve the operating conditions of the manufacturing apparatus and the conditions of the semiconductor manufacturing process.

また、本発明の半導体ウェハの一態様は、前記半導体チップは、アナログ信号の入出力インタフェース回路を搭載しており、前記検査補助装置は、前記半導体チップに搭載される前記アナログ信号の入出力インタフェース回路の検査を補助する。これにより、デジタル回路に比べ、検査がむずかしいアナログインタフェース関連の回路の検査をウェハ状態で行うことができ、したがって、検査の効率化が達成される。   According to another aspect of the semiconductor wafer of the present invention, the semiconductor chip includes an analog signal input / output interface circuit, and the inspection auxiliary device includes the analog signal input / output interface mounted on the semiconductor chip. Assist circuit inspection. As a result, it is possible to inspect a circuit related to an analog interface, which is difficult to inspect as compared with a digital circuit, in a wafer state, and thus, the efficiency of inspection is achieved.

また、本発明の半導体ウェハの他の態様は、前記複数の半導体チップの検査に共通に用いられる、アナログ信号の入出力インタフェース回路を備えると共に、前記半導体ウェハには、前記複数の半導体チップの少なくとも一つを選択的に前記検査補助装置に接続するためのスイッチ手段が、前記複数の半導体チップの各々毎に設けられており、前記スイッチ手段の制御により、前記複数の半導体チップの各々を順次、検査する。これにより、一つの検査補助装置(組み込みBOSTユニット)を複数のICチップに順次、接続して試験を行うことができる。   Another aspect of the semiconductor wafer of the present invention includes an analog signal input / output interface circuit that is commonly used for the inspection of the plurality of semiconductor chips, and the semiconductor wafer includes at least one of the plurality of semiconductor chips. Switch means for selectively connecting one to the inspection auxiliary device is provided for each of the plurality of semiconductor chips, and each of the plurality of semiconductor chips is sequentially controlled by the control of the switch means. inspect. Thus, a test can be performed by sequentially connecting one inspection auxiliary device (built-in BOST unit) to a plurality of IC chips.

また、本発明の半導体ウェハの他の態様では、前記検査補助装置は、前記複数の半導体チップの各々に対応した入出力インタフェース回路を備え、これらの入出力インタフェース回路の各々を介して、前記複数の半導体チップの各々への信号出力、または前記複数の半導体チップの各々からの信号の取り込みを一括して行う。これにより、一つの検査補助装置(組み込みBOSTユニット)を複数のICチップに同時に接続して、一括して検査を行うことができる。したがって、検査効率が格段に向上する。   In another aspect of the semiconductor wafer of the present invention, the inspection auxiliary device includes an input / output interface circuit corresponding to each of the plurality of semiconductor chips, and the plurality of input / output interface circuits are connected to the plurality of input / output interface circuits. The signal output to each of the semiconductor chips or the signal fetching from each of the plurality of semiconductor chips is performed in a lump. Thereby, one inspection auxiliary device (built-in BOST unit) can be simultaneously connected to a plurality of IC chips and collectively inspected. Therefore, the inspection efficiency is greatly improved.

また、本発明の半導体ウェハの他の態様では、前記複数の半導体チップの各々を、前記検査補助装置の周囲において、かつ、前記検査補助装置から前記複数の半導体チップの各々に至る各配線の長さのばらつきが抑制されるように配置する。一つの検査補助装置(組み込みBOSTユニット)と複数のICチップの半導体ウェハ上における配置を工夫することにより、信号経路の長さのばらつきが許容範囲内に抑えられる。これにより、信号(特に、アナログ信号)の減衰、歪み、ノイズ等に関する各ICチップ間におけるばらつきを抑制することができる。このことは、所望の検査精度の実現に寄与する。   In another aspect of the semiconductor wafer of the present invention, each of the plurality of semiconductor chips is arranged around the inspection auxiliary device and the length of each wiring extending from the inspection auxiliary device to each of the plurality of semiconductor chips. It arrange | positions so that the dispersion | variation in thickness may be suppressed. By devising the arrangement of one inspection auxiliary device (built-in BOST unit) and a plurality of IC chips on the semiconductor wafer, variations in the length of the signal path can be suppressed within an allowable range. As a result, it is possible to suppress variations among the IC chips related to signal attenuation (in particular, analog signals), distortion, noise, and the like. This contributes to realization of desired inspection accuracy.

また、本発明の半導体ウェハの他の態様では、一枚の半導体ウェハ上に、複数の前記検査補助装置が設けられる。一枚の半導体ウェハに複数の検査補助装置(組み込みBOSTユニット)を配置し、各検査補助装置が分担して検査を行うことで、無理なく、効率的に検査を行うことができる。   In another aspect of the semiconductor wafer of the present invention, a plurality of the inspection auxiliary devices are provided on a single semiconductor wafer. By arranging a plurality of inspection auxiliary devices (built-in BOST units) on a single semiconductor wafer and sharing the inspection with each inspection auxiliary device, the inspection can be carried out efficiently without difficulty.

また、本発明の半導体ウェハの他の態様では、前記一枚の半導体ウェハのスクライブ領域に、前記複数の検査補助装置の少なくとも一つが設けらる。検査補助装置(組み込みBOSTユニット)は、ウェハ段階での検査が終了した後は不要である点に着目し、半導体ウェハ上の空き領域であるスクライブ領域に検査補助装置を設けることで、デッドスペースを有効活用することができる。これにより、半導体ウェハから取得することができるICチップの数(歩留まり)の減少を防止することができる。   In another aspect of the semiconductor wafer of the present invention, at least one of the plurality of inspection auxiliary devices is provided in a scribe region of the single semiconductor wafer. The inspection auxiliary device (built-in BOST unit) pays attention to the fact that it is unnecessary after the inspection at the wafer stage is completed, and by providing the inspection auxiliary device in the scribe area which is an empty area on the semiconductor wafer, the dead space is reduced. It can be used effectively. Thereby, it is possible to prevent a decrease in the number (yield) of IC chips that can be obtained from the semiconductor wafer.

また、本発明の半導体ウェハの他の態様では、前記検査補助装置は、測定機としての機能を維持するためのトリミング手段を備える。正確な検査を行うためには、まず、測定機としての検査補助装置自体の精度が保障されていなければならない。例えば、ICチップに搭載されるアナログインタフェース回路の検査を行う場合には、半導体ウェハ上に形成される検査補助装置(組み込みBOSTユニット)に搭載されるA/D変換器またはD/A変換器自体の精度が保障されることが条件となることから、検査に先立ち、検査補助装置の内部のA/D変換器やD/A変換器等をトリミング(キャリブレーション)できるようにしたものである。これにより、半導体ウェハ上に形成された検査補助装置の素子の特性ばらつきを電気的に校正することができ、したがって、検査精度の低下を防止することができる。   In another aspect of the semiconductor wafer of the present invention, the inspection auxiliary device includes trimming means for maintaining a function as a measuring machine. In order to perform an accurate inspection, first, the accuracy of the inspection auxiliary device itself as a measuring machine must be guaranteed. For example, when inspecting an analog interface circuit mounted on an IC chip, an A / D converter or a D / A converter itself mounted on an inspection auxiliary device (embedded BOST unit) formed on a semiconductor wafer Therefore, prior to the inspection, the A / D converter, the D / A converter, and the like inside the inspection auxiliary device can be trimmed (calibrated). Thereby, it is possible to electrically calibrate the characteristic variation of the elements of the auxiliary inspection device formed on the semiconductor wafer, and therefore it is possible to prevent the inspection accuracy from being lowered.

また、本発明の半導体ウェハの他の態様では、前記検査補助装置における前記トリミング手段によるトリミングができない場合、あるいはトリミングが不成功の場合に、その検査補助装置に代替して使用するための予備の検査補助装置を、さらに備える。これにより、検査補助装置のトリミングが不能、不調に終わった場合でも、予備の検査補助装置に切り替え、その予備の検査補助装置をトリミングして使用することができる。すなわち、検査補助装置の冗長性が高められる。したがって、一つの検査補助装置が壊れてしまったような場合でも、ICチップの検査ができなくなるといった事態が生じない。   In another aspect of the semiconductor wafer of the present invention, when the trimming by the trimming means in the inspection auxiliary device cannot be performed or when the trimming is unsuccessful, a spare for use in place of the inspection auxiliary device is provided. An inspection auxiliary device is further provided. Thereby, even when trimming of the inspection auxiliary device is impossible or unsuccessful, it is possible to switch to the auxiliary inspection auxiliary device and trim and use the auxiliary inspection auxiliary device. That is, the redundancy of the inspection auxiliary device is increased. Therefore, even when one inspection auxiliary device is broken, the situation that the IC chip cannot be inspected does not occur.

