WO2020196137A1 - デバイス基板およびその製造方法 - Google Patents

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film
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light
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映保 楊
佐々木　伸夫
義大 塩飽
後藤　順
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株式会社ブイ・テクノロジー
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Definitions

  • the present invention relates to a device substrate and a method for manufacturing the same.
  • TFTs Thin Film Transistors
  • FPDs flat-panel displays
  • Amorphous silicon a-Si: amorphous Silicon
  • polycrystalline silicon p-Si: polysilicon Silicon
  • TFT the material of the semiconductor layer of the thin film transistor
  • Amorphous silicon has low mobility ( ⁇ ), which is an index of electron mobility. For this reason, amorphous silicon cannot meet the high mobility required for FPDs, which are becoming more dense and fine. Therefore, as the switching element in the FPD, it is preferable to form the channel semiconductor layer with polycrystalline silicon having a significantly higher mobility than amorphous silicon.
  • an excimer laser annealing (ELA: Excimer Laser Annealing) device using an excimer laser is used to irradiate the amorphous silicon film with pulsed laser light to recrystallize the amorphous silicon.
  • ELA Excimer Laser Annealing
  • a gas barrier layer (SiN) is provided between the amorphous silicon film and the plastic substrate, and a thermal buffer layer is provided between the gas barrier layer and the amorphous silicon film.
  • SiN gas barrier layer
  • a thermal buffer layer is provided between the gas barrier layer and the amorphous silicon film.
  • the conventional method for forming a semiconductor thin film has problems such as the destruction of the plastic substrate itself and the destruction of the interface between the plastic substrate and the gas barrier layer.
  • the plastic substrate itself is destroyed, there is a problem that the plastic substrate is peeled off due to the generation of gas or the explosion of gas due to the reaction in the plastic substrate. Further, there is a problem that the plastic substrate is peeled off even when the interface between the plastic substrate and the gas barrier layer is broken.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a device substrate in which the substrate main body of the device substrate is suppressed from peeling off, and a method for manufacturing the same.
  • an aspect of the present invention is a device substrate in which a semiconductor layer is formed on the surface of a substrate body by irradiating a laser beam to perform a laser annealing treatment.
  • the present invention is characterized in that a light-shielding layer having a light-shielding property with respect to the laser beam is interposed between the substrate main body and the semiconductor layer.
  • the substrate body is made of resin.
  • the semiconductor layer is an amorphous silicon film that forms a channel region of a thin film transistor formed on the substrate body.
  • the light-shielding layer is preferably a metal film that reflects the laser beam.
  • the light-shielding layer is preferably a semiconductor thin film that absorbs the laser beam.
  • the light-shielding layer is an organic insulating film that absorbs the laser beam.
  • the light-shielding layer is a dielectric multilayer mirror that reflects the laser beam by interference.
  • the resin is preferably polyimide.
  • the semiconductor thin film is preferably made of amorphous silicon.
  • the dielectric multilayer film mirror is formed by alternately laminating inorganic insulating films.
  • the dielectric multilayer film mirror is formed by alternately laminating inorganic insulating films and organic insulating films.
  • Another aspect of the present invention is a method for manufacturing a device substrate in which a semiconductor layer formed on the surface of a substrate body is irradiated with a laser beam to perform a laser annealing treatment, and the laser beam is applied to the upper side of the substrate body.
  • the substrate body is made of resin.
  • the semiconductor layer is an amorphous silicon film that forms a channel region of a thin film transistor formed on the substrate body.
  • the light-shielding layer is preferably a metal film that reflects the laser beam.
  • the light-shielding layer is preferably a semiconductor thin film that absorbs the laser beam.
  • the light-shielding layer is a dielectric multilayer mirror that reflects the laser beam by interference.
  • the resin is preferably polyimide.
  • the semiconductor thin film is preferably made of amorphous silicon.
  • the dielectric multilayer film mirror is formed by alternately laminating inorganic insulating films.
  • the dielectric multilayer film mirror is formed by alternately laminating inorganic insulating films and organic insulating films.
  • the present invention it is possible to realize a device substrate and a method for manufacturing the same, which can prevent the substrate body of the device substrate from peeling off.
  • FIG. 1 is a cross-sectional explanatory view showing a state in which a device substrate according to the first embodiment of the present invention is laser-annealed.
  • FIG. 2 is a flowchart showing a method for manufacturing a device substrate according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional explanatory view showing a state in which the device substrate according to the second embodiment of the present invention is laser-annealed.
  • FIG. 4 is a cross-sectional explanatory view showing a state in which a laser beam is incident on the device substrate according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing the reflectance when a laser beam is incident on a dielectric multilayer mirror in the device substrate according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional explanatory view showing a state in which a laser beam is incident on a dielectric multilayer film mirror in the device substrate according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing the reflectance when a laser beam is incident on a dielectric multilayer mirror in the device substrate according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the device substrate according to each embodiment of the present invention can be applied to a TFT substrate, a photosensor substrate, or the like used for an FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display or an organic EL (Electro Luminescence) display.
