JP2000323407A - 半導体膜，半導体素子およびそれらの製造方法ならびにエネルギービーム照射装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光の反射率または吸収率が異なる複数の領域
を有する下地部の表面に高い均一性を有する多結晶の半
導体膜を形成する。 【解決手段】 ガラス基板１１の上にゲート電極１３お
よび反射調節膜１４が順次積層され、その上に絶縁膜１
５を介してゲート電極１３を跨ぐように多結晶Ｓｉより
なる半導体膜１６が形成されている。ゲート電極１３は
高い光の反射率を有するＭｏなどにより構成されてい
る。反射調節膜１４は半導体膜１６の側からレーザビー
ムが照射された場合に、光の干渉を利用してゲート電極
１３に対応する領域における反射光を弱めるようになっ
ている。これにより、絶縁膜１５の上に非晶質Ｓｉ膜を
形成しレーザビームの照射により半導体膜１６を形成す
る際に、ゲート電極１３に対応する領域と他の領域との
エネルギー量を均一にすることができ、均一に結晶化さ
れた半導体膜が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光または電子波に
対する反射率または吸収率の異なる複数の領域を有する
下地部の表面に形成された半導体膜、およびそれを備え
た半導体素子、ならびにそれらの製造方法、およびその
製造に用いるエネルギービーム照射装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、表示装置について高精細および高
画質な表示が求められている。液晶表示装置では、その
要求に応えるために、液晶駆動用のスイッチング素子と
して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transisto
r）を利用したアクティブマトリクス方式の液晶表示装
置（ＡＭＬＣＤ：Active Matrix Liquid Crystal Displ
ay）が用いられている。

【０００３】このＡＭＬＣＤに用いられるＴＦＴには、
能動層であるチャネル領域に非晶質（アモルファス）シ
リコンを用いるものと、多結晶シリコンを用いるものと
がある。このうち、多結晶シリコンを用いたＴＦＴは、
非晶質シリコンを用いたものに比べてオン抵抗が低く、
応答性や駆動能力に優れており、高精細および高画質な
表示を実現するものとして期待されている。また、この
多結晶シリコンを用いたＴＦＴは、液晶駆動用のスイッ
チング素子としてだけではなく、大型液晶表示装置用の
液晶駆動用素子としても、更には、駆動回路の論理回路
を構成するスイッチング素子としても利用が期待されて
いる。

【０００４】ところで、この多結晶シリコンを用いたＴ
ＦＴは、例えば、非晶質シリコン膜にエネルギービーム
を照射して溶融多結晶化する技術を用いることにより、
低温で形成することができる。例えば、図１２に示した
ようにガラス基板１１１の一面にゲート電極１１３を介
してチャネル領域１１６ａが形成されるボトムゲート構
造のＴＦＴでは、例えば、ガラス基板１１１の一面にゲ
ート電極１１３，絶縁膜１１５および非晶質シリコン膜
を積層して形成したのち、この非晶質シリコン膜にエキ
シマレーザビームを照射して結晶化し、チャネル領域１
１６ａ，ソース領域１１６ｂおよびドレイン領域１１６
ｃを構成する多結晶シリコン膜１１６を形成していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなボトムゲート構造のＴＦＴでは、多結晶シリコン膜
１１６のうち、ゲート電極１１３に対応する領域の結晶
粒径が他の領域に比べて大きくなったり、あるいは小さ
くなったり、極端な場合には融解して消失してしまった
り、あるいは結晶化が不十分であったりして、均一な多
結晶シリコン膜１１６を得ることができなかった。な
お、これは、非晶質シリコン膜とガラス基板１１１との
間に、ガラス基板１１１に比べてレーザ反射率の高い、
あるいはレーザ吸収率の高いゲート電極１１３が形成さ
れていることが原因しているものと考えられる。

【０００６】例えば、図１３（Ａ）に示したように、ゲ
ート電極１１３をガラス基板１１１よりも高いレーザ反
射率を有するモリブデン（Ｍｏ）あるいはタングステン
（Ｗ）などの材料により構成する場合には、非晶質シリ
コン膜１２３のうちゲート電極１１３に対応する領域で
は、非晶質シリコン膜１２３の側から照射されたエキシ
マレーザビームＥが非晶質シリコン膜１２３を通過した
のちゲート電極１１３によって反射され、再度非晶質シ
リコン膜１２３を照射することとなる。すなわち、ゲー
ト電極１１３に対応する領域では、エキシマレーザビー
ムＥが１回照射される他の領域に比べてより多く熱処理
されてしまう。

【０００７】これにより、図１３（Ｂ）に示したよう
に、ゲート電極１１３に対応する領域以外の領域におい
て良好な多結晶シリコン膜１１６が得られる条件でエキ
シマレーザビームＥを照射すると、ゲート電極１１３に
対応する領域１１６ｄにおいては、エネルギーの過剰に
より大結晶粒化したり、かえって結晶粒径が小さくなっ
たり、またははじけてしまったりするものと考えられ
る。逆に、ゲート電極１１３に対応する領域において良
好な多結晶シリコン膜が得られる条件でエキシマレーザ
ビームＥを照射すると、他の領域においては、エネルギ
ーの不足により微結晶となったり、または結晶化しなか
ったりするものと考えられる。

【０００８】また、図１４（Ａ）に示したように、ゲー
ト電極１１３をガラス基板１１１よりも高いレーザ吸収
率を有するタンタル（Ｔａ）あるいはクロム（Ｃｒ）な
どの材料により構成する場合には、非晶質シリコン膜１
２３のうちゲート電極１１３に対応する領域では、非晶
質シリコン膜１２３の側から照射されたエキシマレーザ
ビームＥが非晶質シリコン膜１２３を通過したのちゲー
ト電極１１３により吸収されてしまい、他の領域に比べ
て反射が少ない。更に、ゲート電極１１３ではエキシマ
レーザビームＥを吸収することにより熱が発生するが、
ゲート電極１１３はガラス基板１１１よりも熱伝導率の
高い材料により構成されているので、発生した熱はゲー
ト電極１１３に接続されている図示しない配線を介して
放散されてしまう。よって、ゲート電極１１３に対応す
る領域は、他の領域に比べて熱処理量が少なくなってし
まう。

【０００９】これにより、図１４（Ｂ）に示したよう
に、ゲート電極１１３に対応する領域以外の領域におい
て良好な多結晶シリコン膜１１６が得られる条件でエキ
シマレーザビームＥを照射すると、ゲート電極１１３に
対応する領域１１６ｄにおいては、エネルギーの不足に
より微結晶となったり、または結晶化しなかったりする
ものと考えられる。逆に、ゲート電極１１３に対応する
領域において良好な多結晶シリコン膜が得られる条件で
エキシマレーザビームＥを照射すると、他の領域におい
ては、エネルギーの過剰により大結晶粒化したり、かえ
って結晶粒径が小さくなったり、またははじけてしまっ
たりするものと考えられる。

