JP2005099156A - ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】２００ｎｍ以下、特にＦ2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、より具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ表面ラフネス、現像欠陥、現像残渣（スカム）、解像力が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（Ｘ）及び一般式（Ｙ）で表される特定の繰り返し単位を２種有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。
【選択図】 なし
【解決手段】（Ａ）一般式（Ｘ）及び一般式（Ｙ）で表される特定の繰り返し単位を２種有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
本発明は、超ＬＳＩ、高容量マイクロチップの製造などのマイクロリソグラフィープロセスや、その他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。
集積回路はその集積度を益々高めており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては、クオーターミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要とされるようになってきた。パターンの微細化を図る手段の一つとして、レジストのパターン形成の際に使用される露光光源の短波長化が知られている。
例えば６４Ｍビットまでの集積度の半導体素子の製造には、現在まで高圧水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）が光源として使用されてきた。この光源に対応するポジ型レジストとしては、ノボラック樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合物を含む組成物が、数多く開発され、０．３μｍ程度までの線幅の加工においては十分な成果をおさめてきた。また２５６Ｍビット以上集積度の半導体素子の製造には、ｉ線に代わりＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）が露光光源として採用されてきた。
更に１Ｇビット以上の集積度の半導体製造を目的として、近年より短波長の光源であるＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）の使用、更には０．１μｍ以下のパターンを形成する為にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の使用が検討されている。
これら光源の短波長化に合わせ、レジスト材料の構成成分及びその化合物構造も大きく変化している。
ＫｒＦエキシマレーザー光による露光用のレジスト組成物として、２４８ｎｍ領域での吸収の小さいポリ（ヒドロキシスチレン）を基本骨格とし酸分解基で保護した樹脂を主成分として用い、遠紫外光の照射で酸を発生する化合物（光酸発生剤）を組み合わせた組成物、所謂化学増幅型レジストが開発されてきた。
また、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）露光用のレジスト組成物として、１９３ｎｍに吸収を持たない脂環式構造をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した酸分解性樹脂を使用した化学増幅型レジストが開発されてきている。
Ｆ2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）に対しては、上記脂環型樹脂においても１５７ｎｍ領域の吸収が大きく、目的とする０．１μｍ以下のパターンを得るには不十分であることが判明した。これに対し、フッ素原子を導入した樹脂が１５７ｎｍに十分な透明性を有することが知られており、有効なフッ素樹脂の構造が特許文献１（特開２００３−８９７０８号）、特許文献２（特開２００３−８２０３０号）、非特許文献１（ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジー（Journal of Photopolymer Sciennce and Technology)Vol.16. 4 (2003）607-614）等に提案され、フッ素樹脂を含有するレシスト組成物の検討がなされている。特許文献３〜５（ＵＳ２００２／１０２４９０Ａ１、ＵＳ２００２／１４６６３８Ａ１、特開２００２−２３４９１６号）は、酸分解性性基を有する（α−トリフルオロメチル）アクリレート、ノルボルネン系モノマーを共重合した樹脂を含有するポジ型レジスト材料を開示している。
しかしながら、フッ素樹脂を含有するレジスト組成物は、表面ラフネス、現像欠陥、現像残渣（スカム）、解像力などに問題があり、これらの点の解決が望まれていた。
従って、本発明の目的は、２００ｎｍ以下、特にＦ2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、より具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ表面ラフネス、現像欠陥、現像残渣（スカム）、解像力が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。
本発明者等は、上記諸特性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特定の組成物によって達成されることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明は下記構成である。
（１）（Ａ）下記一般式（Ｘ）で表される繰り返し単位、および一般式（Ｙ）で表される繰り返し単位、を含有する酸の作用により分解しアルカリ現像液への溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
式（Ｘ）において、Ｒax、Ｒbx及びＲcxは、各々独立に、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ｚは炭素数１〜２０のヘテロ原子を有していてもよい有機基を示す。
式（Ｙ）において、Ｒay、Ｒby及びＲcyは、各々独立に、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒｅは酸の作用により分解する基を表す。
式（Ｙ）において、Ｒay、Ｒby及びＲcyは、各々独立に、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒｅは酸の作用により分解する基を表す。
（２） 樹脂（Ａ）がさらに、水酸基が連結した環状炭素構造を含有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記（１）に記載のポジ型レジスト組成物。
（３） 請求項２記載の水酸基、ヒドロキシアルキル基、または一般式（Ｚ）から選択される基が連結した環状炭素構造を含有する繰り返し単位が一般式（Ｉａ）、（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される繰り返し単位であることを特徴とする上記（２）に記載のポジ型レジスト組成物。
一般式（Ｉａ）〜（ＩＩＩａ）中、
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、各々独立に、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｌ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｌａは、０又は１を表し、ｌｂは、０〜２の整数を表し、ｌｃは、０〜５の整数を表す。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、各々独立に、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｌ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｌａは、０又は１を表し、ｌｂは、０〜２の整数を表し、ｌｃは、０〜５の整数を表す。
一般式（ＩＶ）〜（Ｖ）中、
Ｒa及びＲbは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
Ｒｆは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｌ2は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−基又は−Ｏ−基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｒｇ及びＲｈは、各々独立に、水素原子、水酸基又はヒドロキシアルキル基を表す。但し、Ｒｇ及びＲｈの内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｃは、１〜５の整数を表す。
Ｒa及びＲbは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
Ｒｆは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｌ2は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−基又は−Ｏ−基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｒｇ及びＲｈは、各々独立に、水素原子、水酸基又はヒドロキシアルキル基を表す。但し、Ｒｇ及びＲｈの内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｃは、１〜５の整数を表す。
（４） 樹脂（Ａ）がさらに、一般式（Ｉｂ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩａ）、（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
一般式（Ｉｂ）〜（ＩＩＩｂ）中、
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、各々独立に、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｌ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｌａは、０又は１を表し、ｌｂは、０〜２の整数を表し、ｌｃは、０〜５の整数を表す。
Ｙ1〜Ｙ3は酸の作用により分解する基を表す。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、各々独立に、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｌ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｌａは、０又は１を表し、ｌｂは、０〜２の整数を表し、ｌｃは、０〜５の整数を表す。
Ｙ1〜Ｙ3は酸の作用により分解する基を表す。
一般式（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）中、
Ｘ1及びＸ2は、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒｍは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
Ｘ1及びＸ2は、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒｍは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
更に好ましい態様として以下の構成を挙げることができる。
（５）（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物として、（Ｂ１）活性光線又は放射線の照射により、有機スルホン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（５）（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物として、（Ｂ１）活性光線又は放射線の照射により、有機スルホン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（６）（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物として、更に、（Ｂ２）活性光線又は放射線の照射により、カルボン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする上記（５）に記載のポジ型レジスト組成物。