  • FPD Fluorescence Panel Display
  • the device substrate according to the present invention can be applied to a laser-annealed substrate provided with a semiconductor layer or the like to be laser-annealed. Therefore, the semiconductor film to be laser-annealed in the device substrate according to the present invention is not limited to the amorphous silicon film.
  • FIG. 1 shows a state in which the carrier glass substrate 10 is attached to the device substrate 1A, but the carrier glass substrate 10 is finally peeled off.
  • the device substrate 1A includes a resin substrate 11 as a substrate main body, a metal mirror layer 12 formed of a metal film as a light-shielding layer formed on the surface of the resin substrate 11, and a metal mirror layer 12.
  • An amorphous silicon film 18 as a semiconductor layer formed on the top thereof is provided.
  • polyimide is used as a constituent material of the resin substrate 11.
  • the metal mirror layer 12 for example, a metal film having light reflectivity such as an aluminum film is used.
  • the thickness of the metal mirror layer 12 is appropriately set according to the wavelength and intensity of the laser beam LB to be irradiated when the amorphous silicon film 18 is subjected to the laser annealing treatment.
  • the inorganic multilayer film 15 has a multilayer structure in which silicon dioxide (SiO2) film 13 and silicon nitride (SiN) film 14 are alternately laminated.
  • the inorganic multilayer film 15 has a moisture-proof property and has a function of preventing moisture and the like from the resin substrate 11 side from entering the amorphous silicon film 18 side.
  • the amorphous silicon film 18 can be irradiated with the laser beam LB to perform laser annealing treatment to form a polycrystalline silicon film (not shown).
  • a channel region of a TFT (not shown) can be formed.
  • the laser beam for example, a blue laser can be used.
  • the amorphous silicon film 18 can be changed into a polycrystalline silicon film (not shown).
  • the metal mirror layer 12 reflects the laser beam LB that has arrived from the surface of the device substrate 1A. Therefore, by adopting the configuration as in the present embodiment, it is possible to prevent the laser beam LB from being incident on the resin substrate 11, and gas is generated from the resin substrate 11 or the resin substrate 11 is peeled off. Can be prevented.
  • the resin substrate 11 as the substrate main body is attached to the carrier glass substrate 10 (step S1).
  • the resin substrate 11 is stabilized, and the processing accuracy can be improved in steps such as film formation and pattern formation on the device substrate 1A.
  • the metal mirror layer 12 is formed on the surface of the resin substrate (board body) 11 (step S2).
  • aluminum (Al) is formed into a film by, for example, a sputtering method.
  • an inorganic multilayer film 15 having moisture resistance is formed on the metal mirror layer 12 (step S3).
  • the inorganic multilayer film 15 is formed by alternately laminating a silicon dioxide (SiO2) film 13 and a silicon nitride (SiN) film 14.
  • the gate wiring (gate electrode) 16 is patterned on the inorganic multilayer film 15 (step S4).
  • a method for forming the gate wiring 16 for example, an aluminum (Al) film formed by a sputtering method is patterned by using a photolithography technique.
  • the gate insulating film 17 is formed on the inorganic multilayer film 15 and the gate wiring 16 (step S5).
  • an amorphous silicon film 18 is formed on the gate insulating film 17 by using, for example, a low temperature CVD method (step S6).
  • the amorphous silicon film 18 is selectively or wholly irradiated with the laser beam LB to perform laser annealing treatment to form a polycrystalline silicon film (not shown) (step S7).
  • the carrier glass substrate 10 is peeled from the resin substrate 11 by using, for example, a well-known laser lift-off method, to complete the device substrate 1A (step S8).
  • the device substrate and the manufacturing method thereof it is possible to prevent the laser beam LB from reaching the resin substrate 11 when the amorphous silicon film 18 is laser-annealed. Therefore, in the present embodiment, it is possible to prevent the resin substrate 11 itself from being destroyed and the resin substrate 11 as the substrate main body from being peeled off from the device substrate 1A.
  • the device substrate 1A when the device substrate 1A is applied to a flexible display panel, it is possible to prevent the resin substrate 11 from being easily peeled off with the use of the display panel, and it has durability. A display panel can be realized.
  • the metal mirror layer 12 is formed on the surface of the resin substrate (board body) 11, but the silicon dioxide film 13 and the silicon nitride film 14 of any of the inorganic multilayer films 15 are formed. It may be formed between and.
  • FIG. 3 shows a state in which the carrier glass substrate 10 is attached to the device substrate 1B as in the first embodiment, but the carrier glass substrate 10 is finally peeled off.
  • the device substrate 1B includes a resin substrate 11 as a substrate main body, an amorphous silicon layer 19 which is a semiconductor thin film as a light-shielding layer formed on the surface of the resin substrate 11, and an amorphous silicon layer 19.
  • An amorphous silicon film 18 as a semiconductor layer formed on the gate insulating film 17 is provided.
  • amorphous silicon is used as the semiconductor thin film as the light-shielding layer.
  • the thickness of the amorphous silicon layer 19 is appropriately set according to the wavelength and intensity of the laser beam LB to be irradiated when the amorphous silicon film 18 is subjected to the laser annealing treatment.
