JP2005078727A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

【課題】十分なＲＯＭ容量を確保すると同時に追記記録可能なＲＡＭ機能を付加し、更に片面２層ＤＶＤとの再生互換を確保する。
【解決手段】光ディスク１０は、光反射率を利用した位相ピット１４，２０で情報が記録されたＲＯＭ部を基板１２の片面側にスペース層１８を介して２つ設け、例えば基板１２側のＲＯＭ部に追記記録層１６が形成されている。追記記録層１６は光磁気記録膜を備え、レーザービーム２８による記録再生ができ、追記記録層１６と同時に位相ピット１４の再生ができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光反射率を利用した位相ピットで情報が記録されたＲＯＭ部を基板の片面側に２つ以上設けた光ディスクに関し、特にＲＯＭ部と一体にＲＡＭ部を設けた光ディスクに関する。

従来、ＲＯＭ系光ディスクにおいては、大容量化のために例えば図1３に示すような構造の片面２層のＤＶＤディスク１００が実用化されている。図１３の構造は、レーザービーム入射側となる基板１０２の円周方向に位相ピット１０４を形成し、続いて半透明反射層１０６が設けられ、これが一方のＲＯＭ部となる。更にスペース層１０８を介して位相ピット１１２を形成した反射層１１０が設けられ、これがもう一方のＲＯＭ部となる。さらに接着層１１４によりダミー基板１１６が固着されている。

この片面２層のＤＶＤディスク１００にあっては、レーザービーム１１８のフォーカス点をそれぞれのＲＯＭ部の位相ピットの位置に調整して再生することにより、お互いのＲＯＭ部からの漏れ込みによる信号クロストークを小さし、個別に再生することが可能となり、大容量化が可能となる。

また、図１４のように、ＲＯＭ部２０２とＲＡＭ部２０４が混在する所謂パーシャルＲＯＭタイプの光ディスク２００も提案されている。図１４の例では、基板の一部となる内周側を位相ピットからなるＲＯＭ部２０２で形成し、残りの外周側の部分をＲＡＭ部２０４で形成する。このようなＲＯＭ-ＲＡＭディスクを用いることで従来のＲＯＭディスクやＲＡＭディスクとは異なる新しい用途が実現されることが期待されている。

また、図１５のように、片面２層構成のうちの1層を位相ピットからなるＲＯＭ部とし、もう一方の層を記録消去可能なＲＡＭ部から構成する光ディスク３００が開示されている（特許文献１）。即ち、基板３０２に続いてＲＡＭ部を構成する記録再生層３０４を設け、スペース層３０６を介して位相ピット３０８を形成した反射層３１０を設けてＲＯＭ部とし、更に接着層３１２によりダミー基板３１４を固着した構造としている。なお、記録再生層３０４はランドとグルーブを交互に構成し、ランドを記録面とした構造をもっている。

この場合にも、レーザービーム３１６のフォーカス点をＲＡＭ部の位置に調整して記録再生し、またＲＯＭ部の位置に調整して再生することにより、お互いからの漏れ込みによる信号クロストークを小さし、ＲＡＭ部の記録再生とＲＯＭ部の再生を個別に行うことができる。
特開平９−１８０２４８号公報

しかしながら、このような従来のＲＡＭ−ＲＯＭ構成の光ディスクにあっては、次のような問題がある。まず図１４のパーシャルＲＯＭディスクでは、ＲＯＭ部とＲＡＭ部の容量がトレードオフ関係になっており、一方の必要容量が増加すると他方の容量が低下するという問題がある。

また図１５のＲＡＭ−ＲＯＭ構成の光ディスクにあっては、ＲＯＭ部及びＲＡＭ部ともに容量は増加するが、それでもやはりＲＯＭ部の容量は1層までとなり、限界がある。特に図１３の片面２層のＤＶＤディスクに比べると原理的にＲＯＭの容量が不足してしまい、用途が限定されてしまう。

