JP2005140770A - Semiconductor testing circuit - Google Patents

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JP2005140770A JP2004301981A JP2004301981A JP2005140770A JP 2005140770 A JP2005140770 A JP 2005140770A JP 2004301981 A JP2004301981 A JP 2004301981A JP 2004301981 A JP2004301981 A JP 2004301981A JP 2005140770 A JP2005140770 A JP 2005140770A
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浩司 金井
Takeshi Kawano
威 川野
Hidenori Akiyama
英績 秋山
Takeshi Yamato
猛 山登
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor testing circuit which can easily perform expected value comparison at the time of a monitoring operation, without making the stress decrease, at the burn-in time, and moreover, can decrease the number of necessary I/O terminals at the burn-in. <P>SOLUTION: A scan operating control signal for controlling the scanning operation, scan data for test, and a standard clock are supplied to a scan-designed semiconductor circuit. In the semiconductor test circuit, which performs the monitoring operation of an output of a final stage in a scan chain at the burn-in test, a scan shift operation and a scan-capturing operation are performed alternatively at the time of the burn-in, based on a monitoring control signal and a monitoring control signal input terminal which inputs the monitoring control signal which shows whether the monitoring operation is carried out from outside of the semiconductor test circuit. At monitoring of operation, a scan operation control signal selection output circuit, which outputs the scan operation control signal so that the scan shift operation is to be performed, is prepared. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体試験回路に関し、特にバーンインテストを行なうものに関するものである。   The present invention relates to a semiconductor test circuit, and more particularly to a burn-in test.

従来のスキャン設計された半導体回路は、バーンインテストの際に、周期性のあるスキャンデータを入力し、スキャンチェーン最終段の出力を期待値比較することでバーンインテストのストレス印加の判定を行なっている(例えば、特許文献1参照)。   A conventional scan-designed semiconductor circuit inputs periodic scan data during a burn-in test and compares the output of the last stage of the scan chain with an expected value to determine whether to apply stress in the burn-in test. (For example, refer to Patent Document 1).

また、スキャンデータを各スキャンチェーンで共用入力し、限られたI/O端子を有効に活用しているものもある(例えば、特許文献2参照)。   In some cases, scan data is shared by each scan chain and a limited I / O terminal is effectively used (see, for example, Patent Document 2).

図9は従来の半導体試験回路を示す図である。
図9において、900は従来の半導体試験回路、910はバーンインテストされるスキャン設計された半導体回路であり、901はスキャン動作を制御するスキャン動作制御信号を入力するスキャン動作制御信号入力端子、902は基準クロックを入力する基準クロック入力端子、903はスキャンデータを入力するスキャンデータ入力端子、904はモニタするか否かを示すモニタ制御信号を入力するモニタ制御信号入力端子、907はモニタ制御信号に基づいてモニタ信号を出力するモニタ信号出力部、905はモニタ信号出力部907の出力を当該半導体試験回路900から外部に出力するためのモニタ信号出力端子である。
FIG. 9 shows a conventional semiconductor test circuit.
In FIG. 9, 900 is a conventional semiconductor test circuit, 910 is a scan-designed semiconductor circuit to be burn-in tested, 901 is a scan operation control signal input terminal for inputting a scan operation control signal for controlling the scan operation, and 902 is A reference clock input terminal for inputting a reference clock, 903 is a scan data input terminal for inputting scan data, 904 is a monitor control signal input terminal for inputting a monitor control signal indicating whether to monitor, 907 is based on the monitor control signal 905 is a monitor signal output terminal for outputting a monitor signal, and 905 is a monitor signal output terminal for outputting the output of the monitor signal output unit 907 from the semiconductor test circuit 900 to the outside.

以下に、その動作について説明する。
まず、当該半導体試験回路900外の図示しないバーンイン装置から、スキャン動作制御信号入力端子901、基準クロック入力端子902、スキャンデータ入力端子903、及びモニタ制御信号入力端子904をそれぞれ介して、スキャン動作制御信号、基準クロック、スキャンデータ、及びモニタ制御信号が入力され、スキャン設計された半導体回路910にストレスが印加される。
The operation will be described below.
First, scan operation control is performed from a burn-in device (not shown) outside the semiconductor test circuit 900 via a scan operation control signal input terminal 901, a reference clock input terminal 902, a scan data input terminal 903, and a monitor control signal input terminal 904, respectively. A signal, a reference clock, scan data, and a monitor control signal are input, and stress is applied to the scan-designed semiconductor circuit 910.

そして、モニタ信号出力部907からモニタ信号出力端子905を介して出力されたモニタ信号が、図示しないバーンイン装置にて、所定の期待値と比較され、スキャン設計された半導体回路910の良否が判定される。
特開2001−183425号公報 特開2001−42010号公報
The monitor signal output from the monitor signal output unit 907 via the monitor signal output terminal 905 is compared with a predetermined expected value by a burn-in device (not shown), and the quality of the scan-designed semiconductor circuit 910 is determined. The
JP 2001-183425 A Japanese Patent Laid-Open No. 2001-42010

しかしながら、従来の半導体試験回路は、バーンインテスト時にはI/O端子数が5端子以上必要となるが、半導体回路の合理化やバーンイン装置の制限に伴い、I/O端子数を削減する必要がある。そして、I/O端子数を削減した場合には、バーンイン装置との同期信号が削減されることになるため、モニタ時のモニタ信号がバーンイン装置とは非同期となり、半導体回路の良否判定に必要な期待値比較が困難になるという問題があった。   However, the conventional semiconductor test circuit requires five or more I / O terminals at the time of burn-in test, but it is necessary to reduce the number of I / O terminals due to rationalization of the semiconductor circuit and restrictions on the burn-in device. When the number of I / O terminals is reduced, the synchronization signal with the burn-in device is reduced. Therefore, the monitor signal at the time of monitoring becomes asynchronous with the burn-in device, and is necessary for determining the quality of the semiconductor circuit. There was a problem that it was difficult to compare the expected values.

