JP2005080442A - 昇圧装置用複合型リアクトル及び昇圧装置 - Google Patents

昇圧装置用複合型リアクトル及び昇圧装置 Download PDF

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Abstract

【課題】従来より安価であり、小型、軽量で搭載性に優れた昇圧装置用複合型リアクトル及び昇圧装置を提供する。
【解決手段】本発明の昇圧装置用複合型リアクトル3は、第1磁脚32及び第2磁脚33と、中央磁脚34と、第1磁継部35及び第2磁継部36と、第1巻線30及び第2巻線31とから構成される。そして、第1磁継部35及び第2磁継部36に空隙37が配設されていることを特徴とする。これにより、2つのリアクトルが一体化でき、さらに、中央磁脚34の断面積も削減可能となるため、リアクトル及びそれを用いた昇圧装置の小型、軽量化を図れる。
【選択図】図3

Description

本発明は、昇圧装置に用いるリアクトル及びそれを用いた昇圧装置に関する。
近年、車両に対する排ガス規制や燃費向上の観点から、モーターにより車両を駆動する電気自動車やハイブリッド車の開発が進められているが、その駆動電圧を高電圧化し、さらに効果を上げるために、バッテリ電圧を高電圧に変換する昇圧装置が新たに搭載される。しかし、車両に搭載される各装置の省スペース化、軽量化の要望は強く、当然、昇圧装置も搭載性を向上するため、小型、軽量化が強く望まれている。
ところで、昇圧装置の代表的な一例として、チョッパ式昇圧装置がある。例えば、直流電源と、n個のリアクトルと、n個の逆流阻止用ダイオードと、n個のチョッピング用スイッチング素子とを備え、直流電源の電圧をn倍に昇圧して出力するスイッチング電源装置(チョッパ式昇圧装置)が、特開平10−127050号公報に開示されている。
このスイッチング電源装置は、n個のチョッピング用スイッチング素子を、それぞれ2π/nずつ位相をずらしてスイッチング動作させる。これにより、各々のリアクトルに、それぞれ位相のずれた電圧が印加され、位相のずれた電流が流れ、直流電源の電圧がn倍に昇圧される。このため、例えば、直流電源の電圧を2倍に昇圧する場合、2つのリアクトルがそれぞれ別々に必要になる。
これに対し、2つのリアクトルを一体化した複合型リアタがある。例えば、第1及び第2コイルを装着した第1及び第2の鉄心部と、第3の鉄心部と、橋絡鉄心部と、それらの鉄心部に配設されるコアギャップとを備えた複合形リアクトル(複合型リアクトル)が、特開平11−204355号公報に開示されている。
この複合形リアクタは、単相交流を整流して直流電源を形成する電源装置において、高調波電流を抑制するためのパッシブフィルタに用いられる。パッシブフィルタは、電源装置の整流用ダイオードブリッジと平滑用コンデンサとの間に配設され、ダイオードとコンデンサと2つのリアクタ(リアクトル)から構成されている。複合形リアクタは、この2つのリアクタを一体にしたものである。この複合形リアクタは、第1及び第2のコイルを装着した第1及び第2の鉄心部と橋絡鉄心部との間に、コアギャップを備えている。そして、第3の鉄心部と橋絡鉄心部との間に、コアギャップより小間隙の微小コアギャップを備えている。この第3の鉄心部には、第1のコイルの発生する磁束と第2のコイルの発生する磁束とが、ある期間互いに相殺する方向に流れる。
コアギャップと微小コアギャップとを設けることにより、第1及び第2のコイルの間での磁気的な相互影響がほとんどなくなり、独立した2つのリアクタとして動作する。さらに、第3の鉄心部を流れる磁束は、独立した2つのリアクタを使用する場合の磁束に対して大幅に減少するため、その断面積を小さくでき、小型、軽量化を図れる。
特開平10−127050号公報 特開平11−204355号公報
しかし、この複合型リアクトルは、単相交流を整流して直流電源を形成する電源装置の
