JP2005057167A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005057167A5 JP2005057167A5 JP2003288659A JP2003288659A JP2005057167A5 JP 2005057167 A5 JP2005057167 A5 JP 2005057167A5 JP 2003288659 A JP2003288659 A JP 2003288659A JP 2003288659 A JP2003288659 A JP 2003288659A JP 2005057167 A5 JP2005057167 A5 JP 2005057167A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- forming
- gate electrode
- insulating film
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 445
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 38
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 23
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003288659A JP4402396B2 (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003288659A JP4402396B2 (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005057167A JP2005057167A (ja) | 2005-03-03 |
| JP2005057167A5 true JP2005057167A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2006-08-17 |
| JP4402396B2 JP4402396B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=34367248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003288659A Expired - Fee Related JP4402396B2 (ja) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4402396B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101133767B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR102095625B1 (ko) | 2008-10-24 | 2020-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| CN102576732B (zh) | 2009-07-18 | 2015-02-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置与用于制造半导体装置的方法 |
| CN113013218B (zh) * | 2021-03-09 | 2024-05-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039241A1 (fr) * | 1998-01-30 | 1999-08-05 | Hitachi, Ltd. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| JP4583529B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2010-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP3901893B2 (ja) * | 1998-11-25 | 2007-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP4939689B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP4583654B2 (ja) * | 2000-05-13 | 2010-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4064075B2 (ja) * | 2000-06-07 | 2008-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5046452B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2012-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4926329B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2012-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法、電気器具 |
| JP3813555B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2006-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
| JP4785300B2 (ja) * | 2001-09-07 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気泳動型表示装置、表示装置、及び電子機器 |
-
2003
- 2003-08-07 JP JP2003288659A patent/JP4402396B2/ja not_active Expired - Fee Related