JP2005085992A - Substrate treatment device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment device for surely detecting the abnormality of an operating mechanism. <P>SOLUTION: This substrate treatment device is provided with a diagnostic mode for detecting the presence/absence of the abnormality of an operating mechanism owned by the device separately from a normal treatment mode for executing normal substrate treatment. In the diagnostic mode, the operating mechanism of conveyance robots TR1 to TR4 or each treatment part is made to execute an operation for diagnosis. The operation for diagnosis is an operation in the neighborhood of the movable critical point of the operating mechanism, and a heavy operation in a range different from that of a regular operation of the operating mechanism in the normal processing mode. Then, the presence/absence of the abnormality of the operating mechanism is decided based on the operation data when the operation for diagnosis is executed by the operating mechanism. The special diagnostic mode is set separately from the normal treatment mode, and the presence/absence of the abnormality of the operating mechanism is decided based on operation data acquired by making the operating mechanism to execute the heavy operation for diagnosis. Thus, it is possible to surely detect the abnormality of the operating mechanism which is unclarified in the normal treatment mode. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板(以下、単に「基板」と称する)を複数の処理部間にて循環搬送して該基板にフォトリソグラフィー等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention circulates and conveys a substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk among a plurality of processing units. The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing such as photolithography on the substrate.

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち例えばレジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱処理のそれぞれを行う処理ユニットを複数組み込み、搬送ロボットによってそれら各処理ユニット間で基板の循環搬送を行うことにより基板に一連のフォトリソグラフィー処理を施す基板処理装置がいわゆるコータ&デベロッパとして広く用いられている。   As is well known, products such as semiconductors and liquid crystal displays are manufactured by performing a series of processes such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, interlayer insulation film formation, heat treatment, and dicing on the substrate. Has been. Among these various processes, for example, a plurality of processing units for performing resist coating processing, development processing, and heat treatment associated therewith are incorporated, and the substrate is circulated and transferred between the processing units by a transfer robot. A substrate processing apparatus that performs photolithography processing is widely used as a so-called coater and developer.

このような基板処理装置にはモータやシリンダ等の多数の動作機構が設けられており、その動作機構が故障したり消耗したりすると装置全体が停止することとなる。このため、従来より基板の処理枚数をカウントしたり処理時間を積算したりする機能を装置に設け、それよって動作機構の故障や消耗を予測するようにしていた(例えば、特許文献1参照)。そして、消耗品や故障が近いと考えられる部品は事前に交換するようにしていた。   Such a substrate processing apparatus is provided with a large number of operation mechanisms such as motors and cylinders, and the entire apparatus stops when the operation mechanism fails or is worn out. For this reason, conventionally, a function of counting the number of processed substrates or integrating the processing time is provided in the apparatus, thereby predicting a failure or wear of the operating mechanism (for example, see Patent Document 1). In addition, consumables and parts that are considered to be close to failure were exchanged in advance.

特開2003−86479号公報JP 2003-86479 A

しかしながら、処理の積算時間や基板枚数に基づいた異常判定と実際の異常とでは一致しないことが多かった。すなわち、それほど使用していない動作機構であっても異常である場合もあれば、相当期間使用している動作機構であっても問題無い場合もある。これらの場合、無駄な部品交換を行うこととなったり、動作機構が突然停止してから修理するといった作業が突発的に発生し、コスト上昇や装置稼働率低下の問題が生じることとなっていた。   However, there are many cases where the abnormality determination based on the integrated processing time and the number of substrates does not match the actual abnormality. That is, even an operating mechanism that has not been used so much may be abnormal, or an operating mechanism that has been used for a considerable period may have no problem. In these cases, unnecessary parts are replaced, or work such as a sudden stoppage of the operation mechanism occurs suddenly, resulting in problems such as an increase in cost and a decrease in the operating rate of the apparatus. .

本発明は、上記課題に鑑みてなされれたものであり、動作機構の異常を確実に検知することができる基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reliably detecting an abnormality in an operation mechanism.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板を複数の処理部間にて循環搬送して該基板に所定の処理を行う基板処理装置において、基板処理装置が有する動作機構の異常を検出するための診断モードの開始を受け付ける受付手段と、前記受付手段から診断モードの開始が入力されたときに、診断用動作を行うように前記動作機構を制御する制御手段と、前記動作機構が前記診断用動作を行ったときの動作データを取得する取得手段と、前記取得手段が取得した動作データに基づいて前記動作機構の異常の有無を判定する判定手段と、を備える。   In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is directed to a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate by circulating and transporting the substrate between a plurality of processing units. A receiving unit that receives a start of a diagnostic mode for detection, a control unit that controls the operating mechanism to perform a diagnostic operation when a start of a diagnostic mode is input from the receiving unit; and An acquisition unit that acquires operation data when the diagnosis operation is performed, and a determination unit that determines presence / absence of abnormality of the operation mechanism based on the operation data acquired by the acquisition unit.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置において、前記診断用動作を、前記動作機構の可動限界点近傍での動作としている。   According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the invention, the diagnostic operation is an operation in the vicinity of the movable limit point of the operation mechanism.

また、請求項3の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置において、前記診断用動作を、基板に前記所定の処理を行うときの前記動作機構の定常動作とは異なる範囲での動作としている。   According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the diagnostic operation is performed in a range different from a steady operation of the operation mechanism when the predetermined processing is performed on the substrate. It is said.

また、請求項4の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記動作機構を、基板の循環搬送を行う搬送ロボットのモータとしている。   According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects of the present invention, the operation mechanism is a motor of a transfer robot that circulates and transfers a substrate.

請求項1の発明によれば、診断モードの開始が入力されたときに動作機構に診断用動作を行わせ、その動作機構が診断用動作を行ったときの動作データに基づいて該動作機構の異常の有無を判定しているため、通常の基板処理を行うだけでは判明しないような動作機構の異常をも確実に検知することができる。   According to the first aspect of the present invention, when the start of the diagnosis mode is input, the operation mechanism performs a diagnosis operation, and based on the operation data when the operation mechanism performs the diagnosis operation, Since the presence / absence of abnormality is determined, it is possible to reliably detect an abnormality in the operating mechanism that cannot be found only by performing normal substrate processing.

また、請求項2の発明によれば、診断用動作を、動作機構の可動限界点近傍での動作としているため、定常動作では判明しないような動作機構の異常をも確実に検知することができる。   According to the second aspect of the present invention, since the diagnostic operation is an operation in the vicinity of the movable limit point of the operation mechanism, it is possible to reliably detect an abnormality in the operation mechanism that cannot be found in the steady operation. .

また、請求項3の発明によれば、診断用動作を、基板に所定の処理を行うときの動作機構の定常動作とは異なる範囲での動作としているため、定常動作では判明しないような動作機構の異常をも確実に検知することができる。   According to the invention of claim 3, since the operation for diagnosis is an operation in a range different from the steady operation of the motion mechanism when performing predetermined processing on the substrate, the motion mechanism that cannot be determined by the steady operation It is possible to reliably detect any abnormality.

また、請求項4の発明によれば、動作機構を基板の循環搬送を行う搬送ロボットのモータとしており、通常の基板処理を行うだけでは判明しないモータの異常を確実に検知することができる。   According to the invention of claim 4, the operating mechanism is a motor of a transfer robot that circulates and transfers a substrate, and it is possible to reliably detect an abnormality of the motor that cannot be found only by performing normal substrate processing.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本実施形態の基板処理装置の平面図である。また、図2は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図3は熱処理部の正面図であり、図4は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図1から図4にはそれらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。   FIG. 1 is a plan view of the substrate processing apparatus of the present embodiment. 2 is a front view of the liquid processing unit of the substrate processing apparatus, FIG. 3 is a front view of the heat treatment unit, and FIG. 4 is a diagram showing a peripheral configuration of the substrate mounting unit. 1 to 4 have an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z-axis direction is the vertical direction and the XY plane is the horizontal plane in order to clarify the directional relationship.

本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示器用のガラス基板等であっても良い。また、本発明に係る基板処理装置の処理内容は塗布膜形成や現像処理に限定されるものではなく、エッチング処理や洗浄処理であっても良い。   The substrate processing apparatus of this embodiment is an apparatus that applies an antireflection film or a photoresist film to a substrate such as a semiconductor wafer and performs development processing on the substrate after pattern exposure. In addition, the board | substrate used as the process target of the substrate processing apparatus which concerns on this invention is not limited to a semiconductor wafer, The glass substrate for liquid crystal displays etc. may be sufficient. Further, the processing content of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to coating film formation and development processing, but may be etching processing or cleaning processing.

本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック1、バークブロック2、レジスト塗布ブロック3、現像処理ブロック4およびインターフェイスブロック5の5つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック5には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置(ステッパ)が接続配置されている。   The substrate processing apparatus of the present embodiment is configured by arranging five processing blocks of an indexer block 1, a bark block 2, a resist coating block 3, a development processing block 4 and an interface block 5 in parallel. An exposure apparatus (stepper), which is an external apparatus separate from the substrate processing apparatus, is connected to the interface block 5.

インデクサブロック1は、複数のキャリアC(本実施形態では4個)を並べて載置する載置台11と、各キャリアCから未処理の基板Wを取り出すとともに、各キャリアCに処理済みの基板Wを収納する基板移載機構12とを備えている。基板移載機構12は、載置台11に沿って(Y方向に沿って)水平移動可能な可動台12aを備えており、この可動台12aに基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム12bが搭載されている。保持アーム12bは、可動台12a上を昇降(Z方向)移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構12は、保持アーム12bを各キャリアCにアクセスさせて未処理の基板Wの取り出しおよび処理済みの基板Wの収納を行うことができる。なお、キャリアCの形態としては、基板Wを密閉空間に収納するFOUP(front opening unified pod)の他に、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)であっても良い。   The indexer block 1 takes a mounting table 11 on which a plurality of carriers C (four in this embodiment) are placed side by side, and takes out an unprocessed substrate W from each carrier C and also transfers a processed substrate W to each carrier C. A substrate transfer mechanism 12 is provided. The substrate transfer mechanism 12 includes a movable table 12a that can move horizontally along the mounting table 11 (along the Y direction), and a holding arm 12b that holds the substrate W in a horizontal posture is mounted on the movable table 12a. Has been. The holding arm 12b is configured to be capable of moving up and down (Z direction) on the movable table 12a, turning in a horizontal plane, and moving back and forth in the turning radius direction. As a result, the substrate transfer mechanism 12 can access the holding arms 12b to the carriers C to take out the unprocessed substrate W and store the processed substrate W. In addition to the FOUP (front opening unified pod) that stores the substrate W in a sealed space, the carrier C may be an OC (open cassette) that exposes the standard mechanical interface (SMIF) pod or the storage substrate W to the outside air. There may be.

