JP2005100890A - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】蛍光体層の劣化防止を図り、パネルの輝度及び寿命、信頼性の向上を実現することを目的とする。
【解決手段】放電セルが複数配列されるとともに、各放電セルに対応する色の蛍光体層が配設され、前記蛍光体層が紫外線により励起されて発光するプラズマディスプレイパネルを備えたプラズマディスプレイ装置であって、蛍光体層はＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを有する緑色蛍光体層１１０Ｇを有し、前記Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎよりなる緑色蛍光体は、少なくとも表面近傍の亜鉛（Ｚｎ）と珪素（Ｓｉ）の元素比が２／１〜２．０９／１で＋または０に帯電させた。蛍光体層１１０Ｇを均質に形成でき、パネル製造工程での輝度劣化が少なく放電特性の良好なパネルが得られる。
【選択図】図２

Description

本発明は紫外線により励起されて発光する蛍光体層を有するプラズマディスプレイ装置に関する。

近年、コンピュータやテレビなどの画像表示に用いられているカラー表示デバイスにおいて、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）表示装置は、大型で薄型軽量を実現することのできるカラー表示デバイスとして注目されている。

プラズマディスプレイ装置は、いわゆる３原色（赤、緑、青）を加法混色することにより、フルカラー表示を行っている。このフルカラー表示を行うために、プラズマディスプレイ装置には３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を発光する蛍光体層が備えられ、この蛍光体層を構成する蛍光体粒子はＰＤＰの放電セル内で発生する紫外線により励起され、各色の可視光を生成している。

上記各色の蛍光体に用いられる化合物としては、例えば、赤色を発光する（ＹＧｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺、緑色を発光するＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ²⁺、青色を発光するＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺が知られている。これらの各蛍光体は、所定の原材料を混ぜ合わせた後、１０００℃以上の高温で焼成することにより固相反応されて作製される（例えば、非特許文献１参照）。

この焼成により得られた蛍光体粒子は、軽く粉断（粒子同士が凝集している状態をほぐす程度で結晶を破断しない程度に粉砕）後、ふるいわけ（赤、緑の平均粒径：２μｍ〜５μｍ、青の平均粒径：３μｍ〜１０μｍ）を行ってから使用している。蛍光体粒子を軽く粉砕、ふるいわけ（分級）する理由は、一般にＰＤＰに蛍光体層を形成する場合において各色蛍光体粒子をペーストにしてスクリーン印刷する手法やペーストをノズルから吐出させて塗布するインキジェット法が用いられており、軽く粉砕後分級しないと蛍光体中に大きい凝集物が含まれるため、これらの蛍光体を用いてペーストを塗布した際に塗布むらやノズルの目づまりが発生するためである。したがって、軽く粉砕後分級した蛍光体は、粒子径が小さく、均一である（粒度分布がそろっている）ためよりきれいな塗布面が得られる。

しかしながらＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎからなる緑色蛍光体の場合は、蛍光体の製造上ＺｎＯに対するＳｉＯ₂の割合が、化学量論比（２ＺｎＯ／ＳｉＯ₂）よりもＳｉＯ₂が多く、１．５ＺｎＯ／ＳｉＯ₂の配合比でＺｎＯとＳｉＯ₂を配合し、空気中（一気圧）１２００℃〜１３００℃で焼成して作製している（例えば、非特許文献２参照）。そのためＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ結晶の表面はＳｉＯ₂で覆われており、蛍光体表面は負に帯電している。

一般にＰＤＰにおいて、緑色蛍光体が負に大きく帯電していると、放電特性が悪化することが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。また負に帯電した緑色のインキを細いノズルから連続的に塗布するインキジェット塗布法で塗布する場合、やはり、ノズルの目づまりや塗布むらが発生することが知られている。特に目づまりや塗布むらの原因はインキ中にあるエチルセルロースが、負に帯電したＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎの表面に吸着しにくくなっているからと思われる。また、蛍光体が負に帯電しているため、放電中に発生するＮｅの＋イオンやＣＨ系の＋イオン、あるいはＨの＋イオンが負に帯電している緑色蛍光体にイオン衝突を起し、蛍光体の輝度を劣化させるという課題もある。

一方、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎの表面の負帯電を正帯電にするため、正帯電の酸化物をある程度の厚み（０．１〜０．５ｗｔ％）で積層コートする方法や、正帯電の緑色蛍光体を混合して見かけ上正帯電とする方法が考案されているが、０．１ｗｔ％以上積層コートすると輝度低下が起こり、帯電状態の異なる２種類の蛍光体を塗布する時は目づまりや塗布むらが生じやすいという課題があった。また、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを作製する時あらかじめＺｎＯとＳｉＯ₂の比を２対１以上（Ｚｎ／Ｓｉの元素比で２／１以上）で配合して、蛍光体を１気圧の空気中あるいは窒素中で１２００℃〜１３００℃で焼成しても、ＺｎＯの蒸気圧がＳｉＯ₂の蒸気圧より高いため、ＺｎＯが焼成中に先に飛散（昇華）し、結晶学的（Ｘ線回折的）にはＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎが生成するが、結晶の表面近傍はどうしてもＳｉＯ₂がリッチになり負に帯電してしまうと言う課題がある。
蛍光体ハンドブック Ｐ２１９、２２５ オーム社 蛍光体ハンドブック ｐｐ２１９〜２２０ オーム社 １９９１年 特開平１１−８６７３５号公報 特開２００１−２３６８９３号公報

本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、蛍光体層の劣化防止を図り、パネルの輝度及び寿命、信頼性の向上を実現することを目的とする。

この課題を解決するために本発明のプラズマディスプレイ装置は、放電セルが複数配列されるとともに、各放電セルに対応する色の蛍光体層が配設され、前記蛍光体層が紫外線により励起されて発光するプラズマディスプレイパネルを備えたプラズマディスプレイ装置であって、前記蛍光体層はＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを有する緑色蛍光体層を有し、前記Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎよりなる緑色蛍光体は、少なくとも表面近傍の亜鉛（Ｚｎ）と珪素（Ｓｉ）の元素比が２／１以上で付活剤をＭｎとするものであることを特徴とする。