  • the amorphous silicon film 18 can be irradiated with the laser beam LB and laser annealed to form a polycrystalline silicon film (not shown).
  • a channel region of a TFT (not shown) can be formed.
  • the laser beam for example, a blue laser can be used.
  • the amorphous silicon film 18 can be changed into a polycrystalline silicon film (not shown).
  • the amorphous silicon layer 19 as the light-shielding layer absorbs the laser beam LB that is incident and arrives from the surface of the device substrate 1B. Therefore, by adopting the configuration as in the present embodiment, it is possible to prevent the laser beam LB from being incident on the resin substrate 11, and gas is generated from the resin substrate 11 or the resin substrate 11 is peeled off. Can be prevented.
  • the amorphous silicon layer 19 as a light-shielding layer may be formed in the same film forming apparatus as the amorphous silicon film 18 formed above the amorphous silicon layer 19. it can. Therefore, in the device substrate manufacturing method according to the present embodiment, it is not necessary to move the device substrate 1B to another film forming apparatus, and the manufacturing cost can be reduced.
  • the amorphous silicon layer 19 is formed on the surface of the resin substrate (substrate body) 11, but the silicon dioxide film 13 of any of the inorganic multilayer films 15 and silicon nitride It may be formed between the film 14 and the film 14.
  • FIG. 4 shows a state in which the carrier glass substrate 10 is attached to the device substrate 1C as in the first embodiment, but the carrier glass substrate 10 is finally peeled off.
  • the device substrate 1C shown in FIG. 4 omits the gate wiring, the gate insulating film, the amorphous silicon film, and the like formed on the dielectric multilayer film mirror 30 as the light-shielding layer.
  • the device substrate 1C of the present embodiment includes a resin substrate 11 as a substrate main body and a dielectric multilayer film mirror 30 as a light-shielding layer formed on the surface of the resin substrate 11. .. Further, on the dielectric multilayer film mirror 30, a gate wiring, a gate insulating film, an amorphous silicon film as a semiconductor layer, and the like (not shown) are provided.
  • the dielectric multilayer film mirror 30 is formed by alternately laminating inorganic insulating films. Specifically, the dielectric multilayer film mirror 30 is formed so that the silicon dioxide (SiO2) film 21 and the silicon nitride (SiN) film 22 are alternately formed into 11 layers. In the present embodiment, the film thickness of these films is optimized and optically designed to impart the property of reflecting the laser beam LB to the dielectric multilayer film mirror 30 due to the interference of the multilayer films.
  • the number of laminated films of the silicon dioxide film 21 and the silicon nitride film 22 is not limited to 11 layers. Further, in the present embodiment, the film thickness of the silicon dioxide film 21 is set to 80 nm, and the film thickness of the silicon nitride film 22 is set to 50 nm, but the film thickness is not limited to this. The film thickness of the silicon dioxide film 21 is preferably 70 to 90 nm, and the film thickness of the silicon nitride film 22 is preferably 40 to 60 nm. The number of laminated films is preferably 3 to 11 layers.
  • the dielectric multilayer mirror 30 of the present embodiment can reflect 90% of the target wavelength light of 450 nm as shown in the graph of FIG. 5 showing the relationship between the reflectance and the wavelength.
  • the laser beam LB is reflected by the dielectric multilayer mirror 30 and reaches the resin substrate 11. It is designed not to. Therefore, also in the device substrate 1C according to the present embodiment, it is possible to prevent the laser beam LB from incident on the resin substrate 11 and prevent gas from being generated from the resin substrate 11 and the resin substrate 11 from being peeled off. it can.
  • FIG. 6 is a cross-sectional explanatory view showing the device substrate 1D according to the present embodiment.
  • the configuration of the device substrate 1D according to the present embodiment is substantially the same as that of the device substrate 1C according to the third embodiment.
  • the difference of the device substrate 1D according to the present embodiment is that the dielectric multilayer film mirror 40 is formed by alternately laminating inorganic insulating films and organic insulating films.
  • the flexibility of the device substrate 1D can be enhanced by including a large amount of the organic insulating film.
  • the dielectric multilayer film mirror 40 is formed by forming silicon dioxide (SiO2) film 31 and epoxy resin film 32 alternately into 11 layers, and optimizing the film thickness of these films for optical design.
  • the dielectric multilayer film mirror 40 is provided with the property of reflecting the laser beam LB due to the interference of the multilayer films.
  • the number of laminated films of the silicon dioxide film 31 and the epoxy resin film 32 is not limited to 11 layers.
  • the film thickness of the silicon dioxide film 31 is set to 77 nm, and the film thickness of the epoxy resin film 32 is set to 463 nm, but the film thickness is not limited to this.
  • the film thickness of the silicon dioxide film 31 is preferably 60 to 90 nm, and the film thickness of the epoxy resin film 32 is preferably 440 to 490 nm.
  • the number of laminated films is preferably 3 to 11 layers.
  • the dielectric multilayer mirror 40 of the present embodiment can reflect 50% of the target laser beam LB having a wavelength of 450 nm as shown in the graph of FIG. 7 showing the relationship between the reflectance and the wavelength. ..
