JP2005085817A - 薄膜半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 透明基板の面内厚みばらつきに起因するシリコン膜のレーザアニール度合いに関する面内不均一を解消する。
【解決手段】 薄膜半導体装置の製造方法は、波長450nm以上660nm以下の可視レーザ光を光源とし、透明基板としてのガラス基板上にアモルファス状態のシリコン膜3を形成したものを被照射物4とするレーザアニール工程を含み、前記レーザアニール工程は、前記透明基板の前記可視レーザ光の照射する側と反対側の表面に、反射率低下部が形成された状態で照射を行なう。
【選択図】 図2
【解決手段】 薄膜半導体装置の製造方法は、波長450nm以上660nm以下の可視レーザ光を光源とし、透明基板としてのガラス基板上にアモルファス状態のシリコン膜3を形成したものを被照射物4とするレーザアニール工程を含み、前記レーザアニール工程は、前記透明基板の前記可視レーザ光の照射する側と反対側の表面に、反射率低下部が形成された状態で照射を行なう。
【選択図】 図2
Description
本発明は、薄膜半導体装置の製造方法に関するものである。特に、薄膜半導体装置のシリコン層を再結晶化するために一般的に行なわれるレーザアニール法に関する。特に、Ndイオンをドープした固体を媒質としたレーザ光の第2高調波を光源としたレーザアニール法に関する。
特開平9−293687号公報(特許文献1)には、広く一般的に用いられている、エキシマレーザ光を光源としたレーザアニール法について開示されている。また、特開2000−260731号公報(特許文献2)には、エキシマレーザ光を光源としたレーザアニール法に比べて性能が優れたポリシリコン膜を形成できるとして近年注目されている、Ndイオンをドープした固体結晶を媒質としたレーザ発振光の第2高調波を光源としたレーザアニール法について開示されている。
これらの文献においてはいずれも、被照射物は、ガラス基板上にアモルファスシリコン膜が形成されたものである。これは、ガラス基板上に直接アモルファスシリコン膜が形成されたものに限らず、ガラス基板表面を酸化シリコン膜などで一旦被覆した上にアモルファスシリコン膜を形成したものである場合もある。いずれにしても、このような被照射物にレーザ光をレーザ光を照射し、アモルファスシリコン膜を溶融・結晶化させることにより、ポリシリコン膜を形成する。
特開平9−293687号公報
特開2000−260731号公報
上記特許文献2に開示されているように、可視域のレーザ光、特にNdイオンをドープした固体結晶を媒質としたレーザ発振光の第2高調波を光源とするレーザアニール法が、ポリシリコン膜の形成に用いられている。アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射した際、一部の光は吸収されずにアモルファスシリコン膜を透過した後、ガラス基板の裏面で反射する。この反射光はガラス基板の内部すなわち表裏両面の間で多重反射を起こし、干渉した結果の光がシリコン膜に再照射される。こうしてガラス基板内部からシリコン膜に向けて再照射される反射光もレーザアニールに寄与する。
通常用いられるガラス基板は、1枚の中でも部位によって厚みのばらつきが存在する。以下、このばらつきを「面内厚みばらつき」という。面内厚みばらつきの量は、可視域の波長の数倍に相当する数μm程度であるので、ガラス基板内部で多重反射を起こす反射光の干渉度合いは、面内厚みばらつきによって差を生じ、シリコン膜に再照射される反射光の強度も異なってくる。よって、同じ条件でレーザ光の照射を行なったにもかかわらずシリコン膜に吸収される光の量が部位によって異なることになる。その結果、シリコン膜のレーザアニール度合いが面内で不均一となり、結果として得られるポリシリコン膜質が面内でばらつく。そのような膜質のばらついたポリシリコン膜を用いて作製される薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)は、特性が面内でばらつき、このようなポリシリコンTFTを用いて構成された回路は正常に動作しなくなる。したがって、シリコン膜のレーザアニール度合いに関する面内不均一は、必ず解決しなければならない課題であるといえる。