また、放電セルが複数配列されるとともに、各放電セルに対応する色の蛍光体層が配設され、前記蛍光体層が紫外線により励起されて発光するプラズマディスプレイパネルを備えたプラズマディスプレイ装置であって、前記蛍光体層はＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを有する緑色蛍光体層を有し、前記Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎよりなる緑色蛍光体は、少なくとも表面近傍の亜鉛（Ｚｎ）と珪素（Ｓｉ）の元素比が２／１〜２．０９／１で＋または０に帯電していることを特徴とする。

さらに、本発明のプラズマディスプレイ装置用蛍光体の製造方法は、緑色蛍光体を構成する元素〔Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ〕を含む硝酸塩あるいは有機金属塩を水に溶解後、加水分解して共沈物を作製する工程と、前記共沈物を空気中６００℃〜９００℃で焼成する仮焼工程と、前記仮焼物をＺｎＯ粉体で遮蔽された状態で、１０００℃〜１３５０℃で焼成する工程とを有することを特徴とする。

また、緑色蛍光体を構成する元素〔Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ〕を含むこれらの酸化物や炭酸化物原料を混合する蛍光体原料混合工程と、前記混合原料を空気中６００℃〜９００℃で焼成する仮焼工程と、前記仮焼物をＺｎＯ粉体で遮蔽された状態で、１０００℃〜１３５０℃で焼成する工程とを有することを特徴とする。

また、本発明の製造方法においては、仮焼体が配置される場所の温度が、ＺｎＯ粉体の配置される場所の温度よりも低いことを特徴とする。

本発明によれば、緑色蛍光体結晶の帯電状態を０または＋にした蛍光体粒子で緑色蛍光体層を構成することによって、当該蛍光体層の塗布状態に均一化及び劣化防止を図り、あわせてパネルの輝度及び寿命、信頼性の向上を実現することができる。

本発明は、珪酸亜鉛結晶構造を有するＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを作製する時、配合するＺｎＯ、ＳｉＯ₂及び付活剤ＭｎＯ₂とを混合後、これを６００℃〜９００℃で空気中で仮焼し、次にこの仮焼粉体をＺｎＯ粉体で完全に遮蔽した状態にし、次にこれを１０００℃〜１３５０℃で本焼成してＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを作製する。

ＰＤＰに用いられているＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ緑色蛍光体は、主に固相反応法で作製されているが、輝度向上のためにＳｉＯ₂をＺｎＯよりも化学量論比より多い組成で作製している。そのためにＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ結晶の表面がＳｉＯ₂で覆われている状態になっている。また、表面がＳｉＯ₂で覆われないように化学量論比で作製しても、１０００℃以上で焼成するとＺｎＯの蒸気圧がＳｉＯ₂の蒸気圧よりかなり高くなるので、表面近傍のＺｎＯがより多く飛散（昇華）し、蛍光体の表面が結果的にＳｉＯ₂が多くなる。ＺｎＯが飛散（昇華）しないように、１０００℃以下で焼成すると、Ｚｎ／Ｓｉの比が２／１のＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎは合成されるが、珪酸亜鉛としての結晶化度が低いため高輝度の蛍光体が得られない。

従って、上記の課題を解決するためには、１０００℃以上の高温で焼成しても、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎの原料であるＺｎＯが飛散（昇華）することなく結晶性が良好で−帯電にならないようにするものを作製すれば良い。

そこで、本発明は配合するＺｎＯとＳｉＯ₂の元素比を２．１／１〜２．０／１の間に設定し、ＺｎＯの飛散（昇華）を防止するために、坩堝にＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ混合組成物を入れ、その周りをＺｎＯで完全に覆い（遮蔽し）、電気炉に入れて覆ったＺｎＯ側を坩堝中のＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎより少し高い温度に設定して、Ｎ₂（窒素）、Ｎ₂−Ｈ₂（窒素−水素）、Ｎ₂−Ｏ₂（窒素−酸素）中で焼成することで、ＺｎＯの飛散（昇華）を防ぎ、上記課題を解決する。すなわち、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ仮焼粉の周りをＺｎＯで覆い、このＺｎＯ側を炉中で少し高めの温度に設定し、焼成温度でのＺｎＯ側の飽和蒸気圧を高めにしておくことで、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ仮焼粉中のＺｎＯの飛散（昇華）を防止する。

以下、本発明の蛍光体の製造方法について説明する。

ここで、蛍光体本体の製造方法としては、従来の酸化物や炭酸化物原料及びフラックスを用いた固相焼結法で仮焼粉体を作製する方法や、有機金属塩や硝酸塩を用いこれらを水溶液中で加水分解したり、アルカリ等を加えて沈殿させる共沈法を用いて蛍光体の前駆体を作製し、次にこれを熱処理して仮焼粉体を作製する液相法、あるいは蛍光体原料が入った水溶液を加熱された炉中に噴霧して作製する液体噴霧法等で蛍光体の前駆体を製造する方法が考えられるが、いずれの方法で作製した蛍光体の前駆体や仮焼粉体を用いても、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを１０００℃以上で焼成する時に、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：ＭｎをＺｎＯで遮蔽し（Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ粉体をＺｎＯで密封し）、１０００℃〜１３５０℃で本焼成することで焼成中に表面からのＺｎＯの飛散を防止し、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ蛍光体の特性の改善に効果があることが判明した。

（固相反応によりＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを作製する方法）
ここで緑色蛍光体作製方法の一例として、一般的な緑色蛍光体の固相反応法による製法について述べる。原料として、ＺｎＯ、ＳｉＯ₂、ＭｎＣＯ₃等の炭酸化物や酸化物を先ず、蛍光体母材の組成〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕のモル比より、ＺｎＯに対するＳｉＯ₂の量を少し多く配合し（ＺｎＯとＳｉＯ₂の元素配合比が２．１／１〜２．０／１）、次にこれを混合後、６００℃〜９００℃で２時間〜３時間仮焼成後、これを坩堝（Ａｌ₂Ｏ₃、あるいはＺｎＯ製）に入れてふたをし、次にこの仮焼粉体を入れた坩堝の周りをＺｎＯ粉体やＺｎＯ坩堝で覆い、相対的にＺｎＯ坩堝やＺｎＯ粉体の方が若干温度が高めになるような電気炉の設定で、Ｎ₂中、Ｎ₂−Ｈ₂中、Ｎ₂−Ｏ₂中、１０００℃〜１３５０℃で焼成して緑色蛍光体とする。