  • the laser beam LB incident on the resin substrate 11 side is reduced to produce a light shielding effect. Therefore, also in the present embodiment, it is possible to suppress the laser beam LB from being incident on the resin substrate 11, and it is possible to prevent gas from being generated from the resin substrate 11 and the resin substrate 11 from being peeled off.
  • a blue laser is used as the laser beam, but a green laser, a purple laser, or another laser beam can be used.
  • the device substrate according to each of the above embodiments can be used as, for example, a TFT substrate, but can also be used as a device substrate for various other semiconductor devices.
  • the device substrate according to the present invention may be configured to use an organic insulating film that absorbs laser light as a light-shielding layer.
  • the flexible resin substrate 11 is applied as the substrate body, but a glass substrate, a semiconductor substrate, or the like can also be applied.
  • 1A, 1B, 1C, 1D device substrate 10 Carrier glass substrate 11 Resin substrate (board body) 12 Metal mirror layer (metal film) 13 Silicon dioxide film 14 Silicon nitride film 15 Inorganic multilayer film 16 Gate wiring 17 Gate insulating film 18 Amorphous silicon film (semiconductor layer) 19 Amorphous silicon layer (light-shielding layer, semiconductor thin film) 21 Silicon dioxide film 22 Silicon nitride film 30 Dielectric multilayer film mirror 31 Silicon dioxide film (inorganic insulating film) 32 Epoxy resin film (organic insulating film) 40 Dielectric multilayer mirror

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Abstract

基板本体の表面上に、レーザ光を照射してレーザアニール処理が施される半導体層が形成されたデバイス基板であって、前記基板本体と前記半導体層との間に、前記レーザ光に対して遮光性を有する遮光層を介在させることにより、デバイス基板における基板本体が剥離することを抑制したデバイス基板を提供する。

Description

デバイス基板およびその製造方法
　本発明は、デバイス基板およびその製造方法に関する。
　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）は、薄型ディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display）などの表示デバイスをアクティブ駆動するためのスイッチング素子として用いられている。薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）の半導体層の材料としては、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ：amorphous Silicon）や、多結晶シリコン（p－Ｓｉ：polycrystalline Silicon）などが用いられている。
　非晶質シリコンは、電子の動き易さの指標である移動度（μ）が低い。このため、非晶質シリコンでは、さらに高密度・高精細化が進むＦＰＤで要求される高移動度には対応しきれない。そこで、ＦＰＤにおけるスイッチング素子としては、非晶質シリコンよりも移動度が大幅に高い多結晶シリコンでチャネル半導体層を形成することが好ましい。多結晶シリコン膜を形成する方法としては、エキシマレーザを使ったエキシマレーザアニール（ＥＬＡ:Excimer Laser Annealing）装置で、非晶質シリコン膜にパルスレーザ光を照射し、非晶質シリコンを再結晶化させて多結晶シリコンを形成する方法がある。
　従来の半導体薄膜の形成方法としては、非晶質シリコン膜とプラスチック基板との間にガスバリア層（ＳｉＮ）を設け、さらにガスバリア層と非晶質シリコン膜との間に熱的バッファ層を設けることで、熱によるプラスチック基板へのダメージを防ぐものが開示されている（特許文献１参照）。