（７） （Ａ）成分の樹脂が、重量平均分子量が３０００〜３００００で、且つ分子量分散度が１．１〜１．５であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（８） （Ａ）成分の樹脂が、ラジカル重合によって得られたポリマーから、分子量の低い成分を除去する操作を経て得られたものであることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（９） 更に、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類と、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類又は乳酸アルキル類とを混合した混合溶剤を含有することを特徴とする（１）〜（８）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（１０） 上記（１）〜（９）のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
本発明により、表面ラフネス、現像欠陥、スカム、解像力が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いた良好なパターン形成方法が提供される。
以下、本発明について詳細に説明する。
尚、本明細書に於ける基（原子団）の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。また、−Ｃ(Ｒ1)(Ｒ2)(Ｒ3)又は−ＣＲ1Ｒ2Ｒ3という表記は、炭素原子にＲ1〜Ｒ3で表される各基が単結合で結合している基を意味する。
〔１〕（Ａ）酸の作用により分解しアルカリ現像液への溶解度が増大する樹脂
本発明のポジ型レジスト組成物が含有する酸の作用により分解しアルカリ現像液への溶解度が増大する樹脂（酸分解性樹脂）は、下記一般式（Ｘ）で表される繰り返し単位、および一般式（Ｙ）で表される繰り返し単位を含有する樹脂（樹脂（Ａ））である。
本発明のポジ型レジスト組成物が含有する酸の作用により分解しアルカリ現像液への溶解度が増大する樹脂（酸分解性樹脂）は、下記一般式（Ｘ）で表される繰り返し単位、および一般式（Ｙ）で表される繰り返し単位を含有する樹脂（樹脂（Ａ））である。
樹脂（Ａ）は、酸の作用により、酸の作用により分解する基が分解してカルボキシル基、水酸基などのアルカリ可溶性基が形成され、これにより酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する。
式（Ｘ）において、Ｒax、Ｒbx及びＲcxは、各々独立に、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ｚは炭素数１〜２０のヘテロ原子を有していてもよい有機基を示す。
式（Ｙ）において、Ｒay、Ｒby及びＲcyは、各々独立に、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒｅは酸の作用により分解する基を表す。
式（Ｙ）において、Ｒay、Ｒby及びＲcyは、各々独立に、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒｅは酸の作用により分解する基を表す。
一般式（Ｘ）及び（Ｙ）において、Ｒax、Ｒbx、Ｒcx、Ｒay、Ｒby及びＲcyは、は、各々、水素原子、メチル基、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基を表す。Ｒax、Ｒbx、Ｒay及びＲbyとしては水素原子が好ましく、Ｒcx及びＲcyとしては水素原子、メチル基、またはトリフルオロメチル基が好ましい。
式（Ｘ）におけるＺとしてのヘテロ原子を有していてもよい有機基は、炭素数１〜２０の有機基が好ましく、炭素数１〜１４の有機基がより好ましい。なかでも環状炭素構造である芳香環、脂環構造が好ましい。具体的にはベンゼン環、シクロアルカン環、架橋構造を有する脂環が好ましく、脂環構造としてはノルボルネン、アダマンタン構造が好ましい。
また、Ｚとしての有機基はフッ素原子、フルオロアルキル基から選ばれる基を有していることが好ましい。さらに水酸基、シアノ基から選ばれる基を有していることが好ましい。
また、Ｚとしての有機基はフッ素原子、フルオロアルキル基から選ばれる基を有していることが好ましい。さらに水酸基、シアノ基から選ばれる基を有していることが好ましい。
Ｒｅとしての酸の作用により分解する基（以下、「酸分解性基」ともいう）は、例えば−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（ＯＲ39）、−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、−Ｃ（Ｒ01）（Ｒ02）（ＯＲ39）、−Ｃ（Ｒ01）（Ｒ02）ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）等が挙げられる。
Ｒ36〜Ｒ39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。Ｒ36とＲ39とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ01、Ｒ02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ36〜Ｒ39、Ｒ01及びＲ02のアルキル基としては、炭素数１〜８個のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等を挙げることができる。
Ｒ36〜Ｒ39、Ｒ01及びＲ02のシクロアルキル基としては、単環型でもよく、多環型でのよい。単環型としては、炭素数３〜８個のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数６〜２０個のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。尚、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Ｒ36〜Ｒ39、Ｒ01及びＲ02のアリール基としては、炭素数６〜１０個のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、９，１０−ジメトキシアントリル基等を挙げることができる。
Ｒ36〜Ｒ39、Ｒ01及びＲ02のアラルキル基としては、炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
Ｒ36〜Ｒ39、Ｒ01及びＲ02のアルケニル基としては、炭素数２〜８個のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基等を挙げることができる。
Ｒ36〜Ｒ39、Ｒ01及びＲ02が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができる。
以下、一般式（Ｘ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
一般式（Ｘ）で表される基を有するモノマーは、一般に、臭化アリル等のハロゲン化アリル化合物に、塩基性触媒存在下でアルコール化合物またはカルボン酸化合物を反応させることにより得られる。
以下、一般式（Ｙ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
樹脂（Ａ）は、水酸基が連結した環状炭素構造を含有する繰り返し単位を含有することが好ましい。
水酸基が連結した環状炭素構造としては、好ましくは、ヒドロキシアルキル基が連結した環状炭素構造、より好ましくは、後述の一般式（Ｚ）で表される基が連結した環状炭素構造を挙げることができる。
水酸基が連結した環状炭素構造としては、好ましくは、ヒドロキシアルキル基が連結した環状炭素構造、より好ましくは、後述の一般式（Ｚ）で表される基が連結した環状炭素構造を挙げることができる。
環状炭素構造としては、例えば、環骨格中にヘテロ原子を有していてもよい脂環基（好ましくは炭素数３〜３０、例えば、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環）又は芳香環基（好ましくは炭素数３〜３０、例えばベンゼン環、ナフタレン環）を挙げることができる。
水酸基は直接、環状炭素構造に結合していてもよいし、連結基を介して、環状炭素構造に結合していてもよい。連結基としては、アルキレン、オキシアルキレン、チオアルキレン、オキシカルボニルアルキレン等を挙げることができ、好ましくはアルキレン基（好ましくは炭素数２〜６）を挙げることができる。アルキレン基は置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子等を挙げることができ、特にフッ素原子が好ましい。
環状炭素構造は、ヒドロキシアルキル基として水酸基を有することが好ましい。ヒドロキシアルキル基としては、炭素数１〜２５が好ましく、炭素数１〜１５がより好ましく、炭素数２〜１０が更に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよく、フッ素原子を置換基として有するヒドロキシアルキル基が好ましい。
水酸基は直接、環状炭素構造に結合していてもよいし、連結基を介して、環状炭素構造に結合していてもよい。連結基としては、アルキレン、オキシアルキレン、チオアルキレン、オキシカルボニルアルキレン等を挙げることができ、好ましくはアルキレン基（好ましくは炭素数２〜６）を挙げることができる。アルキレン基は置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子等を挙げることができ、特にフッ素原子が好ましい。
環状炭素構造は、ヒドロキシアルキル基として水酸基を有することが好ましい。ヒドロキシアルキル基としては、炭素数１〜２５が好ましく、炭素数１〜１５がより好ましく、炭素数２〜１０が更に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよく、フッ素原子を置換基として有するヒドロキシアルキル基が好ましい。
さらに、環状炭素構造は、一般式（Ｚ）で表される基として水酸基を有することが特に好ましい。一般式（Ｚ）で表される基は、環状構造に直接連結していてもよいし、連結基を介して結合していてもよい。
Ｌ1は単結合またはメチレン基を表す。Ｒ1z〜Ｒ6zはフッ素原子、フルオロアルキル基または水素原子を表し、好ましくはフッ素原子である。但しＲ1z〜Ｒ6zの少なくとも１つはフッ素原子である。Ｒ1z〜Ｒ6zのうちの一つは炭素鎖を介して樹脂の主鎖に繋がって環を形成していても良い。また、Ｒ4zは、単結合として、もしくは２価の連結基として、樹脂の主鎖を形成する炭素原子に連結していても良い。
Ｒ1z〜Ｒ6zとしてのフルオロアルキル基は、炭素数１〜６個のものが好ましく、炭素数１〜３個のものが更に好ましい。フルオロアルキル基の具体例としては、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−フルオロプロピル基等を挙げることができる。
Ｒ1z〜Ｒ6zとしてのフルオロアルキル基は、炭素数１〜６個のものが好ましく、炭素数１〜３個のものが更に好ましい。フルオロアルキル基の具体例としては、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−フルオロプロピル基等を挙げることができる。
具体的には一般式（Ｉａ）、（ＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される繰り返し単位が挙げられる。
一般式（Ｉａ）〜（ＩＩＩａ）中、
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、各々独立に、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｌ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｌａは、０又は１を表し、ｌｂは、０〜２の整数を表し、ｌｃは、０〜５の整数を表す。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、各々独立に、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｌ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｌａは、０又は１を表し、ｌｂは、０〜２の整数を表し、ｌｃは、０〜５の整数を表す。
一般式（Ｉａ）〜（ＶＩ）に於けるＲａ〜Ｒｃ、Ｒ11〜Ｒ16、Ｒ21〜Ｒ26、Ｒ41〜Ｒ46のフルオロアルキル基は、少なくとも１つの水素原子がフルオロ化されたアルキル基であり、炭素数１〜６個のものが好ましく、炭素数１〜３個のものが更に好ましい。フルオロアルキル基の具体例としては、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−フルオロプロピル基等を挙げることができる。
Ｒａ〜Ｒｃ、Ｒ11〜Ｒ16、Ｒ21〜Ｒ26、Ｒ41〜Ｒ46のフルオロアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができる。
Ｒａ〜Ｒｃは、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが好ましい。
Ｒ11〜Ｒ16、Ｒ21〜Ｒ26、Ｒ41〜Ｒ46は、フッ素原子であることが好ましい。