そこで、本発明は、透明基板の面内厚みばらつきに起因するシリコン膜のレーザアニール度合いに関する面内不均一を解消することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づく薄膜半導体装置の製造方法は、波長450nm以上660nm以下の可視レーザ光を光源とし、透明基板上にアモルファスシリコン膜を形成したものを被照射物とするレーザアニール工程を含み、前記レーザアニール工程は、前記透明基板の前記可視レーザ光の照射する側と反対側の表面に、反射率低下部が形成された状態で照射を行なう。
本発明によれば、シリコン膜を透過してきたレーザ光は透明基板の下面に到達した時点で反射率低下部によって拡散ないし散乱するので、透明基板の内部からシリコン膜に向けて再照射される反射光の強度は、きわめて弱くなる。その結果、レーザアニール工程における透明基板裏面からの反射光の影響は小さくなり、レーザアニールの度合いは上方から直接入射するレーザ光のみによってほぼ決まるようになる。こうして、透明基板の面内厚みばらつきに起因して従来問題となっていたシリコン膜のレーザアニール度合いに関する面内不均一は解消される。
発明者らは、可視域の各波長の光に対する被照射物の吸収率のばらつきを調査した。その結果を図1に示す。図1は、典型的な例としてアモルファスシリコン膜の厚みを50nmとし、ガラス基板とアモルファスシリコン膜との間に介在する下地膜としてのSiO2膜の膜厚を200nmとして計算したものである。吸収率の平均値、最小値、および最大値を示している。図1によれば、波長450nm以上660nm以下の範囲で吸収率が大きく変動することが分かる。この範囲よりも短波長側はアモルファスシリコン膜の吸収率が大きく、照射光の大部分がシリコン膜に吸収されてしまい、透過光がほとんどないため、吸収率の変動は見られない。また、この範囲よりも長波長側は吸収率が小さく、照射光をアモルファスシリコン膜がほとんど吸収しないため、やはり吸収率の変動は見られない。上記波長範囲での吸収率の変動は、上述のように発生するガラス基板裏面での反射光が原因である。本発明は、ガラス基板裏面での光の反射を低減することにより、吸収率の変動を問題とならないレベルにまで抑制するものである。
なお、上記特許文献1のようにエキシマレーザ光を光源とするレーザアニールについては、照射光が全てアモルファスシリコン膜表面において吸収されるため、このような吸収率変動の問題は発生しない。したがって、シリコン膜のレーザアニール度合いに関する面内不均一も発生しない。
(実施の形態1)
(製造方法)
図2を参照して、本発明に基づく実施の形態1における薄膜半導体装置の製造方法について説明する。図2に示すように、被照射物4は、透明基板としてのガラス基板1の上面に下地膜2を形成してさらにその上側にシリコン膜3が形成されたものである。下地膜2は酸化シリコン膜または窒化シリコン膜である。なお、下地膜2がない構造であってもよい。シリコン膜3は当初はアモルファスシリコン膜となっている。
(製造方法)
図2を参照して、本発明に基づく実施の形態1における薄膜半導体装置の製造方法について説明する。図2に示すように、被照射物4は、透明基板としてのガラス基板1の上面に下地膜2を形成してさらにその上側にシリコン膜3が形成されたものである。下地膜2は酸化シリコン膜または窒化シリコン膜である。なお、下地膜2がない構造であってもよい。シリコン膜3は当初はアモルファスシリコン膜となっている。
本実施の形態における薄膜半導体装置の製造方法は、レーザアニール工程を含んでいる。このレーザアニール工程は、この被照射物4をステージ5に載置して、この被照射物4に対して矢印41の向きに、波長450nm以上660nm以下の可視レーザ光を照射するものである。ただし、この被照射物4のガラス基板1のうち、可視レーザ光を照射する側と反対側の表面には反射率低下部6が形成されている。「反射率低下部」6とは、レーザ光の反射率を低下するように機械的に多数の傷が形成された部分である。この傷は、たとえば、切削器具やカッター等を使用して形成することができ、その傷のパターンは回折格子のようなものであってもよい。回折格子の溝形状としては、通常よく用いられる、ブレーズド格子、エシェル格子、正弦波格子、ラミナー格子などであってもよい。また、サンドブラスト処理でガラス基板1の裏面のみを曇りガラスのように加工してこの部分を反射率低下部6としてもよい。
このレーザアニール工程によって、シリコン膜3は、溶融し、再結晶する。その結果、シリコン膜3は、アモルファスシリコン膜から多結晶シリコン膜へと変化する。こうして得られた多結晶シリコン膜を利用して、薄膜トランジスタなどの各種薄膜半導体装置が作製される。
(薄膜半導体装置)