パッシブフィルタに用いられるものであり、LC共振を利用して各々のコイルに異なる波形の電流を通電させて、逆向き電流により磁束を打ち消している。
これに対し、チョッパ式昇圧装置は、複数のチョッピング用スイッチング素子を、それぞれ位相をずらしてスイッチング動作させる。これにより、各々のリアクトルには、それぞれ位相のずれた電圧が印加され、位相のずれた電流が流れる。
従って、チョッパ式昇圧装置に用いられるリアクトルは、パッシブフィルに用いられるリアクトルと動作が異なるため、特許文献2の方法により複数のリアクトルを一体化することはできない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、昇圧装置に適し、従来より安価であり、小型、軽量で搭載性に優れた昇圧装置用複合型リアクトル及び昇圧装置を提供することを目的とする。
そこで、本発明者は、この課題を解決すべく鋭意研究し、試行錯誤を重ねた結果、第1及び第2巻線の発生する磁束が共通して流れる中央磁脚以外の磁路に空隙を配設することを思いつき、本発明を完成するに至った。
すなわち、請求項1に記載の昇圧装置用複合型リアクトルは、電流を変化させることにより磁束を変化させる第1巻線と、前記第1巻線に流れる電流に対し位相をずらした電流を変化させることにより磁束を変化させる第2巻線と、少なくとも前記第1巻線の発生する磁束を流すための磁路を形成する第1磁脚と、少なくとも前記第2巻線の発生する磁束を流すための磁路を形成する第2磁脚と、前記第1巻線及び前記第2巻線の発生する磁束を互いに同じ方向に重畳して流すための共通の磁路を形成する中央磁脚と、前記第1磁脚の両端部と前記中央磁脚の両端部とを磁気的に連結し磁路を形成する第1磁継部と、前記第2磁脚の両端部と前記中央磁脚の両端部とを磁気的に連結し磁路を形成する第2磁継部とを備えた昇圧装置用複合型リアクトルにおいて、さらに、前記第1磁脚、前記第1磁継部及び前記中央磁脚の閉回路からなる第1磁路の少なくとも前記第1磁脚及び前記第1磁継部に少なくとも1つ以上配設される高磁気抵抗部と、前記第2磁脚、前記第2磁継部及び前記中央磁脚の閉回路からなる第2磁路の少なくとも前記第2磁脚及び前記第2磁継部に少なくとも1つ以上配設される高磁気抵抗部とを有することを特徴とする。
請求項2に記載の昇圧装置用複合型リアクトルは、請求項1に記載の昇圧装置用複合型リアクトルにおいて、さらに、前記高磁気抵抗部は、前記第1磁路の少なくとも前記第1磁脚及び前記第1磁継部に配設される各前記高磁気抵抗部の磁気抵抗の合計と、前記第2磁路の少なくとも前記第2磁脚及び前記第2磁継部に配設される各前記高磁気抵抗部の磁気抵抗の合計とが等しいことを特徴とする。
請求項3に記載の昇圧装置用複合型リアクトルは、請求項2に記載の昇圧装置用複合型リアクトルにおいて、さらに、前記高磁気抵抗部は、空隙であり、前記第1磁路の少なくとも前記第1磁脚及び前記第1磁継部に配設される各前記空隙の断面積に対する長さの比の合計と、前記第2磁路の少なくとも前記第2磁脚及び前記第2磁継部に配設される各前記空隙の断面積に対する長さの比の合計とが等しいことを特徴とする。
請求項4に記載の昇圧装置用複合型リアクトルは、請求項2に記載の昇圧装置用複合型リアクトルにおいて、さらに、前記中央磁脚は、前記第1磁脚の断面積と前記第2磁脚の断面積とを足した面積より小さい断面積を有することを特徴とする。
請求項5に記載の昇圧装置用複合型リアクトルは、請求項4に記載の昇圧装置用複合型リアクトルにおいて、さらに、前記中央磁脚は、前記第1磁脚の断面積と前記第2磁脚の断面積とを足した面積の0.69倍以上の断面積を有することを特徴とする。
請求項6に記載の昇圧装置用複合型リアクトルは、請求項2に記載の昇圧装置用複合型リアクトルにおいて、さらに、前記中央磁脚は、一体で構成されることを特徴とする。