ＡＲの脂環式炭化水素構造は、単環でも、多環でもよい。具体的には、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ等の脂環式炭化水素構造を挙げることができる。その炭素数は６〜３０個が好ましく、特に炭素数７〜２５個が好ましい。
ＡＲの脂環式炭化水素構造の好ましいものとしては、アダマンタン、ノルアダマンタン、デカリン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、ノルボルナン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、シクロドデカン等を挙げることができる。より好ましくは、アダマンタン、ノルボルナン、シクロヘキサンを挙げることができる。
ＡＲの脂環式炭化水素構造は、更に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）等を置換基として有していてもよい。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3のアルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基等を挙げることができる。 Ｒk1、Ｒk2及びＲk3のアルキル基は、フッ素原子等の置換基を有していてもよい。
ｌａ、ｌｂ、ｌｃの合計が１以上の場合に、Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基（好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数１〜２、特に好ましくは炭素数１）であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが特に好ましい。
好ましくは、ｌａ及びｌｂは、０であり、ｌｃは、０〜３の整数である。
Ｌ1の２価の連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−Ｏ−Ｒ22a−、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ22b−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ22c−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ22d）−Ｒ22e−等を挙げることができる。Ｒ22a、Ｒ22b、Ｒ22c及びＲ22eは、単結合又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基若しくはウレイド基を有していてもよい、２価の、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基若しくはアリーレン基を表す。Ｒ22dは、水素原子又はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。
アルキレン基としては、置換基を有していてもよい、直鎖状及び分岐状アルキレン基を挙げることができ、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数１〜８個のものが挙げられる。
シクロアルキレン基としては、置換基を有していてもよい、好ましくは炭素数５〜１２であり、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の単環の残基、またはノルボルナン骨格、アダマンタン骨格等の多環の残基が挙げられる。
アルケニレン基としては、置換基を有していても良く、例えばエテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭素数２〜６個のものが挙げられる。
アリーレン基としては、置換基を有していても良く、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素数６〜１５個のものが挙げられる。
Ｌ1の２価の連結基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子、シアノ基等を挙げることができ、フッ素原子が好ましい。
Ｌ1は、単結合、メチレン基又は−Ｏ−基であることが好ましい。
次に、式（ＩＶ）又は（Ｖ）で表させる繰り返し単位について説明する。
一般式（ＩＶ）又は（Ｖ）中、
Ｒa及びＲbは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
Ｒｆは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｌ2は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−基又は−Ｏ−基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｒｇ及びＲｈは、各々独立に、水素原子、水酸基又はヒドロキシアルキル基を表す。但し、Ｒｇ及びＲｈの内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｃは、１〜５の整数を表す。
Ｒa及びＲbは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
Ｒｆは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｌ2は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−基又は−Ｏ−基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｒｇ及びＲｈは、各々独立に、水素原子、水酸基又はヒドロキシアルキル基を表す。但し、Ｒｇ及びＲｈの内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｃは、１〜５の整数を表す。
一般式（ＩＶ）に於けるＲａ及びＲｂは、一般式（Ｉａ）に於けるＲａ及びＲｂと同様のものである。
ＡＲは、一般式（Ｉａ）に於けるＡＲと同様のものである。
Ｒｇ及びＲｈのヒドロキシアルキル基は、炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基が好ましく、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等を挙げることができる。
以下、一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下、一般式（ＩＩａ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明
はこれに限定されるものではない。
はこれに限定されるものではない。
以下、一般式（ＩＩＩａ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下、一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
以下、一般式（Ｖ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
樹脂（Ａ）は、一般式（Ｉｂ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩｂ）、（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種含有することが好ましい。
一般式（Ｉｂ）〜（ＩＩＩｂ）中、Ｙ1〜Ｙ3は酸の作用により分解する基を表す。他の基については、一般式（Ｉａ）〜（ＩＩＩａ）におけるものと同様に定義される。
Ｙ1〜Ｙ3としての酸の作用により分解する基は、式（Ｘ）におけるＲｄとしての酸の作用により分解する基と同様である。
Ｙ1〜Ｙ3としての酸の作用により分解する基は、式（Ｘ）におけるＲｄとしての酸の作用により分解する基と同様である。
一般式（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）中、
Ｘ1及びＸ2は、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒｍは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
Ｘ1及びＸ2は、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒｍは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
Ｘ1及びＸ2としての酸の作用により分解する基は、式（Ｘ）におけるＲｄとしての酸の作用により分解する基と同様である。
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒ21〜Ｒ26としてのフルオロアルキル基は、一般式（Ｉａ）〜（ＶＩ）に於けるＲａ〜Ｒｃ、Ｒ21〜Ｒ26としてのフルオロアルキル基と同様である。
ＡＲとしての脂環式炭化水素構造は、一般式（Ｉａ）に於けるＡＲと同様である。
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒ21〜Ｒ26としてのフルオロアルキル基は、一般式（Ｉａ）〜（ＶＩ）に於けるＲａ〜Ｒｃ、Ｒ21〜Ｒ26としてのフルオロアルキル基と同様である。
ＡＲとしての脂環式炭化水素構造は、一般式（Ｉａ）に於けるＡＲと同様である。
以下、一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
以下、一般式（ＩＩｂ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
以下、一般式（ＩＩＩｂ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
以下、一般式（ＶＩ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
以下、一般式（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
樹脂（Ａ）は、更に、下記一般式（ＩＸ）で表される繰り返し単位を有していてもよい。
一般式（ＩＸ）中、
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’、Ｒｄ’のフルオロアルキル基は、一般式（Ｉ）に於けるＲａ〜Ｒｃのフルオロアルキル基と同様のものを挙げることができる。
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’、Ｒｄ’は、フッ素原子及びフルオロアルキル基が好ましく、フッ素原子及びトリフルオロメチル基がより好ましい。
以下、一般式（ＩＸ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
樹脂（Ａ）は、上記の繰り返し単位以外に、他の重合性モノマーを重合させてもよい。
併用することができる共重合モノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジアルキル類、マレイン酸あるいはフマール酸のジアルキルエステル類、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリル等を挙げることができる。その他、一般的には共重合可能である付加重合性不飽和化合物であればよい。
以下、樹脂（Ａ）の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
樹脂（Ａ）において、一般式（Ｘ）で表される繰り返し単位の含量は、総量として、全繰り返し単位に対して、１０〜６０モル％とすることが好ましく、２０〜５０モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）において、一般式（Ｙ）で表される繰り返し単位の含量は、総量として、全繰り返し単位に対して、２０〜５０モル％とすることが好ましく、２０〜４０モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）において、一般式（Ｙ）で表される繰り返し単位の含量は、総量として、全繰り返し単位に対して、２０〜５０モル％とすることが好ましく、２０〜４０モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）において、酸の作用により分解する基を有する繰り返し単位の含量は、１５〜５０モル％とすることが好ましく、２０〜４０モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）において、水酸基が連結した環状炭化水素構造を有する繰り返し単位（即ち、一般式（Ｉａ）、（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される繰り返し単位を含む）の含量は、総量として、全繰り返し単位に対して、５〜６０モル％とすることが好ましく、１０〜５０モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）において、一般式（Ｉｂ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩｂ）、（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位の含量は、総量として、全繰り返し単位に対して、１５〜５０モル％とすることが好ましく、２０〜４０モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）の分子量は、重量平均で２０００〜５００００が好ましく、さらに好ましくは３０００〜３００００である。重量平均分子量を３０００〜３００００とすることにより、レジストの耐熱性、現像液への溶解性、感度、解像力を向上させることができる。
