JP2005123641A - エッチング処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Abstract
フィードバック制御を行う際に生じる予期せぬ副作用への懸念を軽減し、多大な労力、時間をかけずに制御モデルを構築することのできるエッチング処理方法を提供する。
【解決手段】
単一の被エッチング膜113に対してそれぞれ異なるレシピを適用した複数のエッチングステップからなるエッチング処理を施すエッチング処理装置であって、該エッチング処理装置は、前記エッチングステップのうち前記被エッチング膜に接する下層膜に影響を与える最後のエッチングステップ(ステップ5)に適用するレシピを予め設定したレシピに固定し、残余のエッチングステップ(ステップ4)に適用するレシピをエッチング処理後の加工形状を計測する検査装置から得られた処理結果をもとに生成するレシピ生成手段
を備え、該レシピ生成手段が生成したレシピをもとにエッチング処理を施す。
【選択図】
図2
Description
工程1は半導体製造プロセスにおけるホトリソ工程であり、レジストマスク201を形成した状態を示す。工程2は半導体製造プロセスにおけるエッチング工程の主に絶縁膜エッチング処理装置を用いてハードマスク材料層114’をエッチングして、ハードマスク114を形成する工程を示す。このハードマスク114は多結晶(Poly)シリコン膜などからなるゲート材料113をエッチングする際のマスクとなり、最終的なゲート寸法を決定する1つの因子となる。なお、レジストマスク201はこの工程の終了後に除去される。
1a 試料台
1b ウエハ
1c プラズマ
2 センサ
3 付加センサ
4 アクチュエータ
5 レシピ
6 制御モデル部
7 検査装置
8,9,10 ウエハ
11 CD値制御モデル
111 シリコン基板
112 ゲート絶縁膜
113 多結晶シリコン膜
114 マスク
115 自然酸化膜
201 処理チャンバ
202 ガス供給手段
203 ガス排気手段
204 試料
205 試料台
206 プラズマ生成手段
208 装置状態検出手段
209 制御装置
210 検査装置
300 処理装置本体
301 電磁波供給手段
302,303 コイル
Claims (12)
- 単一の被エッチング膜に対してそれぞれ異なるレシピを適用した複数のエッチングステップからなるエッチング処理を施すエッチング処理装置であって、
前記エッチング処理装置は、前記エッチングステップのうち前記被エッチング膜に接する下層膜に影響を与える最後のエッチングステップに適用するレシピを予め設定したレシピに固定し、残余のエッチングステップに適用するレシピをエッチング処理後の加工形状を計測する検査装置から得られた処理結果をもとに生成するレシピ生成手段を備え、
前記レシピ生成手段が生成したレシピをもとにエッチング処理を施すことを特徴とするエッチング処理装置。 - 単一の被エッチング膜に対してそれぞれ異なるレシピを適用した複数のエッチングステップからなるエッチング処理を施すエッチング処理装置であって、
前記エッチング処理装置は、前記エッチングステップのうち前記被エッチング膜に接する下層膜に影響を与える最後のエッチングステップに適用するレシピを予め設定したレシピに固定し、残余のエッチングステップに適用するレシピを前記エッチング処理装置に組み込まれた光散乱式形状計測手段から得られたエッチング処理結果をもとに生成するレシピ生成手段を備え、
前記レシピ生成手段が生成したレシピをもとにエッチング処理を施すことを特徴とするエッチング処理装置。 - 請求項2の記載において、前記エッチング処理装置の装置状態を検出するモニタの出力信号及び前記モニタ出力信号とエッチング処理結果をもとに作成した推定モデルをもとにエッチング処理結果を推定する処理結果推定手段を備えたことを特徴とするエッチング処理装置。
- 請求項1ないし請求項3の何れか1の記載において、レシピ生成手段は少なくとも1つのパラメータをエッチング処理中に更新することを特徴とするエッチング処理装置。
- 請求項1ないし請求項4の何れか1の記載において、レシピ生成手段が生成するレシピは、少なくとも酸素ガス流量、エッチング時間、処理室に供給する高周波電力、塩素ガス比(Cl2/(HBr+Cl2))の何れか1つを変更して生成することを特徴とするエッチング処理装置。
- 請求項1ないし請求項5の何れか1の記載において、前記単一の被エッチング膜は積層膜からなることを特徴とするエッチング処理装置。
- 請求項3の記載において、前記推定モデルは、エッチング処理室内のプラズマ発光を分光するプラズマ発光分光モニタから得られるスペクトル信号とエッチング処理結果との相関関係をもとに生成することを特徴とするエッチング処理装置。
- 請求項1ないし請求項7の何れか1の記載において、前記エッチング処理装置は前記被エッチング膜の残膜厚をモニタする膜厚モニタを備え、前記膜厚モニタの出力をもとに、前記レシピ生成手段により生成したレシピによる処理を終了することを特徴とするエッチング処理装置。
- 単一の被エッチング膜に対してそれぞれ異なるレシピを適用した複数のエッチングステップからなるエッチング処理を施すエッチング処理装置であって、
前記エッチング処理装置は、前記複数のエッチングステップのうち第一のエッチングステップにおいて収集したプラズマ発光スペクトルをリアルタイムに多変量解析する手段と、前記多変量解析して算出した指標値から第二のエッチングステップに適用するレシピを生成するレシピ生成手段を備え、前記レシピ生成手段が生成したレシピをもとに第二のエッチングステップの処理を施すことを特徴とするエッチング処理装置。 - 単一の被エッチング膜に対してそれぞれ異なるレシピを適用した複数のエッチングステップからなるエッチング処理を施すエッチング処理装置であって、
前記エッチング処理装置は、前記複数のエッチングステップのうち補正レシピを用いてエッチング処理を施すエッチングステップの少なくとも1つ前のエッチングステップにおいて収集したプラズマ発光スペクトルをリアルタイムに多変量解析する手段と、前記多変量解析して算出した指標値から前記補正レシピを生成するレシピ生成手段を備え、前記レシピ生成手段が生成した前記補正レシピをもとに前記エッチング処理を施すことを特徴とするエッチング処理装置。 - 単一の被エッチング膜に対してそれぞれ異なるレシピを適用した複数のエッチングステップからなるエッチング処理を施すエッチング処理方法であって、
前記エッチング処理方法は、前記複数のエッチングステップのうち第一のエッチングステップにおいて収集したプラズマ発光スペクトルをリアルタイムに多変量解析し、前記多変量解析して算出した指標値から第二のエッチングステップに適用するレシピを生成し、前記レシピをもとに第二のエッチングステップの処理を施すことを特徴とするエッチング処理方法。 - 単一の被エッチング膜に対してそれぞれ異なるレシピを適用した複数のエッチングステップからなるエッチング処理を施すエッチング処理方法であって、
前記エッチング処理方法は、前記複数のエッチングステップのうち補正レシピを用いてエッチング処理を施すエッチングステップの少なくとも1つ前のエッチングステップにおいて収集したプラズマ発光スペクトルをリアルタイムに多変量解析し、前記多変量解析して算出した指標値から前記補正レシピを生成し、前記補正レシピをもとに前記エッチング処理を施すことを特徴とするエッチング処理方法。
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