JP2005106912A - 線路終端回路および光変調器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 直流のバイアス電圧の供給が必要な線路の終端を広帯域に行なえるようにする。
【解決手段】 終端抵抗21の一端側が線路1の一方の導体1aに接続され、終端抵抗21の他端側と線路1の他方の導体1bとの間が、線路21を伝搬する信号に対して線路21の特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ22を介して接続され、終端抵抗21とコンデンサ22との接続点をバイアス電圧供給端子23とし、バイアス電圧供給端子23に受けた直流のバイアス電圧Vbを、終端抵抗21を介して線路1に印加する。
【選択図】 図1
【解決手段】 終端抵抗21の一端側が線路1の一方の導体1aに接続され、終端抵抗21の他端側と線路1の他方の導体1bとの間が、線路21を伝搬する信号に対して線路21の特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ22を介して接続され、終端抵抗21とコンデンサ22との接続点をバイアス電圧供給端子23とし、バイアス電圧供給端子23に受けた直流のバイアス電圧Vbを、終端抵抗21を介して線路1に印加する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、直流のバイアス電圧の印加が必要な線路を広帯域に終端するための技術に関する。
信号を伝搬する各種線路を用いた機器のうち、その線路に対して直流のバイアス電圧の印加を要するものがある。
例えば、電界によって光の導波特性(屈折率等)が変化する電気光学効果を利用した光変調器では、光導波路に変調用の電界を印加するための線路を有しており、変調特性の動作点を適正にするためにその線路に対して直流のバイアス電圧の印加が必要となる場合がある。
また、一般的に、信号を伝搬させる線路は固有の特性インピーダンスを有しており、その特性インピーダンス(例えば50Ω)とほぼ等しい(例えば、±5パーセントの範囲内)抵抗で終端することで、反射等による信号波形の乱れのない広帯域な伝送が可能となる。
このように、線路をその特性インピーダンスで終端し、且つ直流のバイアス電圧の印加を可能にする回路として、従来では、図8に示すような線路終端回路10が用いられている。
この線路終端回路10では、線路1の一端側で、その一方の導体(信号導体)1aに、直流阻止用のコンデンサ11と、高周波阻止用のコイル(RFC)12の一端側をそれぞれ接続し、コンデンサ11の他端側と線路1の他方の導体(アース導体)1bの間に終端抵抗13を接続し、コイル12の他端側をバイアス電圧供給端子14とし、バイアス電圧Vbを供給する。
ここで、コンデンサ11の容量は、線路1に供給される信号に対するインピーダンスが線路1の特性インピーダンスより十分小さくなるように設定されているため、線路1は交流的に終端抵抗13によって終端される。
また、コイル12のインダクタンスは、線路1を伝搬する信号に対するインピーダンスが線路1の特性インピーダンスより十分大きくなるように設定され、直流に対して十分低い抵抗値を有するものであるため、その他端側に供給されたバイアス電圧Vbは、コイル12を介して線路1に印加されることになる。
なお、上記構成の従来の線路終端回路10は、例えば、次の特許文献1の図4に開示されている。
しかしながら、上記のように、コンデンサ11と終端抵抗13との直列回路に対して、コイル12が並列に接続された回路では、高周波信号に対するコイル12のインピーダンス特性のあばれ等によって整合条件が崩れ、線路1に反射成分が生じて信号を正しく伝搬できなくなる。
そのために、接続するコイルの形状、結線、搭載角度等の検討を十分に行い、整合条件を満足させる必要があった。また、コイル12が必須であるために小型化が困難であるという問題もあった。
本発明は、これらの問題を解決して、直流のバイアス電圧の供給が必要な線路の終端を広帯域に行なえる線路終端回路およびそれを用いた光変調器を提供することを目的としている。
前記目的を達成するために、本発明の線路終端回路は、
所定の特性インピーダンスを有し信号を伝搬させる線路(1)の一端側に接続され、前記特性インピーダンスとほぼ等しい抵抗値を有する終端抵抗(21)と、直流のバイアス電圧を受けるためのバイアス電圧供給端子(23)とを有し、前記線路の一端側を終端するとともに、前記線路を形成する2つの導体間に前記バイアス電圧を印加する線路終端回路において、
前記終端抵抗の一端側が前記導体の一方に接続され、前記終端抵抗の他端側と前記導体の他方との間が、前記線路を伝搬する信号に対して前記特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ(22)を介して接続され、