インデクサブロック1に隣接してバークブロック2が設けられている。インデクサブロック1とバークブロック2との間には、雰囲気遮断用の隔壁13が設けられている。この隔壁13にインデクサブロック1とバークブロック2との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS1,PASS2が上下に積層して設けられている。   A bark block 2 is provided adjacent to the indexer block 1. A partition wall 13 is provided between the indexer block 1 and the bark block 2 for shielding the atmosphere. In order to transfer the substrate W between the indexer block 1 and the bark block 2, two substrate platforms PASS 1 and PASS 2 on which the substrate W is mounted are stacked on the partition wall 13.

上側の基板載置部PASS1は、インデクサブロック1からバークブロック2へ基板Wを搬送するために使用される。基板載置部PASS1は3本の支持ピンを備えており、インデクサブロック1の基板移載機構12はキャリアCから取り出した未処理の基板Wを基板載置部PASS1の3本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部PASS1に載置された基板Wを後述するバークブロック2の搬送ロボットTR1が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS2は、バークブロック2からインデクサブロック1へ基板Wを搬送するために使用される。基板載置部PASS2も3本の支持ピンを備えており、バークブロック2の搬送ロボットTR1は処理済みの基板Wを基板載置部PASS2の3本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部PASS2に載置された基板Wを基板移載機構12が受け取ってキャリアCに収納する。なお、後述する基板載置部PASS3〜PASS10の構成も基板載置部PASS1,PASS2と同じである。   The upper substrate platform PASS1 is used to transport the substrate W from the indexer block 1 to the bark block 2. The substrate platform PASS1 has three support pins, and the substrate transfer mechanism 12 of the indexer block 1 moves the unprocessed substrate W taken out from the carrier C onto the three support pins of the substrate platform PASS1. Place. Then, the transfer robot TR1 of the bark block 2 described later receives the substrate W placed on the substrate platform PASS1. On the other hand, the lower substrate platform PASS <b> 2 is used for transporting the substrate W from the bark block 2 to the indexer block 1. The substrate platform PASS2 is also provided with three support pins, and the transport robot TR1 of the bark block 2 places the processed substrate W on the three support pins of the substrate platform PASS2. Then, the substrate transfer mechanism 12 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS2 and stores it in the carrier C. In addition, the structure of the board | substrate mounting parts PASS3-PASS10 mentioned later is also the same as the board | substrate mounting parts PASS1 and PASS2.

基板載置部PASS1,PASS2は、隔壁13の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS1,PASS2には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて基板移載機構12やバークブロック2の搬送ロボットTR1が、基板載置部PASS1,PASS2に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。   The substrate platforms PASS <b> 1 and PASS <b> 2 are provided so as to partially penetrate a part of the partition wall 13. The substrate platforms PASS1 and PASS2 are provided with optical sensors (not shown) for detecting the presence or absence of the substrate W, and the substrate transfer mechanism 12 and the bark block 2 are based on detection signals from the sensors. It is determined whether the transfer robot TR1 is ready to deliver the substrate W to the substrate platforms PASS1, PASS2.

次に、バークブロック2について説明する。バークブロック2は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック2は、基板Wの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部BRCと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー21,21と、下地塗布処理部BRCおよび熱処理タワー21,21に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR1とを備える。   Next, the bark block 2 will be described. The bark block 2 is a processing block for applying and forming an antireflection film on the base of the photoresist film in order to reduce standing waves and halation generated during exposure. The bark block 2 includes a base coating processing unit BRC for coating and forming an antireflection film on the surface of the substrate W, two heat treatment towers 21 and 21 for performing heat treatment associated with the coating formation of the antireflection film, and base coating processing A transfer robot TR1 that transfers the substrate W to the section BRC and the heat treatment towers 21 and 21.

バークブロック2においては、搬送ロボットTR1を挟んで下地塗布処理部BRCと熱処理タワー21,21とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部BRCが装置正面側に、2つの熱処理タワー21,21が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー21,21の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部BRCと熱処理タワー21,21とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー21,21から下地塗布処理部BRCに熱的影響を与えることを回避しているのである。   In the bark block 2, the base coating treatment unit BRC and the heat treatment towers 21 and 21 are arranged to face each other with the transfer robot TR1 interposed therebetween. Specifically, the base coating treatment part BRC is located on the front side of the apparatus, and the two heat treatment towers 21 and 21 are located on the rear side of the apparatus. In addition, a heat partition (not shown) is provided on the front side of the heat treatment towers 21 and 21. By arranging the base coating processing part BRC and the heat treatment towers 21 and 21 apart from each other and providing a thermal partition, the thermal processing towers 21 and 21 are prevented from having a thermal influence on the base coating processing part BRC. .

下地塗布処理部BRCは、図2に示すように、同様の構成を備えた3つの塗布処理ユニットBRC1,BRC2,BRC3を下から順に積層配置して構成されている。なお、3つの塗布処理ユニットBRC1,BRC2,BRC3を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部BRCとする。各塗布処理ユニットBRC1,BRC2,BRC3は、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック22、このスピンチャック22上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル23、スピンチャック22を回転駆動させるスピンモータ(図示省略)およびスピンチャック22上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。   As shown in FIG. 2, the base coating processing unit BRC is configured by stacking and arranging three coating processing units BRC1, BRC2, and BRC3 having the same configuration in order from the bottom. If the three coating processing units BRC1, BRC2, and BRC3 are not particularly distinguished, these are collectively referred to as a base coating processing unit BRC. Each of the coating processing units BRC1, BRC2, and BRC3 includes a spin chuck 22 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates the substrate W in a substantially horizontal plane, and an antireflection film on the substrate W held on the spin chuck 22 A coating nozzle 23 that discharges the coating liquid, a spin motor (not shown) that rotationally drives the spin chuck 22, a cup (not shown) that surrounds the periphery of the substrate W held on the spin chuck 22, and the like.

図3に示すように、インデクサブロック1に近い側の熱処理タワー21には、基板Wを所定の温度にまで加熱する6個のホットプレートHP1〜HP6と、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持するクールプレートCP1〜CP3とが設けられている。この熱処理タワー21には、下から順にクールプレートCP1〜CP3、ホットプレートHP1〜HP6が積層配置されている。一方、インデクサブロック1から遠い側の熱処理タワー21には、レジスト膜と基板Wとの密着性を向上させるためにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気で基板Wを熱処理する3個の密着強化処理部AHL1〜AHL3が下から順に積層配置されている。なお、図3において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。   As shown in FIG. 3, in the heat treatment tower 21 on the side close to the indexer block 1, six hot plates HP1 to HP6 for heating the substrate W to a predetermined temperature and the heated substrate W are cooled to a predetermined temperature. Cool plates CP <b> 1 to CP <b> 3 are provided that lower the temperature to a predetermined temperature and maintain the substrate W at the predetermined temperature. In the heat treatment tower 21, cool plates CP1 to CP3 and hot plates HP1 to HP6 are laminated in order from the bottom. On the other hand, the heat treatment tower 21 on the side far from the indexer block 1 has three adhesion reinforcements for heat-treating the substrate W in a vapor atmosphere of HMDS (hexamethyldisilazane) in order to improve the adhesion between the resist film and the substrate W. The processing units AHL1 to AHL3 are stacked in order from the bottom. In FIG. 3, piping wiring sections and spare empty spaces are assigned to the locations indicated by “x” marks.

このように塗布処理ユニットBRC1〜BRC3や熱処理ユニット(ホットプレートHP1〜HP6、クールプレートCP1〜CP3、密着強化処理部AHL1〜AHL3)を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、2つの熱処理タワー21,21を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。   As described above, the coating processing units BRC1 to BRC3 and the heat treatment units (hot plates HP1 to HP6, cool plates CP1 to CP3, adhesion strengthening processing units AHL1 to AHL3) are stacked in multiple stages to reduce the space occupied by the substrate processing apparatus. And footprint can be reduced. Further, by arranging two heat treatment towers 21 and 21 in parallel, there is an advantage that maintenance of the heat treatment unit is facilitated and duct piping and power supply equipment necessary for the heat treatment unit need not be extended to a very high position. .

図5は、搬送ロボットTR1を説明するための図である。図5(a)は搬送ロボットTR1の平面図であり、(b)は搬送ロボットTR1の正面図である。搬送ロボットTR1は、基板Wを略水平姿勢で保持する2個の保持アーム6a,6bを上下に近接させて備えている。保持アーム6a,6bは、先端部が平面視で「C」字形状になっており、この「C」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン7で基板Wの周縁を下方から支持するようになっている。   FIG. 5 is a diagram for explaining the transfer robot TR1. FIG. 5A is a plan view of the transfer robot TR1, and FIG. 5B is a front view of the transfer robot TR1. The transfer robot TR1 includes two holding arms 6a and 6b that hold the substrate W in a substantially horizontal posture so as to be close to each other in the vertical direction. The holding arms 6a and 6b have a "C" shape at the top end in a plan view, and a plurality of pins 7 projecting inward from the inner side of the "C" shaped arm to surround the periphery of the substrate W. Supports from below.

搬送ロボットTR1の基台8は装置基台(装置フレーム)に対して固定設置されている。この基台8上に、ガイド軸9cが立設されるとともに、螺軸9aが回転可能に立設支持されている。また、基台8には螺軸9aを回転駆動するモータ9bが固定設置されている。そして、螺軸9aには昇降台10aが螺合されるとともに、昇降台10aはガイド軸9cに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ9bが螺軸9aを回転駆動することにより、昇降台10aがガイド軸9cに案内されて鉛直方向(Z方向)に昇降移動するようになっている。   The base 8 of the transfer robot TR1 is fixedly installed on the apparatus base (apparatus frame). On the base 8, a guide shaft 9c is erected and the screw shaft 9a is erected and supported rotatably. A motor 9b that rotationally drives the screw shaft 9a is fixedly installed on the base 8. The lifting platform 10a is screwed onto the screw shaft 9a, and the lifting platform 10a is slidable with respect to the guide shaft 9c. With such a configuration, when the motor 9b rotationally drives the screw shaft 9a, the lifting platform 10a is guided by the guide shaft 9c to move up and down in the vertical direction (Z direction).