また水溶液から蛍光体を作製する場合（液相法）は、蛍光体を構成する元素（Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ）を含有する有機金属塩（例えばアルコキシド、やアセチルアセトン）あるいは硝酸塩をあらかじめＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎにおける化学両論比であるＺｎ／Ｓｉが２．１／１〜２．０／１になる組成で水に溶解後、加水分解して共沈物（水和物）を作製し、その後これを、空気中６００℃〜９００℃で仮焼成後、前記固相反応法と同様に、仮焼粉体を入れた坩堝の周りをＺｎＯ粉体やＺｎＯ坩堝で覆い、相対的にＺｎＯ坩堝やＺｎＯ粉体の方が若干温度が高めになるような電気炉の設定で、Ｎ₂中、Ｎ₂−Ｈ₂中、Ｎ₂−Ｏ₂中、１０００℃〜１３５０℃で焼成して緑色蛍光体とする。

このように従来のＺｎＯに対してＳｉＯ₂を化学量論比より少し多い組成で作製された仮焼粉体をＺｎＯで遮蔽して、１０００℃〜１３５０℃で焼成したＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ緑色蛍光体は、１０００℃〜１３５０℃で焼成する時、仮焼粉体中のＺｎＯの蒸気圧より、遮蔽に使うＺｎＯの蒸気圧の方が高いため、焼成時に、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ中の表面からのＺｎＯ飛散（昇華）が少ない。従って、従来のＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎのように表面近傍がＳｉＯ₂リッチにならず、内部に至るまでＺｎＯが若干リッチなＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎが得られる。このことにより、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ粒子の帯電が＋方向に改善された緑色蛍光体が得られる。

ここでＺｎとＳｉの比を２．１／１〜２．０／１に限定したのは、Ｚｎ元素を若干過剰にすることで、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄が＋帯電になり易くするためである。また、Ｚｎの比が２．１以上では、結晶格子間のＺｎが増加して輝度が低下し、２．０以下では−帯電になりやすいので、ＺｎとＳｉの比は２．１／１〜２．０／１が好ましい。

焼成温度を１０００℃〜１３５０℃に限定したのは、１０００℃以下では、ＺｎＯ、ＳｉＯ₂の蒸気圧が共に低いため、表面からのＺｎＯの飛散（昇華）は少なく表面近傍にＳｉＯ₂リッチ相はできにくいが、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎの結晶性が悪く輝度の高い蛍光体が得られないためである。また、１３５０℃以上になると、ＺｎＯの蒸気圧がＳｉＯ₂の蒸気圧に対して、相対的に大きくなり、ＺｎＯでＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを覆う効果が少し薄れるとともに、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄の焼結が進みすぎて、粒径が大きくなりすぎ、輝度が低下するためである。

ここで、プラズマディスプレイ装置における緑色蛍光体層に使用する具体的な蛍光体粒子としては、〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕を母体とし、上記緑色蛍光体におけるｘの値は、０．０１≦ｘ≦０．２であることが、輝度、及び輝度劣化に優れているため好ましい。

青色蛍光体層に使用する具体的な蛍光体粒子としては、Ｂａ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_x、もしくはＢａ_1-x-yＳｒ_yＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_xで表される化合物を用いることができる。ここで、前記化合物におけるｘの値は、０．０３≦ｘ≦０．２０、０．１≦ｙ≦０．５であれば輝度が高く好ましい。

赤色蛍光体層に使用する具体的な蛍光体粒子としては、Ｙ_2xＯ₃：Ｅｕ_x、もしくは（Ｙ、Ｇｄ）_1-xＢＯ₃：Ｅｕ_xで表される化合物を用いることができる。赤色蛍光体の化合物におけるｘの値は、０．０５≦ｘ≦０．２０であれば、輝度及び輝度劣化に優れており、好ましい。

以下、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の実施の形態について図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの前面ガラス基板を取り除いた概略平面図であり、図２はＰＤＰの画像表示領域の構造を断面で示す斜視図である。なお、図１においては表示電極群、表示スキャン電極群、アドレス電極群の本数などについては分かりやすくするため一部省略して図示している。

図１に示すように、ＰＤＰ１００は、前面ガラス基板１０１（図示せず）と、背面ガラス基板１０２と、Ｎ本の表示電極１０３と、Ｎ本の表示スキャン電極１０４（Ｎ本目を示す場合はその数字を付す）と、Ｍ本のアドレス電極１０７群（Ｍ本目を示す場合はその数字を付す）と、斜線で示す気密シール層１２１とからなり、表示電極１０３、表示スキャン電極１０４、アドレス電極１０７による３電極構造の電極マトリックスを有しており、表示電極１０３及び表示スキャン電極１０４とアドレス電極１０７との交点に表示セルが形成され、画像表示領域１２３が形成されている。

このＰＤＰ１００は、図２に示すように、前面ガラス基板１０１の一つの主面上に表示電極１０３、表示スキャン電極１０４、誘電体ガラス層１０５、ＭｇＯ保護層１０６が配された前面パネルと、背面ガラス基板１０２の一つの主面上にアドレス電極１０７、誘電体ガラス層１０８、隔壁１０９及び蛍光体層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂが配設された背面パネルとが張り合わされ、前面パネルと背面パネルとの間に形成される放電空間１２２内に放電ガスが封入された構成となっており、図３に示すＰＤＰ駆動装置１５０に接続されてプラズマディスプレイ装置１６０を構成している。