【００１０】すなわち、ゲート電極１１３に対応する領
域と他の領域とで均一な多結晶シリコン膜を得ることが
できず、結晶粒径に依存するオン電流およびシート抵抗
にばらつきが生じてしまい、ＴＦＴの特性がばらついて
しまっていた。そのため、このＴＦＴを液晶表示装置の
画素部に用いた場合、表示にむらが発生してしまい、液
晶表示装置の品質に悪影響を与える原因となってしまっ
ていた。

【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、高い均一性を有する半導体膜および
半導体素子ならびにそれらの製造方法およびそれに用い
るエネルギービーム照射装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体膜
は、光または電子波に対する反射率が異なる複数の領域
を有し、かつ領域による反射率の違いを調節する反射調
節膜が設けられた下地部の表面に形成されたものであ
る。

【００１３】本発明による他の半導体膜は、光または電
子波に対する反射率が異なる複数の領域を有する下地部
の表面に形成されると共に、複数の方向からエネルギー
ビームが照射されることにより形成されたものである。

【００１４】本発明による更に他の半導体膜は、光また
は電子波に対する吸収率が異なる複数の領域を有し、か
つこの複数の領域のうち吸収率の高い高吸収領域に対応
してこの高吸収領域よりも光または電子波に対する高い
反射率を有する反射膜が設けられた下地部の反射膜を間
に介して高吸収領域と反対側の表面に形成されたもので
ある。

【００１５】本発明による半導体素子は、光または電子
波に対する反射率が異なる複数の領域を有し、かつ領域
による反射率の違いを調節する反射調節膜が設けられた
下地部と、この下地部の表面に形成された半導体膜とを
備えたものである。

【００１６】本発明による他の半導体素子は、光または
電子波に対する反射率が異なる複数の領域を有する下地
部と、この下地部の表面に形成されると共に、複数の方
向からエネルギービームが照射されることにより形成さ
れた半導体膜とを備えたものである。

【００１７】本発明による更に他の半導体素子は、光ま
たは電子波に対する吸収率が異なる複数の領域を有し、
かつこの複数の領域のうち吸収率の高い高吸収領域に対
応してこの高吸収領域よりも光または電子波に対する高
い反射率を有する反射膜が設けられた下地部と、この下
地部の前記反射膜を間に介して前記高吸収領域と反対側
の表面に形成された半導体膜とを備えたものである。

【００１８】本発明による半導体膜の製造方法は、光ま
たは電子波に対する反射率が異なる複数の領域を有する
下地部の表面に半導体膜を形成するものであって、下地
部に領域による反射率の違いを調節する反射調節膜を設
け、エネルギービームを照射して半導体膜を形成するも
のである。

【００１９】本発明による他の半導体膜の製造方法は、
光または電子波に対する反射率が異なる複数の領域を有
する下地部の表面に半導体膜を形成するものであって、
複数の方向からエネルギービームを照射して半導体膜を
形成するものである。

【００２０】本発明による更に他の半導体膜の製造方法
は、光または電子波に対する吸収率が異なる複数の領域
を有する下地部の表面に半導体膜を形成するものであっ
て、吸収率の異なる複数の領域のうち吸収率の高い高吸
収領域に対応してこの高吸収領域よりも光または電子波
に対する高い反射率を有する反射膜を下地部に設け、エ
ネルギービームを照射して、反射膜を間に介して高吸収
領域と反対側に半導体膜を形成するものである。

【００２１】本発明による半導体素子の製造方法は、光
または電子波に対する反射率が異なる複数の領域を有す
る下地部の表面に半導体膜を形成して半導体素子を製造
するものであって、領域による反射率の違いを調節する
反射調節膜を下地部に設ける工程と、エネルギービーム
を照射して半導体膜を形成する工程とを含むものであ
る。

【００２２】本発明による他の半導体素子の製造方法
は、光または電子波に対する反射率が異なる複数の領域
を有する下地部の表面に半導体膜を形成して半導体素子
を製造するものであって、複数の方向からエネルギービ
ームを照射して半導体膜を形成するものである。

【００２３】本発明による更に他の半導体素子の製造方
法は、光または電子波に対する吸収率が異なる複数の領
域を有する下地部の表面に半導体膜を形成して半導体膜
を製造するものであって、吸収率の異なる複数の領域の
うち吸収率の高い高吸収領域に対応してこの高吸収領域
よりも光または電子波に対する高い反射率を有する反射
膜を下地部に設ける工程と、エネルギービームを照射
し、反射膜を間に介して高吸収領域と反対側に半導体膜
を形成する工程とを含むものである。

【００２４】本発明によるエネルギービーム照射装置
は、被処理体に対して対向する２方向からエネルギービ
ームを照射する照射部を備えたものである。

【００２５】本発明による半導体膜では、領域による反
射率の違いを調節する反射調節膜が設けられた下地部の
表面に形成されているので、下地部における反射率の違
いが調節されており、均一な膜が得られる。

【００２６】本発明による他の半導体膜では、複数の方
向からエネルギービームが照射されることにより形成さ
れたものであるので、下地部が反射率の異なる複数の領
域を有していても、均一な膜が得られる。

【００２７】本発明による更に他の半導体膜では、高吸
収領域に対応して反射膜が設けられた下地部の反射膜を
間に介して高吸収領域と反対側の表面に形成されている
ので、下地部における反射率の違いが調節されており、
均一な膜が得られる。

【００２８】本発明による半導体素子は、本発明の半導
体膜を備えたものである。

【００２９】本発明による半導体膜の製造方法では、下
地部に領域による反射率の違いを調節する反射調節膜が
設けられ、エネルギービームが照射される。

【００３０】本発明による他の半導体膜の製造方法で
は、複数の方向からエネルギービームが照射される。

【００３１】本発明による更に他の半導体膜の製造方法
では、高吸収領域に対応して反射膜が下地部に設けら
れ、エネルギービームが照射される。

【００３２】本発明による半導体素子の製造方法は、本
発明の半導体膜の製造方法を含むものである。

【００３３】本発明によるエネルギービーム照射装置で
は、被処理体に対して対向する２方向からエネルギービ
ームを照射する。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本実施の形態について図面
を参照して詳細に説明する。なお、本発明の半導体膜お
よびその製造方法は、本発明の半導体素子およびその製
造方法に含まれているので、以下の実施の形態において
は、半導体素子およびその製造方法の説明において合わ
せて説明する。また、本発明のエネルギービーム照射装
置は、本発明の半導体膜の製造および本発明の半導体素
子の製造に用いるものであるので、本発明の半導体素子
の製造方法において合わせて説明する。

【００３５】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る半導体素子であるＴＦＴの構成を
表すものである。このＴＦＴは、ガラス基板１１の一面
に、バッファ層１２を介してゲート電極１３および反射
調節膜１４が順次積層されると共に、この反射調節膜１
４およびバッファ層１２のガラス基板１１と反対側に、
絶縁膜１５および半導体膜１６が順次積層された構造を
有している。