また、昇降台10a上にアーム基台10bが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台10aには、アーム基台10bを旋回駆動するモータ10cが内蔵されている。そして、このアーム基台10b上に上述した2個の保持アーム6a,6bが上下に配設されている。各保持アーム6a,6bは、アーム基台10bに装備されたスライド駆動機構(図示省略)によって、それぞれ独立して水平方向(アーム基台10bの旋回半径方向)に進退移動可能に構成されている。   Further, an arm base 10b is mounted on the lifting platform 10a so as to be able to turn around an axis along the vertical direction. A motor 10c for turning the arm base 10b is built in the elevator base 10a. The two holding arms 6a and 6b described above are arranged vertically on the arm base 10b. Each holding arm 6a, 6b is configured to be able to move forward and backward independently in the horizontal direction (in the turning radius direction of the arm base 10b) by a slide drive mechanism (not shown) mounted on the arm base 10b. .

このような構成によって、図5(a)に示すように、搬送ロボットTR1は2個の保持アーム6a,6bをそれぞれ個別に基板載置部PASS1,PASS2、熱処理タワー21に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部BRCに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部PASS3,PASS4に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。   With such a configuration, as shown in FIG. 5A, the transfer robot TR1 includes two holding arms 6a and 6b that are individually provided on the substrate platforms PASS1 and PASS2 and the heat treatment tower 21, respectively. It is possible to access a coating processing unit provided in the base coating processing unit BRC and substrate mounting units PASS3 and PASS4, which will be described later, and transfer the substrate W between them.

次に、レジスト塗布ブロック3について説明する。バークブロック2と現像処理ブロック4との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック3が設けられている。このレジスト塗布ブロック3とバークブロック2との間にも、雰囲気遮断用の隔壁25が設けられている。この隔壁25にバークブロック2とレジスト塗布ブロック3との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS3,PASS4が上下に積層して設けられている。基板載置部PASS3,PASS4は、上述した基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。   Next, the resist coating block 3 will be described. A resist coating block 3 is provided so as to be sandwiched between the bark block 2 and the development processing block 4. Between the resist coating block 3 and the bark block 2, an atmosphere blocking partition 25 is also provided. In order to transfer the substrate W between the bark block 2 and the resist coating block 3, two substrate platforms PASS 3 and PASS 4 on which the substrate W is mounted are stacked on the partition wall 25 in the vertical direction. The substrate platforms PASS3 and PASS4 have the same configuration as the substrate platforms PASS1 and PASS2 described above.

上側の基板載置部PASS3は、バークブロック2からレジスト塗布ブロック3へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック2の搬送ロボットTR1が基板載置部PASS3に載置した基板Wをレジスト塗布ブロック3の搬送ロボットTR2が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS4は、レジスト塗布ブロック3からバークブロック2へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック3の搬送ロボットTR2が基板載置部PASS4に載置した基板Wをバークブロック2の搬送ロボットTR1が受け取る。   The upper substrate platform PASS3 is used to transport the substrate W from the bark block 2 to the resist coating block 3. That is, the transport robot TR2 of the resist coating block 3 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS3 by the transport robot TR1 of the bark block 2. On the other hand, the lower substrate platform PASS 4 is used to transport the substrate W from the resist coating block 3 to the bark block 2. That is, the transport robot TR1 of the bark block 2 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS4 by the transport robot TR2 of the resist coating block 3.

基板載置部PASS3,PASS4は、隔壁25の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS3,PASS4には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットTR1,TR2が基板載置部PASS3,PASS4に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部PASS3,PASS4の下側には、基板Wを大まかに冷却するための水冷式の2つのクールプレートWCPが隔壁25を貫通して上下に設けられている。   The substrate platforms PASS3 and PASS4 are provided partially through a part of the partition wall 25. The substrate platforms PASS3 and PASS4 are provided with optical sensors (not shown) for detecting the presence or absence of the substrate W, and the transfer robots TR1 and TR2 are mounted on the substrate based on detection signals from the sensors. It is determined whether or not the substrate W can be delivered to the parts PASS3 and PASS4. Further, under the substrate platforms PASS 3 and PASS 4, two water-cooled cool plates WCP for roughly cooling the substrate W are provided above and below the partition wall 25.

レジスト塗布ブロック3は、バークブロック2にて反射防止膜が塗布形成された基板W上にフォトレジスト膜を塗布形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック3は、下地塗布された反射防止膜の上にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト塗布処理部SCと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー31,31と、レジスト塗布処理部SCおよび熱処理タワー31,31に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR2とを備える。   The resist coating block 3 is a processing block for coating and forming a photoresist film on the substrate W on which the antireflection film is coated and formed in the bark block 2. In the present embodiment, a chemically amplified resist is used as the photoresist. The resist coating block 3 includes a resist coating processing section SC that coats and forms a photoresist film on an antireflection film that has been coated on the base, two heat treatment towers 31 and 31 that perform heat treatment associated with the resist coating processing, and resist coating. A transfer robot TR2 that transfers the substrate W to the processing unit SC and the heat treatment towers 31, 31 is provided.

レジスト塗布ブロック3においては、搬送ロボットTR2を挟んでレジスト塗布処理部SCと熱処理タワー31,31とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部SCが装置正面側に、2つの熱処理タワー31,31が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー31,31の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部SCと熱処理タワー31,31とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー31,31からレジスト塗布処理部SCに熱的影響を与えることを回避しているのである。   In the resist coating block 3, the resist coating processing unit SC and the heat treatment towers 31 and 31 are arranged to face each other with the transfer robot TR2 interposed therebetween. Specifically, the resist coating processing section SC is located on the front side of the apparatus, and the two heat treatment towers 31 and 31 are located on the rear side of the apparatus. A heat partition (not shown) is provided on the front side of the heat treatment towers 31 and 31. By disposing the resist coating processing part SC and the heat treatment towers 31 and 31 apart from each other and providing a thermal partition, the thermal treatment towers 31 and 31 are prevented from having a thermal influence on the resist coating processing part SC. .

レジスト塗布処理部SCは、図2に示すように、同様の構成を備えた3つの塗布処理ユニットSC1,SC2,SC3を下から順に積層配置して構成されている。なお、3つの塗布処理ユニットSC1,SC2,SC3を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部SCとする。各塗布処理ユニットSC1,SC2,SC3は、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック32、このスピンチャック32上に保持された基板W上にフォトレジストを吐出する塗布ノズル33、スピンチャック32を回転駆動させるスピンモータ(図示省略)およびスピンチャック32上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。   As shown in FIG. 2, the resist coating processing section SC is configured by stacking and arranging three coating processing units SC1, SC2, SC3 having the same configuration in order from the bottom. If the three coating processing units SC1, SC2, and SC3 are not particularly distinguished, they are collectively referred to as a resist coating processing unit SC. Each of the coating processing units SC1, SC2, SC3 discharges the photoresist onto the spin chuck 32 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates it in a substantially horizontal plane, and the substrate W held on the spin chuck 32. A coating motor 33 for rotating the spin chuck 32 (not shown), a cup (not shown) surrounding the periphery of the substrate W held on the spin chuck 32, and the like.

図3に示すように、インデクサブロック1に近い側の熱処理タワー31には、基板Wを所定の温度にまで加熱する6個の加熱部PHP1〜PHP6が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック1から遠い側の熱処理タワー31には、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持するクールプレートCP4〜CP9が下から順に積層配置されている。   As shown in FIG. 3, in the heat treatment tower 31 on the side close to the indexer block 1, six heating parts PHP <b> 1 to PHP <b> 6 that heat the substrate W to a predetermined temperature are sequentially stacked from below. On the other hand, in the heat treatment tower 31 on the side far from the indexer block 1, cool plates CP4 to CP9 for cooling the heated substrate W and lowering the temperature to a predetermined temperature and maintaining the substrate W at the predetermined temperature are provided from below. They are arranged in order.

各加熱部PHP1〜PHP6は、基板Wを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Wを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Wを搬送するローカル搬送機構34(図1参照)とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構34は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Wを冷却する機構を備えている。   Each of the heating units PHP1 to PHP6 includes a substrate temporary placement unit that places the substrate W on an upper position separated from the hot plate, in addition to a normal hot plate that places the substrate W and performs heat treatment. The heat treatment unit includes a local transport mechanism 34 (see FIG. 1) for transporting the substrate W between the hot plate and the temporary substrate placement unit. The local transport mechanism 34 is configured to be capable of moving up and down and moving back and forth, and includes a mechanism for cooling the substrate W in the transport process by circulating cooling water.

ローカル搬送機構34は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットTR2とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットTR2側およびローカル搬送機構34側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構34側のみ開口し、搬送ロボットTR2側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットTR2およびローカル搬送機構34の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構34のみがアクセス可能である。   The local transport mechanism 34 is installed on the opposite side to the transport robot TR2 across the hot plate and the temporary substrate placement section, that is, on the back side of the apparatus. The temporary substrate placement portion is open to both the transfer robot TR2 side and the local transfer mechanism 34 side, while the hot plate is open only to the local transfer mechanism 34 side and is closed to the transfer robot TR2 side. . Accordingly, both the transport robot TR2 and the local transport mechanism 34 can access the temporary substrate placement portion, but only the local transport mechanism 34 can access the hot plate.

このような構成を備える各加熱部PHP1〜PHP6に基板Wを搬入するときには、まず搬送ロボットTR2が基板仮置部に基板Wを載置する。そして、ローカル搬送機構34が基板仮置部から基板Wを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Wに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Wは、ローカル搬送機構34によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構34が備える冷却機能によって基板Wが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Wが搬送ロボットTR2によって取り出される。   When the substrate W is carried into each of the heating units PHP1 to PHP6 having such a configuration, the transport robot TR2 first places the substrate W on the temporary substrate placement unit. Then, the local transport mechanism 34 receives the substrate W from the temporary substrate placement unit, transports it to the hot plate, and heats the substrate W. The substrate W that has been subjected to the heat treatment by the hot plate is taken out by the local transport mechanism 34 and transported to the temporary substrate placement unit. At this time, the substrate W is cooled by the cooling function provided in the local transport mechanism 34. Thereafter, the substrate W after the heat treatment transferred to the temporary substrate placement unit is taken out by the transfer robot TR2.

このように、加熱部PHP1〜PHP6においては、搬送ロボットTR2が常温の基板仮置部に対して基板Wの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対する基板Wの受け渡しを行わないため、搬送ロボットTR2の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構34側のみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットTR2やレジスト塗布処理部SCが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートCP4〜CP9に対しては搬送ロボットTR2が直接基板Wの受け渡しを行う。   In this way, in the heating units PHP1 to PHP6, the transfer robot TR2 only transfers the substrate W to the substrate temporary placement unit at room temperature, and does not transfer the substrate W to the hot plate. Temperature rise can be suppressed. Further, since the hot plate is opened only on the local transfer mechanism 34 side, the transfer robot TR2 and the resist coating processing unit SC are prevented from being adversely affected by the thermal atmosphere leaked from the hot plate. Note that the transfer robot TR2 directly transfers the substrate W to the cool plates CP4 to CP9.

