JP2005048228A - 気化装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 気化状態をモニターして成膜の安定性に寄与する気化装置を提供すること。
【解決手段】 気化装置は、気化器10と粒度測定装置20とを備える。気化器10は、噴霧された液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスPを配管3を通して粒度測定装置20へ送出する。粒度測定装置20は、フローセル23中の材料ガスPに半導体レーザ光源21からのレーザ光L1を照射し、材料ガスPによって生じた回折・散乱光L3を光センサ25によって光強度分布パターンとして検出する。この検出データを制御部26で処理する。粒度測定装置20は、気化器10、配管3,4またはCVD成膜装置本体5に設けることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 気化装置は、気化器10と粒度測定装置20とを備える。気化器10は、噴霧された液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスPを配管3を通して粒度測定装置20へ送出する。粒度測定装置20は、フローセル23中の材料ガスPに半導体レーザ光源21からのレーザ光L1を照射し、材料ガスPによって生じた回折・散乱光L3を光センサ25によって光強度分布パターンとして検出する。この検出データを制御部26で処理する。粒度測定装置20は、気化器10、配管3,4またはCVD成膜装置本体5に設けることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液体有機金属や有機金属溶液等の液体材料を気化する気化器の気化性能を評価するようにした装置に関する。
半導体デバイス製造工程における薄膜形成方法の一つとしてMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法があるが、スパッタ蒸着に比べて膜質,成膜速度,ステップカバレッジなどが優れていることから近年盛んに利用されている。MOCVD装置に用いられているCVDガス供給法としては、従来からバブリング法や昇華法などが知られている。近年は、液体有機金属若しくは有機金属溶液等の液体材料をCVD装置の直前で気化して供給する方法が、制御性および安定性の面でより優れた方法として注目されている。この気化方法では、高温に保たれた気化チャンバ内にノズルから液体材料を噴霧して、液体材料を気化させている。
ところが、液体材料の種類や気化チャンバ内の温度分布等によって、霧状の液体材料の総てが気化チャンバ内で気化されず、その一部が気化チャンバからガス供給ライン(配管)を介してCVD装置側へと排出される場合がある。このとき、排出された未気化の微粒子が配管中で固化して未気化残渣として残留したり、気化した材料ガスが再凝集してパーティクルが発生する。この未気化の微粒子やパーティクルがCVD装置まで達すると、成膜不良の恐れがある。従来、材料ガスの状態をモニターするために、配管途中に四重極型質量分析計を取り付けて、材料ガスの流量や濃度等を測定する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
上記の四重極型質量分析計を用いた従来技術では、質量をパラメータとして未気化微粒子や材料ガスを検出するので、薄膜の性質に重要な影響を及ぼす粒子の大きさに関する情報は得られない。また、四重極型質量分析計は、専用の排気系を必要とするため装置構成が複雑になる。
(1)請求項1の気化装置は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内に噴霧し、噴霧された液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをガス供給ラインを通してCVD成膜装置に供給する気化器と、液体材料微粒子および材料ガスの粒子径を光学的に測定する気化性能評価手段とを備えることを特徴とする。
(2)気化性能評価手段は、液体材料微粒子および材料ガスに照射したレーザ光の前方散乱光の強度パターンにより測定すること装置であることが好ましい。
(3)上記の気化装置は、気化性能評価手段での評価結果に基づいて、気化器における液体材料の噴霧条件および気化条件の少なくとも一方の条件を変更する条件変更手段をさらに備えることが好ましい。