特開２００２－３１３７２４号公報
　しかしながら、上記の特許文献１に開示された半導体薄膜の形成方法では、レーザ光の波長が変わった場合、熱的バッファ層をレーザ光が透過してプラスチック基板に到達する場合がある。このため、従来の半導体薄膜の形成方法では、プラスチック基板自体が破壊される問題や、プラスチック基板とガスバリア層との界面が破壊されるなどの問題がある。プラスチック基板自体が破壊された場合、プラスチック基板中の反応に伴うガスの発生やガスの爆発によりプラスチック基板が剥離する問題がある。また、プラスチック基板とガスバリア層との間の界面が破壊された場合もプラスチック基板が剥離する問題がある。
　本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、デバイス基板における基板本体が剥離することを抑制したデバイス基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の態様は、基板本体の表面上に、レーザ光を照射してレーザアニール処理が施される半導体層が形成されたデバイス基板であって、前記基板本体と前記半導体層との間に、前記レーザ光に対して遮光性を有する遮光層を介在させたことを特徴とする。
　上記態様としては、前記基板本体は、樹脂で形成されることが好ましい。
　上記態様としては、前記半導体層は、前記基板本体に形成される薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する非晶質シリコン膜であることが好ましい。
　上記態様としては、前記遮光層は、前記レーザ光を反射させる金属膜であることが好ましい。
　上記態様としては、前記遮光層は、前記レーザ光を吸収する半導体薄膜であることが好ましい。
　上記態様としては、前記遮光層は、前記レーザ光を吸収する有機絶縁膜であることが好ましい。
　上記態様としては、前記遮光層は、干渉により前記レーザ光を反射させる誘電体多層膜ミラーであることが好ましい。
　上記態様としては、前記樹脂は、ポリイミドであることが好ましい。
　上記態様としては、前記半導体薄膜は、非晶質シリコンでなることが好ましい。
　上記態様としては、前記誘電体多層膜ミラーは、無機絶縁膜同士を交互に積層してなることが好ましい。
　上記態様としては、前記誘電体多層膜ミラーは、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを交互に積層してなることが好ましい。
　本発明の他の態様は、基板本体の表面上に形成された半導体層にレーザ光を照射してレーザアニール処理を施すデバイス基板の製造方法であって、前記基板本体の上側に、前記レーザ光に対して遮光性を有する遮光層を介在させる工程と、前記遮光層の上側に、前記半導体層を形成する工程と、前記半導体層に前記レーザ光を照射してレーザアニールを行う工程と、を備えることを特徴とする。
　上記態様としては、前記基板本体は、樹脂で形成されることが好ましい。
　上記態様としては、前記半導体層は、前記基板本体に形成される薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する非晶質シリコン膜であることが好ましい。
　上記態様としては、前記遮光層は、前記レーザ光を反射させる金属膜であることが好ましい。
　上記態様としては、前記遮光層は、前記レーザ光を吸収する半導体薄膜であることが好ましい。
　上記態様としては、前記遮光層は、干渉により前記レーザ光を反射させる誘電体多層膜ミラーであることが好ましい。
　上記態様としては、前記樹脂は、ポリイミドであることが好ましい。
　上記態様としては、前記半導体薄膜は、非晶質シリコンでなることが好ましい。
　上記態様としては、前記誘電体多層膜ミラーは、無機絶縁膜同士を交互に積層してなることが好ましい。
　上記態様としては、前記誘電体多層膜ミラーは、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを交互に積層してなることが好ましい。
　本発明によれば、デバイス基板における基板本体が剥離することを抑制できるデバイス基板およびその製造方法を実現できる。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るデバイス基板にレーザアニールを施している状態を示す断面説明図である。 図２は、本発明の第1の実施の形態に係るデバイス基板の製造方法を示すフローチャートである。 図３は、本発明の第２の実施の形態に係るデバイス基板にレーザアニールを施している状態を示す断面説明図である。 図４は、本発明の第３の実施の形態に係るデバイス基板にレーザビームが入射した状態を示す断面説明図である。 図５は、本発明の第３の実施の形態に係るデバイス基板における誘電体多層膜ミラーにレーザビームが入射したときの反射率を示す図である。 図６は、本発明の第４の実施の形態に係るデバイス基板における誘電体多層膜ミラーにレーザビームが入射した状態を示す断面説明図である。 図７は、本発明の第４の実施の形態に係るデバイス基板における誘電体多層膜ミラーにレーザビームが入射したときの反射率を示す図である。
　以下に、本発明の実施の形態に係るデバイス基板およびその製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の寸法や寸法の比率や形状や数などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状や数が異なる部分が含まれている。