請求項7に記載の昇圧装置は、直流電源と、前記直流電源に一端が共通して接続される少なくとも2つのリアクトルと、前記リアクトルの他端にそれぞれアノードが接続される前記リアクトルと同数のダイオードと、前記ダイオードのアノードが接続された前記リアクトルの他端にそれぞれ接続される前記リアクタンスと同数のスイッチング素子とを備えた昇圧装置において、さらに、前記リアクトルは、請求項1乃至6記載の昇圧装置用複合型リアクトルであることを特徴とする。
請求項1に記載の昇圧装置用複合型リアクトルによれば、従来の、巻線と巻線が巻回される口の字状の磁脚及び磁継部とからなる2つリアクトルが、一体化され1つの複合型リアクトルとして構成できる。そのため、リアクトルの組付け工数や昇圧装置へのリアクトルの取付け工数を大幅に削減でき、コスト低減を図ることができる。
ところで、高磁気抵抗部は、磁路を形成する磁脚及び磁継部より磁気抵抗が非常に大きい。この高磁気抵抗部が、第1磁路と第2磁路の少なくとも磁脚及び磁継部に、それぞれ少なくとも1つ以上配設される。そのため、第1磁脚、第1磁継部、中央磁脚の一端部、第2磁継部、第2磁脚、第2磁継部、中央磁脚の他端部及び第1磁継部の閉回路からなる磁路は、第1磁路に対し、配設されている高磁気抵抗部の数が多い。その結果、磁気抵抗が大きく磁束が非常に流れにくくなる。従って、第1巻線が磁束を発生した場合、その磁束は第1磁路を流れ、第2巻線の磁路を形成する第2磁脚に流れる磁束は、第1磁路の磁束に較べ著しく少なくなる。つまり、第1巻線が発生する磁束が第2巻線に与える影響は、実用上問題の発生しないレベルになり、第2巻線が発生する磁束が第1巻線に与える影響も同様である。その結果、第1巻線と第2巻線との間には、磁気的な相互影響がほとんどなくなり、それぞれが独立したリアクトルとして動作することができる。
請求項2に記載の昇圧装置用複合型リアクトルによれば、第1磁路と第2磁路にそれぞれ配設される高磁気抵抗部の磁気抵抗が等しくなる。そのため、第1巻線と第2巻線の磁気的な相互影響を等しくすることができ、昇圧装置の出力特性の安定化を図ることができる。
さらに、昇圧装置は、各々のリアクトルに、それぞれ位相のずれた電流を流すことにより、低電圧を高電圧に昇圧する。従って、昇圧装置の出力が安定するためには、各々のリアクトルのインダクタンスは、等しい方がより好ましい。第1磁路と第2磁路にそれぞれ配設される高磁気抵抗部の磁気抵抗の合計がそれぞれ等しい場合、第1巻線と第2巻線のインダクタンスを容易に等しくできる。
請求項3に記載の昇圧装置用複合型リアクトルによれば、第1磁路と第2磁路にそれぞれ配設される空隙の磁気抵抗が等しくなる。そのため、より簡単に第1巻線と第2巻線の磁気的な相互影響を等しくすることができ、昇圧装置の出力特性の安定化を図ることができる。
ところで、空隙の磁気抵抗は、空隙の長さに比例し、空隙の断面積に反比例する。そのため、第1磁路と第2磁路にそれぞれ配設される空隙の断面積に対する長さの比(空隙の長さ/空隙の断面積)の合計がそれぞれ等しい場合、空隙の磁気抵抗も等しくなる。その結果、第1巻線と第2巻線のインダクタンスを等しくできる。
請求項4に記載の昇圧装置用複合型リアクトルによれば、中央磁脚の断面積を、第1磁脚の断面積と第2磁脚の断面積とを足し合わせた面積より小さくでき、リアクトルの小型、軽量化を図ることができる。
昇圧装置は、複数のチョッピング用スイッチング素子を、それぞれ位相をずらしてスイッチング動作させる。これにより、第1巻線と第2巻線には、それぞれ位相のずれた略三角波状の電流が流れる。
ところで、第1磁脚と第2磁脚に流れる磁束は、第1巻線と第2巻線とにそれぞれ流れる電流に比例する。従って、第1磁脚と第2磁脚とにそれぞれ流れる磁束も位相がずれるため、それらが合成される中央磁脚の磁束の最大値は、第1磁脚に流れる磁束の最大値と第2磁脚に流れる磁束の最大値とを足し合わせた値より小さくなる。そのため、中央磁脚の断面積を、第1磁脚の断面積と第2磁脚の断面積とを足し合わせた面積より小さくしても、磁気飽和することはなく、小型、軽量化を図ることができる。
