JP2005071540A - Cpp構造磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
Cpp構造磁気抵抗効果素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005071540A JP2005071540A JP2003303196A JP2003303196A JP2005071540A JP 2005071540 A JP2005071540 A JP 2005071540A JP 2003303196 A JP2003303196 A JP 2003303196A JP 2003303196 A JP2003303196 A JP 2003303196A JP 2005071540 A JP2005071540 A JP 2005071540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- magnetoresistive
- contact hole
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】上側電極と磁気抵抗効果膜との短絡を確実に阻止することができるCPP構造磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホール53の形成後に磁気抵抗効果膜46および磁区制御膜47は最終形状に削り出される。この削り出しにあたってレジスト73の外側で磁気抵抗効果膜46は完全に取り払われる。このとき、第1絶縁膜51は比較的に簡単に削り取られる。第1絶縁膜51下の磁気抵抗効果膜46と、コンタクトホール53で露出する磁気抵抗効果膜46とはほぼ均一に削り取られる。レジスト73の外側で磁気抵抗効果膜46が完全に削り取られた際に、コンタクトホール53に対応して基層44に深い窪みが形成されることは回避される。平坦な基層に基づき絶縁膜や上側電極が形成されていくと、上側電極と磁気抵抗効果膜との間で短絡は確実に回避されることができる。
【選択図】図10
【解決手段】コンタクトホール53の形成後に磁気抵抗効果膜46および磁区制御膜47は最終形状に削り出される。この削り出しにあたってレジスト73の外側で磁気抵抗効果膜46は完全に取り払われる。このとき、第1絶縁膜51は比較的に簡単に削り取られる。第1絶縁膜51下の磁気抵抗効果膜46と、コンタクトホール53で露出する磁気抵抗効果膜46とはほぼ均一に削り取られる。レジスト73の外側で磁気抵抗効果膜46が完全に削り取られた際に、コンタクトホール53に対応して基層44に深い窪みが形成されることは回避される。平坦な基層に基づき絶縁膜や上側電極が形成されていくと、上側電極と磁気抵抗効果膜との間で短絡は確実に回避されることができる。
【選択図】図10
Description
本発明は、例えばスピンバルブ膜といった磁気抵抗効果膜を利用する磁気抵抗効果素子に関し、特に、任意の基層の表面に積層される磁気抵抗効果膜に、基層の表面に直交する垂直方向にセンス電流を流通させるCPP(Current Perpendicular−to−the−Plane)構造磁気抵抗効果素子に関する。
一般に、CPP構造磁気抵抗効果(MR)素子は、下側電極上に積層されるスピンバルブ膜といった磁気抵抗効果膜を備える。下側電極の表面で磁気抵抗効果膜は1対の磁区制御膜に挟み込まれる。磁気抵抗効果膜および磁区制御膜上には絶縁膜が形成される。この絶縁膜にはいわゆるコンタクトホールが形成される。絶縁膜上に形成される上側電極はコンタクトホールから磁気抵抗効果膜に接続される。コンタクトホールに基づきセンス電流の流通路は狭められる。MR膜の実効コア幅は縮小される。
こうしたCPP構造磁気抵抗効果素子の製造にあたって、コンタクトホールの形成後に磁気抵抗効果膜および磁区制御膜は最終形状に削り出される。この削り出しにあたって、絶縁膜の表面には、磁気抵抗効果膜および磁区制御膜の輪郭を象るレジストが形成される。レジストの外側で磁気抵抗効果膜は完全に取り払われる。こうして磁気抵抗効果膜は所定の形状に削り出される。
磁気抵抗効果膜および磁区制御膜の表面には同一材料で一様に絶縁膜が形成される。絶縁膜の膜厚は例えば30nm程度に及ぶ。磁気抵抗効果膜に比べて絶縁膜はなかなか削り取られることができない。その一方で、コンタクトホールで露出する磁気抵抗効果膜の削り取りは急速に進んでしまう。その結果、絶縁膜が削り取られるまでに、コンタクトホールに対応して下側電極には深い窪みが形成される。こういった深い窪みに沿って上側電極が形成されていくと、上側電極と磁気抵抗効果膜との間に短絡が引き起こされることがある。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、上側電極と磁気抵抗効果膜との短絡を確実に阻止することができるCPP構造磁気抵抗効果膜の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、基層の表面で所定の輪郭に沿って磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体を切り出す工程と、磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体に隣接して基層の表面に磁区制御膜および第2絶縁膜の積層体を形成する工程と、第1絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程とを備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。
