JP2005057192A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005057192A JP2005057192A JP2003288998A JP2003288998A JP2005057192A JP 2005057192 A JP2005057192 A JP 2005057192A JP 2003288998 A JP2003288998 A JP 2003288998A JP 2003288998 A JP2003288998 A JP 2003288998A JP 2005057192 A JP2005057192 A JP 2005057192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- pin
- output
- devices
- output pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】 入出力ピンにおけるリーク電流を抑制し、複数のデバイスに共有される入出力ピンのオープンチェックテストの実行が可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 「L」レベルのチップ選択信号に応じて、デバイスD#1は選択状態に駆動される。スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、「L」レベルのチップ選択信号に応じて動作状態となり、オープンチェック用ピンOCP#1の印加電圧が電源電圧よりも十分高いことを検出して「H」レベルの検出信号SV#1を出力する。デバイスD#1のNチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1はオンされる。入出力ピンI/OP1への印加電圧に応じて、入出力ピンI/OP1に電流が駆動されたときには、デバイスD#1との間のボンディングが正常であると判断できる。一方、入出力ピンI/OP1に電流が駆動されないときにはオープン不良であると判断できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 「L」レベルのチップ選択信号に応じて、デバイスD#1は選択状態に駆動される。スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、「L」レベルのチップ選択信号に応じて動作状態となり、オープンチェック用ピンOCP#1の印加電圧が電源電圧よりも十分高いことを検出して「H」レベルの検出信号SV#1を出力する。デバイスD#1のNチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1はオンされる。入出力ピンI/OP1への印加電圧に応じて、入出力ピンI/OP1に電流が駆動されたときには、デバイスD#1との間のボンディングが正常であると判断できる。一方、入出力ピンI/OP1に電流が駆動されないときにはオープン不良であると判断できる。
【選択図】 図1
Description
この発明は、半導体集積回路装置に関し、より特定的には、半導体集積回路装置に搭載される複数のデバイスで共有される入出力ピンのオープンチェックテストに関する。
高集積化が求められるLSI(半導体集積回路)においては、近年、複数のデバイスを1つのパッケージに封止するマルチチップパッケージ(MCP)や積層型チップスケールパッケージ(s−CSP)が製品化されている。
このようなパッケージでは、各デバイスと外部との間の信号の授受に用いられる入出力ピン(アドレスピン、データピン、制御ピンなど)が複数のデバイスで共通化される。通常、各デバイスには、入出力ピンを介して入出力される信号を入出力バッファに伝達するためのパッドが配され、入出力ピンとパッドとは、ワイヤボンディングなどによって結合される。したがって、1つの入出力ピンを複数のデバイスで共有する場合は、該入出力ピンと複数のパッドとがそれぞれワイヤボンディングにより結合される。
パッケージされたLSIにおいては、入出力ピンとデバイスとの間の断線または短絡によるボンディング不良を検出するために、オープンショートチェックテストが実行される。例えば、1つの入出力ピンと1つのデバイスのパッドとが結合されるときには、オープンショートチェックテストは、該入出力ピン(以下において、注目入出力ピンとも称する)にテスタから逆バイアスを印加し、接地電位から注目入出力ピンに駆動される電流(10μA程度)によって注目入出力ピンに生じる電位を測定することによって行なわれる。なお、注目入出力ピン以外の入出力ピンは、接地電位に設定される。
このとき、パッドと入出力バッファとを結ぶ配線には、ダイオード接続されたトランジスタ素子が配設される。トランジスタ素子は、例えば、ゲートおよびソースが接地電位に接続され、ドレインが該配線に接続されるNチャネルトランジスタで構成される。
以上の構成において、注目入出力ピンとパッドとの間にボンディング不良が生じていないときには、注目入出力ピンへの逆バイアス印加によって、トランジスタ素子がオンして電流が駆動されることから、注目入出力ピンの電位は、−0.6V程度となる。
一方、断線によるオープン不良が発生しているときには、トランジスタ素子がオンされず電流が駆動されないことから、注目入出力ピンの電位は、印加電圧である−2V程度となる。また、他の入出力ピンとの間で短絡するショート不良が発生しているときは、注目入出力ピンの電位は、他の入出力ピンの電位と等しく、接地電位となる。