樹脂（Ａ）の分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜３．０とすることが好ましく、さらに好ましくは１．１〜２．０であり、特に好ましくは１．１〜１．５である。分子量分散度を下げる方法としては、通常のラジカル重合で得られたポリマーを、良溶剤に溶かしたのち、貧溶剤を添加して分子量の低い成分を除去する方法、あるいはリビングラジカル重合法などのリビング重合法による方法があり、いずれも好適に使用できる。
リビングラジカル重合法としてはジョージらのニトロキシドを用いる方法、金属錯体を用いる澤本やマチャウフスキーらの方法など、いずれも用いることができる。
またパターンのラフネスが良化するという観点から、上記通常のラジカル重合法においては、滴下重合法（ラジカル重合開始剤の存在下でモノマーをラジカル重合させている際に、さらにモノマーを連続的または断続的に加えるラジカル重合の方法）の適用が好ましい。
滴下重合法においては、最初に反応容器に仕込むモノマーの種類および組成と、ラジカル重合進行中に後から添加するモノマーの種類および組成は同じであっても、異なっていても良い。
また重合開始剤についても後から添加するモノマーとともに更に追加していく方法を利用すると、未反応で残存するモノマーを低減できるので好ましい。
樹脂（Ａ）の添加量は、組成物の全固形分を基準として、一般的に５０〜９９.５質量％、好ましくは８０〜９９質量％、更に好ましくは９０〜９８質量％の範囲で使用される。
〔２〕（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物
本発明のポジ型レジスト組成物は、活性光線又は放射線、特にＦ2エキシマレーザー光の照射により、酸を発生する化合物を含有する。
本発明のポジ型レジスト組成物は、活性光線又は放射線、特にＦ2エキシマレーザー光の照射により、酸を発生する化合物を含有する。
活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物としては、一般に、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物（酸発生剤）として使用されている化合物の中から選択することができる。
即ち、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、Ｆ2エキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子線又はイオンビーム等の活性光線又は放射線により酸を発生する化合物及びそれらの混合物から適宜選択して使用することができる。
このような化合物としては、たとえば S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18, 387 (1974)、T. S. Bal et al, Polymer, 21, 423(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号、同 Re 27,992号、特開平3-140140号等に記載のアンモニウム塩、D. C. Necker et al, Macromolecules, 17, 2468(1984)、C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31(1988)、欧州特許第104,143号、同339,049号、同第410,201号、特開平2-150848号、特開平2-296514 号等に記載のヨードニウム塩、J. V. Crivello et al, Polymer J. 17, 73(1985)、J. V. Crivello et al., J. Org. Chem., 43, 3055(1978)、W. R. Watt et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789(1984)、J. V. Crivello et al, Polymer Bull., 14, 279(1985)、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 14(5), 1141(1981)、J. V. Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 2877(1979)、欧州特許第370,693号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、同233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,933,377号、同3,902,114号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号等に記載のスルホニウム塩、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、J. V. Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、K. Meier et al, J. Rad. Curing, 13(4), 26(1986)、T. P. Gill et al, Inorg. Chem., 19, 3007(1980)、D. Astruc, Acc. Chem. Res., 19(12), 377(1896)、特開平2-161445号等に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S. Hayase et al, J. Polymer Sci., 25, 753(1987)、E. Reichmanis et al, J. Pholymer Sci., Polymer Chem. Ed., 23, 1(1985)、Q. Q. Zhuetal, J. Photochem., 36, 85, 39, 317(1987)、B. Amit et al, Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D. H. R. Barton et al, J. Chem Soc., 3571(1965)、P. M. Collins et al, J. Chem. Soc., Perkin I, 1695(1975)、M. Rudinstein et al, Tetrahedron Lett., (17), 1445(1975)、J. W. Walker et al, J. Am. Chem. Soc., 110, 7170(1988)、S. C. Busman et al, J. Imaging Technol., 11(4), 191(1985)、H. M. Houlihan et al, Macromolecules, 21, 2001(1988)、P. M.Collins et al, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 532(1972)、S. Hayase et al, Macromolecules, 18, 1799(1985)、E. Reichmanis et al, J. Electrochem. Soc., Solid State Sci. Technol., 130(6)、F. M. Houlihan et al, Macromolcules, 21,2001(1988)、欧州特許第0290,750号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,388,343号、米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の０−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA et al, Polymer Preprints Japan, 35(8)、G. Berner et al, J. Rad. Curing, 13(4)、 W. J. Mijs et al, Coating Technol., 55(697), 45(1983), Akzo、H. Adachi et al, Polymer Preprints, Japan, 37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515号、同044,115号、同618,564号、同0101,122号、米国特許第4,371,605号、同4,431,774 号、特開昭64-18143号、特開平2-245756号、特開平3-140109号等に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号等に記載のジスルホン化合物等を挙げることができる。
本発明に於いては、活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物として、活性光線又は放射線の照射により有機スルホン酸を発生する化合物（Ｂ１）が好ましい。
活性光線又は放射線の照射により有機スルホン酸を発生する化合物（Ｂ１）としては、活性光線又は放射線の照射によりフッ素含有スルホン酸を発生する化合物（Ｂ１ａ）と、活性光線又は放射線の照射によりフッ素非含有スルホン酸を発生する化合物（Ｂ１ｂ）とを挙げることができる。
本発明に於いては、活性光線又は放射線の照射により有機スルホン酸を発生する化合物（Ｂ１）と共に、活性光線又は放射線の照射により分解してカルボン酸を発生する化合物（Ｂ２）を使用することが好ましい。
活性光線又は放射線の照射により分解してカルボン酸を発生する化合物（Ｂ２）としては、活性光線又は放射線の照射により分解してフッ素含有カルボン酸を発生する化合物（Ｂ２ａ）と、活性光線又は放射線の照射により分解してフッ素非含有カルボン酸を発生する化合物（Ｂ２ｂ）とを挙げることができる。
（Ｂ１ａ）活性光線又は放射線の照射によりフッ素含有スルホン酸を発生する化合物
活性光線又は放射線の照射によりフッ素含有スルホン酸を発生する化合物としては、例えば、下記の一般式（ＰＡＧ３）で表されるヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表されるスルホニウム塩を挙げることができる。
活性光線又は放射線の照射によりフッ素含有スルホン酸を発生する化合物としては、例えば、下記の一般式（ＰＡＧ３）で表されるヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表されるスルホニウム塩を挙げることができる。
Ａｒ1及びＡｒ2は、各々独立に、アリール基を示す。Ｒ203、Ｒ204及びＲ205は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を示す。
Ｚ-は、少なくとも１つのフッ素原子を有するスルホン酸アニオンを示す。
またＲ203、Ｒ204、Ｒ205のうちの２つおよびＡｒ1、Ａｒ2はそれぞれの単結合または置換基を介して結合してもよい。
Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ203、Ｒ204及びＲ205としてのアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基である。
Ｒ203、Ｒ204及びＲ205としてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基である。
Ｒ203、Ｒ204及びＲ205としてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基である。
好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜９のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜９のアルキルカルボニルアミノ基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子及びフェニルチオ基であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数５〜１４のアリール基、炭素数６〜１５のアリールカルボニル基、カルボキシル基及びハロゲン原子を挙げることができる。
Ｚ-のスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、少なくとも１つのフッ素原子を有する炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素及び炭素数５〜２０の芳香族炭化水素を挙げることができる。これらは置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、炭素数１〜１０のフッ素置換していてもよいアルコキシ基、炭素数２〜１１のフッ素置換していてもよいアルコキシカルボニル基、フェニルアミノ基、フェニルカルボニル基、ハロゲン原子、水酸基を挙げることができる。芳香族炭化水素に対しては、さらに炭素数１〜１５のアルキル基を挙げることができる。
