JP4255791B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板(以下、単に「基板」と称する)に熱処理等の所定の処理を行う処理部における搬送ロボットの基板搬送位置を教示する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a processing unit that performs predetermined processing such as heat treatment on a substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, or a substrate for an optical disk. The present invention relates to a substrate processing apparatus that teaches a substrate transfer position of a transfer robot.
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち例えばレジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱処理のそれぞれを行う処理ユニットを複数組み込み、搬送ロボットによってそれら各処理ユニット間で基板の循環搬送を行うことにより基板に一連のフォトリソグラフィー処理を施す基板処理装置がいわゆるコータ&デベロッパとして広く用いられている。 As is well known, products such as semiconductors and liquid crystal displays are manufactured by performing a series of processes such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, interlayer insulation film formation, heat treatment, and dicing on the substrate. Has been. Among these various processes, for example, a plurality of processing units for performing resist coating processing, development processing, and heat treatment associated therewith are incorporated, and the substrate is circulated and transferred between the processing units by a transfer robot. A substrate processing apparatus that performs photolithography processing is widely used as a so-called coater and developer.
このような装置では、各処理ユニットにおける所定の受け渡し位置に対して基板を正確に搬送することが必要とされる。基板を正確な位置に搬送できないと、基板に処理ムラを生じさせたり、不要なパーティクルを付着させたり、基板の脱落が生じたりするおそれがあり、好ましくないからである。ところが、現実には基板を保持する保持アームを構成する部材の加工誤差、各部材を取り付ける際の取り付け誤差、および搬送ロボットを組み立てる際の組立誤差等の種々の設計誤差が原因となって、搬送ロボットの保持アームが正確な搬送位置にアクセスせず、位置ズレが生じる場合がある。このような誤差等による位置ズレを解消するために、実際に基板を搬送するのに先だって搬送ロボットに対するティーチング(搬送教示)作業が行われている。 In such an apparatus, it is necessary to accurately convey the substrate to a predetermined delivery position in each processing unit. This is because if the substrate cannot be transported to an accurate position, processing unevenness, unnecessary particles may adhere to the substrate, or the substrate may drop off, which is not preferable. However, in reality, various design errors such as processing errors of the members that make up the holding arm that holds the substrate, mounting errors when mounting each member, and assembly errors when assembling the transfer robot are the causes. In some cases, the holding arm of the robot does not access the accurate transfer position, resulting in a positional shift. In order to eliminate such misalignment due to errors or the like, teaching (transport teaching) work is performed on the transport robot prior to actually transporting the substrate.
一方、近年の基板処理装置ではスループットの向上およびフットプリントの縮小が要求されており、搬送ロボットの周辺に多数の処理ユニットが多段に搭載されることが多い。このような状態ではオペレータの肉眼によって搬送位置を確認しつつティーチング作業を行うことが困難であるため、例えば特許文献1に示すようなオートティーチング機能が基板処理装置に実装されている。オートティーチング機能は、保持アームに光センサやCCDカメラを取り付け、それによって処理ユニット内のターゲットを検出して搬送ロボットに正確な搬送位置を認識させることにより搬送教示を自動的に行う機能である。
On the other hand, recent substrate processing apparatuses are required to improve throughput and reduce footprint, and many processing units are often mounted in multiple stages around the transfer robot. In such a state, it is difficult to perform the teaching work while confirming the transfer position with the naked eye of the operator. For example, an auto teaching function as shown in
しかしながら、オートティーチングの対象となる処理ユニットは搬送ロボットがアクセスする全ユニットであり、それらの中にはベークユニットのように非常に高温になるユニットも存在している。かかるベークユニットに対して高温の状態のままオートティーチングを実行すると、光センサ等の機構部に故障が発生することとなる。このため、従来においては、オートティーチングを実行するに際して、手動でベークユニットの温度を下げたり、温調制御をOFFにしたりしていた。そして、ベークユニットの温度が下がるのを待ってオートティーチングを開始するようにしていた。このため、オートティーチングを実行するのに多くの時間を必要とし、しかも全てのベークユニットの温度を手動で下げていたため、オートティーチングの操作性が非常に悪いという問題があった。 However, the processing units to be subjected to auto teaching are all the units accessed by the transfer robot, and some of them are extremely high in temperature, such as a bake unit. If auto-teaching is performed on such a bake unit in a high temperature state, a failure occurs in a mechanism unit such as an optical sensor. For this reason, conventionally, when performing auto teaching, the temperature of the bake unit is manually lowered or the temperature control is turned off. Then, auto-teaching is started after the temperature of the bake unit is lowered. For this reason, it takes a lot of time to execute auto teaching, and the temperatures of all the baking units are manually lowered, so that there is a problem that the operability of auto teaching is very poor.
さらに、従来は、オートティーチングが完了した後、再び手動にてベークユニットの温度を元に戻す必要があったため、このことがオートティーチングの操作性をより低下させることとなっていた。 Further, conventionally, after the auto-teaching is completed, had been again because temperature had to undo the bake unit manually, this is a reducing more the operability of the automatic teaching.
本発明は、上記課題に鑑みてなされれたものであり、搬送教示処理の操作性を向上させた基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which the operability of the conveyance teaching process is improved.
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に所定の処理を行う複数の処理部と前記複数の処理部に対して基板を搬送する搬送ロボットとを備え、前記複数の処理部における前記搬送ロボットの基板搬送位置を教示する基板処理装置において、前記搬送ロボットに対する搬送教示処理動作の開始指示を受け付ける入力受付手段と、前記開始指示の入力が行われた時点で、前記複数の処理部のうち搬送教示処理動作が不可能な第1の温度に温調された加熱処理部以外の処理部から順に前記搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させる教示制御手段と、前記加熱処理部以外の処理部における搬送教示処理動作が行われている間に、前記加熱処理部の温度を前記搬送教示処理動作を行うことが可能な第2の温度以下にまで降温させる温調手段と、を備え、前記教示制御手段は、前記加熱処理部の温度が前記第2の温度以下にまで降温された後に、当該加熱処理部における搬送教示処理動作を前記搬送ロボットに行わせることを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, the invention of
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置において、前記温調手段に、前記加熱処理部における搬送教示処理動作が終了した後、前記加熱処理部の温度を前記第1の温度に昇温させている。 According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, after the transfer teaching processing operation in the heating processing unit is completed, the temperature of the heating processing unit is set to the temperature adjusting unit. The temperature is raised to 1.
請求項1の発明によれば、入力受付手段から開始指示の入力が行われた時点で、複数の処理部のうち搬送教示処理動作が不可能な第1の温度に温調された加熱処理部以外の処理部から順に搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させるとともに、その間に加熱処理部の温度を搬送教示処理動作を行うことが可能な第2の温度以下にまで降温させ、加熱処理部の温度が第2の温度以下にまで降温された後に、当該加熱処理部における搬送教示処理動作を搬送ロボットに行わせているため、開始指示を入力するだけで第1の温度に温調された加熱処理部以外の処理部から順に自動的に搬送教示処理動作が実行され、当該加熱処理部については自動的に第2の温度以下にまで降温してから搬送教示処理動作が実行されることとなり、搬送教示処理の操作性が向上する。 According to the first aspect of the present invention, at the time when the start instruction is input from the input receiving means, the heating processing unit whose temperature is adjusted to the first temperature at which the transfer teaching processing operation is impossible among the plurality of processing units. other processing to start transporting the teaching processing operation to the transport robot in order from the unit Rutotomoni, the temperature was decreased to below a second temperature temperature capable of performing the conveyance teaching processing operations of the heat treatment section therebetween, the heat treatment unit Since the transfer robot is caused to perform the transfer teaching process operation in the heat processing unit after the temperature is lowered to the second temperature or less, the temperature is adjusted to the first temperature simply by inputting a start instruction . The conveyance teaching processing operation is automatically executed in order from the processing unit other than the heating processing unit, and the conveyance teaching processing operation is automatically executed after the temperature of the heating processing unit is lowered to the second temperature or lower. , of conveying the teaching process Work is improved.