(4)上記の気化性能評価手段は、気化器、ガス供給ラインまたはCVD成膜装置に設けることができる。
(2)気化性能評価手段は、液体材料微粒子および材料ガスに照射したレーザ光の前方散乱光の強度パターンにより測定すること装置であることが好ましい。
(3)上記の気化装置は、気化性能評価手段での評価結果に基づいて、気化器における液体材料の噴霧条件および気化条件の少なくとも一方の条件を変更する条件変更手段をさらに備えることが好ましい。
(4)上記の気化性能評価手段は、気化器、ガス供給ラインまたはCVD成膜装置に設けることができる。
本発明によれば、未気化微粒子や材料ガスの粒子径を測定し、気化状態をモニターすることにより、成膜の安定性に寄与する気化装置を提供することができる。
以下、本発明による気化装置について図1〜5を参照しながら説明する。
〈第1の実施の形態〉
図1は、本発明の第1の実施の形態による気化装置とその周辺装置との配置状態を示す構成図である。本実施の形態の気化装置は、気化器10および粒度測定装置20とを有する。気化器10は、液体材料供給部1と配管2を介して接続されている。また、気化器10は、粒度測定装置20と配管3を介して接続されている。粒度測定装置20は、半導体レーザ光源21、フローセル23、光センサ25および制御部26を備え、CVD成膜装置本体5と配管4を介して接続されている。制御部26には、測定データを表示するモニタ27が接続されている。CVD成膜装置本体5には、反応ガス供給部6と排気ポンプ7が接続されている。配管2,3,4およびフローセル23は、気化したガスが析出しないように、所定の温度、例えば液体材料の気化温度に保持されている。配管2,3,4の加熱のためには、例えばリボンヒータを配管の外周に巻き付ければよい。
〈第1の実施の形態〉
図1は、本発明の第1の実施の形態による気化装置とその周辺装置との配置状態を示す構成図である。本実施の形態の気化装置は、気化器10および粒度測定装置20とを有する。気化器10は、液体材料供給部1と配管2を介して接続されている。また、気化器10は、粒度測定装置20と配管3を介して接続されている。粒度測定装置20は、半導体レーザ光源21、フローセル23、光センサ25および制御部26を備え、CVD成膜装置本体5と配管4を介して接続されている。制御部26には、測定データを表示するモニタ27が接続されている。CVD成膜装置本体5には、反応ガス供給部6と排気ポンプ7が接続されている。配管2,3,4およびフローセル23は、気化したガスが析出しないように、所定の温度、例えば液体材料の気化温度に保持されている。配管2,3,4の加熱のためには、例えばリボンヒータを配管の外周に巻き付ければよい。
液体材料供給部1から供給された液体材料は、気化器10により気化して粒度測定装置20へと導かれる。気化器10の構造と作用については後述する。粒度測定装置20では、フローセル23中の材料ガスPや液体微粒子に半導体レーザ光源21からのレーザ光L1が照射され、そのまま直進する光L2や材料ガスPによって生じた回折・散乱光L3が光センサ25によって検出される。その検出データ、例えば材料ガスや液体微粒子の粒子径は、気化状態をモニターするために用いられたり、制御部26で処理され、噴霧条件、気化条件の設定のために気化器10へフィードバックされる。
先ず、図2を参照しながら、気化器10の構造と作用について説明する。気化器10は、噴射ノズル部11と気化チャンバ12とを備えている。噴射ノズル部11には二重管13が設けられていて、その内側の管13aには、原料供給管2aがジョイントJで接続され、外側の管13bには、ガス供給管2bが接続されている。
二重管13の上部には冷却ジャケット14が設けられており、冷却ジャケット14の冷却水路14a内を冷却水が二重管13の軸周りに循環するような構成となっている。
二重管13の上部には冷却ジャケット14が設けられており、冷却ジャケット14の冷却水路14a内を冷却水が二重管13の軸周りに循環するような構成となっている。
噴射ノズル部11の先端付近にはフランジ15が設けられていて、フランジ15をボルト15aで気化チャンバ12に締結することにより、噴射ノズル部11が気化チャンバ12に固定される。このとき、二重管13の先端部13cは、気化チャンバ12の気化室12aに露出する。