搬送ロボットTR2の構成は、搬送ロボットTR1と全く同じである。よって、搬送ロボットTR2は2個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部PASS3,PASS4、熱処理タワー31に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部SCに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部PASS5,PASS6に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。   The configuration of the transfer robot TR2 is exactly the same as that of the transfer robot TR1. Therefore, the transfer robot TR2 has two holding arms individually for the substrate platforms PASS3 and PASS4, a heat treatment unit provided in the heat treatment tower 31, a coating processing unit provided in the resist coating processing unit SC, and a substrate mounting described later. The placement units PASS5 and PASS6 can be accessed, and the substrate W can be exchanged between them.

次に、現像処理ブロック4について説明する。レジスト塗布ブロック3とインターフェイスブロック5との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック4が設けられている。レジスト塗布ブロック3と現像処理ブロック4との間にも、雰囲気遮断用の隔壁35が設けられている。この隔壁35にレジスト塗布ブロック3と現像処理ブロック4との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS5,PASS6が上下に積層して設けられている。基板載置部PASS5,PASS6は、上述した基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。   Next, the development processing block 4 will be described. A development processing block 4 is provided so as to be sandwiched between the resist coating block 3 and the interface block 5. A partition wall 35 for shielding the atmosphere is also provided between the resist coating block 3 and the development processing block 4. In order to transfer the substrate W between the resist coating block 3 and the development processing block 4, two substrate platforms PASS 5 and PASS 6 on which the substrate W is mounted are stacked on the partition wall 35 in the vertical direction. . The substrate platforms PASS5 and PASS6 have the same configuration as the substrate platforms PASS1 and PASS2 described above.

上側の基板載置部PASS5は、レジスト塗布ブロック3から現像処理ブロック4へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック3の搬送ロボットTR2が基板載置部PASS5に載置した基板Wを現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS6は、現像処理ブロック4からレジスト塗布ブロック3へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3が基板載置部PASS6に載置した基板Wをレジスト塗布ブロック3の搬送ロボットTR2が受け取る。   The upper substrate platform PASS5 is used for transporting the substrate W from the resist coating block 3 to the development processing block 4. That is, the transport robot TR3 of the development processing block 4 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS5 by the transport robot TR2 of the resist coating block 3. On the other hand, the lower substrate platform PASS 6 is used to transport the substrate W from the development processing block 4 to the resist coating block 3. That is, the transport robot TR2 of the resist coating block 3 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS6 by the transport robot TR3 of the development processing block 4.

基板載置部PASS5,PASS6は、隔壁35の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS5,PASS6には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットTR2,TR3が基板載置部PASS5,PASS6に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部PASS5,PASS6の下側には、基板Wを大まかに冷却するための水冷式の2つのクールプレートWCPが隔壁35を貫通して上下に設けられている。   The substrate platforms PASS5 and PASS6 are provided so as to partially penetrate a part of the partition wall 35. The substrate platforms PASS5 and PASS6 are provided with optical sensors (not shown) for detecting the presence or absence of the substrate W, and the transport robots TR2 and TR3 are mounted on the substrate based on detection signals from the sensors. It is determined whether or not the substrate W can be delivered to the parts PASS5 and PASS6. Further, below the substrate platforms PASS 5 and PASS 6, two water-cooled cool plates WCP for roughly cooling the substrate W are provided vertically through the partition wall 35.

現像処理ブロック4は、露光された基板Wに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック4は、パターンが露光された基板Wに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部SDと、現像処理に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー41,42と、現像処理部SDおよび熱処理タワー41,42に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR3とを備える。なお、搬送ロボットTR3は、上述した搬送ロボットTR1,TR2と全く同じ構成を有する。   The development processing block 4 is a processing block for performing development processing on the exposed substrate W. The development processing block 4 includes a development processing unit SD that performs development processing by supplying a developing solution to the substrate W on which the pattern has been exposed, two heat treatment towers 41 and 42 that perform heat treatment associated with the development processing, and development. A transfer robot TR3 that transfers the substrate W to the processing unit SD and the heat treatment towers 41 and 42 is provided. The transfer robot TR3 has the same configuration as the transfer robots TR1 and TR2 described above.

現像処理部SDは、図2に示すように、同様の構成を備えた5つの現像処理ユニットSD1,SD2,SD3,SD4,SD5を下から順に積層配置して構成されている。なお、5つの現像処理ユニットSD1〜SD5を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部SDとする。各現像処理ユニットSD1〜SD5は、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック43、このスピンチャック43上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル44、スピンチャック43を回転駆動させるスピンモータ(図示省略)およびスピンチャック43上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。   As shown in FIG. 2, the development processing unit SD is configured by stacking five development processing units SD1, SD2, SD3, SD4, and SD5 having the same configuration in order from the bottom. Note that the five development processing units SD1 to SD5 are collectively referred to as the development processing unit SD unless particularly distinguished. Each of the development processing units SD1 to SD5 includes a spin chuck 43 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates the substrate W in a substantially horizontal plane, and a nozzle that supplies a developer onto the substrate W held on the spin chuck 43. 44, a spin motor (not shown) for rotating the spin chuck 43, a cup (not shown) surrounding the periphery of the substrate W held on the spin chuck 43, and the like.

図3に示すように、インデクサブロック1に近い側の熱処理タワー41には、基板Wを所定の温度にまで加熱する5個のホットプレートHP7〜HP11と、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持するクールプレートCP10〜CP12とが設けられている。この熱処理タワー41には、下から順にクールプレートCP10〜CP12、ホットプレートHP7〜HP11が積層配置されている。一方、インデクサブロック1から遠い側の熱処理タワー42には、6個の加熱部PHP7〜PHP12とクールプレートCP13とが積層配置されている。各加熱部PHP7〜PHP12は、上述した加熱部PHP1〜PHP6と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部PHP7〜PHP12の基板仮置部はインターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4の側には開口しているが、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3の側には閉塞している。つまり、加熱部PHP7〜PHP12に対してはインターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4はアクセス可能であるが、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3はアクセス不可である。なお、熱処理タワー41に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3がアクセスする。   As shown in FIG. 3, in the heat treatment tower 41 on the side close to the indexer block 1, five hot plates HP7 to HP11 for heating the substrate W to a predetermined temperature and the heated substrate W are cooled to a predetermined temperature. Cool plates CP <b> 10 to CP <b> 12 are provided that lower the temperature to a predetermined temperature and maintain the substrate W at the predetermined temperature. In the heat treatment tower 41, cool plates CP10 to CP12 and hot plates HP7 to HP11 are laminated in order from the bottom. On the other hand, in the heat treatment tower 42 on the side far from the indexer block 1, six heating parts PHP7 to PHP12 and a cool plate CP13 are laminated. Each of the heating units PHP7 to PHP12 is a heat treatment unit including a temporary substrate placement unit and a local transport mechanism, similarly to the heating units PHP1 to PHP6 described above. However, the temporary substrate placement portions of the heating units PHP7 to PHP12 are open on the side of the transport robot TR4 of the interface block 5, but are closed on the side of the transport robot TR3 of the development processing block 4. That is, the transport robot TR4 of the interface block 5 can access the heating units PHP7 to PHP12, but the transport robot TR3 of the development processing block 4 is not accessible. Note that the transfer robot TR3 of the development processing block 4 accesses the heat treatment unit incorporated in the heat treatment tower 41.

また、熱処理タワー42には、現像処理ブロック4と、これに隣接するインターフェイスブロック5との間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS7,PASS8が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部PASS7は、現像処理ブロック4からインターフェイスブロック5へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3が基板載置部PASS7に載置した基板Wをインターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS8は、インターフェイスブロック5から現像処理ブロック4へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4が基板載置部PASS8に載置した基板Wを現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3が受け取る。なお、基板載置部PASS7,PASS8は、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3およびインターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4の両側に対して開口している。   Further, in the heat treatment tower 42, two substrate platforms PASS7 and PASS8 for transferring the substrate W between the development processing block 4 and the interface block 5 adjacent to the development processing block 4 are assembled in close proximity to each other. ing. The upper substrate platform PASS7 is used to transport the substrate W from the development processing block 4 to the interface block 5. That is, the transport robot TR4 of the interface block 5 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS7 by the transport robot TR3 of the development processing block 4. On the other hand, the lower substrate platform PASS 8 is used to transport the substrate W from the interface block 5 to the development processing block 4. That is, the transport robot TR3 of the development processing block 4 receives the substrate W placed on the substrate platform PASS8 by the transport robot TR4 of the interface block 5. The substrate platforms PASS7 and PASS8 are open to both sides of the transport robot TR3 of the development processing block 4 and the transport robot TR4 of the interface block 5.

次に、インターフェイスブロック5について説明する。インターフェイスブロック5は、現像処理ブロック4に隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板Wの受け渡しを行うブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック5には、露光装置との間で基板Wの受け渡しを行うための搬送機構55の他に、フォトレジスト膜が形成された基板Wの周縁部を露光する2つのエッジ露光部EEWと、現像処理ブロック4内に配設された加熱部PHP7〜PHP12およびエッジ露光部EEWに対して基板Wを受け渡しする搬送ロボットTR4とを備えている。   Next, the interface block 5 will be described. The interface block 5 is a block which is provided adjacent to the development processing block 4 and delivers the substrate W to an exposure apparatus which is an external apparatus separate from the substrate processing apparatus. In the interface block 5 of the present embodiment, in addition to the transport mechanism 55 for transferring the substrate W to and from the exposure apparatus, two edge exposures for exposing the peripheral portion of the substrate W on which the photoresist film is formed are performed. And a transport robot TR4 that delivers the substrate W to the heating units PHP7 to PHP12 and the edge exposure unit EEW disposed in the development processing block 4.

エッジ露光部EEWは、図2に示すように、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック56や、このスピンチャック56に保持された基板Wの周縁に光を照射して露光する光照射器57などを備えている。2つのエッジ露光部EEWは、インターフェイスブロック5の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部EEWと現像処理ブロック4の熱処理タワー42とに隣接して配置されている搬送ロボットTR4は上述した搬送ロボットTR1〜TR3と同様の構成を備えている。   The edge exposure unit EEW, as shown in FIG. 2, applies light to the spin chuck 56 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates the substrate W in a substantially horizontal plane, and the periphery of the substrate W held by the spin chuck 56. And a light irradiator 57 that exposes the light. The two edge exposure portions EEW are stacked in the vertical direction at the center of the interface block 5. The transfer robot TR4 disposed adjacent to the edge exposure unit EEW and the heat treatment tower 42 of the development processing block 4 has the same configuration as the transfer robots TR1 to TR3 described above.