尚、脂肪族スルホン酸アニオンについては、特に、フッ素原子をスルホン酸のα炭素原子上に有するアニオンは、酸強度が高い。また、パーフルオロ脂肪族スルホン酸は更に酸強度が高い。
以下に具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
（Ｂ１ｂ）活性光線または放射線の照射によりフッ素非含有スルホン酸を発生する化合物
活性光線または放射線の照射によりフッ素非含有スルホン酸を発生する化合物としては、例えば、先の一般式（ＰＡＧ３）及び（ＰＡＧ４）において、Ｚ-がフッ素原子を有しないスルホン酸アニオンであるヨードニウム塩及びスルホニウム塩を挙げることができる。
活性光線または放射線の照射によりフッ素非含有スルホン酸を発生する化合物としては、例えば、先の一般式（ＰＡＧ３）及び（ＰＡＧ４）において、Ｚ-がフッ素原子を有しないスルホン酸アニオンであるヨードニウム塩及びスルホニウム塩を挙げることができる。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、下記一般式（ＰＡＧ５）で表されるジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表されるイミノスルホネート誘導体を挙げることができる。
Ａｒ3及びＡｒ4は、各々独立にアリール基を示す。Ｒ206はアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を示す。Ａはアルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を示す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、下記一般式（ＰＡＧ７）で表されるジアゾジスルホン誘導体を挙げることができる。
式中、Ｒは、アルキル基、シクロアルキル基あるいはアリール基を表す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
上記（Ｂ１ａ）及び（Ｂ１ｂ）の化合物は、過ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させ、得られたヨードニウム塩を対応するスルホン酸に塩交換することにより合成可能である。
また、アリールマグネシウムブロミドなどのアリールグリニャール試薬と置換又は無置換のフェニルスルホキシドを反応させ、得られたトリアリールスルホニウムハライドを対応するスルホン酸と塩交換する方法で合成できる。また、置換又は無置換のフェニルスルホキシドと対応する芳香族化合物をメタンスルホン酸／五酸化二リンあるいは塩化アルミニウムなどの酸触媒を用いて縮合、塩交換する方法、ジアリールヨードニウム塩とジアリールスルフィドを酢酸銅などの触媒を用いて縮合、塩交換する方法などによって合成できる。
塩交換は、いったんハライド塩に導いた後に酸化銀などの銀試薬を用いてスルホン酸塩に変換する方法、あるいはイオン交換樹脂を用いることでも塩交換できる。また、塩交換に用いるスルホン酸あるいはスルホン酸塩は、市販のものを用いるか、あるいは市販のスルホン酸ハライドの加水分解などによって得ることができる。
（Ｂ２ａ）活性光線又は放射線の照射により分解してフッ素含有カルボン酸を発生する化合物
フッ素含有カルボン酸としては、フッ素置換された脂肪族カルボン酸と、フッ素置換された芳香族カルボン酸を挙げることができる。
フッ素含有カルボン酸としては、フッ素置換された脂肪族カルボン酸と、フッ素置換された芳香族カルボン酸を挙げることができる。
フッ素置換された脂肪族カルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、ｎ−酪酸、イソ酪酸、バレリアン酸、トリメチル酢酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、トリデカン酸等の脂肪族カルボン酸のフッ素置換物が挙げられる。これらは、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子を置換基として有していてもよい。また、その脂肪族鎖の中に酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボキシル基、スルホニル基などの連結基を含んでいるものが好ましい。
好ましいフッ素置換された脂肪族カルボン酸として、下記の一般式で表されるものを挙げることができる。
Ｌ−（ＣＨ2）p（ＣＦ2）q（ＣＨ2）r−ＣＯＯＨ
一般式中、Ｌは、水素原子又はフッ素原子を表す。ｐ及びｒは、各々独立に０〜１５の整数、ｑは１〜１５の整数を表す。この一般式におけるアルキル鎖の水素原子又はフッ素原子は、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基（好ましくは炭素数１〜５）、フッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５）、または、水酸基で置換されていてもよい。
一般式中、Ｌは、水素原子又はフッ素原子を表す。ｐ及びｒは、各々独立に０〜１５の整数、ｑは１〜１５の整数を表す。この一般式におけるアルキル鎖の水素原子又はフッ素原子は、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基（好ましくは炭素数１〜５）、フッ素原子で置換されていてもよいアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５）、または、水酸基で置換されていてもよい。
上記フッ素置換された脂肪族カルボン酸としては、好ましくはその炭素数が２〜２０、より好ましくは４〜２０である飽和脂肪族カルボン酸のフッ素置換物であることが好ましい。この炭素数を４個以上とすることで、発生するカルボン酸分解性の拡散性が低下し、露光から後加熱までの経時による線幅変化をより抑制できる。なかでも、炭素数４〜１８個の直鎖又は分岐飽和脂肪族カルボン酸のフッ素置換物が好ましい。
フッ素置換された芳香族族カルボン酸としては、炭素数が７〜２０、より好ましくは７〜１５であり、更に好ましくは７〜１１である芳香族カルボン酸のフッ素置換物であることが好ましい。具体的には、安息香酸、置換安息香酸、ナフトエ酸、置換ナフトエ酸、アントラセンカルボン酸、置換アントラセンカルボン酸（ここで、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、アシル基、アシルオキシ基、ニトロ基、アルキルチオ基、アリールチオ基が挙げられる）等の芳香族カルボン酸のフッ素置換物が挙げられる。なかでも、安息香酸、置換安息香酸のフッ素置換物が好ましい。
これらフッ素原子で置換された脂肪族或いは芳香族のカルボン酸は、カルボキシル基以外の骨格に存在する水素原子の１個以上がフッ素原子で置換されたものであり、特に好ましくはカルボキシル基以外の骨格に存在する水素原子すべてがフッ素原子で置換された脂肪族或いは芳香族のカルボン酸（パーフルオロ飽和脂肪族カルボン酸あるいはパーフルオロ芳香族カルボン酸）である。これにより、感度が一層優れるようになる。
尚、脂肪族カルボン酸アニオンについては、特に、フッ素原子をカルボン酸のα炭素原子上に有するアニオンは、酸強度が高い。また、パーフルオロ脂肪族カルボン酸は更に酸強度が高い。
活性光線又は放射線の照射により分解してフッ素含有カルボン酸を発生する化合物としては、上記のようなフッ素原子で置換された脂肪族或いは芳香族のカルボン酸のアニオンをカウンターアニオンとして有するオニウム塩化合物（スルホニウム塩、ヨードニウム塩等）、カルボン酸エステル基を有するイミドカルボキシレート化合物或いはニトロベンジルエステル化合物等が挙げられる。
より好ましくは下記一般式（Ｉ）〜（III）で表される化合物が挙げられる。これにより、感度、解像力、露光マージンが一層優れるようになる。この化合物は、活性光線又は放射線の照射により分解して一般式（Ｉ）〜（III）のＸ-に相当する少なくとも１つのフッ素原子で置換された飽和脂肪族或いは芳香族のカルボン酸を発生する。
（上記式中、Ｒ1 〜Ｒ37は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、または−Ｓ−Ｒ38基を表す。ここでＲ38はアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表す。Ｘ-は、少なくとも１つのフッ素原子で置換された脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸のアニオンである。）
Ｘ-は、好ましくはパーフルオロ脂肪族カルボン酸あるいはパーフルオロ芳香族カルボン酸のアニオンであり、特に好ましくは炭素数４個以上のフッ素置換アルキルカルボン酸のアニオンである。
Ｘ-は、好ましくはパーフルオロ脂肪族カルボン酸あるいはパーフルオロ芳香族カルボン酸のアニオンであり、特に好ましくは炭素数４個以上のフッ素置換アルキルカルボン酸のアニオンである。
一般式（Ｉ）〜（III）における、Ｒ1〜Ｒ38のアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基のような炭素数１〜４個のものが挙げられる。シクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくはシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数３〜８個のものが挙げられる。
Ｒ1〜Ｒ37のアルコキシ基としては、置換基を有していてもよく、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基のような炭素数１〜４個のものが挙げられる。
Ｒ1〜Ｒ37のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
Ｒ38のアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくはフェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜１４個のものが挙げられる。
これらの置換基として好ましくは、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、沃素原子）、炭素数６〜１０個のアリール基、炭素数２〜６個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
本発明で使用される一般式（Ｉ）〜（III）で表されるヨードニウム化合物あるいはスルホニウム化合物は、その対アニオンＸ-として、少なくとも１つのフッ素原子で置換された飽和脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸のアニオンを有する。これらのアニオンは、該カルボン酸（−ＣＯＯＨ）の水素原子が離脱したアニオン（−ＣＯＯ-）である。
以下に、具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例：
一般式（II）で表される化合物の具体例：
一般式（III）で表される化合物の具体例：
その他の化合物の具体例：
上記一般式（Ｉ）で表される化合物は、過ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させ、得られたヨードニウム塩を対応するカルボン酸に塩交換することにより合成可能である。
一般式（II）、一般式（III）で表される化合物は、例えば、アリールマグネシウムブロミドなどのアリールグリニャール試薬と置換又は無置換のフェニルスルホキシドを反応させ、得られたトリアリールスルホニウムハライドを対応するカルボン酸と塩交換する方法で合成できる。また、置換又は無置換のフェニルスルホキシドと対応する芳香族化合物をメタンスルホン酸／五酸化二リンあるいは塩化アルミニウムなどの酸触媒を用いて縮合、塩交換する方法、ジアリールヨードニウム塩とジアリールスルフィドを酢酸銅などの触媒を用いて縮合、塩交換する方法などによって合成できる。
塩交換は、いったんハライド塩に導いた後に酸化銀などの銀試薬を用いてカルボン酸塩に変換する方法、あるいはイオン交換樹脂を用いることでも塩交換できる。また、塩交換に用いるカルボン酸あるいはカルボン酸塩は、市販のものを用いるか、あるいは市販のカルボン酸ハライドの加水分解などによって得ることができる。
アニオン部分としてのフッ素置換されたカルボン酸は、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）もしくはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれるものを用いたものも好ましい。これらのフルオロ脂肪族化合物の製造法に関しては、例えば、「フッ素化合物の合成と機能」（監修：石川延男、発行：株式会社シーエムシー、１９８７）の１１７〜１１８ページや、「Chemistry of Organic Fluorine Compounds II」（Monograph 187,Ed by Milos Hudlicky and Attila E. Pavlath, American Chemical Society 1995）の７４７−７５２ページに記載されている。テロメリゼーション法とは、沃化物等の連鎖移動常数の大きいアルキルハライドをテローゲンとして、テトラフルオロエチレン等のフッ素含有ビニル化合物のラジカル重合を行い、テロマーを合成する方法である（Scheme-1に例を示した）。テロマー法による合成においては炭素鎖長の異なる複数の化合物の混合物が得られるが、これを混合物のまま使用してもよいし、精製して用いてもよい。