【００３６】バッファ層１２は、例えば、厚さが１μｍ
であり、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ），窒化ケイ素（Ｓｉ
₃ Ｎ₄ ）あるいはケイ素と酸素と窒素との化合物（Ｓｉ
Ｏ_xＮ_y ；以下、酸化窒化ケイ素と言う）、またはそれ
らの複数を用いた積層膜により構成されている。

【００３７】ゲート電極１３は、例えば、厚さが１００
ｎｍであり、後述する製造方法において照射されるレー
ザビームに対する反射率がガラス基板１１および絶縁膜
１２に比べて高い導電性材料により構成されている。例
えば、モリブデン，アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔ
ｉ）およびタングステンなどからなる群のうちの１種、
またはこれらの少なくとも１種を含む合金あるいは化合
物により構成されている。なお、このゲート電極１３
は、図示しないが、基板１１の一面にバッファ層１２を
介して形成された配線に接続されている。

【００３８】反射調節膜１４は、例えば、後述する製造
方法において半導体膜１６の側からレーザビームが照射
された場合に、反射調節膜１４と絶縁膜１５との界面に
おいて反射する光と、反射調節膜１４とゲート電極１３
との界面において反射する光との干渉を利用して、ゲー
ト電極１３に対応する領域での反射光を低減させる干渉
膜である。この干渉膜は、例えば、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ），ケイ素と酸素との化合物（ＳｉＯ_x ），ケイ素と
窒素との化合物（ＳｉＮ_x ）あるいは水素（Ｈ）が添加
された酸化窒化ケイ素などにより構成される。また、そ
れらの複数を用いた積層膜とされていてもよい。干渉膜
の厚さは、例えば、構成材料および照射されるレーザビ
ームの波長に応じて、ゲート電極１３に対応する領域で
の反射光が低減するように調節される。具体的には、５
ｎｍから１００ｎｍの範囲内において選択される。

【００３９】絶縁膜１５は、例えば、厚さが１００ｎｍ
であり、二酸化ケイ素，窒化ケイ素あるいは酸化窒化ケ
イ素、またはそれらの複数を用いた積層膜により構成さ
れている。なお、この絶縁膜１５がいわゆるゲート絶縁
膜となる。

【００４０】半導体膜１６は、例えば、厚さが３０ｎｍ
であり、多結晶のシリコン（Ｓｉ）により構成されてい
る。また、この半導体膜１６は、ゲート電極１３に対応
した領域に電流の通路であるチャネル領域１６ａを有す
ると共に、このチャネル領域１６ａに互いに離間して接
続されたソース領域１６ｂとドレイン領域１６ｃとをそ
れぞれ有している。これらソース領域１６ｂおよびドレ
イン領域１６ｃは、例えば、リン（Ｐ）などのｎ型不純
物、またはボロン（Ｂ）などのｐ型不純物が添加さた不
純物領域となっている。

【００４１】すなわち、この半導体素子では、ガラス基
板１１，絶縁膜１２，ゲート電極１３，反射調節膜１４
および絶縁膜１５により下地部が構成され、そのうちゲ
ート電極１３が高い反射率を有する高反射領域に該当
し、ガラス基板１１および絶縁膜１２，１５が低い反射
率を有する低反射領域に該当している。また、反射調節
膜１４はゲート電極１３に対応して設けられ、半導体膜
１６は反射調節膜１４を間に介して高反射領域であるゲ
ート電極１３と反対側の下地部の表面に形成されてい
る。

【００４２】なお、この半導体膜１６のガラス基板１１
と反対側には、例えば、ゲート電極１３に対応して二酸
化ケイ素よりなる絶縁膜１７が設けられており、この絶
縁膜１７を介して全面に窒化ケイ素よりなる保護膜１８
が設けられている。半導体膜１６のガラス基板１１と反
対側には、また、ソース領域１６ｂに対応して保護膜１
８に形成された開口１８ａを介してソース電極１９ａが
設けられ、ドレイン領域１６ｃに対応して保護膜１８に
形成された開口１８ｂを介してドレイン電極１９ｂが設
けられている。ソース電極１９ａおよびドレイン電極１
９ｂは、例えば、アルミニウムなどの金属により構成さ
れている。

【００４３】このような構成を有するＴＦＴは、次のよ
うにして製造することができる。

【００４４】図２乃至図４はその製造方法を工程順に表
すものである。まず、例えば、図２（Ａ）に示したよう
に、ガラス基板１１の一面に、スパッタリング法により
バッファ層１２を形成する。次いで、このバッファ層１
２の上に、例えば、スパッタリング法により、ゲート電
極１３を形成するための電極層２１を後続の工程で照射
するレーザビームに対してガラス基板１１およびバッフ
ァ層１２よりも高い反射率を有する導電性材料を用いて
形成する。続いて、この電極層２１の上に、例えば、ス
パッタリング法により、反射調節膜１４を形成するため
の反射調節膜層２２を反射調節膜１４の説明において述
べた材料および厚さで形成する。

【００４５】反射調節膜層２２を形成したのち、例え
ば、図２（Ｂ）に示したように、リソグラフィ技術を用
い、ゲート電極１３の形成予定領域に対応させて反射調
節膜層２２および電極層２１を選択的に除去し、ゲート
電極２３および反射調節膜１４をそれぞれ形成する。

【００４６】ゲート電極２３および反射調節膜１４をそ
れぞれ形成したのち、例えば、図３（Ａ）に示したよう
に、反射調節膜１４および絶縁膜１２の上に、スパッタ
リング法により絶縁膜１５を形成する。そののち、例え
ば、この絶縁膜１５の上に、スパッタリング法により、
半導体膜１６を形成するための非晶質シリコンよりなる
半導体前駆体膜２３を半導体膜１６の説明において述べ
た厚さで形成する。

【００４７】半導体前駆体膜２３を形成したのち、例え
ば、図３（Ｂ）に示したように、半導体前駆体膜２３に
おける吸収率の高い波長のレーザビームＥを半導体前駆
体膜２３の側から照射する。具体的には、エキシマレー
ザビームを用い、その波長にはＸｅＣｌの３０８ｎｍ，
ＫｒＦの２４８ｎｍあるいはＡｒＦの１９３ｎｍなどを
用いる。これにより、半導体前駆体膜２３が加熱され、
溶融結晶化し、多結晶シリコンよりなる半導体膜１６が
形成される。

