JP2005116989A - 配線製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決方法】 ガラス基板表面の電位状態および無電解メッキ工程に必要な触媒化処理液と無電解メッキ溶液の電位状態を制御することにより、金属をガラス基板面のみに選択的に析出させる無電解メッキ法を確立する。具体的には、派ターニングのなされた基板をカチオン系界面活性剤に浸漬する処理を施し、さらに酸処理することによって感光性樹脂部と基板部との間に電位差を形成し、無電解メッキに供する。
【選択図】 図2
Description
本発明はかかる課題を解決することを目的としてなされたものである。
(1) 其体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該其体が露出した領域G1と感光性樹脂が残された領域R1とを有する該其体に対して行う無電解メッキによる配線形成方法であって、該方法は、
(IA)カチオン系界面活性剤を用いて、該感光性樹脂領域R1における表面電位を該其体露出領域G1におけるそれよりも正にするための電位差形成過程と、
(IB)該電位差形成過程の後において、
(IB−1)該其体露出領域G1の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域R1の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液、ならびに、
(IB−2)該其体露出領域G1の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域R1の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する無電解メッキ液を用いて処理する触媒核付与およびメッキ過程と、
を備えてなることにより、配線の形成された其体が得られることを特徴とする、配線形成方法。
(2) 其体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該其体が露出した領域G1と感光性樹脂が残された領域R1を有する該其体に対して行う無電解メッキによる配線形成方法であって、該感光性樹脂領域R1はカチオン系界面活性剤処理により該其体露出領域G1よりも表面電位が正にされ、該其体露出領域G1の表面電位よりも正側で、かつ、該感光性樹脂領域R1の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液および無電解メッキ液を用いることを特徴とする配線形成方法。
(3) 前記電位差形成過程における処理または前記カチオン系界面活性剤処理は、前記感光性樹脂領域R1と其体露出領域G1との間の電位差が0.05V以上、好ましくは0.1V以上となるように行うことを特徴とする、(1)または(2)に記載の配線形成方法。
(4) 該其体は、ガラス基板、ガラス基板上に絶縁膜が形成された基板、樹脂性基板のいずれかであることを特徴とする、(1)ないし(3)のいずれかに記載の配線形成方法。
(5) 該其体は、あらかじめフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に浸漬処理され、これに感光性樹脂で其体露出領域G1と感光性樹脂領域R1を形成することを特徴とする、(1)ないし(4)のいずれかに記載の配線形成方法。
(6) 該其体は、あらかじめ0.05%から0.1%の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に3秒間から10秒間の範囲で浸漬処理され、これに感光性樹脂で其体露出領域G1と感光性樹脂領域R1を形成することを特徴とする、(1)ないし(5)のいずれかに記載の配線形成方法。
(7) 触媒核付与液は、pHと酸化還元電位を制御したオゾン添加水に触媒核となる化合物を溶解して得られるものであることを特徴とする、(1)ないし(6)のいずれかに記載の配線形成方法。
(8) 無電解メッキ液は、pHと酸化還元電位を制御したオゾン添加水または水素添加水に、析出させる金属イオンを溶解して得られるものであることを特徴とする、(1)ないし(7)のいずれかに記載の配線形成方法。
(9) 該其体は、あらかじめアルカリ溶液に浸漬処理され、これに感光性樹脂でG1とR1を形成することを特徴とする、(1)ないし(8)のいずれかに記載の配線形成方法。
(10) 該其体は、あらかじめ10%から20%の範囲で調整されたアルカリ溶液に3分間から10分間の範囲で浸漬処理され、これに感光性樹脂でG1とR1を形成することを特徴とする、(1)ないし(9)のいずれかに記載の配線形成方法。
これら(1)〜(10)の発明について、%は重量%である(以下も同様である。)。
(5’) 該其体は、カチオン系界面活性剤処理の後に、フッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に浸漬処理されることを特徴とする、(1)ないし(4)のいずれかに記載の配線形成方法。
(6’) 該其体は、カチオン系界面活性剤処理の後に、0.05%から0.1%の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に3秒間から10秒間の範囲で浸漬処理されることを特徴とする、(1)ないし(5)のいずれかに記載の配線形成方法。
(9’) 該其体は、カチオン系界面活性剤処理の前にあらかじめアルカリ溶液に浸漬処理されることを特徴とする、(1)ないし(8)のいずれかに記載の配線形成方法。
(10’) 該其体は、カチオン系界面活性剤処理の前にあらかじめ10%から20%の範囲で調整されたアルカリ溶液に3分間から10分間の範囲で浸漬処理されることを特徴とする、(1)ないし(9)のいずれかに記載の配線形成方法。
(11)其体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部が感光および現像処理されて該其体が露出した領域G1と感光性樹脂が残された領域R1を有する、無電解メッキ処理に供することのできる其体であって、該其体は、感光性樹脂塗布後にカチオン系界面活性剤に浸漬処理されることによって、該其体露出領域G1と感光性樹脂領域R1との間に電位差が設けられていることを特徴とする、無電解メッキ処理用其体。
(12)其体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部が感光および現像処理されて該其体が露出した領域G1と感光性樹脂が残された領域R1を有する、無電解メッキ処理に供することのできる其体の形成方法であって、該方法は、感光性樹脂塗布後にカチオン系界面活性剤に浸漬処理されることによって、該其体露出領域G1と感光性樹脂領域R1との間に電位差を設けることを特徴とする、無電解メッキ処理用其体の形成方法。