請求項5に記載の昇圧装置用複合型リアクトルによれば、中央磁脚での磁気飽和を確実に防止でき、昇圧装置の出力特性を確保するとともに、小型、軽量化を図ることができる。
請求項6に記載の昇圧装置用複合型リアクトルによれば、中央磁脚は一体で構成されており、空隙が配設されないため、第1巻線と第2巻線のインダクタンスをともに低下させることはない。そのため、昇圧装置に適したインダクタンスを効率よく設定することができる。
請求項7に記載の昇圧装置によれば、安定した出力特性が得られるとともに、昇圧装置の小型、軽量化を図ることができる。
本実施形態は、電気自動車内に設けられる各種電気機器及び回路装置を駆動するための昇圧装置であり、バッテリの出力電圧12Vを48Vに昇圧する例を示す。
(第1実施形態)
第1実施形態における昇圧装置の回路図を図1に、昇圧装置のタイミングチャートを図2に、昇圧装置用複合型リアクトルのコアの平面図及び矢視断面図を図3に、昇圧装置用複合型リアクトルの平面図を図4に示す。
まず、図1及び図2を参照して、昇圧装置1について説明する。図1に示すように、昇圧装置1は、バッテリ(直流電源)2と、昇圧装置用複合型リアクトル3と、2つの逆流阻止用ダイオード4a、4bと、2つのトランジスタ(スイッチング素子)5a、5bと、平滑コンデンサ6とを備えている。
バッテリ2の正極には、第1巻線30及び第2巻線31からなる昇圧装置用複合型リアクトル3の一端が、共通して接続されている。この昇圧装置用複合型リアクトル3の他端は、それぞれ別々に、逆流阻止用ダイオード4a、4bのアノードと、エミッタを接地したトランジスタ5a、5bのコレクタとに接続されている。2つ逆流阻止用ダイオード4a、4bのカソードは、共通して高圧側の負荷の一端に接続されている。この高圧側の負荷には、平滑用コンデンサ6が並列接続されている。そして、高圧側の出力端子には、出力電圧を監視する電圧検出部7が接続され、電圧検出部7の出力が制御部8へ入力される。この制御部8は、トランジスタ5a、5bのベースと接続されており、電圧検出部7の出力に基づいてトランジスタ5a、5bをON、OFFさせる。
次に、図2を参照して昇圧装置1の動作について説明する。図2(a)及び(b)に示すように、2つのトランジスタ5a、5bは、制御部8からの駆動パルスによって、位相がπずれた状態で順次ONされる。そして、高圧側の出力電圧が48V以上になると、制御部8からの駆動パルスによって、トランジスタ5a、5bは順次OFFされる。ここで、高圧側の出力電圧は、電圧検出部7によって常時監視されており、出力電圧が48V以上の場合、電圧検出部7は制御部8に信号を出力する。制御部8は、この電圧検出部7からの信号に基づき、トランジスタ5a、5bを順次OFFする。
例えば、トランジスタ5aがONすると、バッテリ2から昇圧装置用複合型リアクトル3の第1巻線30へと電流が流れる。このとき、第1巻線30には、第1巻線30のインダクタンスと、第1巻線30に流れる電流の2乗とに比例する磁気エネルギーが蓄えられる。同様に、トランジスタ5bがONすると、位相がπずれた状態で、第2巻線31にも磁気エネルギーが蓄えられる。続いて、トランジスタ5a、5bがOFFすると、第1巻線30と第2巻線31とに蓄えられていた磁気エネルギーは、位相がπずれた状態で、逆流阻止用ダイオード4a、4bを介し高圧側の負荷へ供給される。このとき、高圧側へ電流が流れ、平滑用コンデンサ6により48Vの出力電圧が維持される。