このように、注目入出力ピンの電位を測定することによって、注目入出力ピンとパッドとの間のボンディングが正常、オープン不良およびショート不良のいずれの状態であるかを判定することができる。
次に、1つの入出力ピンを複数のデバイスで共有するLSIにおいて、上記の方法によって、注目入出力ピンのボンディング不良を検出する場合を考える。
まず、注目入出力ピンと他の入出力ピンとの間でショート不良が発生しているときには、先述のように、注目入出力ピンの電位は接地電位となることから、ショート不良を検出することができる。
これに対して、注目入出力ピンにオープン不良が発生しているときには、入出力ピンの電位は、先述した1つのデバイスのパッドに接続されるケースとは必ずしも一致しない。これは、注目入出力ピンを共有する複数のデバイスにおいて、1つでも注目入出力ピンとパッドとのボンディングが正常であれば、対応するトランジスタ素子がオンして電流を駆動することから、注目入出力ピンの電位は正常値である−0.6Vを示すことによる。このため、他のデバイスとの間に生じているオープン不良を検出することができない。
かかる問題を解決する手段として、例えば、特許文献1に記載される半導体装置が提案されている。
これによれば、半導体装置は、入出力ピンに加えて、デバイスごとに設けられる、複数のオープンチェックテスト時に用いるピン(以下、オープンチェック用ピンとも称する)を備える。オープンチェック用ピンは、対応するデバイスのパッドと入出力バッファとの間を結ぶ配線と接地電位との間に配されたトランジスタ素子のゲートに接続される。したがって、トランジスタ素子は、オープンチェック用ピンの入力電位に応じて、オン/オフ状態となり、配線を介してパッドと接地電位とを電気的に結合/分離する。
本半導体装置において、複数のデバイスのパッドとワイヤボンディングにより結合される注目入出力ピンのオープンチェックテストは、以下のように行なわれる。
注目入出力ピンに接続される複数のデバイスD1〜Dn(nは自然数)のうち、デバイスD1との間のオープンチェックテストを行なう場合を示す。
テスト実行にあたって、デバイスD1のオープンチェック用ピンには、電源電圧を印加し、デバイスD2〜Dnのオープンチェック用ピンには、接地電位を印加する。これにより、デバイスD1に配されるトランジスタ素子はオンされ、デバイスD2〜Dnに配されるトランジスタ素子はオフされる。
続いて、注目入出力ピンに所定の電圧を印加して、オープンチェックテストが実行される。
このとき、注目入出力ピンに接続されるデバイスD1〜Dnのうち、デバイスD1については、トランジスタ素子がオンしているため、ボンディングが正常であれば、注目入出力ピンには電流が駆動される。一方、デバイスD2〜Dnについては、トランジスタ素子がオフしているため、電流経路が形成されない。したがって、注目入出力ピンの電流を検出することにより、注目入出力ピンとデバイスD1のパッドとの間のボンディングが正常であると判断することができる。
さらに、注目入出力ピンに電流が検出されない場合は、唯一電流経路が形成されるデバイスD1において、オープン不良が生じていると判断することができる。
このように、本半導体装置では、オープンチェック用ピンを用いることにより、注目入出力ピンを共有するデバイスの個々に対してオープンチェックテストを行なうことを可能とする。なお、オープンチェック用ピンは、テスト時のみ使用され、通常動作時には使用されないことから、データシート上では、未使用ピン(以下、DUピンとも称する)として記載される。
特開平06−331705号公報
一般に、DUピンは、通常動作時には、電圧が印加されず、オープン状態とされる。しかしながら、ノイズなどによっては、DUピンに接地電位より若干高い電位が加わる場合が起こり得る。
この場合、上記の半導体装置では、DUピンであるオープンチェック用ピンに、通常動作時においても電圧が印加されることとなる。これに応じて、該オープンチェック用ピンに対応するトランジスタ素子がオンすると、入出力ピンと接地電位との間には電流経路が形成されることから、リーク電流が発生してしまう。
したがって、このリーク電流の発生を防止するためには、オープンチェック用ピンは、データシート上GND(接地電位)ピンとして、確実に接地電位に設定しておかなければならない。
すなわち、上記の半導体装置では、積層するデバイスの数だけGNDピンを余分に設ける必要が生じる。ピン数が多いパッケージでは、GNDピンの増設に十分対応することができるが、ピン数が限られたパッケージでは、オープンチェック用ピンとしてGNDピンを増やすことは困難である。
それゆえ、この発明の目的は、入出力ピンにおけるリーク電流を抑制し、複数のデバイスに共有される入出力ピンのオープンチェックテストの実行が可能な半導体集積回路装置を提供することである。