（Ｂ２ｂ）活性光線又は放射線の照射により分解してフッ素非含有カルボン酸を発生する化合物
活性光線又は放射線の照射により分解してフッ素非含有カルボン酸を発生する化合物としては、例えば、下記一般式（ＡＩ）〜（ＡＶ）で示される化合物を挙げることができる。
活性光線又は放射線の照射により分解してフッ素非含有カルボン酸を発生する化合物としては、例えば、下記一般式（ＡＩ）〜（ＡＶ）で示される化合物を挙げることができる。
上記式において、Ｒ301 〜Ｒ337は、各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、または−Ｓ−Ｒ0基を表す。Ｒ0は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表す。
Ｒａ、Ｒｂは、各々独立に水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基を表す。Ｒｃ、Ｒｄは、各々独立にハロゲン原子、アルキル基又はアリール基を表す。ＲｃとＲｄとが結合して芳香環、単環あるいは多環の環状炭化水素（これらの環内には酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい）を形成してもよい。Ｙ1、Ｙ2は、炭素原子を表し、Ｙ1−Ｙ2結合は、単結合でも２重結合でもよい。上記Ｘ-は、下記式で示されるカルボン酸化合物がアニオンになったものを表す。Ｘ1、Ｘ2は、各々独立に、下記式で示されるカルボン酸化合物がカルボキシル基部分でエステル基となったものを表す。
上記式中、Ｒ338は、炭素数１〜３０のアルキル基（ここで、アルキル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい）、炭素数３〜３０のシクロアルキル基（ここで、シクロアルキル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい）、炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０のアルキニル基、炭素数１〜２０のアルコキシル基、前記アルキル基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および／または水酸基で置換された基、前記アルケニル基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および／または水酸基で置換された基、あるいは炭素数６〜２０のアリール基を示す。ここで、アリール基の置換基としてはアルキル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子を挙げることができる。
Ｒ339は、単結合あるいは、炭素数１〜２０のアルキレン基（ここで、アルキレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい）、炭素数１〜２０のアルケニレン基、前記アルキレン基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および／または水酸基で置換された基、前記アルケニレン基の水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子で置換された基、あるいは炭素数２〜２０のアルコキアルキレン基を示し、複数存在するＲ338、Ｒ339は相互に同一でも異なってもよい。
Ｒ340は水酸基またはハロゲン原子を示し、複数存在するＲ340は相互に同一でも異なってもよい。ｍ、ｎ、ｐおよびｑは各々独立に、０〜３の整数で、ｍ＋ｎ≦５、ｐ＋ｑ≦５である。ｚは０または１である。
前記一般式（ＡＩ）〜（ＡＶ）における、Ｒ301〜Ｒ337、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒ0におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基のような炭素数１〜４個のものが挙げられる。シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数３〜８個のものが挙げられる。
Ｒ301〜Ｒ337、Ｒａ、Ｒｂのアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基のような炭素数１〜４個のものが挙げられる。
Ｒ301〜Ｒ337、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
Ｒ0、Ｒｃ、Ｒｄのアリール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基のような置換基を有してもよい炭素数６〜１４個のものが挙げられる。
これらの置換基として好ましくは、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、沃素原子）、炭素数６〜１０個のアリール基、炭素数２〜６個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
ＲｃとＲｄとが結合して形成する、芳香環、単環あるいは多環の環状炭化水素（これらの環内には酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい）としては、ベンゼン構造、ナフタレン構造、シクロヘキサン構造、ノルボルネン構造、オキサビシクロ構造等が挙げられる。
本発明で使用される一般式（ＡＩ）〜（ＡＩＩＩ）で表されるスルホニウム、ヨードニウム化合物は、その対アニオンＸ-として、上記式（Ｃ１）〜（Ｃ１０）で示されるカルボン酸化合物のうち少なくとも１種の化合物のカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）がアニオン（−ＣＯＯ-）となったものを含む。
本発明で使用される一般式（ＡＩＶ）〜（ＡＶ）で表される化合物は、置換基Ｘ1、Ｘ2として、上記式（Ｃ１）〜（Ｃ１０）で示されるカルボン酸化合物のうち少なくとも１種の化合物のカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）がエステル基（−ＣＯＯ−）となった置換基を含む。
Ｒ338における、炭素数１〜３０のアルキル基（ここで、アルキル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい）、炭素数３〜３０のシクロアルキル基（ここで、シクロアルキル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい）、としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ドデシル、１−エトキシエチル、アダマンチル等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルケニル基としては、エテニル、プロペニル、イソプロペニル、シクロヘキセン等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキニル基としては、アセチレン、プロペニレン等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ、イソブトキシ、ドデシルオキシ等が挙げられる。
炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラニル等が挙げられる。
アリール基の置換基としてはアルキル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子を挙げることができる。
Ｒ339における、炭素数１〜２０のアルキレン基（ここで、アルキレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい）、としては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、エトキシエチレン、シクロヘキシレン等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルケニレン基としては、ビニレン、アリレン等が挙げられる。
具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式（ＡＩ）、一般式（ＡII）、一般式（ＡIII）で表される化合物は、米国特許第３，７３４，９２８号明細書に記載の方法、Macromolecules, vol. 10,
1307(1977), Journal of Organic Chemistry, vol. 55, 4222(1990), J. Radiat. Curing, vol. 5(1), 2(1978) に記載の方法などを用い、更にカウンターアニオンを交換することにより合成できる。一般式（ＡＩＶ）、一般式（ＡＶ）で表される化合物は、Ｎ−ヒドロキシイミド化合物とカルボン酸クロリドを塩基性条件で反応させる、あるいはニトロベンジルアルコールとカルボン酸クロリドを塩基性条件下反応させることにより得られる。
1307(1977), Journal of Organic Chemistry, vol. 55, 4222(1990), J. Radiat. Curing, vol. 5(1), 2(1978) に記載の方法などを用い、更にカウンターアニオンを交換することにより合成できる。一般式（ＡＩＶ）、一般式（ＡＶ）で表される化合物は、Ｎ−ヒドロキシイミド化合物とカルボン酸クロリドを塩基性条件で反応させる、あるいはニトロベンジルアルコールとカルボン酸クロリドを塩基性条件下反応させることにより得られる。
本発明に於いては、（Ｂ１）成分と（Ｂ２）成分とを併用することにより、活性光線又は放射線の照射部／非照射部の界面（低エネルギー量照射部域）近傍に於ける活性光線又は放射線の照射により発生した強酸の濃度分布のコントラストを高めることができる。
（Ｂ１）成分と（Ｂ２）成分の添加量の質量比は、通常１００／１００〜１００／０、好ましくは１００／１００〜１００／１０、特に好ましくは１００／５０〜１００／２０である。
（Ｂ１）成分と（Ｂ２）成分の合計量は、組成物全固形分に対し、通常０．５〜２０質量％、好ましくは０．７５〜１５質量％、より好ましくは１〜１０質量％の範囲である。
（Ｂ１）成分及び（Ｂ２）成分は各々複数種含有してもよい。
〔３〕有機塩基性化合物
本発明の組成物には、活性光線又は放射線の照射後、加熱処理までの経時による性能変動（パターンのＴ−ｔｏｐ形状形成、感度変動、パターン線幅変動等）や塗布後の経時による性能変動、更には活性光線又は放射線の照射後、加熱処理時の酸の過剰な拡散（解像度の劣化）を防止する目的で、有機塩基性化合物を添加することが好ましい。有機塩基性化合物としては、例えば塩基性窒素を含有する有機塩基化合物であり、共役酸のｐＫａ値で４以上の化合物が好ましく使用される。
本発明の組成物には、活性光線又は放射線の照射後、加熱処理までの経時による性能変動（パターンのＴ−ｔｏｐ形状形成、感度変動、パターン線幅変動等）や塗布後の経時による性能変動、更には活性光線又は放射線の照射後、加熱処理時の酸の過剰な拡散（解像度の劣化）を防止する目的で、有機塩基性化合物を添加することが好ましい。有機塩基性化合物としては、例えば塩基性窒素を含有する有機塩基化合物であり、共役酸のｐＫａ値で４以上の化合物が好ましく使用される。
具体的には下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を挙げることができる。
ここで、Ｒ250 、Ｒ251 及びＲ252 は、同一でも異なってもよく、水素原子、炭素数１〜２０個のアルキル基、炭素数３〜２０個のシキロアルキル基又は炭素数６〜２０個のアリール基を表し、ここで、Ｒ251とＲ252は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ250、Ｒ251及びＲ252のアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基を有していてもよいアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数３〜０のアミノシクロアルキル基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基、炭素数３〜２０のヒドロキシシクロアルキル基等を挙げることができる。
Ｒ253 、Ｒ254 、Ｒ255 及びＲ256 は、同一でも異なってもよく、炭素数１〜２０個のアルキル基又は３〜2０個のシクロアルキル基を表す。
更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基を有する化合物である。
好ましい具体例としては、グアニジン、アミノピリジン、アミノアルキルピリジン、アミノピロリジン、インダゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルフォリン、アミノアルキルモルフォリン等が挙げられる。これらは置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基などが挙げられる。