　本発明の各実施の形態に係るデバイス基板は、液晶ディスプレイや有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイなどのＦＰＤ（Flat Panel Display）に用いられるＴＦＴ基板、フォトセンサ基板などに適用可能である。本発明に係るデバイス基板としては、レーザアニール処理が施される半導体層などを備える被レーザアニール処理基板に適用可能である。したがって、本発明に係るデバイス基板においてレーザアニール処理される半導体膜は、非晶質シリコン膜に限定されるものではない。
［第１の実施の形態］（デバイス基板の構成）
　以下、図１を用いて、本実施の形態に係るデバイス基板１Ａの概略構成について説明する。なお、図１は、デバイス基板１Ａにキャリアガラス基板１０が貼り付いている状態を示すが、最終的にキャリアガラス基板１０は剥離する。
　本実施の形態に係るデバイス基板１Ａは、基板本体としての樹脂基板１１と、この樹脂基板１１の表面上に形成された遮光層としての金属膜でなる金属ミラー層１２と、金属ミラー層１２の上に形成された無機多層膜１５と、無機多層膜１５の上に形成されたゲート配線１６と、無機多層膜１５およびゲート配線１６の上に形成されたゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７の上に形成された半導体層としての非晶質シリコン膜１８と、を備える。
　本実施の形態では、樹脂基板１１の構成材料として、ポリイミドを用いる。金属ミラー層１２としては、例えば、アルミニウム膜などの光反射性を有する金属膜を用いる。なお、金属ミラー層１２の膜厚は、非晶質シリコン膜１８にレーザアニール処理を行う際に照射するレーザビームＬＢの波長、強度に応じて適宜設定されている。
　無機多層膜１５は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜１３と窒化シリコン（ＳｉＮ）膜１４とを交互に積層した多層構造である。この無機多層膜１５は、防湿性を有し、樹脂基板１１側からの水分などが非晶質シリコン膜１８側へ浸入することを防止する機能を有する。
　本実施の形態では、図１に示すように、非晶質シリコン膜１８にレーザビームＬＢを照射してレーザアニール処理を行って、図示しない多結晶シリコン膜を形成することができる。このようなレーザアニール処理によって、図示しないＴＦＴのチャネル領域を形成することができる。
　なお、レーザ光としては、例えば、青色レーザを用いることができる。このレーザアニール処理によって、非晶質シリコン膜１８を図示しない多結晶シリコン膜に変化させることができる。図１に示すように、デバイス基板１Ａに対してレーザビームＬＢが入射すると、金属ミラー層１２は、デバイス基板１Ａの表面から入射して到達したレーザビームＬＢを反射させる。このため、本実施の形態のような構成としたことにより、樹脂基板１１へレーザビームＬＢが入射することを防止でき、樹脂基板１１からガスが発生したり、樹脂基板１１が剥離したりすることを防止できる。
（デバイス基板の製造方法）
　以下、図２に示すフローチャートを用いて、本実施の形態に係るデバイス基板の製造方法について説明する。
　まず、図１に示すように、本実施の形態では、キャリアガラス基板１０に、基板本体としての樹脂基板１１を貼り付ける（ステップＳ１）。このようにキャリアガラス基板１０に樹脂基板１１を貼り付けたことにより、樹脂基板１１が安定化し、デバイス基板１Ａに対する成膜、パターン形成などの工程において加工精度を高めることができる。
　次に、本実施の形態では、樹脂基板（基板本体）１１の表面に、金属ミラー層１２を形成する（ステップＳ２）。金属ミラー層１２の形成方法は、アルミニウム（Ａｌ）を、例えばスパッタ法により成膜する。
　その後、金属ミラー層１２の上に、防湿性を有する無機多層膜１５を形成する（ステップＳ３）。この無機多層膜１５は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜１３と窒化シリコン（ＳｉＮ）膜１４とを交互に積層して形成する。
　次に、無機多層膜１５の上に、ゲート配線（ゲート電極）１６をパターン形成する（ステップＳ４）。ゲート配線１６の形成方法としては、例えば、スパッタ法により形成したアルミニウム（Ａｌ）膜をフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングする。
　その後、無機多層膜１５およびゲート配線１６の上に、ゲート絶縁膜１７を形成する（ステップＳ５）。
　さらに、ゲート絶縁膜１７の上に、非晶質シリコン膜１８を、例えば、低温ＣＶＤ法を用いて形成する（ステップＳ６）。
　次に、非晶質シリコン膜１８に対して選択的にまたは全面的にレーザビームＬＢを照射してレーザアニール処理を行って図示しない多結晶シリコン膜を形成する（ステップＳ７）。
　最後に、例えば、周知のレーザリフトオフ法などを用いて、キャリアガラス基板１０を樹脂基板１１から剥離して、デバイス基板１Ａが完成する（ステップＳ８）。
　本実施の形態に係るデバイス基板およびその製造方法では、非晶質シリコン膜１８をレーザアニール処理する際に、レーザビームＬＢが樹脂基板１１に到達することを防止できる。このため、本実施の形態では、樹脂基板１１自体の破壊や、基板本体としての樹脂基板１１がデバイス基板１Ａから剥離することを防止できる。特に、本実施の形態では、デバイス基板１Ａを、可撓性を有する表示パネルに適用する場合に、表示パネルの使用に伴って樹脂基板１１が剥離し易くなることを防止でき、耐久性を有する表示パネルを実現できる。
　なお、本実施の形態に係るデバイス基板１Ａにおいては、金属ミラー層１２を樹脂基板（基板本体）１１の表面に形成したが、無機多層膜１５のいずれかの二酸化ケイ素膜１３と窒化シリコン膜１４との間に形成してもよい。
［第２の実施の形態］
　次に、図３を用いて、本発明の第２の実施の形態に係るデバイス基板１Ｂの概略構成について説明する。なお、図３は、上記第１の実施の形態と同様に、デバイス基板１Ｂにキャリアガラス基板１０が貼り付いている状態を示すが、最終的にキャリアガラス基板１０は剥離する。