本発明を適用して製造した薄膜半導体装置の一例を図3に示す。この薄膜半導体装置は、透明基板としてのガラス基板1と、ガラス基板1の一方の表面に重なるように配置されたシリコン膜3とを備える。なおかつ、ガラス基板1は、シリコン膜3があるのと反対側の表面に反射率低下部6を有する。シリコン膜3はレーザアニール工程が行なわれた結果として多結晶シリコン膜になっている。シリコン膜3とガラス基板1との間には下地膜2などが介在していてもよい。図3の例では、シリコン膜3の上面にゲート電極11が形成されており、薄膜トランジスタを構成している。ここでは、薄膜トランジスタの例を示したが、他の種類の薄膜半導体装置であってもよい。
本発明を適用して製造した薄膜半導体装置の一例を図3に示す。この薄膜半導体装置は、透明基板としてのガラス基板1と、ガラス基板1の一方の表面に重なるように配置されたシリコン膜3とを備える。なおかつ、ガラス基板1は、シリコン膜3があるのと反対側の表面に反射率低下部6を有する。シリコン膜3はレーザアニール工程が行なわれた結果として多結晶シリコン膜になっている。シリコン膜3とガラス基板1との間には下地膜2などが介在していてもよい。図3の例では、シリコン膜3の上面にゲート電極11が形成されており、薄膜トランジスタを構成している。ここでは、薄膜トランジスタの例を示したが、他の種類の薄膜半導体装置であってもよい。
(作用・効果)
本実施の形態における薄膜半導体装置の製造方法によれば、図2において、矢印41の向きに照射され、シリコン膜3を透過してきたレーザ光はガラス基板1の内部を進行し、ガラス基板1の下面に到達した時点で反射率低下部6によって拡散ないし散乱する。こうして、ガラス基板1の下面で反射して再びガラス基板1の上面に向かうレーザ光の強度が極度に低下するので、仮にガラス基板1内部で多重反射をするとしてもレーザ光の強度は極端に減衰する。したがって、ガラス基板1内部からシリコン膜3に向けて再照射される反射光の強度は、きわめて弱くなる。その結果、レーザアニール工程におけるガラス基板裏面からの反射光の影響は小さくなり、レーザアニールの度合いは上方から直接入射するレーザ光のみによってほぼ決まるようになる。よって、ガラス基板の面内厚みばらつきによるシリコン膜のレーザアニール度合いに関する面内不均一は解消される。
本実施の形態における薄膜半導体装置の製造方法によれば、図2において、矢印41の向きに照射され、シリコン膜3を透過してきたレーザ光はガラス基板1の内部を進行し、ガラス基板1の下面に到達した時点で反射率低下部6によって拡散ないし散乱する。こうして、ガラス基板1の下面で反射して再びガラス基板1の上面に向かうレーザ光の強度が極度に低下するので、仮にガラス基板1内部で多重反射をするとしてもレーザ光の強度は極端に減衰する。したがって、ガラス基板1内部からシリコン膜3に向けて再照射される反射光の強度は、きわめて弱くなる。その結果、レーザアニール工程におけるガラス基板裏面からの反射光の影響は小さくなり、レーザアニールの度合いは上方から直接入射するレーザ光のみによってほぼ決まるようになる。よって、ガラス基板の面内厚みばらつきによるシリコン膜のレーザアニール度合いに関する面内不均一は解消される。
また、本実施の形態における薄膜半導体装置は、上述の製造方法でレーザアニール度合いの面内不均一を解消しつつ作製することができるため、信頼性の高い薄膜半導体装置となる。
なお、反射率低下部は機械的に傷を形成して作られたものには限られず、表面を化学的にエッチングして粗くすることで作られたものであってもよい。化学的な処理で表面が粗くされ、光学的拡散面となっていれば、機械的に形成された傷の場合と同様に、反射率低下部としての役割を果たすことができる。化学的にエッチングして反射率低下部を形成するための具体的方法としては、たとえば、フッ酸溶液などによるウェットエッチングが考えられる。あるいは、フッ素系ガスや塩素系ガスによるドライエッチングも考えられる。
(実施の形態2)
(製造方法)
図4を参照して、本発明に基づく実施の形態2における薄膜半導体装置の製造方法について説明する。
(製造方法)
図4を参照して、本発明に基づく実施の形態2における薄膜半導体装置の製造方法について説明する。
実施の形態1で参照した図2では、反射率低下部6がガラス基板1の下面全面に形成されている様子を示したが、必ずしも全面に形成されていなければならないわけではない。図4に示すように、真空吸引孔9を有するステージ5vを用いてレーザアニール工程を行なう場合には、ガラス基板1の下面に第1の領域7と第2の領域8とを設けておくことが好ましい。第1の領域7は、真空吸引孔9によって真空吸着されるための平滑な面となっており、第2の領域8は、反射率低下部6rが形成された面となっている。反射率低下部6rの形成の仕方やバリエーションについては、実施の形態1で説明したものと同様である。その他の点についても、基本的に実施の形態1と同様である。