ここで、第1巻線30と第2巻線31のインダクタンスをL、その両端電圧をE、第1巻線30と第2巻線31に流れる電流の時間微分値をΔI/Δtとすると、E=L(ΔI/Δt)の関係が成立する。従って、トランジスタ5a、5bがON状態にあるときの電流の立ち上がり勾配は、12V/Lである。また、トランジスタ5a、5bがOFF状態にあるときの電流の立ち下がり勾配は、(48V−12V)/L=36V/Lである。
その結果、第1巻線30と第2巻線31に流れる電流は、図2(c)及び(d)に示すように、位相がπずれ、立ち下がり勾配が立ち上がり勾配の3倍である三角波状の波形となる。また、第1巻線30に流れる電流と第2巻線31に流れる電流との合成電流は、図2(e)に示すように、三角波状のリプルを含んだ波形となる。この合成電流の最大値I0は、第1巻線31に流れる電流の最大値I1と、第2巻線31に流れる電流の最大値I2とを足し合わせた値(I1+I2)の0.67倍(I0=0.67(I1+I2))である。
次に、図3及び図4を参照して昇圧装置用複合型リアクトル3について説明する。図3及び図4に示すように、昇圧装置用複合型リアクトル3は、第1磁脚32及び第2磁脚33と、中央磁脚34と、第1磁継部35及び第2磁継部36と、第1巻線30及び第2巻線31と、空隙37とを備えている。なお、各磁脚と各磁継部とを明確にするため、図上に境界を示す破線が付してある。
図3(a)に示すように、第1磁脚32及び第2磁脚33は、磁性材であるけい素鋼板を積層して構成され、一側面の両端部に円弧部を有する同一形状の部材である。
中央磁脚34は、磁性材であるけい素鋼板を積層して構成され、図3(b)に示すように、第1磁脚32の断面積S1と第2磁脚33の断面積S2とを足し合わせた値(S1+S2)の0.69倍(S0=0.69(S1+S2))の断面積S0を有している。
そして、第1磁脚32の両端部と中央磁脚34の両端部との間及び第2磁脚33の両端部と中央磁脚34の両端部との間には、磁性材であるけい素鋼板を積層して構成された、同一断面形状の第1磁継部35及び第2磁継部36が配設される。第1磁継部35は、中央磁継部35aと、2つの磁脚側磁継部35b、35cと、それらに挟持され空隙37を確保するための2つのギャップスペーサ35dとを備えている。第2磁継部36は、中央磁継部36aと、2つの磁脚側磁継部36b、36cと、それらに挟持され空隙37を確保するための2つのギャップスペーサ36dとを備えている。第1磁継部35及び第2磁継部36のギャップスペーサ35d、36dは、樹脂からなる薄板の部材であり、その外形は、挟持される第1磁継部35及び第2磁継部36の断面外形と同じで、厚さは所定の磁気抵抗が得られる厚み(例えば1mm)に設定されている。そして、第1磁継部35及び第2磁継部36の磁脚側磁継部35b、35c、36b、36cは、中央磁脚34、第1磁脚32及び第2磁脚33の両端部に一体的に形成されている。
図4に示すように、第1巻線30及び第2巻線31は、それぞれに電流を流したとき、中央磁脚34の同じ方向に磁束が流れるよう、絶縁部材(図略)を介し、第1磁継部35及び第2磁継部36にそれぞれ巻回されている。
このような昇圧装置用複合型リアクトル3が、図1の昇圧装置1に用いられ、図2のように駆動された場合、第1巻線30及び第2巻線31は、入力電流に比例した磁束を発生する。例えば、第1巻線30の発生する磁束は、図4(a)に示すように、第1磁路30a以外に、第1磁脚32、第1磁継部35、中央磁脚34の一端部、第2磁継部36、第2磁脚33、第2磁継部36、中央磁極34の他端部及び第1磁継部35の閉回路からなる第1漏れ磁路30bへも流れようとする。しかし、第1磁路30aに、4つの空隙37が配設されているのに対し、第1漏れ磁路30bには、8つの空隙37が配設されている。そのため、第1漏れ磁路30bは、第1磁路30aより磁気抵抗が非常に大きく、第1漏れ磁路30bの磁束は、第1磁路30aの磁束に較べ著しく少なくなる。従って、第1巻線30が発生する磁束が、第2巻線31に与える影響は実用上問題の発生しないレベルになり、第2巻線31が発生する磁束が、第1巻線30に与える影響も同様である。その結果、第1巻線30と第2巻線31との間には、磁気的な相互影響がほとんどなくなり、それぞれ独立したリアクトルとして動作することができる。