特に好ましい化合物として、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テトラメチルグアニジン、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、
３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるものではない。
３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるものではない。
これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは２種以上一緒に用いられる。
酸発生剤と有機塩基性化合物の組成物中の使用割合は、（酸発生剤）／（有機塩基性化合物）（モル比）＝２．５〜３００であることが好ましい。（酸発生剤）／（有機塩基性化合物）（モル比）は、好ましくは５．０〜２００、更に好ましくは７．０〜１５０である。
［４］界面活性剤
本発明の組成物は、界面活性剤、特にフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することが好ましい。すなわち、本発明の組成物には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは２種以上を含有することが好ましい。これらフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤の添加は、現像欠陥の抑制及び塗布性の向上に効果を有する。
本発明の組成物は、界面活性剤、特にフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することが好ましい。すなわち、本発明の組成物には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは２種以上を含有することが好ましい。これらフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤の添加は、現像欠陥の抑制及び塗布性の向上に効果を有する。
これらのフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−３４５４０号公報、特開平７−２３０１６５号公報、特開平８−６２８３４号公報、特開平９−５４４３２号公報、特開平９−５９８８号公報、特開２００２−２７７８６２号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同 ５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、(新秋田化成(株)製)、フロラードＦＣ４３０、４３１(住友スリーエム(株)製)、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８（大日本インキ化学工業（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
また、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）もしくはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開２００２−９０９９１号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート及び／又は（ポリ（オキシアルキレン））メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ（オキシアルキレン）基としては、ポリ（オキシエチレン）基、ポリ（オキシプロピレン）基、ポリ（オキシブチレン）基などが挙げられ、また、ポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体）やポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体）など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体は２元共重合体ばかりでなく、異なる２種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる２種以上の（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）などを同時に共重合した３元系以上の共重合体でもよい。
例えば、市販のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、メガファックＦ１７８、Ｆ−４７０、Ｆ−４７３、Ｆ−４７５、Ｆ−４７６、Ｆ−４７２（大日本インキ化学工業（株）製）を挙げることができる。さらに、Ｃ6Ｆ13基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ6Ｆ13基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ8Ｆ17基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ8Ｆ17基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、などを挙げることができる。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物全量（溶剤を除く）に対して、好ましくは０．０００１〜２質量％、より好ましくは０．００１〜１質量％、特に好ましくは０．０１質量％〜１質量％である。
［５］溶剤
本発明の組成物は、上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
本発明の組成物は、上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
本発明に於いては、溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類と、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類又は乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸アルキル類とを混合した混合溶剤を使用することが好ましい。
上記各成分を溶剤に溶解させた際の固形分濃度は、３〜１５質量％とすることが好ましく、５〜１０質量％とすることがより好ましい。
精密集積回路素子の製造などにおいてレジスト膜上へのパターン形成工程は、基板（例：シリコン／二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透明基板等）上に、本発明の組成物を塗布してレジスト膜を形成し、次に活性光線又は放射線にて照射を行い、加熱、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパターンを形成することができる。
本発明の組成物の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
これらの現像液の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリンである。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１〜２０質量％、好ましくは０．２〜１５質量％、更に好ましくは０．５〜１０質量％である。
アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０〜１５．０、好ましくは１０．５〜１４．５、更に好ましくは１１．０〜１４．０である。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明がこれにより限定されるものではない。
合成例１（モノマー（ＦＭ−１）の合成）
臭化アリル １２．１ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌに溶解させたところへ、３−（５−ビシクロ[２．２．１]ヘプタン−２−イル）−１，１，１−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−プロパン−２−オール ２７．７ｇを添加した。反応液を１０℃に冷却したのち、攪拌下トリエチルアミン１２ｇを３０分かけて滴下した。反応液を６０℃に加熱して３時間反応させた後、室温にもどしてから酢酸エチル２００ｍｌを添加したのち、蒸留水５００ｍｌを加えて分液し、酢酸エチル層を分取した。エバポレーターで溶媒を除去し、目的のモノマー（ＦＭ−１）２３．６ｇを得た。
臭化アリル １２．１ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌに溶解させたところへ、３−（５−ビシクロ[２．２．１]ヘプタン−２−イル）−１，１，１−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−プロパン−２−オール ２７．７ｇを添加した。反応液を１０℃に冷却したのち、攪拌下トリエチルアミン１２ｇを３０分かけて滴下した。反応液を６０℃に加熱して３時間反応させた後、室温にもどしてから酢酸エチル２００ｍｌを添加したのち、蒸留水５００ｍｌを加えて分液し、酢酸エチル層を分取した。エバポレーターで溶媒を除去し、目的のモノマー（ＦＭ−１）２３．６ｇを得た。
合成例２（樹脂（Ｆ−１）の合成）
下記構造式（ＦＭ−１)１８．１ｇ、アクリル酸−２−エチルアダマンチルエステル１５．１ｇ、α−トリフルオロメチルアクリル酸ジヒドロキシアダマンチルエステル１５．３ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶かした後、窒素下にて攪拌した。そこへアゾ系重合開始剤Ｖ−６５（和光純薬工業（株）製）１．２４ｇを添加したのち封を閉じ、そのまま７０℃にて１０時間攪拌して反応させた。
反応液にヘキサン５００ｍｌを加えてポリマーを沈殿させたのち、上層をデカンテーションにて除去した。残った粘調なポリマーをアセトン５０mlに溶かし、再度ヘキサン１リットルを加えることで、ポリマーを分別処理し、未反応モノマーおよびオリゴマー成分を除去した。得られたポリマーをＧＰＣにて分子量測定を行ったところ、重量平均分子量は１０２００、分散度は１．９であった。
このポリマーを再度アセトン５０ｍｌに溶かし、再度ヘキサン１Ｌを加えることで、樹脂（Ｆ−１）を分別処理し、未反応モノマーおよびオリゴマー成分を除去した。得られた樹脂（Ｆ−１）をＧＰＣにて分子量測定を行ったところ、重量平均分子量は９０００、分散度は１．４５であった。
同様にして先に例示した樹脂（Ｆ−３）、（Ｆ−５）、（Ｆ−１０）、（Ｆ−１６），（Ｆ−１９）、（Ｆ−２１）及び（Ｆ−２５）を得た。
これらの樹脂について、繰り返し単位の比率、重量平均分子量、分子量分散度を下記表１に示す。
下記構造式（ＦＭ−１)１８．１ｇ、アクリル酸−２−エチルアダマンチルエステル１５．１ｇ、α−トリフルオロメチルアクリル酸ジヒドロキシアダマンチルエステル１５．３ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶かした後、窒素下にて攪拌した。そこへアゾ系重合開始剤Ｖ−６５（和光純薬工業（株）製）１．２４ｇを添加したのち封を閉じ、そのまま７０℃にて１０時間攪拌して反応させた。
反応液にヘキサン５００ｍｌを加えてポリマーを沈殿させたのち、上層をデカンテーションにて除去した。残った粘調なポリマーをアセトン５０mlに溶かし、再度ヘキサン１リットルを加えることで、ポリマーを分別処理し、未反応モノマーおよびオリゴマー成分を除去した。得られたポリマーをＧＰＣにて分子量測定を行ったところ、重量平均分子量は１０２００、分散度は１．９であった。
このポリマーを再度アセトン５０ｍｌに溶かし、再度ヘキサン１Ｌを加えることで、樹脂（Ｆ−１）を分別処理し、未反応モノマーおよびオリゴマー成分を除去した。得られた樹脂（Ｆ−１）をＧＰＣにて分子量測定を行ったところ、重量平均分子量は９０００、分散度は１．４５であった。
同様にして先に例示した樹脂（Ｆ−３）、（Ｆ−５）、（Ｆ−１０）、（Ｆ−１６），（Ｆ−１９）、（Ｆ−２１）及び（Ｆ−２５）を得た。
これらの樹脂について、繰り返し単位の比率、重量平均分子量、分子量分散度を下記表１に示す。
比較樹脂（ＣＰ）の合成
合成例２において、３−（５−ビシクロ[２．２．１]ヘプテン−２−イル）−１，１，１−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−プロパン−２−オール １４．７ｇと、α−トリフルオロメチルアクリル酸−２−エチルアダマンチルエステルを用いた以外は同様にして、下記繰り返し単位を有する比較樹脂（ＣＰ）を合成した。重量平均分子量は９５００、分散度は１．４５であった。
合成例２において、３−（５−ビシクロ[２．２．１]ヘプテン−２−イル）−１，１，１−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−プロパン−２−オール １４．７ｇと、α−トリフルオロメチルアクリル酸−２−エチルアダマンチルエステルを用いた以外は同様にして、下記繰り返し単位を有する比較樹脂（ＣＰ）を合成した。重量平均分子量は９５００、分散度は１．４５であった。