(作用・効果)
反射率低下部は、機械的に形成された傷であっても化学的にエッチングで表面を粗くした面であっても、通常、平滑ではなくなるので真空吸着が行ないにくくなる。しかし、本実施の形態で示すように透明基板としてのガラス基板の下面を第1,第2の領域に分け、反射率低下部の形成部分を限定した状態でレーザアニール工程を行なうこととすれば、真空吸着は平滑な部分で確実に行なうことができるようになり、なおかつ、実施の形態1で説明した効果も得ることができる。このような方法は、ステージに被照射物を確実に固定したい場合には有効である。
反射率低下部は、機械的に形成された傷であっても化学的にエッチングで表面を粗くした面であっても、通常、平滑ではなくなるので真空吸着が行ないにくくなる。しかし、本実施の形態で示すように透明基板としてのガラス基板の下面を第1,第2の領域に分け、反射率低下部の形成部分を限定した状態でレーザアニール工程を行なうこととすれば、真空吸着は平滑な部分で確実に行なうことができるようになり、なおかつ、実施の形態1で説明した効果も得ることができる。このような方法は、ステージに被照射物を確実に固定したい場合には有効である。
化学的にエッチングして反射率低下部を形成する場合は、ガラス基板の裏面にフォトレジストなどでパターンを形成してからエッチングすることとすれば、所望の領域のみに反射率低下部を形成し、他の領域は平滑なままとすることができる。
図3に示した薄膜半導体装置では、ガラス基板1の下面の全面に反射率低下部6がある例が示されているが、本実施の形態における薄膜半導体装置の製造方法で得られる薄膜半導体装置であれば、ガラス基板の下面のうち一部のみに反射率低下部があることとなる。
(実施の形態3)
(製造方法)
図5を参照して、本発明に基づく実施の形態3における薄膜半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態では、被照射物4のガラス基板1の下面には反射率低下部を設けていない。被照射物4は、ステージ5の上面に直接接して載置されるのではなく、ステージ5の上面に透明板としてのガラス板10をまず載置して、そのさらに上側にガラス基板1が載るように載置されている。ここでは、透明板をガラス板10としたが、透明板は透明基板と同じ材質のものであればよい。本実施の形態では透明基板はガラス基板1であるので、透明板を同じ材料からなるガラス板10としている。また、ガラス板10は、厚みが0.5mm以上である。その他の点については、基本的に実施の形態1と同様である。
(製造方法)
図5を参照して、本発明に基づく実施の形態3における薄膜半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態では、被照射物4のガラス基板1の下面には反射率低下部を設けていない。被照射物4は、ステージ5の上面に直接接して載置されるのではなく、ステージ5の上面に透明板としてのガラス板10をまず載置して、そのさらに上側にガラス基板1が載るように載置されている。ここでは、透明板をガラス板10としたが、透明板は透明基板と同じ材質のものであればよい。本実施の形態では透明基板はガラス基板1であるので、透明板を同じ材料からなるガラス板10としている。また、ガラス板10は、厚みが0.5mm以上である。その他の点については、基本的に実施の形態1と同様である。
(作用・効果)
本実施の形態では、積み重ねられた透明基板と透明板とが同じ材料であるので、透明基板であるガラス基板1の下面と透明板であるガラス板10の場面とが接する界面で屈折率の変化が生じない。したがって、この界面ではレーザ光は反射されない。したがって、この構成では、下方に向かって進行してきたレーザ光はステージ5の上面で反射されることになる。
本実施の形態では、積み重ねられた透明基板と透明板とが同じ材料であるので、透明基板であるガラス基板1の下面と透明板であるガラス板10の場面とが接する界面で屈折率の変化が生じない。したがって、この界面ではレーザ光は反射されない。したがって、この構成では、下方に向かって進行してきたレーザ光はステージ5の上面で反射されることになる。