本発明の半導体装置の検査方法は、LSIテスタのプローブ針を、半導体ウェハ上の前記検査補助装置および検査対象の前記半導体チップに電気的に接続し、前記LSIテスタから、検査に必要な情報または信号を前記検査補助装置に与えるステップと、前記検査補助装置が、前記複数の半導体チップの各々に信号を供給し、その結果として各半導体チップから出力される信号を受信し、受信した信号をメモリに蓄積し、その蓄積された信号に基づく検査の判定結果、または前記メモリに蓄積された前記信号自体を、前記プローブ針を介して前記LSIテスタに送るステップとを含む。これにより、LSIテスタを半導体ウェハにダイレクトに接続して、複数のICチップの検査(特に、アナログインタフェース関連の検査)を効率的に行う新規な半導体装置の検査方法が実現される。   In the semiconductor device inspection method of the present invention, a probe needle of an LSI tester is electrically connected to the inspection auxiliary device on the semiconductor wafer and the semiconductor chip to be inspected. A step of providing a signal to the inspection auxiliary device, and the inspection auxiliary device supplies a signal to each of the plurality of semiconductor chips, and as a result, receives a signal output from each semiconductor chip, and stores the received signal in the memory And the test determination result based on the accumulated signal or the signal itself accumulated in the memory is sent to the LSI tester via the probe needle. As a result, a novel semiconductor device inspection method for efficiently inspecting a plurality of IC chips (particularly, analog interface-related inspection) by directly connecting an LSI tester to a semiconductor wafer is realized.

また、本発明のLSIテスタは、本発明の半導体装置の検査方法を実施するための、前記一枚の半導体ウェハ上の前記検査補助装置および検査対象の前記半導体チップに直接に接触する複数のプローブ針を備える。これにより、半導体ウェハ上の複数のICチップに、直接かつ同時にコンタクトするためのプローブ針を有する新規なLSIテスタが実現される。検査の基礎となるデータ収集または良否判定等は、半導体ウェハ上に設けられた検査補助装置が行うため、LSIテスタの負担が軽減される。したがって、大口径ウェハ用のLSIテスタであっても、コスト上昇を抑制することができる。   Further, the LSI tester of the present invention includes a plurality of probes that are in direct contact with the inspection auxiliary device and the semiconductor chip to be inspected on the one semiconductor wafer for carrying out the semiconductor device inspection method of the present invention. Provide a needle. Thereby, a novel LSI tester having a probe needle for directly and simultaneously contacting a plurality of IC chips on a semiconductor wafer is realized. Data collection or pass / fail judgment, which is the basis of the inspection, is performed by an inspection auxiliary device provided on the semiconductor wafer, thereby reducing the burden on the LSI tester. Therefore, even an LSI tester for large-diameter wafers can suppress an increase in cost.

本発明によれば、BOST用の検査補助装置(BOSTユニット)の半導体ウェハへの組み込みにより、半導体ウェハの状態で、複数のICチップについての、アナログ入出力インタフェースに関連する回路等の検査を実施することができ、したがって、前工程の段階で良品/不良品の選別を行うことができ、検査効率が格段に向上する。また、検査補助装置とICチップとの相対的な位置関係を工夫したり、検査補助装置の内部回路のトリミング(キャリブレーション)や予備回路への切替を実施することで、検査精度を保障することができる。また、LSIテスタは、組み込みBOSTユニットに対して検査に必要な情報を与え、また、検査結果を受け取ればよく、LSIテスタのハードウェアの複雑化防止、検査コストの削減を図ることができる。また、LSIテスタと半導体ウェハ上の回路とが直接に接続され、評価治具等が介在しないため、アナログ信号の歪みやノイズを抑制することができる。また、近年の半導体ウェハの大口径化に伴い、一枚のウェハ上における歩留まりのばらつきが顕在化することも予想されるが、本発明の半導体ウェハを用いれば、不良品が半導体ウェハ上のどの位置に発生し易いかといった情報も取得でき、このようにして取得された情報を、製造装置の動作条件や半導体製造プロセスの条件の改善に役立てることもできる。   According to the present invention, inspection of a circuit related to an analog input / output interface for a plurality of IC chips in the state of a semiconductor wafer is performed by incorporating a BOST inspection auxiliary device (BOST unit) into a semiconductor wafer. Therefore, the non-defective product / defective product can be selected at the stage of the previous process, and the inspection efficiency is remarkably improved. Also, ensure the inspection accuracy by devising the relative positional relationship between the inspection auxiliary device and the IC chip, or by trimming (calibrating) the internal circuit of the inspection auxiliary device and switching to the spare circuit. Can do. Further, the LSI tester only needs to give information necessary for the inspection to the built-in BOST unit and receive the inspection result, so that the hardware of the LSI tester can be prevented from becoming complicated and the inspection cost can be reduced. Further, since the LSI tester and the circuit on the semiconductor wafer are directly connected and no evaluation jig or the like is interposed, distortion of analog signals and noise can be suppressed. In addition, with the recent increase in the diameter of semiconductor wafers, it is expected that variations in yield on a single wafer will become apparent. However, if the semiconductor wafer of the present invention is used, any defective product on the semiconductor wafer is expected. Information about whether or not the position is likely to be generated can be acquired, and the acquired information can be used to improve the operating conditions of the manufacturing apparatus and the conditions of the semiconductor manufacturing process.

(第1の実施形態)
図1は、LSIテスタのウェハ載置台に載置された半導体ウェハにおける、ICチップと検査補助装置の配置および接続関係を示す図である。図示されるように、半導体ウェハ20は、位置決め板10により位置決めされて載置されている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing an arrangement and connection relationship between an IC chip and an inspection auxiliary device on a semiconductor wafer placed on a wafer placement table of an LSI tester. As illustrated, the semiconductor wafer 20 is positioned and placed by the positioning plate 10.

半導体ウェハ20には、被検査対象である複数のICチップ22a〜22fと、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24と、が形成されており、各ICチップ22a〜22fと検査補助装置24は、配線Lで電気的に接続されている。なお、「ICチップ」という用語は、一般には、ダイシングにより個別化された半導体チップのことをいうが、本明細書では、説明の便宜上、半導体ウェハに形成されているダイシング前の各半導体装置も、ICチップということにする。   The semiconductor wafer 20 is formed with a plurality of IC chips 22a to 22f to be inspected and an inspection auxiliary device (embedded BOST unit) 24. The IC chips 22a to 22f and the inspection auxiliary device 24 are They are electrically connected by wiring L. The term “IC chip” generally refers to a semiconductor chip that is individualized by dicing, but in this specification, for convenience of explanation, each semiconductor device before dicing formed on a semiconductor wafer is also referred to. , IC chip.

検査補助装置24は、各ICチップ22a〜22fに搭載されているアナログ入出力インタフェース回路関連の回路(A/D変換器、D/A変換器、高周波アンプ等)の検査の他、各種のデジタル回路の検査(例えば、LSIテスタの動作クロックの周波数を越える高速クロックによる回路検査等)を行うこともできる。ただし、以下の説明では、特に重要な、アナログ入出力インタフェース関連の回路についての検査を行う場合について説明する。   The inspection auxiliary device 24 performs various digital tests in addition to inspection of analog input / output interface circuit-related circuits (A / D converters, D / A converters, high-frequency amplifiers, etc.) mounted on the IC chips 22a to 22f. Circuit inspection (for example, circuit inspection using a high-speed clock exceeding the frequency of the operation clock of the LSI tester) can also be performed. However, in the following description, a case where a particularly important test relating to an analog input / output interface is performed will be described.

各ICチップ22a〜22fに搭載されているA/D変換器やD/A変換器の検査を、一つの検査補助装置24で行う方法としては、ICチップ22a〜22fを選択的に検査補助装置24に接続して、順次、検査していく方法(順次検査方式)と、各ICチップ22a〜22fについて、並列に検査を行う方法(同時検査方式)とがある。   As a method for inspecting A / D converters and D / A converters mounted on the IC chips 22a to 22f with one inspection auxiliary device 24, the IC chips 22a to 22f are selectively inspected auxiliary devices. 24, there are a method of sequentially inspecting (sequential inspection method) and a method of inspecting each IC chip 22a to 22f in parallel (simultaneous inspection method).

図2は、各ICチップを順次、検査する方式を実現するための構成を説明するための図である。図2では、説明の便宜上、2つのICチップ22d、22eのみを描いてある。図示されるように、ICチップ22d、22eは各々、接続端子(接続パッド)T1〜T3、T7〜T9を備える。ここでは、接続端子T2、T8は、各ICチップ22d、22eに搭載されるD/A変換器(図2では不図示)の検査用のパッドであるとする。   FIG. 2 is a diagram for explaining a configuration for realizing a method of sequentially inspecting each IC chip. In FIG. 2, only two IC chips 22d and 22e are illustrated for convenience of explanation. As illustrated, the IC chips 22d and 22e are each provided with connection terminals (connection pads) T1 to T3 and T7 to T9. Here, it is assumed that the connection terminals T2 and T8 are inspection pads of D / A converters (not shown in FIG. 2) mounted on the IC chips 22d and 22e.