また、請求項2の発明によれば、加熱処理部における搬送教示処理動作が終了した後、加熱処理部の温度を第1の温度に昇温させているため、加熱処理部の温度が自動的に元の温度に戻ることとなり、搬送教示処理の操作性がさらに向上する。
According to the second aspect of the present invention, since the temperature of the heat treatment unit is raised to the first temperature after the conveyance teaching processing operation in the heat treatment unit is completed, the temperature of the heat treatment unit is automatically increased. Therefore, the operability of the conveyance teaching process is further improved.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本実施形態の基板処理装置の平面図である。また、図2は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図3は熱処理部の正面図であり、図4は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図1から図4にはそれらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。 FIG. 1 is a plan view of the substrate processing apparatus of the present embodiment. 2 is a front view of the liquid processing unit of the substrate processing apparatus, FIG. 3 is a front view of the heat treatment unit, and FIG. 4 is a diagram showing a peripheral configuration of the substrate mounting unit. 1 to 4 have an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z-axis direction is the vertical direction and the XY plane is the horizontal plane in order to clarify the directional relationship.
本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示器用のガラス基板等であっても良い。また、本発明に係る基板処理装置の処理内容は塗布膜形成や現像処理に限定されるものではなく、エッチング処理や洗浄処理であっても良い。 The substrate processing apparatus of this embodiment is an apparatus that applies an antireflection film or a photoresist film to a substrate such as a semiconductor wafer and performs development processing on the substrate after pattern exposure. In addition, the board | substrate used as the process target of the substrate processing apparatus which concerns on this invention is not limited to a semiconductor wafer, The glass substrate for liquid crystal displays etc. may be sufficient. Further, the processing content of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to coating film formation and development processing, but may be etching processing or cleaning processing.
本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック1、バークブロック2、レジスト塗布ブロック3、現像処理ブロック4およびインターフェイスブロック5の5つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック5には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置(ステッパ)が接続配置されている。
The substrate processing apparatus of the present embodiment is configured by arranging five processing blocks of an
インデクサブロック1は、複数のキャリアC(本実施形態では4個)を並べて載置する載置台11と、各キャリアCから未処理の基板Wを取り出すとともに、各キャリアCに処理済みの基板Wを収納する基板移載機構12とを備えている。基板移載機構12は、載置台11に沿って(Y方向に沿って)水平移動可能な可動台12aを備えており、この可動台12aに基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム12bが搭載されている。保持アーム12bは、可動台12a上を昇降(Z方向)移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構12は、保持アーム12bを各キャリアCにアクセスさせて未処理の基板Wの取り出しおよび処理済みの基板Wの収納を行うことができる。なお、キャリアCの形態としては、基板Wを密閉空間に収納するFOUP(front opening unified pod)の他に、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)であっても良い。
The
インデクサブロック1に隣接してバークブロック2が設けられている。インデクサブロック1とバークブロック2との間には、雰囲気遮断用の隔壁13が設けられている。この隔壁13にインデクサブロック1とバークブロック2との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS1,PASS2が上下に積層して設けられている。
A
上側の基板載置部PASS1は、インデクサブロック1からバークブロック2へ基板Wを搬送するために使用される。基板載置部PASS1は3本の支持ピンを備えており、インデクサブロック1の基板移載機構12はキャリアCから取り出した未処理の基板Wを基板載置部PASS1の3本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部PASS1に載置された基板Wを後述するバークブロック2の搬送ロボットTR1が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS2は、バークブロック2からインデクサブロック1へ基板Wを搬送するために使用される。基板載置部PASS2も3本の支持ピンを備えており、バークブロック2の搬送ロボットTR1は処理済みの基板Wを基板載置部PASS2の3本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部PASS2に載置された基板Wを基板移載機構12が受け取ってキャリアCに収納する。なお、後述する基板載置部PASS3〜PASS10の構成も基板載置部PASS1,PASS2と同じである。
The upper substrate platform PASS1 is used to transport the substrate W from the
基板載置部PASS1,PASS2は、隔壁13の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS1,PASS2には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて基板移載機構12やバークブロック2の搬送ロボットTR1が、基板載置部PASS1,PASS2に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。
The substrate platforms PASS <b> 1 and PASS <b> 2 are provided so as to partially penetrate a part of the
次に、バークブロック2について説明する。バークブロック2は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック2は、基板Wの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部BRCと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー21,21と、下地塗布処理部BRCおよび熱処理タワー21,21に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR1とを備える。
Next, the
バークブロック2においては、搬送ロボットTR1を挟んで下地塗布処理部BRCと熱処理タワー21,21とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部BRCが装置正面側に、2つの熱処理タワー21,21が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー21,21の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部BRCと熱処理タワー21,21とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー21,21から下地塗布処理部BRCに熱的影響を与えることを回避しているのである。
In the
下地塗布処理部BRCは、図2に示すように、同様の構成を備えた3つの塗布処理ユニットBRC1,BRC2,BRC3を下から順に積層配置して構成されている。なお、3つの塗布処理ユニットBRC1,BRC2,BRC3を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部BRCとする。各塗布処理ユニットBRC1,BRC2,BRC3は、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック22、このスピンチャック22上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル23およびスピンチャック22上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。
As shown in FIG. 2, the base coating processing unit BRC is configured by stacking and arranging three coating processing units BRC1, BRC2, and BRC3 having the same configuration in order from the bottom. If the three coating processing units BRC1, BRC2, and BRC3 are not particularly distinguished, these are collectively referred to as a base coating processing unit BRC. Each of the coating processing units BRC1, BRC2, and BRC3 includes a
図3に示すように、インデクサブロック1に近い側の熱処理タワー21には、基板Wを所定の温度にまで加熱する6個のホットプレートHP1〜HP6と、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持するクールプレートCP1〜CP3とが設けられている。この熱処理タワー21には、下から順にクールプレートCP1〜CP3、ホットプレートHP1〜HP6が積層配置されている。一方、インデクサブロック1から遠い側の熱処理タワー21には、レジスト膜と基板Wとの密着性を向上させるためにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気で基板Wを熱処理する3個の密着強化処理部AHL1〜AHL3が下から順に積層配置されている。なお、図3において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
As shown in FIG. 3, in the
このように塗布処理ユニットBRC1〜BRC3や熱処理ユニット(ホットプレートHP1〜HP6、クールプレートCP1〜CP3、密着強化処理部AHL1〜AHL3)を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、2つの熱処理タワー21,21を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。 As described above, the coating processing units BRC1 to BRC3 and the heat treatment units (hot plates HP1 to HP6, cool plates CP1 to CP3, adhesion strengthening processing units AHL1 to AHL3) are stacked in multiple stages to reduce the space occupied by the substrate processing apparatus. And footprint can be reduced. Further, by arranging two heat treatment towers 21 and 21 in parallel, there is an advantage that maintenance of the heat treatment unit is facilitated and duct piping and power supply equipment necessary for the heat treatment unit need not be extended to a very high position. .