また、全ての空隙37は、ギャップスペーサ35d、36dにより、同一断面形状となり、所定の長さに管理されているため、8つの空隙37の磁気抵抗は全て等しい。そのため、空隙37がそれぞれ4つずつ配設されている第1磁路30aと第2磁路31aの磁気抵抗も等しくなる。従って、第1巻線30と第2巻線31のインダクタンスを等しくでき、昇圧装置1の出力特性の安定化を図ることができる。
ところで、中央磁脚34に流れる磁束は、第1巻線30の発生する磁束と、第2巻線31の発生する磁束とを足し合わせたものである。第1巻線30及び第2巻線31の発生する磁束は、第1巻線30及び第2巻線31に流れる電流に比例する。そのため、中央磁脚34に流れる磁束は、第1巻線30と第2巻線31の合成電流に比例する。図2に示すように、この合成電流の最大値I0は、第1巻線30に流れる電流の最大値I1と、第2巻線31に流れる電流の最大値I2とを足し合わせた値(I1+I2)の0.67倍(I0=0.67(I1+I2))である。従って、中央磁脚34に流れる磁束の最大値も、第1巻線30の発生する磁束の最大値と、第2巻線31の発生する磁束の最大値とを足し合わせた値の0.67倍となる。その結果、中央磁脚34の断面積S0は、第1磁脚32の断面積S1と第2磁脚33の断面積S2とを足し合わせた値(S1+S2)より小さく(S0<S1+S2)しても磁気飽和はせず、小型、軽量化を図ることができる。また、中央磁脚34の断面積S0は、少なくとも0.67倍以上(S0≧0.67(S1+S2))あれば磁気飽和せず、出力特性を確保でき、バッテリ電圧変動を考慮すると、0.69倍(S0=0.69(S1+S2))であれば十分である。さらに、0.69倍以上(S0≧0.69(S1+S2))であればより好ましい。
さらに、第1巻線30と第2巻線31の発生する磁束が同じ方向に重畳して流れる中央磁脚34には、空隙37が配設されないため、第1巻線30と第2巻線31のインダクタンスをともに低下させることはない。そのため、昇圧装置1に適したインダクタンスを効率よく設定することができる。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態における昇圧装置用複合型リアクトルのコアの平面図を図5に示す。ここでは、第1実施形態における昇圧装置用複合型リアクトル3との相違部分についてのみ説明し、共通する部分ついては、必要とされる箇所以外説明を省略する。なお、前記実施形態と同一の要素には同一の符号を付して説明する。
空隙37は、第1磁路30aの少なくとも第1磁脚32及び第1磁継部35と、第2磁路31aの少なくとも第2磁脚33及び第2磁継部36とに、それぞれ少なくとも1つ以上配設されていればよい。
まず、第1磁路30aの第1磁脚32及び2つの第1磁継部35にそれぞれ1つずつ、さらに、第2磁路31aの第2磁脚33及び2つの第2磁継部36にそれぞれ1つずつ、合計6つの空隙37が配設されている例について説明する。
図5(a)に示すように、第1磁継部35は、第1磁脚側磁継部35eと、中央磁脚側磁継部35fと、それらに挟持され空隙37を確保するためのギャップスペーサ35gとを備えている。第2磁継部36は、第2磁脚側磁継部36eと、中央磁脚側磁継部36fと、それらに挟持され空隙37を確保するためのギャップスペーサ36gとを備えている。第1磁脚32は、上側第1磁脚32aと、下側第1磁脚32bと、それらに挟持され空隙37を確保するためのギャップスペーサ32cとを備えている。第2磁脚33は、上側第2磁脚33aと、下側第2磁脚33bと、それらに挟持され空隙37を確保するためのギャップスペーサ33cとを備えている。そして、第1磁脚側磁継部35eは、上側第1磁脚32a及び下側第1磁脚32bの端部に、第2磁脚側磁継部36eは、上側第2磁脚33a及び下側第2磁脚33bの端部に、それぞれ一体に形成されている。さらに、中央磁脚側磁継部35f、36fは、中央磁脚34の両端部に一体に形成されている。