前記終端抵抗とコンデンサとの接続点を前記バイアス電圧供給端子とし、該バイアス電圧供給端子に受けた直流のバイアス電圧を前記終端抵抗を介して前記線路に印加することを特徴としている。
所定の特性インピーダンスを有し信号を伝搬させる線路(1)の一端側に接続され、前記特性インピーダンスとほぼ等しい抵抗値を有する終端抵抗(21)と、直流のバイアス電圧を受けるためのバイアス電圧供給端子(23)とを有し、前記線路の一端側を終端するとともに、前記線路を形成する2つの導体間に前記バイアス電圧を印加する線路終端回路において、
前記終端抵抗の一端側が前記導体の一方に接続され、前記終端抵抗の他端側と前記導体の他方との間が、前記線路を伝搬する信号に対して前記特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ(22)を介して接続され、
前記終端抵抗とコンデンサとの接続点を前記バイアス電圧供給端子とし、該バイアス電圧供給端子に受けた直流のバイアス電圧を前記終端抵抗を介して前記線路に印加することを特徴としている。
また、本発明の光変調器は、
光の導波特性が電界によって変化する光導波路(32)と、
所定の特性インピーダンスを有し変調用の信号を伝搬させて前記光導波路に電界を印加する線路(40)と、
前記特性インピーダンスとほぼ等しい抵抗値を有する終端抵抗(21)と、直流のバイアス電圧を受けるためのバイアス電圧供給端子(23)とを有し、前記線路の一端側を終端するとともに、前記線路を形成する2つの導体間に前記バイアス電圧を印加する線路終端回路(20)とを有する光変調器において、
前記線路終端回路の終端抵抗の一端側が前記導体の一方に接続され、前記終端抵抗の他端側と前記導体の他方との間が、前記線路を伝搬する信号に対して前記特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ(22)を介して接続され、
前記終端抵抗とコンデンサとの接続点を前記バイアス電圧供給端子とし、該バイアス電圧供給端子に受けた直流のバイアス電圧を、前記終端抵抗を介して前記線路に印加することを特徴としている。
光の導波特性が電界によって変化する光導波路(32)と、
所定の特性インピーダンスを有し変調用の信号を伝搬させて前記光導波路に電界を印加する線路(40)と、
前記特性インピーダンスとほぼ等しい抵抗値を有する終端抵抗(21)と、直流のバイアス電圧を受けるためのバイアス電圧供給端子(23)とを有し、前記線路の一端側を終端するとともに、前記線路を形成する2つの導体間に前記バイアス電圧を印加する線路終端回路(20)とを有する光変調器において、
前記線路終端回路の終端抵抗の一端側が前記導体の一方に接続され、前記終端抵抗の他端側と前記導体の他方との間が、前記線路を伝搬する信号に対して前記特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ(22)を介して接続され、
前記終端抵抗とコンデンサとの接続点を前記バイアス電圧供給端子とし、該バイアス電圧供給端子に受けた直流のバイアス電圧を、前記終端抵抗を介して前記線路に印加することを特徴としている。
このように構成したため、本発明の線路終端回路では、整合を乱すコイルを用いる必要がないので、線路を広帯域にわたって整合状態で終端することができ、これを用いた光変調器では、広帯域で正確な変調が行なえ、小型化が可能となる。
小型化を優先する場合、終端抵抗の一端側を線路の信号導体の他端側に接続し、終端抵抗の他端側を、線路を伝搬する信号に対して線路の特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサを介して接地し、終端抵抗とコンデンサとの接続点からバイアス電源を供給する。
また、線路短絡時の終端抵抗の焼損防止を優先する場合、終端抵抗とコンデンサとの接続点に電流制限用の抵抗を介してバイアス電源を供給する。
以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
図1は、本発明を適用した線路終端回路20の構成を示している。
図1は、本発明を適用した線路終端回路20の構成を示している。
図1に示しているように、この線路終端回路20は、前記従来回路10と同様に、終端対象の線路1の特性インピーダンス(例えば50Ω)にほぼ等しい抵抗値(例えば±5パーセントの範囲内)を有する終端抵抗21と、直流のバイアス電圧を受けるためのバイアス電圧供給端子23とを有し、線路1の一端側を終端するとともに、線路1を形成する2つの導体1a、1b間にバイアス電圧Vbを印加するものである。
ただし、線路終端回路20では、終端抵抗21の一端側が一方の導体(信号ライン側)1aに接続され、終端抵抗21の他端側と他方の導体(アースライン側)1bとの間が、線路1を伝搬する信号に対して前記特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ22を介して接続されている。