本発明は、上記のような従来の問題点を解決するためになされたものであり、バーンイン時に必要なI/O端子数を削減することができ、かつバーンイン時のストレスが低下することなくモニタ時の期待値比較を容易に行なうことのできる半導体試験回路を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and can reduce the number of I / O terminals required at the time of burn-in and monitor without reducing the stress at the time of burn-in. An object of the present invention is to provide a semiconductor test circuit capable of easily comparing expected values at the time.

本発明の請求項1に係る半導体試験回路は、スキャン設計された半導体回路に、スキャン動作を制御するためのスキャン動作制御信号、テスト用のスキャンデータ、及び基準クロックを供給し、スキャンチェーンの最終段の出力をモニタするバーンインテストを行なう半導体試験回路において、モニタするか否かを示すモニタ制御信号を当該半導体試験回路の外部より入力するモニタ制御信号入力端子と、前記モニタ制御信号に基づいて、バーンイン時にはスキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とが交互に行なわれ、モニタ時にはスキャンシフト動作が行なわれるよう前記スキャン動作制御信号を出力するスキャン動作制御信号選択出力回路とを備えたものである。   According to a first aspect of the present invention, a semiconductor test circuit supplies a scan operation control signal for controlling a scan operation, test scan data, and a reference clock to a scan-designed semiconductor circuit, so that a final scan chain can be obtained. In a semiconductor test circuit performing a burn-in test for monitoring the output of the stage, based on the monitor control signal input terminal for inputting a monitor control signal indicating whether to monitor from the outside of the semiconductor test circuit, and the monitor control signal, A scan operation control signal selection output circuit is provided for outputting the scan operation control signal so that a scan shift operation and a scan capture operation are alternately performed at the time of burn-in and a scan shift operation is performed at the time of monitoring.

本発明の請求項2に係る半導体試験回路は、請求項1に記載の半導体試験回路において、前記基準クロックを当該半導体試験回路の外部より入力する基準クロック入力端子と、前記基準クロックを分周し、前記スキャンデータとして出力する分周器とを備えたものである。   A semiconductor test circuit according to a second aspect of the present invention is the semiconductor test circuit according to the first aspect, wherein the reference clock input terminal for inputting the reference clock from the outside of the semiconductor test circuit and the reference clock are divided. And a frequency divider that outputs the scan data.

本発明の請求項3に係る半導体試験回路は、請求項1に記載の半導体試験回路において、前記基準クロックを当該半導体試験回路の外部より入力する基準クロック入力端子と、前記基準クロックを入力とし、前記スキャンデータとして、互いに異なる分周を交互に出力するスキャンデータ発生器とを備えたものである。   A semiconductor test circuit according to a third aspect of the present invention is the semiconductor test circuit according to the first aspect, wherein a reference clock input terminal for inputting the reference clock from the outside of the semiconductor test circuit, and the reference clock as an input, The scan data includes a scan data generator that alternately outputs different frequency divisions.

本発明の請求項4に係る半導体試験回路は、スキャン設計された半導体回路に、スキャン動作を制御するためのスキャン動作制御信号、テスト用のスキャンデータ、及び基準クロックを供給し、スキャンチェーンの最終段の出力をモニタするバーンインテストを行なう半導体試験回路において、前記基準クロックを当該半導体試験回路の外部より入力する基準クロック入力端子と、前記基準クロックに基づいて、スキャンシフト動作を行なう期間を判定し、スキャンシフト動作を行なうかスキャンキャプチャ動作を行なうかを選択するための選択信号を出力するスキャンシフト期間判定回路と、前記選択信号に基づいて、前記スキャン動作制御信号を出力するスキャン動作制御信号選択出力回路とを備えたものである。   According to a fourth aspect of the present invention, a semiconductor test circuit supplies a scan operation control signal for controlling a scan operation, test scan data, and a reference clock to a scan-designed semiconductor circuit, so that a final scan chain can be obtained. In a semiconductor test circuit performing a burn-in test for monitoring the output of a stage, a reference clock input terminal for inputting the reference clock from the outside of the semiconductor test circuit and a period for performing a scan shift operation based on the reference clock are determined. A scan shift period determining circuit for outputting a selection signal for selecting whether to perform a scan shift operation or a scan capture operation, and a scan operation control signal selection for outputting the scan operation control signal based on the selection signal And an output circuit.

本発明の請求項5に係る半導体試験回路は、スキャン設計された半導体回路に、スキャン動作を制御するためのスキャン動作制御信号、テスト用のスキャンデータ、及び基準クロックを供給し、スキャンチェーンの最終段の出力をモニタするバーンインテストを行なう半導体試験回路において、モニタするか否かを示すモニタ制御信号を当該半導体試験回路の外部より入力するモニタ制御信号入力端子と、前記モニタ制御信号をリセットとして用い、前記スキャン動作制御信号を出力するスキャン動作制御信号出力回路とを備えたものである。   According to a fifth aspect of the present invention, a semiconductor test circuit supplies a scan operation control signal for controlling a scan operation, test scan data, and a reference clock to a scan-designed semiconductor circuit, so that a final scan chain is obtained. In a semiconductor test circuit performing a burn-in test for monitoring the output of a stage, a monitor control signal input terminal for inputting a monitor control signal indicating whether or not to monitor from the outside of the semiconductor test circuit, and using the monitor control signal as a reset And a scan operation control signal output circuit for outputting the scan operation control signal.

本発明の請求項6に係る半導体試験回路は、請求項1に記載の半導体試験回路において、前記モニタ制御信号を入力し、スキャン不定期間をマスクして出力するスキャン不定期間マスク回路と、前記スキャン不定期間マスク回路の出力に基づいて、前記スキャン設計された半導体回路からのモニタ信号を出力するモニタ信号出力部とを備えたものである。   A semiconductor test circuit according to a sixth aspect of the present invention is the semiconductor test circuit according to the first aspect, wherein the monitor control signal is input, the scan indefinite period mask circuit is output, and the scan indefinite period mask circuit is output. And a monitor signal output unit that outputs a monitor signal from the scan-designed semiconductor circuit based on the output of the indefinite period mask circuit.