気化チャンバ12には複数箇所に加熱用ヒータHが設けられており、気化チャンバ12の内壁12bは、その温度が液体材料の気化温度程度となるように加熱される。また、気化チャンバ12には、液体材料が気化して生成した材料ガスを外部に送出する排出口12cが設けられている。排出口12cは、不図示のCVD成膜装置へ配管接続されている。
原料供給管2aから管13aには、液体材料とキャリアガスが混合した気液混合物が供給され、ガス供給管2bから管13bには、キャリアガスが供給される。液体材料は、液体有機金属や有機金属溶液であり、例えば液体有機金属としてはCuやTaなどの有機金属があり、有機金属溶液としてはBa,Sr,Ti,Pb,Zrなどの有機金属をTHF(tetrahydrofuran)等の有機溶剤に溶かしたものがある。キャリアガスは、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスである。
管13aの内径は、原料供給管2aの内径よりも小さく作製されているので、気液混合物は、管13a内では気液2相流状態で流れ、二重管13の先端部13cから気化チャンバ12の気化室12a内に噴出する。一方、ガス供給管2bからのキャリアガスは、管13bと管13aとの間の環状空間を流れて、二重管13の先端部13cから気化室12a内に噴出する。その結果、二重管13の先端部13cから噴出する液体材料は、霧状の微粒子となって気化室12a内に噴出する。霧状の微粒子は、気化室12a内で気化し、材料ガスとして排出口12cから送出される。
次に、図3,4を参照しながら、本実施の形態の気化装置の粒度測定装置の構成と作用を説明する。図3は、粒度測定装置の構成を模式的に示す概略構成図であり、図4は、フローセルの構造を示す断面図であり、図1と同じ構成部品には同一符号を付す。
図3に示される粒度測定装置20は、上述したとおり、半導体レーザ光源21、照明光学系22、フローセル23、集光レンズ24、光センサ25および制御部26を備えている。図中、フローセル23の上側は気化器10と配管接続され、下側はCVD成膜装置5と配管接続されている。
半導体レーザ光源21は、散乱されやすい短波長のレーザ光を発振する、例えば発振波長405nmの青紫色半導体レーザである。光センサ25は、個々の受光素子が2次元的に分布している2次元位置センサであり、直進光L2の光軸と交わる点Oから回折・散乱光L3の到達する点Aまでを含む2次元領域の光を受光する。光センサ25は、回折角または散乱角が変化しても受光できるように、位置調整機構25aにより、光軸と直角な平面に沿って移動可能となっている。
制御部26は、光センサ25と電気的に接続されており、光センサ25からの信号を増幅しAD変換して測定値を算出する測定部26aと、測定値に基づいて気化器における液体材料の噴霧条件や気化条件を制御する信号を送出する送信部26bとを有する。例えば、測定された粒子径が基準値よりも大きい場合は、噴霧条件の変更として、気液混合物中のキャリアガスの比率を高めたり、気化条件の変更として、気化チャンバの加熱ヒータHに流す電流値を上昇させる。
フローセル23は、図4に示されるように、容器本体30、対向する2枚の透明窓31,32およびジョイント部33,34を有する。容器本体30とジョイント部33,34には、フローセル23内部を所定温度に保持するためのヒータHが組み込まれている。容器本体30と透明窓31の間は、Oリング36を介して固定部材35により密閉されている。同様に、容器本体30と透明窓32の間は、Oリング38を介して固定部材37により密閉されている。
容器本体30の材質は、材料ガスPに対する耐食性やヒータHに対する耐熱性に応じて、金属、セラミック、プラスチックのいずれを選択してもよい。例えば、耐食性に優れるステンレス鋼や加工性に優れるアルミニウム合金を選択できる。透明窓31,32の材質は、短波長のレーザ光を透過させる材料であればよく、例えば石英ガラスを選択できる。
透明窓31,32のレーザ光通過領域にはヒータを組み込むことができないために、その内面に材料ガスPが析出し易い。これを防止するためには、透明窓31,32の内面に沿ってガスを流すガスシールドや、析出物が付着し難いPTFEコーティングを用いればよい。また、透明窓31,32の内面に材料ガスPが膜状に堆積した場合、回折・散乱光L3は、膜状堆積物による屈折作用を受け、後述する光強度分布パターンに誤差が生じる。この対策としては、予め膜状堆積物の厚さと屈折力との関係を測定しておき、光強度分布パターンの誤差を補正すればよい。また、フローセル23内に定期的に不活性ガスを流してメンテナンスをするとよい。