　本実施の形態に係るデバイス基板１Ｂは、基板本体としての樹脂基板１１と、この樹脂基板１１の表面上に形成された遮光層としての半導体薄膜である非晶質シリコン層１９と、非晶質シリコン層１９の上に形成された無機多層膜１５と、無機多層膜１５の上に形成されたゲート配線１６と、無機多層膜１５およびゲート配線１６の上に形成されたゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７の上に形成された半導体層としての非晶質シリコン膜１８と、を備える。
　本実施の形態では、遮光層としての半導体薄膜に、非晶質シリコンを用いる。なお、非晶質シリコン層１９の膜厚は、非晶質シリコン膜１８にレーザアニール処理を行う際に照射するレーザビームＬＢの波長、強度に応じて適宜設定されている。
　本実施の形態においても、図３に示すように、非晶質シリコン膜１８にレーザビームＬＢを照射してレーザアニール処理を行って、図示しない多結晶シリコン膜を形成することができる。このようなレーザアニール処理によって、図示しないＴＦＴのチャネル領域を形成することができる。
　なお、レーザ光としては、例えば、青色レーザを用いることができる。このレーザアニール処理によって、非晶質シリコン膜１８を図示しない多結晶シリコン膜に変化させることができる。
　図１に示すように、デバイス基板１Ａに対してレーザビームＬＢが入射すると、遮光層としての非晶質シリコン層１９は、デバイス基板１Ｂの表面から入射して到達したレーザビームＬＢを吸収する。このため、本実施の形態のような構成としたことにより、樹脂基板１１へレーザビームＬＢが入射することを防止でき、樹脂基板１１からガスが発生したり、樹脂基板１１が剥離したりすることを防止できる。
　本実施の形態に係るデバイス基板の製造方法では、遮光層としての非晶質シリコン層１９を、これよりも上層に形成される非晶質シリコン膜１８と同じ成膜装置内で形成することができる。このため、本実施の形態に係るデバイス基板の製造方法では、デバイス基板１Ｂを別の成膜装置へ移動させる必要がなく、製造コストを低減できる。
　なお、本実施の形態に係るデバイス基板１Ｂにおいては、非晶質シリコン層１９を樹脂基板（基板本体）１１の表面に形成したが、無機多層膜１５のいずれかの二酸化ケイ素膜１３と窒化シリコン膜１４との間に形成してもよい。
［第３の実施の形態］
　次に、図４を用いて、本発明の第３の実施の形態に係るデバイス基板１Ｃの概略構成について説明する。図４は、上記第１の実施の形態と同様に、デバイス基板１Ｃにキャリアガラス基板１０が貼り付いている状態を示すが、最終的にキャリアガラス基板１０は剥離する。
　なお、図４に示すデバイス基板１Ｃは、遮光層としての誘電体多層膜ミラー３０の上に形成するゲート配線、ゲート絶縁膜、非晶質シリコン膜などを省略して示している。
　図４に示すように、本実施の形態のデバイス基板１Ｃは、基板本体としての樹脂基板１１と、この樹脂基板１１の表面上に形成された遮光層としての誘電体多層膜ミラー３０と、有する。また、この誘電体多層膜ミラー３０の上には、図示しない、ゲート配線、ゲート絶縁膜と、半導体層としての非晶質シリコン膜などを備える。
　誘電体多層膜ミラー３０は、無機絶縁膜同士を交互に積層してなる。誘電体多層膜ミラー３０は、具体的には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜２１と窒化シリコン（ＳｉＮ）膜２２を交互に１１層となるように形成している。本実施の形態では、これらの膜の膜厚を最適化して光学設計することにより、多層の膜の干渉により誘電体多層膜ミラー３０にレーザビームＬＢを反射する特性を付与している。
　なお、二酸化ケイ素膜２１と窒化シリコン膜２２の積層膜数は、１１層に限定されるものではない。また、本実施の形態では、二酸化ケイ素膜２１の膜厚を８０ｎｍ、窒化シリコン膜２２の膜厚を５０ｎｍに設定するが、これに限定されるものではない。二酸化ケイ素膜２１の膜厚としては、７０～９０ｎｍが好ましく、窒化シリコン膜２２の膜厚としては、４０～６０ｎｍが好ましい。また、積層膜数は、３～１１層であることが好ましい。
　本実施の形態の誘電体多層膜ミラー３０により、反射率と波長との関係を表す図５のグラフに示すように、目標の４５０ｎｍの波長光の９０％を反射できることが確認できた。
　本実施の形態に係るデバイス基板１Ｃは、図４に示すように、レーザアニール処理の用いるレーザビームＬＢが照射した場合、レーザビームＬＢは誘電体多層膜ミラー３０で反射されて樹脂基板１１へ到達しないようになっている。したがって、本実施の形態に係るデバイス基板１Ｃにおいても、樹脂基板１１へレーザビームＬＢが入射することを防止でき、樹脂基板１１からガスが発生したり、樹脂基板１１が剥離したりすることを防止できる。
［第４の実施の形態］
　図６は、本実施の形態に係るデバイス基板１Ｄを示す断面説明図である。本実施の形態に係るデバイス基板１Ｄの構成は、上記第３の実施の形態に係るデバイス基板１Ｃと略同様である。
　本実施の形態に係るデバイス基板１Ｄの異なる点は、誘電体多層膜ミラー４０が、無機絶縁膜と有機絶縁膜を交互に積層してなることである。本実施の形態では、有機絶縁膜を多く含むことにより、デバイス基板１Ｄの可撓性を高めることができる。誘電体多層膜ミラー４０は、具体的には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜３１とエポキシ樹脂膜３２を交互に１１層となるように形成し、これらの膜の膜厚を最適化して光学設計することにより、多層の膜の干渉により誘電体多層膜ミラー４０にレーザビームＬＢを反射する特性を付与している。なお、二酸化ケイ素膜３１とエポキシ樹脂膜３２の積層膜数は、１１層に限定されるものではない。