本発明の請求項7に係る半導体試験回路は、請求項1に記載の半導体試験回路において、前記基準クロックを発振する発振器を備えたものである。   A semiconductor test circuit according to a seventh aspect of the present invention is the semiconductor test circuit according to the first aspect, further comprising an oscillator that oscillates the reference clock.

本発明の請求項8に係る半導体試験回路は、請求項7に記載の半導体試験回路において、前記発振器が発振した基準クロックを分周し、前記スキャンデータとして出力する分周器を備えたものである。   A semiconductor test circuit according to an eighth aspect of the present invention is the semiconductor test circuit according to the seventh aspect, further comprising a frequency divider that divides a reference clock oscillated by the oscillator and outputs the frequency as the scan data. is there.

本発明の請求項9に係る半導体試験回路は、請求項7に記載の半導体試験回路において、前記発振器の発振周波数を制御する発振制御回路を備えたものである。   A semiconductor test circuit according to a ninth aspect of the present invention is the semiconductor test circuit according to the seventh aspect, further comprising an oscillation control circuit for controlling an oscillation frequency of the oscillator.

本発明に係る半導体試験回路は、スキャン設計された半導体回路に、スキャン動作を制御するためのスキャン動作制御信号、テスト用のスキャンデータ、及び基準クロックを供給し、スキャンチェーンの最終段の出力をモニタするバーンインテストを行なう半導体試験回路において、スキャン動作制御信号を当該半導体試験回路で内部供給するようにし、バーンイン時にはスキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とを交互に実施して半導体回路にストレスを印加し、モニタ時にはバーンイン装置と同期するスキャンシフト動作のスキャン出力をモニタ信号として出力するようにしたので、バーンイン時に必要なI/O端子数を削減することができ、かつバーンイン時のストレスが低下することなくモニタ時の期待値比較を容易に行なうことができるという効果がある。   A semiconductor test circuit according to the present invention supplies a scan operation control signal for controlling a scan operation, scan data for testing, and a reference clock to a scan-designed semiconductor circuit, and outputs the final stage of the scan chain. In a semiconductor test circuit that performs a burn-in test to be monitored, a scan operation control signal is internally supplied by the semiconductor test circuit, and during burn-in, a scan shift operation and a scan capture operation are alternately performed to apply stress to the semiconductor circuit. Since the scan output of the scan shift operation synchronized with the burn-in device is output as a monitor signal at the time of monitoring, the number of I / O terminals required at the time of burn-in can be reduced, and the stress at the time of burn-in can be reduced. Easily compare expected values when monitoring There is an effect that theft can be.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態1による半導体試験回路を示す図である。
図1において、100は本実施の形態1による半導体試験回路、110はバーンインテストされるスキャン設計された半導体回路である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor test circuit according to the first embodiment.
In FIG. 1, 100 is a semiconductor test circuit according to the first embodiment, and 110 is a scan-designed semiconductor circuit to be burn-in tested.

また、2は基準クロックを入力する基準クロック入力端子、3はスキャンデータを入力するスキャンデータ入力端子、4はモニタするか否かを示すモニタ制御信号を入力するモニタ制御信号入力端子、6はモニタ制御信号に基づいて、バーンイン時にはスキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とを交互に切り替えて行ない、モニタ時にはスキャンシフト動作を行なうようスキャン動作を選択してスキャン動作制御信号を出力するスキャン動作制御信号選択出力回路、7はモニタ制御信号に基づいてモニタ信号を出力するモニタ信号出力部、5はモニタ信号出力部7の出力を当該半導体試験回路100から外部に出力するためのモニタ信号出力端子である。   Reference numeral 2 is a reference clock input terminal for inputting a reference clock, 3 is a scan data input terminal for inputting scan data, 4 is a monitor control signal input terminal for inputting a monitor control signal indicating whether or not to monitor, and 6 is a monitor. Based on the control signal, the scan shift operation and scan capture operation are alternately switched during burn-in, and the scan operation is selected so that the scan shift operation is performed during monitoring. A circuit, 7 is a monitor signal output unit for outputting a monitor signal based on the monitor control signal, and 5 is a monitor signal output terminal for outputting the output of the monitor signal output unit 7 from the semiconductor test circuit 100 to the outside.

以下に、その動作を説明する。
まず、バーンイン時には、当該半導体試験回路100外の図示しないバーンイン装置から、基準クロック入力端子2には基準クロックが、スキャンデータ入力端子3にはスキャンデータが、モニタ制御信号入力端子4にはモニタしないことを示すモニタ制御信号が、それぞれ供給される。このとき、スキャン動作制御信号選択出力回路6は、スキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とが交互に切り替えて行なわれるようスキャン動作制御信号を選択出力する。ここで、このスキャン動作制御信号選択出力回路6は、例えば基準クロックを入力とした分周器であり、スキャンフリップフロップ数以上の周期となる分周出力を用いる。なお、分周器の初期状態が一様に決まらない場合には、その分周出力はバーンイン装置とは非同期の信号となるが、バーンイン時には特に問題はない。
The operation will be described below.
First, at the time of burn-in, from a burn-in device (not shown) outside the semiconductor test circuit 100, the reference clock is input to the reference clock input terminal 2, the scan data is not monitored to the scan data input terminal 3, and the monitor control signal input terminal 4 is not monitored. A monitor control signal indicating this is supplied. At this time, the scan operation control signal selection output circuit 6 selectively outputs the scan operation control signal so that the scan shift operation and the scan capture operation are alternately switched. Here, the scan operation control signal selection output circuit 6 is a frequency divider that receives, for example, a reference clock, and uses a frequency-divided output having a period equal to or greater than the number of scan flip-flops. If the initial state of the frequency divider is not uniformly determined, the frequency-divided output is an asynchronous signal with the burn-in device, but there is no particular problem during burn-in.

