JP2005072602A - リソグラフィック装置、デバイス製造方法及びコンピュータ・プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィック製造プロセスは、入力セクション8、予備画像化プロセス10、基板を測定するセクション12、基板を露光するセクション14、画像化後プロセス16及び出力セクション18からなっている。コントローラ20は、予備画像化プロセス10から到着する基板の速度に関する入力21に基づいて、スキャナ6内での処理に費やされる時間を制御している。したがってスキャナ6は、スキャナ6内でのプロセスの持続期間を選択的に変更することにより、製造するデバイスの精度を最適化することができる。
【選択図】図2
Description
−投影放射ビームを提供するための放射システムと、
−投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−前記基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−それぞれ複数のサブステップを含んだ露光を実行するべく前記リソグラフィック投影装置を制御するための制御システムと
を備えたリソグラフィック投影装置に関する。
マスク
マスクの概念についてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。このようなマスクを放射ビーム中に配置することにより、マスクに衝突する放射をマスク上のパターンに従って選択的に透過させ(透過型マスクの場合)、或いは選択的に反射させている(反射型マスクの場合)。マスクの場合、支持構造は、通常、入射する放射ビーム中の所望の位置に確実にマスクを保持することができ、かつ、必要に応じてマスクをビームに対して確実に移動させることができるマスク・テーブルである。
プログラム可能ミラー・アレイ
粘弾性制御層及び反射型表面を有するマトリックス処理可能表面は、このようなデバイスの実施例の1つである。このような装置の基礎をなしている基本原理は、(たとえば)反射型表面の処理領域が入射光を回折光として反射し、一方、未処理領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス処理可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、或いは圧電駆動手段を使用することによって、1つの軸の周りに個々に傾斜させることができる。この場合も、微小ミラーは、入射する放射ビームを反射する方向が、処理済みミラーと未処理ミラーとでそれぞれ異なるようにマトリックス処理することが可能であり、この方法により、マトリックス処理可能ミラーの処理パターンに従って反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス処理は、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、パターン化手段は、1つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えることができる。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、たとえば、いずれも参照により本明細書に組み込まれている米国特許US5,296,891号及びUS5,523,193号、並びにPCT特許出願WO98/38597号及びWO98/33096号を参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、たとえば、必要に応じて固定或いは移動させることができるフレーム若しくはテーブルとして実施されている。
プログラム可能LCDアレイ
参照により本明細書に組み込まれている米国特許US5,229,872号に、このような構造の実施例の1つが記載されている。この場合の支持構造も、プログラム可能ミラー・アレイの場合と同様、たとえば、必要に応じて固定或いは移動させることができるフレーム若しくはテーブルとして実施されている。
−所望するスループット・レートを受け取るための入力手段
を特徴とするリソグラフィック装置であって、前記制御システムが、前記所望のスループット・レートで動作させるべくリソグラフィック装置を制御するように適合され、かつ、前記所望のスループット・レートが、前記装置による達成が可能な最大スループット・レートより小さい場合に、前記露光の精度を向上させるべく、前記サブステップの1つ又は複数に割り当てる時間を延長するように適合されたリソグラフィック装置によって達成される。
−基板をリソグラフィック装置に到着させる速度データを出力するための出力部
をさらに備え、前記制御システムを使用して、前記所望の精度に基づいて前記サブステップに時間を割り当てることによって基板を到着させる前記速度を決定することが有利である。
−少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
−放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
−パターン化された放射ビームを放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
−それぞれ複数のサブステップからなる露光を実施するべく前記リソグラフィック投影装置を制御するステップと
を含み、
−所望のスループット・レートの入力を受け取るステップ