更に、図１４及び図１５どちらのＲＡＭ−ＲＯＭ構成の光ディスクも、現在実用化されている図１３の片面２層構成のＤＶＤディスクとの再生互換の確保ができないという問題がある。

本発明は、十分なＲＯＭ容量を確保すると同時に追記記録可能なＲＡＭ機能を付加し、更に片面２層構成のＤＶＤディスクとの再生互換を確保する光ディスクを提供することを目的とする。

この目的を達成するため本発明は次のように構成する。本発明の光ディスクは、光反射率を利用した位相ピットで情報が記録されたＲＯＭ部を基板の片面側にスペース層を介して２つ以上設け、少なくとも１つのＲＯＭ部に追記記録可能なＲＡＭ部を設けたことを特徴とする。これは１つのＲＯＭ部に追加記録可能な記録層を設ける構造である。

本発明の光ディスクの基本構造は、スペース層を介してＲＯＭ部を２つ設け、一方のＲＯＭ部に追記記録層が形成されていることを特徴とする。この場合、光ディスクにおける光ビームの入射側のＲＯＭ部に追記記録層を設ける。また光ビームの入射側からみて２番目のＲＯＭ部に追記記録層を設けるようにしてもよい。

光ディスクの追記記録層は光磁気記録膜で構成されている。具体的には、位相ピットからなるＲＯＭ部上に光磁気記録膜を形成し、位相ピット上の光磁気記録膜に情報が記録されている。このため光磁気記録膜（ＲＡＭ部を形成したＲＯＭ部にレーザビームのフォーカス点を調整すれば、ＤＣ連続光となるレーザービームにより位相ピットの再生と光磁気記録膜の再生を同時に行うことができる。

ＲＯＭ部に設けた光磁気記録膜に記録する磁気マークの最短長さはＲＯＭ最短マークの長さのｎ倍（但しｎ＝１，２，３・・・の任意の整数）とする。即ち、同一位置となるＲＯＭ部の最短位相ピットに対するＲＡＭ部の最短磁気マークの長さは、同じかその整数倍とする。

本発明の光ディスクにおけるスペース層の厚さが４０ｎｍ〜６０ｎｍである。これによって片面２層ＤＶＤと同じディスク厚さ１．２ｍｍを確保し、再生互換をとる。

本発明の光ディスクにおける追記記録層が設けられていないもう一方のＲＯＭ部を金属反射膜で形成する。

本発明の光ディスクの基板及びスペース層は、測定用光ビームに直交する基準平面に対して測定用光ビームの基板への照射位置を通過する位相ピット列方向の接線を中心に２０度傾いた姿勢で測定したシングルパスの第１複屈折値と、基準平面に対して基板が位相ピット列に垂直な基板面内の直線を中心に２０度傾いた姿勢で測定したシングルパスの第２複屈折値との差がジッタを１２パーセントとする値以下、例えば３７ｎｍ以下であるように構成する。

本発明の光ディスクは、追記記録層を設けたＲＯＭ部の光ビームの反射による変調度をＩ１、もう一方の層の変調度をＩ２とした時、Ｉ１＜Ｉ２であることを特徴とする。また、記追記記録層を設けたＲＯＭ部の位相ピットの深さをＤ1、もう一方のＲＯＭ部の位相ピットの深さをＤ２とした時、Ｄ１＜Ｄ２であることを特徴とする。

更に、追記記録層を設けたＲＯＭ部の単体での反射率をＲ１、もう一方のＲＯＭ部の単体での反射率をＲ２とした時、Ｒ１＜Ｒ２であることを特徴とする。例えば反射率Ｒ１は３０パーセント乃至７０パーセントであり、且つ反射率Ｒ２は８０パーセント以上である。