この発明に係る半導体集積回路装置によれば、同一パッケージに搭載される複数のデバイスと、複数のデバイスで共通化され、複数のデバイスとパッケージの外部との信号の授受に供する第1のピンと、複数のデバイスの各々に対して配され、第1のピンと対応するデバイスとの間の接続不良を検出するテストモードにおいて、所定の電圧が印加される第2のピンと、複数のデバイスの各々に対して配され、複数のデバイスのいずれか1つを選択状態に駆動する選択信号を受け、選択信号を対応するデバイスに伝達する第3のピンとを備える。各複数のデバイスは、第1のピンへの入出力信号を内部回路へ伝達するためのパッドと、選択信号に応じて動作状態となり、第2のピンの印加電圧が基準電圧に達しているか否かを検出する電位検出回路と、パッドと第1の電位との間に配され、電位検出回路の出力する検出信号に応じて導通状態となり、パッドと第1の電位との間に電流経路を形成するトランジスタ素子とを含み、第1のピンに印加した電圧に応じて電流経路に電流が駆動されるか否かに基づいて、第1のピンと対応するデバイスとの間の接続不良を検出する。
本発明の半導体集積回路装置によれば、複数のデバイスで共通化される入出力ピンのオープンチェックテストを確実に行なうことができる。
さらに、オープンチェック用ピンへの印加電圧を検出するディテクタ回路を設けたことにより、通常動作時にノイズによって若干の電圧が印加されたときでも、リーク電流の発生を抑えることができる。
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、その説明は繰返さない。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に従う半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
図1は、この発明の実施の形態1に従う半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
図1を参照して、半導体集積回路装置は、同一パッケージに搭載された複数のデバイスD#1〜D#m(mは2以上の自然数)と、各デバイスと外部との間の信号の授受に用いる複数の入出力ピンI/OP1〜I/OPn(nは2以上の自然数)と、オープンチェックテストにおいて、注目入出力ピンと対応するデバイスとの間に電流経路を形成するためのオープンチェック用ピンOCP#1〜OCP#m(図示省略)と、チップ選択信号を各デバイスに入力するためのCSピンCSP#1〜CSP#m(図示省略)とを備える。
入出力ピンI/OP1〜I/OPnは、それぞれ、複数のデバイスD#1〜D#mで共通化される。例えば、入出力ピンI/OP1は、デバイスD#1〜D#mの各々の内部に配される入出力ピン用パッドI/OPD1#1,I/OPD1#2,・・・I/OPD1#m(図示省略)に接続される。これらの接続には、ワイヤボンディングが施される。入出力ピンI/OPnについても同様に、入出力ピン用パッドI/OPDn#1,I/OPDn#2,・・・I/OPDn#m(図示省略)に接続される。
デバイスD#1〜D#mは、それぞれ、n個の入出力ピンI/OP1〜I/OPnに受ける信号を対応する内部回路に入出力するためのn個の入出力バッファI/O1#1〜I/On#1,I/O1#2〜I/On#2,・・・I/O1#m〜I/On#mと、n個の入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜I/OPDn#1,I/OPD1#2〜I/OPDn#2,・・・I/OPD1#m〜I/OPDn#mとを含む。
図1に示すように、デバイスD#1においては、入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜I/OPDn#1は、入出力バッファI/O1#1〜I/On#1にそれぞれ接続される。これにより、入出力ピンI/OP1〜I/OPnへの入力信号は、対応する入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜I/OPDn#1を介して、対応する入出力バッファI/O1#1〜I/On#1に伝達される。また、入出力バッファI/O1#1〜I/On#1の出力信号は、対応する入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜I/OPDn#1を介して、入出力ピンI/OP1〜I/OPnにそれぞれ伝達される。
デバイスD#2においても同様に、入出力ピン用パッドI/OPD1#2〜I/OPDn#2は、入出力バッファI/O1#2〜I/On#2にそれぞれ接続される。なお、図示は省略するが、デバイスD#3〜D#mにおいても、同様に、n個の入出力ピン用パッドとn個の入出力バッファとが1対1の関係で接続される。
デバイスD#1〜D#mは、入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜n#1・・・と入出力バッファI/O1#1〜I/On#1・・・とを結ぶ配線と接地電位との間にそれぞれ配置されるNチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1,Tr1#2〜Trn#2,・・・Tr1#m〜Trn#mをさらに含む。
図1に示すように、デバイスD#1において、入出力ピン用パッドI/OPD1#1と入出力バッファI/O1#1とを結ぶ配線と接地電位との間には、NチャネルトランジスタTr1#1が配される。また、入出力ピン用パッドI/OPDn#1と入出力バッファI/On#1とを結ぶ配線と接地電位との間には、NチャネルトランジスタTrn#1が配される。
デバイスD#2においても同様に、入出力ピン用パッドI/OPD1#2と入出力バッファI/O1#2とを結ぶ配線と接地電位との間には、NチャネルトランジスタTr1#2が配される。また、入出力ピン用パッドI/OPDn#2と入出力バッファI/On#2とを結ぶ配線と接地電位との間には、NチャネルトランジスタTrn#2が配される。