再び、図3を参照しながら、粒度測定装置の作用を説明する。
材料ガスPは、気化器10からフローセル23内を通過してCVD成膜装置本体5へと流れる。半導体レーザ光源21からのレーザ光L1は、照明光学系22により平行光束となり、フローセル23の透明窓31から材料ガスPの流れ方向に略直角に入射する。レーザ光L1は、回折や散乱をせずに直進して透明窓32から射出する直進光L2と、材料ガスPの微粒子によって回折または散乱を生じて透明窓32から射出する回折・散乱光L3とに分かれる。透明窓32から射出した直進光L2と回折・散乱光L3は、集光レンズ24で集光された後に光センサ25へ到達する。回折・散乱光L3は、空間的な光強度分布パターンを示している。
材料ガスPは、気化器10からフローセル23内を通過してCVD成膜装置本体5へと流れる。半導体レーザ光源21からのレーザ光L1は、照明光学系22により平行光束となり、フローセル23の透明窓31から材料ガスPの流れ方向に略直角に入射する。レーザ光L1は、回折や散乱をせずに直進して透明窓32から射出する直進光L2と、材料ガスPの微粒子によって回折または散乱を生じて透明窓32から射出する回折・散乱光L3とに分かれる。透明窓32から射出した直進光L2と回折・散乱光L3は、集光レンズ24で集光された後に光センサ25へ到達する。回折・散乱光L3は、空間的な光強度分布パターンを示している。
光センサ25は、回折・散乱光L3の空間的な光強度分布パターンを回折・散乱像として検出する。光強度分布パターンは、微粒子の粒子径に依存して変化するので、光強度分布パターンから材料ガスPの粒子径を特定することができる。一般に、粒子径が小さいほど回折角または散乱角が大きい。制御部26は、回折・散乱像から粒子径と分布状態(相対粒子量)を計測する。
本実施の形態では、計測された粒子径とその分布状態に基づいて気化器の噴霧条件や気化条件が適切か否かを知ることができる。不適切と判断された場合は、フィードバック制御をかけて気化条件等を再設定することができ、インラインで使用するのに適している。
また、本実施の形態の気化装置は、フィードバック制御をかけないで、オペレータがリアルタイムで測定値をモニタし、手動で条件設定をするという使い方もできる。
また、本実施の形態の気化装置は、フィードバック制御をかけないで、オペレータがリアルタイムで測定値をモニタし、手動で条件設定をするという使い方もできる。
また、本実施の形態では、質量分析法に比べ、微粒子の量が少ない条件下でも検出でき、例えば0.1〜200μmという広範囲の粒子径を連続的に測定することができる。さらに、本実施の形態では、液体材料或いは材料ガスの種類にほとんど依存することなく校正を必要とせずに粒子径の相対分布を測定できるので、材料ガスだけではなく、液体材料の微粒子や未気化残渣の剥離物などの粒径が比較的大きな液体や固体の粒子でも測定できる。
なお、フローセル23の透明窓32から射出する前方散乱光だけではなく、レーザ光L1が入射する透明窓31から射出する後方散乱光を検出するように、透明窓31の近傍に光センサを設けることもできる。また、側方散乱光を検出するように、材料ガスPの流れ方向に対して透明窓31の側面に新たな透明窓を設け、光センサをその近傍に設けることもできる。
〈第2の実施の形態〉
図4は、本発明の第2の実施の形態による気化装置の構成を模式的に示す構成図である。本実施の形態の気化装置は、気化器40および粒度測定装置50とを有し、気化器40は、噴射ノズル部11と気化チャンバ42とを備えている。噴射ノズル部11は、第1の実施の形態による気化器10のものと同じである。また、粒度測定装置50も、図2に示される粒度測定装置20の構成と比べて、フローセル23が欠けているだけで、その他は同じである。
図4は、本発明の第2の実施の形態による気化装置の構成を模式的に示す構成図である。本実施の形態の気化装置は、気化器40および粒度測定装置50とを有し、気化器40は、噴射ノズル部11と気化チャンバ42とを備えている。噴射ノズル部11は、第1の実施の形態による気化器10のものと同じである。また、粒度測定装置50も、図2に示される粒度測定装置20の構成と比べて、フローセル23が欠けているだけで、その他は同じである。