【００４８】なお、ここでは、ゲート電極１３と半導体
前駆体膜２３との間に反射調節膜１４が形成されている
ので、半導体前駆体膜２３のうち高反射領域であるゲー
ト電極１３に対応する領域では、半導体前駆体膜２３の
側から照射されたレーザビームＥが、半導体前駆体膜２
３を通過したのち、反射調節膜１４と絶縁膜１５との界
面および反射調節膜１４とゲート電極１３との界面にお
いてそれぞれ反射し、干渉により反射光が弱められる。
また、半導体前駆体膜２３のうちゲート電極１３と対応
しない領域では、レーザビームＥが半導体前駆体膜２３
を通過したのちほとんど絶縁膜１２およびガラス基板１
１を透過してしまい、反射光は少ない。すなわち、ゲー
ト電極１３に対応する領域と他の領域との反射率の違い
が反射調節膜１４により調節され、半導体前駆体膜２３
に与えられるエネルギー量が均一となっている。よっ
て、ここでは、均一な多結晶よりなる半導体膜１６が形
成される。

【００４９】半導体膜１６を形成したのち、例えば、図
４に示したように、半導体膜１６の上に、スパッタリン
グ法により二酸化ケイ素膜を形成したのち、その上にフ
ォトレジスト膜２４を塗布形成し、このフォトレジスト
膜２４に対してガラス基板１１の側からｇ線（波長４３
６ｎｍ）による露光（裏面露光）を行う。このとき、ゲ
ート電極１３がマスクとなり、ゲート電極１３と同じ幅
のフォトレジスト膜２４が自己整合的に形成される。次
いで、このフォトレジスト膜２４をマスクとしてエッチ
ングにより二酸化ケイ素膜を選択的に除去し、ゲート電
極１３に対応させて絶縁膜１７を形成する。

【００５０】そののち、例えば、フォトレジスト膜２４
をマスクとして、ＰＨ₃ （ホスフィン）あるいはジボラ
ン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）などのプラズマを用いたプラズマドーピ
ングＤにより、またはイオンドーピングＤにより不純物
を半導体膜１６に選択的に導入する。これにより、ソー
ス領域１６ｂおよびドレイン領域１６ｃがそれぞれ形成
されると共に、それらの間にチャネル領域１６ａが形成
される。

【００５１】半導体膜１６に不純物を導入したのち、例
えば、フォトレジスト膜２４を除去し、半導体膜１６お
よび絶縁膜１７の上に保護膜１８を形成する。そのの
ち、ソース領域１６ｂおよびドレイン領域１６ｃにそれ
ぞれ対応させて、保護膜１８に開口１８ａ，１８ｂをそ
れぞれ形成すると共に、ソース電極１９ａおよびドレイ
ン電極１９ｂをそれぞれ選択的に形成する。これによ
り、図１に示したＴＦＴが形成される。

【００５２】なお、ここでは、半導体前駆体膜２３にレ
ーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成したのち、
二酸化ケイ素膜を形成して絶縁膜１７を形成し、不純物
の導入を行うようにしたが、半導体前駆体膜２３の上に
二酸化ケイ素膜を形成してから二酸化ケイ素膜を介して
レーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成するよう
にしてもよく、不純物の導入を行ってからレーザビーム
Ｅを照射して半導体膜１６を形成するようにしてもよ
い。また、保護膜１８を形成してからレーザビームＥを
照射して半導体膜１６を形成するようにしてもよい。

【００５３】このＴＦＴは次のように動作し、作用す
る。

【００５４】このＴＦＴでは、ゲート電極１３に電圧が
印加されると、チャネル領域１６ａを流れる電流が変調
される。ここでは、ゲート電極１３と半導体膜１６との
間に干渉膜よりなる反射調節膜１４が設けられているの
で、レーザビームＥを照射して半導体膜１６を形成する
際のエネルギー量がチャネル領域１６ａ，ソース領域１
６ｂおよびドレイン領域１６ｃで均一となり、均一で良
好な半導体膜１６が形成されている。よって、オン電流
およびシート抵抗のばらつきが低減され、良好な特性が
得られる。

【００５５】このように、本実施の形態によれば、ゲー
ト電極１３と半導体膜１６との間に干渉膜よりなる反射
調節膜１４を設けるようにしたので、レーザビームＥを
照射して半導体膜１６を形成する際に、ゲート電極１３
に対応する領域におけるレーザビームＥの反射量を干渉
の利用により少なくすることができる。よって、半導体
膜１６に与えられるエネルギー量をチャネル領域１６
ａ，ソース領域１６ｂおよびドレイン領域１６ｃで均一
とすることができ、均一で良好な半導体膜１６を形成す
ることができる。従って、オン電流およびシート抵抗の
ばらつきが低減され、良好な特性を得ることができる。

【００５６】（第２の実施の形態）本実施の形態に係る
ＴＦＴは、反射調節膜１４の構成が異なることを除き、
第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、
ここでは、図１乃至図４を参照しつつ、対応する構成要
素には同一の符号を付し、同一部分についての詳細な説
明を省略する。

【００５７】本実施の形態における反射調節膜１４は、
例えば、製造工程において照射されるレーザビームＥに
対する吸収率がゲート電極１３よりも高い材料よりなる
吸収膜であり、レーザビームＥを吸収することにより高
反射領域であるゲート電極１３に対応する領域における
反射光を低減させ、ゲート電極１３に対応する領域と他
の領域との反射量を同等とするようになっている。この
吸収膜は、例えば、クロム，鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃ
ｏ）およびタンタルなどからなる群のうちの１種、また
はこれらの少なくとも１種を含む合金あるいは化合物に
より構成されている。この吸収膜の厚さは、ゲート電極
１３に対応する領域と他の領域との反射量が同じくなる
ような厚さに調節される。

【００５８】このような構成を有するＴＦＴは、例え
ば、半導体膜１６を形成する際に、半導体前駆体膜２３
の側から照射されたレーザビームＥが半導体前駆体膜２
３を通過したのち反射調節膜１４により一部が吸収さ
れ、高反射領域であるゲート電極１３に対応する領域に
おける反射率が調節されることを除き、第１の実施の形
態と同様にして製造することができる。また、第１の実
施の形態と同様に作用し、同様の効果を得ることができ
る。

【００５９】（第３の実施の形態）本実施の形態に係る
ＴＦＴは、ゲート電極１３を構成する材料が異なり、か
つ反射調節膜１４の構成が異なることを除き、第１の実
施の形態と同一の構成を有している。よって、ここで
は、図１乃至図４を参照しつつ、対応する構成要素には
同一の符号を付し、同一部分についての詳細な説明を省
略する。

【００６０】本実施の形態におけるゲート電極１３は、
例えば、製造方法において照射されるレーザビームＥに
対する吸収率がガラス基板１１および絶縁膜１２に比べ
て高い導電性材料により構成されている。例えば、クロ
ム，鉄，コバルトおよびタンタルなどからなる群のうち
の１種、またはこれらの少なくとも１種を含む合金ある
いは化合物により構成されている。すなわち、ここで
は、ゲート電極１３が吸収率の高い高吸収領域に該当
し、他の領域が低吸収領域に該当している。