各接続端子T2、T8と検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24との間には、検査対象のICチップを選択するためのスイッチ手段(例えば、MOSトランジスタを用いたトランスファーゲートからなる)29a、29cが介在している。スイッチ手段29a、29cの開閉を、隣に位置する接続端子T1、T7を介して制御する(例えば、LSIテスタに内蔵されるプローブカードのプローブ針を接続端子T1、T7に接触させて電源電圧(VDD)を供給すると、これによってスイッチ手段29a、29cが閉じるようにする)ことで、一つのICチップのみを検査補助装置24に接続することができる。このようにして、スイッチ手段を順次、切り替えていくことで、各ICチップを時分割で検査することができる。   Switch means (for example, comprising transfer gates using MOS transistors) 29a, 29c for selecting the IC chip to be inspected between each connection terminal T2, T8 and the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 Is intervening. The opening and closing of the switch means 29a, 29c is controlled via the adjacent connection terminals T1, T7 (for example, the probe needle of the probe card built in the LSI tester is brought into contact with the connection terminals T1, T7 to supply power ( When VDD is supplied, the switch means 29a and 29c are thereby closed), so that only one IC chip can be connected to the inspection assistant device 24. Thus, by sequentially switching the switch means, each IC chip can be inspected in a time division manner.

図3は、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)を備える半導体ウェハにおける主要な回路構成、および半導体ウェハとプローバ(LSIテスタ)との接続関係を示す回路図である。図3において、図1、図2の各部と同じ部分には、同じ参照符号を付して説明する。図3に示されるように、半導体ウェハ20には、ICチップ(ここでは、アナログ/デジタル混在ICとする)22d、22eと、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24と、が形成されている。   FIG. 3 is a circuit diagram showing a main circuit configuration in a semiconductor wafer provided with an inspection auxiliary device (built-in BOST unit) and a connection relationship between the semiconductor wafer and a prober (LSI tester). In FIG. 3, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. As shown in FIG. 3, the semiconductor wafer 20 is formed with IC chips (here, analog / digital mixed ICs) 22d and 22e and an inspection auxiliary device (embedded BOST unit) 24.

ICチップ(22d、22e)および検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24には、プローバ(LSIテスタであり、プローブカード210を内蔵する)210のプローブ針P1〜P7(P1、P2、P6、P7は太い実線で示され、P3、P4は、太い点線で示されている)が接触する。   The IC chips (22d, 22e) and the inspection assisting device (built-in BOST unit) 24 include probe needles P1 to P7 (P1, P2, P6, P7) of a prober (an LSI tester and a probe card 210). It is indicated by a thick solid line, and P3 and P4 are indicated by a thick dotted line).

検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24は、プローバ200からの指示を受け、ICチップ22d、22eに搭載されるアナログ入出力インタフェース回路としてのA/D変換器25a、25bおよびD/A変換器23a、23bの特性(主に直線性)の検査を実施する。   The inspection auxiliary device (embedded BOST unit) 24 receives instructions from the prober 200, and A / D converters 25a and 25b and D / A converters 23a as analog input / output interface circuits mounted on the IC chips 22d and 22e. , 23b (mainly linearity) is inspected.

検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24は、トリミング機能付A/D変換器30と、トリミング機能付D/A変換器32と、各回路の動作を統括的に制御する制御回路34と、測定データメモリ36と、データ出力回路38と、判定部40とを備える。   The inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 includes an A / D converter 30 with a trimming function, a D / A converter 32 with a trimming function, a control circuit 34 that comprehensively controls the operation of each circuit, and measurement data. A memory 36, a data output circuit 38, and a determination unit 40 are provided.

A/D変換器30やD/A変換器32にトリミング機能(キャリブレーション機能)を付加しているのは、半導体ウェハ上に形成された回路素子の特性のばらつきにより、各変換器30、32の性能が低下する場合があることを考慮し、ICチップ22d、22eの検査に先立ち、まず、検査補助装置24内部の各変換器30、32の校正を行えるようにするためである。   The trimming function (calibration function) is added to the A / D converter 30 and the D / A converter 32 because of variations in characteristics of circuit elements formed on the semiconductor wafer. This is because the converters 30 and 32 in the inspection auxiliary device 24 can be calibrated first before the inspection of the IC chips 22d and 22e.

すなわち、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24は測定機として機能するため、絶対的な特性、精度が保障される必要がある。しかし、半導体ウェハ20上に形成されたままの検査補助装置24は、特性に不具合がある可能性がある。このため、ICチップを検査する前に、検査補助装置の特性を測定し、必要に応じトリミングを行うことで、絶対的な特性を保障するものである。   That is, since the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 functions as a measuring machine, it is necessary to ensure absolute characteristics and accuracy. However, the inspection auxiliary device 24 that is still formed on the semiconductor wafer 20 may have a defect in characteristics. Therefore, before the IC chip is inspected, the characteristics of the inspection auxiliary device are measured, and trimming is performed as necessary, thereby ensuring the absolute characteristics.

なお、トリミング機能付A/D変換器30ならびにトリミング機能付D/A変換器32の具体的な回路構成とトリミング動作については、図4、図5を参照して、後に説明する。また、図3中、参照符号29a〜29dは、検査対象のICチップを切り替えるためのスイッチ手段である。なお、スイッチ手段29aは、トランスファーゲートからなるスイッチSW1、SW2を備える。同様に、スイッチ手段29bはスイッチSW3、SW4を備え、スイッチ手段29cはスイッチSW5、SW6を備え、スイッチ手段29dはスイッチSW7、SW8を備える。   The specific circuit configuration and trimming operation of the A / D converter 30 with trimming function and the D / A converter 32 with trimming function will be described later with reference to FIGS. Further, in FIG. 3, reference numerals 29a to 29d are switch means for switching the IC chip to be inspected. The switch means 29a includes switches SW1 and SW2 made up of transfer gates. Similarly, the switch unit 29b includes switches SW3 and SW4, the switch unit 29c includes switches SW5 and SW6, and the switch unit 29d includes switches SW7 and SW8.

スイッチ手段29a〜29d(スイッチSW1〜SW8)は、プルダウントランジスタ27a〜27d(図中、PTRと記載される)によって駆動される。例えば、ICチップ22dに搭載されるD/A変換器23aの検査をするときは、プローバ200に内蔵されるプローバ210のプローブ針P1をICチップ22dの接続端子T1に接続し、プローブ針P1より電源電圧(VDD)を供給する。   The switch means 29a to 29d (switches SW1 to SW8) are driven by pull-down transistors 27a to 27d (denoted as PTR in the figure). For example, when inspecting the D / A converter 23a mounted on the IC chip 22d, the probe needle P1 of the prober 210 built in the prober 200 is connected to the connection terminal T1 of the IC chip 22d, and the probe needle P1 Supply power supply voltage (VDD).

これにより、ICチップ22dのD/A変換器23aが動作可能状態となり、同時に、プルダウントランジスタ(PTR)27aがオンしてスイッチ手段29aが駆動され、スイッチ手段29aに含まれるスイッチSW1およびSW2が閉じる。これにより、D/A変換器23aは、検査補助装置(組み込みBOST回路)に接続され、検査可能状態となる。同様に、A/D変換器25aを検査するときは、スイッチ手段29bに含まれるスイッチSW3、SW4が閉じる。ICチップ22eに搭載されるD/A変換器23b、A/D変換器25bの検査を行う場合も同様である。図3中、T1〜T19は接続端子を示し、L1〜L8は、ICチップ(22d、22e)と検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24とを電気的に接続するための配線を示す。   As a result, the D / A converter 23a of the IC chip 22d becomes operable, and at the same time, the pull-down transistor (PTR) 27a is turned on to drive the switch means 29a, and the switches SW1 and SW2 included in the switch means 29a are closed. . As a result, the D / A converter 23a is connected to the inspection auxiliary device (built-in BOST circuit) and becomes inspectable. Similarly, when inspecting the A / D converter 25a, the switches SW3 and SW4 included in the switch means 29b are closed. The same applies to the inspection of the D / A converter 23b and the A / D converter 25b mounted on the IC chip 22e. In FIG. 3, T <b> 1 to T <b> 19 indicate connection terminals, and L <b> 1 to L <b> 8 indicate wirings for electrically connecting the IC chip (22 d, 22 e) and the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24.

