JP2005057286A - 光ポンプビーム放射半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、量子井戸構造が光学的にポンピングされる少なくとも1つの放射領域と、少なくとも1つのポンプ領域とを有しており、量子井戸構造と活性ポンプ層は、半導体装置のポンプ領域及び放射領域に亘って延在しており、ポンプビームは、横方向で放射領域内に入力結合されるように構成されている
【選択図】図1
Description
2 ブラッグミラー
3 個別層
4 導波路層
5 被覆層
6 第1のコンタクト層
7 第2のコンタクト層
8 活性ポンプ層
9 ポンプビーム
10 表面放射量子井戸構造
11 量子層
12 中央放射領域
13 ポンプ領域
14 ゾーン
15 側面
16 ビーム
17 マスク層
18 電磁ビーム
19 外部ミラー
Claims (15)
- 少なくとも1つの量子層(11)を有する表面放射量子井戸構造(10)と、前記量子層(11)に対して平行に設けられた、ポンプビーム(9)の形成用の活性ポンプ層(8)とを備えた光ポンプビーム放射半導体装置において、
半導体装置は、量子井戸構造(10)が光学的にポンピングされる少なくとも1つの放射領域(12)と、少なくとも1つのポンプ領域(13)とを有しており、前記量子井戸構造(10)と活性ポンプ層(8)は、半導体装置の前記ポンプ領域(13)及び前記放射領域(12)に亘って延在しており、ポンプビームは、横方向で放射領域(12)内に入力結合されるように構成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 活性ポンプ層(8)及び量子井戸構造(10)は、共通の導波路(4)内に設けられている請求項1記載の半導体装置。
- 量子井戸構造(10)の吸収波長は、放射領域(12)内部で、ポンプビーム(9)の波長よりも長く、放射領域(12)の外側で前記ポンプビーム(9)の波長よりも短い請求項1記載の半導体装置。
- 量子井戸構造(10)は、放射領域(12)の外側で少なくとも部分的に不規則化されている請求項1記載の半導体装置。
- ポンプビーム(9)の形成用の半導体装置は、レーザ活性媒体として活性ポンプ層(8)を有するポンピングレーザを有している請求項1記載の半導体装置。
- ポンピングレーザは、レーザ共振器を有しており、放射領域は、垂直方向に見て、少なくとも部分的にレーザ共振器と重畳されている請求項5記載の半導体装置。
- 放射領域(12)は、鏡層(2)、有利には、ブラッグミラーを有しており、又は、前記放射領域(12)の垂直方向の後ろ側に、前記鏡層(2)、有利には、ブラッグミラーが設けられている請求項1記載の半導体装置。
- 半導体装置は、光ポンプ半導体ディスクレーザとして構成されている請求項1記載の半導体装置。
- ポンプ領域(13)及び放射領域(12)は、モノリシックに集積されて構成されている請求項1記載の半導体装置。
- 少なくとも1つの量子層(11)を有する表面放射量子井戸構造(10)と、前記量子層(11)に対して平行に設けられた、ポンプビーム(9)の形成用の活性ポンプ層(8)とを備えた光ポンプビーム放射半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置は、前記量子井戸構造(10)が光学的にポンピングされる放射領域(12)とポンプ領域(13)とを有しており、前記量子井戸構造(10)と前記活性ポンプ層(8)は、半導体装置の前記ポンプ領域(13)及び前記放射領域(12)に亘って延在しており、ポンプビームは、横方向で放射領域(12)内に入力結合されるように構成されている光ポンプビーム放射半導体装置の製造方法において、
基板をプリペアリングするステップと、
活性ポンプ層(8)を含む半導体層又は半導体層列を成長するステップと、
少なくとも1つの量子層(11)を備えた表面放射量子井戸構造(10)を含む半導体層又は半導体層列を成長するステップと、
少なくとも1つの放射領域(12)と少なくとも1つのポンプ領域(13)とを横方向に固定するステップと、
量子井戸構造(10)をポンプ領域(13)内で不規則化するステップと
を有することを特徴とする半導体装置。 - 量子井戸構造(10)を、電磁ビーム(18)、有利には、レーザを用いて不規則化する請求項10記載の方法。
- 量子井戸構造(10)を、レーザポンプでの放射によって不規則化する請求項11記載の方法。
- 電磁ビーム(18)の波長を、量子井戸構造(10)内部で吸収されるが、活性ポンプ層(8)内部では吸収されないように選択する請求項10記載の方法。
- 電磁ビーム(18)の波長を、表面放射量子井戸構造(10)の放射波長よりも短く、且つ、ポンプビーム(9)の波長よりも長くする請求項10記載の方法。
- 量子井戸構造(10)の不規則化前の放射領域(12)を確定するために、マスク層、特に有利には、金属マスク層を、放射領域(12)上に堆積する請求項10記載の方法。
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