JP2005057812A - 弾性表面波装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 弾性体基板と誘電体薄膜との間にＩＤＴ電極及び／または反射器電極が形成されている弾性表面波装置において、ＩＤＴ電極及び／または反射器電極のストリップの反射効率を高めることができる、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 弾性体基板としての水晶基板２上に誘電体薄膜としてＺｎＯ薄膜３が形成されており、両者の間にＩＤＴ電極４が形成されており、ＩＤＴ電極４が、表面波の半波長区間に１本のストリップを配置した区間を少なくとも１つ有し、あるいはＩＤＴ電極４が形成されている部分において、ＺｎＯ薄膜３に隆起部が構成されており、該隆起部の傾斜面の傾斜角度θが３０度よりも大きくされている、弾性表面波装置１。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば共振子や帯域フィルタとして用いられる弾性表面波装置に関し、より詳細には、弾性体基板上に誘電体薄膜が形成されており、該弾性体基板と誘電体薄膜との間にＩＤＴ電極及び／または反射器電極が形成された弾性表面波装置に関する。

従来、例えば移動体通信機器の帯域フィルタなどに弾性表面波装置が広く用いられている。弾性表面波装置では、圧電体と接するように少なくとも一対のくし歯電極よりなる少なくとも１つのインターデジタル電極（以下、ＩＤＴ電極）が形成されている。

上記圧電体としては、様々な圧電材料からなる圧電基板が用いられている。また、ガラス基板や圧電基板などの弾性体基板上に、圧電性を有する誘電体薄膜を形成した構造や、圧電基板上に圧電性を有しない誘電体薄膜を形成した構造を有する弾性表面波装置も提案されている。例えば、弾性体基板上に誘電体薄膜を形成した弾性表面波装置は、下記の非特許文献１などに示されている。

従来の誘電体薄膜を用いた弾性表面波装置では、主として、所定距離を隔てて配置された複数のＩＤＴ電極を有する、トランスバーサル型の構造が用いられている。トランスバーサル型の構造では、ＩＤＴ電極におけるストリップによるＴＴＥ（トリプル・トランジット・エコー）の反射により、不要リップルが生じる。そこで、このような不要リップルを抑制するために、電極のストリップにおける反射が極力抑制されることが望ましい。従って、ＩＤＴ電極として、音響的な反射を生じないダブルストリップ型のＩＤＴ電極や、反射が抑制されたシングルストリップを有するＩＤＴ電極などが用いられていた。

他方、近年、損失の低減を図るために、一方向性ストリップを利用した弾性表面波装置が種々提案されている。一方向性ストリップを利用した構造を有する弾性表面波装置では、方向性を大きくするために、ストリップにおける反射を高める必要がある。

また、下記の非特許文献２などに開示されている共振器構造を有する弾性表面波装置に用いられる反射器では、反射量の大きなストリップにより反射器を構成することにより、少ないストリップ本数で所望の反射量が得られるとされている。また、上記「多対ＩＤＴの結合モード解析」に開示されている多対ＩＤＴでは、ＩＤＴを構成するストリップの反射量を増大させることにより、ＩＤＴの変換特性を急峻とし得ることが示されている。
「ＺｎＯ膜を用いたＴＶ用ＳＡＷフィルタの実用化研究」（門田、２６回ＥＭシンポジウム、１９９７、ｐｐ．８３−９０） 「多対ＩＤＴの結合モード解析」（電通信論文誌、１９７７／９、Ｖｏｌ．Ｊ６０−Ａ Ｎｏ．９）

上述したように、従来、ＩＤＴ電極や反射器におけるストリップの反射を高める必要がある弾性表面波装置が種々提案されていた。しかしながら、これらの弾性表面波装置では、圧電基板上にＩＤＴ電極や反射器電極が形成されていた。

他方、前述した誘電体薄膜を用いた弾性表面波装置、すなわちガラス基板や圧電基板上に圧電性を有する誘電体薄膜を形成した弾性表面波装置や、圧電基板上に圧電性を有しない誘電体薄膜もしくは圧電性を有する誘電体薄膜を形成した構造を有する弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極や反射器のストリップの反射係数が小さく、ＩＤＴの変換特性の急峻性を高めたり、小型化及び低損失化を図ることが困難であった。

本発明は、上述した従来技術の現状に鑑み、弾性体基板上に誘電体薄膜が形成されており、該誘電体薄膜と弾性体基板との間にＩＤＴ電極及び／または反射器電極が形成されている構造において、ＩＤＴ電極及び／または反射器電極のストリップの反射係数を高めることができ、それによって変換特性の急峻性を高めることができ、かつ小型化及び低損失化を図ることができる弾性表面波装置の提供を目的とする。