次に、スキャン設計された半導体回路110の良否判定を行なうモニタ時には、モニタ制御信号入力端子4から供給されるモニタ制御信号がモニタすることを示すものとなる。このとき、スキャン動作制御信号選択出力回路6は、スキャンシフト動作が行なわれるようスキャン動作制御信号を選択出力する。スキャン動作がスキャンシフトに固定されることで、モニタ信号出力部7が出力するモニタ信号は、図示しないバーンイン装置に同期した信号となり、このモニタ信号がモニタ信号出力端子5を介して出力され、図示しないバーンイン装置にて、所定の期待値と比較され、スキャン設計された半導体回路110の良否が判定される。   Next, at the time of monitoring for determining pass / fail of the scan designed semiconductor circuit 110, it indicates that the monitor control signal supplied from the monitor control signal input terminal 4 is monitored. At this time, the scan operation control signal selection output circuit 6 selectively outputs the scan operation control signal so that the scan shift operation is performed. Since the scan operation is fixed at the scan shift, the monitor signal output from the monitor signal output unit 7 becomes a signal synchronized with a burn-in device (not shown), and this monitor signal is output via the monitor signal output terminal 5. The burn-in apparatus that does not perform comparison with a predetermined expected value determines whether the scan-designed semiconductor circuit 110 is good or bad.

このように、本実施の形態1による半導体試験回路は、スキャン動作制御信号を当該半導体試験回路で内部供給するようにし、バーンイン時にはスキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とを交互に実施して半導体回路にストレスを印加し、モニタ時にはバーンイン装置と同期するスキャンシフト動作のスキャン出力をモニタ信号として出力するようにしたので、バーンイン時に必要なI/O端子数を削減することができ、かつバーンイン時のストレスが低下することなくモニタ時の期待値比較を容易に行なうことができる。   As described above, the semiconductor test circuit according to the first embodiment supplies the scan operation control signal internally to the semiconductor test circuit, and alternately performs the scan shift operation and the scan capture operation at the time of burn-in. Since the stress is applied and the scan output of the scan shift operation synchronized with the burn-in device is output as the monitor signal at the time of monitoring, the number of I / O terminals required at the time of burn-in can be reduced and the stress at the time of burn-in The expected value at the time of monitoring can be easily compared without lowering.

(実施の形態2)
図2は、本実施の形態2による半導体試験回路を示す図である。なお、図1と同様のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
(Embodiment 2)
FIG. 2 is a diagram showing a semiconductor test circuit according to the second embodiment. Components similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図2において、200は本実施の形態2による半導体試験回路であり、8は基準クロック入力端子2に供給された基準クロックを分周し出力する分周器である。   In FIG. 2, reference numeral 200 denotes a semiconductor test circuit according to the second embodiment, and reference numeral 8 denotes a frequency divider that divides and outputs a reference clock supplied to the reference clock input terminal 2.

以下に、その動作を説明する。
バーンイン時には、当該半導体試験回路200外の図示しないバーンイン装置から、基準クロック入力端子2には基準クロックが、モニタ制御信号入力端子4にはモニタしないことを示すモニタ制御信号が、それぞれ供給される。このとき、スキャンデータは分周器8が供給する。この分周器8は、基準クロックを入力とし、初期状態が一様に決まるものであり、例えば基準クロックを4分周するものである。
その他の動作は上記実施の形態1と同様である。
The operation will be described below.
At the time of burn-in, a reference clock is supplied to the reference clock input terminal 2 and a monitor control signal indicating that monitoring is not performed to the monitor control signal input terminal 4 from a burn-in device (not shown) outside the semiconductor test circuit 200. At this time, the scan data is supplied by the frequency divider 8. The frequency divider 8 has a reference clock as an input, and its initial state is determined uniformly. For example, the frequency divider 8 divides the reference clock by four.
Other operations are the same as those in the first embodiment.

このように、本実施の形態2による半導体試験回路は、スキャン動作制御信号及びスキャンデータを当該半導体試験回路で内部供給するようにしたので、当該半導体試験回路外からスキャン動作制御信号及びスキャンデータの供給を受けずに半導体回路にストレスを印加するようになり、バーンイン時に必要なI/O端子数を削減することができる。   As described above, since the semiconductor test circuit according to the second embodiment internally supplies the scan operation control signal and the scan data by the semiconductor test circuit, the scan operation control signal and the scan data from outside the semiconductor test circuit. Stress is applied to the semiconductor circuit without receiving supply, and the number of I / O terminals required at the time of burn-in can be reduced.

(実施の形態3)
図3は、本実施の形態3による半導体試験回路を示す図である。なお、図1と同様のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 3 is a diagram showing a semiconductor test circuit according to the third embodiment. Components similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図3において、300は本実施の形態3による半導体試験回路であり、9は基準クロック入力端子2に供給された基準クロックを入力とし、互いに異なる分周を交互に出力するスキャンデータ発生器である。   In FIG. 3, reference numeral 300 denotes a semiconductor test circuit according to the third embodiment, and reference numeral 9 denotes a scan data generator which receives a reference clock supplied to the reference clock input terminal 2 and alternately outputs different frequency divisions. .

以下に、その動作を説明する。
バーンイン時には、当該半導体試験回路300外の図示しないバーンイン装置から、基準クロック入力端子2には基準クロックが、モニタ制御信号入力端子4にはモニタしないことを示すモニタ制御信号が、それぞれ供給される。このとき、スキャンデータはスキャンデータ発生器9が供給する。このスキャンデータ発生器9は、基準クロックを入力とし、初期状態が一様に決まる分周器を内臓しており、例えば基準クロックの2分周と基準クロックの4分周とを基準クロックの8分周信号で切り替えて出力するものである。
その他の動作は上記実施の形態1と同様である。
The operation will be described below.
At the time of burn-in, a reference clock is supplied to the reference clock input terminal 2 and a monitor control signal indicating that monitoring is not performed to the monitor control signal input terminal 4 from a burn-in device (not shown) outside the semiconductor test circuit 300. At this time, the scan data is supplied by the scan data generator 9. The scan data generator 9 has a reference clock as an input and has a frequency divider whose initial state is uniformly determined. For example, the reference clock divided by two and the reference clock divided by four are divided into eight reference clocks. The output is switched by a frequency dividing signal.
Other operations are the same as those in the first embodiment.