図5は、搬送ロボットTR1を説明するための図である。図5(a)は搬送ロボットTR1の平面図であり、(b)は搬送ロボットTR1の正面図である。搬送ロボットTR1は、基板Wを略水平姿勢で保持する2個の保持アーム6a,6bを上下に近接させて備えている。保持アーム6a,6bは、先端部が平面視で「C」字形状になっており、この「C」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン7で基板Wの周縁を下方から支持するようになっている。
FIG. 5 is a diagram for explaining the transfer robot TR1. FIG. 5A is a plan view of the transfer robot TR1, and FIG. 5B is a front view of the transfer robot TR1. The transfer robot TR1 includes two holding
搬送ロボットTR1の基台8は装置基台(装置フレーム)に対して固定設置されている。この基台8上に、ガイド軸9cが立設されるとともに、螺軸9aが回転可能に立設支持されている。また、基台8には螺軸9aを回転駆動するモータ9bが固定設置されている。そして、螺軸9aには昇降台10aが螺合されるとともに、昇降台10aはガイド軸9cに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ9bが螺軸9aを回転駆動することにより、昇降台10aがガイド軸9cに案内されて鉛直方向(Z方向)に昇降移動するようになっている。
The base 8 of the transfer robot TR1 is fixedly installed on the apparatus base (apparatus frame). On the base 8, a
また、昇降台10a上にアーム基台10bが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台10aには、アーム基台10bを旋回駆動するモータ10cが内蔵されている。そして、このアーム基台10b上に上述した2個の保持アーム6a,6bが上下に配設されている。各保持アーム6a,6bは、アーム基台10bに装備されたスライド駆動機構(図示省略)によって、それぞれ独立して水平方向(アーム基台10bの旋回半径方向)に進退移動可能に構成されている。
Further, an
このような構成によって、図5(a)に示すように、搬送ロボットTR1は2個の保持アーム6a,6bをそれぞれ個別に基板載置部PASS1,PASS2、熱処理タワー21に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部BRCに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部PASS3,PASS4に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。
With such a configuration, as shown in FIG. 5A, the transfer robot TR1 includes two holding
次に、レジスト塗布ブロック3について説明する。バークブロック2と現像処理ブロック4との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック3が設けられている。このレジスト塗布ブロック3とバークブロック2との間にも、雰囲気遮断用の隔壁25が設けられている。この隔壁25にバークブロック2とレジスト塗布ブロック3との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS3,PASS4が上下に積層して設けられている。基板載置部PASS3,PASS4は、上述した基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。
Next, the resist
上側の基板載置部PASS3は、バークブロック2からレジスト塗布ブロック3へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック2の搬送ロボットTR1が基板載置部PASS3に載置した基板Wをレジスト塗布ブロック3の搬送ロボットTR2が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS4は、レジスト塗布ブロック3からバークブロック2へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック3の搬送ロボットTR2が基板載置部PASS4に載置した基板Wをバークブロック2の搬送ロボットTR1が受け取る。
The upper substrate platform PASS3 is used to transport the substrate W from the
基板載置部PASS3,PASS4は、隔壁25の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS3,PASS4には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットTR1,TR2が基板載置部PASS3,PASS4に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部PASS3,PASS4の下側には、基板Wを大まかに冷却するための水冷式の2つのクールプレートWCPが隔壁25を貫通して上下に設けられている。
The substrate platforms PASS3 and PASS4 are provided partially through a part of the
レジスト塗布ブロック3は、バークブロック2にて反射防止膜が塗布形成された基板W上にフォトレジスト膜を塗布形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック3は、下地塗布された反射防止膜の上にフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト塗布処理部SCと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー31,31と、レジスト塗布処理部SCおよび熱処理タワー31,31に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR2とを備える。
The resist
レジスト塗布ブロック3においては、搬送ロボットTR2を挟んでレジスト塗布処理部SCと熱処理タワー31,31とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部SCが装置正面側に、2つの熱処理タワー31,31が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー31,31の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部SCと熱処理タワー31,31とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー31,31からレジスト塗布処理部SCに熱的影響を与えることを回避しているのである。
In the resist
レジスト塗布処理部SCは、図2に示すように、同様の構成を備えた3つの塗布処理ユニットSC1,SC2,SC3を下から順に積層配置して構成されている。なお、3つの塗布処理ユニットSC1,SC2,SC3を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部SCとする。各塗布処理ユニットSC1,SC2,SC3は、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック32、このスピンチャック32上に保持された基板W上にフォトレジストを吐出する塗布ノズル33およびスピンチャック32上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。
As shown in FIG. 2, the resist coating processing section SC is configured by stacking and arranging three coating processing units SC1, SC2, SC3 having the same configuration in order from the bottom. If the three coating processing units SC1, SC2, and SC3 are not particularly distinguished, they are collectively referred to as a resist coating processing unit SC. Each of the coating processing units SC1, SC2, SC3 discharges the photoresist onto the spin chuck 32 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates it in a substantially horizontal plane, and the substrate W held on the spin chuck 32. A
図3に示すように、インデクサブロック1に近い側の熱処理タワー31には、基板Wを所定の温度にまで加熱する6個の加熱部PHP1〜PHP6が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック1から遠い側の熱処理タワー31には、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持するクールプレートCP4〜CP9が下から順に積層配置されている。
As shown in FIG. 3, in the
各加熱部PHP1〜PHP6は、基板Wを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Wを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Wを搬送するローカル搬送機構34(図1参照)とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構34は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Wを冷却する機構を備えている。
Each of the heating units PHP1 to PHP6 includes a substrate temporary placement unit that places the substrate W on an upper position separated from the hot plate, in addition to a normal hot plate that places the substrate W and performs heat treatment. The heat treatment unit includes a local transport mechanism 34 (see FIG. 1) for transporting the substrate W between the hot plate and the temporary substrate placement unit. The
ローカル搬送機構34は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットTR2とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットTR2側およびローカル搬送機構34側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構34側のみ開口し、搬送ロボットTR2側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットTR2およびローカル搬送機構34の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構34のみがアクセス可能である。
The
このような構成を備える各加熱部PHP1〜PHP6に基板Wを搬入するときには、まず搬送ロボットTR2が基板仮置部に基板Wを載置する。そして、ローカル搬送機構34が基板仮置部から基板Wを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Wに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Wは、ローカル搬送機構34によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構34が備える冷却機能によって基板Wが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Wが搬送ロボットTR2によって取り出される。
When the substrate W is carried into each of the heating units PHP1 to PHP6 having such a configuration, the transport robot TR2 first places the substrate W on the temporary substrate placement unit. Then, the
このように、加熱部PHP1〜PHP6においては、搬送ロボットTR2が常温の基板仮置部に対して基板Wの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対する基板Wの受け渡しを行わないため、搬送ロボットTR2の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構34側のみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットTR2やレジスト塗布処理部SCが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートCP4〜CP9に対しては搬送ロボットTR2が直接基板Wの受け渡しを行う。
In this way, in the heating units PHP1 to PHP6, the transfer robot TR2 only transfers the substrate W to the substrate temporary placement unit at room temperature, and does not transfer the substrate W to the hot plate. Temperature rise can be suppressed. Further, since the hot plate is opened only on the
搬送ロボットTR2の構成は、搬送ロボットTR1と全く同じである。よって、搬送ロボットTR2は2個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部PASS3,PASS4、熱処理タワー31に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部SCに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部PASS5,PASS6に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。
The configuration of the transfer robot TR2 is exactly the same as that of the transfer robot TR1. Therefore, the transfer robot TR2 has two holding arms individually for the substrate platforms PASS3 and PASS4, a heat treatment unit provided in the
次に、現像処理ブロック4について説明する。レジスト塗布ブロック3とインターフェイスブロック5との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック4が設けられている。レジスト塗布ブロック3と現像処理ブロック4との間にも、雰囲気遮断用の隔壁35が設けられている。この隔壁35にレジスト塗布ブロック3と現像処理ブロック4との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS5,PASS6が上下に積層して設けられている。基板載置部PASS5,PASS6は、上述した基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。
Next, the development processing block 4 will be described. A development processing block 4 is provided so as to be sandwiched between the resist
上側の基板載置部PASS5は、レジスト塗布ブロック3から現像処理ブロック4へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック3の搬送ロボットTR2が基板載置部PASS5に載置した基板Wを現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS6は、現像処理ブロック4からレジスト塗布ブロック3へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3が基板載置部PASS6に載置した基板Wをレジスト塗布ブロック3の搬送ロボットTR2が受け取る。
The upper substrate platform PASS5 is used for transporting the substrate W from the resist
基板載置部PASS5,PASS6は、隔壁35の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS5,PASS6には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて搬送ロボットTR2,TR3が基板載置部PASS5,PASS6に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かを判断する。さらに、基板載置部PASS5,PASS6の下側には、基板Wを大まかに冷却するための水冷式の2つのクールプレートWCPが隔壁35を貫通して上下に設けられている。
The substrate platforms PASS5 and PASS6 are provided so as to partially penetrate a part of the
現像処理ブロック4は、露光された基板Wに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック4は、パターンが露光された基板Wに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部SDと、現像処理に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー41,42と、現像処理部SDおよび熱処理タワー41,42に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR3とを備える。なお、搬送ロボットTR3は、上述した搬送ロボットTR1,TR2と全く同じ構成を有する。 The development processing block 4 is a processing block for performing development processing on the exposed substrate W. The development processing block 4 includes a development processing unit SD that performs development processing by supplying a developing solution to the substrate W on which the pattern has been exposed, two heat treatment towers 41 and 42 that perform heat treatment associated with the development processing, and development. A transfer robot TR3 that transfers the substrate W to the processing unit SD and the heat treatment towers 41 and 42 is provided. The transfer robot TR3 has the same configuration as the transfer robots TR1 and TR2 described above.