本発明は、弾性体基板と、前記弾性体基板上に形成された誘電体薄膜とを備え、前記弾性体基板及び誘電体薄膜の少なくとも一方が圧電性材料からなり、前記弾性体基板と前記誘電体薄膜との間に形成されたＩＤＴ電極及び／または反射器電極をさらに備え、前記ＩＤＴ及び／または反射器電極が、表面波伝搬方向において表面波の半波長区間に１本のストリップを配置した区間を少なくとも１つ有し、前記ストリップによる反射を利用した弾性表面波装置において、前記誘電体薄膜が前記ＩＤＴ電極及び／または反射器電極のストリップを被覆している部分において、該ストリップ上の誘電体薄膜部分の上面がストリップから離れた誘電体薄膜部分に対して傾斜面を介して隆起されており、該傾斜面のストリップ上の誘電体薄膜部分の上面に対する傾斜角度が３０度よりも大きくされていることを特徴とする。

本発明は、上記のように、弾性体基板上に、誘電体薄膜を形成した構造を有し、該弾性体基板と誘電体薄膜との間にＩＤＴ電極及び／または反射器電極が形成されている。ここで、弾性体基板としては、ガラス基板やアルミナ基板などの圧電性を有しない弾性体基板、または圧電セラミックスもしくは圧電単結晶からなる圧電基板が用いられる。また、上記誘電体薄膜としては、弾性体基板が圧電性を有しない場合には、圧電性を有する誘電体薄膜、例えばＺｎＯ膜などが用いられる。もっとも、弾性体基板が圧電性を有する場合、すなわち圧電基板である場合には、誘電体薄膜が圧電性を有する誘電体薄膜、すなわち圧電薄膜であってもよく、あるいは圧電性を有しない誘電体薄膜であってもよい。

また、弾性表面波装置を構成するために、通常、少なくとも１つのＩＤＴ電極が形成されるが、本発明においては、ＩＤＴ電極及び／または反射器電極が、表面波伝搬方向において、表面波の半波長区間に１本のストリップを配置した区間を少なくとも１つ有し、該ストリップによる反射が利用されている。

本発明では、誘電体薄膜がＩＤＴ電極及び／または反射器電極のストリップを被覆している部分において、ストリップ上の誘電体薄膜部分がストリップから離れた誘電体薄膜部分に対して傾斜面を介して隆起されており、該傾斜面のストリップを被覆している誘電体薄膜部分の上面に対する傾斜角度が３０度よりも大きくされており、それによってＩＤＴ電極及び／または反射器電極のストリップの反射係数が高められる。本発明においては、好ましくは、上記傾斜角度は４０度よも大きくされ、それによってストリップの反射係数がより一層高められる。

本発明においては、ＩＤＴ電極及び／または反射器電極の膜厚が、好ましくは、表面波の波長をλとしたとき、０．０１λよりも大きくされ、それによってストリップによる反射係数がより一層高められる。

また、本発明においては、上記誘電体薄膜の密度は、好ましくは、ＩＤＴ電極及び／または反射器電極の密度よりも高くされ、それによって、ストリップによる反射係数が効果的に高められる。

本発明において、ＩＤＴ電極及び／または反射器電極を構成する材料としては、アルミニウム、アルミニウムに銅、シリコン、チタンなどを添加した合金、金または銅などの様々な金属もしくは合金が用いられる。また、上記誘電体薄膜としては、ＺｎＯ薄膜、Ｔａ₂Ｏ₅薄膜またはＣｄＳ薄膜などが用いられ、上記弾性体基板材料として、水晶、ガラス、サファイアまたはシリコンなどが用いられる。

水晶やＬＴ、ＬＢＯなどの圧電体基板上にＩＤＴ電極及び／または反射器電極を形成した従来の構成では、電極の膜厚や線幅が変化されたとしても、κ₁₂の符号は変わらず、一定である。

ところが、本発明の特定の局面において、上記ＩＤＴ電極及び／または反射器電極を構成する材料としてアルミニウムを用い、かつ上記誘電体薄膜としてＺｎＯ薄膜を用いた場合、上記誘電体薄膜の密度より上記ＩＤＴ電極及び／または反射器電極を構成する材料の密度が小さくなる。このためＩＤＴ電極及び／または反射器電極を構成するストリップの線幅や膜厚の調整により、κ₁₂の符号は正〜零〜負と変化し、｜κ₁₂｜が最大値となるときのκ₁₂の符号は負となり、したがって前記従来の構成とは異なる傾向を示す。