図３に示すように、プラズマディスプレイ装置１６０は、ＰＤＰ１００に表示ドライバ回路１５３、表示スキャンドライバ回路１５４、アドレスドライバ回路１５５を有しており、コントローラ１５２の制御に従い点灯させようとするセルに対応する表示スキャン電極１０４とアドレス電極１０７に放電電圧を印加することによりその間でアドレス放電を行い、その後表示電極１０３、表示スキャン電極１０４間にパルス電圧を印加して維持放電を行う。この維持放電により、当該セルにおいて紫外線が発生し、この紫外線により励起された蛍光体層が発光することでセルが点灯し、各色セルの点灯、非点灯の組み合わせによって画像が表示される。

次に、上述したＰＤＰ１００について、その製造方法を図４及び図５を参照しながら説明する。図４はＰＤＰの画像表示領域の構造を示す断面図である。図４において、前面パネルは、前面ガラス基板１０１上に、まず、各Ｎ本の表示電極１０３及び表示スキャン電極１０４（図２においては各２本のみ表示している。）を交互かつ平行にストライプ状に形成した後、その上を誘電体ガラス層１０５で被覆し、さらに誘電体ガラス層１０５の表面にＭｇＯ保護層１０６を形成することによって作製される。

表示電極１０３及び表示スキャン電極１０４は、ＩＴＯからなる透明電極と銀からなるバス電極とから構成される電極であり、バス電極用の銀ペーストはスクリーン印刷により塗布した後、焼成することによって形成される。

誘電体ガラス層１０５は、鉛系のガラス材料を含むペーストをスクリーン印刷で塗布した後、所定温度、所定時間（たとえば５６０℃で２０分）焼成することによって、所定の層の厚み（約２０μｍ）となるように形成する。上記鉛系のガラス材料を含むペーストとしては、たとえば、ＰｂＯ（７０ｗｔ％）、Ｂ₂Ｏ₃（１５ｗｔ％）、ＳｉＯ₂（１０ｗｔ％）及びＡｌ₂Ｏ₃（５ｗｔ％）と有機バインダー（α−ターピネオールに１０％のエチルセルロースを溶解したもの）との混合物が使用される。ここで、有機バインダーとは樹脂を有機溶媒に溶解したものであり、エチルセルロース以外に樹脂としてアクリル樹脂、有機溶媒としてブチルカービトールなども使用することができる。さらに、こうした有機バインダーに分散剤（たとえば、グリセルトリオレエート）を混入させてもよい。

ＭｇＯ保護層１０６は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成るものであり、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法（化学蒸着法）によって層が所定の厚み（約０．５μｍ）となるように形成される。

背面パネルは、まず背面ガラス基板１０２上に、電極用の銀ペーストをスクリーン印刷し、その後、焼成することによってＭ本のアドレス電極１０７が列設された状態に形成される。その上に鉛系のガラス材料を含むペーストがスクリーン印刷法で塗布されて誘電体ガラス層１０８が形成され、同じく鉛系のガラス材料を含むペーストをスクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布した後焼成することによって隔壁１０９が形成される。この隔壁１０９により、放電空間１２２はライン方向に一つのセル（単位発光領域）毎に区画される。

図４は、ＰＤＰ１００の一部断面図である。同図に示すように、隔壁１０９の間隙寸法Ｗが一定値３２インチ〜５０インチのＨＤ−ＴＶに合わせて１３０μｍ〜２４０μｍ程度に規定される。

そして、隔壁１０９と隔壁１０９の間の溝には、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、Ｚｎ／Ｓｉの元素比を２．１／１〜２．０／１とし、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ仮焼粉体をその周りをＺｎＯで遮蔽し、１０００℃〜１３５０℃でＮ₂、Ｎ₂−Ｏ₂、Ｎ₂−Ｈ₂中で焼成した緑色（Ｇ）の各蛍光体粒子と有機バインダーとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布し、これを４００〜５９０℃の温度で焼成して有機バインダーを焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂが形成される。この蛍光体層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂのアドレス電極１０７上における積層方向の厚みＬは、各色蛍光体粒子の平均粒径のおよそ８〜２５倍程度に形成することが望ましい。すなわち、蛍光体層に一定の紫外線を照射したときの輝度（発光効率）を確保するために、蛍光体層は、放電空間において発生した紫外線を透過させることなく吸収するために蛍光体粒子が最低でも８層、好ましくは２０層程度積層された厚みを保持することが望ましく、それ以上の厚みとなれば蛍光体層の発光効率はほとんどサチュレートしてしまうとともに、２０層程度積層された厚みを超えると放電空間１２２の大きさを十分に確保できなくなるからである。また、水熱合成法等により得られた蛍光体粒子のように、その粒径が十分小さく、かつ球状であれば、球状でない粒子を使用する場合と比べ積層段数が同じ場合であっても蛍光体層充填度が高まるとともに蛍光体粒子の総表面積が増加するため、蛍光体層における実際の発光に寄与する蛍光体粒子表面積が増加しさらに発光効率が高まる。この蛍光体層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂの合成方法については後述する。

このようにして作製された前面パネルと背面パネルは、前面パネルの各電極と背面パネルのアドレス電極とが直交するように重ね合わせられるとともに、パネル周縁に封着用ガラスを介挿させ、これを例えば４５０℃程度で１０〜２０分間焼成して気密シール層１２１（図１）を形成させることにより封着される。そして、一旦放電空間１２２内を高真空（例えば、１．１×１０^-4Ｐａ）に排気した後、放電ガス（例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の不活性ガス）を所定の圧力で封入することによってＰＤＰ１００が作製される。

図５は、蛍光体層１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを形成する際に用いるインキ塗布装置２００の概略構成図である。この図５に示すように、インキ塗布装置２００は、サーバ２１０、加圧ポンプ２２０、ヘッダ２３０などを備え、蛍光体インキを蓄えるサーバ２１０から供給される蛍光体インキは、加圧ポンプ２２０によりヘッダ２３０に加圧されて供給される。ヘッダ２３０にはインキ室２３０ａ及びノズル２４０が設けられており、加圧されてインキ室２３０ａに供給された蛍光体インキは、ノズル２４０から連続的に吐出されるようになっている。このノズル２４０の口径Ｄは、ノズルの目づまり防止のため３０μｍ以上、かつ塗布の際の隔壁からのはみ出し防止のため隔壁１０９間の間隔Ｗ（約１３０μｍ〜２００μｍ）以下にすることが望ましく、通常３０μｍ〜１３０μｍに設定される。