このような本発明の光ディスクにあっては、位相ピットで情報が記録された少なくとも２つのＲＯＭ部の一方に追記記録層として光磁気記録層を設けたことで、十分なＲＯＭ容量を確保すると同時に追記記録可能なＲＡＭ機能を付加することができる。また２つのＲＯＭ部は従来の片面２層ＤＶＤと同じ構成をとっているため、片面２層ＤＶＤとの再生互換を確保することができる。

図１は、本発明による光ディスクの実施形態を示した構造断面図であり、片面２層のＲＯＭ部のレーザビーム入射側のＲＯＭ部に追記記録層を設けたことを特徴とする。

図１において、光ディスク１０は、基板１２、一方のＲＯＭ部を構成する位相ピット１４、ＲＡＭ部を構成する追記記録層１６、スペース層１８、もう一方のＲＯＭ部を構成する位相ピット２０、反射層２２、接着層２４及びダミー基板２６で構成される。

基板１２はポリカーボネイトまたはアモルファスポリオリフィンなどを材料とし、後の説明で明らかにする基板の２０度入射時の複屈折差を所定値とした光学特性のものを用いる。基板１２の表面には、成型により、一方のＲＯＭ部を構成する位相ピット１４が形成されている。この基板１２の厚さは約０．５８ｍｍである。この基板１２をスパッタ装置に導入し、追記記録層１６を成膜する。

図２は、位相ピット１４上に追記記録層１６を成膜した状態での基板１２を下側から見て示しており、基板１２の内側の面にトラック方向（円周方向）に位相ピット１４が形成され、その表面に追記記録層１６が成膜されている。

図３は、図１における追記記録層１６の詳細構造の断面図である。図３において、基板１２の位相ピット形成面に対し、まずＳｉＮなどの誘電体膜３２を成膜し、次にＴｂＦｅＣｏなどの光磁気記録膜３４を成膜し、続いてＳｉＮなどの誘電体膜３６を成膜し、最後に半透明反射膜３８を成膜する。

このように構成された追記記録層１６を構成する各膜について、膜厚を調整することで、基板１２側からのレーザビームの入射に対する反射率と透過率を所定の値に合わせ込む。具体的には、反射率及び透過率は主に半透明反射膜３８と光磁気記録膜３４により決まり、その反射率をＲ１とすると、Ｒ１＝３０パーセント〜７０パーセントの範囲に合わせ込めばよい。

ここで図１の光ディスク１０に使用する基板１２としては、測定用レーザビームに直交する基板の基準平面に対し、ビーム照射位置を通過する位相ピット列方向（トラック方向）の接線を中心に２０度傾いた姿勢で測定したシングルパスの第１複屈折値Ａ１と、基準面に対し基板を位相ピット列に垂直な基準面内の直線を中心に２０度傾いた姿勢で測定したシングルパスの第２複屈折値Ａ２との差（Ａ１−Ａ２）が、再生信号におけるジッタを１２パーセントとする値以下とする光学特性としている。

図４は、本発明の光ディスク１０で使用する基板１２の複屈折測定の説明図である。図４（Ａ）は複屈折測定状態を側面から示しており、基板１２を水平な基準面に対し２０度傾けた状態でレーザビーム６２を照射して透過し、複屈折測定系６０で複屈折値を測定している。

図４（Ｂ）は、本発明の基板１２における第１複屈折値Ａ１と第２複屈折値Ａ２を測定する場合の基板１２の傾斜姿勢の説明図である。図４（Ｂ）において、基板１２の照射位置Ｐにレーザビーム６２を照射する場合、照射位置Ｐを通るピット列６５の接線６８と平行な第１軸６４を中心に、図４（Ａ）のように、基板１２を水平状態の基準面に対し２０度傾けた姿勢でレーザビーム６２を基板１２に照射して、第１複屈折値Ａ１を測定する。

続いて、レーザビーム６２の照射位置Ｐのピット列６５を通る接線６８に垂直な基準面内の第２軸６６を中心に、第２軸６６から見て図４（Ａ）のように基板１２を２０度傾けた姿勢でレーザビーム６２を照射して、第２複屈折値Ａ２を測定する。