さらには、κ₁₂の符号が負となる条件では、音響的な反射波と電気的再励起による反射波との位相が等しくなるため、ストリップを電気的に開放して構成した開放反射器を利用すると、電気機械結合係数Ｋ²に応じて大きな反射係数が得られる。

また、前記弾性体基板として、ガラス基板やサファイア基板を利用した構成は良く知られているが、周波数温度係数が正となる特定の切断方位の水晶基板を用いた場合、誘電体膜の負の周波数温度係数が打ち消され、周波数温度係数が零となる温度安定性に優れた表面波装置を得ることができる。

ＩＤＴ電極及び／または反射器電極の構造は特に限定されないが、本発明の別の特定の局面では、ＩＤＴ電極が備えられ、該ＩＤＴ電極が一方向性ＩＤＴ電極であり、従って、本発明により反射係数が高められた一方向性ＩＤＴ電極が構成される。

本発明においては、誘電体薄膜がＩＤＴ電極及び／または反射器電極のストリップを被覆している隆起部分において、上述した傾斜角度が３０度よりも大きくされているので、同様にストリップの反射効率を高めることができる。従って、ＩＤＴ電極が形成されている部分において上記傾斜角度を３０度よりも大きくした場合には、共振効率を高めることができ、フィルタ特性の急峻な共振器型フィルタやＱの高い共振子を得ることができ、反射器電極が形成されている部分において上記傾斜角度を３０度よりも大きくした場合には、反射器の小型化を図ることができる。

よって、本発明によれば、弾性体基板上に誘電体薄膜を形成し、両者の間にＩＤＴ電極及び／または反射器電極が形成されており、ＩＤＴ電極及び／または反射器電極のストリップによる反射を利用した弾性表面波装置において、ＩＤＴ電極及び／または反射器電極における上記ストリップの反射効率を高めることができるので、弾性表面波装置の小型化、及び低損失化を果たすことが可能となる。

以下、本発明の具体的な実施例を図面を参照しつつ説明することにより、本発明をより詳細に説明する。

（第１の実施例）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施例に係る弾性表面波装置の略図的平面図及び図１（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う部分の模式的拡大断面図である。

本実施例の弾性表面波装置１では、回転２７度Ｙ板の水晶基板２上に、誘電体薄膜としてＺｎＯ薄膜３が形成されている。また、水晶基板２とＺｎＯ薄膜３との間に、アルミニウム薄膜により構成されたＩＤＴ電極４，５が設けられている。

弾性表面波装置１では、ＩＤＴ電極４，５を励振すると、音速２５００〜３０００ｍ／秒程度のＸ方向伝搬のレイリー波が生じる。

なお、上記ＺｎＯ薄膜３は、通常スパッタリングなどの薄膜形成方法により水晶基板２上に形成される。この場合、水晶基板２上に配置されたＩＤＴ電極４のストリップ４ａが設けられている部分においては、ＺｎＯ薄膜３の上面に凹凸が生じる。図１（ｂ）に示されているように、ＺｎＯ薄膜３の上面においては、ストリップ４ａを被覆している部分が隆起している。すなわち、ＺｎＯ薄膜３の他の部分に対して傾斜面３ｂを介して隆起部３ａが形成されることになる。

上記傾斜面３ｂの隆起部３ａの上面とのなす傾斜角度θは、通常、３０度とされている（例えば、「ＺｎＯ薄膜表面研磨よるＳＡＷフィルタの周波数特性ばらつきの低減」（電子通信学会論文誌、Ｖｏｌ．Ｊ９６−Ａ Ｎｏ．１０、１９９３／１０））。

本願発明者は、「周期構造圧電性導波路の有限要素法解析」（電子通信学会論文誌、Ｖｏｌ．Ｊ６８−Ｃ Ｎｏ．１、１９８５／１）第２１〜第２７頁に提案されている有限要素法を利用して、図１（ｂ）に示すストリップ４ａを半波長区間内に１本配置した構造において、開放ストリップ及び短絡ストリップの阻止域周波数と、自由表面における音速を求めた。また、「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」（橋本、リアライズ社、２３３頁）」に提案されている方法に基づいて、上述したレイリー波のストリップにおける反射量を表すκ₁₂／ｋ₀を求めた。κ₁₂はモード結合理論に基づくモード間結合係数を示し、ｋ₀はλ／２πを示す。