このように、本実施の形態3による半導体試験回路は、スキャンデータを2種類の周波数で供給するようにしたので、バーンイン時のストレスをより高めることができる。   As described above, since the semiconductor test circuit according to the third embodiment supplies the scan data at two kinds of frequencies, the stress at the time of burn-in can be further increased.

なお、上記実施の形態3では、スキャンデータ発生器が2種類のスキャンデータを供給するものとして説明したが、当然3種類以上でも構わない。   In the third embodiment, the scan data generator is described as supplying two types of scan data. However, naturally three or more types may be used.

(実施の形態4)
図4は、本実施の形態4による半導体試験回路を示す図である。なお、図1と同様のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
(Embodiment 4)
FIG. 4 is a diagram showing a semiconductor test circuit according to the fourth embodiment. Components similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図4において、400は本実施の形態4による半導体試験回路であり、10は基準クロック入力端子2に供給された基準クロックを入力とし、スキャンシフト動作を行なう期間を判定し、スキャンシフト動作を行なうかスキャンキャプチャ動作を行なうかを選択するための選択信号を出力するスキャンシフト期間判定回路、11はスキャンシフト期間判定回路10が出力する選択信号に基づいて、スキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とのうち、いずれのスキャン動作を行なうかを選択してスキャン動作制御信号を出力するスキャン動作制御信号選択出力回路である。   In FIG. 4, reference numeral 400 denotes a semiconductor test circuit according to the fourth embodiment. Reference numeral 10 denotes the reference clock supplied to the reference clock input terminal 2 as an input, determines the period during which the scan shift operation is performed, and performs the scan shift operation. A scan shift period determination circuit that outputs a selection signal for selecting whether to perform a scan capture operation, and 11 is a scan shift operation or a scan capture operation based on a selection signal output from the scan shift period determination circuit 10 A scan operation control signal selection output circuit that selects which scan operation is performed and outputs a scan operation control signal.

以下に、その動作を説明する。
バーンイン時には、当該半導体試験回路400外の図示しないバーンイン装置から、基準クロック入力端子2には基準クロックが、スキャンデータ入力端子3にはスキャンデータが、モニタ制御信号入力端子4にはモニタしないことを示すモニタ制御信号が、それぞれ供給される。このとき、スキャン動作制御信号選択出力回路11は、スキャンシフト期間判定回路10が出力する選択信号に基づいて、スキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とのうち、いずれのスキャン動作を行なうかを選択し出力する。このスキャンシフト期間判定回路10は、例えば基準クロックを入力とし、初期状態が一様に決まる分周器であり、スキャンフリップフロップ数以上の周期となる分周信号を出力する。
その他の動作は上記実施の形態1と同様である。
The operation will be described below.
At the time of burn-in, the reference clock input terminal 2 does not monitor the reference clock, the scan data input terminal 3 scan data, and the monitor control signal input terminal 4 do not monitor from a burn-in device (not shown) outside the semiconductor test circuit 400. Each of the monitor control signals shown is supplied. At this time, the scan operation control signal selection output circuit 11 selects and outputs which scan operation to perform between the scan shift operation and the scan capture operation based on the selection signal output from the scan shift period determination circuit 10. To do. The scan shift period determination circuit 10 is a frequency divider that receives, for example, a reference clock and whose initial state is uniformly determined, and outputs a frequency-divided signal having a period equal to or greater than the number of scan flip-flops.
Other operations are the same as those in the first embodiment.

このように、本実施の形態4による半導体試験回路は、スキャン動作制御信号を当該半導体試験回路で内部供給するようにしたので、バーンイン時に必要なI/O端子数を削減することができ、かつバーンイン時のストレスが低下することなくモニタ時の期待値比較を容易に行なうことができる。   As described above, since the semiconductor test circuit according to the fourth embodiment is configured to supply the scan operation control signal internally by the semiconductor test circuit, the number of I / O terminals required at the time of burn-in can be reduced, and It is possible to easily compare the expected value during monitoring without reducing the stress during burn-in.

(実施の形態5)
図5は、本実施の形態5による半導体試験回路を示す図である。なお、図1と同様のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
(Embodiment 5)
FIG. 5 is a diagram showing a semiconductor test circuit according to the fifth embodiment. Components similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図5において、500は本実施の形態5による半導体試験回路であり、12は、スキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とが交互に切り替わるスキャン動作制御信号が、スキャンデータ入力端子3に供給されたスキャンデータと基準クロック入力端子2に供給された基準クロックとに同期するよう、モニタ制御信号をそのリセットとして用いるスキャン動作制御信号出力回路である。   In FIG. 5, reference numeral 500 denotes a semiconductor test circuit according to the fifth embodiment, and reference numeral 12 denotes scan data in which a scan operation control signal for alternately switching between a scan shift operation and a scan capture operation is supplied to the scan data input terminal 3. And a scan operation control signal output circuit that uses a monitor control signal as a reset so as to synchronize with the reference clock supplied to the reference clock input terminal 2.

以下に、その動作を説明する。
バーンイン時には、当該半導体試験回路500外の図示しないバーンイン装置から、基準クロック入力端子2には基準クロックが、スキャンデータ入力端子3にはスキャンデータが、モニタ制御信号入力端子4にはモニタしないことを示すモニタ制御信号が、それぞれ供給される。このとき、スキャン動作制御信号出力回路12は、モニタ制御信号に基づいて、スキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とが交互に行なわれるようスキャン動作制御信号を出力する。ここで、このスキャン動作制御信号出力回路12は、例えば初期状態が一様に決められるリセットを有する分周器であり、スキャンフリップフロップ数以上の周期となる分周出力を用いる。
The operation will be described below.
At the time of burn-in, the reference clock input terminal 2 does not monitor the reference clock, the scan data input terminal 3 scan data, and the monitor control signal input terminal 4 do not monitor from a burn-in device (not shown) outside the semiconductor test circuit 500. Each of the monitor control signals shown is supplied. At this time, the scan operation control signal output circuit 12 outputs a scan operation control signal based on the monitor control signal so that the scan shift operation and the scan capture operation are alternately performed. Here, the scan operation control signal output circuit 12 is a frequency divider having a reset whose initial state is uniformly determined, and uses a frequency-divided output having a period equal to or greater than the number of scan flip-flops.