ここで第１軸６４を中心とした基板１２の傾斜姿勢は、ピット列６５を半径方向に傾斜させてレーザビーム６２の照射による複屈折値を測定するものである。これに対し第２軸６６を中心に基板１２を２０度傾けた姿勢は、ピット列６５の方向、即ちトラック方向に基板１２を２０度傾けた姿勢である。

更に、図４において測定している複屈折値は、進行方向に直交する方向に振幅成分を持つレーザビームを基板１２に入射したい場合、基板１２がその結晶構造に依存して持つ直交ベクトル成分のそれぞれに対応したレーザビームの直交成分が、基板１２を通過した後にそれぞれに進行方向のずれを生ずる現象を測定しており、このレーザビームの基板１２を通過後の直交する２成分の進行方向のずれ量を複屈折値として測定している。

図５は、図４の複屈折測定で得られた測定結果の一例である。この測定結果は、半径方向に傾けた第１複屈折値Ａ１とトラック方向に傾けた第２複屈折値Ａ２につき、傾斜角を１０度、２０度及び３０度とした場合について測定しており、両者の測定結果から複屈折差（Ａ１−Ａ２）を求めている。

図６は、図１の基板１２の位相ピット１４上に図３の膜構成を持つ追記記録層１６を形成した状態で、基板１２を２０度傾斜させた２０度入射時の複屈折差に対する追記記録層１６に記録した情報を再生した際のジッタとの関係を示した測定結果の特性図である。この図６（Ａ）の特性から明らかなように、追記記録型の光ディスクにおいて再生時に要求されるジッタの限界は約１２パーセントであり、このときの２０度入射の複屈折差は約４０ｎｍとなっている。

したがって、本発明の光ディスク１０で使用する基板１２としては、再生信号のジッタ１２パーセントに対応した２０度入射の複屈折差４０ｎｍ以下となるように光学特性を設定する必要がある。

なお再生信号のジッタ１２パーセントは、実用上はかなり厳しい数字であり、限界的にはジッタは１１パーセント程度が限界であり、このときの２０度入射複屈折差は例えば３７ｎｍであり、したがって本発明の基板１２の光学特性としては２０度入射の複屈折差が３７ｎｍ以下のものを使用することが望ましい。

図６（Ｂ）は、従来のＭＯ基板を対象とした２０度入射の複屈折差とジッタの特性を示しており、従来のＭＯ基板にあっては本発明のようにＲＯＭ部を構成する位相ピット１４がなく、ランドとグルーブを交互に形成し、ランド上の光磁気記録層に磁気マークを記録し、これを再生しており、図６（Ａ）の本発明の光ディスク１０の追記記録層１６の再生のような２０度入射の複屈折差に対するジッタとの関係は得られず、２０度入射の複屈折差の変化に対し、ジッタは８パーセント以下に収まっている。

このため、従来のＭＯ基板については、本発明の基板１２において所定のジッタが得られるように２０度入射の複屈折差を所定値以下とする光学特性の要求条件は成立せず、この要求条件は、本発明の光ディスク１０に固有な光学特性、即ち位相ピット１４上に追記記録層１６を成膜した構造に要求される固有の光学特性といえる。

再び図１を参照するに、以上のように基板１２の位相ピット１４上に追記記録層１６として図３の成膜を順次行ったならば、この成膜面に対し、予め位相ピット２０が形成されたスタンパを密着貼合せしてＵＶ硬化させる２Ｐ法により、スペース層１８を介して２番目のＲＯＭ部となる位相ピット２０を形成する。

ここで、スペース層１８として使用するスタンパも、基板１２と同様、図４に示した複屈折測定における半径方向及びトラック方向のそれぞれで２０度傾けた姿勢で測定した第１及び第２複屈折値Ａ１，Ａ２の差（Ａ１−Ａ２）が、ジッタ１２パーセントに対応した所定値以下となる光学特性のものを使用する。