ヘッダ２３０は、図示しないヘッダ走査機構によって直線的に駆動されるように構成されており、ヘッダ２３０を走査させるとともにノズル２４０から蛍光体インキ２５０を連続的に吐出することにより、背面ガラス基板１０２上の隔壁１０９間の溝に蛍光体インキが均一に塗布される。ここで、使用される蛍光体インキの粘度は２５℃において、１５００〜５００００ＣＰの範囲に保たれている。

なお、上記サーバ２１０には図示しない攪拌装置が備えられており、その攪拌により蛍光体インキ中の粒子の沈殿が防止される。またヘッダ２３０は、インキ室２３０ａやノズル２４０の部分も含めて一体成形されたものであり、金属材料を機器加工ならびに放電加工することによって作製されたものである。

また、蛍光体層を形成する方法としては、上記方法に限定されるものではなく、例えば、フォトリソ法、スクリーン印刷法、及び蛍光体粒子を混合させたフィルムを配設する方法など、種々の方法を利用することができる。

蛍光体インキは、各色蛍光体粒子、バインダー、溶媒とが混合され、１５００〜５００００センチポアズ（ＣＰ）となるように調合されたものであり、必要に応じて、界面活性剤、シリカ、分散剤（０．１〜５ｗｔ％）等を添加してもよい。

この蛍光体インキに調合される赤色蛍光体としては、（Ｙ、Ｇｄ）_1-xＢＯ₃：Ｅｕ_x、またはＹ_2xＯ₃：Ｅｕ_xで表される化合物が用いられる。これらは、その母体材料を構成するＹ元素の一部がＥｕに置換された化合物である。ここで、Ｙ元素に対するＥｕ元素の置換量ｘは、０．０５≦ｘ≦０．２０の範囲となることが好ましい。これ以上の置換量とすると、輝度は高くなるものの輝度劣化が著しくなることから実用上使用できにくくなると考えられる。一方、この置換量以下である場合には、発光中心であるＥｕの組成比率が低下し、輝度が低下して蛍光体として使用できなくなるためである。

緑色蛍光体としては、Ｚｎ／Ｓｉの元素比を２．１／１〜２．０／１とし、仮焼後、ＺｎＯで密閉された状態でＮ₂中、Ｎ₂−Ｈ₂中、Ｎ₂−Ｏ₂中で焼成した〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕で表される化合物が用いられる。〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕は、その母体材料を構成するＺｎ元素の一部がＭｎに置換された化合物である。ここで、Ｚｎ元素に対するＭｎ元素の置換量ｘは、０．０１≦ｘ≦０．２０の範囲となることが好ましい。

青色蛍光体としては、Ｂａ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_x、またはＢａ_1-x-yＳｒ_yＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_xで表される化合物が用いられる。Ｂａ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_x、Ｂａ_1-x-yＳｒ_yＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_xは、その母体材料を構成するＢａ元素の一部がＥｕあるいはＳｒに置換された化合物である。ここで、Ｂａ元素に対するＥｕ元素の置換量ｘは、上記と同様の理由により、前者の青色蛍光体は０．０３≦ｘ≦０．２０、０．１≦ｙ≦０．５の範囲となることが好ましい。

これらの蛍光体の合成方法については後述する。

蛍光体インキに調合されるバインダーとしては、エチルセルロースやアクリル樹脂を用い（インキの０．１〜１０ｗｔ％を混合）、溶媒としては、α−ターピネオール、ブチルカービトールを用いることができる。なお、バインダーとして、ＰＭＡやＰＶＡなどの高分子を、溶媒として、ジエチレングリコール、メチルエーテルなどの有機溶媒を用いることもできる。

本実施の形態においては、蛍光体粒子には、溶液法、噴霧焼成法により製造されたものが用いられる。

(1)青色蛍光体
（Ｂａ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_xについて）
まず、原料となる硝酸バリウムＢａ（ＮＯ₃）₂、硝酸マグネシウムＭｇ（ＮＯ₃）₂、硝酸アルミニウムＡｌ（ＮＯ₃）₃、硝酸ユーロピウムＥｕ（ＮＯ₃）₂をモル比が１−ｘ：１：１０：ｘ（０．０３≦ｘ≦０．２５）となるように混合し、これを水性媒体に溶解して混合液を作製する。次に水和混合液を乾燥後、空気中で６００℃〜１０００℃で焼成して仮焼粉体を作製する。

次に、この仮焼粉体を還元雰囲気下（例えば水素を５％、窒素を９５％含む雰囲気）で、所定温度、所定時間（例えば、１３５０℃で２時間）焼成し、次にこれを分級することにより所望の青色蛍光体Ｂａ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_xを得ることができる。

また、前記水和混合物を金あるいは、白金の容器に入れずに、この水和混合物をノズルから高温炉に吹き付けて蛍光体を合成する噴霧法によっても青色蛍光体を作製できる。

（Ｂａ_1-x-yＳｒ_yＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_xについて）
この蛍光体は、上述したＢａ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_xと原料が異なるのみで固相反応法で作製する。以下、その使用する原料について説明する。

原料として、水酸化バリウムＢａ（ＯＨ）₂、水酸化ストロンチウムＳｒ（ＯＨ）₂、水酸化マグネシウムＭｇ（ＯＨ）₂、水酸化アルミニウムＡｌ（ＯＨ）₃、水酸化ユーロピウムＥｕ（ＯＨ）₂を必要に応じたモル比となるように秤量し、これらをフラックスとしてのＡｌＦ₃と共に混合し、所定の温度（１３００℃〜１４００℃）、焼成時間（１２〜２０時間）を経ることにより、Ｍｇ、Ａｌを４価のイオンで置換したＢａ_1-x-yＳｒ_yＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_xを得ることができる。本方法で得られる蛍光体粒子の平均粒径は、０．１μｍ〜３．０μｍ程度のものが得られる。