　本実施の形態では、二酸化ケイ素膜３１の膜厚を７７ｎｍ、エポキシ樹脂膜３２の膜厚を４６３ｎｍに設定するが、これに限定されるものではない。二酸化ケイ素膜３１の膜厚としては、６０～９０ｎｍが好ましく、エポキシ樹脂膜３２の膜厚としては、４４０～４９０ｎｍが好ましい。また、積層膜数は、３～１１層であることが好ましい。
　本実施の形態の誘電体多層膜ミラー４０により、反射率と波長との関係を表す図７のグラフに示すように、目標の４５０ｎｍの波長のレーザビームＬＢの５０％を反射できることが確認できた。この結果、本実施の形態おいても、樹脂基板１１側へ入射するレーザビームＬＢを低減して遮光効果を奏する。したがって、本実施の形態においても、樹脂基板１１へレーザビームＬＢが入射することを抑制でき、樹脂基板１１からガスが発生したり、樹脂基板１１が剥離したりすることを防止できる。
［その他の実施の形態］
　以上、実施の形態について説明したが、この実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
　例えば、上記の各実施の形態に係るデバイス基板の製造方法では、レーザ光として青色レーザを用いたが、緑色レーザ、紫色レーザやその他のレーザ光を用いることが可能である。
　また、上記の各実施の形態に係るデバイス基板は、例えば、ＴＦＴ基板として用いることができるが、この他の各種の半導体装置のデバイス基板として用いることができる。
　本発明に係るデバイス基板においては、遮光層として、レーザ光を吸収する有機絶縁膜を用いる構成としてもよい。
　さらに、上記の各実施の形態に係るデバイス基板およびその製造方法では、基板本体として可撓性を有する樹脂基板１１を適用したが、ガラス基板、半導体基板などを適用することも可能である。
　１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ　デバイス基板
　１０　キャリアガラス基板
　１１　樹脂基板（基板本体）
　１２　金属ミラー層（金属膜）
　１３　二酸化ケイ素膜
　１４　窒化シリコン膜
　１５　無機多層膜
　１６　ゲート配線
　１７　ゲート絶縁膜
　１８　非晶質シリコン膜（半導体層）
　１９　非晶質シリコン層（遮光層、半導体薄膜）
　２１　二酸化ケイ素膜
　２２　窒化シリコン膜
　３０　誘電体多層膜ミラー
　３１　二酸化ケイ素膜（無機絶縁膜）
　３２　エポキシ樹脂膜（有機絶縁膜）
　４０　誘電体多層膜ミラー
 

Claims (21)

  1. 　基板本体の表面上に、レーザ光を照射してレーザアニール処理が施される半導体層が形成されたデバイス基板であって、
    　前記基板本体と前記半導体層との間に、前記レーザ光に対して遮光性を有する遮光層を介在させたデバイス基板。
  2. 　前記基板本体は、樹脂で形成された請求項１に記載のデバイス基板。
  3. 　前記半導体層は、前記基板本体に形成される薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する非晶質シリコン膜である請求項１に記載のデバイス基板。
  4. 　前記遮光層は、前記レーザ光を反射させる金属膜である請求項１に記載のデバイス基板。
  5. 　前記遮光層は、前記レーザ光を吸収する半導体薄膜である請求項１に記載のデバイス基板。
  6. 　前記遮光層は、前記レーザ光を吸収する有機絶縁膜である請求項１に記載のデバイス基板。
  7. 　前記遮光層は、干渉により前記レーザ光を反射させる誘電体多層膜ミラーである請求項１に記載のデバイス基板。
  8. 　前記樹脂は、ポリイミドである請求項２に記載のデバイス基板。
  9. 　前記半導体薄膜は、非晶質シリコンでなる請求項５に記載のデバイス基板。
  10. 　前記誘電体多層膜ミラーは、無機絶縁膜同士を交互に積層してなる請求項７に記載のデバイス基板。
  11. 　前記誘電体多層膜ミラーは、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを交互に積層してなる請求項７に記載のデバイス基板。
  12. 　基板本体の表面上に形成された半導体層にレーザ光を照射してレーザアニール処理を施すデバイス基板の製造方法であって、
    　前記基板本体の上側に、前記レーザ光に対して遮光性を有する遮光層を介在させる工程と、
    　前記遮光層の上側に、前記半導体層を形成する工程と、
    　前記半導体層に前記レーザ光を照射してレーザアニールを行う工程と、
    　を備えるデバイス基板の製造方法。
  13. 　前記基板本体は、樹脂で形成された請求項１２に記載のデバイス基板の製造方法。
  14. 　前記半導体層は、前記基板本体に形成される薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する非晶質シリコン膜である請求項１２に記載のデバイス基板の製造方法。
  15. 　前記遮光層は、前記レーザ光を反射させる金属膜である請求項１２に記載のデバイス基板の製造方法。
  16. 　前記遮光層は、前記レーザ光を吸収する半導体薄膜である請求項１２に記載のデバイス基板の製造方法。
  17. 　前記遮光層は、干渉により前記レーザ光を反射させる誘電体多層膜ミラーである請求項１２に記載のデバイス基板の製造方法。
  18. 　前記樹脂は、ポリイミドである請求項１３に記載のデバイス基板の製造方法。
  19. 　前記半導体薄膜は、非晶質シリコンでなる請求項１６に記載のデバイス基板の製造方法。
  20. 　前記誘電体多層膜ミラーは、無機絶縁膜同士を交互に積層してなる請求項１７に記載のデバイス基板の製造方法。
  21. 　前記誘電体多層膜ミラーは、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを交互に積層してなる請求項１７に記載のデバイス基板の製造方法。
     
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