このようにして２番目のＲＯＭ部を構成する位相ピット２０を形成したならば、これを再度スパッタ装置に導入し、反射層２２を形成する。反射層２２はＡｌ、金、銀又これらの合金などの金属膜から構成され、図３に示した追記記録層１６における半透明反射膜３８の反射率Ｒ１に比べ、その反射率Ｒ２を高い反射率とするように膜圧を調整する。例えば反射層２２の反射率Ｒ２は８０パーセント以上とする。

以上のようにして基板１２に対し反射層２２まで形成した状態で、これに接着層２４を介してダミー基板２６を貼り合せることで、本発明による光ディスク１０が完成する。なお、図１におけるスペース層１８の厚さは４０〜６０ｎｍとする。また、ダミー基板２６の厚さは基板１２と同じ約０．５８ｍｍであり、全体としての厚さはＤＶＤと同じ１．２ｍｍとしている。これによって、一方のＲＯＭとなる位相ピット１４と２番目のＲＯＭとなる位相ピット２０のフォーカス点は、図１２に示した従来の片面２層構成のＤＶＤと同じになり、従来の片面２層構成のＤＶＤとの再生互換を確保することができる。

ここで図１の位相ピット１４による一方のＲＯＭ部の反射率Ｒ１に対し、２番目の位相ピット２０による、もう一方のＲＯＭ部の反射率Ｒ２を大きくするように設定しているが、この関係は２つのＲＯＭ部の変調長度、及び位相ピットの深さについても、同様に設定する。

即ち、位相ピット１４のＲＯＭ部の変調度をＩ１、２番目の位相ピット２０のＲＯＭ部の変調度をＩ２とした時、Ｉ１＜Ｉ２となるように設定する。また基板１２側の位相ピット１４のＲＯＭ部のピットの深さをＤ１、２番目の位相ピット２０のＲＯＭ部のピットの深さをＤ２とした時には、Ｄ１＜Ｄ２となるように設定する。

このような反射率、変調度及び位相ピットの深さの調整により、レーザビーム２８のフォーカス点を位相ピット１４とした場合と、レーザビーム３０のようにフォーカス点を位相ピット２０とした場合のそれぞれについて、信号クロストークを最小限に抑え、しかも良好なＲＡＭ機能を実現することができる。

図７は、図１における追記記録層１６の他の実施形態の断面図である。この実施形態にあっては、基板１２に続いてＳｉＮなどの誘電体膜３２、ＧｄＦｅＣｏ膜４０、ＴｂＦｅＣｏを用いた光磁気記録膜３４及びＳｉＮなどの誘電体膜３６を順番に成膜している。ここでＧｄＦｅＣｏ膜４０を光磁気記録膜３４の前段に成膜することでレーザビームに対するカー回転角を大きくすることができ、光磁気信号の再生品質を向上することができる。

また図７の実施形態にあっては、図３のような半透明反射膜３８を成膜しておらず、したがってＧｄＦｅＣｏ膜４０と光磁気記録膜３４の膜厚を調整して、基板１２側のＲＯＭ部に必要な反射率と透過率を得るようにする。即ち反射率Ｒ１としては、Ｒ１＝３０パーセント〜７０パーセントとなるような膜厚調整を行う。

図８は、図１における追記記録層１６の他の実施形態の断面図である。この実施形態にあっては、図７における誘電体膜３２、ＧｄＦｅＣｏ膜４０、光磁気記録膜３４、誘電体膜３６に続いて更に、半透明反射膜４２を成膜するようにしたことを特徴とする。この半透明反射膜４２としては、Ａｌ、銀、金及びこれらの合金を使用する。また図８においても、基板１２側のＲＯＭに必要な反射率と透過率に合わせ込むように各膜の膜圧を調整する。