また、図2に示すように、2つのエッジ露光部EEWの下側には基板戻し用のリターンバッファRBFが設けられ、さらにその下側には2つの基板載置部PASS9,PASS10が上下に積層して設けられている。リターンバッファRBFは、何らかの障害によって現像処理ブロック4が基板Wの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック4の加熱部PHP7〜PHP12で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Wを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファRBFは、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部PASS9は搬送ロボットTR4から搬送機構55に基板Wを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部PASS10は搬送機構55から搬送ロボットTR4に基板Wを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファRBFに対しては搬送ロボットTR4がアクセスを行う。   Further, as shown in FIG. 2, a return buffer RBF for returning the substrate is provided below the two edge exposure units EEW, and two substrate platforms PASS9 and PASS10 are stacked on the lower side. Is provided. When the development processing block 4 cannot perform the development processing of the substrate W due to some trouble, the return buffer RBF performs the post-exposure heating processing by the heating units PHP7 to PHP12 of the development processing block 4, and then the substrate W Is temporarily stored. The return buffer RBF is configured by a storage shelf that can store a plurality of substrates W in multiple stages. The upper substrate platform PASS9 is used to transfer the substrate W from the transport robot TR4 to the transport mechanism 55, and the lower substrate platform PASS10 transfers the substrate W from the transport mechanism 55 to the transport robot TR4. It is used to pass. Note that the transfer robot TR4 accesses the return buffer RBF.

搬送機構55は、図2に示すように、Y方向に水平移動可能な可動台55aを備え、この可動台55a上に基板Wを保持する保持アーム55bを搭載している。保持アーム55bは、可動台55aに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構55は、露光装置との間で基板Wの受け渡しを行うとともに、基板載置部PASS9,PASS10に対する基板Wの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファSBFに対する基板Wの収納および取り出しを行う。センドバッファSBFは、露光装置が基板Wの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Wを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚によって構成されている。   As shown in FIG. 2, the transport mechanism 55 includes a movable base 55a that can move horizontally in the Y direction, and a holding arm 55b that holds the substrate W is mounted on the movable base 55a. The holding arm 55b is configured to be capable of moving up and down, turning and moving in the turning radius direction with respect to the movable base 55a. With such a configuration, the transport mechanism 55 transfers the substrate W to and from the exposure apparatus, transfers the substrate W to the substrate platforms PASS9 and PASS10, and transfers the substrate W to the send buffer SBF for substrate transfer. Store and remove. The send buffer SBF temporarily stores and stores the substrate W before the exposure processing when the exposure apparatus cannot accept the substrate W, and is configured by a storage shelf that can store a plurality of substrates W in multiple stages. .

以上のインデクサブロック1、バークブロック2、レジスト塗布ブロック3、現像処理ブロック4およびインターフェイスブロック5には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。   The indexer block 1, the bark block 2, the resist coating block 3, the development processing block 4 and the interface block 5 are always supplied with clean air as a downflow, and the process is caused by the rising of particles and airflow in each block. To avoid the negative effects of. In addition, the inside of each block is kept at a slightly positive pressure with respect to the external environment of the apparatus to prevent entry of particles and contaminants from the external environment.

また、上述したインデクサブロック1、バークブロック2、レジスト塗布ブロック3、現像処理ブロック4およびインターフェイスブロック5は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム(枠体)に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。   The indexer block 1, the bark block 2, the resist coating block 3, the development processing block 4 and the interface block 5 described above are units obtained by mechanically dividing the substrate processing apparatus of the present embodiment. Each block is assembled to an individual block frame (frame body), and the substrate processing apparatus is configured by connecting the block frames.

一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。1つのセルは、基板に所定の処理を行う複数の処理部とそれら複数の処理部に対して基板の循環搬送を行う搬送ロボットとを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Wを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Wを払い出すための出口基板載置部として機能する。そして、セル間の基板Wの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、本明細書では熱処理ユニットや塗布・現像処理ユニットの他に単に基板Wを載置するだけの基板載置部等も搬送対象部という意味において「処理部」に含め、また、基板移載機構12や搬送機構55も搬送ロボットに含める。   On the other hand, in the present embodiment, the transport control unit for transporting the substrate is configured separately from the block that is mechanically divided. In the present specification, such a transport control unit for transporting a substrate is referred to as a “cell”. One cell includes a plurality of processing units that perform predetermined processing on the substrate and a transfer robot that circulates and transfers the substrate to the plurality of processing units. Each of the substrate placement units described above functions as an entrance substrate placement unit for receiving the substrate W in the cell or an exit substrate placement unit for delivering the substrate W from the cell. And delivery of the board | substrate W between cells is also performed via a board | substrate mounting part. In this specification, in addition to the heat treatment unit and the coating / development processing unit, a substrate placement unit that simply places the substrate W is also included in the “processing unit” in the sense of the transfer target unit, and the substrate transfer The mechanism 12 and the transport mechanism 55 are also included in the transport robot.

本実施形態の基板処理装置には、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの6つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台11と基板移載機構12とを含み、結果的に機械的に分割した単位であるインデクサブロック1と同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部BRCと2つの熱処理タワー21,21と搬送ロボットTR1とを含む。このバークセルも、結果として機械的に分割した単位であるバークブロック2と同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部SCと2つの熱処理タワー31,31と搬送ロボットTR2とを含む。このレジスト塗布セルも、結果として機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック3と同じ構成になっている。   The substrate processing apparatus of the present embodiment includes six cells: an indexer cell, a bark cell, a resist coating cell, a development processing cell, a post-exposure bake cell, and an interface cell. The indexer cell includes a mounting table 11 and a substrate transfer mechanism 12 and has the same configuration as the indexer block 1 which is a unit that is mechanically divided as a result. The bark cell includes a base coating processing unit BRC, two heat treatment towers 21 and 21, and a transfer robot TR1. This bark cell also has the same configuration as the bark block 2, which is a mechanically divided unit. Further, the resist coating cell includes a resist coating processing unit SC, two heat treatment towers 31 and 31, and a transfer robot TR2. This resist coating cell also has the same configuration as the resist coating block 3, which is a mechanically divided unit.

一方、現像処理セルは、現像処理部SDと熱処理タワー41と搬送ロボットTR3とを含む。上述したように、搬送ロボットTR3は熱処理タワー42の加熱部PHP7〜PHP12に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー42は含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック4と異なる。   On the other hand, the development processing cell includes a development processing unit SD, a heat treatment tower 41, and a transport robot TR3. As described above, the transfer robot TR3 cannot access the heating units PHP7 to PHP12 of the heat treatment tower 42, and the heat treatment tower 42 is not included in the development processing cell. In this respect, the development processing cell is different from the development processing block 4 which is a mechanically divided unit.

また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック4に位置する熱処理タワー42と、インターフェイスブロック5に位置するエッジ露光部EEWと搬送ロボットTR4とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック4とインターフェイスブロック5とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部PHP7〜PHP12と搬送ロボットTR4とを含んで1つのセルを構成しているので、露光後の基板Wを速やかに加熱部PHP7〜PHP12に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。   The post-exposure bake cell includes a heat treatment tower 42 located in the development processing block 4, an edge exposure unit EEW located in the interface block 5, and a transport robot TR 4. That is, the post-exposure bake cell extends over the development processing block 4 and the interface block 5 which are mechanically divided units. Thus, since one cell is comprised including the heating parts PHP7 to PHP12 and the transfer robot TR4 for performing the post-exposure heat treatment, the substrate W after the exposure is quickly carried into the heating parts PHP7 to PHP12 and subjected to the heat treatment. It can be performed. Such a configuration is suitable when a chemically amplified resist that needs to be heat-treated as soon as possible after pattern exposure is used.

なお、熱処理タワー42に含まれる基板載置部PASS7,PASS8は現像処理セルの搬送ロボットTR3と露光後ベークセルの搬送ロボットTR4との間の基板Wの受け渡しのために介在する。   The substrate platforms PASS7 and PASS8 included in the heat treatment tower 42 are interposed for transferring the substrate W between the transfer robot TR3 of the development processing cell and the transfer robot TR4 of the post-exposure bake cell.

インターフェイスセルは、外部装置である露光装置に対して基板Wの受け渡しを行う搬送機構55を含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボットTR4やエッジ露光部EEWを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック5とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部EEWの下方に設けられた基板載置部PASS9,PASS10は露光後ベークセルの搬送ロボットTR4とインターフェイスセルの搬送機構55との間の基板Wの受け渡しのために介在する。   The interface cell includes a transport mechanism 55 that transfers the substrate W to and from an exposure apparatus that is an external apparatus. This interface cell is different from the interface block 5 which is a mechanically divided unit in that the interface cell does not include the transport robot TR4 and the edge exposure unit EEW. The substrate platforms PASS9 and PASS10 provided below the edge exposure unit EEW are interposed for the transfer of the substrate W between the post-exposure bake cell transfer robot TR4 and the interface cell transfer mechanism 55.

次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図6は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施形態の基板処理装置は、メインコントローラMC、セルコントローラCC、ユニットコントローラの3階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラMC、セルコントローラCC、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。   Next, the control mechanism of the substrate processing apparatus of this embodiment will be described. FIG. 6 is a block diagram showing an outline of the control mechanism. As shown in the figure, the substrate processing apparatus of the present embodiment includes a control hierarchy including three levels of a main controller MC, a cell controller CC, and a unit controller. The hardware configuration of the main controller MC, cell controller CC, and unit controller is the same as that of a general computer. That is, each controller stores a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, and control applications and data. A magnetic disk or the like is provided.

第1階層のメインコントローラMCは、基板処理装置全体に1つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルMPの管理およびセルコントローラCCの管理を主に担当する。メインパネルMPは、メインコントローラMCのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラMCに対してはキーボードKBから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルMPをタッチパネルにて構成し、メインパネルMPからメインコントローラMCに入力作業を行うようにしても良い。このメインパネルMPまたはキーボードKBによって診断モードの開始を受け付けるのであるが、これについては後述する。   One main controller MC in the first hierarchy is provided for the entire substrate processing apparatus, and is mainly responsible for management of the entire apparatus, management of the main panel MP, and management of the cell controller CC. The main panel MP functions as a display for the main controller MC. Various commands can be input to the main controller MC from the keyboard KB. The main panel MP may be configured by a touch panel, and input work may be performed from the main panel MP to the main controller MC. The start of the diagnostic mode is accepted by the main panel MP or the keyboard KB, which will be described later.