また、終端抵抗21とコンデンサ22との接続点をバイアス電圧供給端子23とし、そのバイアス電圧供給端子23で直流のバイアス電圧Vbを受けるようにしている。
ここで、コンデンサ22の容量は、上記したように線路1を伝搬する信号に対するインピーダンスが線路1の特性インピーダンスより十分小さくなるように設定されているため、線路1の一端側は交流的に終端抵抗21によって終端される。
また、終端抵抗21とコンデンサ22との接続点に供給された直流のバイアス電圧Vbは、終端抵抗21を介して線路1に印加されることになり、線路1の他端側が直流的に開いた状態であれば、終端抵抗21による電圧降下が発生せず、線路1の導体間に電圧Vbがそのまま印加されることになる。
この線路終端回路20を線路1側からみると、終端抵抗21とコンデンサ22の直列回路で終端され、コンデンサ22に対して並列にバイアス電源(図示せず)が接続されることになるが、一般的に信号の周波数に対するコンデンサ22の特性は安定しており、しかも、そのインピーダンスは線路1を伝搬する信号に対して特性インピーダンスより十分小さいので、バイアス電圧供給端子23に接続されるバイアス電源の出力インピーダンスの影響を受けない。
したがって、直流のバイアス電圧Vbを印加した状態で、広帯域な整合状態を維持することができ、反射等による伝送波形の乱れが起こらない。
また、高周波阻止用のコイルを必須としないので、簡単に且つ小型に構成することができる。
なお、広帯域な信号に対して1つのコンデンサ22で十分低いインピーダンスが実現できない場合には、図2に示すように、容量が異なる複数のコンデンサ22a、22b、…を並列に用いればよい。
また、上記回路で線路1の導体間が短絡すると、比較的低い抵抗値の終端抵抗21に大きな電流が流れて焼損する恐れがある。
この終端抵抗21の焼損を防止する場合には、図3に示すように、バイアス電圧を電流制限用の抵抗24を介してバイアス電圧供給端子23に供給すればよい。
また、前記したように、バイアス電圧供給端子23は、コンデンサ21によって交流的にほぼ短絡された状態になっているので、図4のように高周波阻止用のコイル25を介してバイアス電圧Vbを供給したり、図5のように、コイル25と抵抗26(電流制限用に限らない)の直列回路を介してバイアス電圧Vbを供給した場合でも、前記同様に広帯域な整合状態を維持することができる。
次に、上記線路終端回路20を用いた光変調器の一例を説明する。
図6は、電気光学効果を有する媒質として、LiNbO3結晶(LN結晶)を用いたLN変調器30の構成を示している。
図6は、電気光学効果を有する媒質として、LiNbO3結晶(LN結晶)を用いたLN変調器30の構成を示している。
このLN変調器30の基板31はLN結晶からなり、その一面側表層近傍に光導波路32が形成されている。
この光導波路32は、基板31の一端側に入射された光を、Y分岐路33を介して2本の平行な導波路34、35に分岐し、これをY合波路36によって合波して、基板31の他端側から出射するように構成されている。
また、基板31の一面側表面には、2本の導波路34、35に逆向きの電界を印加するためのコプレナー型の線路40が形成されている。
この線路40の中心導体41とアース導体42、43の間に基準電圧V0を印加して、一方の導波路34を通過した光と他方の導波路35を通過した光に180°の位相差が与えられると、Y合波路35の光出力は0となり、別の電圧V1を印加して、一方の導波路34を通過した光と他方の導波路35を通過した光の位相差を0°にすると、Y合波路36の光出力は最大となる。
つまり、線路40に、V1−V0の振幅の変調用信号を与えることで、最大消光比の強度変調光が得られる。この振幅を半波長電圧(Vπ)と呼んでいる。
ただし、このLN変調器30の変調特性は、図7に示すように、線路40に印加される信号の中心電圧の変化に対して正弦状に周期変化する特性Fを有しており、この変調特性Fの単調変化領域の中心に変調用信号の振幅中心がくるように、線路40に直流のバイアス電圧Vbを供給する必要がある。
また、線路40に供給する高周波(例えば数GHz)の変調用信号は、線路40の特性インピーダンスにほぼ等しい抵抗値の終端抵抗で終端する必要がある。
この線路終端とバイアス電圧の供給を行なうために、前記した線路終端回路20が用いられている。
この線路終端回路20の場合、終端抵抗21の一端側が線路40の中心導体41に接続され、終端抵抗21の他端側がコンデンサ22を介してアースラインに接続されており、終端抵抗21とコンデンサ22との接続点をバイアス電圧供給端子23としている。
このバイアス電圧供給端子23にバイアス電源50が接続され、終端抵抗21を介して線路40にバイアス電圧Vbが印加される。
