JP2005109333A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. レチクルを保持する保持機構と投影光学系とを備え、前記レチクルと前記投影光学系とを介してウエハを露光する半導体製造装置において、
   前記レチクル上に描写されたマークの位置を計測する計測手段と、
   該計測手段によって計測された、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記マークの位置および前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記マークの位置に基づき、前記投影光学系による投影像のディストーションを予想する手段と
   を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
2. 前記予想する手段は、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記マークの位置と前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記マークの位置との差分を求め、前記差分から前記ディストーションを予想することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
3. 前記投影光学系は、前記ディストーションを補正する手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造装置。
4. レチクルを保持する保持機構と投影光学系とを備え、前記レチクルと前記投影光学系とを介してウエハを露光する半導体製造装置において、
   前記レチクルの平面度を計測する計測手段と、
   該計測手段によって計測された、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記レチクルの平面度および前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記レチクルの平面度に基づき、前記投影光学系による投影像のディストーションを予想する手段と
   を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
5. 前記予想する手段は、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記レチクルの平面度と前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記レチクルの平面度との差分を求め、前記差分から前記ディストーションを予想することを特徴とする請求項４記載の半導体製造装置。
6. 前記投影光学系は、前記ディストーションを補正する手段を有することを特徴とする請求項４または５に記載の半導体製造装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体製造装置を用いてウエハを露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。