次に、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24に内蔵されるトリミング機能付A/D変換器30、トリミング機能付D/A変換器32の構成について、図4,図5を参照して説明する。図4は、トリミング機能付A/D変換器の構成を示すブロック図である。このA/D変換器は逐次比較型A/D変換器である。図示されるように、トリミング機能付A/D変換器30は、セレクタ50と、複数のコンパレータCMP(1)〜CMP(n)と、これらのコンパレータに供給する基準電圧を発生させるための抵抗R1〜Rnと、エンコーダ52と、ラッチ54と、誤差検出回路56と、制御回路58と、基準電圧選択回路60と、を備える。   Next, the configurations of the A / D converter 30 with trimming function and the D / A converter 32 with trimming function incorporated in the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 will be described with reference to FIGS. . FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of an A / D converter with a trimming function. This A / D converter is a successive approximation A / D converter. As illustrated, the A / D converter 30 with a trimming function includes a selector 50, a plurality of comparators CMP (1) to CMP (n), and a resistor R1 for generating a reference voltage supplied to these comparators. To Rn, an encoder 52, a latch 54, an error detection circuit 56, a control circuit 58, and a reference voltage selection circuit 60.

基準電圧選択回路60は、出力電圧を変化させることができる可変電圧源であり、制御回路58からの指示を受け、予め設定されている、入力信号Vref1の近傍の電圧(複数の電圧)を随時、選択して出力する。基準電圧選択回路60の出力電圧が変化すると、複数のコンパレータCMP(1)〜CMP(n)の各々に供給される基準電圧が変化し、この結果、A/D変換出力の微調整がなされる。   The reference voltage selection circuit 60 is a variable voltage source that can change the output voltage, and receives a command (a plurality of voltages) in the vicinity of the input signal Vref1 that is set in advance in response to an instruction from the control circuit 58. Select and output. When the output voltage of the reference voltage selection circuit 60 changes, the reference voltage supplied to each of the plurality of comparators CMP (1) to CMP (n) changes, and as a result, the A / D conversion output is finely adjusted. .

セレクタ50は、正規のアナログ入力信号と、校正用の基準信号Vref1を、選択的に複数のコンパレータCMP(1)〜CMP(n)に与える働きをする。トリミング(校正)モードでは、校正用の基準信号Vref1が選択される。セレクタ50の動作は、制御回路58により制御される。   The selector 50 serves to selectively supply a normal analog input signal and a calibration reference signal Vref1 to the plurality of comparators CMP (1) to CMP (n). In the trimming (calibration) mode, the calibration reference signal Vref1 is selected. The operation of the selector 50 is controlled by the control circuit 58.

エンコーダ52が、複数のコンパレータCMP(1)〜CMP(n)の各出力信号をエンコードし、これにより、A/D変換されたデジタル信号が得られる。誤差検出回路56は、トリミング(校正)モード時において、A/D変換の誤差を検出する。制御回路58は、検出された誤差を低減すべく、基準電圧選択回路60に、予め設定されている、入力信号Vref1の近傍の電圧の逐次出力を指示する。   The encoder 52 encodes each output signal of the plurality of comparators CMP (1) to CMP (n), thereby obtaining an A / D converted digital signal. The error detection circuit 56 detects an A / D conversion error in the trimming (calibration) mode. The control circuit 58 instructs the reference voltage selection circuit 60 to sequentially output a voltage in the vicinity of the input signal Vref1, which is set in advance, in order to reduce the detected error.

基準電圧源60の出力電圧が変化すると、複数のコンパレータCMP(1)〜CMP(n)の各々に供給される基準電圧が変化し、この結果、A/D変換出力の微調整がなされる。そして、A/D変換出力の微調整がなされる毎に、誤差検出回路56が誤差を検出し、制御回路58は、検出された誤差をウオッチングしながら、校正ループを回してトリミングを進めていき、最終的に、変換誤差が最も小さくなる、基準電圧選択回路60の出力電圧を決定する。このようにして、A/D変換器のトリミングがなされる。   When the output voltage of the reference voltage source 60 changes, the reference voltage supplied to each of the plurality of comparators CMP (1) to CMP (n) changes, and as a result, the A / D conversion output is finely adjusted. Each time the A / D conversion output is finely adjusted, the error detection circuit 56 detects the error, and the control circuit 58 advances the trimming by rotating the calibration loop while watching the detected error. Finally, the output voltage of the reference voltage selection circuit 60 that minimizes the conversion error is determined. In this way, the A / D converter is trimmed.

図5は、トリミング機能付D/A変換器の構成を示すブロック図である。このD/A変換器は逐次比較型D/A変換器である。図示されるように、トリミング機能付D/A変換器32は、デコーダ60と、ラダー抵抗(R1〜Rn)と、スイッチ手段62(トランスファースゲートM1〜Mnを備える)と、トリミング用抵抗(RC1〜RC4)およびトリミング用スイッチ手段64(スイッチSW10〜SW13を備える)と、プルダウン抵抗RSと、誤差検出回路66と、セレクタ68と、トリミング制御回路70とを備える。   FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the D / A converter with trimming function. This D / A converter is a successive approximation D / A converter. As illustrated, the D / A converter 32 with a trimming function includes a decoder 60, ladder resistors (R1 to Rn), switch means 62 (including transfer gates M1 to Mn), and a trimming resistor (RC1). To RC4) and trimming switch means 64 (including switches SW10 to SW13), a pull-down resistor RS, an error detection circuit 66, a selector 68, and a trimming control circuit 70.

セレクタ68は、通常モード(すなわち、ICチップの検査モードである)とトリミング(キャリブレーション)モードを切り換える働きをし、その動作は、切換信号により制御される。トリミングモードのとき、セレクタ68は、誤差検出回路66の出力信号をトリミング制御回路70に供給し、通常モードのときは、スイッチ手段64から出力されるD/A変換出力を、検査対象のICチップ22dに搭載されるA/D変換器25aに与える。   The selector 68 functions to switch between a normal mode (that is, an IC chip inspection mode) and a trimming (calibration) mode, and its operation is controlled by a switching signal. In the trimming mode, the selector 68 supplies the output signal of the error detection circuit 66 to the trimming control circuit 70, and in the normal mode, the D / A conversion output output from the switch means 64 is used as the IC chip to be inspected. This is given to the A / D converter 25a mounted on 22d.

デコーダ60は、データ出力回路38から出力されるデータDinをデコードし、そのデコード出力により、スイッチ手段62の各スイッチM1〜Mnの開閉を制御する。これにより、D/A変換出力が得られる。   The decoder 60 decodes the data Din output from the data output circuit 38, and controls the opening and closing of the switches M1 to Mn of the switch means 62 by the decoded output. Thereby, a D / A conversion output is obtained.

トリミング用抵抗(RC1〜RC4)は、電圧降下量を調整するための抵抗であり、4つのスイッチ(SW10〜SW13)のどれを選択するかにより、電圧降下量が決定される。スイッチ(SW10〜SW13)の開閉は、トリミング制御回路70により制御される。トリミングモード時には、誤差検出回路66により変換誤差が検出され、検出された誤差量がセレクタ68を介してトリミング制御回路70に送られる。トリミング制御回路70は、誤差が低減されるように、スイッチ(SW10〜SW13)の開閉を制御する。このようにして、D/A変換器32のトリミングがなされる。   The trimming resistors (RC1 to RC4) are resistors for adjusting the voltage drop amount, and the voltage drop amount is determined depending on which of the four switches (SW10 to SW13) is selected. The trimming control circuit 70 controls opening and closing of the switches (SW10 to SW13). In the trimming mode, a conversion error is detected by the error detection circuit 66, and the detected error amount is sent to the trimming control circuit 70 via the selector 68. The trimming control circuit 70 controls opening and closing of the switches (SW10 to SW13) so that the error is reduced. In this way, the D / A converter 32 is trimmed.

次に、図3に戻り、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24を用いて、ICチップ(22d、22e)に搭載されるD/A変換器(23a、23b)、A/D変換器(25a、25b)の特性の検査を行うための動作を説明する。まず、プローバ200に内蔵されるプローブカード210のプローブ針P1〜P2、P5〜P7(図3中、太い実線で示される)が、半導体ウェハ20に形成されているICチップ22dおよび検査制御装置(組み込みBOSTユニット)24の接続端子(T1、T4、T13、T18、T19)に接続される。プローバ200から、ICチップ(22d、22e等)や検査補助装置24への電源電圧(VDD)の供給や、検査補助装置24の制御回路34への検査情報(上位命令)の入力が行われる。   Next, returning to FIG. 3, the D / A converter (23 a, 23 b) and the A / D converter (25 a) mounted on the IC chip (22 d, 22 e) are used by using the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24. 25b) will be described. First, probe needles P1 to P2 and P5 to P7 (indicated by thick solid lines in FIG. 3) of a probe card 210 built in the prober 200 are connected to an IC chip 22d formed on the semiconductor wafer 20 and an inspection control device ( The connection terminal (T1, T4, T13, T18, T19) of the built-in BOST unit) 24 is connected. The prober 200 supplies the power supply voltage (VDD) to the IC chip (22d, 22e, etc.) and the inspection auxiliary device 24, and inputs inspection information (upper order command) to the control circuit 34 of the inspection auxiliary device 24.