次に、これを還元雰囲気下、例えば水素を５％、窒素を９５％の雰囲気で所定温度（１０００℃から１６００℃で２時間）で焼成後、空気分級機によって分級して蛍光体粉を作製する。

なお蛍光体の原料として、酸化物、硝酸塩、水酸化物を主に用いたが、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｅｕ、等の元素を含む有機金属化合物、例えば金属アルコキシド、やアセチルアセトン等を用いて蛍光体を作製することもできる。

(2)緑色蛍光体
〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄について〕
図６は、緑色蛍光体を本焼成する時に用いる焼成炉の概略断面図である。図６において、３００は電気炉本体、３１０は仮焼粉体を入れるＺｎＯあるいはＡｌ₂Ｏ₃製の坩堝、３２０は仮焼粉体、３３０はＺｎＯ粉体、３４０は加熱ヒータ、３５０はＺｎＯあるいはＡｌ₂Ｏ₃製の坩堝である。

まず、（固相法で作製する場合）原料である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化マンガンＭｎＯを、先ずＺｎとＭｎのモル比で１−ｘ：ｘ（０．０１≦ｘ≦０．２０）となるように混合し、次にＺｎとＳｉの原子比を２．１／１〜２．０／１になるよう原料を必要に応じてフラックス（ＺｎＦ₂、ＭｎＦ₂）と共に混合し、この混合物を、６５０℃〜９００℃で２時間仮焼成する。次に、これを凝集物がほぐれる程度に軽く粉砕し、次にこれをＡｌ₂Ｏ₃あるいは、ＺｎＯ製坩堝３１０に入れ、この坩堝の周りをＺｎＯ粉体３３０とＺｎＯ坩堝３５０で覆い、Ｎ₂、Ｎ₂−Ｏ₂、Ｎ₂−Ｈ₂雰囲気中で１０００℃〜１３５０℃で焼成して緑色蛍光体を作製する。この時ＺｎＯ製の坩堝３５０やＺｎＯ粉体３３０の周囲に炉のヒータ３４０がくるようにすれば、ＺｎＯ坩堝３５０、３１０やＺｎＯ粉体３３０の方がＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ仮焼粉体３２０より若干温度が高くなる。炉の坩堝３５０の周りのヒータ３４０のパワー制御とＮ₂、Ｎ₂−Ｏ₂、Ｎ₂−Ｈ₂のガスの流し方で坩堝３５０、３１０やＺｎＯ粉体３３０側の温度とＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ仮焼粉体３２０側の温度をコントロールする。

次に、緑色蛍光体を水溶液法で作製する場合は、まず、混合液作製工程において、原料である、硝酸亜鉛Ｚｎ（ＮＯ₃）₂、硝酸マンガンＭｎ（ＮＯ₃）₂、珪酸エチル〔Ｓｉ（Ｏ・Ｃ₂Ｈ₅）₄〕がモル比で、先ず硝酸亜鉛と硝酸マンガンのモル比を１−ｘ：ｘ（０．０１≦ｘ≦０．２０）となるように混合し、次にＺｎ（ＮＯ₃）₂と〔Ｓｉ（Ｏ・Ｃ₂Ｈ₅）₄〕の配合においてＺｎとＳｉの元素比が２．１／１〜２．０／１になるよう原料を混合し、これをイオン交換水に投入して混合液を作製する。

次に、水和工程においてこの混合液に塩基性水溶液、例えばアンモニア水溶液を滴下することにより、水和物を形成させる。その後、この水和物を６００℃〜９００℃で仮焼成し、次にこの仮焼成物を固相法と同様にして、Ａｌ₂Ｏ₃あるいは、ＺｎＯ製坩堝に入れ、この坩堝の周りをＺｎＯ粉体とＺｎＯ坩堝で覆いＮ₂、Ｎ₂−Ｏ₂、Ｎ₂−Ｈ₂雰囲気中で１０００℃〜１３５０℃で焼成して緑色蛍光体を作製する。

(3)赤色蛍光体
（（Ｙ、Ｇｄ）_1-xＢＯ₃：Ｅｕ_xについて）
混合液作製工程において、原料である、硝酸イットリウムＹ₂（ＮＯ₃）₃と水硝酸ガドリミウムＧｄ₂（ＮＯ₃）₃とホウ酸Ｈ₃ＢＯ₃と硝酸ユーロピウムＥｕ₂（ＮＯ₃）₃を混合し、モル比が１−ｘ：２：ｘ（０．０５≦ｘ≦０．２０）（ＹとＧｄの比は６５対３５）となるように混合し、次にこれを空気中で１２００℃〜１３５０℃で２時間熱処理後、分級して赤色蛍光体を得る。

（Ｙ_2xＯ₃：Ｅｕ_xについて）
混合液作製工程において、原料である、硝酸イットリウムＹ₂（ＮＯ₃）₂と硝酸ユーロピウムＥｕ（ＮＯ₃）₂を混合し、モル比が２−ｘ：ｘ（０．０５≦ｘ≦０．３０）となるようにイオン交換水に溶解して混合液を作製する。

次に、水和工程において、この水溶液に対して塩基性水溶液（例えば、アンモニア水溶液）を添加し、水和物を形成させる。

その後、水熱合成工程において、この水和物とイオン交換水を白金や金などの耐食性、耐熱性を持つものからなる容器中に入れ、例えばオートクレーブを用いて高圧容器中で温度１００〜３００℃、圧力０．２Ｍ〜１０ＭＰａの条件下で、３〜１２時間水熱合成を行う。その後、得られた化合物の乾燥を行い、所望のＹ_2xＯ₃：Ｅｕ_xが得られる。次にこの蛍光体を空気中で１３００℃〜１４００℃で２時間アニール後、分級して赤色蛍光体とする。この水熱合成工程により、得られる蛍光体は粒径が０．１μｍ〜２．０μｍ程度となり、かつその形状が球状となる。この粒径、形状は発光特性に優れた蛍光体層を形成するのに適している。