現像処理部SDは、図2に示すように、同様の構成を備えた5つの現像処理ユニットSD1,SD2,SD3,SD4,SD5を下から順に積層配置して構成されている。なお、5つの現像処理ユニットSD1〜SD5を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部SDとする。各現像処理ユニットSD1〜SD5は、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック43、このスピンチャック43上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル44およびスピンチャック43上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。 As shown in FIG. 2, the development processing unit SD is configured by stacking five development processing units SD1, SD2, SD3, SD4, and SD5 having the same configuration in order from the bottom. Note that the five development processing units SD1 to SD5 are collectively referred to as the development processing unit SD unless particularly distinguished. Each of the development processing units SD1 to SD5 includes a spin chuck 43 that sucks and holds the substrate W in a substantially horizontal posture and rotates the substrate W in a substantially horizontal plane, and a nozzle that supplies a developer onto the substrate W held on the spin chuck 43. 44 and a cup (not shown) that surrounds the periphery of the substrate W held on the spin chuck 43.
図3に示すように、インデクサブロック1に近い側の熱処理タワー41には、基板Wを所定の温度にまで加熱する5個のホットプレートHP7〜HP11と、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持するクールプレートCP10〜CP12とが設けられている。この熱処理タワー41には、下から順にクールプレートCP10〜CP12、ホットプレートHP7〜HP11が積層配置されている。一方、インデクサブロック1から遠い側の熱処理タワー42には、6個の加熱部PHP7〜PHP12とクールプレートCP13とが積層配置されている。各加熱部PHP7〜PHP12は、上述した加熱部PHP1〜PHP6と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部PHP7〜PHP12の基板仮置部はインターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4の側には開口しているが、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3の側には閉塞している。つまり、加熱部PHP7〜PHP12に対してはインターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4はアクセス可能であるが、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3はアクセス不可である。なお、熱処理タワー41に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3がアクセスする。
As shown in FIG. 3, in the
また、熱処理タワー42には、現像処理ブロック4と、これに隣接するインターフェイスブロック5との間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS7,PASS8が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部PASS7は、現像処理ブロック4からインターフェイスブロック5へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3が基板載置部PASS7に載置した基板Wをインターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS8は、インターフェイスブロック5から現像処理ブロック4へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4が基板載置部PASS8に載置した基板Wを現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3が受け取る。なお、基板載置部PASS7,PASS8は、現像処理ブロック4の搬送ロボットTR3およびインターフェイスブロック5の搬送ロボットTR4の両側に対して開口している。
Further, in the
次に、インターフェイスブロック5について説明する。インターフェイスブロック5は、現像処理ブロック4に隣接して設けられ、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板Wの受け渡しを行うブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック5には、露光装置との間で基板Wの受け渡しを行うための搬送機構55の他に、フォトレジスト膜が形成された基板Wの周縁部を露光する2つのエッジ露光部EEWと、現像処理ブロック4内に配設された加熱部PHP7〜PHP12、クールプレートCP13およびエッジ露光部EEWに対して基板Wを受け渡しする搬送ロボットTR4とを備えている。
Next, the
エッジ露光部EEWは、図2に示すように、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック56や、このスピンチャック56に保持された基板Wの周縁に光を照射して露光する光照射器57などを備えている。2つのエッジ露光部EEWは、インターフェイスブロック5の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部EEWと現像処理ブロック4の熱処理タワー42とに隣接して配置されている搬送ロボットTR4は上述した搬送ロボットTR1〜TR3と同様の構成を備えている。
The edge exposure unit EEW, as shown in FIG. 2, applies light to the
また、図2に示すように、2つのエッジ露光部EEWの下側には基板戻し用のリターンバッファRBFが設けられ、さらにその下側には2つの基板載置部PASS9,PASS10が上下に積層して設けられている。リターンバッファRBFは、何らかの障害によって現像処理ブロック4が基板Wの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック4の加熱部PHP7〜PHP12で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Wを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファRBFは、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部PASS9は搬送ロボットTR4から搬送機構55に基板Wを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部PASS10は搬送機構55から搬送ロボットTR4に基板Wを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファRBFに対しては搬送ロボットTR4がアクセスを行う。
Further, as shown in FIG. 2, a return buffer RBF for returning the substrate is provided below the two edge exposure units EEW, and two substrate platforms PASS9 and PASS10 are stacked on the lower side. Is provided. When the development processing block 4 cannot perform the development processing of the substrate W due to some trouble, the return buffer RBF performs the post-exposure heating processing by the heating units PHP7 to PHP12 of the development processing block 4, and then the substrate W Is temporarily stored. The return buffer RBF is configured by a storage shelf that can store a plurality of substrates W in multiple stages. The upper substrate platform PASS9 is used to transfer the substrate W from the transport robot TR4 to the
搬送機構55は、図2に示すように、Y方向に水平移動可能な可動台55aを備え、この可動台55a上に基板Wを保持する保持アーム55bを搭載している。保持アーム55bは、可動台55aに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構55は、露光装置との間で基板Wの受け渡しを行うとともに、基板載置部PASS9,PASS10に対する基板Wの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファSBFに対する基板Wの収納および取り出しを行う。センドバッファSBFは、露光装置が基板Wの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Wを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚によって構成されている。
As shown in FIG. 2, the
以上のインデクサブロック1、バークブロック2、レジスト塗布ブロック3、現像処理ブロック4およびインターフェイスブロック5には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。
The
また、上述したインデクサブロック1、バークブロック2、レジスト塗布ブロック3、現像処理ブロック4およびインターフェイスブロック5は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム(枠体)に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。
The
一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。1つのセルは、基板に所定の処理を行う複数の処理部とそれら複数の処理部に対して基板搬送を行う搬送ロボットとを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Wを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Wを払い出すための出口基板載置部として機能する。そして、セル間の基板Wの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、本明細書では熱処理ユニットや塗布・現像処理ユニットの他に単に基板Wを載置するだけの基板載置部等も搬送対象部という意味において「処理部」に含め、また、基板移載機構12や搬送機構55も搬送ロボットに含める。
On the other hand, in the present embodiment, the transport control unit for transporting the substrate is configured separately from the block that is mechanically divided. In the present specification, such a transport control unit for transporting a substrate is referred to as a “cell”. One cell includes a plurality of processing units that perform predetermined processing on a substrate and a transfer robot that transfers the substrate to the plurality of processing units. Each of the substrate placement units described above functions as an entrance substrate placement unit for receiving the substrate W in the cell or an exit substrate placement unit for delivering the substrate W from the cell. And delivery of the board | substrate W between cells is also performed via a board | substrate mounting part. In this specification, in addition to the heat treatment unit and the coating / development processing unit, a substrate placement unit that simply places the substrate W is also included in the “processing unit” in the sense of the transfer target unit, and the substrate transfer The
本実施形態の基板処理装置には、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの6つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台11と基板移載機構12とを含み、結果的に機械的に分割した単位であるインデクサブロック1と同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部BRCと2つの熱処理タワー21,21と搬送ロボットTR1とを含む。このバークセルも、結果として機械的に分割した単位であるバークブロック2と同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部SCと2つの熱処理タワー31,31と搬送ロボットTR2とを含む。このレジスト塗布セルも、結果として機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック3と同じ構成になっている。
The substrate processing apparatus of the present embodiment includes six cells: an indexer cell, a bark cell, a resist coating cell, a development processing cell, a post-exposure bake cell, and an interface cell. The indexer cell includes a mounting table 11 and a
一方、現像処理セルは、現像処理部SDと熱処理タワー41と搬送ロボットTR3とを含む。上述したように、搬送ロボットTR3は熱処理タワー42の加熱部PHP7〜PHP12に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー42は含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック4と異なる。
On the other hand, the development processing cell includes a development processing unit SD, a
また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック4に位置する熱処理タワー42と、インターフェイスブロック5に位置するエッジ露光部EEWと搬送ロボットTR4とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック4とインターフェイスブロック5とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部PHP7〜PHP12と搬送ロボットTR4とを含んで1つのセルを構成しているので、露光後の基板Wを速やかに加熱部PHP7〜PHP12に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。
The post-exposure bake cell includes a
なお、熱処理タワー42に含まれる基板載置部PASS7,PASS8は現像処理セルの搬送ロボットTR3と露光後ベークセルの搬送ロボットTR4との間の基板Wの受け渡しのために介在する。
The substrate platforms PASS7 and PASS8 included in the
インターフェイスセルは、外部装置である露光装置に対して基板Wの受け渡しを行う搬送機構55を含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボットTR4やエッジ露光部EEWを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック5とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部EEWの下方に設けられた基板載置部PASS9,PASS10は露光後ベークセルの搬送ロボットTR4とインターフェイスセルの搬送機構55との間の基板Wの受け渡しのために介在する。
The interface cell includes a
次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図6は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施形態の基板処理装置は、メインコントローラ、セルコントローラ、ユニットコントローラの3階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラ、セルコントローラ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。 Next, the control mechanism of the substrate processing apparatus of this embodiment will be described. FIG. 6 is a block diagram showing an outline of the control mechanism. As shown in the figure, the substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a control hierarchy including three levels of a main controller, a cell controller, and a unit controller. The hardware configuration of the main controller, cell controller, and unit controller is the same as that of a general computer. That is, each controller stores a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, and control applications and data. A magnetic disk or the like is provided.
