JP2005144232A - 基板処理方法、基板処理装置、及び基板製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ヒータ50は、ローラ3により移動される基板1の表面を加熱する。プラズマノズル10は、一対の電極と、一対の電極間に設けられた一対の誘電体とを有する。窒素ボンベ30から一対の誘電体間へ窒素ガスを供給しながら、高周波高圧電源20から一対の電極間に高周波高電圧を印加すると、一対の誘電体間へ供給された窒素ガス中にプラズマ放電が発生する。プラズマノズル10は、プラズマ放電が発生したガスをローラ3により移動される基板1の表面へ吹き付ける。プラズマ放電が発生したガスをヒータ50で加熱された基板1の表面へ吹き付けることにより、高温の基板1の表面で大気圧プラズマによる化学反応が促進され、基板1の表面のぬれ性を改善する表面処理の処理効率が向上する。
【選択図】図1
Description
2 ガス
3 ローラ
4 基板受け取り部
5 基板処理部
5a 基板加熱部
5b 基板改質部
6 基板受け渡し部
10 プラズマノズル
11,12 電極
13,14 誘電体
20 高周波高圧電源
30 窒素ボンベ
50 ヒータ
Claims (10)
- 基板の表面を加熱する工程を含み、
一対の電極間に一対の誘電体を設け、大気圧又はその近傍の圧力下で、一対の誘電体間へガスを供給しながら、一対の電極間に高周波高電圧を印加して、一対の誘電体間へ供給されたガス中にプラズマ放電を発生させ、
基板を移動しながら、プラズマ放電が発生したガスを加熱された基板の表面へ吹き付けることを特徴とする基板処理方法。 - 基板の表面を60℃以上で表面が熱酸化を起こさない温度に加熱することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 基板の表面をランプヒータで加熱することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 基板の表面を赤外線ヒータで加熱することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 基板を移動する基板移動手段と、
基板の表面を加熱する基板加熱手段と、
一対の電極間に一対の誘電体を有し、大気圧又はその近傍の圧力下で、一対の誘電体間へガスを供給しながら、一対の電極間に高周波高電圧を印加して、一対の誘電体間へ供給されたガス中にプラズマ放電を発生させ、プラズマ放電が発生したガスを前記基板加熱手段により加熱され前記基板移動手段により移動される基板の表面へ吹き付けるプラズマ発生手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板加熱手段は、基板の表面を60℃以上で表面が熱酸化を起こさない温度に加熱することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記基板加熱手段は、ランプヒータからなることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記基板加熱手段は、赤外線ヒータからなることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の基板処理方法を用いて、ウエットプロセス前に基板の表面のぬれ性を改善することを特徴とする基板製造方法。
- 請求項5乃至請求項8のいずれか1項に記載の基板処理装置を用いて、ウエットプロセス前に基板の表面のぬれ性を改善することを特徴とする基板製造方法。
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JP2003381575A JP2005144232A (ja) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | 基板処理方法、基板処理装置、及び基板製造方法 |
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CN103418536A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-12-04 | 张家港市友成高新材料有限公司 | 一种阀片的表面加工工艺 |
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2003
- 2003-11-11 JP JP2003381575A patent/JP2005144232A/ja active Pending
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CN103418536A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-12-04 | 张家港市友成高新材料有限公司 | 一种阀片的表面加工工艺 |
CN103418536B (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-07 | 张家港市友成高新材料有限公司 | 一种阀片的表面加工工艺 |
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