一般に、CPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法では、コンタクトホールの形成後に磁気抵抗効果膜および磁区制御膜は最終形状に削り出される。この削り出しにあたって、第1および第2絶縁膜の表面には、第1および第2絶縁膜を横切るレジストが形成される。レジストの外側で磁気抵抗効果膜は完全に取り払われる。このとき、第1絶縁膜が比較的に簡単に削り取られれば、第1絶縁膜下の磁気抵抗効果膜と、コンタクトホールで露出する磁気抵抗効果膜とはほぼ均一に削り取られることができる。レジストの外側で磁気抵抗効果膜が完全に削り取られた際に、コンタクトホールに対応して基層に深い窪みが形成されることは回避されることができる。反対に、第1絶縁膜が簡単に削り取られない場合には、基層に深い窪みが形成されてしまう。こういった深い窪みに沿って上側電極が形成されていくと、上側電極と磁気抵抗効果膜との間に短絡が引き起こされることがある。
ここでは、第1絶縁膜はSiO2から構成され、第2絶縁膜はAl2O3から構成されることが望まれる。SiO2はAl2O3に比べて速い速度で削り取られることができる。第1絶縁膜は比較的に早期に削り落とされることができる。第1絶縁膜下の磁気抵抗効果膜と、コンタクトホールで露出する磁気抵抗効果膜とは確実に均一に削り取られることができる。ただし、第1および第2絶縁膜は同一の材料から構成されてもよい。その場合には、第1絶縁膜の膜厚は第2絶縁膜の膜厚に比べて小さく設定されればよい。
以上のような製造方法では、コンタクトホールの形成にあたって第1絶縁膜の表面にはレジストが形成される。このレジストは、第1絶縁膜の表面から立ち上がる空間を区画する。空間内で第1絶縁膜は削り落とされていく。こういった空間は比較的に狭小幅のスリットに形成されることができる。したがって、コンタクトホールは微細化されることができる。
その他、以上のような製造方法では、磁区制御膜および第2絶縁膜の積層体の形成にあたって第1絶縁膜の表面まで第2絶縁膜が形成されてもよい。第2絶縁膜は第1絶縁膜の表面上に規定の空隙を確保する。コンタクトホールの形成にあたって第1絶縁膜は規定の空隙から取り払われることができる。こうしてコンタクトホールの形成にあたってレジストの形成は省略されることができる。製造工程は簡略化されることができる。ここでは、第1絶縁膜はSiO2から構成され、第2絶縁膜はAl2O3から構成されればよい。例えばSF6といった反応性ガスに基づき反応性イオンエッチング(RIE)が実施されれば、確実に第1絶縁層すなわちSiO2は選択的に削り落とされることができる。
以上のような第2絶縁膜の形成にあたって第1絶縁膜上には所定のレジストが形成されればよい。このレジストは磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体の切り出しに先立って第1絶縁膜上に形成されればよい。レジストは、積層体の層構造で積層形成される素材膜の表面に前述の空隙の輪郭を象る第1レジスト膜と、第1レジスト膜上で磁気抵抗効果膜の輪郭を象る第2レジスト膜とを備えればよい。こういったレジストによれば、第1絶縁膜に隣接して所定の抉れが形成される。イオンミリングに基づき第2レジスト膜の外側で素材膜が削り払われれば、前述の積層体は切り出されることができる。その後、積層体に隣接して磁区制御膜および第2絶縁膜の積層体が形成される。このとき、第2絶縁膜はレジストの抉れに沿って第1絶縁膜の表面に沿って延伸する。磁区制御膜上だけでなく第1絶縁膜上に第2絶縁膜は積層される。こういった第2絶縁膜の延伸にも拘わらず第1絶縁膜上には第1レジスト膜の働きで規定の空隙が確保される。この空隙はコンタクトホールの輪郭に対応する。レジストが除去されると、その空隙で第1絶縁膜の表面が露出する。
以上のような製造方法によれば、例えば、所定の輪郭で基層上に積層される磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜の輪郭に対応する輪郭で磁気抵抗効果膜上に形成される第1絶縁膜と、第1絶縁膜を貫通して磁気抵抗効果膜に至るコンタクトホールと、基層の表面に沿って磁気抵抗効果膜を挟み込む1対の磁区制御膜と、第1絶縁層に隣接しつつ磁区制御膜上に形成される第2絶縁膜とを備えるCPP構造磁気抵抗効果素子は提供されることができる。
特に、こういったCPP構造磁気抵抗効果素子では、基層上に順番に積層される磁化方向拘束層、固定側磁性層、非磁性中間層、自由側磁性層およびキャップ層で磁気抵抗効果膜が形成されることが望まれる。
前述の製造方法では、磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体の切り出しにあたって、この積層体の層構造で積層形成される素材膜の表面に磁気抵抗効果膜の輪郭を象るレジストが形成される。例えばイオンミリングに基づきレジストの外側で素材膜は削り取られていく。こういった製造方法によれば、磁気抵抗効果膜の輪郭は、基層の表面に任意の傾斜角で傾斜する傾斜面で仕切られる。したがって、比較的に電気抵抗の高い磁化方向拘束層でセンス電流の流通路は大きく確保されることができる。磁化方向拘束層の電気抵抗は実質的に低減されることができる。こういった磁気抵抗効果素子の実現にあたって下側電極は基層として直接に磁気抵抗効果膜を受け止めればよい。
その他、コンタクトホールは例えばヘッドスライダの媒体対向面に向かって縮小されてもよい。すなわち、磁気抵抗効果膜が媒体対向面に臨む前端から基層の表面に沿って第1長さで後方に広がる場合に、コンタクトホールは、媒体対向面に臨む前端から磁気抵抗効果膜の表面に沿って第1長さよりも短い第2長さで後方に延びればよい。こうしてコンタクトホールが媒体対向面側に偏って配置されると、センス電流の流通路はさらに狭められることができる。上側電極および下側電極から取り出される電気信号のレベルの変化はさらに増大することが期待される。
以上のように本発明によれば、上側電極と磁気抵抗効果膜との短絡を確実に阻止することができるCPP構造磁気抵抗効果膜の製造方法は提供されることができる。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