ところで、通常のレーザアニール装置における集光光学系の焦点深度は±0.5mm程度である。現在薄膜半導体装置を製造するのに用いられる一般的なガラス基板の厚さは0.5mm程度なので、0.5mm以上の厚さのガラス板をステージ上面との間に配置することで、ステージ上面は焦点深度外となってしまう。したがって、たとえステージ上面が金属などの反射しやすい材料でできていたとしてもステージ上面で反射するレーザ光は焦点深度外で反射したにすぎないものとなるので、反射光はもはやレーザアニールにほぼ寄与しなくなる。
したがって、レーザアニール工程におけるガラス基板裏面からの反射光の影響は小さくなり、レーザアニールの度合いは上方から直接入射するレーザ光のみによってほぼ決まるようになる。よって、ガラス基板の面内厚みばらつきによるシリコン膜のレーザアニール度合いに関する面内不均一は解消される。
なお、上記各実施の形態では、波長450nm以上660nm以下の可視レーザ光を照射していたが、照射に用いるレーザ光としては、特に、Ndイオンをレーザ媒質にドープした固体から発振されるレーザ光の第2高調波を用いることが好ましい。とりわけ、Nd:YAGレーザまたはNd:YVO4レーザによるものを用いることが好ましい。固体レーザは取扱いが容易でほぼメンテナンスフリーであるので、このような種類のレーザを採用すれば、レーザアニール工程を長時間安定して行なうことができ、生産性を向上させることができるからである。
なお、上記各実施の形態では、透明基板としてガラス基板を例に挙げて説明してきたが、透明基板はガラス基板に限られず、他の材料の基板であっても透明なものであれば同様に本発明が適用可能であると考えられる。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
1 ガラス基板、2 下地膜、3 シリコン膜、4 被照射物、5,5v ステージ、6,6r 反射率低下部、7 第1の領域、8 第2の領域、9 真空吸引孔、10 ガラス板、11 ゲート電極、41 (レーザ照射の向きを示す)矢印。
Claims (8)
- 波長450nm以上660nm以下の可視レーザ光を光源とし、透明基板上にアモルファスシリコン膜を形成したものを被照射物とするレーザアニール工程を含み、前記レーザアニール工程は、前記透明基板の前記可視レーザ光の照射する側と反対側の表面に、反射率低下部が形成された状態で照射を行なう、薄膜半導体装置の製造方法。
- 前記透明基板は、真空吸着されるための第1の領域と、前記反射率低下部が形成された第2の領域とを含み、前記レーザアニール工程は、前記透明基板を前記第1の領域において真空吸着することによって固定して行なう、請求項1に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
- 前記反射率低下部は、機械的に傷を作成することで形成されている、請求項1または2に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
- 前記反射率低下部は、表面を化学的にエッチングして粗くすることで形成されている、請求項1または2に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
- 波長450nm以上660nm以下の可視レーザ光を光源とし、透明基板上のアモルファスシリコン膜を被照射物とするレーザアニール工程を含み、前記レーザアニール工程は、ステージの上面に、前記透明基板と同じ材質であって厚み0.5mm以上の透明板を載置し、前記透明板の上に前記透明基板を載置した状態で行なう、薄膜半導体装置の製造方法。
- 前記可視レーザ光として、Ndイオンをレーザ媒質にドープした固体から発振されるレーザ光の第2高調波を用いる、請求項1から5のいずれかに記載の薄膜半導体装置の製造方法。
- 前記レーザ光は、Nd:YAGレーザまたはNd:YVO4レーザによるものである、請求項6に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
- 透明基板と、前記透明基板の一方の表面に重なるように配置されたシリコン膜とを備え、前記透明基板は、前記シリコン膜があるのと反対側の表面に反射率低下部を有する、薄膜半導体装置。
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- 2003-09-04 JP JP2003313031A patent/JP2005085817A/ja active Pending
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