検査に先立ち、まず、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24のトリミング機能付A/D変換器30、トリミング機能付D/A変換器32の性能のチェックが行われ、必要に応じて、トリミングが、図3、図4を用いて説明した手順で行われる。その後、ICチップ22dの検査に移行する。以下の説明では、ICチップ22dのD/A変換器23a、A/D変化器25aの検査を行う場合について説明する。   Prior to the inspection, first, the performance of the A / D converter 30 with trimming function and the D / A converter 32 with trimming function of the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 is checked, and trimming is performed if necessary. The procedure described with reference to FIGS. 3 and 4 is performed. Thereafter, the IC chip 22d is inspected. In the following description, a case where the D / A converter 23a and the A / D converter 25a of the IC chip 22d are inspected will be described.

この場合、スイッチ手段29a(スイッチSW1、SW2)、スイッチ手段29b(スイッチSW3、SW4)が閉じられ、これにより、ICチップ22dが、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24に接続される。ICチップ22dにおけるD/A変換器23aの検査は、以下のように行われる。   In this case, the switch means 29a (switches SW1 and SW2) and the switch means 29b (switches SW3 and SW4) are closed, whereby the IC chip 22d is connected to the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24. The inspection of the D / A converter 23a in the IC chip 22d is performed as follows.

すなわち、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24のデータ出力回路38から出力されるデータは、接続端子T15、配線L2、スイッチSW2、接続端子T3を介してICチップ22d内のD/A変換器23aに与えられる。   That is, data output from the data output circuit 38 of the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 is connected to the D / A converter 23a in the IC chip 22d via the connection terminal T15, the wiring L2, the switch SW2, and the connection terminal T3. Given to.

D/A変換器23aの変換出力(アナログ信号)は、接続端子T2、スイッチSW1、配線L1、接続端子T14を介して、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24内のトリミング機能付A/D変換器30に与えられる。トリミング機能付A/D変換器30の変換出力(デジタル信号)は、測定データメモリ36に蓄積される。そして、蓄積されたデータに基づき、判定部40が良否判定を行う。その判定結果は、接続端子T18、プローブ針P6を介して、プローバ200に搭載されるプローブカード210に送られる。   The conversion output (analog signal) of the D / A converter 23a is A / D converted with a trimming function in the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 via the connection terminal T2, the switch SW1, the wiring L1, and the connection terminal T14. Is provided to the container 30. The conversion output (digital signal) of the A / D converter 30 with trimming function is stored in the measurement data memory 36. Then, based on the accumulated data, the determination unit 40 determines pass / fail. The determination result is sent to the probe card 210 mounted on the prober 200 via the connection terminal T18 and the probe needle P6.

同様に、ICチップ22dにおけるA/D変換器25aの検査は、以下のように行われる。すなわち、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24のデータ出力回路38から出力されるデータが、トリミング機能付D/A変換器32によりアナログ信号に変換される。変換されたアナログ信号は、接続端子T17、配線L4、スイッチSW4、接続端子T6を介してICチップ22d内のA/D変換器25aに与えられる。   Similarly, the inspection of the A / D converter 25a in the IC chip 22d is performed as follows. That is, data output from the data output circuit 38 of the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 is converted into an analog signal by the D / A converter 32 with a trimming function. The converted analog signal is given to the A / D converter 25a in the IC chip 22d through the connection terminal T17, the wiring L4, the switch SW4, and the connection terminal T6.

A/D変換器25aの変換出力(デジタル信号)は、接続端子T5、スイッチSW3、配線L3、接続端子T16を介して、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24内の測定データメモリ36に送られ、蓄積される。そして、蓄積されたデータに基づき、判定部40が良否判定を行う。その判定結果は、接続端子T18、プローブ針P6を介して、プローバ200に搭載されるプローブカード210に送られる。   The conversion output (digital signal) of the A / D converter 25a is sent to the measurement data memory 36 in the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 via the connection terminal T5, the switch SW3, the wiring L3, and the connection terminal T16. Accumulated. Then, based on the accumulated data, the determination unit 40 determines pass / fail. The determination result is sent to the probe card 210 mounted on the prober 200 via the connection terminal T18 and the probe needle P6.

なお、以上の説明では、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24において、良品/不良品の判定までを行っているが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、検査補助装置24では、検査対象のICチップに関するデータ収集のみを行い、収集されたデータに基づく、演算、解析、良否判定等は、LSIテスタ(プローバ)200にて行ってもよい。   In the above description, the inspection assisting device (built-in BOST unit) 24 performs the determination of a non-defective product / defective product, but the present invention is not necessarily limited to this. The LSI tester (prober) 200 may perform only data collection related to the IC chip, and calculation, analysis, pass / fail judgment, etc. based on the collected data.

このように、ウェハ20上に形成された検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24を用いることで、ICチップ22d、22eに搭載されるD/A変換器23a、A/D変換器25aの検査を効率的に行うことができる。すなわち、BOSTユニット(検査補助装置)24を半導体ウェハ上に組み込むことにより、半導体ウェハの状態で、複数のICチップについて、アナログ入出力インタフェースに関連する回路の検査を実施することができる。すなわち、前工程の段階で良品/不良品の選別を行うことができ、検査効率が向上する。   In this way, by using the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 formed on the wafer 20, the D / A converter 23a and the A / D converter 25a mounted on the IC chips 22d and 22e are inspected. Can be done efficiently. That is, by incorporating the BOST unit (inspection auxiliary device) 24 on the semiconductor wafer, it is possible to inspect a circuit related to the analog input / output interface for a plurality of IC chips in the state of the semiconductor wafer. That is, the non-defective product / defective product can be selected at the stage of the previous process, and the inspection efficiency is improved.

また、LSIテスタ(プローバ)200は、半導体ウェハ20に組み込まれた検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24に検査に必要な情報を与え、また、検査結果を受け取ればよく、したがって、LSIテスタ(プローバ)200のハードウェアの複雑化防止、検査コストの削減を図ることができる。また、LSIテスタ200と半導体ウェハ20上の回路(22d、22e、24等)とが、評価治具等を介することなく直接に接続されるため、配線長が格段に短くなり、ノイズの影響をより受けにくくなって、アナログ信号の歪みを抑制することができる。また、近年の半導体ウェハの大口径化に伴い、一枚のウェハ上における歩留まりのばらつきが顕在化することも予想されるが、本発明の半導体ウェハ20を用いれば、不良品が半導体ウェハ上のどの位置に発生し易いかといった情報も取得でき、このようにして取得された情報を、例えば、製造装置の動作条件や半導体製造プロセスの条件の改善に役立てることもできる。   Further, the LSI tester (prober) 200 may provide information necessary for inspection to the inspection auxiliary device (embedded BOST unit) 24 incorporated in the semiconductor wafer 20 and receive the inspection result. Therefore, the LSI tester (prober) ) 200 hardware can be prevented from becoming complicated, and inspection costs can be reduced. Further, since the LSI tester 200 and the circuit (22d, 22e, 24, etc.) on the semiconductor wafer 20 are directly connected without using an evaluation jig or the like, the wiring length is remarkably shortened and the influence of noise is reduced. It becomes less susceptible to distortion of the analog signal. In addition, with the recent increase in the diameter of semiconductor wafers, it is expected that variations in yield on a single wafer will become apparent. However, if the semiconductor wafer 20 of the present invention is used, defective products will be formed on the semiconductor wafer. Information on which position is likely to be generated can be acquired, and the information acquired in this way can be used to improve the operating conditions of the manufacturing apparatus and the conditions of the semiconductor manufacturing process, for example.

次に、半導体ウェハ上の検査補助装置(組み込みBOSTユニット)と検査対象である複数のICチップとの相対的な位置関係(半導体ウェハ上のレイアウト)について、図6を参照して説明する。図6に示されるように、ICチップ22a〜22hは、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24を取り囲むように配置される。すなわち、ICチップ8個に対し、検査補助装置が1個けられる。検査は、この9チップを単位として行われる。ウェハ検査用のプローブ針は、これらの9チップに同時に接続され、9チップを単位として検査を行う。   Next, the relative positional relationship (layout on the semiconductor wafer) between the inspection auxiliary device (embedded BOST unit) on the semiconductor wafer and the plurality of IC chips to be inspected will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 6, the IC chips 22 a to 22 h are arranged so as to surround the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24. That is, one inspection auxiliary device is provided for eight IC chips. The inspection is performed in units of these 9 chips. The probe needle for wafer inspection is simultaneously connected to these 9 chips, and the inspection is performed in units of 9 chips.

図6のような配置とすることで、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24と、周囲のICチップ22a〜22hの各々までの配線の長さのばらつきは、最小限に抑えられる。したがって、各ICチップ22a〜22hの配置に起因して、アナログ信号の歪みやノイズが大きくばらつくというような事態が生じない。   With the arrangement as shown in FIG. 6, variations in the length of the wiring to the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 24 and each of the surrounding IC chips 22a to 22h can be minimized. Therefore, the situation that the distortion and noise of the analog signal greatly vary due to the arrangement of the IC chips 22a to 22h does not occur.