図1は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置(HDD)11の内部構造を概略的に示す。このHDD11は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体12を備える。収容空間には、記録媒体としての1枚以上の磁気ディスク13が収容される。磁気ディスク13はスピンドルモータ14の回転軸に装着される。スピンドルモータ14は例えば7200rpmや10000rpmといった高速度で磁気ディスク13を回転させることができる。筐体本体12には、筐体本体12との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー(図示されず)が結合される。
収容空間にはヘッドアクチュエータ15がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ15は、垂直方向に延びる支軸16に回転自在に支持されるアクチュエータブロック17を備える。アクチュエータブロック17には、支軸16から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム18が規定される。アクチュエータアーム18は磁気ディスク13の表面および裏面ごとに配置される。アクチュエータブロック17は例えば鋳造に基づきアルミニウムから成型されればよい。
アクチュエータアーム18の先端にはヘッドサスペンション19が取り付けられる。ヘッドサスペンション19は、アクチュエータアーム18の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション19の前端には浮上ヘッドスライダ21が支持される。浮上ヘッドスライダ21は磁気ディスク13の表面に向き合わせられる。
浮上ヘッドスライダ21には、磁気ディスク13の表面に向かってヘッドサスペンション19から押し付け力が作用する。磁気ディスク13の回転に基づき磁気ディスク13の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ21には浮力が作用する。ヘッドサスペンション19の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク13の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ21は浮上し続けることができる。
アクチュエータブロック17には例えばボイスコイルモータ(VCM)といった動力源22が接続される。この動力源22の働きでアクチュエータブロック17は支軸16回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック17の回転に基づきアクチュエータアーム18およびヘッドサスペンション19の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ21の浮上中に支軸16回りでアクチュエータアーム18が揺動すると、浮上ヘッドスライダ21は半径方向に磁気ディスク13の表面を横切ることができる。こうした移動に基づき浮上ヘッドスライダ21は所望の記録トラックに位置決めされる。周知の通り、複数枚の磁気ディスク13が筐体本体12内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク13同士の間で2本のアクチュエータアーム18すなわち2つのヘッドサスペンション19が配置される。
図2は浮上ヘッドスライダ21の一具体例を示す。この浮上ヘッドスライダ21は、平たい直方体に形成されるAl2O3−TiC(アルチック)製のスライダ本体23を備える。スライダ本体23の空気流出端にはAl2O3(アルミナ)製のヘッド素子内蔵膜24が接合される。ヘッド素子内蔵膜24には電磁変換素子すなわち読み出し書き込みヘッド25が埋め込まれる。スライダ本体23およびヘッド素子内蔵膜24には、磁気ディスク13に対向する媒体対向面すなわち浮上面26が規定される。
浮上面26には、スライダ本体23の空気流入端に沿って延びるフロントレール28と、スライダ本体23の空気流出端に隣接して広がるリアレール29とが形成される。フロントレール28およびリアレール29の頂上面にはいわゆるABS(空気軸受け面)31、32が規定される。ABS31、32の空気流入端は段差33、34でレール28、29の頂上面に接続される。読み出し書き込みヘッド25はABS32で前端を露出させる。ただし、ABS32の表面には、読み出し書き込みヘッド25の前端に覆い被さるDLC(ダイヤモンドライクカーボン)保護膜が形成されてもよい。
磁気ディスク13の回転に基づき生成される気流35は浮上面26に受け止められる。このとき、段差33、34の働きでABS31、32には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール28の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ21の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ21の形態はこういった形態に限られるものではない。
図3は浮上面26の様子を詳細に示す。読み出し書き込みヘッド25は、薄膜磁気ヘッドすなわち誘導書き込みヘッド素子36とCPP構造電磁変換素子すなわちCPP構造磁気抵抗効果(MR)読み取り素子37とを備える。誘導書き込みヘッド素子36は、周知の通り、例えば導電コイルパターン(図示されず)で生起される磁界を利用して磁気ディスク13に2値情報を書き込むことができる。CPP構造MR読み取り素子37は、周知の通り、磁気ディスク13から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき2値情報を検出することができる。誘導書き込みヘッド素子36およびCPP構造MR読み取り素子37は、前述のヘッド素子内蔵膜24の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成するAl2O3(アルミナ)膜38と、下側半層すなわちアンダーコート膜を構成するAl2O3(アルミナ)膜39との間に挟み込まれる。
誘導書き込みヘッド素子36は、ABS32で前端を露出させる上部磁極層41と、同様にABS32で前端を露出させる下部磁極層42とを備える。上部および下部磁極層41、42は例えばFeNやNiFeから形成されればよい。上部および下部磁極層41、42は協働して誘導書き込みヘッド素子36の磁性コアを構成する。