図９は、本発明による光ディスク他の実施形態であり、レーザービーム入射側から見て２番目のＲＯＭ部に追記記録層を設けたことを特徴とする。図９において、この光ディスク１０は基板１２、位相ピット１４、半透明反射膜４４、スペース層１８、位相ピット２０、追記記録層４６、接着層２４及びダミー基板２６で構成されている。

即ち図９の実施形態の光ディスク１０にあっては、基板１２側のＲＯＭ部となる位相ピット１４に対しては追記記録層を図１の実施形態のように設けず、半透明反射膜４４を設けて所定の反射率と透過率を得ており、スペース層１８を介した２番目のＲＯＭ部の位相ピット２０に対し追記記録層４６を設けている。

図１０は、図９の追記記録層４６の詳細構造の断面図である。図１０において、予めピットが形成されたスタンプの密着貼り合せによるＵＶ効果で形成されたスペース層１８に続いて、ＳｉＮなどの誘電体膜４８、ＴｂＦｅＣｏの光磁気記録膜５０、ＳｉＮなどの誘電体膜５２、更にＡｌ、銀、金及びこれらの合金を使用した反射層５４を順番に成膜している。ここで反射層５４の反射率Ｒ２は、２番目のＲＯＭ部に必要なＲ２＝８０パーセント以上とするように他の膜圧と併せて膜圧を調整している。

図１１は、本発明による光ディスクの他の実施形態を示した説明図であり、この実施形態にあっては、基板を２枚に分け、一方の基板にＲＡＭ部付きのＲＯＭ部を形成し、他方の基板にＲＯＭ部のみを形成した後に、貼り合せるようにしたことを特徴とする。

まず図１１（Ａ）のように、基板１２−１の内側となる面に、成型により位相ピット１４を形成し、この基板１２−１をスパッタ装置に導入し、追記記録層１６を成膜する。追記記録層１６は、図３、図７、または図８のいずれかの膜構造とする。

一方、図１１（Ｂ）のように、もう１枚の基板１２−２の内側となる面に同じく成型によって位相ピット２０を形成し、ここには反射層２２を成膜する。

そして図１１（Ｃ）のように、図１１（Ａ）の基板１２−１と図１１（Ｂ）の基板１２−２を、スペース層１８として機能する接着層を介して貼り合せることで、本発明による光ディスク１０を完成する。この図１１の構造の光ディスク１０にあっては、２枚の基板に位相ピットを形成し、一方に追記記録層を成膜して貼り合せるだけで済むことから、製造が簡単にできる。

もちろん図１１の光ディスク１０にあっても、レーザー光が入射する基板１２−１及びスペース層１８としては、図１の実施形態と同様、２０度入射時の複屈折差がジッタ１２パーセント以下の値となるような光学特性のものを使用する。

図１２は本発明の他の実施形態を示した構造断面図であり、片面２層のＲＯＭ部のそれぞれにＲＡＭ部としての追記記録層を設けたことを特徴とする。

図１２において、光ディスク１０は、基板１２、一方のＲＯＭ部を構成する位相ピット１４、ＲＡＭ部を構成する追記記録層１６、スペース層１８、もう一方のＲＯＭ部を構成する位相ピット２０、もう一方のＲＡＭ部を構成する追記記録層７０、接着層２４及びダミー基板２６で構成される。

基板１２はポリカーボネイトまたはアモルファスポリオリフィンなどを材料とし、前述したように基板の２０度入射時の複屈折差を所定値とした光学特性のものを用いる。基板１２の表面には、成型により、一方のＲＯＭ部を構成する位相ピット１４が形成されている。この基板１２をスパッタ装置に導入し、追記記録層１６を成膜する。