(第2の実施形態)
第1の実施形態では、複数のICチップを順次、検査する方式(順次検査方式)を採用していたが、本実施形態では、複数のICチップを同時に検査する方式(同時検査方式)を採用する。同時検査方式を実現するために、本実施形態では、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)に、複数のICチップの各々に対応する、複数のD/A変換器やA/D変換器を搭載する構成を採用する。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, a method of sequentially inspecting a plurality of IC chips (sequential inspection method) is adopted, but in this embodiment, a method of simultaneously inspecting a plurality of IC chips (simultaneous inspection method) is adopted. To do. In order to realize the simultaneous inspection method, in this embodiment, a plurality of D / A converters and A / D converters corresponding to each of a plurality of IC chips are mounted on the inspection auxiliary device (built-in BOST unit). Adopt the configuration.

図7は、本実施形態にかかる半導体ウェハにおける主要な回路構成、および半導体ウェハとプローバ(LSIテスタ)との接続関係を示す回路図である。図7の基本的な構成は図3と同じであるが、図7では、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)82に、複数のICチップ(22d、22e)の各々に対応する、複数のD/A変換器(30a、30b)、A/D変換器(32a、32b)を搭載している点が異なる。図7の基本的な構成は図3と同じであるため、説明の便宜上、図7では一部の構成の記載を省略している。また、図7において、図3と同じ部分には、同じ参照符号を付してある。   FIG. 7 is a circuit diagram showing the main circuit configuration of the semiconductor wafer according to the present embodiment and the connection relationship between the semiconductor wafer and a prober (LSI tester). The basic configuration of FIG. 7 is the same as that of FIG. 3, but in FIG. 7, a plurality of D / Ds corresponding to each of the plurality of IC chips (22d, 22e) are added to the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 82. The difference is that A converters (30a, 30b) and A / D converters (32a, 32b) are mounted. Since the basic configuration in FIG. 7 is the same as that in FIG. 3, for convenience of explanation, the description of a part of the configuration is omitted in FIG. 7. Further, in FIG. 7, the same parts as those in FIG.

図7において、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)82内のA/D変換器30aおよびD/A変換器32aは各々、ICチップ22dに搭載されているD/A変換器23a、A/D変換器25aに対応して設けられている。配線L2は、ICチップ22dに搭載されているD/A変換器23aへデータを入力するための配線であり、配線L1は、D/A変換器23aから出力されるアナログ信号を、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)82内のA/D変換器30aに伝達するための配線である。配線L4は、ICチップ22dに搭載されていA/D変換器25aへアナログ信号を入力するための配線であり、配線L3は、A/D変換器25aから出力されるデジタル信号を、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)82内の測定データメモリ36に伝達するための配線である。   In FIG. 7, the A / D converter 30a and the D / A converter 32a in the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 82 are respectively a D / A converter 23a and an A / D converter mounted on the IC chip 22d. It is provided corresponding to the container 25a. The wiring L2 is a wiring for inputting data to the D / A converter 23a mounted on the IC chip 22d, and the wiring L1 outputs an analog signal output from the D / A converter 23a to the inspection auxiliary device. (Built-in BOST unit) Wiring for transmitting to the A / D converter 30a in the 82. The wiring L4 is a wiring for inputting an analog signal to the A / D converter 25a mounted on the IC chip 22d, and the wiring L3 converts the digital signal output from the A / D converter 25a into an inspection auxiliary device. This is a wiring for transmitting to the measurement data memory 36 in the (embedded BOST unit) 82.

同様に、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)82内のA/D変換器30bおよびD/A変換器32bは各々、ICチップ22eに搭載されているD/A変換器23b、A/D変換器25bに対応して設けられている。配線L11は、ICチップ22eに搭載されているD/A変換器23bにデータを入力するための配線であり、配線L10は、D/A変換器23bから出力されるアナログ信号を、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)82内のA/D変換器30bに伝達するための配線である。配線L12は、ICチップ22eに搭載されていA/D変換器25bへアナログ信号を入力するための配線であり、配線L13は、A/D変換器25bから出力されるデジタル信号を、検査補助装置(組み込みBOSTユニット)82内の測定データメモリ36に伝達するための配線である。   Similarly, the A / D converter 30b and the D / A converter 32b in the inspection auxiliary device (built-in BOST unit) 82 are respectively a D / A converter 23b and an A / D converter mounted on the IC chip 22e. 25b is provided. The wiring L11 is a wiring for inputting data to the D / A converter 23b mounted on the IC chip 22e, and the wiring L10 outputs an analog signal output from the D / A converter 23b to the inspection auxiliary device. (Built-in BOST unit) Wiring for transmitting to the A / D converter 30b in the 82. The wiring L12 is a wiring for inputting an analog signal to the A / D converter 25b mounted on the IC chip 22e, and the wiring L13 converts the digital signal output from the A / D converter 25b to the inspection auxiliary device. This is a wiring for transmitting to the measurement data memory 36 in the (embedded BOST unit) 82.

このように、検査対象のICチップに搭載されるD/A変換器、A/D変換器に1対1に対応するA/D変換器、D/A変換器を検査補助装置82内に設け、かつ、検査用の信号を伝達する配線を独立に設けることにより、複数の検査対象に並列に信号を入力し、その結果として検査対象から出力される信号を、測定データメモリ36に同時に収集することができる。したがって、収集されたデータに基づき、判定部40が、各検査対象について、同時に良否判定を行うことができる。なお、判定部40が、各検査対象について、順次(つまり、時分割で)、良否判定を行うこともできる。このように、複数のICチップの同時検査が実現されることにより、検査効率が格段に向上する。   Thus, the D / A converter mounted on the IC chip to be inspected, the A / D converter corresponding to the A / D converter, and the D / A converter are provided in the inspection auxiliary device 82. In addition, by providing wirings for transmitting inspection signals independently, signals are input in parallel to a plurality of inspection objects, and as a result, signals output from the inspection objects are simultaneously collected in the measurement data memory 36. be able to. Therefore, based on the collected data, the determination unit 40 can simultaneously determine pass / fail for each inspection target. In addition, the determination part 40 can also perform quality determination about each test object sequentially (that is, by time division). Thus, simultaneous inspection of a plurality of IC chips is realized, so that inspection efficiency is remarkably improved.

(第3の実施形態)
図8は、複数の検査補助装置が設けられた半導体ウェハにおける、検査補助装置およびICチップの配置を示す図である。図示されるように、複数の検査補助装置82a〜82eは、半導体ウェハ20上に分散して設けられている。そして、各検査補助装置82a〜82eの周囲に、ICチップC1〜C28が設けられている。一つの検査補助装置ですべてのICチップの検査を行うこともできないわけではないが、これでは、ウェハ検査用プローブカード(図3、図7の参照符号210)を作成する際の物理的な限界が顕在化するおそれがあり、また、検査補助装置の負担も大きくなる。したがって、一つの半導体ウェハ上に、検査補助装置を複数、設けることで、多数のICチップの検査を、無理なく、効率的に行うことができる。
(Third embodiment)
FIG. 8 is a diagram showing the arrangement of the inspection auxiliary device and the IC chip in the semiconductor wafer provided with a plurality of inspection auxiliary devices. As illustrated, the plurality of auxiliary inspection devices 82 a to 82 e are distributed on the semiconductor wafer 20. Then, IC chips C1 to C28 are provided around the inspection auxiliary devices 82a to 82e. Although it is not impossible to inspect all IC chips with one inspection auxiliary device, this is a physical limitation in producing a wafer inspection probe card (reference numeral 210 in FIGS. 3 and 7). May become apparent, and the burden on the inspection assisting device also increases. Therefore, by providing a plurality of inspection auxiliary devices on one semiconductor wafer, it is possible to efficiently and efficiently inspect a large number of IC chips.

(第4の実施形態)
図9は、複数の検査補助装置がスクライブ領域に設けられている半導体ウェハにおける、検査補助装置およびICチップの配置を示す図である。図中、SCL1〜SCL4はスクライブ領域を示す。複数の検査補助装置84a〜84lは、これらのスクライブ領域(SCL1〜SCL4)に設けられている。検査補助装置は、ウェハ段階での検査終了後は不要となる点に着目し、スクライブ領域に検査補助装置を配置することで、デッドスペースの有効利用を図ることができる。これにより、一つの半導体ウェハから取得できるICチップの数の減少(つまり、歩留まりの低下)を防止することができる。
(Fourth embodiment)
FIG. 9 is a diagram showing an arrangement of the inspection auxiliary device and the IC chip in the semiconductor wafer in which a plurality of inspection auxiliary devices are provided in the scribe region. In the figure, SCL1 to SCL4 indicate scribe areas. The plurality of auxiliary examination devices 84a to 84l are provided in these scribe areas (SCL1 to SCL4). Paying attention to the point that the inspection auxiliary device becomes unnecessary after the inspection at the wafer stage is completed, the dead space can be effectively used by arranging the inspection auxiliary device in the scribe region. Thereby, it is possible to prevent a decrease in the number of IC chips that can be obtained from one semiconductor wafer (that is, a decrease in yield).