第1階層のメインコントローラMCは、基板処理装置全体に1つ設けられており、装置全体の管理、メインパネル(図示省略)の管理およびセルコントローラの管理を主に担当する。第2階層のセルコントローラCCは、6つのセル(インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル)のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラCCは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラCCは、所定の基板載置部に基板Wを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラCCに送り、その基板Wを受け取ったセルのセルコントローラCCは、当該基板載置部から基板Wを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラCCに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラMCを介して行われる。そして、各セルコントローラCCはセル内に基板Wが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラTCに与え、該搬送ロボットコントローラTCが搬送ロボットを制御してセル内で基板Wを所定の手順(フローレシピ)に従って搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラTCは、セルコントローラCC上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。 One main controller MC in the first hierarchy is provided for the entire substrate processing apparatus, and is mainly responsible for management of the entire apparatus, management of the main panel (not shown), and management of the cell controller. The second-level cell controller CC is individually provided for each of the six cells (indexer cell, bark cell, resist coating cell, development processing cell, post-exposure bake cell, and interface cell). Each cell controller CC is mainly in charge of substrate transport management and unit management in the corresponding cell. Specifically, the cell controller CC of each cell sends information that the substrate W has been placed on a predetermined substrate placement unit to the cell controller CC of the adjacent cell, and the cell controller CC of the cell that has received the substrate W. Transmits / receives information that information indicating that the substrate W has been received from the substrate platform is returned to the cell controller CC of the original cell. Such transmission / reception of information is performed via the main controller MC. Each cell controller CC gives information to the transfer robot controller TC that the substrate W has been loaded into the cell, and the transfer robot controller TC controls the transfer robot to transfer the substrate W in the cell according to a predetermined procedure (flow). Carry according to recipe. The transfer robot controller TC is a control unit realized by a predetermined application operating on the cell controller CC.
また、第3階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラCCの指示に従ってセル内に配置されたスピンユニット(塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット)を直接制御するものである。具体的には、基板Wの回転数や処理液の吐出タイミング等を制御する。また、ベークコントローラは、セルコントローラCCの指示に従ってセル内に配置された熱処理ユニット(ホットプレート、クールプレート、加熱部等)を直接制御するものである。具体的には、プレート温度等を制御する。 In addition, as the unit controller of the third hierarchy, for example, a spin controller or a bake controller is provided. The spin controller directly controls spin units (coating processing unit and development processing unit) arranged in the cell in accordance with instructions from the cell controller CC. Specifically, the rotational speed of the substrate W, the discharge timing of the processing liquid, and the like are controlled. Further, the bake controller directly controls the heat treatment units (hot plate, cool plate, heating unit, etc.) arranged in the cell in accordance with instructions from the cell controller CC. Specifically, the plate temperature and the like are controlled.
このように本実施形態では、3階層の制御階層とすることによって各コントローラの制御負荷を軽減している。また、各セルコントローラCCは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれのセル内だけの基板搬送スケジュールを管理しているため、各セルコントローラCCの搬送制御の負担が軽くなる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができるのである。 As described above, in this embodiment, the control load of each controller is reduced by adopting a three-level control hierarchy. In addition, each cell controller CC manages the substrate transfer schedule only in each cell without considering the transfer schedule in the adjacent cell, so the burden of transfer control on each cell controller CC is reduced. . As a result, the throughput of the substrate processing apparatus can be improved.
なお、各搬送ロボットコントローラTCに対しては各ブロックの外壁面に設けられたコネクタを介して接続された入力パネルIPから種々のコマンドやデータを入力することができる。例えば、入力パネルIPから搬送ロボットにオートティーチングの開始を指示することができるのであるが、これについては後述する。 Various commands and data can be input to each transfer robot controller TC from an input panel IP connected via a connector provided on the outer wall surface of each block. For example, the input panel IP can instruct the transfer robot to start auto teaching, which will be described later.
次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。ここでは、まず、基板処理装置における基板Wの搬送手順について簡単に説明する。まず、インデクサセル(インデクサブロック1)の基板移載機構12が所定のキャリアCから未処理の基板Wを取り出し、上側の基板載置部PASS1に載置する。基板載置部PASS1に未処理の基板Wが載置されると、バークセルの搬送ロボットTR1が保持アーム6a,6bのうちの一方を使用してその基板Wを受け取る。そして、搬送ロボットTR1は受け取った未処理の基板Wを密着強化処理部AHL1〜AHL3のいずれかに搬送する。密着強化処理の終了した基板Wは搬送ロボットTR1によって取り出され、クールプレートCP1〜CP3のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR1によって塗布処理ユニットBRC1〜BRC3のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。
Next, the operation of the substrate processing apparatus of this embodiment will be described. Here, first, a procedure for transporting the substrate W in the substrate processing apparatus will be briefly described. First, the
塗布処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR1によってホットプレートHP1〜HP6のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Wが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板W上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットTR1によってホットプレートから取り出された基板Wは再びクールプレートCP1〜CP3のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートWCPによって基板Wを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR1によって基板載置部PASS3に載置される。 After the coating process is completed, the substrate W is transferred to one of the hot plates HP1 to HP6 by the transfer robot TR1. When the substrate W is heated by the hot plate, the coating liquid is dried and a base antireflection film is formed on the substrate W. Thereafter, the substrate W taken out from the hot plate by the transfer robot TR1 is transferred again to any one of the cool plates CP1 to CP3 and cooled. At this time, the substrate W may be cooled by the cool plate WCP. The cooled substrate W is placed on the substrate platform PASS3 by the transport robot TR1.