結果を図２〜図４に示す。

図２（ａ）及び（ｂ）、図３（ａ）及び（ｂ）は、ＺｎＯ薄膜３の膜厚Ｔが０．２λ〜０．５λ、ストリップ４ａの膜厚Ｈが０．０１λ〜０．０４λ、傾斜面３ｂの傾斜角度θが３０度の場合のκ₁₂／ｋ₀とデューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図である。

また、図４は、ＺｎＯ薄膜の膜厚Ｔ＝０．３λ、ストリップ４ａの膜厚Ｈ＝０．０１λ〜０．０８λ及び上記傾斜角度θ＝９０度の場合のκ₁₂／ｋ₀と、デューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図である。

図２（ａ）〜図４から明らかなように、デューティ比が小さい領域では、κ₁₂の絶対値が小さく、ストリップの膜厚Ｈが小さい領域では、κ₁₂は正の値を示すことがわかる。また、デューティ比が増加するとともに、κ₁₂は負の値を示すことになる。この現象は、アルミニウムからなるストリップ４ａの密度（＝２．６９ｇ／ｃｍ³）よりも、ＺｎＯ薄膜３の密度（＝５．６８ｇ／ｃｍ³）が大きいために生じると考えられる。

従って、上記傾斜角度θにより若干の変動が見られるものの、デューティ比を０．５より大きくすれば、デューティ比＝０．５の場合に比べて、κ₁₂の絶対値を大きくすることができ、ストリップによる反射量を増大し得ることがわかる。より好ましくは、デューティ比を０．６以上とすれば、κ₁₂の絶対値の極大値を得ることができる。

なお、図５は、比較例として、ＺｎＯ薄膜の膜厚Ｔが０．３λ、ストリップ４ａの膜厚Ｈが０．０２λ、傾斜角度θ＝３０度の場合の電気機械結合係数Ｋ²と、上記デューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図である。図５から明らかなように、電気機械結合係数Ｋ²はデューティ比が０．５付近で最大となり、０．５から外れると減少することがわかる。従って、例えば、共振子や共振器型フィルタを構成する場合、帯域幅は電気機械結合係数と相関が強いため、本実施例においては、デューティ比は、所望とする帯域幅に応じて選択すればよいことがわかる。

（第２の実施例）
図６は、本発明の第２の実施例の弾性表面波装置の電極構造を示す模式的平面図である。

この弾性表面波装置１０では、ＩＤＴ電極１１，１２間に、反射器１３が配置されている。反射器１３は、半波長区間に１本のストリップ１３ａを配置した区間Ａを３００区間表面波伝搬方向に連続した構造を有する。ＩＤＴ電極１１，１２は、電極指の対数が２０対のダブルストリップ型のＩＤＴ電極である。ＩＤＴ電極１１，１２及び反射器電極１３のストリップ配置ピッチは同一である。

また、弾性体基板としては、回転２７度Ｙ板の水晶基板を用い、該水晶基板上に、上記ＩＤＴ電極１１，１２及び反射器電極１３を形成した後、図示はしないが、ＺｎＯ薄膜を形成した。すなわち、第１の実施例の場合と同様、水晶基板とＺｎＯ薄膜との間に、図６に示されている電極構造が形成されている。また、上記ＩＤＴ電極１１，１２及び反射器電極１３は、アルミニウムにより構成した。

図６に示した弾性表面波装置１０の周波数伝送特性では、ＩＤＴ電極１１からＩＤＴ電極１２に伝搬する表面波は、反射器１３の反射帯域では伝搬せず、反射器の反射帯域外では伝搬する。従って、弾性表面波装置１０の周波数伝送特性では、中心周波数付近に阻止域が生じる。この阻止域の帯域幅により、下記の式（１）に基づいてκ₁₂／ｋ₀を実測した。

κ₁₂／ｋ₀＝（阻止域の帯域幅／中心周波数）／２…式（１）
下記の表１は、上記のようにして実測されたκ₁₂／ｋ₀の値を示す。

表１から明らかなように、図２（ｂ）に示された値と、上記実測値とがほぼ一致することがわかる。

（第３の実施例）
第１の実施例における水晶基板に代えてガラス基板を用いたことを除いては同様にして、第３の実施例の弾性表面波装置を構成した。この場合、音速２５００〜２９００／ｓ付近にレイリー波が生じる。