また、触媒核付与液としては、pHを制御したオゾン添加水に触媒核となる化合物を溶解して得られるものを用いることができる。
また、無電解メッキ液は、pHを制御したオゾン添加水またはpHを制御した水素添加水に、析出させる金属イオンを溶解して得られるものを用いることができる。
また、該其体は、あらかじめ10%から20%の範囲で調整されたアルカリ溶液に3分から10分の範囲で浸漬されて得られ、これに感光性樹脂でG1とR1を形成することができる。
また、該其体は、あらかじめ0.05%から0.1%の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に3秒から10秒の範囲で浸漬されて得られ、これに感光性樹脂でG1とR1を形成することができる。
(IA)カチオン系界面活性剤を用いて、該感光性樹脂領域における表面電位を該其体露出領域におけるそれよりも正にするための電位差形成過程SIAと、
(IB)該電位差形成過程SIAの後において、
(IB−1)該其体露出領域の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液、ならびに、
(IB−2)該其体露出領域の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する無電解メッキ液を用いて処理する触媒核付与およびメッキ過程SIBと、
を備えて、基本的に構成される。
図3は本実施例1の配線製造法の工程図であり、ガラス基板には無アルカリガラスを用いた。ここで、熱収縮率が比較的少ないシリカ系ガラスを使用してもよい。
図3は実施例2における触媒核付与溶液の調整法および無電解メッキ液の調整法を示したものである。
図4は実施例3における其体表面に感光性樹脂領域を作製する工程を示したものである。
上記各実施例はガラス基板を用いたものであるが、絶縁膜がその表面に形成されたガラス基板、プラスチックなどの樹脂性基板、あるいはその他の基板に対しても同様の方法で配線形成を行なうことができる。
また、上記実施例では配線既存形成を無電解メッキ法で行なっているが、配線形成速度を向上させたいときには、無電解メッキ法と電界メッキ法を組み合わせて行なってもよい。
2 感光性樹脂表面
3 析出金属
U 処理前其体
SIA 電位差形成過程
SIB 触媒核付与およびメッキ過程
SIB−1 触媒核付与過程
SIB−2 メッキ過程
P 配線形成された其体
Claims (10)
- 其体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該其体が露出した領域G1と感光性樹脂が残された領域R1とを有する該其体に対して行う、無電解メッキによる配線形成方法であって、該方法は、
(IA)カチオン系界面活性剤を用いて、該感光性樹脂領域R1における表面電位を該其体露出領域G1におけるそれよりも正にするための電位差形成過程と、
(IB)該電位差形成過程の後において、
(IB−1)該其体露出領域G1の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域R1の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液、ならびに、
(IB−2)該其体露出領域G1の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域R1の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する無電解メッキ液を用いて処理する触媒核付与およびメッキ過程と、
を備えてなることにより、配線の形成された其体が得られることを特徴とする、配線形成方法。 - 其体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該其体が露出した領域G1と感光性樹脂が残された領域R1を有する該其体に対して行う無電解メッキによる配線形成方法であって、該感光性樹脂領域R1はカチオン系界面活性剤処理により該其体露出領域G1よりも表面電位が正にされ、該其体露出領域G1の表面電位よりも正側で、かつ、該感光性樹脂領域R1の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液および無電解メッキ液を用いることを特徴とする配線形成方法。
- 前記電位差形成過程における処理または前記カチオン系界面活性剤処理は、前記感光性樹脂領域R1と其体露出領域G1との間の電位差が0.05V以上、好ましくは0.1V以上となるように行うことを特徴とする、請求項1または2に記載の配線形成方法。
- 該其体は、ガラス基板、ガラス基板上に絶縁膜が形成された基板、樹脂性基板のいずれかであることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の配線形成方法。
- 該其体は、あらかじめフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に浸漬処理され、これに感光性樹脂で其体露出領域G1と感光性樹脂領域R1を形成することを特徴とする、請求項1ないし4のいずれかに記載の配線形成方法。
- 該其体は、あらかじめ0.05%から0.1%の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に3秒間から10秒間の範囲で浸漬処理され、これに感光性樹脂で其体露出領域G1と感光性樹脂領域R1を形成することを特徴とする、請求項1ないし5のいずれかに記載の配線形成方法。
- 触媒核付与液は、pHと酸化還元電位を制御したオゾン添加水に触媒核となる化合物を溶解して得られるものであることを特徴とする、請求項1ないし6のいずれかに記載の配線形成方法。
- 無電解メッキ液は、pHと酸化還元電位を制御したオゾン添加水または水素添加水に、析出させる金属イオンを溶解して得られるものであることを特徴とする、請求項1ないし7のいずれかに記載の配線形成方法。
- 該其体は、あらかじめアルカリ溶液に浸漬処理され、これに感光性樹脂でG1とR1を形成することを特徴とする、請求項1ないし8のいずれかに記載の配線形成方法。
- 該其体は、あらかじめ10%から20%の範囲で調整されたアルカリ溶液に3分間から10分間の範囲で浸漬処理され、これに感光性樹脂でG1とR1を形成することを特徴とする、請求項1ないし9のいずれかに記載の配線形成方法。
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