【００６１】反射調節膜１４は、例えば、製造工程にお
いて照射されるレーザビームＥに対する反射率がゲート
電極１３よりも高い材料よりなる反射膜であり、レーザ
ビームＥを反射することにより高吸収領域であるゲート
電極１３に対応する領域における反射光を増加させ、ゲ
ート電極１３に対応する領域と他の領域との反射量を同
等とするようになっている。この反射膜は、例えば、モ
リブデン，アルミニウム，チタンおよびタングステンな
どからなる群のうちの１種、またはこれらの少なくとも
１種を含む合金あるいは化合物により構成されている。
この反射膜の厚さは、高吸収領域であるゲート電極１３
に対応する領域と他の領域との反射量が同じくなるよう
な厚さに調節される。例えば、ここでは、ガラス基板１
１および絶縁膜１２における反射量が少ないので、反射
膜の厚さをレーザビームＥの波長の１／２以下とし、反
射膜での反射量は少なくすることが好ましい。

【００６２】このような構成を有するＴＦＴは、例え
ば、半導体膜１６を形成する際に、半導体前駆体膜２３
の側から照射されたレーザビームＥが半導体前駆体膜２
３を通過したのち反射調節膜１４により一部が反射さ
れ、高吸収領域であるゲート電極１３に対応する領域に
おける反射率が調節されることを除き、第１の実施の形
態と同様にして製造することができる。また、第１の実
施の形態と同様に作用し、同様の効果を得ることができ
る。

【００６３】（第４の実施の形態）図５は、本発明の第
４の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表すものである。
このＴＦＴは、第１の実施の形態における反射調節膜１
４に代えて、他の反射調節膜３４が設けられたことを除
き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。よっ
て、ここでは、同一の構成要素には同一の符号を付し、
その詳細な説明を省略する。

【００６４】反射調節膜３４は、ガラス基板１１の半導
体膜１６と反対側に設けられており、製造工程において
照射されるレーザビームＥに対する反射率がガラス基板
１１および絶縁膜１２に比べて高い材料により構成され
ている。すなわち、この反射調節膜３４は、ガラス基板
１１および絶縁膜１２，１５を通過してきたレーザビー
ムＥを反射することにより、高反射領域であるゲート電
極１３が形成されていない部分に対応する領域の反射光
を増加させ、ゲート電極１３に対応する領域における反
射量を同等とするためのものである。よって、この反射
調節膜３４は、ゲート電極１３と同等の反射率を有する
材料により構成することが好ましい。ここでは、例え
ば、白金（Ｐｔ）または銀（Ａｇ）により構成されてい
る。また、この反射調節膜３４は、少なくとも低反射領
域に対応して設けられていればよい。なお、ここではガ
ラス基板１１の半導体膜１６と反対側の全面に対して設
けられている。

【００６５】このような構成を有するＴＦＴは、例え
ば、次のようにして製造することができる。

【００６６】図６および図７はその製造方法を工程順に
表すものである。まず、例えば、図６（Ａ）に示したよ
うに、ガラス基板１１の一面と対向する他面に、反射調
節膜３４を蒸着する。次いで、例えば、図６（Ｂ）に示
したように、ガラス基板１１の一面に、第１の実施の形
態と同様にして、バッファ層１２，ゲート電極１３，絶
縁膜１５および半導体前駆体膜２３を順次積層して形成
する。

【００６７】続いて、例えば、図７に示したように、第
１の実施の形態と同様にして、半導体前駆体膜２３の側
からレーザビームＥを照射し、半導体膜１６を形成す
る。なお、ここでは、ガラス基板１１の半導体前駆体膜
２３と反対側に反射調節膜３４が形成されているので、
高反射領域であるゲート電極１３が形成されていない部
分に対応する領域では、半導体前駆体膜２３の側から照
射されたレーザビームＥが、半導体前駆体膜２３，絶縁
膜１２，１５およびガラス基板１１を通過したのち、反
射調節膜３４により反射され、再び半導体前駆体膜２３
に照射される。また、ゲート電極１３に対応する領域に
おいても、半導体前駆体膜２３の側から照射されたレー
ザビームＥが、半導体前駆体膜２３を通過したのち、ゲ
ート電極１３により反射され、再び半導体前駆体膜２３
に照射される。

【００６８】よって、反射調節膜３４により高反射領域
であるゲート電極１３に対応する領域と他の領域との反
射率の違いが調節され、半導体前駆体膜２３に与えられ
るエネルギー量が均一となっている。また、半導体前駆
体膜２３にはレーザビームＥの直接の照射光と反射光と
がそれぞれ照射されることになるので、照射するレーザ
ビームＥのエネルギー量（レーザ強度×照射時間）は第
１の実施の形態の約１／２で足りることになる。

【００６９】半導体膜１６を形成したのち、例えば、第
１の実施の形態と同様にして、絶縁膜１７，チャネル領
域１６ａ，ソース領域１６ｂ，ドレイン領域１６ｃ，保
護膜１８，ソース電極１９ａおよびドレイン電極１９ｂ
をそれぞれ形成する。これにより、図５に示したＴＦＴ
が形成される。なお、そののち、反射防止膜３４を必要
に応じて削除してもよい。

【００７０】また、このＴＦＴは、反射調節膜３４によ
り絶縁膜１２のうちゲート電極１３が形成されていない
部分に対応する低反射領域の反射率が調節されることを
除き、第１の実施の形態と同様に作用する。

【００７１】このように、本実施の形態によれば、ガラ
ス基板１１の半導体膜１６と反対側に反射膜よりなる反
射調節膜３４を設けるようにしたので、高反射領域であ
るゲート電極１３が形成されていない部分に対応する領
域の反射量を増加させることができ、第１の実施の形態
と同様の効果を得ることができる。また、レーザビーム
Ｅの直接の照射光と反射光とを利用することができるの
で、照射するレーザビームＥのエネルギー量を少なくす
ることができる。更に、反射調節膜３４をガラス基板１
１の他面に設けるだけでよいので、第１の実施の形態に
比べて簡単に製造することができる。

【００７２】（第５の実施の形態）図８は、本発明の第
５の実施の形態に係るＴＦＴの構成を表すものである。
このＴＦＴは、第１の実施の形態における反射調節膜１
４が削除され、半導体膜１６の構成が異なることを除
き、第１の実施の形態と同一の構成を有している。よっ
て、ここでは、対応する構成要素には同一の符号を付
し、同一部分についての詳細な説明を省略する。

【００７３】この半導体膜１６は、レーザビームがガラ
ス基板１１の側とその反対側との対向する２方向から照
射されることにより形成されたものであることを除き、
第１の実施の形態と同一の構成を有している。