反射防止膜が形成された基板Wが基板載置部PASS3に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットTR2がその基板Wを受け取って塗布処理ユニットSC1〜SC3のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットSC1〜SC3では、基板Wにフォトレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Wを塗布処理ユニットSC1〜SC3に搬送する直前にクールプレートCP4〜CP9のいずれかに搬送するようにしても良い。 When the substrate W on which the antireflection film is formed is placed on the substrate platform PASS3, the transfer robot TR2 of the resist coating cell receives the substrate W and transports it to one of the coating processing units SC1 to SC3. In the coating processing units SC1 to SC3, a photoresist is spin-coated on the substrate W. In addition, since precise substrate temperature control is required for the resist coating process, the substrate W may be transported to any one of the cool plates CP4 to CP9 immediately before the substrate W is transported to the coating processing units SC1 to SC3.
レジスト塗布処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR2によって加熱部PHP1〜PHP6のいずれかに搬送される。加熱部PHP1〜PHP6にて基板Wが加熱処理されることにより、フォトレジスト中の溶媒成分が除去されて基板W上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットTR2によって加熱部PHP1〜PHP6から取り出された基板WはクールプレートCP4〜CP9のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR2によって基板載置部PASS5に載置される。 After the resist coating process is completed, the substrate W is transferred to one of the heating units PHP1 to PHP6 by the transfer robot TR2. When the substrate W is heated by the heating units PHP1 to PHP6, the solvent component in the photoresist is removed, and a resist film is formed on the substrate W. Thereafter, the substrate W taken out from the heating units PHP1 to PHP6 by the transport robot TR2 is transported to one of the cool plates CP4 to CP9 and cooled. The cooled substrate W is placed on the substrate platform PASS5 by the transport robot TR2.
レジスト膜が形成された基板Wが基板載置部PASS5に載置されると、現像処理セルの搬送ロボットTR3がその基板Wを受け取ってそのまま基板載置部PASS7に載置する。そして、基板載置部PASS7に載置された基板Wは露光後ベークセルの搬送ロボットTR4によって受け取られ、エッジ露光部EEWに搬入される。エッジ露光部EEWにおいては、基板Wの周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Wは搬送ロボットTR4によって基板載置部PASS9に載置される。そして、基板載置部PASS9に載置された基板Wはインターフェイスセルの搬送機構55によって受け取られ、装置外の露光装置に搬入され、パターン露光処理に供される。
When the substrate W on which the resist film is formed is placed on the substrate platform PASS5, the transfer robot TR3 of the development processing cell receives the substrate W and places it on the substrate platform PASS7 as it is. Then, the substrate W placed on the substrate platform PASS7 is received by the post-exposure bake cell transport robot TR4 and carried into the edge exposure unit EEW. In the edge exposure unit EEW, exposure processing of the peripheral portion of the substrate W is performed. The substrate W that has undergone the edge exposure process is placed on the substrate platform PASS9 by the transport robot TR4. The substrate W placed on the substrate platform PASS9 is received by the interface
パターン露光処理が終了した基板Wは再びインターフェイスセルに戻され、搬送機構55によって基板載置部PASS10に載置される。露光後の基板Wが基板載置部PASS10に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットTR4がその基板Wを受け取って加熱部PHP7〜PHP12のいずれかに搬送する。加熱部PHP7〜PHP12では、露光時の光化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内に均一に拡散させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Wは搬送ロボットTR4によって取り出され、クールプレートCP13に搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR4によって基板載置部PASS8に載置される。
The substrate W that has been subjected to the pattern exposure processing is returned to the interface cell again, and is placed on the substrate platform PASS10 by the
基板載置部PASS8に基板Wが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットTR3がその基板Wを受け取って現像処理ユニットSD1〜SD5のいずれかに搬送する。現像処理ユニットSD1〜SD5では、基板Wに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR3によってホットプレートHP7〜HP11のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートCP10〜CP12のいずれかに搬送される。 When the substrate W is placed on the substrate platform PASS8, the transport robot TR3 of the development processing cell receives the substrate W and transports it to one of the development processing units SD1 to SD5. In the developing units SD1 to SD5, a developing solution is supplied to the substrate W to advance the developing process. After the development process is finished, the substrate W is transferred to one of the hot plates HP7 to HP11 by the transfer robot TR3, and then transferred to one of the cool plates CP10 to CP12.
その後、基板Wは搬送ロボットTR3によって基板載置部PASS6に載置される。基板載置部PASS6に載置された基板Wは、レジスト塗布セルの搬送ロボットTR2によってそのまま基板載置部PASS4に載置される。さらに、基板載置部PASS4に載置された基板Wは、バークセルの搬送ロボットTR1によってそのまま基板載置部PASS2に載置される。基板載置部PASS2に載置された処理済みの基板Wはインデクサセルの基板移載機構12によって所定のキャリアCに収納される。このようにして一連の処理が完了する。
Thereafter, the substrate W is placed on the substrate platform PASS6 by the transport robot TR3. The substrate W placed on the substrate platform PASS6 is placed on the substrate platform PASS4 as it is by the transfer robot TR2 of the resist coating cell. Further, the substrate W placed on the substrate platform PASS4 is placed on the substrate platform PASS2 as it is by the transfer robot TR1 of Barxel. The processed substrate W placed on the substrate platform PASS2 is stored in a predetermined carrier C by the
以上のように、本実施形態の基板処理装置においては、各搬送ロボットTR1〜TR4が熱処理ユニットや塗布・現像処理ユニットおよび基板載置部等に基板Wを受け渡しすることによって一連の処理が進行する。例えば、バークセルの搬送ロボットTR1は、基板載置部PASS1〜PASS4、塗布処理ユニットBRC1〜BRC3、クールプレートCP1〜CP3、ホットプレートHP1〜HP6および密着強化処理部AHL1〜AHL3の各基板受渡対象部に対して基板Wの受け渡しを行う。そして、この搬送ロボットTR1の保持アーム6a,6bを基板受渡対象部の正確な搬送位置にアクセスさせるために、装置のメンテナンス時等にオートティーチング(搬送教示)を実行している。以下、このオートティーチング処理について説明する。なお、ここではバークセルの搬送ロボットTR1のオートティーチング処理について説明するが、他のセルの搬送ロボットについても同様である。
As described above, in the substrate processing apparatus of the present embodiment, each transfer robot TR1 to TR4 transfers the substrate W to the heat treatment unit, the coating / development processing unit, the substrate placement unit, and the like, so that a series of processes proceeds. . For example, the transfer robot TR1 of Barxel is applied to each substrate delivery target portion of the substrate platforms PASS1 to PASS4, the coating processing units BRC1 to BRC3, the cool plates CP1 to CP3, the hot plates HP1 to HP6, and the adhesion reinforcement processing portions AHL1 to AHL3. On the other hand, the substrate W is transferred. Then, in order to allow the holding
オートティーチング処理は、入力パネルIPから搬送ロボットコントローラTCに対してコマンドを入力することによって実行される。なお、オートティーチング処理時には、予め搬送ロボットTR1の保持アーム6a,6bが光センサ等の取り付けられたティーチング用のアームに差し替えられている。
The auto teaching process is executed by inputting a command to the transport robot controller TC from the input panel IP. During the auto teaching process, the holding
図7は、オートティーチング処理時の入力パネルIPの表示画面である。同図に示すように、入力パネルIPにはバークセルの搬送ロボットTR1がアクセス可能な各基板受渡対象部がボタン表示されている。さらに、入力パネルIPには「一括選択」ボタンと「開始」ボタンも表示されている。オペレータがオートティーチングを行う基板受渡対象部のボタンを選択した後、開始ボタンを押下すると、その選択された基板受渡対象部におけるオートティーチング処理が実行される。また、オペレータが一括選択ボタンを押下した後、開始ボタンを押下すると、搬送ロボットTR1がアクセス可能な全基板受渡対象部(基板載置部PASS1〜PASS4、塗布処理ユニットBRC1〜BRC3、クールプレートCP1〜CP3、ホットプレートHP1〜HP6および密着強化処理部AHL1〜AHL3)に対するオートティーチング処理が実行される。ここでは、オペレータが一括選択ボタンを押下した後、開始ボタンを押下して全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理を実行する場合について説明する。 FIG. 7 is a display screen of the input panel IP during the auto teaching process. As shown in the figure, each board delivery target portion accessible by the Berxel transport robot TR1 is displayed as a button on the input panel IP. Furthermore, a “collective selection” button and a “start” button are also displayed on the input panel IP. When the operator selects a button for the board delivery target part to be auto-teached and then presses the start button, the auto-teaching process in the selected board delivery target part is executed. Further, when the operator presses the collective selection button and then presses the start button, all substrate transfer target parts (substrate mounting parts PASS1 to PASS4, coating processing units BRC1 to BRC3, cool plates CP1 to CP1 that can be accessed by the transfer robot TR1) An auto teaching process is performed on CP3, hot plates HP1 to HP6, and adhesion reinforcement processing units AHL1 to AHL3). Here, a case will be described in which after the operator presses the batch selection button, the start button is pressed to execute the auto teaching process for all the board transfer target portions.