第2階層のセルコントローラCCは、6つのセル(インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル)のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラCCは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラCCは、所定の基板載置部に基板Wを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラCCに送り、その基板Wを受け取ったセルのセルコントローラCCは、当該基板載置部から基板Wを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラCCに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラMCを介して行われる。そして、各セルコントローラCCはセル内に基板Wが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラTCに与え、該搬送ロボットコントローラTCが搬送ロボットを制御してセル内で基板Wを所定の手順(フローレシピ)に従って循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラTCは、セルコントローラCC上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。   The second-level cell controller CC is individually provided for each of the six cells (indexer cell, bark cell, resist coating cell, development processing cell, post-exposure bake cell, and interface cell). Each cell controller CC is mainly in charge of substrate transport management and unit management in the corresponding cell. Specifically, the cell controller CC of each cell sends information that the substrate W has been placed on a predetermined substrate placement unit to the cell controller CC of the adjacent cell, and the cell controller CC of the cell that has received the substrate W. Transmits / receives information that information indicating that the substrate W has been received from the substrate platform is returned to the cell controller CC of the original cell. Such transmission / reception of information is performed via the main controller MC. Each cell controller CC gives information to the transfer robot controller TC that the substrate W has been loaded into the cell, and the transfer robot controller TC controls the transfer robot to transfer the substrate W in the cell according to a predetermined procedure (flow). Circulate and convey according to recipe. The transfer robot controller TC is a control unit realized by a predetermined application operating on the cell controller CC.

また、第3階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラCCの指示に従ってセル内に配置されたスピンユニット(塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット)を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Wの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラCCの指示に従ってセル内に配置された熱処理ユニット(ホットプレート、クールプレート、加熱部等)を直接制御するものである。具体的には、ベークコントローラは、例えばホットプレートに内蔵されたヒータを制御してプレート温度等を調整する。   In addition, as the unit controller of the third hierarchy, for example, a spin controller or a bake controller is provided. The spin controller directly controls spin units (coating processing unit and development processing unit) arranged in the cell in accordance with instructions from the cell controller CC. Specifically, the spin controller adjusts the rotation speed of the substrate W by controlling a spin motor of the spin unit, for example. Further, the bake controller directly controls the heat treatment units (hot plate, cool plate, heating unit, etc.) arranged in the cell in accordance with instructions from the cell controller CC. Specifically, the bake controller adjusts the plate temperature and the like by controlling, for example, a heater built in the hot plate.

このように本実施形態では、3階層の制御階層とすることによって各コントローラの制御負荷を軽減している。また、各セルコントローラCCは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれのセル内だけの基板搬送スケジュールを管理しているため、各セルコントローラCCの搬送制御の負担が軽くなる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができるのである。   As described above, in this embodiment, the control load of each controller is reduced by adopting a three-level control hierarchy. In addition, each cell controller CC manages the substrate transfer schedule only in each cell without considering the transfer schedule in the adjacent cell, so the burden of transfer control on each cell controller CC is reduced. . As a result, the throughput of the substrate processing apparatus can be improved.

次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。ここでは、まず、基板処理装置における基板Wの循環搬送の手順について簡単に説明する。まず、インデクサセル(インデクサブロック1)の基板移載機構12が所定のキャリアCから未処理の基板Wを取り出し、上側の基板載置部PASS1に載置する。基板載置部PASS1に未処理の基板Wが載置されると、バークセルの搬送ロボットTR1が保持アーム6a,6bのうちの一方を使用してその基板Wを受け取る。そして、搬送ロボットTR1は受け取った未処理の基板Wを密着強化処理部AHL1〜AHL3のいずれかに搬送する。密着強化処理の終了した基板Wは搬送ロボットTR1によって取り出され、クールプレートCP1〜CP3のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR1によって塗布処理ユニットBRC1〜BRC3のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。   Next, the operation of the substrate processing apparatus of this embodiment will be described. Here, first, a procedure for circulating and transporting the substrate W in the substrate processing apparatus will be briefly described. First, the substrate transfer mechanism 12 of the indexer cell (indexer block 1) takes out an unprocessed substrate W from a predetermined carrier C and places it on the upper substrate platform PASS1. When an unprocessed substrate W is placed on the substrate platform PASS1, the transfer robot TR1 of the bark cell receives the substrate W using one of the holding arms 6a and 6b. Then, the transfer robot TR1 transfers the received unprocessed substrate W to any one of the adhesion reinforcement processing units AHL1 to AHL3. The substrate W that has been subjected to the adhesion strengthening process is taken out by the transport robot TR1, transported to one of the cool plates CP1 to CP3, and cooled. The cooled substrate W is transported to one of the coating processing units BRC1 to BRC3 by the transport robot TR1, and the coating liquid for the antireflection film is spin-coated.

塗布処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR1によってホットプレートHP1〜HP6のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Wが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板W上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットTR1によってホットプレートから取り出された基板Wは再びクールプレートCP1〜CP3のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートWCPによって基板Wを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR1によって基板載置部PASS3に載置される。   After the coating process is completed, the substrate W is transferred to one of the hot plates HP1 to HP6 by the transfer robot TR1. When the substrate W is heated by the hot plate, the coating liquid is dried and a base antireflection film is formed on the substrate W. Thereafter, the substrate W taken out from the hot plate by the transfer robot TR1 is transferred again to any one of the cool plates CP1 to CP3 and cooled. At this time, the substrate W may be cooled by the cool plate WCP. The cooled substrate W is placed on the substrate platform PASS3 by the transport robot TR1.

反射防止膜が形成された基板Wが基板載置部PASS3に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットTR2がその基板Wを受け取って塗布処理ユニットSC1〜SC3のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットSC1〜SC3では、基板Wにフォトレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Wを塗布処理ユニットSC1〜SC3に搬送する直前にクールプレートCP4〜CP9のいずれかに搬送するようにしても良い。   When the substrate W on which the antireflection film is formed is placed on the substrate platform PASS3, the transfer robot TR2 of the resist coating cell receives the substrate W and transports it to one of the coating processing units SC1 to SC3. In the coating processing units SC1 to SC3, a photoresist is spin-coated on the substrate W. In addition, since precise substrate temperature control is required for the resist coating process, the substrate W may be transported to any one of the cool plates CP4 to CP9 immediately before the substrate W is transported to the coating processing units SC1 to SC3.

レジスト塗布処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR2によって加熱部PHP1〜PHP6のいずれかに搬送される。加熱部PHP1〜PHP6にて基板Wが加熱処理されることにより、フォトレジスト中の溶媒成分が除去されて基板W上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットTR2によって加熱部PHP1〜PHP6から取り出された基板WはクールプレートCP4〜CP9のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR2によって基板載置部PASS5に載置される。   After the resist coating process is completed, the substrate W is transferred to one of the heating units PHP1 to PHP6 by the transfer robot TR2. When the substrate W is heated by the heating units PHP1 to PHP6, the solvent component in the photoresist is removed, and a resist film is formed on the substrate W. Thereafter, the substrate W taken out from the heating units PHP1 to PHP6 by the transport robot TR2 is transported to one of the cool plates CP4 to CP9 and cooled. The cooled substrate W is placed on the substrate platform PASS5 by the transport robot TR2.

レジスト膜が形成された基板Wが基板載置部PASS5に載置されると、現像処理セルの搬送ロボットTR3がその基板Wを受け取ってそのまま基板載置部PASS7に載置する。そして、基板載置部PASS7に載置された基板Wは露光後ベークセルの搬送ロボットTR4によって受け取られ、エッジ露光部EEWに搬入される。エッジ露光部EEWにおいては、基板Wの周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Wは搬送ロボットTR4によって基板載置部PASS9に載置される。そして、基板載置部PASS9に載置された基板Wはインターフェイスセルの搬送機構55によって受け取られ、装置外の露光装置に搬入され、パターン露光処理に供される。   When the substrate W on which the resist film is formed is placed on the substrate platform PASS5, the transfer robot TR3 of the development processing cell receives the substrate W and places it on the substrate platform PASS7 as it is. Then, the substrate W placed on the substrate platform PASS7 is received by the post-exposure bake cell transport robot TR4 and carried into the edge exposure unit EEW. In the edge exposure unit EEW, exposure processing of the peripheral portion of the substrate W is performed. The substrate W that has undergone the edge exposure process is placed on the substrate platform PASS9 by the transport robot TR4. The substrate W placed on the substrate platform PASS9 is received by the interface cell transport mechanism 55, carried into an exposure apparatus outside the apparatus, and subjected to pattern exposure processing.

パターン露光処理が終了した基板Wは再びインターフェイスセルに戻され、搬送機構55によって基板載置部PASS10に載置される。露光後の基板Wが基板載置部PASS10に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットTR4がその基板Wを受け取って加熱部PHP7〜PHP12のいずれかに搬送する。加熱部PHP7〜PHP12では、露光時の光化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内に均一に拡散させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Wは搬送ロボットTR4によって取り出され、クールプレートCP13に搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR4によって基板載置部PASS8に載置される。   The substrate W that has been subjected to the pattern exposure processing is returned to the interface cell again, and is placed on the substrate platform PASS10 by the transport mechanism 55. When the exposed substrate W is placed on the substrate platform PASS10, the post-exposure bakecell transport robot TR4 receives the substrate W and transports it to any of the heating units PHP7 to PHP12. In the heating parts PHP7 to PHP12, a heat treatment (Post Exposure Bake) for uniformly diffusing a product generated by the photochemical reaction during the exposure into the resist film is performed. The substrate W that has been subjected to the post-exposure heat treatment is taken out by the transport robot TR4, transported to the cool plate CP13, and cooled. The cooled substrate W is placed on the substrate platform PASS8 by the transport robot TR4.

基板載置部PASS8に基板Wが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットTR3がその基板Wを受け取って現像処理ユニットSD1〜SD5のいずれかに搬送する。現像処理ユニットSD1〜SD5では、基板Wに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR3によってホットプレートHP7〜HP11のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートCP10〜CP12のいずれかに搬送される。   When the substrate W is placed on the substrate platform PASS8, the transport robot TR3 of the development processing cell receives the substrate W and transports it to one of the development processing units SD1 to SD5. In the developing units SD1 to SD5, a developing solution is supplied to the substrate W to advance the developing process. After the development process is finished, the substrate W is transferred to one of the hot plates HP7 to HP11 by the transfer robot TR3, and then transferred to one of the cool plates CP10 to CP12.