デバイスD#3〜デバイスD#mにおいても、図示は省略するが、NチャネルトランジスタTr1#3〜Trn#3,・・・Tr1#m〜Trn#mが同様の構成により配される。
デバイスD#1〜D#mは、NチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1,・・・Tr1#m〜Trn#mのオン/オフを制御する部位として、スーパーVccディテクタ回路SVD#1〜SVD#mをさらに含む。
スーパーVccディテクタ回路SVD#1〜SVD#mは、オープンチェック用ピンOCP#1〜OCP#mと、NチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1,Tr1#2〜Trn#2,・・・Tr1#m〜Trn#mのゲートとの間にそれぞれ配設される。
図1に示すように、例えば、スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、オープンチェック用ピンOCP#1とデバイスD#1に配置されたNチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1のゲートとの間に配置される。
スーパーVccディテクタ回路SVD#1の入力ノードは、デバイスD#1に対応して配されるオープンチェック用ピンOCP#1に接続される。接続には、ボンディングワイヤによって、オープンチェック用ピンOCP#1と介在するパッドOPD#1とが結合される。スーパーVccディテクタ回路SVD#1の出力ノードは、NチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1のゲートに接続される。
スーパーVccディテクタ回路SVD#1の制御ノードは、チップ選択信号を内部回路に伝達するCSバッファCSm#1の出力ノードに接続される。CSバッファm#1の入力ノードは、パッドCPD#1を介して、チップ選択信号を受けるCSピンCSP#1に接続される。なお、チップ選択信号は、動作内容に応じて、デバイスD#1〜D#mのうちの1つを選択状態に駆動するための信号である。デバイスD#1〜D#mにおいて、パッドCPD#1〜CPD#mを介して入力されたチップ選択信号は、CSバッファCSm#1〜CSm#m(図示省略)にそれぞれ入力される。「L」(論理ロー)レベルに活性化されたチップ選択信号がCSピンCSP#1〜CSP#mのいずれか1つに入力されると、対応するデバイスが選択状態に駆動される。
スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、制御ノードに「L」レベルのチップ選択信号を受けたことに応答して動作状態となり、入力されるオープンチェック用ピンOCP#1の印加電圧が基準電圧よりも高いか否かを検出する。さらに、検出結果として、「H」(論理ハイ)または「L」レベルの電位を有する検出信号SV#1を発生する。基準電圧には、電源電位よりも十分高い電位が設定される。
したがって、チップ選択信号が「L」レベルであり、かつオープンチェック用ピンOCP#1の電位が電源電位よりも十分高いときには、スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、「H」レベルの検出信号SV#1を発生する。一方、チップ選択信号が「H」レベルのとき、または、チップ選択信号が「L」レベルであって、オープンチェック用ピンOCP#1の電位が基準電位よりも低いときには、「L」レベルの検出信号SV#1を発生する。発生した検出信号SV#1は、NチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1のゲートに入力される。この点において、オープンチェック用ピンの印加電位がトランジスタ素子のゲートに直接的に入力される従来の半導体装置とは相違する。
スーパーVccディテクタ回路SVD#2についても同様に、オープンチェック用ピンOCP#2とNチャネルトランジスタTr1#2〜Trn#2との間に配設される。制御ノードには、CSピンCSP#2に入力されるチップ選択信号がCSバッファCSm#2を介して入力される。
スーパーVccディテクタ回路SVD#2は、「L」レベルのチップ選択信号を受けたことに応答して動作状態となり、オープンチェック用ピンOCP#2の印加電圧が電源電圧よりも十分高いか否かを検出する。さらに、検出結果として、検出信号SV#2を発生する。オープンチェック用ピンOCP#2の電位が電源電圧よりも十分高いときには、「H」レベルの検出信号SV#2が出力される。一方、オープンチェック用ピンOCP#2の電位が基準電圧よりも低いとき、あるいはチップ選択信号が「H」レベルのときには、「L」レベルの検出信号SV#2が出力される。出力された検出信号SV#2は、NチャネルトランジスタTr1#2〜Trn#2のゲートに入力される。
図示しないスーパーVccディテクタ回路SVD#3〜SVD#mについても同様に、チップ選択信号の活性化に応じて、対応するオープンチェック用ピンOCP#3〜OCP#mの印加電圧が電源電圧よりも十分高いか否かが検出される。チップ選択信号が「L」レベルであり、かつ印加電圧が電源電圧よりも十分高いときにおいて、「H」レベルの検出信号SV#3〜SV#mがそれぞれ出力される。一方、チップ選択信号が「H」レベルのとき、または印加電圧が電源電圧よりも十分高くないときには、「L」レベルの検出信号SV#1〜SV#mがそれぞれ出力される。