図７（ａ）及び（ｂ）、図８（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施例において、ＺｎＯ薄膜の膜厚Ｔ＝０．１λ〜０．７λ、ストリップの膜厚Ｈ＝０．０１λ〜０．３５λ及び傾斜面の傾斜角度θ＝３０度の場合のκ₁₂／ｋ₀とデューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す。

図７及び図８から明らかなように、ＺｎＯ薄膜の膜厚が０．２λ以上であり、かつストリップの膜厚Ｈが０．０１λの場合、デューティ比＝０．５付近でほぼ無反射となり、デューティ比が０．５から外れるとともに、κ₁₂が増加することがわかる。また、ストリップの膜厚Ｈを０．０１λよりも厚くした場合、例えば０．３５λとした場合には、デューティ比が０．５より大きくなると、デューティ比＝０．５の場合に比べてκ₁₂の絶対値が増大し、反射係数が高められることがわかる。また、デューティ比が０．６以上の場合には、κ₁₂が極大値をとり、反射係数がより一層高められることがわかる。

図１と同様の弾性表面波装置を構成した。但し、ＺｎＯ薄膜３の膜厚Ｔ＝０．３λ、ストリップ４ａの膜厚Ｈ＝０．０２λとし、前述した傾斜角度θを２０度〜８０度の範囲で変化させ、κ₁₂／ｋ₀と、デューティ比との関係を調べた。結果を図９に示す。

図９から明らかなように、デューティ比を最適化した場合のκ₁₂の絶対値が傾斜角度θによって変動し、従来の傾斜角度である傾斜角度θ＝３０度に比べてθを大きくすると、κ₁₂の絶対値も増加することがわかる。

図１０は、傾斜角度θごとに、κ₁₂の絶対値が最大となるデューティ比と、その場合のκ₁₂／ｋ₀の値の関係を示す。図１０から明らかなように、傾斜角度θを３０度より大きくすると、κ₁₂が大きくなり、好ましくは４０度以上とすることにより、κ₁₂を傾斜角度θの変化に対して安定化することができ、かつκ₂の大きな弾性表面波装置の得られることがわかる。

なお、上記傾斜角度θは、ＺｎＯ薄膜をスパッタリングにより成膜する場合には、成膜粒子の入射角度の調整により容易にコントロールすることができる。例えば、「ＺｎＯ薄膜を用いたＴＶ用ＳＡＷフィルタの実用化研究」（門田、２６回ＥＭシンポジウム、１９９７、ｐｐ．８４、図３）に示されているプラネタリと基板との取り付け角度を調整し、成膜粒子の入射角度を垂直に近づけることにより、上記傾斜角度θを容易に３０度よりも大きくすることができる。

また、電極ストリップの横断面における側面を弾性体基板表面に対して直交する方向に近づけるように、すなわち横断面において現れる側面を急峻化することにより、上記傾斜角度θを大きくすることができる。このように電極ストリップの横断面形状に現れる側面を急峻化するには、ＩＤＴ電極や反射器電極の形成方法を選択することにより容易に達成され得る。例えば、電極ストリップの横断面形状を急峻化するには、ドライエッチング法が最も好ましく、リフトオフ法が次に好ましく、ウェットエッチング法が次に好ましい。

なお、上述した第１〜第４の実施例では、誘電体薄膜としてＺｎＯ薄膜を用いた場合を例にとり説明したが、ＺｎＯ薄膜の他、ＳｉＯ₂薄膜、ＡｌＮ薄膜、Ｔａ₂Ｏ₅薄膜及びＣｄＳ薄膜などの様々な誘電体薄膜を用いることができる。すなわち誘電体薄膜表面における隆起部における上記傾斜角度が表面波の反射量に影響を及ぼす適宜の誘電体薄膜を用いた場合にも、上記実施例と同様の効果が得られる。

また、上記実施例では、アルミニウムからなるＩＤＴ電極及び／または反射器電極が形成されていたが、銅や金などの一般的な金属材料を用いて弾性表面波装置を構成した場合にも、上記実施例と同様の効果が得られる。

さらに、第１の実施例及び第２の実施例では、回転２７度Ｙ板の水晶基板が用いられたが、他の結晶方位の水晶基板を用いてもよい。また、第３の実施例で用いられたガラス基板は、ほう珪酸ガラスまたはパイレックス（登録商標）ガラスなどの様々なガラスにより構成され得る。さらに、本発明においては、弾性体基板は、このような水晶基板やガラス基板に限らず、他の絶縁性基板により構成されてもよく、あるいは圧電単結晶や圧電セラミックスからなる圧電基板により構成されていてもよい。