一方、線路40には、変調信号供給回路55からコンデンサ56を介して高周波の変調用信号Mが供給される。
このように構成された光変調器30では、変調信号供給回路25から供給された変調用信号Mは線路40を伝搬して、光導波路32の2つの導波路34、35に対する電界を変化させて、強度変調された光を出力させ、線路終端回路20の終端抵抗21とコンデンサ22の直列回路で終端されるが、コンデンサ22は変調信号に対してほぼ短絡状態と見なせるため、バイアス電圧供給端子23に接続されているバイアス電源50の影響を何ら受けず、整合状態が確保され、反射等による信号波形の悪化はおこらない。
また、前記同様に、バイアス電源50が出力するバイアス電圧Vbは、電圧降下を受けずに線路40に供給されることになる。
したがって、任意のバイアス電圧を供給した状態で、広帯域で変調用信号Mの波形に応じた正確な変調が行なえる。
なお、ここでは、線路終端回路20のバイアス電圧供給端子23にバイアス電源50を直接接続した例を示したが、前記図3、図4、図5のように、電流制限用の抵抗24、高周波阻止用のコイル25、あるいはコイル25と抵抗26の直列回路を介してバイアス電圧供給端子23にバイアス電圧を供給してもよい。
本発明の線路終端回路は、光変調だけでなく、直流のバイアス電圧の印加を要する線路を有する各種機器に適用できる。
また、本発明の光変調器は、コプレナー型だけでなく、他の線路を用いた光変調器についても同様に適用できる。
1……線路、20……線路終端回路、21……終端抵抗、22……コンデンサ、23……バイアス電圧供給端子、30……光変調器、31……基板、32……光導波路、33……Y分岐路、34、35……導波路、36……Y合波路、40……線路、41……中心導体、42、43……アース導体、50……バイアス電源、55……変調信号供給回路、56……コンデンサ
Claims (2)
- 所定の特性インピーダンスを有し信号を伝搬させる線路(1)の一端側に接続され、前記特性インピーダンスとほぼ等しい抵抗値を有する終端抵抗(21)と、直流のバイアス電圧を受けるためのバイアス電圧供給端子(23)とを有し、前記線路の一端側を終端するとともに、前記線路を形成する2つの導体間に前記バイアス電圧を印加する線路終端回路において、
前記終端抵抗の一端側が前記導体の一方に接続され、前記終端抵抗の他端側と前記導体の他方との間が、前記線路を伝搬する信号に対して前記特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ(22)を介して接続され、
前記終端抵抗とコンデンサとの接続点を前記バイアス電圧供給端子とし、該バイアス電圧供給端子に受けた直流のバイアス電圧を前記終端抵抗を介して前記線路に印加することを特徴とする線路終端回路。 - 光の導波特性が電界によって変化する光導波路(32)と、
所定の特性インピーダンスを有し変調用の信号を伝搬させて前記光導波路に電界を印加する線路(40)と、
前記特性インピーダンスとほぼ等しい抵抗値を有する終端抵抗(21)と、直流のバイアス電圧を受けるためのバイアス電圧供給端子(23)とを有し、前記線路の一端側を終端するとともに、前記線路を形成する2つの導体間に前記バイアス電圧を印加する線路終端回路(20)とを有する光変調器において、
前記線路終端回路の終端抵抗の一端側が前記導体の一方に接続され、前記終端抵抗の他端側と前記導体の他方との間が、前記線路を伝搬する信号に対して前記特性インピーダンスより十分低いインピーダンスを示すコンデンサ(22)を介して接続され、
前記終端抵抗とコンデンサとの接続点を前記バイアス電圧供給端子とし、該バイアス電圧供給端子に受けた直流のバイアス電圧を、前記終端抵抗を介して前記線路に印加することを特徴とする光変調器。
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JP2009244289A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Fujitsu Ltd | 回路デバイスおよび回路デバイス装置 |
JP2010152306A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Anritsu Corp | 光変調器 |
JP2011027908A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Anritsu Corp | 光変調器モジュール |
JP2017142487A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | 光変調器 |
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