図8は、全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理を実行するときの処理手順を示すフローチャートである。まず、上述の通り、搬送ロボットTR1がアクセス可能な全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理の開始が入力される(ステップS1)。オートティーチング処理の開始が入力されると、搬送ロボットコントローラTCが各基板受渡対象部についてオートティーチング処理の実行が可能か否かを判断する。すなわち、基板Wを加熱するベークユニット(ホットプレートHP1〜HP6、密着強化処理部AHL1〜AHL3)の場合、通常ユニット内部が高温になっており、そのままティーチング用アームを挿入すると光センサ等の熱損傷が生じるため、オートティーチング処理実行不可と判断される。一方、ベークユニット以外の基板受渡対象部については常温であるため、通常直ちにオートティーチング処理実行可能と判断される。但し、ベークユニット以外の基板受渡対象部であっても、例えば他のオペレータが調整作業を行っているような場合は当該基板受渡対象部もオートティーチング処理実行不可と判断される。 FIG. 8 is a flowchart showing a processing procedure when auto-teaching processing is performed on all board delivery target portions. First, as described above, the start of auto-teaching processing is input to all substrate transfer target parts accessible by the transfer robot TR1 (step S1). When the start of the auto teaching process is input, the transfer robot controller TC determines whether or not the auto teaching process can be executed for each substrate delivery target part. That is, in the case of a baking unit (hot plates HP1 to HP6, adhesion strengthening processing units AHL1 to AHL3) for heating the substrate W, the inside of the unit is usually at a high temperature, and if a teaching arm is inserted as it is, thermal damage to the optical sensor or the like Therefore, it is determined that the auto teaching process cannot be executed. On the other hand, since the substrate delivery target part other than the bake unit is at room temperature, it is usually determined that the auto teaching process can be executed immediately. However, even if the substrate delivery target unit is other than the bake unit, for example, when another operator is performing an adjustment operation, it is determined that the substrate delivery target unit is also incapable of executing the auto teaching process.
次に、ベークユニット以外の基板受渡対象部については、ティーチング処理の準備が整った基板受渡対象部から順にオートティーチング処理が実行される(ステップS2)。例えば、基板載置部PASS1についてオートティーチング処理実行可能と判断されているときには、搬送ロボットTR1が基板載置部PASS1にアームをアクセスさせ、基板載置部PASS1に設けられた被検出物を光センサに検出させ、その検出結果に基づいてアームの水平位置、高さ位置およびロボットの回転角度を搬送ロボットコントローラTCが自動調整する。なお、基板載置部PASS1以外の基板受渡対象部においてもオートティーチング処理内容自体は同じである。 Next, for the substrate delivery target unit other than the baking unit, the auto teaching process is executed in order from the substrate delivery target unit ready for teaching processing (step S2). For example, when it is determined that auto teaching processing can be performed on the substrate platform PASS1, the transfer robot TR1 accesses the substrate platform PASS1 to access the arm, and the detected object provided on the substrate platform PASS1 is detected by the optical sensor. The robot controller TC automatically adjusts the horizontal position, height position, and rotation angle of the robot based on the detection result. Note that the content of the auto teaching process is the same in the substrate delivery target part other than the substrate platform PASS1.
一方、ベークユニット以外の基板受渡対象部について、オートティーチング処理実行不可と判断された場合は、その基板受渡対象部のオートティーチング受け入れ準備が整い次第オートティーチング処理が実行される。例えば、塗布処理ユニットBRC1においてオペレータがノズルのメンテナンスを行っていたような場合は、オートティーチング処理実行不可と判断されるが、そのメンテナンス作業が終了した時点でオートティーチング処理実行可能と判断され、搬送ロボットTR1が塗布処理ユニットBRC1にアームをアクセスさせてオートティーチング処理が実行される。 On the other hand, when it is determined that the auto-teaching process cannot be executed for the board delivery target unit other than the bake unit, the auto-teaching process is executed as soon as the board delivery target part is ready for auto-teaching reception. For example, when the operator is performing nozzle maintenance in the coating processing unit BRC1, it is determined that the auto teaching process cannot be performed, but it is determined that the auto teaching process can be performed when the maintenance work is completed, and the conveyance is performed. The robot TR1 accesses the coating processing unit BRC1 to access the arm and the auto teaching process is executed.
このようにしてベークユニット以外の基板受渡対象部におけるオートティーチング処理を行うのと並行して、ベークユニットについてはオートティーチング処理が可能な温度にまで降温させる(ステップS3)。具体的には、セルコントローラCCの指示に従ってベークコントローラが各ベークユニットの温度を降温させる。例えば、定常状態のバークセルではホットプレートHP1〜HP6の温度が200℃程度であり、密着強化処理部AHL1〜AHL3の温度が130℃程度であるが、これをオートティーチング処理が可能な50℃以下にまで降温させる。このとき、自然放冷によって降温させるようにしても良いし、冷却機能付きベークユニットの場合はその冷却機構(例えば、水冷機構)を使用して強制的に急速に降温させるようにしても良い。 In this manner, in parallel with performing the auto teaching process in the substrate delivery target part other than the baking unit, the temperature of the baking unit is lowered to a temperature at which the auto teaching process can be performed (step S3). Specifically, the bake controller lowers the temperature of each bake unit in accordance with an instruction from the cell controller CC. For example, in a steady state bark cell, the temperature of the hot plates HP1 to HP6 is about 200 ° C., and the temperature of the adhesion strengthening processing portions AHL1 to AHL3 is about 130 ° C. Allow to cool down. At this time, the temperature may be lowered by natural cooling, or in the case of a bake unit with a cooling function, the temperature may be forcibly rapidly lowered using a cooling mechanism (for example, a water cooling mechanism).
ベークユニットの温度が所定温度以下、例えば50℃以下にまで降温したら搬送ロボットTR1がそのベークユニットにアームをアクセスさせてオートティーチング処理を実行する(ステップS4)。このときに、所定温度以下にまで降温したベークユニットに対するオートティーチング処理とベークユニット以外の基板受渡対象部に対するオートティーチング処理との処理順序は任意である。 When the temperature of the bake unit is lowered to a predetermined temperature or lower, for example, 50 ° C. or lower, the transfer robot TR1 accesses the arm to the bake unit and executes an auto teaching process (step S4). At this time, the processing order of the auto teaching process for the bake unit that has been lowered to a predetermined temperature or less and the auto teaching process for the substrate delivery target part other than the bake unit is arbitrary.
その後、オートティーチング処理が終了したベークユニットについては、オートティーチング処理前の元の温度にまで昇温させる(ステップS5)。具体的には、ベークコントローラに各ベークユニットについての降温前の温度を記憶させておき、オートティーチング処理終了後セルコントローラCCの指示に従ってベークコントローラがその元の温度にまで昇温させるのである。このようにして全ての基板受渡対象部に対するオートティーチング処理が完了する。 Thereafter, the baking unit for which the auto teaching process has been completed is raised to the original temperature before the auto teaching process (step S5). Specifically, the temperature before the temperature drop for each bake unit is stored in the bake controller, and the bake controller raises the temperature to its original temperature in accordance with an instruction from the cell controller CC after completion of the auto teaching process. In this way, the auto teaching process for all the board delivery target parts is completed.