本実施の形態の気化装置が第1の実施の形態のものと異なる点は、粒度測定装置50が気化チャンバ42に設けられている点である。気化チャンバ42には、2枚の透明窓43,44が対向配設されている。半導体レーザ光源21からのレーザ光L1は、透明窓43を通して気化チャンバ42へ入射し、直進光L2と材料ガスPによって生じた回折・散乱光L3は、透明窓44を通して射出し、光センサ25によって検出される。光センサ25は、回折・散乱光L3の空間的な光強度分布パターンを回折・散乱像として検出し、その検出データは、第1の実施の形態と同様に、不図示の制御部へ送られて処理される。
本実施の形態では、液体材料微粒子を気化する気化チャンバ42が第1の実施の形態におけるフローセル23の機能を兼ねている。従って、本実施の形態では、気化チャンバ42の気化性能を最も直接的に評価することができるとともに、フローセルを設ける必要がないという長所がある。
本実施の形態の粒度測定装置50は、図1に示されるCVD成膜装置本体5に設けてもよい。すなわち、CVD成膜装置本体5の成膜チャンバが気化チャンバ42の代わりとなる。成膜チャンバに2枚の透明窓を対向配設し、成膜チャンバに導入された材料ガスに対して一方の透明窓からレーザ光を入射させ、他方の透明窓から射出する回折・散乱光L3を光センサで検出するように粒度測定装置を構成する。この場合は、成膜直前の材料ガスの状態を評価できるので、気化状態を監視するモニタとしては最も望ましい。
本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。従って、粒度測定方式もレーザ光を使用する方法のみに限定されない。
1:材料供給部
2,3,4:配管
5:CVD成膜装置本体
10,40:気化器
11:噴射ノズル部
12,42:気化チャンバ
20,50:粒度測定装置
21:半導体レーザ光源
22:照明光学系
23:フローセル
24:集光レンズ
25:光センサ
26:制御部
H:ヒータ
P:材料ガス
2,3,4:配管
5:CVD成膜装置本体
10,40:気化器
11:噴射ノズル部
12,42:気化チャンバ
20,50:粒度測定装置
21:半導体レーザ光源
22:照明光学系
23:フローセル
24:集光レンズ
25:光センサ
26:制御部
H:ヒータ
P:材料ガス
Claims (4)
- 液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料を高温に保持された気化チャンバ内に噴霧し、噴霧された液体材料の微粒子を気化し、気化により生成した材料ガスをガス供給ラインを通してCVD成膜装置に供給する気化器と、
前記液体材料微粒子および材料ガスの粒子径を光学的に測定する気化性能評価手段とを備えることを特徴とする気化装置。 - 請求項1に記載の気化装置において、
前記気化性能評価手段は、前記液体材料微粒子および材料ガスに照射したレーザ光の前方散乱光の強度パターンにより測定することを特徴とする気化装置。 - 請求項1または2に記載の気化装置において、
前記気化性能評価手段での評価結果に基づいて、前記気化器における液体材料の噴霧条件および気化条件の少なくとも一方の条件を変更する条件変更手段をさらに備えることを特徴とする気化装置。 - 請求項1〜2のいずれかに記載の気化装置において、
前記気化性能評価手段は、前記気化器、前記ガス供給ラインまたは前記CVD成膜装置に設けられることを特徴とする気化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003280816A JP2005048228A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP (1) | JP2005048228A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010229464A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積装置及び薄膜形成方法 |
-
2003
- 2003-07-28 JP JP2003280816A patent/JP2005048228A/ja active Pending
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JP2010229464A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積装置及び薄膜形成方法 |
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