次に、図1に示す本実施の形態に従う半導体集積回路装置において実行されるオープンチェックテストについて説明する。以下においては、例として、入出力ピンI/OP1とデバイスD#1との間のオープンチェックテストを行なう場合について説明する。
最初に、テスト実施に先立って、「L」レベルのチップ選択信号がCSピンCSP#1に入力される。これにより、デバイスD#1は選択状態に駆動される。このとき、他のCSピンCSP#2〜CSP#mには、「H」レベルのチップ選択信号が入力される。
デバイスD#1において、スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、「L」レベルのチップ選択信号に応じて動作状態となる。
次に、オープンチェックテストを行なうデバイスD#1のオープンチェック用ピンOCP#1に電圧を印加する。スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、オープンチェック用ピンOCP#1の印加電圧が電源電圧よりも十分高いか否かを検出し、検出信号SV#1を出力する。印加電圧が電源電圧に比べて十分に高いことが検出されると、スーパーVccディテクタ回路#1からは、「H」レベルの検出信号SV#1が出力される。
デバイスD#1のNチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1は、ゲートに「H」レベルの検出信号SV#1を受けたことに応じて、オン状態となる。これにより、入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜I/OPDn#1と接地電位との間には、電流経路がそれぞれ形成される。
さらに、この状態で、注目入出力ピンである入出力ピンI/OP1に所定の電圧を印加する。入出力ピンI/OP1と接地電位とは、入出力ピン用パッドI/OPD1#1およびNチャネルトランジスタTr1#1を介して、電流経路が形成されていることから、ボンディングが正常であれば、入出力ピンI/OP1に電流が駆動される。
このとき、入出力ピンI/OP1を共有する他のデバイスD#2〜D#mでは、CSピンCSP#2〜CSP#mに入力される「H」ベルのチップ選択信号に応じて、スーパーVccディテクタ回路SVD#2〜SVD#mが非動作状態となる。このため、スーパーVccディテクタ回路SVD#2〜SVD#mは、オープンチェック用ピンOCP#2〜OCP#mの印加電圧に依らず、「L」レベルの検出信号SV#2〜SV#mを出力する。
さらに、NチャネルトランジスタTr1#2〜Trn#2,・・・Tr1#m〜Trn#mは、「L」レベルの検出信号SV#2〜SV#mに応じてオフされる。したがって、入出力ピンI/OP1に接続される入出力ピン用パッドI/OPD1#2,I/OPD1#3,・・・I/OPD1#mと接地電位とは電気的に分離され、電流経路が形成されない。
以上のことから、オープンチェックテストにおいて、入出力ピンI/OP1への印加電圧に応じて、入出力ピンI/OP1に電流が駆動されたときには、デバイスD#1の入出力用パッドI/OPD1#1と入出力ピンI/OP1との間のボンディングが正常であると判断できる。一方、入出力ピンI/OP1に電流が駆動されないときには、唯一電流経路が形成されている入出力用パッドI/OPD1#1との間にオープン不良が発生していると判断できる。
入出力ピンI/OP1と他のデバイスD#2〜D#mとの間のオープンチェックテストにおいても、チップ選択信号によって、各デバイスを順次選択状態に駆動することにより、同様に行なうことができる。
以上のように、本実施の形態によれば、複数のデバイスで共通化される入出力ピンにおいても、オープンチェックテストを確実に行なうことができる。
さらに、通常動作時において、オープンチェック用ピンOCP#1〜OCP#mの電位がノイズなどによって、接地電位に対して若干高くなったときでも、対応するスーパーVccディテクタ回路SVD#1〜SVD#mは、電源電位よりも十分に高電位でない限り、検出信号SV#1〜SV#mを「L」レベルに保持する。したがって、各デバイスのNチャネルトランジスタはオフされたままであり、入出力ピンI/OP1〜I/OPnと接地電位との間に電流経路を形成しないことから、リーク電流の発生を防ぐことができる。
また、オープンチェック用ピンOCP#1〜OCP#mのオープンチェックテストについては、図1に示すように、オープンチェック用ピンOCP#1〜OCP#mとスーパーVccディテクタ回路SVD#1〜SVD#mとの間をそれぞれ結ぶ配線に、ダイオード接続されたNチャネルトランジスタTrO#1〜TrO#mを配することによって、従来のオープンチェックテストと同様に行なうことができる。
すなわち、注目オープンチェック用ピンOCP#i(iはm以下の自然数)への逆バイアス印加時において、ボンディングが正常であれば、NチャネルトランジスタTrO#iがオンして、注目オープンチェック用ピンOCP#iに電流が駆動され、オープン不良であれば、電流が駆動されないことから、注目入出力ピンOCP#iの電位を測定することによって、オープン不良を検出することができる。
CSピンCSP#1〜CSP#mのオープンチェックテストについても、CSピンCSP#1〜CSP#mとスーパーVccディテクタ回路SVD#1〜SVD#mの制御ノードとの間を結ぶ配線に、ダイオード接続されたNチャネルトランジスタTrC#1〜TrC#mをそれぞれ配することによって、上記と同様の方法で実行することができる。
