JP2005078728A - 半導体集積回路装置及びその検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 起動部22は、第1のメモリセル31A等と同一の構成を有し、初期化情報記憶部21の各差動アンプ32を起動するか否かの起動データを保持する起動メモリセル34、該起動メモリセル34から出力される微弱なデータ信号を増幅して出力するアンプ35と、該アンプ35が増幅した起動信号をラッチして制御信号REDENを出力するラッチ回路36と、該ラッチ回路36からの制御信号REDENを各差動アンプ32に供給するドライバ回路37とを有している。
【選択図】 図2
Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第3の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第4の実施形態について図面を参照しながら説明する。
11 論理回路(コアロジック)
12 DRAM回路
13 第1のSRAM回路
14 第2のSRAM回路
15 アナログ回路
16 初期化情報保持回路
21 初期化情報記憶部
22 起動部
23 制御回路
231 アンプ制御回路
31A 第1のメモリセル
31B 第2のメモリセル
32 差動アンプ
33 ラッチ回路
34 起動メモリセル
34A 第1の起動メモリセル
34B 第2の起動メモリセル
35 アンプ
36 ラッチ回路
37 ドライバ回路
38 差動アンプ
41 不揮発性メモリ素子
42 Pch負荷トランジスタ
43 第5のNchトランジスタ
44 第3のPchトランジスタ
AEND アンプ起動信号
AEND1 起動部アンプ起動信号
RE 外部読み出し信号
RED 内部読み出し信号
CGD コントロールゲート制御信号
REDEN 制御信号
DETEN 内部起動信号
EXDETEN 内部起動信号
VP 接地電位
OUT 出力信号
Claims (15)
- 第1の不揮発性メモリ素子及び第2の不揮発性メモリ素子と、
前記第1の不揮発性メモリ素子からの出力信号を増幅して外部に出力する第1の増幅器と、
前記第2の不揮発性メモリ素子からの出力信号を増幅した制御信号を前記第1の増幅器に出力する第2の増幅器とを備え、
前記第2の増幅器は、前記第1の増幅器からの出力値を前記第2の不揮発性メモリ素子が保持するデータに基づいてハイ電位又はロー電位に固定することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記第1の増幅器からの出力値は、1つの制御信号によって決定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1の不揮発性メモリ素子は複数設けられており、
前記第1の増幅器は、前記複数の第1の不揮発性メモリ素子のうちの2つの素子からの出力信号を少なくとも2つのゲートに受ける複数のトランジスタを有する第1の差動増幅器であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第1の差動増幅器は、その出力値が決定される制御信号を受けて前記第1の差動増幅器の出力ノードをハイ電位に固定することにより、前記第1の差動増幅器を不活性状態とすることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2の不揮発性メモリ素子及び前記第2の増幅器からなる対を複数対有し、
前記複数の第2の増幅器からそれぞれ出力される制御信号は論理和演算されて前記第1の増幅器に出力されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2の増幅器から出力される制御信号は、読み出し信号と論理積演算されて、前記第1の増幅器に出力されることを特徴とする請求項1、2又は5に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2の不揮発性メモリ素子は複数設けられており、
前記第2の増幅器は、前記複数の第2の不揮発性メモリ素子のうちの2つの素子からの出力信号を少なくとも2つのゲートに受ける複数のトランジスタを有する第2の差動増幅器であり、
2つの前記第2の不揮発性メモリ素子及び1つの前記第2の差動増幅器からなる組を1組以上有し、
前記第2の差動増幅器は前記制御信号を出力することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2の差動増幅器から出力される制御信号は、読み出し信号と論理積演算されて前記第1の増幅器に出力されることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2の差動増幅器から出力される制御信号は、読み出し信号と外部入力端子に入力される外部信号とが論理積演算されて生成され、生成された信号が前記第1の増幅器に出力されることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装置。
- 前記外部入力端子は、製造後の検査工程に用いられ、