モニタ時には、モニタ制御信号入力端子4から供給されるモニタ制御信号がモニタすることを示すものとなる。このとき、スキャン動作制御信号出力回路12にリセットがかかり、モニタ信号出力部7からは図示しないバーンイン装置に同期したモニタ信号が出力される。
その他の動作は上記実施の形態1と同様である。
At the time of monitoring, the monitor control signal supplied from the monitor control signal input terminal 4 indicates that monitoring is performed. At this time, the scan operation control signal output circuit 12 is reset, and the monitor signal output unit 7 outputs a monitor signal synchronized with a burn-in device (not shown).
Other operations are the same as those in the first embodiment.

このように、本実施の形態5による半導体試験回路は、モニタ制御信号をそのリセットとして用いるスキャン動作制御信号出力回路を備えたので、リセット端子を増設することなくモニタ時の期待値比較を容易に行なうことができる。   As described above, since the semiconductor test circuit according to the fifth embodiment includes the scan operation control signal output circuit that uses the monitor control signal as the reset, it is easy to compare the expected value during monitoring without adding a reset terminal. Can be done.

(実施の形態6)
図6は、本実施の形態6による半導体試験回路を示す図である。なお、図1と同様のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
(Embodiment 6)
FIG. 6 is a diagram showing a semiconductor test circuit according to the sixth embodiment. Components similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図6において、600は本実施の形態6による半導体試験回路であり、13はモニタ制御信号入力端子4に供給されたモニタ制御信号を入力とし、スキャン不定期間をマスクして出力するスキャン不定期間マスク回路である。   In FIG. 6, reference numeral 600 denotes a semiconductor test circuit according to the sixth embodiment, and reference numeral 13 denotes a scan indefinite period mask that receives the monitor control signal supplied to the monitor control signal input terminal 4 and outputs it by masking the scan indefinite period. Circuit.

以下に、その動作を説明する。
バーンイン時には、当該半導体試験回路600外の図示しないバーンイン装置から、基準クロック入力端子2には基準クロックが、モニタ制御信号入力端子4にはモニタしないことを示すモニタ制御信号が、それぞれ供給される。
The operation will be described below.
During burn-in, a reference clock is supplied to the reference clock input terminal 2 and a monitor control signal indicating that monitoring is not performed to the monitor control signal input terminal 4 from a burn-in device (not shown) outside the semiconductor test circuit 600.

モニタ時には、モニタ制御信号入力端子4から供給されるモニタ制御信号がモニタすることを示すものとなる。このとき、スキャン動作制御信号選択出力回路6は、スキャンシフト動作が行なわれるようスキャン動作制御信号を選択出力する。スキャン動作がスキャンシフトに固定され、これに伴うスキャン出力がモニタ信号として出力されるが、初めて入力されたスキャンデータがスキャン出力されるまでのスキャンフリップフロップ数の長さ分のスキャン出力は不定となる。スキャン不定期間マスク回路13は、例えばモニタ制御信号をリセットとした分周器であり、スキャン不定期間中にモニタ信号出力部7がモニタ信号を出力しないよう、スキャンフリップフロップ数以上の分周周期出力でモニタ制御信号をマスクする。
その他の動作は上記実施の形態1と同様である。
At the time of monitoring, the monitor control signal supplied from the monitor control signal input terminal 4 indicates that monitoring is performed. At this time, the scan operation control signal selection output circuit 6 selectively outputs the scan operation control signal so that the scan shift operation is performed. The scan operation is fixed to scan shift, and the scan output accompanying this is output as a monitor signal, but the scan output for the length of the number of scan flip-flops until the scan data input for the first time is scanned out is undefined. Become. The scan indefinite period mask circuit 13 is a frequency divider that resets the monitor control signal, for example, and outputs a frequency division period equal to or greater than the number of scan flip-flops so that the monitor signal output unit 7 does not output a monitor signal during the scan indefinite period. Mask the monitor control signal with.
Other operations are the same as those in the first embodiment.

このように、本実施の形態6による半導体試験回路は、スキャン不定期間中にはモニタ信号を出力しないようにしたので、モニタ時の期待値比較をより容易に行なうことができる。   As described above, since the semiconductor test circuit according to the sixth embodiment is configured not to output the monitor signal during the scan indefinite period, the expected value comparison at the time of monitoring can be performed more easily.

(実施の形態7)
図7は、本実施の形態7による半導体試験回路を示す図である。なお、図1と同様のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
(Embodiment 7)
FIG. 7 is a diagram showing a semiconductor test circuit according to the seventh embodiment. Components similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図7において、700は本実施の形態7による半導体試験回路であり、14は基準クロックを発振する発振器、15は発振器14が発振した基準クロックを分周し、スキャンデータとして出力する分周器である。   In FIG. 7, 700 is a semiconductor test circuit according to the seventh embodiment, 14 is an oscillator that oscillates a reference clock, 15 is a frequency divider that divides the reference clock oscillated by the oscillator 14 and outputs it as scan data. is there.

以下に、その動作を説明する。
当該半導体試験回路700外の図示しないバーンイン回路からは、モニタ制御信号入力端子4にモニタ制御信号のみが供給される。スキャン設計された半導体回路110には、発振器14が発振する基準クロックと、分周器15が出力するスキャンデータとが供給される。
その他の動作は上記実施の形態2と同様である。
The operation will be described below.
Only a monitor control signal is supplied to the monitor control signal input terminal 4 from a burn-in circuit (not shown) outside the semiconductor test circuit 700. The scan-designed semiconductor circuit 110 is supplied with a reference clock oscillated by the oscillator 14 and scan data output by the frequency divider 15.
Other operations are the same as those in the second embodiment.