実施例１〜８及び比較例
下記表２に示す樹脂：１．２ｇ、酸発生剤：０．０３０ｇ、界面活性剤：樹脂溶液に対し１００ｐｐｍ、有機塩基性化合物：０．００１２ｇを溶剤１９．６ｇに溶解した樹脂溶液を０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過しポジ型レジスト液を調製した。
下記表２に示す樹脂：１．２ｇ、酸発生剤：０．０３０ｇ、界面活性剤：樹脂溶液に対し１００ｐｐｍ、有機塩基性化合物：０．００１２ｇを溶剤１９．６ｇに溶解した樹脂溶液を０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過しポジ型レジスト液を調製した。
表２における記号の内容は以下のとおりである。
Ｎ−１：ヘキサメチレンテトラミン
Ｎ−２：１，５−ジアザビシクロ[４．３．０]−５−ノネン
Ｎ−３：１，８−ジアザビシクロ[５．４．０]−７−ウンデセン
Ｗ−１：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製）（フッ素系）Ｗ−２：メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製）
（フッ素及びシリコン系）
Ｓ−１：乳酸メチル
Ｓ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｓ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテル
Ｎ−２：１，５−ジアザビシクロ[４．３．０]−５−ノネン
Ｎ−３：１，８−ジアザビシクロ[５．４．０]−７−ウンデセン
Ｗ−１：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製）（フッ素系）Ｗ−２：メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製）
（フッ素及びシリコン系）
Ｓ−１：乳酸メチル
Ｓ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｓ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテル
上記のように調製したポジ型レジスト液をスピンコータを利用して反射防止膜（DUV42-6 BrewerScience. Inc. 製）を塗布したシリコンウエハー上に均一に塗布し、１２０℃６０秒間加熱乾燥を行い、膜厚０．１２μｍのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ＡｒＦマイクロステッパーを使用してパターン露光し、露光後すぐに１１０℃９０秒間ホットプレート上で加熱した。更に２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で２３℃にて３０秒間現像し、３０秒間純粋にてリンスした後、乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハー上のパターンを下記の方法で表面ラフネスおよび現像欠陥性能を評価した。
〔表面ラフネス〕
０．１１μｍのラインアンドスペースパターンにおけるライン表面部分のラフネスの大きさをＳＥＭにて観察して目視評価した。ライン表面にラフネス（凹凸）が殆ど見られないものをＡ、少しみられるものをＢ、明らかに見られるものをＣとして評価した。
０．１１μｍのラインアンドスペースパターンにおけるライン表面部分のラフネスの大きさをＳＥＭにて観察して目視評価した。ライン表面にラフネス（凹凸）が殆ど見られないものをＡ、少しみられるものをＢ、明らかに見られるものをＣとして評価した。
〔現像欠陥〕
上記のようにして得られたレジストパターンについて、ケーエルエー・テンコール社製のＫＬＡ−２１１２機により現像欠陥数を測定し、得られた１次データ値を測定結果とした。
上記のようにして得られたレジストパターンについて、ケーエルエー・テンコール社製のＫＬＡ−２１１２機により現像欠陥数を測定し、得られた１次データ値を測定結果とした。
〔スカムの発生〕
線幅０.１５ミクロンのレジストパターンにおける現像残さ（スカム）の残り具合で評価し、残さが観察されなかったものをＡ、かなり観察されたものをＣ、その中間をＢとして評価した。
線幅０.１５ミクロンのレジストパターンにおける現像残さ（スカム）の残り具合で評価し、残さが観察されなかったものをＡ、かなり観察されたものをＣ、その中間をＢとして評価した。
〔解像力〕
上記実施例１、３及び６、及び比較例において調製したポジ型レジスト液の各々について、スピンコータを利用して反射防止膜（DUV42-6 BrewerScience. Inc. 製）を塗布したシリコンウエハー上に均一に塗布し、１２０℃６０秒間加熱乾燥を行い、膜厚０．１２μｍのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、Ｆ2マイクロステッパーを使用してパターン露光し、露光後すぐに１１０℃９０秒間ホットプレート上で加熱した。更に２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で２３℃にて３０秒間現像し、３０秒間純粋にてリンスした後、乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハー上のパターンから解像性能を評価した。
上記評価結果を表２に示した。
上記実施例１、３及び６、及び比較例において調製したポジ型レジスト液の各々について、スピンコータを利用して反射防止膜（DUV42-6 BrewerScience. Inc. 製）を塗布したシリコンウエハー上に均一に塗布し、１２０℃６０秒間加熱乾燥を行い、膜厚０．１２μｍのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、Ｆ2マイクロステッパーを使用してパターン露光し、露光後すぐに１１０℃９０秒間ホットプレート上で加熱した。更に２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で２３℃にて３０秒間現像し、３０秒間純粋にてリンスした後、乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハー上のパターンから解像性能を評価した。
上記評価結果を表２に示した。
表２の結果から、本発明のポジ型レジスト組成物は、表面ラフネス、現像欠陥、スカムが低減されており、また解像力が高く良好であることがわかる。
Claims (5)
- （Ａ）一般式（Ｘ）で表される繰り返し単位及び一般式（Ｙ）で表される繰り返し単位を含有する酸の作用により分解しアルカリ現像液への溶解度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
式（Ｙ）において、Ｒay、Ｒby及びＲcyは、各々独立に、水素原子、メチル基、フッ素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒｅは酸の作用により分解する基を表す。 - 樹脂（Ａ）がさらに、水酸基が連結した環状炭素構造を含有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
- 請求項２記載の水酸基が連結した環状炭素構造を含有する繰り返し単位が一般式（Ｉａ）、（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＶ）又は（Ｖ）で表される繰り返し単位であることを特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、各々独立に、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｌ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｌａは、０又は１を表し、ｌｂは、０〜２の整数を表し、ｌｃは、０〜５の整数を表す。
Ｒa及びＲbは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
Ｒｆは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｌ2は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−基又は−Ｏ−基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｒｇ及びＲｈは、各々独立に、水素原子、水酸基又はヒドロキシアルキル基を表す。但し、Ｒｇ及びＲｈの内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｃは、１〜５の整数を表す。 - 樹脂（Ａ）がさらに、一般式（Ｉｂ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩａ）、（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒk1、Ｒk2及びＲk3は、各々独立に、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Ｌ1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ1aは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ41〜Ｒ46は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ41〜Ｒ46の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｌａは、０又は１を表し、ｌｂは、０〜２の整数を表し、ｌｃは、０〜５の整数を表す。
Ｙ1〜Ｙ3は酸の作用により分解する基を表す。
Ｘ1及びＸ2は、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒa、Ｒb、Ｒcは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ21〜Ｒ26は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ21〜Ｒ26の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒｍは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
ｍは、０又は１を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。 - 請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
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| JP2003330213A JP2005099156A (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080153030A1 (en) * | 2006-12-25 | 2008-06-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist composition and patterning process |
| US8679724B2 (en) * | 2005-12-09 | 2014-03-25 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition, resin used for the positive resist composition, compound used for synthesis of the resin and pattern forming method using the positive resist composition |
-
2003
- 2003-09-22 JP JP2003330213A patent/JP2005099156A/ja active Pending
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| US9081279B2 (en) | 2005-12-09 | 2015-07-14 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition, resin used for the positive resist composition, compound used for synthesis of the resin and pattern forming method using the positive resist composition |
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| US8795942B2 (en) * | 2006-12-25 | 2014-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist composition and patterning process |
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