なお、上述したＰＤＰ１００の蛍光体層１１０Ｒ、１１０Ｂについては、従来用いられてきた蛍光体で、蛍光体層１１０Ｇについては、蛍光体を構成する〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕の表面を正の帯電にした緑色蛍光体粒子を使用した。特に、従来の緑色蛍光体は、本発明の緑色蛍光体と比べて、負に帯電しているため蛍光体工程中ノズルの目づまりが起こりやすく、また緑色を発光させた時の輝度は低下する傾向があったが、本発明にかかる製造方法により製造された緑色蛍光体を使用すれば、緑色セルの蛍光体塗布工程中ノズルの目づまりがなく、またパネルの色ずれやアドレス放電ミスも起こらない。したがって、白表示の時の輝度を上げることができる。

〔評価実験１〕
以下、本発明のプラズマディスプレイ装置の性能を評価するために、上記実施の形態に基づくサンプルを作製し、そのサンプルについて性能評価実験を行い、実験結果を検討する。

作製した各プラズマディスプレイ装置は、４２インチの大きさを持ち（リブピッチ１５０μｍのＨＤ−ＴＶ仕様）誘電体ガラス層の厚みは２０μｍ、ＭｇＯ保護層の厚みは０．５μｍ、表示電極と表示スキャン電極の間の距離は０．０８ｍｍとなるように作製した。また、放電空間に封入される放電ガスは、ネオンを主体にキセノンガスを５％混合したガスで所定の放電ガス圧で封入されている。

サンプル１〜１０のプラズマディスプレイ装置に用いるＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ緑色蛍光体粒子には、ＺｎとＳｉの元素比が２．１／１〜２．０／１で、この蛍光体の仮焼粉体をＡｌ₂Ｏ₃あるいは、ＺｎＯ製坩堝に入れ、この坩堝の周りをＺｎＯ粉体とＺｎＯ坩堝で覆い、Ｎ₂、Ｎ₂−Ｏ₂、Ｎ₂−Ｈ₂雰囲気中で１０００℃〜１３５０℃で焼成した〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕蛍光体を用いた。それぞれの合成条件を表１に示す。

サンプル１〜４は、固相合成法で作製した〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕緑色蛍光体を、赤色蛍光体には（Ｙ、Ｇｄ）_1-xＢＯ₃：Ｅｕ_xを、青色蛍光体には（Ｂａ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_x）をそれぞれ用いた組み合わせのものであり、蛍光体の合成の方法、発光中心となるＭｎ、Ｅｕの置換比率、すなわちＺｎ元素に対するＭｎの置換比率、及びＹ、Ｂａ元素に対するＥｕの置換比率及び、緑色の場合、Ｚｎに対するＳｉの元素比及び焼成条件を表１のように変化させたものである。

サンプル５〜９は、赤色蛍光体に（Ｙ_2xＯ₃：Ｅｕ_x）、液相法で作製した緑色蛍光体〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕、青色蛍光体に（Ｂａ_1-x-yＳｒ_yＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ_x）を用いた組み合わせのものであり、上記と同様、蛍光体合成方法の条件及び、緑色の場合のＺｎに対するＳｉの元素比及び焼成条件を表１のように変化させたものである。

また、蛍光体層の形成に使用した蛍光体インキは、表１に示す各蛍光体粒子を使用して蛍光体、樹脂、溶剤、分散剤を混合して作製した。

そのときの蛍光体インキの粘度（２５℃）について測定した結果を、いずれも粘度が１５００〜５００００ＣＰの範囲に保たれている。形成された蛍光体層を観察したところ、いずれも隔壁壁面に均一に蛍光体インキが塗布されていた。

また、この時塗布に使用されたノズルの口径は１００μｍであり、蛍光体層に使用される蛍光体粒子については、平均粒径０．１〜３．０μｍ、最大粒径８μｍ以下の粒径のものが各サンプルに使用されている。

サンプル１０は、緑色蛍光体の原料配合時のＺｎ／Ｓｉの元素比を、１．９／１としたサンプルで、サンプル１１は、同じくＺｎ／Ｓｉの元素比を２．２／１とした比較サンプルである。サンプル１２は、従来例の緑色蛍光体で、原料の配合時のＺｎ／Ｓｉの元素比が２．０／１で、通常の坩堝（Ａｌ₂Ｏ₃製坩堝）のみで焼成したサンプルである。サンプル１３は、緑色蛍光体の原料配合時のＺｎ／Ｓｉの比が２．０／１で、仮焼粉体の焼成温度は本発明と同じで、ＺｎＯで坩堝を覆うが、本焼成時の温度が９００℃と低くしたサンプルである。

（実験１）
作製されたサンプル１〜９及び比較サンプル１０〜１３について、先ず作製した緑色蛍光体をグローオフ法を用いて還元鉄粉に対する帯電量を調べた（照明学会誌 第７６巻第１０号 平成４年 ＰＰ１６〜２７）。

（実験２）
作製されたサンプル１〜９及び比較サンプル１０〜１３について、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析装置）を用いて表面近傍（約１０ｎｍ）のＺｎとＳｉの元素比を測定した。

（実験３）
パネル製造工程後のパネルの全白時の輝度と、緑色及び青色の輝度を輝度計を用いて測定した。

（実験４）
パネルを点灯した時の全面白表示時と緑色表示時の輝度劣化変化率の測定は、プラズマディスプレイ装置に電圧１８５Ｖ、周波数１００ｋＨｚの放電維持パルスを１０００時間連続して印加し、その前後におけるパネル輝度を測定し、そこから輝度劣化変化率（＜〔印加後の輝度−印加前の輝度〕／印加前の輝度＞＊１００）を求めた。