このように、本実施の形態7による半導体試験回路は、発振器を備え、基準クロックを当該半導体試験回路で内部供給するようにしたので、バーンイン時に必要なI/O端子数を削減することができる。   As described above, the semiconductor test circuit according to the seventh embodiment includes the oscillator, and the reference clock is supplied internally by the semiconductor test circuit, so that the number of I / O terminals required at the time of burn-in can be reduced. .

なお、分周器15を、初期状態が一様に決まり、発振器14の2分周以上の分周比を有するものとすれば、発振器14の発振初期値が一様に決まらない場合でも、モニタ信号は特定の区間でHまたはLレベルが出力されるので、モニタ時の期待値比較をより容易に行なうことができる。   If the initial state of the frequency divider 15 is determined uniformly and the frequency division ratio of the oscillator 14 is divided by 2 or more, even if the initial oscillation value of the oscillator 14 is not uniformly determined, Since the H or L level signal is output in a specific section, the expected value comparison at the time of monitoring can be performed more easily.

(実施の形態8)
図8は、本実施の形態8による半導体試験回路を示す図である。なお、図7と同様のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
(Embodiment 8)
FIG. 8 shows a semiconductor test circuit according to the eighth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the thing similar to FIG. 7, and the description is abbreviate | omitted.

図8において、800は本実施の形態8による半導体試験回路であり、18は、モニタ信号出力時以外に当該半導体試験回路800外から入力可能な発振周波数設定データに基づいて、発振器14の発振周波数を制御する発振制御回路、16はモニタ信号の出力、及び発振周波数設定データの入力のためのモニタ信号出力端子、17はモニタ制御信号に基づいて、モニタ信号の出力時にはモニタ信号出力端子16にモニタ信号を出力し、発振周波数設定データの入力時には発振制御回路18に発振周波数設定データを出力するモニタ信号出力部である。   In FIG. 8, reference numeral 800 denotes a semiconductor test circuit according to the eighth embodiment, and reference numeral 18 denotes an oscillation frequency of the oscillator 14 based on oscillation frequency setting data that can be input from outside the semiconductor test circuit 800 other than when a monitor signal is output. The oscillation control circuit 16 controls the output of the monitor signal and the monitor signal output terminal for inputting the oscillation frequency setting data. The monitor signal is output to the monitor signal output terminal 16 when the monitor signal is output based on the monitor control signal. The monitor signal output unit outputs a signal and outputs the oscillation frequency setting data to the oscillation control circuit 18 when the oscillation frequency setting data is input.

以下に、その動作を説明する。
バーンイン時には、モニタ制御信号入力端子4からモニタしないことを示すモニタ制御信号が供給される。このとき発振制御回路18には、モニタ信号出力端子16及びモニタ信号出力部17を介して、当該半導体試験回路800外の図示しないバーンイン装置から、所定の発振周波数設定データが入力され、発振制御回路18は、この発振周波数設定データに基づいて発振器14の発振周波数を設定する。
その他の動作は上記実施の形態7と同様である。
The operation will be described below.
At the time of burn-in, a monitor control signal indicating that monitoring is not performed is supplied from the monitor control signal input terminal 4. At this time, predetermined oscillation frequency setting data is input to the oscillation control circuit 18 from a burn-in device (not shown) outside the semiconductor test circuit 800 via the monitor signal output terminal 16 and the monitor signal output unit 17. 18 sets the oscillation frequency of the oscillator 14 based on the oscillation frequency setting data.
Other operations are the same as those in the seventh embodiment.

このように、本実施の形態8による半導体試験回路は、モニタ信号を出力しないときにモニタ信号出力端子を介して入力される発振周波数設定データに基づいて発振器の発振周波数を設定するようにしたので、バーンイン時の動作クロックの周波数を、端子を増加することなく任意に変更することができ、動作電流の調整が可能となる。   As described above, the semiconductor test circuit according to the eighth embodiment sets the oscillation frequency of the oscillator based on the oscillation frequency setting data input through the monitor signal output terminal when the monitor signal is not output. The frequency of the operation clock during burn-in can be arbitrarily changed without increasing the number of terminals, and the operation current can be adjusted.

本発明に係る半導体試験回路は、バーンイン時に必要なI/O端子数を削減することができ、かつバーンイン時のストレスが低下することなくモニタ時の期待値比較を容易に行なうことができるため、スキャン設計された半導体回路のバーンインテスト等に用いるのに適している。   The semiconductor test circuit according to the present invention can reduce the number of I / O terminals required at the time of burn-in, and can easily compare the expected value at the time of monitoring without reducing the stress at the time of burn-in. It is suitable for use in a burn-in test of a scan designed semiconductor circuit.

本発明の実施の形態1による半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor test circuit by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2による半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor test circuit by Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3による半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor test circuit by Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態4による半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor test circuit by Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態5による半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor test circuit by Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態6による半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor test circuit by Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態7による半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor test circuit by Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態8による半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor test circuit by Embodiment 8 of this invention. 従来の半導体試験回路を示す図である。It is a figure which shows the conventional semiconductor test circuit.

符号の説明Explanation of symbols

2,902 基準クロック入力端子
3,903 スキャンデータ入力端子
4,904 モニタ制御信号入力端子
5,16,905 モニタ信号出力端子
6,11 スキャン動作制御信号選択出力回路
7,17,907 モニタ信号出力部
8,15 分周器
9 スキャンデータ発生器
10 スキャンシフト期間判定回路
12 スキャン動作制御信号出力回路
13 スキャン不定期間マスク回路
14 発振器
18 発振制御回路
100,200,300,400,500,600,700,800,900 半導体試験回路
110,910 スキャン設計された半導体回路
901 スキャン動作制御信号入力端子
2,902 Reference clock input terminal 3,903 Scan data input terminal 4,904 Monitor control signal input terminal 5,16,905 Monitor signal output terminal 6,11 Scan operation control signal selection output circuit 7, 17, 907 Monitor signal output unit 8, 15 Frequency divider 9 Scan data generator 10 Scan shift period determination circuit 12 Scan operation control signal output circuit 13 Scan indefinite period mask circuit 14 Oscillator 18 Oscillation control circuit 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900 Semiconductor test circuit 110, 910 Scan designed semiconductor circuit 901 Scan operation control signal input terminal