以上のように、この発明の実施の形態1に従えば、複数のデバイスで共通化される入出力ピンのオープンチェックテストを確実に行なうことができる。
さらに、オープンチェック用ピンの印加電圧を検出するディテクタ回路を設けたことにより、通常動作時において、ノイズによってオープンチェック用ピンに若干の電圧が印加されたときでも、リーク電流の発生を抑えることができる。これは、従来の半導体装置に対して、オープンチェック用ピンを通常動作時に接地電位とするためのGNDピンの増設を必要としないことから、ピン数の限られた半導体集積回路装置においても、簡易にオープンチェックテストを行なうことができる。
実施の形態2.
図2は、この発明の実施の形態2に従う半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
図2は、この発明の実施の形態2に従う半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
図2を参照して、半導体集積回路装置は、同一パッケージに搭載された複数のデバイスD#1〜D#mと、各デバイスと外部との間の信号の授受に用いる複数の入出力ピンI/OP1〜I/OPnと、オープンチェックテストにおいて、注目入出力ピンとデバイスとの間に電流経路を形成するためのオープンチェック用ピンOCPと、チップ選択信号を各デバイスに入力するためのCSピンCSP#1〜CSP#mとを備える。
入出力ピンI/OP1〜I/OPnは、それぞれ複数のデバイスD#1〜D#mで共通化される。例えば、入出力ピンI/OP1は、デバイスD#1〜D#mの各々の内部に配された入出力ピン用パッドI/OPD1#1,I/OPD1#2〜I/OPD1#mに接続される。これらの接続は、ワイヤボンディングなどが施される。入出力ピンI/OPnについても同様に、入出力ピン用パッドI/OPDn#1,I/OPDn#2〜I/OPDn#mに接続される。
デバイスD#1〜D#mは、それぞれ、n個の入出力ピンI/OP1〜I/OPnに受ける信号を対応する内部回路に伝達するためのn個の入出力バッファI/O1#1〜I/On#1,・・・I/O1#m〜I/On#mと、入出力ピンI/OP1〜I/OPnの入出力信号を入出力バッファにそれぞれ伝達するためのn個の入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜I/OPDn#1,・・・I/OPD1#m〜I/OPDn#mとを含む。
デバイスD#1〜D#mは、入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜I/OPDn#1,・・・I/OPD1#m〜I/OPDn#mと入出力バッファI/O1#1〜I/On#1,・・・I/O1#m〜I/On#mとをそれぞれ結ぶ配線と接地電位との間に各々配置されるNチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1,Tr1#2〜Trn#2,・・・Tr1#m〜Trn#mと、これらのオン/オフを制御する部位として、スーパーVccディテクタ回路SVD#1〜SVD#mとをさらに含む。
図2に示すように、本実施の形態に従う半導体集積回路装置は、実施の形態1の半導体集積回路装置に対して、基本的な構成を同じくする一方で、デバイスごとに配されていたm個のオープンチェック用ピンOCP#1〜OCP#mを、デバイス間で共通化される単一のオープンチェック用ピンOCPで構成した点で相違する。よって、共通する部分についての詳細な説明は繰り返さない。
したがって、オープンチェックテストにおいて、オープンチェックテスト用ピンOCPに印加される電圧は、該ピンを共有するデバイスD#1〜D#mのスーパーVccディテクタ回路SVD#1〜SVD#mに一律に入力されることとなる。
次に、図2に示す本実施の形態に従う半導体集積回路装置において実行されるオープンチェックテストについて説明する。以下においては、例として、入出力ピンI/OP1とデバイスD#1との間のオープンチェックテストを行なう場合について説明する。
最初に、テスト実施に先立って、「L」レベルのチップ選択信号がCSピンCSP#1に入力される。これにより、デバイスD#1は選択状態に駆動される。このとき、他のCSピンCSP#2〜CSP#mには、「H」レベルのチップ選択信号が入力される。
デバイスD#1において、スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、「L」レベルのチップ選択信号に応じて動作状態となり、オープンチェック用ピンOCPの印加電圧に基づいて、検出信号SV#1を発生する。
次に、オープンチェック用ピンOCPに電圧を印加する。印加電圧が電源電圧に比べて十分に高いときには、スーパーVccディテクタ回路SVD#1は、「H」レベルの検出信号SV#1を出力する。
一方、入出力ピンI/OP1を共有する他のデバイスD#2〜D#mでは、CSピンCSP#2〜CSP#mに入力される「H」レベルのチップ選択信号に応じて、スーパーVccディテクタ回路SVD#2〜SVD#mが非動作状態となる。このため、スーパーVccディテクタ回路SVD#2〜SVD#mは、オープンチェック用ピンOCPの印加電圧に依らず、「L」レベルの検出信号SV#2〜SV#mを出力する。