このように基板１２の位相ピット１４上に追記記録層１６として図３の成膜を順次行ったならば、この成膜面に対し、予め位相ピット２０が形成されたスタンパを密着貼合せしてＵＶ硬化させる２Ｐ法により、スペース層１８を介して２番目のＲＯＭ部となる位相ピット２０を形成する。ここで、スペース層１８として使用するスタンパも、基板１２と同じ光学特性のものを使用する。

２番目のＲＯＭ部を構成する位相ピット２０を形成したならば、これを再度スパッタ装置に導入し、追記記録層７０を形成する。以上のようにして基板１２に対し追記記録層７０まで形成した状態で、これに接着剤２４を介してダミー基板２６を貼り合せることで、本発明による光ディスク１０が完成する。

ここで、１層目の追記記録層１６としては、図１の場合と同様、図３、図７又は図８の膜構造とし、また２層目の追記記録層７０としては図１０の膜構造とする。このようにＲＡＭ部についても片面２層構成とすることで、２層構成のＲＯＭ部と同等の十分な記録容量が得られる。

なお、本発明は上記の実施形態に限定されず、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含む。また本発明は、上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。

（付記）
（付記１）
光反射率を利用した位相ピットで情報が記録されたＲＯＭ部を基板の片面側にスペース層を介して２つ以上設け、少なくとも１つのＲＯＭ部に追記記録可能なＲＡＭ部を設けたことを特徴とする光ディスク。（１）

（付記２）
付記１記載の光ディスクに於いて、前記スペース層を介してＲＯＭ部を２つ設け、一方のＲＯＭ部に追記記録層が形成されていることを特徴とする光ディスク。（２）

（付記３）
付記２記載の光ディスクに於いて、光ビームの入射側のＲＯＭ部に追記記録層を設けたことを特徴とする光ディスク。

（付記４）
付記２記載の光ディスクに於いて、光ビームの入射側からみて２番目のＲＯＭ部に追記記録層を設けたことを特徴とする光ディスク。

（付記５）
付記２乃至４のいずれかに記載の光ディスクに於いて、前記追記記録層は、光磁気記録膜を備えていることを特徴とする光ディスク。（３）

（付記６）
付記２乃至４記載の光ディスクに於いて、前記追記記録層は、位相ピットからなるＲＯＭ部上に光磁気記録膜を形成し、位相ピット上の光磁気記録膜に情報が記録されていることを特徴とするの光ディスク。（４）

（付記７）
付記６記載の光ディスクに於いて、前記光磁気記録膜に記録する磁気マークの最短長さがＲＯＭ最短マークの長さのｎ倍（但しｎ＝１，２，３・・・の任意の整数）であることを特徴とする光ディスク。

（付記８）
付記１記載の光ディスクに於いて、前記スペース層の厚さが４０ｎｍ〜６０ｎｍであることを特徴とする光ディスク。

（付記９）（オリジナル１０）
付記２記載の光ディスクに於いて、前記追記記録層が設けられていないもう一方のＲＯＭ部を金属反射膜で形成することを特徴とする光ディスク。

（付記１０）
付記１記載の光ディスクに於いて、前記基板及びスペース層は、測定用光ビームに直交する基準平面に対して前記測定用光ビームの前記基板への照射位置を通過する前記位相ピット列方向の接線を中心に２０度傾いた姿勢で測定したシングルパスの第１複屈折値と、前記基準平面に対して前記基板が前記位相ピット列に垂直な基板面内の直線を中心に２０度傾いた姿勢で測定したシングルパスの第２複屈折値との差がジッタを１２パーセント以下とする値以下であることを特徴とする光ディスク。（５）

（付記１１）
付記２記載の光ディスクに於いて、前記追記記録層を設けたＲＯＭ部の光ビームの反射による変調度をＩ１、もう一方の層の変調度をＩ２としたとき、Ｉ１＜Ｉ２であることを特徴とする光ディスク。

（付記１２）
付記２記載の光ディスクに於いて、前記追記記録層を設けたＲＯＭ部の位相ピットの深さをＤ1、もう一方のＲＯＭ部の位相ピットの深さをＤ２とした時、Ｄ１＜Ｄ２であることを特徴とする光ディスク。