上部および下部磁極層41、42の間には例えばAl2O3(アルミナ)製の非磁性ギャップ層43が挟み込まれる。周知の通り、導電コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層43の働きで、上部磁極層41と下部磁極層42とを行き交う磁束はABS32から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束が記録磁界(ギャップ磁界)を形成する。
本発明の第1実施形態に係るCPP構造MR読み取り素子37は、アルミナ膜39すなわち下地絶縁層の表面に沿って広がる下側電極44を備える。下側電極44は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。下側電極44が例えばNiFeといった導電性の軟磁性体で構成されると、この下側電極44は同時にCPP構造MR読み取り素子37の下部シールド層として機能することができる。
下側電極44すなわち基層の表面には1平坦化面45すなわち基準面が規定される。平坦化面45上には所定の輪郭で磁気抵抗効果(MR)膜すなわちスピンバルブ膜46が積層される。スピンバルブ膜46は、ABS32で露出する前端から平坦化面45に沿って後方に広がる。同様に、平坦化面45上にはABS32に沿って延びる1対の硬磁性磁区制御膜47が積層される。磁区制御膜47は平坦化面45上でABS32に沿ってスピンバルブ膜46を挟み込む。磁区制御膜47は例えばCoPtやCoCrPtといった金属材料から形成されればよい。これらの磁区制御膜47では、周知の通り、スピンバルブ膜46を横切る1方向に沿って磁化は確立されることができる。こうした磁区制御膜47の磁化に基づきバイアス磁界が形成されると、スピンバルブ膜46内で例えば自由側強磁性層(free layer)の単磁区化は実現されることができる。ここで、スピンバルブ膜46の構造の詳細は後述される。
平坦化面45上には被覆絶縁膜48が覆い被さる。被覆絶縁膜48上には上側電極49が配置される。上側電極49は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。上側電極49が例えばNiFeといった導電性の軟磁性体で構成されると、この上側電極49は同時にCPP構造MR読み取り素子37の下部シールド層として機能することができる。前述の下部シールド層すなわち下側電極44と上側電極49との間隔は磁気ディスク13上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
図4はCPP構造MR読み取り素子37の拡大図を示す。図4から明らかなように、被覆絶縁膜48は、スピンバルブ膜46の輪郭に対応する輪郭でスピンバルブ膜46上に形成される第1絶縁膜51と、この第1絶縁膜51に隣接しつつ磁区制御膜47上に形成される第2絶縁膜52とを備える。第1絶縁膜51の膜厚は第2絶縁膜52の膜厚よりも小さく設定される。例えば、第1絶縁膜51の膜厚は5.0nm程度に設定されればよく、第2絶縁膜52の膜厚は30.0nm程度に設定されればよい。しかも、第1絶縁膜51は第2絶縁膜52よりも削り取られやすい(エッチングレートの高い)材料から構成されることが望まれる。例えば、第2絶縁膜52にAl2O3が用いられる場合には、第1絶縁膜51にはSiO2が用いられればよい。
第1絶縁膜51には、スピンバルブ膜46の頂上面から立ち上がるコンタクトホール53が区画される。コンタクトホール53は少なくともABS32に沿って第1絶縁膜51を貫通する。上側電極49はコンタクトホール53内でスピンバルブ膜46の頂上面に接触する。こうして上側電極49とスピンバルブ膜46との間ではセンス電流の流通路は狭められる。
スピンバルブ膜46では、下地層55、磁化方向拘束層(pinning layer)すなわち反強磁性層56、固定側強磁性層(pinned layer)57、中間導電層58、自由側強磁性層59および保護キャップ層61が順番に重ね合わせられる。反強磁性層56の働きに応じて固定側強磁性層57の磁化は1方向に固定される。ここで、下地層55は、平坦化面45に積層されるTa層と、このTa層の表面に積層されるNiFe層とから構成されればよい。反強磁性層56は例えばIrMnやPdPtMnといった反強磁性合金材料から形成されればよい。固定側強磁性層57は例えばCoFeBといった強磁性材料から形成されればよい。固定側強磁性層57には、例えば1対のCoFeB層の間にRu層が挟み込まれるフェリ磁性層が用いられてもよい。中間導電層58は例えばCu層から構成されればよい。自由側強磁性層59は例えばCoFeB層から構成されればよい。保護キャップ層61は例えばCu層やAu層から構成されればよい。
図4から明らかなように、このスピンバルブ膜46の輪郭は、下側電極44すなわち基層の表面に任意の傾斜角αで傾斜する傾斜面62で仕切られる。磁区制御膜47は傾斜面62でスピンバルブ膜46に接合される。これら傾斜面62の働きで上側電極49から下側電極44に向かってスピンバルブ膜46は徐々に広がっていく。したがって、比較的に電気抵抗の高い反強磁性層56でセンス電流の流通路は大きく確保されることができる。反強磁性層56の電気抵抗は実質的に低減されることができる。
磁気情報の読み出しにあたってCPP構造MR読み取り素子37が磁気ディスク13の表面に向き合わせられると、スピンバルブ膜46では、周知の通り、磁気ディスク13から作用する磁界の向きに応じて自由側強磁性層59の磁化方向は回転する。こうして自由側強磁性層59の磁化方向が回転すると、スピンバルブ膜46の電気抵抗は大きく変化する。したがって、上側電極49および下側電極44からスピンバルブ膜46にセンス電流が供給されると、上側電極49および下側電極44から取り出される電気信号のレベルは電気抵抗の変化に応じて変化する。このレベルの変化に応じて2値情報は読み取られることができる。前述のようにコンタクトホール53の働きでセンス電流の流通路は狭められることから、スピンバルブ膜46の実効コア幅は十分に狭められることができる。こうしたコア幅の狭小化はトラック密度の向上に大いに貢献する。