(第5の実施形態)
本実施形態では、半導体ウェハに形成された検査補助装置が壊れていてトリミングができない、あるいはトリミングによっても特性の改善ができなかった場合に、予備の検査補助装置に切り換えることができるようにする。
(Fifth embodiment)
In the present embodiment, when the inspection auxiliary device formed on the semiconductor wafer is broken and cannot be trimmed, or when the characteristics cannot be improved by the trimming, it is possible to switch to the auxiliary inspection auxiliary device.

図10は、半導体ウェハにおける、ICチップと検査補助装置の配置および接続関係を示す図である。図10における図1との相違点は、正規の検査補助装置(組み込みBOSTユニット)24の他に、予備の検査補助装置90a、90bが設けられ、スイッチSW20〜SW22の操作により、正規の検査補助装置24に代えて、予備の検査補助装置90a、90bを使用できる冗長構成が採用されている点である。検査補助装置24は測定機として機能するため、その検査補助装置自体が壊れたり、あるいはトリミングが不調に終わった場合でも、ICチップの検査ができないという事態が生じないようにする必要がある。   FIG. 10 is a diagram showing the arrangement and connection relationship between the IC chip and the inspection auxiliary device in the semiconductor wafer. 10 differs from FIG. 1 in that, in addition to the regular inspection assistance device (built-in BOST unit) 24, spare inspection assistance devices 90a and 90b are provided, and regular inspection assistance is performed by operating the switches SW20 to SW22. Instead of the device 24, a redundant configuration that can use spare inspection auxiliary devices 90a and 90b is employed. Since the inspection auxiliary device 24 functions as a measuring machine, it is necessary to prevent a situation in which the IC chip cannot be inspected even when the inspection auxiliary device itself is broken or trimming ends abnormally.

そこで、本実施形態では、予備の検査補助装置90a、90bを設けて冗長性を付与しておき、正規の検査補助装置24を使用できない場合に、スイッチSW20を開状態とし、スイッチSW21、SW22のいずれかを閉状態とし、予備の検査補助装置90a、90bのいずれかを配線Lに接続して、使用可能状態とする。配線Lに接続された予備の検査補助装置(90a、90bのいずれか)について、必要ならばトリミングを施した後、ICチップ22a〜22fの検査を実行する。なお、スイッチSW20〜SW22による開閉制御の代わりに、ヒューズカットの手法を用いることもできる。   Therefore, in the present embodiment, spare inspection auxiliary devices 90a and 90b are provided to provide redundancy, and when the normal inspection auxiliary device 24 cannot be used, the switch SW20 is opened, and the switches SW21 and SW22 are turned on. One of them is closed, and any one of the auxiliary inspection auxiliary devices 90a and 90b is connected to the wiring L to be usable. The preliminary inspection auxiliary device (any of 90a and 90b) connected to the wiring L is trimmed if necessary, and then the IC chips 22a to 22f are inspected. A fuse cutting method can be used instead of the open / close control by the switches SW20 to SW22.

以上説明したように、本発明では、従来のBOSTユニットを半導体ウェハに取り込むと共に、必要に応じてトリミング調整や予備の検査補助装置への切り換えを行い、半導体ウェハに形成せれている複数のICチップについて、順次、あるいは同時の検査を実施する。したがって、従来、パッケージング後の検査しかできなかったBOSTユニットを用いた検査を、ウェハ状態で行うことが可能となる。   As described above, in the present invention, a conventional BOST unit is taken into a semiconductor wafer, and a plurality of IC chips formed on the semiconductor wafer by performing trimming adjustment and switching to a preliminary inspection auxiliary device as necessary. Sequential or simultaneous inspection will be conducted. Therefore, it is possible to perform an inspection using a BOST unit, which has conventionally only been inspected after packaging, in a wafer state.

本発明によれば、特に、パッケージ後の検査では不可能であった、複数のICチップの同時検査が可能となる。これにより、検査効率の格段の向上、LSIテスタのハードウェアコストの低減、テスト時間の短縮、検査に用いられる信号に対するノイズの影響の低減等を実現することができる。   According to the present invention, a plurality of IC chips can be inspected at the same time, which is not possible in the inspection after packaging. As a result, it is possible to realize a marked improvement in inspection efficiency, a reduction in hardware cost of the LSI tester, a reduction in test time, a reduction in the influence of noise on signals used for inspection, and the like.

具体的には、以下の効果を得ることができる。すなわち、半導体ウェハの状態で、複数のICチップについてのアナログ入出力インタフェースに関連する回路の検査を実施することができ、したがって、前工程の段階で良品/不良品の選別を行うことができ、検査効率が向上する。   Specifically, the following effects can be obtained. In other words, in the state of the semiconductor wafer, it is possible to inspect circuits related to the analog input / output interface for a plurality of IC chips, and therefore, it is possible to select non-defective / defective products at the stage of the previous process, Inspection efficiency is improved.

また、検査補助装置とICチップとの相対的な位置関係を工夫したり、検査補助装置の内部回路のトリミング(キャリブレーション)や予備回路への切替を実施することで、検査精度を保障することができる。また、LSIテスタは、組み込みBOSTユニットに対して検査に必要な情報を与え、また、検査結果を受け取ればよく、LSIテスタのハードウェアの複雑化防止、検査コストの削減を図ることができる。また、LSIテスタと半導体ウェハ上の回路とが直接に接続され、評価治具等が介在しないため、アナログ信号の歪みやノイズを抑制することができる。また、近年の半導体ウェハの大口径化に伴い、一枚のウェハ上における歩留まりのばらつきが顕在化することも予想されるが、本発明の半導体ウェハを用いれば、不良品が半導体ウェハ上のどの位置に発生し易いかといった情報も取得でき、このようにして取得された情報を、製造装置の動作条件や半導体製造プロセスの条件の改善に役立てることもできる。したがって、半導体ウェハの大口径化への対応も容易となる。   Also, ensure the inspection accuracy by devising the relative positional relationship between the inspection auxiliary device and the IC chip, or by trimming (calibrating) the internal circuit of the inspection auxiliary device and switching to the spare circuit. Can do. Further, the LSI tester only needs to give information necessary for the inspection to the built-in BOST unit and receive the inspection result, so that the hardware of the LSI tester can be prevented from becoming complicated and the inspection cost can be reduced. Further, since the LSI tester and the circuit on the semiconductor wafer are directly connected and no evaluation jig or the like is interposed, distortion of analog signals and noise can be suppressed. In addition, with the recent increase in the diameter of semiconductor wafers, it is expected that variations in yield on a single wafer will become apparent. However, if the semiconductor wafer of the present invention is used, any defective product on the semiconductor wafer is expected. Information about whether or not the position is likely to be generated can be acquired, and the acquired information can be used to improve the operating conditions of the manufacturing apparatus and the conditions of the semiconductor manufacturing process. Therefore, it becomes easy to cope with an increase in the diameter of the semiconductor wafer.

本発明の半導体ウエハ、半導体装置の検査方法および検査装置は、BOST用の検査補助装置(BOSTユニット)の半導体ウェハへの組み込みにより、半導体ウェハの状態で、複数のICチップについての、アナログ入出力インタフェースに関連する回路等の検査を実施することができ、したがって、前工程の段階で良品/不良品の選別を行うことができ、検査効率が格段に向上する等の効果を有し、半導体ウエハ、半導体装置の検査方法および検査装置等として有用である。   The semiconductor wafer, the semiconductor device inspection method and the inspection apparatus according to the present invention include analog input / output for a plurality of IC chips in the state of a semiconductor wafer by incorporating a BOST inspection auxiliary device (BOST unit) into the semiconductor wafer. It is possible to inspect circuits and the like related to the interface. Therefore, it is possible to select non-defective / defective products at the stage of the previous process, and there is an effect that the inspection efficiency is remarkably improved. It is useful as a semiconductor device inspection method and inspection apparatus.