以上の内容を集約すると、本実施形態の基板処理装置では、オートティーチング処理の開始が入力された時点でオートティーチング可能な基板受渡対象部から順に搬送ロボットTR1がアクセスしてオートティーチング処理が実行されるのである。通常は、ベークユニット以外の基板受渡対象部から順にオートティーチング処理が実行され、その間にベークユニットについてはオートティーチング処理を行うことが可能な所定温度以下にまで降温される。そして、所定温度以下にまで降温されたベークユニットのオートティーチング処理も実行され、それが終了した後に、降温したベークユニットの温度を降温前の元の温度に戻しているのである。 Summarizing the above contents, in the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the transfer robot TR1 sequentially accesses the auto-teaching process from the substrate delivery target part capable of auto-teaching when the start of the auto-teaching process is input. It is. Usually, auto teaching processing is executed in order from the substrate delivery target portion other than the baking unit, and during that time, the temperature of the baking unit is lowered to a predetermined temperature or less at which auto teaching processing can be performed. Then, the auto-teaching process of the bake unit that has been lowered to a predetermined temperature or less is also executed, and after the completion, the temperature of the bake unit that has been lowered is returned to the original temperature before the temperature drop.
従って、オートティーチング処理を行う際に処理開始を入力するだけで、光センサ等に熱的ダメージを与える高温のベークユニットについては自動的に降温されるため、手動でベークユニットの温度を降温させる必要がなくなり、オートティーチング処理の操作性が向上する。 Therefore, simply by inputting the start of processing when performing auto-teaching processing, the temperature of the high-temperature bake unit that thermally damages the optical sensor, etc. is automatically lowered, so the temperature of the bake unit must be lowered manually. And the operability of the auto teaching process is improved.
また、オートティーチング可能な常温の基板受渡対象部から順にオートティーチング処理が実行され、その間にベークユニットの降温が行われるため、オートティーチング処理の操作性が向上するとともに、効率良くオートティーチング処理が行われることとなり、それに要する時間が従来より短縮される。 In addition, auto-teaching is performed in order from the board delivery target part at room temperature where auto-teaching is possible, and the temperature of the bake unit is lowered during that time, improving the operability of auto-teaching and improving the efficiency of auto-teaching. Therefore, the time required for this is shortened compared to the conventional method.
さらに、降温したベークユニットについてはオートティーチング処理が終了した後に自動的に元の温度にまで昇温されるため、オートティーチング処理の操作性がより向上する。 Furthermore, since the temperature of the bake unit having been lowered is automatically raised to the original temperature after the completion of the auto teaching process, the operability of the auto teaching process is further improved.
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、一括選択ボタンを押下した後、開始ボタンを押下して全基板受渡対象部に対するオートティーチング処理を実行するようにしていたが、個別の基板受渡対象部の表示ボタンを選択し、一部の基板受渡対象部のみに対するオートティーチング処理を実行するようにしても良い。このような場合であっても、処理開始が入力された時点で当該基板受渡対象部におけるオートティーチング処理が可能な場合は直ちに搬送ロボットによるオートティーチング処理を実行し、不可能な場合は当該基板受渡対象部におけるオートティーチング処理が可能となるまで搬送ロボットによるオートティーチング処理を停止させる。そして、当該基板受渡対象部がベークユニットである場合には、オートティーチング処理を行うことが可能な所定温度以下にまで降温させた後、オートティーチング処理を実行する。さらに、オートティーチング処理が終了した後、当該ベークユニットの温度を降温前の元の温度に戻すようにする。このようにすれば、オートティーチング処理を行う際に処理開始を入力するだけで、基板受渡対象部がベークユニット以外である場合には直ちにオートティーチング処理が実行され、ベークユニットである場合には自動的に降温されるため、オートティーチング処理の操作性が向上する。 While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples. For example, in the above embodiment, after the batch selection button is pressed, the start button is pressed to execute the auto teaching process for all the board transfer target parts. It is also possible to select and execute the auto teaching process for only a part of the board delivery target parts. Even in such a case, when the teaching start is possible at the board delivery target part when the start of processing is input, the auto-teaching process is immediately performed by the transfer robot, and when the teaching is not possible, the board delivery is performed. The auto-teaching process by the transfer robot is stopped until the auto-teaching process in the target part becomes possible. And when the said board | substrate delivery object part is a bake unit, after temperature-falling below to the predetermined temperature which can perform an auto teaching process, an auto teaching process is performed. Further, after the auto teaching process is finished, the temperature of the bake unit is returned to the original temperature before the temperature drop. In this way, when the auto-teaching process is performed, only the start of the process is input, and if the substrate delivery target part is other than the bake unit, the auto-teaching process is immediately executed. Therefore, the operability of the auto teaching process is improved.
また、本発明に係る基板処理装置の構成は図1から図4に示したような形態に限定されるものではなく、基板Wに所定の処理を行う処理部に対して搬送ロボットによって基板Wを搬送するような形態であれば種々の変形が可能である。 Further, the configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to the form shown in FIGS. 1 to 4, and the substrate W is placed on the substrate W by the transfer robot with respect to the processing unit that performs predetermined processing on the substrate W. If it is a form which conveys, various deformation | transformation are possible.
1 インデクサブロック
2 バークブロック
3 レジスト塗布ブロック
4 現像処理ブロック
5 インターフェイスブロック
12 基板移載機構
21,31,41,42 熱処理タワー
55 搬送機構
AHL1〜AHL3 密着強化処理部
BRC1〜BRC3,SC1〜SC3 塗布処理ユニット
C キャリア
CC セルコントローラ
CP1〜CP13 クールプレート
HP1〜HP11 ホットプレート
IP 入力パネル
PASS1〜PASS10 基板載置部
PHP1〜PHP12 加熱部
SD1〜SD5 現像処理ユニット
TC 搬送ロボットコントローラ
TR1〜TR4 搬送ロボット
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記搬送ロボットに対する搬送教示処理動作の開始指示を受け付ける入力受付手段と、
前記開始指示の入力が行われた時点で、前記複数の処理部のうち搬送教示処理動作が不可能な第1の温度に温調された加熱処理部以外の処理部から順に前記搬送ロボットに搬送教示処理動作を開始させる教示制御手段と、
前記加熱処理部以外の処理部における搬送教示処理動作が行われている間に、前記加熱処理部の温度を前記搬送教示処理動作を行うことが可能な第2の温度以下にまで降温させる温調手段と、
を備え、
前記教示制御手段は、前記加熱処理部の温度が前記第2の温度以下にまで降温された後に、当該加熱処理部における搬送教示処理動作を前記搬送ロボットに行わせることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus and a transfer robot for transferring the substrate to the plurality of processing units and the plurality of processing units for performing predetermined processing on a substrate, it teaches substrate transfer position of the transfer robot in the plurality of processing units There,
Input accepting means for accepting a start instruction of a transfer teaching process operation for the transfer robot;
At the time when the start instruction is input , the transfer robots are sequentially transferred from the plurality of processing units to the transfer robot from the processing units other than the heating processing unit that is temperature-controlled at the first temperature at which the transfer teaching processing operation is impossible. Teaching control means for starting teaching processing operation ;
While the conveyance teaching processing operation is being performed in a processing unit other than the heating processing unit, the temperature adjustment is performed to lower the temperature of the heating processing unit to a second temperature or less at which the conveyance teaching processing operation can be performed. Means,
With
The teaching control means causes the transfer robot to perform a transfer teaching processing operation in the heating processing section after the temperature of the heating processing section is lowered to the second temperature or lower. .
前記温調手段は、前記加熱処理部における搬送教示処理動作が終了した後、前記加熱処理部の温度を前記第1の温度に昇温させることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus , wherein the temperature adjusting unit raises the temperature of the heat treatment unit to the first temperature after the conveyance teaching process operation in the heat treatment unit is completed .
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