デバイスD#1のNチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1は、ゲートに「H」レベルの検出信号SV#1を受けたことに応じて、オン状態となる。これにより、入出力ピン用パッドI/OPD1#1〜I/OPDn#1と接地電位との間には、電流経路が形成される。
さらに、この状態で、注目入出力ピンである入出力ピンI/OP1に所定の電圧を印加する。入出力ピンI/OP1と接地電位とは、入出力ピン用パッドI/OPD1#1およびNチャネルトランジスタTr1#1を介して、電流経路が形成されていることから、ボンディングが正常であれば、入出力ピンI/OP1に電流が駆動される。
このとき、NチャネルトランジスタTr1#2〜Trn#2,・・・Tr1#m〜Trn#mは、「L」レベルの検出信号SV#2〜SV#mに応じてオフされる。したがって、入出力ピンI/OP1に接続される入出力ピン用パッドI/OPD1#2,I/OPD1#3,・・・I/OPD1#mと接地電位とは電気的に分離され、電流経路が形成されない。
以上のことから、オープンチェックテストにおいて、入出力ピンI/OP1への印加電圧に応じて、入出力ピンI/OP1に電流が駆動されたときには、デバイスD#1の入出力用パッドI/OPD1#1と入出力ピンI/OP1との間のボンディングが正常であると判断できる。一方、入出力ピンI/OP1に電流が駆動されないときには、唯一電流経路が形成されている入出力用パッドI/OPD1#1との間にオープン不良が発生していると判断できる。
入出力ピンI/OP1と他のデバイスD#2〜D#mとの間のオープンチェックテストにおいても、チップ選択信号によって、各デバイスを順次選択状態に駆動することにより、同様に行なうことができる。
さらに、通常動作時において、オープンチェック用ピンOCPの電位がノイズなどによって、接地電位に対して若干高くなったときでも、スーパーVccディテクタ回路SVD#1〜#mは、電源電位よりも十分に高電位でない限り、検出信号SV#1〜SV#mを「L」レベルに保持する。したがって、各デバイスのNチャネルトランジスタTr1#1〜Trn#1,・・・Tr1#m〜Trn#mはオフされたままであり、入出力ピンI/OP1〜I/OPnと接地電位との間に電流経路を形成しないことから、リーク電流の発生を防ぐことができる。
なお、複数のデバイスで共通化されるオープンチェック用ピンOCPにオープン不良が発生しているときには、スーパーVccディテクタ回路SVD#1〜SVD#mの発生する検出信号SV#1〜SV#mは、すべて「L」レベルとなる。これにより、入出力ピンI/OP1〜I/OPnの全てのオープンチェックテストにおいて、オープン不良であると判定されることから、オープンチェック用ピンOCPがオープン不良であると判断することができる。
以上のように、この発明の実施の形態2に従えば、複数のデバイスで共通化される入出力ピンのオープンチェックテストを確実に行なうことができる。
さらに、オープンチェック用ピンへの印加電圧を検出するディテクタ回路を設けたことにより、通常動作時にノイズによって若干の電圧が印加されたときでも、リーク電流の発生を抑えることができる。
また、オープンチェック用ピンを複数のデバイスで共通化することにより、DUピンとして使用できるピン数が限られる半導体集積回路においても、容易にオープンチェックテストを行なうことができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
D#1〜D#m デバイス、I/O1#1〜I/On#1,・・・I/O1#m〜I/On#m 入出力バッファ、CSm#1〜CSm#m CSバッファ、SVD#1〜SVD#m スーパーVccディテクタ回路、I/OP1〜I/OPn 入出力ピン、I/OPD1#1〜I/OPDn#1,I/OPD1#m〜I/OPDn#m 入出力ピン用パッド、OCP#1〜OCP#m オープンチェック用ピン、CSP#1〜CSP#m CSピン、CPD#1〜CPD#m パッド、Tr1#1〜Trn#1,・・・Tr1#m〜Trn#m,TrO#1〜TrO#m,TrC#1〜TrC#m Nチャネルトランジスタ。
Claims (3)
- 同一パッケージに搭載される複数のデバイスと、
前記複数のデバイスで共通化され、前記複数のデバイスと前記パッケージの外部との信号の授受に供する第1のピンと、
前記複数のデバイスの各々に対して配され、前記第1のピンと対応する前記デバイスとの間の接続不良を検出するテストモードにおいて、所定の電圧が印加される第2のピンと、
前記複数のデバイスの各々に対して配され、前記複数のデバイスのいずれか1つを選択状態に駆動する選択信号を受け、前記選択信号を対応するデバイスに伝達する第3のピンとを備え、
各前記複数のデバイスは、
前記第1のピンに接続され、内部回路に信号を伝達するためのパッドと、
前記選択信号に応じて動作状態となり、前記第2のピンの印加電圧が基準電圧に達しているか否かを検出する電位検出回路と、