その後、基板Wは搬送ロボットTR3によって基板載置部PASS6に載置される。基板載置部PASS6に載置された基板Wは、レジスト塗布セルの搬送ロボットTR2によってそのまま基板載置部PASS4に載置される。さらに、基板載置部PASS4に載置された基板Wは、バークセルの搬送ロボットTR1によってそのまま基板載置部PASS2に載置される。基板載置部PASS2に載置された処理済みの基板Wはインデクサセルの基板移載機構12によって所定のキャリアCに収納される。このようにして一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。   Thereafter, the substrate W is placed on the substrate platform PASS6 by the transport robot TR3. The substrate W placed on the substrate platform PASS6 is placed on the substrate platform PASS4 as it is by the transfer robot TR2 of the resist coating cell. Further, the substrate W placed on the substrate platform PASS4 is placed on the substrate platform PASS2 as it is by the transfer robot TR1 of Barxel. The processed substrate W placed on the substrate platform PASS2 is stored in a predetermined carrier C by the substrate transfer mechanism 12 of the indexer cell. In this way, a series of photolithography processes are completed.

以上のような一連の処理は基板処理装置を通常処理モードとしているときに実行されるものであるが、本実施形態の基板処理装置には通常処理モードの他に動作機構の異常を検出するための診断モードを設けている。すなわち、上記基板処理装置にはモータ、シリンダ、アクチュエータ、吐出ポンプ、ヒータ等の多数の動作機構が設けられている。このような動作機構は、わずかな異常が生じていたとしても通常処理モードでは問題なく動作することもある。診断モードはそのような動作機構のわずかな異常をも検出するための特別なモードである。以下、診断モードでの処理について説明する。   The series of processes as described above are executed when the substrate processing apparatus is in the normal processing mode. However, the substrate processing apparatus according to the present embodiment detects an abnormality in the operation mechanism in addition to the normal processing mode. A diagnostic mode is provided. That is, the substrate processing apparatus is provided with a number of operation mechanisms such as a motor, a cylinder, an actuator, a discharge pump, and a heater. Such an operating mechanism may operate without any problem in the normal processing mode even if a slight abnormality occurs. The diagnostic mode is a special mode for detecting even a slight abnormality of such an operating mechanism. Hereinafter, processing in the diagnosis mode will be described.

一般に、基板処理装置には定期的に或いは必要に応じてメンテナンスが行われる。診断モードの実行はそのようなメンテナンス時に行うことが好ましい。診断モードへの移行は、オペレータがメインパネルMPまたはキーボードKBから診断モードの開始を入力することによりなされる。診断モードの開始を入力する際には、基板処理装置に設けられた全動作機構を対象としても良いし、特定のセルを対象としても良いし、特定の処理部や搬送ロボットのみを対象としても良い。ここでは、バークセル(バークブロック2)の搬送ロボットTR1を対象として診断モードの開始が入力されたものとする。なお、診断モードが実行されているときに上述の如き通常の基板処理が行われないことは勿論である。   Generally, maintenance is performed on a substrate processing apparatus periodically or as necessary. The diagnosis mode is preferably executed during such maintenance. The transition to the diagnostic mode is made when the operator inputs the start of the diagnostic mode from the main panel MP or the keyboard KB. When inputting the start of the diagnosis mode, all operation mechanisms provided in the substrate processing apparatus may be targeted, a specific cell may be targeted, or only a specific processing unit or a transfer robot may be targeted. good. Here, it is assumed that the start of the diagnosis mode is input for the transfer robot TR1 of the bark cell (bark block 2). Of course, the normal substrate processing as described above is not performed when the diagnosis mode is executed.

メインパネルMPまたはキーボードKBから診断モードの開始が入力されると、診断モードの実行指示がメインコントローラMCからバークセルのセルコントローラCCに伝達される。そのセルコントローラCCは搬送ロボットコントローラTCに診断モード実行の指示を与え、その指示を受け取った搬送ロボットコントローラTCが診断用動作を行うように搬送ロボットTR1を制御する。より具体的には、診断用動作として最下位置から最上位置までの最も移動距離の長い動作を最高速にて搬送ロボットTR1に行わせる。また、これと併せて、アーム基台10bを最高速で旋回させるとともに、保持アーム6a,6bを最高速にて進退移動させる。搬送ロボットコントローラTCは、このような過酷な診断用動作を数回繰り返して搬送ロボットTR1に行わせる。そして、搬送ロボットコントローラTCは搬送ロボットTR1が上記診断用動作を行ったときの動作データを取得する。動作データとしては、例えばモータ9b,10cの電流値、保持アーム6a,6bの位置ズレ、搬送動作時間、搬送ロボットTR1の振動数等がある。   When the start of the diagnostic mode is input from the main panel MP or the keyboard KB, an instruction to execute the diagnostic mode is transmitted from the main controller MC to the cell controller CC of the bark cell. The cell controller CC gives an instruction to execute the diagnosis mode to the transfer robot controller TC, and controls the transfer robot TR1 so that the transfer robot controller TC that receives the instruction performs a diagnosis operation. More specifically, the operation with the longest moving distance from the lowest position to the highest position is performed by the transfer robot TR1 at the highest speed as a diagnostic operation. At the same time, the arm base 10b is turned at the highest speed, and the holding arms 6a and 6b are moved back and forth at the highest speed. The transfer robot controller TC causes the transfer robot TR1 to repeat such a severe diagnosis operation several times. Then, the transfer robot controller TC acquires operation data when the transfer robot TR1 performs the above-described diagnosis operation. The operation data includes, for example, the current values of the motors 9b and 10c, the displacement of the holding arms 6a and 6b, the transfer operation time, the vibration frequency of the transfer robot TR1, and the like.

このようにして取得された動作データは、搬送ロボットコントローラTCからセルコントローラCCを介してメインコントローラMCに送信される。動作データを受け取ったメインコントローラMCは、その動作データに基づいて搬送ロボットTR1の動作機構の異常の有無を判定する。具体的には、各動作データの最悪値が予め定められた所定範囲内に入っているか否かを判定し、最悪値が所定範囲内であれば正常と判断し、所定範囲外であれば異常と判断する。例えば、数回の診断用動作を繰り返したときの最大搬送動作時間が予め定められた所定時間以下であれば搬送ロボットTR1の搬送動作機構は正常と判断され、所定時間を超えていれば異常と判断される。   The operation data acquired in this way is transmitted from the transfer robot controller TC to the main controller MC via the cell controller CC. The main controller MC that has received the operation data determines whether there is an abnormality in the operation mechanism of the transport robot TR1 based on the operation data. Specifically, it is determined whether or not the worst value of each operation data is within a predetermined range. If the worst value is within the predetermined range, it is determined to be normal, and if it is out of the predetermined range, an abnormality is detected. Judge. For example, if the maximum transfer operation time when the diagnosis operation is repeated several times is equal to or less than a predetermined time, the transfer operation mechanism of the transfer robot TR1 is determined to be normal, and if the predetermined time is exceeded, an abnormality is determined. To be judged.

搬送ロボットTR1の動作機構が異常と判断されたときには、その旨の警告がメインパネルMP等から発報される。そして、異常と判断された動作機構について、オペレータが修理や部品交換等の必要な処置を行うのである。   When it is determined that the operation mechanism of the transfer robot TR1 is abnormal, a warning to that effect is issued from the main panel MP or the like. Then, the operator performs necessary measures such as repair and replacement of the operating mechanism determined to be abnormal.

以上においては、バークセルの搬送ロボットTR1を対象として診断モードを実行していたが、バークセル全体を対象として診断モードを実行するようにしても良い。この場合は診断モードの実行指示を受けたバークセルのセルコントローラCCが搬送ロボットコントローラTCの他に各ユニットコントローラ(スピンコントローラやベークコントローラ)にも診断モードの指示を与え、その指示を受け取ったユニットコントローラが診断用動作を行うように各処理部を制御する。例えば、スピンコントローラが塗布処理ユニットBRC1〜BRC3を制御して、塗布処理ユニットBRC1〜BRC3に診断用動作としてスピンモータの停止と最高速回転とを繰り返し行わせたり、塗布ノズル23からの塗布液吐出と停止とを繰り返し行わせたりする。また、ベークコントローラが熱処理ユニットを制御して、熱処理ユニットに診断用動作として最大値までの昇温と最小値までの降温とを繰り返し行わせたり、真空圧までの減圧と大気圧までの復圧とを繰り返し行わせたりする。   In the above description, the diagnosis mode is executed for the bark cell transfer robot TR1, but the diagnosis mode may be executed for the entire bark cell. In this case, the cell controller CC of the bark cell that received the instruction to execute the diagnostic mode gives the instruction of the diagnostic mode to each unit controller (spin controller and bake controller) in addition to the transfer robot controller TC, and the unit controller that has received the instruction Controls each processing unit to perform a diagnostic operation. For example, the spin controller controls the coating processing units BRC1 to BRC3 to cause the coating processing units BRC1 to BRC3 to repeatedly stop and rotate the spin motor as diagnostic operations, or to discharge the coating liquid from the coating nozzle 23. And repeatedly stopping and stopping. In addition, the bake controller controls the heat treatment unit to cause the heat treatment unit to repeatedly raise and lower the temperature to the maximum value and the minimum value as diagnostic operations, or to reduce the pressure to the vacuum pressure and to restore the pressure to the atmospheric pressure. Or repeatedly.

そして、ユニットコントローラは各処理部がこのような診断用動作を行ったときの動作データを取得する。例えば、スピンコントローラは、動作データとしてスピンモータの回転数やトルク、塗布液の吐出流量、塗布液ポンプのパルス等を取得する。また、ベークコントローラは、動作データとしてプレート温度やその温調が安定するまでの時間、圧力値やその圧に到達するまでの時間等を取得する。このようにして取得された動作データに基づいて、上記と同様に、メインコントローラMCが各処理部の動作機構の異常の有無を判定する。このときの判定手法も上記と同様であり、各動作データの最悪値が予め定められた所定範囲内に入っているか否かが判定され、最悪値が所定範囲内であれば正常と判断され、所定範囲外であれば異常と判断される。   Then, the unit controller acquires operation data when each processing unit performs such a diagnosis operation. For example, the spin controller acquires the rotation speed and torque of the spin motor, the discharge flow rate of the coating liquid, the pulse of the coating liquid pump, and the like as operation data. In addition, the bake controller obtains the time until the plate temperature and its temperature control are stabilized, the pressure value, the time until the pressure is reached, and the like as operation data. Based on the operation data acquired in this manner, the main controller MC determines whether or not there is an abnormality in the operation mechanism of each processing unit, as described above. The determination method at this time is also the same as described above, and it is determined whether or not the worst value of each operation data is within a predetermined range, and if the worst value is within the predetermined range, it is determined to be normal, If it is outside the predetermined range, it is determined as abnormal.