次にCPP構造MR読み取り素子37の製造方法を説明する。製造にあたって例えばAl2O3−TiC(アルチック)製ウェハー(図示されず)は用意される。ウェハーの表面には一面にアルミナ膜39が成膜される。図5から明らかなように、アルミナ膜39の表面には下側電極44が形成される。下側電極44の表面には例えば平坦化研磨処理が施される。こうして下側電極44すなわち基層の表面には平坦化面45が規定される。
図5に示されるように、平坦化面45上には、スピンバルブ膜46と同一の層構造で形成される素材膜65が一面に積層形成される。素材膜65の形成にあたって、例えば、膜厚5.0nm程度のTa層、膜厚2.0nm程度のFeNi層、膜厚13.0nm程度のPdPtMn層、膜厚3.0nm程度のCoFeB層、膜厚0.8nm程度のRu層、膜厚4.0nm程度のCoFeB層、膜厚4.0nm程度のCu層および膜厚3.0nm程度のCoFeB層、膜厚1.0nm程度のCu層が順番に積層されればよい。素材膜65の表面には続いて第1絶縁膜66が形成される。ここでは、例えば膜厚7.0nm程度のSiO2膜が積層される。こういった積層は例えばスパッタリングに基づき実現されればよい。第1絶縁膜66の表面には基準方向DRに延びる長尺のフォトレジスト膜67が形成される。
素材膜65および第1絶縁膜66にはイオンミリングが施される。フォトレジスト膜67の外側で第1絶縁膜66および素材膜65は削り落とされる。フォトレジスト膜67下には素材膜65および第1絶縁層66が局部的に残存する。こうして素材膜65および第1絶縁膜66からスピンバルブ膜46および第1絶縁膜51の積層体68は切り出される。この切り出しでスピンバルブ膜46には前述の傾斜面62が規定される。ここでは、スピンバルブ膜46および第1絶縁膜51の積層体68全体にわたって傾斜面62が形成される。
平坦化面45上では、図7に示されるように、スピンバルブ膜46および第1絶縁層51の積層体68に隣接して磁区制御膜47および第2絶縁膜52の積層体69が形成される。積層体69の形成にあたって、積層体68上にはフォトレジスト膜67が維持される。平坦化面45上には、膜厚5.0nm程度のCr層、膜厚50.0nm程度のCoCrPt層、膜厚5.0nm程度のTa層および膜厚30.0nm程度のAl2O3層が相次いで積層されればよい。積層は例えばスパッタリングに基づき実現されればよい。フォトレジスト膜67が除去されると、フォトレジスト膜67上のCr層、CoCrPt層、Ta層およびAl2O3層は同時に取り払われる。積層体67では第1絶縁膜51の表面が露出する。
続いて積層体67の第1絶縁膜51にはコンタクトホール53が穿たれる。コンタクトホール53の形成にあたって、図8に示されるように、第1および第2絶縁膜51、52の表面にはフォトレジスト膜71が形成される。このフォトレジスト膜71には、第1絶縁膜51の表面から立ち上がる空間72すなわちスリットが区画される。この空間72は、基準方向DRに沿って完全に第1絶縁膜51の表面を横切ればよい。空間72の形成にあたって例えばi線ステッパは用いられる。空間72を仕切る壁面同士の間隔は例えば80nm程度に設定されればよい。こういった間隔の実現にあたっていわゆるレジスト太らせ技術(relax)が利用されればよい。
第1絶縁膜51には反応性イオンエッチング(RIE)が適用される。第1絶縁膜51は空間72内で例えばSF6といった反応性ガスに曝される。その結果、図9に示されるように、空間72の輪郭に則ってコンタクトホール53は形成される。その後、フォトレジスト膜71は除去される。
コンタクトホール53の形成後、図10に示されるように、第1および第2絶縁膜51、52上には基準方向DRに直交する幅方向に延びる長尺のフォトレジスト膜73が形成される。フォトレジスト膜73は第1および第2絶縁膜51、52の表面を1直線に横切る。こういったフォトレジスト膜73の形成にあたって例えばi線ステッパは用いられる。フォトレジスト膜73の形状はスピンバルブ膜46および磁区制御膜47の輪郭に対応して設定される。基準方向DRに沿って測定されるフォトレジスト膜73の膜幅は例えば5000nm程度に設定される。
第1および第2絶縁膜51、52にはイオンミリングが施される。フォトレジスト膜73の外側で第1および第2絶縁膜51、52は削り落とされる。第1絶縁膜51が削り落とされると、続いてスピンバルブ膜46は削り落とされていく。フォトレジスト膜73下には第1絶縁膜51およびスピンバルブ膜46が残存する。同様に、フォトレジスト膜73下には第2絶縁膜52および磁区制御膜47が残存する。こうして1対の磁区制御膜47に挟まれるスピンバルブ膜46は切り出される。
このとき、第2絶縁膜52はなかなか削り取られることはできない。その間にコンタクトホール53で露出するスピンバルブ膜46は削られていく。第1絶縁膜51は比較的に瞬時に削り取られることから、第1絶縁膜51下でも比較的に早期にスピンバルブ膜46は削り取られていく。スピンバルブ膜46では、コンタクトホール53で露出する部分と、第1絶縁膜51に覆われる部分とでほぼ均一に削り取りは進んでいく。したがって、フォトレジスト膜73の外側でスピンバルブ膜46が完全に除去された際に、平坦化面45すなわち下側電極44の表面にはほとんど窪みは形成されない。
こうしてスピンバルブ膜46や磁区制御膜47、第1および第2絶縁膜51、52が切り出された後に、平坦化面45上では絶縁膜が積層される。絶縁膜の積層にあたってスピンバルブ膜46や磁区制御膜47上にはフォトレジスト膜73が維持される。平坦化面45上には例えば膜厚70.0nm程度のAl2O3膜が積層されればよい。フォトレジスト膜73の外側で下側電極44上には確実に絶縁膜が覆い被さる。フォトレジスト膜73が除去されると、フォトレジスト膜73上の絶縁膜は同時に取り払われる。スピンバルブ膜46および磁区制御膜47上には第1および第2絶縁膜51、52が露出する。