前記検査工程の後に、前記第2の差動増幅器が活性状態とされることにより、前記第1の増幅器は活性状態にされ、且つ前記外部入力端子は所定の電圧レベルに固定されることを特徴とする請求項9に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第1の不揮発性メモリ素子及び前記第2の不揮発性メモリ素子は、
ソースとドレインと基板とが互いに接続されてコントロールゲートを形成するP型トランジスタと、ゲートが前記P型トランジスタのゲートと接続されてフローティングゲートを形成するN型トランジスタとから構成されていることを特徴とする請求項1〜11のうちのいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。 - 第1の不揮発性メモリ素子及び第2の不揮発性メモリ素子と、前記第1の不揮発性メモリ素子からの出力信号を増幅して外部に出力する第1の増幅器と、前記第2の不揮発性メモリ素子からの出力信号を増幅した制御信号を前記第1の増幅器に出力する第2の増幅器とを備えた半導体集積回路装置の検査方法であって、
前記第2の不揮発性メモリ素子における製造後の閾値が相対的に低い場合で且つ前記第2の不揮発性メモリ素子の保持データを決定するプログラムが不要である場合は、前記第2の不揮発性メモリ素子に対するプログラムは行なわず、
前記第2の不揮発性メモリ素子における製造後の閾値が相対的に高い場合で且つ前記第2の不揮発性メモリ素子の保持データを決定するプログラムが必要である場合は、前記第1の増幅器の出力電位を決定する前記第2の不揮発性メモリ素子に、前記第1の増幅器が活性状態となるデータをプログラムし、且つ前記第1の不揮発性メモリ素子には所定のデータを書き込むことを特徴とする半導体集積回路装置の検査方法。 - 第1の不揮発性メモリ素子及び第2の不揮発性メモリ素子と、前記第1の不揮発性メモリ素子からの出力信号を増幅して外部に出力する第1の増幅器と、前記第2の不揮発性メモリ素子からの出力信号を増幅した制御信号を前記第1の増幅器に出力する第2の増幅器とを有し、前記第2の不揮発性メモリ素子は複数設けられており、前記第2の増幅器は、前記複数の第2の不揮発性メモリ素子のうちの2つの素子からの出力信号を少なくとも2つのゲートに受ける複数のトランジスタを有する差動増幅器であり、2つの前記第2の不揮発性メモリ素子及び1つの前記差動増幅器からなる組を1組以上有し、前記差動増幅器が前記制御信号を出力し、前記制御信号は読み出し信号と外部入力端子に入力される外部信号とが論理積演算されて生成され、生成された信号が前記第1の増幅器に出力される半導体集積回路装置の検査方法であって、
前記第2の不揮発性メモリ素子における製造後の閾値が相対的に高い場合に、前記第1の不揮発性メモリ素子及び第2の不揮発性メモリ素子が保持するデータを消去する第1の工程と、
前記外部入力端子から検査用信号を入力することにより、前記第1の増幅器からの出力信号を受ける検査対象である回路の検査を行なう第2の工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置の検査方法。 - 第1の不揮発性メモリ素子及び第2の不揮発性メモリ素子と、前記第1の不揮発性メモリ素子からの出力信号を増幅して外部に出力する第1の増幅器と、前記第2の不揮発性メモリ素子からの出力信号を増幅した制御信号を前記第1の増幅器に出力する第2の増幅器とを有し、前記第2の不揮発性メモリ素子は複数設けられており、前記第2の増幅器は、前記複数の第2の不揮発性メモリ素子のうちの2つの素子からの出力信号を少なくとも2つのゲートに受ける複数のトランジスタを有する差動増幅器であり、2つの前記第2の不揮発性メモリ素子及び1つの前記差動増幅器からなる組を1組以上有し、前記差動増幅器が前記制御信号を出力し、前記制御信号は読み出し信号と外部入力端子に入力される外部信号とが論理積演算されて生成され、生成された信号が前記第1の増幅器に出力される半導体集積回路装置の検査方法であって、
前記差動増幅器が不活性状態となるように前記外部入力端子に信号を入力すると共に前記差動増幅器の出力値をハイ電位又はロー電位に固定することにより、前記第1の増幅器の出力値を前記差動増幅器の出力値と一致させるか又は逆の値に固定して検査を行なう工程と、
前記第2の不揮発性メモリ素子の保持データを決定するプログラムが不要である場合は、前記差動増幅器が非活性状態となるように前記第2の不揮発性メモリ素子に対してプログラムを実施する工程と、
前記第2の不揮発性メモリ素子の保持データを決定するプログラムが必要である場合は、前記差動増幅器が活性状態となるように前記第2の不揮発性メモリ素子に対してプログラムを実施し、且つ前記第1の不揮発性メモリ素子に所定のデータを書き込む工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置の検査方法。 - 前記第1の不揮発性メモリ素子及び前記第2の不揮発性メモリ素子は、
ソースとドレインと基板とが互いに接続されてコントロールゲートを形成するP型トランジスタと、ゲートが前記P型トランジスタのゲートと接続されてフローティングゲートを形成するN型トランジスタとから構成されていることを特徴とする請求項12〜14のうちのいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の検査方法。
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