【００７４】このような構成を有するＴＦＴは、例え
ば、次のようにして製造することができる。

【００７５】図９は、このＴＦＴの製造に用いるエネル
ギービーム照射装置の構成を表すものである。このエネ
ルギービーム照射装置は、２つのレーザ発振器４１，４
２と、このレーザ発振器４１，４２からそれぞれ発振さ
れたレーザビームを被処理体Ｍに対して照射する処理部
５０とを備えている。この処理部５０の内部には、被処
理体Ｍを支持すると共に、被処理体Ｍを移動させて処理
部５０への挿入および取り出しを行う支持部５１が設け
られている。また、処理部５０の外部には、処理部５０
の内部に挿入する被処理体Ｍおよび処理部５０の内部か
ら取り出した被処理体Ｍを搬送する搬送ローラ５２が設
けられている。

【００７６】更に、この処理部５０には、レーザ発振器
４１，４２からそれぞれ発振されたレーザビームを被処
理体Ｍに照射する照射部５３，５４が対向する位置に配
設されている。なお、レーザ発振器４１，４２からそれ
ぞれ発振されたレーザビームは、反射板４３，４４など
の光学経路を介して照射部５３，５４に導かれるように
なっている。

【００７７】本実施例では、まず、例えば、図１０に示
したように、第１の実施の形態と同様にして、ガラス基
板１１の一面にバッファ層１２，ゲート電極１３，絶縁
膜１５および半導体前駆体膜２３を順次積層して形成す
る。次いで、例えば、図９に示したエネルギービーム照
射装置を用い、図１１に示したように、半導体前駆体膜
２３の側およびガラス基板１１の側の対向する２方向か
らレーザビームＥを同時に照射して半導体膜１６を形成
する。

【００７８】ここにおいて、半導体前駆体膜２３の側か
ら照射されたレーザビームＥ₁ は、高反射領域であるゲ
ート電極１３に対応する領域では、半導体前駆体膜２３
を通過したのちゲート電極１３により反射され、再び半
導体前駆体膜２３に照射される。また、ゲート電極１３
が形成されていない部分に対応する領域では、半導体前
駆体膜２３を通過したのちほとんどが絶縁膜１２および
ガラス基板１１を通過する。一方、ガラス基板１１の側
から照射されたレーザビームＥ₂ は、ゲート電極１３に
対応する領域では、ガラス基板１１を通過したのちゲー
ト電極１３により反射され、半導体前駆体膜２３には照
射されない。また、他の領域では、ガラス基板１１およ
び絶縁膜１２を通過したのち、半導体前駆体膜２３に照
射される。すなわち、半導体前駆体膜２３に与えられる
エネルギー量が均一となっている。

【００７９】なお、ここでは、半導体前駆体膜２３の側
から照射されるレーザビームＥ₁ は、ゲート電極１３に
おいて反射して再び半導体前駆体膜２３に照射されるの
で、そのエネルギー量は第１の実施の形態の約１／２で
足りることになる。また、ガラス基板１１の側から照射
するレーザビームＥ₂ のエネルギー量は、ガラス基板１
１における散乱を考慮し、半導体前駆体膜２３の側から
照射するレーザビームＥ₁ よりも若干強くする方が好ま
しい。

【００８０】続いて、例えば、第１の実施の形態と同様
にして、絶縁膜１７，チャネル領域１６ａ，ソース領域
１６ｂ，ドレイン領域１６ｃ，保護膜１８，ソース電極
１９ａおよびドレイン電極１９ｂをそれぞれ形成する。
これにより、図５に示したＴＦＴが形成される。

【００８１】なお、ここでは、図９に示したエネルギー
ビーム照射装置を用いてレーザビームＥ₁ ，Ｅ₂ を照射
するようにしたが、他の装置を用いて照射するようにし
てもよい。例えば、１台のレーザ発振器を用い、半導体
前駆体膜２３の側およびガラス基板１１の側のうちの一
方からエネルギービームを照射したのち、他の一方から
エネルギービームを照射するようにしてもよい。また、
２台のレーザ発振器を工程の前後で並べて配置し、半導
体前駆体膜２３の側およびガラス基板１１の側のうちの
一方からエネルギービームを照射したのち、他の一方か
らエネルギービームを照射するようにしてもよい。

【００８２】このように、本実施の形態によれば、半導
体前駆体膜２３の側とガラス基板１１の側との対向する
２方向からレーザビームＥ₁ ，Ｅ₂ を照射するようにし
たので、第１の実施の形態と同様の効果を得ることがで
きる。また、新たな工程を設ける必要がなく簡単に製造
することができると共に、レーザビームの照射時間を短
くでき、製造時間を短縮することができる。

【００８３】また、本実施の形態に係るエネルギービー
ム照射装置によれば、対向する２方向からレーザビーム
を照射する照射部５３，５４を設けるようにしたので、
容易に本実施の形態に係るＴＦＴを製造することができ
ると共に、製造時間を短縮することができる。

【００８４】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態にお
いては、半導体膜１６をシリコンにより構成する場合に
ついて説明したが、本発明は、半導体膜をゲルマニウム
（Ｇｅ），シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）あるいは
化合物半導体などの他の半導体により構成することもで
きる。

【００８５】また、上記実施の形態では、レーザビーム
としてエキシマレーザを照射する場合について説明した
が、本発明は、光を照射して半導体膜を形成する場合に
広く適用される。更に、光のみでなく、電子波に対する
反射率あるいは吸収率が異なる領域を有する下地部の表
面に半導体膜を形成する場合において、電子波を照射し
て半導体膜を形成する場合についても適用される。すな
わち、本発明の製造方法およびエネルギービーム照射装
置は、電子ビームなどの他のエネルギービームを用いる
場合にも適用される。その際、エネルギービーム照射装
置は、レーザ発振器４１，４２に代えて、電子ビーム発
振器などのエネルギービーム発振器を備える。

【００８６】加えて、上記実施の形態においては、ガラ
ス基板１１を用いる場合について説明したが、石英ガラ
スあるいはプラスチックなどの他の材料よりなる基板を
用いるようにしてもよく、半導体膜が表面に形成される
下地部に光または電子波の反射率または吸収率が異なる
複数の領域が存在すれば、本発明による効果を得ること
ができる。

【００８７】更にまた、上記実施の形態においては、半
導体素子としてＴＦＴを説明したが、本発明は、光また
は電子波の反射率または吸収率が異なる複数の領域が存
在する下地部の表面に半導体膜が形成された他の半導体
素子についても広く適用される。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように請求項１乃至請求項
５のいずれか１に記載の半導体膜によれば、または請求
項８乃至請求項１３のいずれか１に記載の半導体素子に
よれば、または請求項１８乃至請求項２２のいずれか１
に記載の半導体膜の製造方法によれば、または請求項２
５乃至請求項３１のいずれか１に記載の半導体素子の製
造方法によれば、領域による反射率の違いを調節する反
射調節膜を設けるようにしたので、例えば、エネルギー
ビームを照射して半導体膜を形成する際に、下地部の領
域による反射率の違いを調節することができ、半導体膜
に与えられるエネルギー量を均一とすることができる。
よって、均一で良好な半導体膜を得ることができると共
に、特性にばらつきの少ない良好な半導体素子を得るこ
とができるという効果を奏する。

【００８９】特に、請求項５記載の半導体膜によれば、
または請求項１２記載の半導体素子によれば、または請
求項２２記載の半導体膜の製造方法によれば、または請
求項２９記載の半導体素子の製造方法によれば、反射調
節膜を低反射領域に少なくとも対応して複数の領域を介
し半導体膜と反対側に設けるようにしたので、例えば、
エネルギービームを照射して半導体膜を形成する際に、
照射するエネルギー量を少なくすることができると共
に、簡単に製造することができるという効果を奏する。

【００９０】また、請求項６記載の半導体膜によれば、
または請求項１４あるいは請求項１５記載の半導体素子
によれば、または請求項２３記載の半導体膜の製造方法
によれば、または請求項３２あるいは請求項３３記載の
半導体素子の製造方法によれば、複数の方向からエネル
ギービームを照射して形成するようにしたので、例え
ば、エネルギービームを照射して半導体膜を形成する際
に、下地部に反射率が異なる複数の領域が存在していて
も、半導体膜に与えられるエネルギー量を均一とするこ
とができる。よって、均一で良好な半導体膜を得ること
ができると共に、特性にばらつきの少ない良好な半導体
素子を得ることができるという効果を奏する。また、簡
単に短い時間で製造することができるという効果も奏す
る。

【００９１】更に、請求項７記載の半導体膜によれば、
または請求項１６あるいは請求項１７記載の半導体素子
によれば、または請求項２４記載の半導体膜の製造方法
によれば、または請求項３４あるいは請求項３５記載の
半導体素子の製造方法によれば、反射膜を高吸収領域に
対応して高吸収膜と半導体膜との間に設けるようにした
ので、例えば、エネルギービームを照射して半導体膜を
形成する際に、下地部の領域による反射率の違いを調節
することができ、半導体膜に与えられるエネルギー量を
均一とすることができる。よって、均一で良好な半導体
膜を得ることができると共に、特性にばらつきの少ない
良好な半導体素子を得ることができるという効果を奏す
る。

【００９２】加えて、請求項３６記載のエネルギービー
ム照射装置によれば、対向する２方向からエネルギービ
ームを照射するようにしたので、本発明の半導体膜およ
び半導体素子を容易に製造することができると共に、製
造時間を短縮することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴの構成
を表す断面図である。

【図２】図１に示したＴＦＴの製造工程を表す断面図で
ある。

【図３】図２に続く製造工程を表す断面図である。

【図４】図３に続く製造工程を表す断面図である。

【図５】本発明の第４の実施の形態に係るＴＦＴの構成
を表す断面図である。

【図６】図５に示したＴＦＴの製造工程を表す断面図で
ある。

【図７】図６に続く製造工程を表す断面図である。

【図８】本発明の第５の実施の形態に係るＴＦＴの構成
を表す断面図である。

【図９】図８に示したＴＦＴを製造する際に用いるエネ
ルギービーム照射装置を表す構成図である。

【図１０】図８に示したＴＦＴの製造工程を表す断面図
である。

【図１１】図１０に続く製造工程を表す断面図である。

【図１２】従来のＴＦＴを表す断面図である。

【図１３】従来のＴＦＴにおける問題点を説明するため
の断面図である。

【図１４】従来のＴＦＴにおける問題点を説明するため
の断面図である。

【符号の説明】

１１，１１１…ガラス基板、１２…バッファ層、１３，
１１３…ゲート電極、１４，３４…反射調節膜、１５，
１７，１１５…絶縁膜、１６…半導体膜、１６ａ，１１
６ａ…チャネル領域、１６ｂ，１１６ｂ…ソース領域、
１６ｃ，１１６ｃ…ドレイン領域、１８…保護膜、１９
ａ…ソース電極、１９ｂ…ドレイン電極、２１…電極
層、２２…反射調節膜層、２３…半導体前駆体膜、２４
…フォトレジスト膜、４１，４２…レーザ発振器、４
３，４４…反射板、５０…処理部、５１…支持部、５２
…搬送ローラ、５３，５４…照射部、１１６…多結晶シ
リコン膜、１２３…非晶質シリコン膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F052 AA02 BA15 BA18 BB07 CA07 DA02 DB07 EA02 EA13 JA02 5F110 AA01 BB01 CC08 DD02 DD13 DD14 DD15 DD19 DD24 EE03 EE04 EE23 EE44 EE50 FF02 FF03 FF04 FF28 GG02 GG13 GG25 GG43 HJ01 HJ13 NN02 NN12 NN23 NN24 NN34 NN43 NN46 NN47 NN54 PP04 PP07 PP11

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光または電子波に対する反射率が異なる
   複数の領域を有し、かつ領域による反射率の違いを調節
   する反射調節膜が設けられた下地部の表面に形成された
   ことを特徴とする半導体膜。
2. 【請求項２】 前記複数の領域のうち反射率の高い高反
   射領域に対応して前記反射調節膜が設けられ、この反射
   調節膜を間に介して前記高反射領域と反対側に形成され
   たことを特徴とする請求項１記載の半導体膜。
3. 【請求項３】 前記反射調節膜は干渉を利用して反射率
   を調節する干渉膜であることを特徴とする請求項２記載
   の半導体膜。
4. 【請求項４】 前記反射調節膜は前記高反射領域よりも
   光または電子波に対する高い吸収率を有する吸収膜であ
   ることを特徴とする請求項２記載の半導体膜。
5. 【請求項５】 前記複数の領域のうち反射率の低い低反
   射領域に少なくとも対応して前記反射調節膜が設けら
   れ、前記複数の領域を間に介して前記反射調節膜と反対
   側に形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体
   膜。
6. 【請求項６】 光または電子波に対する反射率が異なる
   複数の領域を有する下地部の表面に形成されると共に、
   対向する２方向からエネルギービームが照射されること
   により形成されたことを特徴とする半導体膜。
7. 【請求項７】 光または電子波に対する吸収率が異なる
   複数の領域を有し、かつこの複数の領域のうち吸収率の
   高い高吸収領域に対応してこの高吸収領域よりも光また
   は電子波に対する高い反射率を有する反射膜が設けられ
   た下地部の前記反射膜を間に介して前記高吸収領域と反
   対側の表面に形成されたことを特徴とする半導体膜。
8. 【請求項８】 光または電子波に対する反射率が異なる
   複数の領域を有し、かつ領域による反射率の違いを調節
   する反射調節膜が設けられた下地部と、 この下地部の表面に形成された半導体膜とを備えたこと
   を特徴とする半導体素子。
9. 【請求項９】 前記反射調節膜は、前記複数の領域のう
   ち反射率の高い高反射領域に対応してこの高反射領域と
   前記半導体膜との間に設けられたことを特徴とする請求
   項８記載の半導体素子。
10. 【請求項１０】 前記反射調節膜は干渉を利用して反射
    率を調節する干渉膜であることを特徴とする請求項９記
    載の半導体素子。
11. 【請求項１１】 前記反射調節膜は前記高反射領域より
    も光または電子波に対する高い吸収率を有する吸収膜で
    あることを特徴とする請求項９記載の半導体素子。
12. 【請求項１２】 前記反射調節膜は、前記複数の領域の
    うち反射率の低い低反射領域に少なくとも対応して前記
    複数の領域を間に介して前記半導体膜と反対側に形成さ
    れたことを特徴とする請求項８記載の半導体素子。
13. 【請求項１３】 前記下地部は前記複数の領域のうち反
    射率の高い高反射領域として電極を含むことを特徴とす
    る請求項８記載の半導体素子。
14. 【請求項１４】 光または電子波に対する反射率が異な
    る複数の領域を有する下地部と、 この下地部の表面に形成されると共に、対向する２方向
    からエネルギービームが照射されることにより形成され
    た半導体膜とを備えたことを特徴とする半導体素子。
15. 【請求項１５】 前記下地部は前記複数の領域のうち反
    射率の高い高反射領域として電極を含むことを特徴とす
    る請求項１４記載の半導体素子。
16. 【請求項１６】 光または電子波に対する吸収率が異な
    る複数の領域を有し、かつこの複数の領域のうち吸収率
    の高い高吸収領域に対応してこの高吸収領域よりも光ま
    たは電子波に対する高い反射率を有する反射膜が設けら
    れた下地部と、 この下地部の前記反射膜を間に介して前記高吸収領域と
    反対側の表面に形成された半導体膜とを備えたことを特
    徴とする半導体素子。
17. 【請求項１７】 前記下地部は前記複数の領域のうち反
    射率の高い高反射領域として電極を含むことを特徴とす
    る請求項１６記載の半導体素子。
18. 【請求項１８】 光または電子波に対する反射率が異な
    る複数の領域を有する下地部の表面に半導体膜を形成す
    る半導体膜の製造方法であって、 下地部に領域による反射率の違いを調節する反射調節膜
    を設け、エネルギービームを照射して半導体膜を形成す
    ることを特徴とする半導体膜の製造方法。
19. 【請求項１９】 反射調節膜を反射率の異なる複数の領
    域のうち反射率の高い高反射領域に対応して設け、この
    反射調節膜を間に介して高反射領域と反対側に半導体膜
    を形成することを特徴とする請求項１８記載の半導体膜
    の製造方法。
20. 【請求項２０】 干渉を利用して反射率を調節する干渉
    膜により反射調節膜を形成することを特徴とする請求項
    １９記載の半導体膜の製造方法。
21. 【請求項２１】 高反射領域よりも光または電子波に対
    する高い吸収率を有する吸収膜により反射調節膜を形成
    することを特徴とする請求項１９記載の半導体膜の製造
    方法。
22. 【請求項２２】 反射調節膜を反射率の異なる複数の領
    域のうち反射率の低い低反射領域に少なくとも対応して
    設け、反射率の異なる複数の領域を間に介して反射調節
    膜と反対側に半導体膜を形成することを特徴とする請求
    項１８記載の半導体膜の製造方法。
23. 【請求項２３】 光または電子波に対する反射率が異な
    る複数の領域を有する下地部の表面に半導体膜を形成す
    る半導体膜の製造方法であって、 対向する２方向からエネルギービームを照射して半導体
    膜を形成することを特徴とする半導体膜の製造方法。
24. 【請求項２４】 光または電子波に対する吸収率が異な
    る複数の領域を有する下地部の表面に半導体膜を形成す
    る半導体膜の製造方法であって、 吸収率の異なる複数の領域のうち吸収率の高い高吸収領
    域に対応してこの高吸収領域よりも光または電子波に対
    する高い反射率を有する反射膜を下地部に設け、エネル
    ギービームを照射して、前記反射膜を間に介して前記高
    吸収領域と反対側に半導体膜を形成することを特徴とす
    る半導体膜の製造方法。
25. 【請求項２５】 光または電子波に対する反射率が異な
    る複数の領域を有する下地部の表面に半導体膜を形成し
    て半導体素子を製造する方法であって、 領域による反射率の違いを調節する反射調節膜を下地部
    に設ける工程と、 エネルギービームを照射して半導体膜を形成する工程と
    を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
26. 【請求項２６】 反射調節膜を反射率の異なる複数の領
    域のうち反射率の高い高反射領域に対応してこの高反射
    領域と半導体膜との間に設けることを特徴とする請求項
    ２５記載の半導体素子の製造方法。
27. 【請求項２７】 干渉を利用して反射率を調節する干渉
    膜により反射調節膜を形成することを特徴とする請求項
    ２６記載の半導体素子の製造方法。
28. 【請求項２８】 高反射領域よりも光または電子波に対
    する高い吸収率を有する吸収膜により反射調節膜を形成
    することを特徴とする請求項２６記載の半導体素子の製
    造方法。
29. 【請求項２９】 反射調節膜を反射率の異なる複数の領
    域のうち反射率の低い低反射領域に少なくとも対応して
    複数の領域を間に介して半導体膜と反対側に設けること
    を特徴とする請求項２５記載の半導体素子の製造方法。
30. 【請求項３０】 半導体膜を形成したのち、反射調節膜
    を除去することを特徴とする請求項２９記載の半導体素
    子の製造方法。
31. 【請求項３１】 反射率の異なる複数の領域のうち反射
    率の高い高反射領域として電極を形成することを特徴と
    する請求項２５記載の半導体素子の製造方法。
32. 【請求項３２】 光または電子波に対する反射率が異な
    る複数の領域を有する下地部の表面に半導体膜を形成し
    て半導体素子を製造する方法であって、 対向する２方向からエネルギービームを照射して半導体
    膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
33. 【請求項３３】 反射率の異なる複数の領域のうち反射
    率の高い高反射領域として電極を形成することを特徴と
    する請求項３２記載の半導体素子の製造方法。
34. 【請求項３４】 光または電子波に対する吸収率が異な
    る複数の領域を有する下地部の表面に半導体膜を形成し
    て半導体膜を製造する方法であって、 吸収率の異なる複数の領域のうち吸収率の高い高吸収領
    域に対応してこの高吸収領域よりも光または電子波に対
    する高い反射率を有する反射膜を下地部に設ける工程
    と、 エネルギービームを照射し、反射膜を間に介して高吸収
    領域と反対側に半導体膜を形成する工程とを含むことを
    特徴とする半導体素子の製造方法。
35. 【請求項３５】 反射率の異なる複数の領域のうち反射
    率の高い高反射領域として電極を形成することを特徴と
    する請求項３４記載の半導体素子の製造方法。
36. 【請求項３６】 被処理体に対して対向する２方向から
    エネルギービームを照射する照射部を備えたことを特徴
    とするエネルギービーム照射装置。