続いて第1および第2絶縁膜51、52や周囲の絶縁膜上には上側電極49が積層形成される。このとき、スピンバルブ膜46や磁区制御膜47の周囲は完全に絶縁膜に覆われる。したがって、上側電極49とスピンバルブ膜46や磁区制御膜47との短絡は確実に阻止されることができる。同時に、上側電極49は部分的にコンタクトホール53に進入する。上側電極49とスピンバルブ膜46との間には確実に電気的接続が確立される。こうしてCPP構造MR読み取り素子37の製造は完了する。
図11は本発明の第2実施形態に係るCPP構造MR読み取り素子37aを概略的に示す。この第2実施形態では、第2絶縁膜52に、コンタクトホール53に向かって第1絶縁膜51の表面に沿って延伸する延長部52aが形成される。図中、前述の第1実施形態と均等な構成には同一の参照符号が付される。
こういったCPP構造MR読み取り素子37aの製造では、素材膜65および第1絶縁膜66から積層体67が切り出される際に、図12に示されるように、2層構造のフォトレジスト膜74が用いられる。このフォトレジスト膜74は、第1絶縁膜66の表面に積層されて、コンタクトホール53の輪郭を象る第1レジスト膜74aと、第1レジスト膜74aの表面に積層されて、スピンバルブ膜46の輪郭を象る第2レジスト膜74bとで構成される。すなわち、フォトレジスト膜74には第1絶縁膜66に隣接して抉れ75が形成される。周知の通りに、こういった抉れ75は現像時の浸食に基づき形成されることができる。第1レジスト膜74では第2レジスト膜74bの輪郭から均一に浸食が引き起こされる。
前述と同様に、素材膜65および第1絶縁膜66にはイオンミリングが施される。図13に示されるように、素材膜65および第1絶縁膜66からスピンバルブ膜46および第1絶縁膜51の積層体68は切り出される。その後、図14に示されるように、平坦化面45上では積層体68に隣接して磁区制御膜47および第2絶縁膜52の積層体69が形成される。積層にあたって例えばスパッタリングが利用される。このとき、第2絶縁膜52はフォトレジスト膜74の抉れ75に沿って第1絶縁膜51の表面に沿って延伸する。磁区制御膜47上だけでなく第1絶縁膜51上に第2絶縁膜52は積層される。ただし、こういった第2絶縁膜52の延伸にも拘わらず第1絶縁膜51上には第1レジスト膜74aの働きで第2絶縁膜52同士の間に規定の空隙が確保される。この空隙はコンタクトホール53の輪郭に対応する。フォトレジスト膜74が除去されると、その空隙で第1絶縁膜51の表面が露出する。
続いて積層体67の第1絶縁膜51にはコンタクトホール53が穿たれる。コンタクトホール53の形成にあたって、第1絶縁膜51には反応性イオンエッチング(RIE)が適用される。第1絶縁膜51は第2絶縁膜52の合間で例えばSF6といった反応性ガスに曝される。SF6はSiO2膜を除去するもののAl2O3膜を残存させる。コンタクトホール53の形成にあたってフォトレジスト膜の形成は省略される。図15に示されるように、第2絶縁膜52の間に区画される空隙の輪郭に則ってコンタクトホール53は形成される。その後、前述と同様に、1対の磁区制御膜47に挟まれるスピンバルブ膜46は切り出される。最終的に、第1および第2絶縁膜51、52や周囲の絶縁膜上には上側電極49が積層形成される。
以上のようなCPP構造MR読み取り素子37、37aでは、例えば図16に示されるように、コンタクトホール76はABS32に向かって縮小されてもよい。すなわち、スピンバルブ膜46が前端から下側電極44の表面に沿って第1長さL1で後方に広がる場合に、コンタクトホール76は、ABS32に臨む前端からスピンバルブ膜46の頂上面に沿って第1長さL1よりも短い第2長さL2で後方に延びればよい。こうしてコンタクトホール76がABS32側に偏って配置されると、センス電流の流通路はさらに狭められることができる。上側電極49および下側電極44から取り出される電気信号のレベルの変化はさらに増大することが期待される。こういったコンタクトホール76の実現にあたって前述のフォトレジスト膜71では空間72の形状が調整されればよい。
(付記1) 基層の表面で所定の輪郭に沿って磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体を切り出す工程と、磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体に隣接して基層の表面に磁区制御膜および第2絶縁膜の積層体を形成する工程と、第1絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程とを備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記2) 付記1に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記コンタクトホールの形成にあたって、前記第1絶縁膜の表面に形成されるレジストで、第1絶縁膜の表面から立ち上がる空間を区画することを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記3) 付記2に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法において、第1絶縁膜はSiO2から構成され、第2絶縁膜はAl2O3から構成されることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記4) 付記1に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記磁区制御膜および第2絶縁膜の積層体の形成にあたって前記第1絶縁膜の表面上に規定の空隙を確保しつつ第1絶縁膜の表面に沿って第2絶縁膜を延伸させる工程と、前記コンタクトホールの形成にあたって規定の空隙から第1絶縁膜を取り払う工程とをさらに備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記5) 