LSIテスタのウェハ載置台に載置された半導体ウェハにおける、ICチップと検査補助装置の配置および接続関係を示す図The figure which shows the arrangement | positioning and connection relation of an IC chip and an inspection auxiliary device in the semiconductor wafer mounted on the wafer mounting table of the LSI tester 各ICチップを順次、検査する方式を実現するための構成を説明するための図The figure for demonstrating the structure for implement | achieving the system which test | inspects each IC chip sequentially. 検査補助装置(組み込みBOSTユニット)を備える半導体ウェハにおける主要な回路構成、および半導体ウェハとプローバ(LSIテスタ)との接続関係を示す回路図The circuit diagram which shows the main circuit structure in a semiconductor wafer provided with an inspection auxiliary device (built-in BOST unit), and the connection relation between a semiconductor wafer and a prober (LSI tester) トリミング機能付A/D変換器の構成を示すブロック図Block diagram showing configuration of A / D converter with trimming function トリミング機能付D/A変換器の構成を示すブロック図Block diagram showing configuration of D / A converter with trimming function 半導体ウェハ上の検査補助装置(組み込みBOSTユニット)と検査対象である複数のICチップとの相対的な位置関係(半導体ウェハ上のレイアウト)を示す図The figure which shows the relative positional relationship (layout on a semiconductor wafer) with the test | inspection auxiliary | assistance apparatus (built-in BOST unit) on a semiconductor wafer, and several IC chip to be tested. 本実施形態にかかる半導体ウェハにおける主要な回路構成、および半導体ウェハとプローバ(LSIテスタ)との接続関係を示す回路図The circuit diagram which shows the main circuit structure in the semiconductor wafer concerning this embodiment, and the connection relation of a semiconductor wafer and a prober (LSI tester) 複数の検査補助装置が設けられた半導体ウェハにおける、検査補助装置およびICチップの配置を示す図The figure which shows arrangement | positioning of an inspection auxiliary device and an IC chip in a semiconductor wafer provided with a plurality of inspection auxiliary devices 複数の検査補助装置がスクライブ領域に設けられている半導体ウェハにおける、検査補助装置およびICチップの配置を示す図The figure which shows arrangement | positioning of an inspection auxiliary device and an IC chip in a semiconductor wafer provided with a plurality of inspection auxiliary devices in a scribe region 半導体ウェハにおける、ICチップと検査補助装置の配置および接続関係を示す図The figure which shows the arrangement and connection relation of IC chip and inspection auxiliary device in the semiconductor wafer 従来のBOST用の検査装置の構成例を示す図The figure which shows the structural example of the inspection apparatus for conventional BOST.

符号の説明Explanation of symbols

10 位置決め板
20 半導体ウェハ
22a〜22f 半導体チップ
24 検査補助装置(組み込みBOSTユニット)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Positioning plate 20 Semiconductor wafer 22a-22f Semiconductor chip 24 Inspection auxiliary | assistance apparatus (built-in BOST unit)

Claims (11)

複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップの検査を行う、少なくとも一つのBOST(Built Off Self Test)用の検査補助装置とを備える半導体ウェハ。   A semiconductor wafer comprising a plurality of semiconductor chips and at least one inspection assistance device for BOST (Built Off Self Test) for inspecting the plurality of semiconductor chips. 請求項1記載の半導体ウェハであって、
前記半導体チップは、アナログ信号の入出力インタフェース回路を搭載しており、前記検査補助装置は、前記半導体チップに搭載される前記アナログ信号の入出力インタフェース回路の検査を補助する半導体ウェハ。
The semiconductor wafer according to claim 1,
The semiconductor chip is equipped with an analog signal input / output interface circuit, and the inspection auxiliary device is a semiconductor wafer for assisting the inspection of the analog signal input / output interface circuit mounted on the semiconductor chip.
請求項1または請求項2記載の半導体ウェハであって、
前記検査補助装置は、前記複数の半導体チップの検査に共通に用いられる、アナログ信号の入出力インタフェース回路を備え、前記半導体ウェハには、前記複数の半導体チップの少なくとも一つを選択的に前記検査補助装置に接続するためのスイッチ手段が、前記複数の半導体チップの各々毎に設けられており、前記スイッチ手段の制御により、前記複数の半導体チップの各々を順次、検査する半導体ウェハ。
A semiconductor wafer according to claim 1 or 2, wherein
The inspection auxiliary device includes an analog signal input / output interface circuit that is commonly used for inspection of the plurality of semiconductor chips, and selectively inspects at least one of the plurality of semiconductor chips on the semiconductor wafer. A semiconductor wafer, wherein a switch means for connecting to an auxiliary device is provided for each of the plurality of semiconductor chips, and each of the plurality of semiconductor chips is sequentially inspected by the control of the switch means.
請求項1または請求項2記載の半導体ウェハであって、
前記検査補助装置は、前記複数の半導体チップの各々に対応した入出力インタフェース回路を備え、これらの入出力インタフェース回路の各々を介して、前記複数の半導体チップの各々への信号出力、または前記複数の半導体チップの各々からの信号の取り込みを一括して行う半導体ウェハ。
A semiconductor wafer according to claim 1 or 2, wherein
The inspection auxiliary device includes an input / output interface circuit corresponding to each of the plurality of semiconductor chips, and through each of the input / output interface circuits, a signal output to each of the plurality of semiconductor chips, or the plurality of the plurality of semiconductor chips. A semiconductor wafer that collectively collects signals from each of the semiconductor chips.
請求項3または請求項4のいずれかに記載の半導体ウェハであって、
前記複数の半導体チップの各々は、前記検査補助装置の周囲において、かつ、前記検査補助装置から前記複数の半導体チップの各々に至る各配線の長さのばらつきが抑制されるように配置される半導体ウェハ。
A semiconductor wafer according to claim 3 or 4, wherein
Each of the plurality of semiconductor chips is arranged around the inspection auxiliary device so as to suppress variation in length of each wiring from the inspection auxiliary device to each of the plurality of semiconductor chips. Wafer.
請求項3から請求項5のいずれか一項記載の半導体ウェハであって、
一枚の半導体ウェハ上に、複数の前記検査補助装置が設けられる半導体ウェハ。
A semiconductor wafer according to any one of claims 3 to 5,
A semiconductor wafer in which a plurality of inspection auxiliary devices are provided on a single semiconductor wafer.
請求項6記載の半導体ウェハであって、
前記一枚の半導体ウェハのスクライブ領域に、前記複数の検査補助装置の少なくとも一つが設けられる半導体ウェハ。
A semiconductor wafer according to claim 6, wherein
A semiconductor wafer in which at least one of the plurality of auxiliary inspection devices is provided in a scribe region of the one semiconductor wafer.
請求項1から請求項7のいずれか一項記載の半導体ウェハであって、
前記検査補助装置は、測定機としての機能を維持するためのトリミング手段を備える半導体ウェハ。
A semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 7,
The inspection auxiliary device is a semiconductor wafer provided with trimming means for maintaining the function as a measuring machine.
請求項8記載の半導体ウェハであって、
前記検査補助装置における前記トリミング手段によるトリミングができない場合、あるいはトリミングが不成功の場合に、その検査補助装置に代替して使用するための予備の検査補助装置を備える半導体ウェハ。
A semiconductor wafer according to claim 8, wherein
A semiconductor wafer provided with a spare inspection auxiliary device for use in place of the inspection auxiliary device when trimming by the trimming means in the inspection auxiliary device is impossible or when the trimming is unsuccessful.
請求項1から請求項9のいずれか一項記載の半導体ウェハに形成されている前記複数の半導体チップの電気特性を検査する半導体装置の検査方法であって、
LSIテスタのプローブ針を、半導体ウェハ上の前記検査補助装置および検査対象の前記半導体チップに電気的に接続し、前記LSIテスタから、検査に必要な情報または信号を前記検査補助装置に与えるステップと、
前記検査補助装置が、前記複数の半導体チップの各々に信号を供給し、その結果として各半導体チップから出力される信号を受信し、受信した信号をメモリに蓄積し、その蓄積された信号に基づく検査の判定結果、または前記メモリに蓄積された前記信号自体を、前記プローブ針を介して前記LSIテスタに送るステップと、を含む半導体装置の検査方法。
A method for inspecting a semiconductor device for inspecting electrical characteristics of the plurality of semiconductor chips formed on the semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 9,
Electrically connecting a probe needle of an LSI tester to the inspection auxiliary device on the semiconductor wafer and the semiconductor chip to be inspected, and supplying information or signals necessary for the inspection from the LSI tester to the inspection auxiliary device; ,
The inspection auxiliary device supplies a signal to each of the plurality of semiconductor chips, and as a result, receives a signal output from each semiconductor chip, accumulates the received signal in a memory, and based on the accumulated signal A method for inspecting a semiconductor device, comprising: sending a determination result of inspection or the signal itself stored in the memory to the LSI tester via the probe needle.
請求項10記載の半導体装置の検査方法を実施するための、前記半導体ウェハ上の前記検査補助装置および検査対象である前記半導体チップに直接に接触する複数のプローブ針を備える検査装置。   11. An inspection apparatus comprising a plurality of probe needles that are in direct contact with the inspection auxiliary device on the semiconductor wafer and the semiconductor chip to be inspected for carrying out the semiconductor device inspection method according to claim 10.
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