上述の如き診断モードを基板処理装置全体を対象として実行しても良いことは勿論である。そのときの処理内容も上述と同様のものとなる。すなわち、メインパネルMP等から診断モードの開始が入力されると、診断モードの実行指示がメインコントローラMCから各セルのセルコントローラCCに伝達され、各セルコントローラCCが対応するセルの搬送ロボットコントローラTCや各ユニットコントローラに診断モードの指示を与える。そして、各セルに設けられた搬送ロボットや処理部の動作機構の診断用動作が行われ、そのときに取得された動作データに基づいて動作機構の異常判定がなされるのである。   Of course, the diagnostic mode as described above may be executed for the entire substrate processing apparatus. The processing contents at that time are also the same as described above. That is, when the start of the diagnostic mode is input from the main panel MP or the like, an instruction to execute the diagnostic mode is transmitted from the main controller MC to the cell controller CC of each cell, and each cell controller CC receives the transport robot controller TC of the corresponding cell. Also give diagnostic mode instructions to each unit controller. Then, the operation for diagnosis of the operation mechanism of the transfer robot and the processing unit provided in each cell is performed, and the abnormality of the operation mechanism is determined based on the operation data acquired at that time.

以上の内容を集約すると、本実施形態の基板処理装置には装置が有する動作機構の異常の有無を検出するための診断モードが通常の基板処理を行う通常処理モードとは別に設けられている。そして、メインパネルMP等から診断モードの開始が入力されると、搬送ロボットコントローラTCや各ユニットコントローラがそれぞれ搬送ロボットや各処理部の動作機構を制御して該動作機構に診断用動作を行わせる。動作機構が診断用動作を行ったときの動作データは搬送ロボットコントローラTCや各ユニットコントローラによって取得され、その動作データに基づいてメインコントローラMCが動作機構の異常の有無を判定する。   Summarizing the above contents, the substrate processing apparatus of this embodiment is provided with a diagnostic mode for detecting the presence or absence of abnormality of the operation mechanism of the apparatus, separately from the normal processing mode for performing normal substrate processing. When the start of the diagnostic mode is input from the main panel MP or the like, the transfer robot controller TC and each unit controller control the operation mechanism of the transfer robot and each processing unit to cause the operation mechanism to perform a diagnosis operation. . The operation data when the operation mechanism performs the diagnosis operation is acquired by the transport robot controller TC and each unit controller, and the main controller MC determines whether the operation mechanism is abnormal based on the operation data.

診断モード時の診断用動作は各動作機構にとって相当に負荷の大きな過酷なものであり、通常処理モードでは行われないようなものである。すなわち、診断モード時には動作機構の可動限界点近傍での動作が診断用動作として実行され、通常このような可動限界点近傍での診断用動作は基板Wを所定の処理手順に従って処理しているときの通常処理モードでの動作機構の定常動作とは異なる範囲での動作である。このような過酷な診断用動作を行わせることによって通常処理モードでは判明しないような動作機構の異常をも確実に検知することができるのである。   The diagnostic operation in the diagnostic mode is a severe load with a considerable load for each operation mechanism, and is not performed in the normal processing mode. That is, in the diagnosis mode, an operation in the vicinity of the movable limit point of the operation mechanism is executed as a diagnostic operation. Usually, such a diagnostic operation in the vicinity of the movable limit point is performed when the substrate W is processed according to a predetermined processing procedure. This is an operation in a range different from the steady operation of the operation mechanism in the normal processing mode. By performing such a severe diagnosis operation, it is possible to reliably detect an abnormality in the operation mechanism that cannot be found in the normal processing mode.

また、基板Wを所定の処理手順に従って処理しているときの通常処理モードでは過酷な診断用動作を実行することができないため、上述の如き動作データを取得することはできない。そこで、本実施形態の基板処理装置には通常処理モードとは異なる特別な診断モードを設け、その診断モードに移行することによって動作機構に過酷な診断用動作を行わせて動作データを取得し、動作機構の異常を確実に検知するようにしているのである。   In addition, since the severe diagnostic operation cannot be executed in the normal processing mode when the substrate W is processed according to a predetermined processing procedure, the operation data as described above cannot be acquired. Therefore, the substrate processing apparatus of the present embodiment is provided with a special diagnostic mode different from the normal processing mode, and by moving to the diagnostic mode, the operation mechanism performs a severe diagnostic operation to acquire operation data, The abnormality of the operation mechanism is surely detected.

このような診断モードでの過酷な診断用動作によって動作機構の異常の有無を判定することは基板処理装置に設けられた各種動作機構に対して有効であるが、特に各セルにて基板Wの循環搬送を行う搬送ロボットのモータの診断には有効である。   It is effective for various operation mechanisms provided in the substrate processing apparatus to determine the presence / absence of an abnormality of the operation mechanism by a severe diagnosis operation in such a diagnosis mode. This is effective for diagnosing the motor of a transfer robot that performs circulating transfer.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては取得された動作データに基づいてメインコントローラMCが動作機構の異常の有無を判定するようにしていたが、各ユニットコントローラやセルコントローラCCが動作データに基づいて動作機構の異常の有無を判定するようにしても良い。また、上記基板処理装置をデータ収集専用のサーバに接続し、そのデータ収集専用サーバが基板処理装置から送信された動作データに基づいて動作機構の異常の有無を判定するようにしても良い。   While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples. For example, in the above-described embodiment, the main controller MC determines whether or not there is an abnormality in the operation mechanism based on the acquired operation data. However, each unit controller or cell controller CC determines whether the operation mechanism is in accordance with the operation data. You may make it determine the presence or absence of abnormality. Further, the substrate processing apparatus may be connected to a server dedicated to data collection, and the data collection dedicated server may determine whether the operation mechanism is abnormal based on operation data transmitted from the substrate processing apparatus.

また、動作機構としては上述した例に限定されるものではなく、基板処理装置内にて何らかの動作を行う全ての機構が含まれる。そして、動作機構の種類に応じて取得する動作データの内容も任意のものとすることができる。   Further, the operation mechanism is not limited to the above-described example, and includes all mechanisms that perform some operation in the substrate processing apparatus. The content of the operation data acquired according to the type of the operation mechanism can be arbitrary.

また、本発明に係る基板処理装置の構成は図1から図4に示したような形態に限定されるものではなく、複数の処理部に対して搬送ロボットによって基板Wを循環搬送することによって該基板Wに所定の処理を行うような形態であれば種々の変形が可能である。   The configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to the configuration shown in FIGS. 1 to 4, and the substrate W is circulated and transferred to a plurality of processing units by a transfer robot. Various modifications are possible as long as predetermined processing is performed on the substrate W.

本実施形態の基板処理装置の平面図である。It is a top view of the substrate processing apparatus of this embodiment. 図1の基板処理装置の液処理部の正面図である。It is a front view of the liquid processing part of the substrate processing apparatus of FIG. 図1の基板処理装置の熱処理部の正面図である。It is a front view of the heat processing part of the substrate processing apparatus of FIG. 図1の基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。It is a figure which shows the periphery structure of the substrate mounting part of the substrate processing apparatus of FIG. 図1の基板処理装置の搬送ロボットを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the conveyance robot of the substrate processing apparatus of FIG. 図1の基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the outline of the control mechanism of the substrate processing apparatus of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 インデクサブロック
2 バークブロック
3 レジスト塗布ブロック
4 現像処理ブロック
5 インターフェイスブロック
12 基板移載機構
21,31,41,42 熱処理タワー
55 搬送機構
AHL1〜AHL3 密着強化処理部
BRC1〜BRC3,SC1〜SC3 塗布処理ユニット
C キャリア
CC セルコントローラ
CP1〜CP13 クールプレート
HP1〜HP11 ホットプレート
MC メインコントローラ
MP メインパネル
PASS1〜PASS10 基板載置部
PHP1〜PHP12 加熱部
SD1〜SD5 現像処理ユニット
TC 搬送ロボットコントローラ
TR1〜TR4 搬送ロボット
W 基板

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Indexer block 2 Bark block 3 Resist application block 4 Development processing block 5 Interface block 12 Substrate transfer mechanism 21, 31, 41, 42 Heat treatment tower 55 Transfer mechanism AHL1-AHL3 Adhesion reinforcement processing part BRC1-BRC3, SC1-SC3 Application processing Unit C Carrier CC Cell controller CP1 to CP13 Cool plate HP1 to HP11 Hot plate MC Main controller MP Main panel PASS1 to PASS10 Substrate placement part PHP1 to PHP12 Heating part SD1 to SD5 Development processing unit TC Transport robot controller TR1 to TR4 Transport robot W substrate

Claims (4)

基板を複数の処理部間にて循環搬送して該基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板処理装置が有する動作機構の異常を検出するための診断モードの開始を受け付ける受付手段と、
前記受付手段から診断モードの開始が入力されたときに、診断用動作を行うように前記動作機構を制御する制御手段と、
前記動作機構が前記診断用動作を行ったときの動作データを取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した動作データに基づいて前記動作機構の異常の有無を判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for circulating and transporting a substrate between a plurality of processing units and performing a predetermined process on the substrate,
Accepting means for accepting the start of a diagnostic mode for detecting an abnormality in an operation mechanism of the substrate processing apparatus;
Control means for controlling the operation mechanism so as to perform a diagnosis operation when a diagnosis mode start is input from the reception means;
Acquisition means for acquiring operation data when the operation mechanism performs the operation for diagnosis;
Determination means for determining presence or absence of abnormality of the operation mechanism based on the operation data acquired by the acquisition means;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項1記載の基板処理装置において、
前記診断用動作は、前記動作機構の可動限界点近傍での動作であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the diagnosis operation is an operation in the vicinity of a movable limit point of the operation mechanism.
請求項1記載の基板処理装置において、
前記診断用動作は、基板に前記所定の処理を行うときの前記動作機構の定常動作とは異なる範囲での動作であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the diagnostic operation is an operation in a range different from a steady operation of the operation mechanism when the predetermined processing is performed on the substrate.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記動作機構は、基板の循環搬送を行う搬送ロボットのモータであることを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3,
The substrate processing apparatus, wherein the operation mechanism is a motor of a transfer robot that circulates and transfers a substrate.
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