付記4に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法において、磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体の切り出しにあたって、この積層体の層構造で積層形成される素材膜の表面に前記空隙の輪郭を象る第1レジスト膜および第1レジスト膜上で磁気抵抗効果膜の輪郭を象る第2レジスト膜を形成する工程と、イオンミリングに基づき第2レジスト膜の外側で素材膜を削り払う工程とをさらに備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記6) 付記5に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法において、第1絶縁膜はSiO2から構成され、第2絶縁膜はAl2O3から構成されることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記7) 所定の輪郭で基層上に積層される磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜の輪郭に対応する輪郭で磁気抵抗効果膜上に形成される第1絶縁膜と、第1絶縁膜を貫通して磁気抵抗効果膜に至るコンタクトホールと、基層の表面に沿って磁気抵抗効果膜を挟み込む1対の磁区制御膜と、第1絶縁層に隣接しつつ磁区制御膜上に形成される第2絶縁膜とを備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
(付記8) 付記7に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子おいて、前記磁気抵抗効果膜は、ヘッドスライダの媒体対向面に臨む前端から基層の表面に沿って第1長さで後方に広がり、前記コンタクトホールは、媒体対向面に臨む前端から磁気抵抗効果膜の表面に沿って第1長さよりも短い第2長さで後方に延びることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
(付記9) 付記7または8に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子おいて、前記磁気抵抗効果膜は、基層上に順番に積層される磁化方向拘束層、固定側磁性層、非磁性中間層、自由側磁性層およびキャップ層を備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
(付記10) 付記9に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子において、前記磁気抵抗効果膜の輪郭は、前記基層の表面に任意の傾斜角で傾斜する傾斜面で仕切られることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
(付記11) 付記7〜10のいずれかに記載のCPP構造磁気抵抗効果素子において、少なくとも前記第1絶縁膜の表面に覆い被さり、前記コンタクトホール内で磁気抵抗効果膜に接触する上側電極と、前記基層として表面で前記磁気抵抗効果膜を受け止める下側電極とをさらに備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
(付記12) 付記7〜11のいずれかに記載のCPP構造磁気抵抗効果素子において、第1絶縁膜はSiO2から構成され、第2絶縁膜はAl2O3から構成されることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
21 ヘッドスライダ、32 媒体対向面すなわち空気軸受け面(ABS)、37 CPP構造磁気抵抗効果素子、44 基層としての下側電極、46 磁気抵抗効果膜すなわちスピンバルブ膜、47 磁区制御膜、49 上側電極、51 第1絶縁膜、52 第2絶縁膜、52a 延長部、53 コンタクトホール、56 磁化方向拘束層、57 固定側磁性層、58 非磁性中間層、59 自由側磁性層、61 キャップ層、62 傾斜面、65 素材膜、66 第1絶縁膜、68 磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体、69 磁区制御膜および第2絶縁膜の積層体、71 レジスト、72 空間、74a 第1レジスト膜、74b 第2レジスト膜、L1 第1長さ、L2 第2長さ、α 傾斜角。
Claims (5)
- 基層の表面で所定の輪郭に沿って磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体を切り出す工程と、磁気抵抗効果膜および第1絶縁膜の積層体に隣接して基層の表面に磁区制御膜および第2絶縁膜の積層体を形成する工程と、第1絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程とを備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 請求項1に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記コンタクトホールの形成にあたって、前記第1絶縁膜の表面に形成されるレジストで、第1絶縁膜の表面から立ち上がる空間を区画することを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 請求項1に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記磁区制御膜および第2絶縁膜の積層体の形成にあたって前記第1絶縁膜の表面上に規定の空隙を確保しつつ第1絶縁膜の表面に沿って第2絶縁膜を延伸させる工程と、前記コンタクトホールの形成にあたって規定の空隙から第1絶縁膜を取り払う工程とをさらに備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 所定の輪郭で基層上に積層される磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜の輪郭に対応する輪郭で磁気抵抗効果膜上に形成される第1絶縁膜と、第1絶縁膜を貫通して磁気抵抗効果膜に至るコンタクトホールと、基層の表面に沿って磁気抵抗効果膜を挟み込む1対の磁区制御膜と、第1絶縁層に隣接しつつ磁区制御膜上に形成される第2絶縁膜とを備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