（付記１３）
付記２記載の光ディスクに於いて、前記追記記録層を設けたＲＯＭ部の単体での反射率をＲ１、もう一方のＲＯＭ部の単体での反射率をＲ２とした時、Ｒ１＜Ｒ２であることを特徴とする光ディスク

（付記１４）
付記１３記載の光ディスクに於いて、前記反射率Ｒ１は３０パーセント乃至７０パーセントであり、且つ前記反射率Ｒ２は８０パーセント以上であることを特徴とする光ディスク。

レーザ−入射側のＲＯＭ部に追記記録層を設けた本発明の実施形態を示した構造断面図 図１の基板側に形成した位相ピットと追記記録層を取り出した説明図 図１における追記記録層の詳細構造の断面図 本発明で使用する基板の複屈折測定の説明図 図４による測定結果の一例を示した説明図 本発明で使用する基板の２０度入射時の複屈折差とジッタの特性を従来のＭＯ基板と対比して示した特性図 図１における追記記録層の他の実施形態の断面図 図１における追記記録層の他の実施形態の断面図 レーザ−入射側からみて２番目のＲＯＭ部に追記記録層を設けた本発明の実施形態を示した構造断面図 図９における追記記録層の詳細構造の断面図 基板を２枚に分けてＲＡＭ部付きＲＯＭ部とＲＯＭ部を形成した後に張り合わせる本発明の光ディスクの他の実施形態の説明図 片面２層構成のＲＯＭ部のそれぞれにＲＡＭ部としての追記記録層を設けた本発明の光ディスクの他の実施形態の説明図 従来の片面２層のＤＶＤディスクの説明図 従来のパーシャルＲＯＭタイプの光ディスクの説明図 従来の片面２層構成で１層をＲＯＭ部とし、もう１層をＲＡＭ部とした従来の光ディスクの説明図

符号の説明

１０：光ディスク
１２，１２−１，１２−２：基板
１４，２０：位相ピット
１６，４６，７０：追記記録層
１８：スペース層
２２，５４：反射層
２４：接着層
２６：ダミー基板
２８，３０：レーザービーム
３２，３６，４８，５２：誘電体膜
３４，５０：光磁気記録層（ＴｂＦｅＣｏ膜）
３８，４２，４４：半透明反射膜
４０：ＧｄＦｅＣｏ膜

Claims (5)

1. 光反射率を利用した位相ピットで情報が記録されたＲＯＭ部を基板の片面側にスペース層を介して２つ以上設け、少なくとも１つのＲＯＭ部に追記記録可能なＲＡＭ部を設けたことを特徴とする光ディスク。
   
2. 請求項１記載の光ディスクに於いて、前記スペース層を介してＲＯＭ部を２つ設け、一方のＲＯＭ部に追記記録層が形成されていることを特徴とする光ディスク。
   
3. 請求項２記載の光ディスクに於いて、前記追記記録層は、光磁気記録膜を備えていることを特徴とする光ディスク。
   
4. 請求項２又は３記載の光ディスクに於いて、前記追記記録層は、位相ピットからなるＲＯＭ部上に光磁気記録膜を形成し、位相ピット上の光磁気記録膜に情報が記録されていることを特徴とするの光ディスク。
   
5. 請求項１記載の光ディスクに於いて、前記基板及びスペース層は、測定用光ビームに直交する基準平面に対して前記測定用光ビームの前記基板への照射位置を通過する前記位相ピット列方向の接線を中心に２０度傾いた姿勢で測定したシングルパスの第１複屈折値と、前記基準平面に対して前記基板が前記位相ピット列に垂直な基板面内の直線を中心に２０度傾いた姿勢で測定したシングルパスの第２複屈折値との差がジッタを１２パーセント以下とする値以下であることを特徴とする光ディスク。

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