前記パッドと第1の電位との間に配され、前記電位検出回路が出力する検出信号に応じて導通状態となり、前記パッドと第1の電位との間に電流経路を形成するトランジスタ素子とを含み、前記第1のピンに印加した電圧に応じて電流経路に電流が駆動されるか否かに基づいて、前記第1のピンと対応する前記デバイスとの間の接続不良を検出する、半導体集積回路装置。 - 前記基準電圧は、電源電圧レベルよりも高電位とする、請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2のピンは、前記複数のデバイスで共通化される、請求項1または2に記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003288998A JP2005057192A (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003288998A JP2005057192A (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005057192A true JP2005057192A (ja) | 2005-03-03 |
Family
ID=34367473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003288998A Withdrawn JP2005057192A (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005057192A (ja) |
-
2003
- 2003-08-07 JP JP2003288998A patent/JP2005057192A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8080873B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor package, and method for testing semiconductor device | |
KR101321947B1 (ko) | 정전기 방전 보호회로를 구비하는 반도체 장치 및 이장치의 테스트 방법 | |
US7859284B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device module | |
KR101605747B1 (ko) | 물리적으로 공유된 데이터 패스를 구비하는 반도체 메모리 장치 및 이에 대한 테스트 장치 | |
US8704541B2 (en) | Test method of driving apparatus and circuit testing interface thereof | |
JPWO2007097053A1 (ja) | 半導体集積回路とその検査方法 | |
US9607925B2 (en) | Semiconductor device for verifying operation of through silicon vias | |
JP2003110417A (ja) | 半導体集積回路およびマルチチップパッケージ | |
JP2902593B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP2009264948A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010266254A (ja) | 半導体装置のオープンテスト回路、オープンテスト回路を備えた半導体チップ及び半導体装置 | |
US20080093597A1 (en) | Semiconductor device | |
US8039274B2 (en) | Multi-chip package semiconductor device and method of detecting a failure thereof | |
US8270233B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2005057192A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US11422181B2 (en) | Semiconductor devices including through electrodes | |
KR100594204B1 (ko) | 공동 패드를 구비한 반도체장치의 입력회로 | |
US7876628B2 (en) | Data output circuit | |
JP3963259B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR20080053547A (ko) | 패드 수를 감소시킨 반도체 메모리 장치 | |
US7719907B2 (en) | Test circuit for semiconductor memory device | |
KR100206700B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 패드 연결방법 | |
US6815230B2 (en) | Control signal transmitting method with package power pin and related integrated circuit package structure | |
US9495643B2 (en) | Semiconductor device capable of testing bonding of pad | |
KR100668496B1 (ko) | 데이터 압축 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061107 |