Claims (9)

スキャン設計された半導体回路に、スキャン動作を制御するためのスキャン動作制御信号、テスト用のスキャンデータ、及び基準クロックを供給し、スキャンチェーンの最終段の出力をモニタするバーンインテストを行なう半導体試験回路において、
モニタするか否かを示すモニタ制御信号を当該半導体試験回路の外部より入力するモニタ制御信号入力端子と、
前記モニタ制御信号に基づいて、バーンイン時にはスキャンシフト動作とスキャンキャプチャ動作とが交互に行なわれ、モニタ時にはスキャンシフト動作が行なわれるよう前記スキャン動作制御信号を出力するスキャン動作制御信号選択出力回路とを備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
A semiconductor test circuit for supplying a scan operation control signal for controlling a scan operation, test scan data, and a reference clock to a scan-designed semiconductor circuit and performing a burn-in test for monitoring the output of the final stage of the scan chain In
A monitor control signal input terminal for inputting a monitor control signal indicating whether to monitor from the outside of the semiconductor test circuit;
Based on the monitor control signal, a scan operation control signal selection output circuit that outputs the scan operation control signal so that a scan shift operation and a scan capture operation are alternately performed during burn-in and a scan shift operation is performed during monitoring. Prepared,
A semiconductor test circuit.
請求項1に記載の半導体試験回路において、
前記基準クロックを当該半導体試験回路の外部より入力する基準クロック入力端子と、
前記基準クロックを分周し、前記スキャンデータとして出力する分周器とを備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
The semiconductor test circuit according to claim 1,
A reference clock input terminal for inputting the reference clock from the outside of the semiconductor test circuit;
A frequency divider that divides the reference clock and outputs it as the scan data;
A semiconductor test circuit.
請求項1に記載の半導体試験回路において、
前記基準クロックを当該半導体試験回路の外部より入力する基準クロック入力端子と、
前記基準クロックを入力とし、前記スキャンデータとして、互いに異なる分周を交互に出力するスキャンデータ発生器とを備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
The semiconductor test circuit according to claim 1,
A reference clock input terminal for inputting the reference clock from the outside of the semiconductor test circuit;
A scan data generator that receives the reference clock as an input and alternately outputs different frequency divisions as the scan data;
A semiconductor test circuit.
スキャン設計された半導体回路に、スキャン動作を制御するためのスキャン動作制御信号、テスト用のスキャンデータ、及び基準クロックを供給し、スキャンチェーンの最終段の出力をモニタするバーンインテストを行なう半導体試験回路において、
前記基準クロックを当該半導体試験回路の外部より入力する基準クロック入力端子と、
前記基準クロックに基づいて、スキャンシフト動作を行なう期間を判定し、スキャンシフト動作を行なうかスキャンキャプチャ動作を行なうかを選択するための選択信号を出力するスキャンシフト期間判定回路と、
前記選択信号に基づいて、前記スキャン動作制御信号を出力するスキャン動作制御信号選択出力回路とを備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
A semiconductor test circuit for supplying a scan operation control signal for controlling a scan operation, test scan data, and a reference clock to a scan-designed semiconductor circuit and performing a burn-in test for monitoring the output of the final stage of the scan chain In
A reference clock input terminal for inputting the reference clock from the outside of the semiconductor test circuit;
A scan shift period determining circuit for determining a period for performing a scan shift operation based on the reference clock and outputting a selection signal for selecting whether to perform the scan shift operation or the scan capture operation;
A scan operation control signal selection output circuit that outputs the scan operation control signal based on the selection signal;
A semiconductor test circuit.
スキャン設計された半導体回路に、スキャン動作を制御するためのスキャン動作制御信号、テスト用のスキャンデータ、及び基準クロックを供給し、スキャンチェーンの最終段の出力をモニタするバーンインテストを行なう半導体試験回路において、
モニタするか否かを示すモニタ制御信号を当該半導体試験回路の外部より入力するモニタ制御信号入力端子と、
前記モニタ制御信号をリセットとして用い、前記スキャン動作制御信号を出力するスキャン動作制御信号出力回路とを備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
A semiconductor test circuit for supplying a scan operation control signal for controlling a scan operation, test scan data, and a reference clock to a scan-designed semiconductor circuit and performing a burn-in test for monitoring the output of the final stage of the scan chain In
A monitor control signal input terminal for inputting a monitor control signal indicating whether to monitor from the outside of the semiconductor test circuit;
The monitor control signal is used as a reset, and includes a scan operation control signal output circuit that outputs the scan operation control signal.
A semiconductor test circuit.
請求項1に記載の半導体試験回路において、
前記モニタ制御信号を入力し、スキャン不定期間をマスクして出力するスキャン不定期間マスク回路と、
前記スキャン不定期間マスク回路の出力に基づいて、前記スキャン設計された半導体回路からのモニタ信号を出力するモニタ信号出力部とを備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
The semiconductor test circuit according to claim 1,
A scan indefinite period mask circuit that inputs the monitor control signal and masks and outputs the scan indefinite period;
A monitor signal output unit that outputs a monitor signal from the scan designed semiconductor circuit based on the output of the scan indefinite period mask circuit;
A semiconductor test circuit.
請求項1に記載の半導体試験回路において、
前記基準クロックを発振する発振器を備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
The semiconductor test circuit according to claim 1,
An oscillator for oscillating the reference clock;
A semiconductor test circuit.
請求項7に記載の半導体試験回路において、
前記発振器が発振した基準クロックを分周し、前記スキャンデータとして出力する分周器を備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
The semiconductor test circuit according to claim 7,
A frequency divider for dividing the reference clock oscillated by the oscillator and outputting as the scan data is provided.
A semiconductor test circuit.
請求項7に記載の半導体試験回路において、
前記発振器の発振周波数を制御する発振制御回路を備えた、
ことを特徴とする半導体試験回路。
The semiconductor test circuit according to claim 7,
An oscillation control circuit for controlling the oscillation frequency of the oscillator;
A semiconductor test circuit.
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