次に、第1磁路30aの2つの第1磁継部35にそれぞれ1つずつ、さらに、第2磁路31aの2つの第2磁継部36にそれぞれ1つずつ、合計4つの空隙37が配設されている例について説明する。
図5(b)に示すように、第1磁継部35は、第1磁脚側磁継部35eと、中央磁脚側磁継部35fと、それらに挟持され空隙37を確保するためのギャップスペーサ35gとを備えている。第2磁継部36は、第2磁脚側磁継部36eと、中央磁脚側磁継部36fと、それらに挟持され空隙37を確保するためのギャップスペーサ36gとを備えている。そして、第1磁脚側磁継部35eは、第1磁脚32の両端部に、第2磁脚側磁継部36eは、第2磁脚33の両端部に、それぞれ一体に形成されている。さらに、中央磁脚側磁継部35f、36fは、中央磁脚34の両端部に一体に形成されている。
さらに、第1磁路30aの第1磁脚32と、第2磁路31aの第2磁脚33とに、それぞれ1つずつ、合計2つの空隙37が配設されている例について説明する。
図5(c)に示すように、第1磁脚32は、上側第1磁脚32aと、下側第1磁脚32bと、それらに挟持され空隙37を確保するためのギャップスペーサ32cとを備えている。第2磁脚33は、上側第2磁脚33aと、下側第2磁脚33bと、それらに挟持され空隙37を確保するためのギャップスペーサ32cとを備えている。そして、第1磁継部35は、一端が中央磁脚34の端部と一体に形成されるとともに、他端は、上側第1磁脚32a及び下側第1磁脚32bの端部に一体に形成されている。第2磁継部36は、一端が中央磁脚34の端部と一体に形成されるとともに、他端は、上側第2磁脚33a及び下側第2磁脚33bの端部に一体に形成されている。
これら、第2実施形態によれば、第1実施形態に対し空隙37の数が減ることにより、第1巻線30と第2巻線31のインダクタンス設定範囲が広がる。そのため、昇圧装置1に適したインダクタンスをより効率よく設定することができる。
(第3実施形態)
次に、第3実施形態における昇圧装置用複合型リアクトルの平面図を図6に示す。
ここでは、第1実施形態及び第2実施形態における昇圧装置用複合型リアクトル3との相違部分についてのみ説明し、共通する部分ついては、必要とされる箇所以外説明を省略する。なお、前記実施形態と同一の要素には同一の符号を付して説明する。
第1巻線30及び第2巻線31は、第1磁路30a及び第2磁路31aの中央磁脚34を除く磁脚及び磁継部に券回されていればよい。図6(a)に示すように、第1巻線30及び第2巻線31は、絶縁部材を介して、それぞれ2つある第1磁継部35及び第2磁継部36のうち一方にのみ券回されている。また、図6(b)に示すように、第1巻線30及び第2巻線31は、絶縁部材を介し、第1磁脚32及び第2磁脚33にそれぞれ巻回されている。
これら、第3実施形態によれば、昇圧装置用複合型リアクトル3の外形を、昇圧装置1への実装に最適な形状に、効率よく設定することができ、昇圧装置1の小型、軽量化を図ることができる。
なお、上述した実施形態において、磁脚及び磁継部は、けい素鋼板で構成されているが、
これに限られるものではない。例えば、フェライト材を焼成したものであってもよい。また、第1磁路及び第2磁路にギャップスペーサを配設して空隙を確保しているが、これに限られるものではない。例えば、磁気抵抗の高い非磁性材からなる薄板を磁路に配設していてもよい。さらに、2相の昇圧装置を取りあげているが、これに限られるものではない。多相の昇圧装置に用いられる複数のリアクトルのうち、流れる電流の位相が異なる2つのリアクトルに適用してもよい。