なお、本発明に係る弾性表面波装置は、前述したように半波長区間に１本のストリップを配置した区間を、少なくとも１区間以上有しているが、この半波長区間を連続的に配置した構成が反射器に採用されている場合には、反射器のストリップの本数を従来に比べて少なくすることができる。また、半波長区間を連続的に配置した構造がＩＤＴ電極に採用されている場合には、ＩＤＴ電極内部における共振効率を高めることができ、良好な共振器型フィルタやＱの高い共振子を構成することができる。

さらに、上記半波長区間を、反射バンク型一方向性電極、ＦＥＵＤＴまたはＥＷＣ電極などの一方向性ＩＤＴ電極の反射エレメントして利用した場合には、一方向性をより一層高めることができる。

（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例に係る弾性表面波装置の模式的平面図及び（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う部分を拡大して示す断面図。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例において、反射効率を示すκ₁₂／ｋ₀と、デューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例において、反射効率を示すκ₁₂／ｋ₀と、デューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図。 第１の実施例において、ＺｎＯ薄膜の膜厚Ｔ＝０．３λ、ストリップの膜厚Ｈ＝０．０１λ〜０．０８λ及び傾斜角度θ＝９０度した場合のκ₁₂／ｋ₀とデューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図。 第２の実施例において、ガラス基板上に形成されたＺｎＯ薄膜の膜厚Ｔ＝０．１λ〜０．７λ、ストリップの膜厚Ｈ＝０．０１λ〜０．３５λ及び傾斜角度θ＝３０度とした場合のκ₁₂／ｋ₀と、デューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図。 本発明の第３の実施例に係る弾性表面波装置の電極構造を示す模式的平面図。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例において、反射効率を示すκ₁₂／ｋ₀と、デューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図。 （ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例において、反射効率を示すκ₁₂／ｋ₀と、デューティ比及びストリップの膜厚Ｈとの関係を示す図。 第３の実施例において、ＺｎＯ薄膜の膜厚Ｔ＝０．３λ、ストリップの膜厚Ｈ＝０．０２λ、傾斜角度θ＝２０度〜８０度したときのκ₁₂／ｋ₀とデューティ比との関係を示す図。 第３の実施例において、κ₁₂の絶対値が最大となるデューティ比と、その場合のκ₁₂／ｋ₀の値の傾斜角度依存性を示す図。

符号の説明

１…弾性表面波装置
２…水晶基板
３…ＺｎＯ薄膜
３ａ…隆起部
３ｂ…傾斜面
１０…弾性表面波装置
１１，１２…ＩＤＴ
１４…反射器電極
θ…傾斜角度

Claims (8)

1. 弾性体基板と、
   前記弾性体基板上に形成された誘電体薄膜とを備え、前記弾性体基板及び誘電体薄膜の少なくとも一方が圧電性材料からなり、
   前記弾性体基板と前記誘電体薄膜との間に形成されたＩＤＴ電極及び／または反射器電極をさらに備え、
   前記ＩＤＴ及び／または反射器電極が、表面波伝搬方向において表面波の半波長区間に１本のストリップを配置した区間を少なくとも１つ有し、前記ストリップによる反射を利用した弾性表面波装置において、
   前記誘電体薄膜が前記ＩＤＴ電極及び／または反射器電極のストリップを被覆している部分において、該ストリップ上の誘電体薄膜部分の上面がストリップから離れた誘電体薄膜部分に対して傾斜面を介して隆起されており、該傾斜面のストリップ上の誘電体薄膜部分の上面に対する傾斜角度が３０度よりも大きくされていることを特徴とする、弾性表面波装置。
2. 前記傾斜面の傾斜角度が４０度よりも大きい、請求項１に記載の弾性表面波装置。
3. 前記ＩＤＴ電極及び／または反射器の膜厚が表面波の波長λとしたときに、０．０１λよりも大きくされている、請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
4. 前記誘電体薄膜の密度が、前記ＩＤＴ電極及び／または反射器電極の密度よりも大きい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
5. 前記ＩＤＴ電極及び／または反射器電極がアルミニウムからなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
6. 前記誘電体薄膜が、ＺｎＯ薄膜である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
7. 前記弾性体基板が、水晶またはガラスからなる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
8. 前記ＩＤＴ電極及び／または反射器電極として、ＩＤＴを備え、該ＩＤＴ電極が一方向性ＩＤＴ電極である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
   

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