を特徴とするデバイス製造方法であって、前記制御ステップが、前記所望のスループット・レートで動作させるべくリソグラフィック投影装置を制御し、かつ、前記所望のスループット・レートが、前記装置による達成が可能な最大スループット・レートより小さい場合に、前記露光の精度を向上させるべく、前記サブステップの1つ又は複数に割り当てる時間を延長するデバイス製造方法が提供される。
−前記目標部分を含んだ前記基板の表面の少なくとも一部の表面の高さ及び傾斜を測定する
ステップが含まれ、前記測定に割り当てられる時間は、実行する測定の回数を増やすことによって延長される。
−基板をリソグラフィック装置に到着させる速度データを出力するステップ
をさらに含み、前記所望の精度に基づいて前記サブステップに時間を割り当てることによって基板を到着させる前記速度が決定されることが好ましい。
図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィック投影装置を略図で示したものである。この装置は、
−投影放射ビームPB(たとえばUV放射)を供給するための放射システムEx、IL(この特定のケースでは、放射源LAをさらに備えている)と、
−マスクMA(たとえばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備えた、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1の対物テーブル(マスク・テーブル)MTと、
−基板W(たとえばレジスト被覆シリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダを備えた、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2の対物テーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分を基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイからなっている)に結像させるための投影システム(「レンズ」)PL(たとえば屈折レンズ系)と
を備えている。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは、基本的に静止状態に維持され、マスク画像全体が目標部分Cに1回の照射(すなわち単一「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブルWTがx及び/又はy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBによって照射される。
2.走査モードでは、所与の目標部分Cが単一「フラッシュ」に露光されない点を除き、ステップ・モードと基本的に同じシナリオが適用される。走査モードでは、マスク・テーブルMTを所与の方向(いわゆる「走査方向」、たとえばy方向)に速度νで移動させることができるため、投影ビームPBでマスク画像を走査し、かつ、基板テーブルWTを同時に同じ方向又は逆方向に、速度V=Mνで移動させることができる。MはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4若しくはM=1/5)。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分Cを露光することができる。
図4は、本発明の第2の実施例による製造プロセスを示したものである。この実施例の構造は、以下の説明を除き、第1の実施例の構造と同じである。
以下の表は、製造するデバイスの精度を改善するための、ステッパ若しくはスキャナ内での、通常は使用されない待機時間の使用による効果を示したものである。実験は、露光に先立つ遅延が存在せず、かつ、露光後の遅延がわずかに45msである広く知られている処理と、露光に先立って余分に400msの待機時間を使用し、かつ、露光後に標準の45msの待機時間を使用した改良型処理と、露光の前後にそれぞれ余分に400msの待機時間を使用した改良型処理の3つの条件で実施された。この余分の時間を使用して、基板テーブルがステッパ装置内を移動する前、若しくは移動した後の整定時間が延長された。
4 トラック
6 スキャナ装置(スキャナ・セクション)
8 入力/出力セクションがブランク基板を受け取る位置
10 予備画像化ステップ(露光前プロセス)
12 測定セクション
14 露光セクション
16 露光後プロセス
18 出力セクション
20、30 コントローラ
21、26 コントローラの入力部
22 円形基板
24 ダイ
28 コントローラの出力部
AM 調整手段
C 目標部分
CO コンデンサ
Ex、IL 放射システム(照明システム(イルミネータ)、ビーム拡大器)
IF 干渉測定手段
IN インテグレータ
LA 放射源
MA マスク
MT 第1の対物テーブル(マスク・テーブル)
PB 投影放射ビーム
PL 投影システム(レンズ)
W 基板
WT 第2の対物テーブル(基板テーブル)
Claims (16)
- 基板上のデバイスを露光するためのリソグラフィック投影装置であって、
投影放射ビームを提供するための放射システムと、
前記投影ビームを所望のパターンに従ってパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
前記基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
それぞれ複数のサブステップを含んだ露光を実行するべく前記リソグラフィック投影装置を制御するための制御システムとを備え、
所望するスループット・レートを受け取るための入力手段を特徴とし、前記制御システムが、前記所望のスループット・レートで動作させるべく前記リソグラフィック装置を制御するように適合され、かつ、前記所望のスループット・レートが、前記装置による達成が可能な最大スループット・レートより小さい場合に、前記露光の精度を向上させるべく、前記サブステップの1つ又は複数に割り当てる時間を延長するように適合されたリソグラフィック投影装置。 - 前記目標部分を含んだ前記基板の表面の少なくとも一部の表面特性を測定するための測定システムをさらに備え、前記サブステップが、前記測定システムを使用して前記基板の表面の高さ及び傾斜を測定するステップを含み、前記制御システムが、前記測定システムが実施する測定回数を増やすことができる、請求項1に記載の装置。
- 前記基板が複数のデバイスを含み、前記コントローラが、前記基板の露光表面の縁に隣接して配置されたデバイスに対する測定回数を多くする、請求項2に記載の装置。
- 前記サブステップが、前記基板を位置合せするステップを含み、前記制御システムが、前記位置合せステップで実行する位置合せ回数を増やすことができる、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記サブステップが、前記基板及び/又は装置の動作状態が変化した後、それらを整定させるステップを含み、前記制御システムが、前記整定に割り当てる時間を延長することができる、請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記サブステップが、前記基板テーブルを移動させるステップを含み、前記制御システムが、前記基板テーブルの移動速度を遅くすることによって前記移動に割り当てる時間を延長することができる、請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記入力手段が、製造するデバイスに対する所望の精度を受け取るためのものであり、前記リソグラフィック投影装置が、
基板を前記リソグラフィック投影装置に到着させる速度データを出力するための出力部をさらに備え、前記制御システムを使用して、前記所望の精度に基づいて前記サブステップに時間を割り当てることによって基板を到着させる前記速度が決定される、請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の装置。 - 対応するインタフェースによってトラックに接続され、前記装置と前記トラックの間で、前記インタフェースを介して前記スループット・レートすなわち基板を到着させる速度に関するデータが転送される、請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の装置。
- リソグラフィック投影装置のためのデバイス製造方法であって、
少なくとも一部が放射線感応材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
前記投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
パターン化された放射ビームを前記放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップと、
それぞれ複数のサブステップからなる露光を実施するべく前記リソグラフィック投影装置を制御するステップとを含み、
所望のスループット・レートの入力を受け取るステップを特徴とし、前記制御ステップが、前記所望のスループット・レートで動作させるべく前記リソグラフィック投影装置を制御し、かつ、前記所望のスループット・レートが、前記装置による達成が可能な最大スループット・レートより小さい場合に、前記露光の精度を向上させるべく、前記サブステップの1つ又は複数に割り当てる時間を延長する方法。 - 前記サブステップが、
前記目標部分を含んだ前記基板の表面の少なくとも一部の表面の高さ及び傾斜を測定するステップを含み、前記測定に割り当てられる時間が、実行する測定の回数を増やすことによって延長される、請求項9に記載の方法。 - 前記基板が複数のデバイスを含み、前記基板の露光表面の縁に隣接するデバイスに対する測定回数が増える、請求項10に記載の方法。
- 前記サブステップが前記基板を位置合せするステップを含み、実行する位置合せ回数を増やすことによって前記位置合せステップに割り当てられる時間が延長される、請求項9から請求項11までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記サブステップが、前記基板及び/又は装置の動作状態が変化した後、それらを整定させるステップを含み、前記整定に割り当てられる時間が延長される、請求項9から請求項12までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記サブステップが前記基板テーブルを移動させるステップを含み、前記基板テーブルの移動速度を遅くすることによって前記移動に割り当てられる時間が延長される、請求項9から請求項13までのいずれか一項に記載の方法またはコンピュータ・プログラム。
- 前記受取りステップが、製造するデバイスに対する所望の精度を受け取り、前記方法が、
基板を前記リソグラフィック投影装置に到着させる速度データを出力するステップをさらに含み、前記所望の精度に基づいて前記サブステップに時間を割り当てることによって基板を到着させる前記速度が決定される、請求項9から請求項14までのいずれか一項に記載の方法。 - リソグラフィック投影装置を制御するコンピュータ・システム上で実行されると、請求項9から請求項15までのいずれか一項に記載の方法を実施するべく前記リソグラフィック投影装置に命令する符号手段を含む、コンピュータ・プログラム。
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