第1実施形態における昇圧装置の回路図を示す。 第1実施形態における昇圧装置のタイミングチャートを示す。 第1実施形態における昇圧装置用複合型リアクトルのコアの平面図及び矢視断面図を示す。 第1実施形態における昇圧装置用複合型リアクトルの平面図を示す。 第2実施形態における昇圧装置用複合型リアクトルのコアの平面図を示す。 第3実施形態における昇圧装置用複合型リアクトルの平面図を示す。
符号の説明
3 ・・・ 昇圧装置用複合型リアクトル
30 ・・・ 第1巻線
31 ・・・ 第2巻線
32 ・・・ 第1磁脚
33 ・・・ 第2磁脚
34 ・・・ 中央磁脚
35 ・・・ 第1磁継部
36 ・・・ 第2磁継部
37 ・・・ 空隙
30a ・・・ 第1磁路
31a ・・・ 第2磁路

Claims (7)

  1. 電流を変化させることにより磁束を変化させる第1巻線と、前記第1巻線に流れる電流に対し位相をずらした電流を変化させることにより磁束を変化させる第2巻線と、少なくとも前記第1巻線の発生する磁束を流すための磁路を形成する第1磁脚と、少なくとも前記第2巻線の発生する磁束を流すための磁路を形成する第2磁脚と、前記第1巻線及び前記第2巻線の発生する磁束を互いに同じ方向に重畳して流すための共通の磁路を形成する中央磁脚と、前記第1磁脚の両端部と前記中央磁脚の両端部とを磁気的に連結し磁路を形成する第1磁継部と、前記第2磁脚の両端部と前記中央磁脚の両端部とを磁気的に連結し磁路を形成する第2磁継部とを備えた昇圧装置用複合型リアクトルにおいて、
    さらに、前記第1磁脚、前記第1磁継部及び前記中央磁脚の閉回路からなる第1磁路の少なくとも前記第1磁脚及び前記第1磁継部に少なくとも1つ以上配設される高磁気抵抗部と、前記第2磁脚、前記第2磁継部及び前記中央磁脚の閉回路からなる第2磁路の少なくとも前記第2磁脚及び前記第2磁継部に少なくとも1つ以上配設される高磁気抵抗部とを有することを特徴とする昇圧装置用複合型リアクトル。
  2. 前記高磁気抵抗部は、前記第1磁路の少なくとも前記第1磁脚及び前記第1磁継部に配設される各前記高磁気抵抗部の磁気抵抗の合計と、前記第2磁路の少なくとも前記第2磁脚及び前記第2磁継部に配設される各前記高磁気抵抗部の磁気抵抗の合計とが等しいことを特徴とする請求項1記載の昇圧装置用複合型リアクトル。
  3. 前記高磁気抵抗部は、空隙であり、前記第1磁路の少なくとも前記第1磁脚及び前記第1磁継部に配設される各前記空隙の断面積に対する長さの比の合計と、前記第2磁路の少なくとも前記第2磁脚及び前記第2磁継部に配設される各前記空隙の断面積に対する長さの比の合計とが等しいことを特徴とする請求項2記載の昇圧装置用複合型リアクトル。
  4. 前記中央磁脚は、前記第1磁脚の断面積と前記第2磁脚の断面積とを足した面積より小さい断面積を有することを特徴とする請求項2記載の昇圧装置用複合型リアクトル。
  5. 前記中央磁脚は、前記第1磁脚の断面積と前記第2磁脚の断面積とを足した面積の0.69倍以上の断面積を有することを特徴とする請求項4記載の昇圧装置用複合型リアクトル。
  6. 前記中央磁脚は、一体で構成されることを特徴とする請求項2記載の昇圧装置用複合型リアクトル。
  7. 直流電源と、前記直流電源に一端が共通して接続される少なくとも2つのリアクトルと、前記リアクトルの他端にそれぞれアノードが接続される前記リアクトルと同数のダイオードと、前記ダイオードのアノードが接続された前記リアクトルの他端にそれぞれ接続される前記リアクタンスと同数のスイッチング素子とを備えた昇圧装置において、
    さらに、前記リアクトルは、請求項1乃至6記載の昇圧装置用複合型リアクトルであることを特徴とする昇圧装置。
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