また、アドレス放電時のアドレスミスについては画像を見てちらつきがあるかないかで判断し、１個所でもあればありとしている。

（実験５）
緑色蛍光体インキをノズル口径１００μｍのノズルを用いて１００時間連続塗布した時のノズルの目づまりの有無を調べた。

これら実験１〜５の緑色の輝度及び輝度劣化変化率についての結果及びノズルの目づまりの結果を表２に示す。

表２に示すように比較サンプル１０、１１において、サンプル１０は、原料のＺｎとＳｉの元素比が１．９／１で、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：ＭｎのＺｎ／Ｓｉの比が化学量論比よりＳｉがリッチなため、−帯電しておりパネルの緑色と青色の輝度劣化が大きく、またアドレスミスやノズルの目づまりも起こる。サンプル１１は、原料のＺｎとＳｉの比が、２．２／１とＺｎがリッチで粉体の帯電は＋であるが、Ｚｎが化学量論比より多いため蛍光体が結晶性が悪化し、緑色の輝度が低いパネルになっている。また、表２に示すように比較サンプル１２は、従来の製造法（通常のＡｌ₂Ｏ₃製坩堝を使用し、ＺｎＯ粉体で坩堝を覆わない）で作製した緑色蛍光体を使用したパネルで、坩堝をＺｎＯで遮蔽していないため、ＺｎＯが選択的に表面から昇華しておりＺｎ／Ｓｉの比が１．９２／１とＳｉがリッチになっており、負に帯電し、加速寿命における緑色の輝度劣化率が大きく、アドレスミスやノズルの目づまりも起こる。

比較サンプル１３は、坩堝の周りをＺｎＯ粉体で覆うが、本焼成温度が９００℃と低いため、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎの結晶化が不十分で、輝度が低く緑色の輝度劣化も大きいパネルとなっている。これに対して、Ｚｎ／Ｓｉの比を２．０／１〜２．１／１の元素比で配合し、仮焼後、坩堝に入れてその周りをＺｎＯで覆い、１０００℃〜１３５０℃で作製したサンプル１〜９の緑色蛍光体は、正あるいは０の帯電を有するため、パネルの緑色や青色の輝度の低下が比較例１０〜１３と比べて低く、しかもアドレスミスや蛍光体塗布時のノズルの目づまりもない。これは、負に帯電している緑色蛍光体である〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕を正または０の帯電にすることにより、パネル放電空間中に存在するネオンイオン（Ｎｅ⁺）やＣＨ_x系のイオン（ＣＨ_x ⁺）等の正イオンの衝撃を受けにくくなったため、輝度劣化が少なくなったと考えられ、また青色も若干イオンの衝撃を受けるのが緩和されている。

またアドレスミスがなくなったのは、緑色の帯電が、赤色、青色と同じ正の帯電になり、アドレス放電が均一化したためである。またノズルの目づまりがなくなった理由は、バインダー中のエチルセルロースが正帯電の緑色蛍光体には吸着しやすいため蛍光体インキの分散性が向上したためと考えられる。

以上述べてきたように、蛍光体層を構成する緑色蛍光体〔（Ｚｎ_1-xＭｎ_x）₂ＳｉＯ₄〕の帯電状態を正（＋）または０にすることによって、蛍光体層の塗布状態の均一化及び劣化防止を図り、あわせてパネルの輝度及び寿命、信頼性の向上を実現することができ、プラズマディスプレイ装置の性能向上に有用となる。

本発明の一実施の形態によるプラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板を除いた平面図 同パネルの画像表示領域の構造を部分断面で示す斜視図 プラズマディスプレイ装置のブロック図 パネルの画像表示領域の構造を示す部分断面図 蛍光体層を形成する際に用いるインキ塗布装置の概略構成図 緑色蛍光体を本焼成する際に用いる焼成炉の概略断面図

符号の説明

１００ ＰＤＰ
１０１ 前面ガラス基板
１０３ 表示電極
１０４ 表示スキャン電極
１０５ 誘電体ガラス層
１０６ ＭｇＯ保護層
１０７ アドレス電極
１０８ 誘電体ガラス層
１０９ 隔壁
１１０Ｒ 蛍光体層（赤）
１１０Ｇ 蛍光体層（緑）
１１０Ｂ 蛍光体層（青）
１２２ 放電空間

Claims (5)

1. 放電セルが複数配列されるとともに、各放電セルに対応する色の蛍光体層が配設され、前記蛍光体層が紫外線により励起されて発光するプラズマディスプレイパネルを備えたプラズマディスプレイ装置であって、前記蛍光体層はＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを有する緑色蛍光体層を有し、前記Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎよりなる緑色蛍光体は、少なくとも表面近傍の亜鉛（Ｚｎ）と珪素（Ｓｉ）の元素比が２／１以上で付活剤をＭｎとするものであることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
2. 放電セルが複数配列されるとともに、各放電セルに対応する色の蛍光体層が配設され、前記蛍光体層が紫外線により励起されて発光するプラズマディスプレイパネルを備えたプラズマディスプレイ装置であって、前記蛍光体層はＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎを有する緑色蛍光体層を有し、前記Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎよりなる緑色蛍光体は、少なくとも表面近傍の亜鉛（Ｚｎ）と珪素（Ｓｉ）の元素比が２／１〜２．０９／１で＋または０に帯電していることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
3. 緑色蛍光体を構成する元素〔Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ〕を含む硝酸塩あるいは有機金属塩を水に溶解後、加水分解して共沈物を作製する工程と、前記共沈物を空気中６００℃〜９００℃で焼成する仮焼工程と、前記仮焼物をＺｎＯ粉体で遮蔽された状態で、１０００℃〜１３５０℃で焼成する工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置用蛍光体の製造方法。
4. 緑色蛍光体を構成する元素〔Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｎ〕を含むこれらの酸化物や炭酸化物原料を混合する蛍光体原料混合工程と、前記混合原料を空気中６００℃〜９００℃で焼成する仮焼工程と、前記仮焼物をＺｎＯ粉体で遮蔽された状態で、１０００℃〜１３５０℃で焼成する工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置用蛍光体の製造方法。
5. 仮焼体が配置される場所の温度が、ＺｎＯ粉体の配置される場所の温度よりも低いことを特徴とする請求項３または４記載のプラズマディスプレイ装置用蛍光体の製造方法。

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