- 請求項4に記載のCPP構造磁気抵抗効果素子おいて、前記磁気抵抗効果膜は、ヘッドスライダの媒体対向面に臨む前端から基層の表面に沿って第1長さで後方に広がり、前記コンタクトホールは、媒体対向面に臨む前端から磁気抵抗効果膜の表面に沿って第1長さよりも短い第2長さで後方に延びることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003303196A JP2005071540A (ja) | 2003-08-27 | 2003-08-27 | Cpp構造磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003303196A JP2005071540A (ja) | 2003-08-27 | 2003-08-27 | Cpp構造磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005071540A true JP2005071540A (ja) | 2005-03-17 |
Family
ID=34407262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003303196A Pending JP2005071540A (ja) | 2003-08-27 | 2003-08-27 | Cpp構造磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005071540A (ja) |
-
2003
- 2003-08-27 JP JP2003303196A patent/JP2005071540A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4184668B2 (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子 | |
JP2004103769A (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子 | |
JP2002314168A (ja) | Cpp構造電磁変換素子およびその製造方法 | |
JP2004118978A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JP2002329905A (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
JP4316508B2 (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子およびヘッドスライダ | |
JP2004056037A (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子 | |
JP2005182897A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JP2002185059A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JP2000331318A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
JP4230702B2 (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
KR100822593B1 (ko) | 자기 헤드의 제조 방법 | |
US20070226987A1 (en) | Method for fabricating magnetic head | |
JP2002094144A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
JP4000114B2 (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子 | |
JP2008027476A (ja) | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JP2003198002A (ja) | 磁気抵抗効果膜および強磁性積層構造体 | |
JP2006041120A (ja) | 磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP2005071540A (ja) | Cpp構造磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2006228326A (ja) | 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP4359021B2 (ja) | トンネル接合磁気抵抗効果素子および磁気記録媒体駆動装置 | |
JP2006261313A (ja) | 軟磁性膜および薄膜磁気ヘッド | |
JP2010079970A (ja) | 磁気記録ヘッド | |
WO2002056304A1 (fr) | Tete magnetique a film mince et procede de production correspondant | |
JP2008059641A (ja) | 磁気ヘッドおよび記録媒体駆動装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060627 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20080603 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |