JP2005045212A - ショットキバリアダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アクセプタが高濃度のp型Siである埋込層13bを、アノード電極14に接触することなく、ドナーが低濃度のn型Siであるnエピタキシャル層11内部に埋め込み形成し、アクセプタが高濃度のp型Siであるガードリング層12を、アノード電極14と接触し、且つ埋込層13bに接触することなく取り囲むようにnエピタキシャル層11内部に形成する。
【選択図】 図2
Description
ショットキバリアダイオードの順方向電圧Vfは、ショットキ接合障壁を低くすればする程、小さくすることができるが、ショットキ接合障壁が低くなると今度は逆バイアス印加時に逆方向に流れる電流、いわゆるリーク電流が増大するという問題が生じる。
先行ショットキバリアダイオードは、第一導電型半導体層の表面にショットキ接合を形成する金属のアノード電極を配置し、第一導電型半導体層の裏面側にオーミックなカソード電極を設けたショットキバリアダイオードにおいて、第一導電型半導体層内部に第二導電型半導体層を、逆バイアス印加時に空乏層が連続するような間隔で形成して埋め込み、その第二導電型半導体層(以下、埋込層と呼ぶ。)をショットキ接合したアノード電極と同電位としたことを特徴とする。
また、アノード電極と同電位の埋込層とカソード電極と同電位の第一導電型半導体層との境界部分に形成される空乏層の電気容量が、スイッチング動作の高速性を低下させる原因となる。
また、埋込層がガードリング層と接触していないため、第一電極と同電位となる第二導電型の半導体層の面積が縮小されるので、電極間の電気容量を小さくすることができる。
この構成により、埋込層の面積を更に縮小することができる。
更に、前記第一導電型半導体層は、不純物が高濃度のサブストレートと不純物が低濃度のエピタキシャル層から成り、前記ガードリング層及び前記埋込層は不純物が高濃度の第二導電型半導体であって、エピタキシャル層内部に形成されているとしてもよい。
また、上記目的を達成するために本発明に係るショットキバリアダイオードは、第一導電型半導体層の表面に金属層である第一電極をショットキ接合し、当該第一導電型半導体層の裏面に第二電極をオーミック接合したショットキバリアダイオードにおいて、第一導電型半導体層とキャリアが異なる第二導電型の第一埋込層が、第一電極に接触することなく第一導電型半導体層内部に埋め込み形成され、第二導電型の第二埋込層が、第一電極及び第一埋込層に接触することなく、第一埋込層を取り囲むように第一導電型半導体層内部に埋め込み形成され、第二導電型のガードリング層が、第一電極及び第二埋込層と接触し、且つ第二埋込層を取り囲むように第一導電型半導体層内部に形成されていることを特徴としている。
更に、逆バイアス印加時に第一電極と同電位となるガードリング層及び第二埋込層と、第一導電型半導体層との境界部分から空乏層が広がり、第一埋込層と第一導電型半導体層との境界部分に形成された空乏層と接触することで、ガードリング層の内側が空乏層で満たされるので、逆バイアス印加によるキャリアの移動を空乏層で阻止することができる。すなわち、リーク電流を抑えることができる。
この構成により、埋込層の面積を更に縮小することができる。
また、前記第一導電型半導体層は、不純物が高濃度のサブストレートと不純物が低濃度のエピタキシャル層から成り、前記ガードリング層、前記第一埋込層及び前記第二埋込層は不純物が高濃度の第二導電型半導体であって、エピタキシャル層内部に形成されているとしてもよい。
なお、各図面において同一部分を示す場合は、共通の番号を付している。
<構造>
図1は、本発明に係るショットキバリアダイオードをアノード電極側から見た平面図であり、図2は、図1に示すX−X’線に沿ってショットキバリアダイオードを垂直に切断した場合の断面斜視図である。
n+サブストレート10は、ドナーが高濃度のn型Si(シリコン)であり、nエピタキシャル層11は、n+サブストレート10上に成長析出されたドナーが低濃度のn型Si(シリコン)である。
ガードリング層12は、アクセプタが高濃度のp型Siであり、アノード電極14とnエピタキシャル層11とのショットキ接合面のうち電流密度が高くなりやすいコーナー部分の保護、及び逆方向特性の劣化抑制を目的として環状に形成される。また、ガードリング層12は、アノード電極14と接しているため、アノード電極14と同電位である。
図3は、図1において点線で描いた埋込層13a及び埋込層13bの平面形状を明確に表した図である。
図3に示すように埋込層13aは環状に形成されている。キャリアは、この環状の内側を層に対して垂直方向に移動する。また、図2に示すように埋込層13aは、アノード電極14とは接していないが、ガードリング層12と接しているためアノード電極14と同電位である。
また、埋込層13bは、ガードリング層12及びアノード電極14と接していないので、アノード電極14と同電位ではない。
<逆バイアス印加時の作用>
ここで、逆バイアス印加時にショットキバリアダイオード1のPN接合部分に形成される空乏層の広がりについて詳しく説明する。
図示していないが、ガードリング層12及び埋込層13a内部においても同様に−イオンの空乏層が広がっている。
空乏層は、電気的中性の条件から、不純物が高濃度のガードリング層12及び埋込層13aより不純物が低濃度のnエピタキシャル層11の方が広がりやすく、逆バイアスの高まりに応じて空乏層111は更に広がりが増すことになる。
<先行技術との対比>
ここで、本発明に係るショットキバリアダイオード1の特徴である、埋込層13a及び埋込層13bの平面形状の比較対象として、従来技術として挙げた特許公開公報(平11−330498号)に開示されている先行ショットキバリアダイオードの埋込層の平面形状を説明する。
同図に示すように、先行ショットキバリアダイオードの埋込層100は、本発明のショットキバリアダイオード1の埋込層13a及び埋込層13bのように分離されておらず一体となっており、埋込層100全体が、アノード電極と同電位となる構造になっている。
一方、本発明のショットキバリアダイオード1は、埋込層13bは、埋込層13a及びガードリング層12と完全に分離されて形成されているので、先行ショットキバリアダイオードの埋込層100より、層面積を小さくすることができる。すなわち、抵抗成分が抑えられるので、先行ショットキバリアダイオードより順方向電圧Vfを小さくすることができる。
<ショットキバリアダイオードの製造方法>
次に、上述したショットキバリアダイオード1の製造方法について説明する。
まず、図6に示すように、nエピタキシャル層11上に熱酸化によりシリコン酸化膜20を形成し、その上にレジスト21を塗布し、フォトリソグラフィ技術によってレジスト21をパターンニングする。その後、シリコン酸化膜20をフッ酸を用いてエッチングし、開口部22を形成する。
注入されたホウ素イオン23の活性化、及びガードリング層12としての機能を果たす深さまでホウ素イオン23を拡散させるために、20分間1150℃の熱処理を行なう。こうして、ガードリング層12が形成される(図8)。
そして、埋込層13a及び埋込層13bを形成するホウ素イオン27を注入する(図10)。このときのホウ素イオンの注入条件は、加速電圧1250keV、ドーズ量1×10^17cm^2である。
埋込層13a及び埋込層13bを同時に形成することで、埋込層13aと埋込層13bとの間隔の精度を高めることができる。
最後に、TiとAgをnエピタキシャル層11上に蒸着させ、アノード電極14を形成し、n+サブストレート10の裏面にAgを蒸着させてカソード電極15を形成する(図12)。
<補足>
以上、本発明の一実施形態であるショットキバリアダイオードとその製造方法について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。すなわち、
(1)本実施形態において、ショットキバリアダイオード1は埋込層13aと埋込層13bを両方有しているものとして説明したが、本発明は、埋込層13aを形成せずに、埋込層13bのみを有するものであってもよい。
(2)本実施の形態では、ショットキバリアダイオード1を構成する半導体としてSiを用いたが、SiCやGaAs等の化合物半導体を用いてもよい。また、n+サブストレートの代わりに、p+サブストレートを用いてもよく、この場合、ガードリング層及び埋込層は、不純物濃度が濃いn型の半導体を用いればよい。
(3)本実施の形態では、ショットキ接合したアノード電極14として、Ti及びAgを用いていたが、1種類の金属であってもよい。Ti及びAg以外に好適な金属として、V(バナジウム)、Mo(モリブデン)、Li(リチウム)、Pb(鉛)、Ni(ニッケル)、Al(アルミニウム)等がある。また、オーミック接合したカソード電極15として、Agを用いていたが、サブストレートとオーミック接合可能な材料であればどのようなものであってもよい。
(4)本発明は、本実施の形態で説明した図3に示す埋込層13bの形状に限定されたものではなく、例えば、図13〜図16にそれぞれ示した形状のものであってもよい。
図14に示す埋込層132は、図3に示す埋込層13bの各島状部材のうち、中央に位置する島状部材と、両端に位置する島状部材の3つを等間隔に5分割され、残りの2つについてはそのままである。
図16に示す埋込層134は、渦巻き形状となっている。渦巻き方向は、図に示すように右巻きの他、左巻きであってもよいし、複数の渦巻きを組み合わせたものであってもよい。
(5)本発明に係るショットキバリアダイオードの製造方法において、ガードリング層及び埋込層は、イオン注入方法で形成したが、固相拡散方法を用いて形成してもよい。
10 n+サブストレート
11 nエピタキシャル層
12 ガードリング層
13a、13b、100、131〜134 埋込層
14 アノード電極
15 カソード電極
Claims (13)
- 第一導電型半導体層の表面に金属層である第一電極をショットキ接合し、当該第一導電型半導体層の裏面に第二電極をオーミック接合したショットキバリアダイオードにおいて、
第一導電型半導体層とキャリアが異なる第二導電型の埋込層が、第一電極に接触することなく第一導電型半導体層内部に埋め込み形成され、
第二導電型のガードリング層が、第一電極と接触し、且つ埋込層に接触することなく取り囲むように第一導電型半導体層内部に形成されている
ことを特徴とするショットキバリアダイオード。 - 前記ガードリング層と前記第一導電型半導体層との境界部分である第一境界部分及び前記埋込層と第一導電型半導体層との境界部分である第二境界部分にはそれぞれ空乏層が形成され、
逆バイアス印加時に第一境界部分に形成された空乏層と第二境界部分に形成された空乏層とが連続する
ことを特徴とする請求項1に記載のショットキバリアダイオード。 - 前記埋込層は、複数の島状部材から成ることを特徴とする請求項2に記載のショットキバリアダイオード。
- 前記各島状部材は、長尺状であって、その長手方向に直交する方向に実質的に等間隔に並んでいることを特徴とする請求項3に記載のショットキバリアダイオード。
- 前記第一導電型半導体層は、不純物が高濃度のサブストレートと不純物が低濃度のエピタキシャル層から成り、
前記ガードリング層及び前記埋込層は不純物が高濃度の第二導電型半導体であって、エピタキシャル層内部に形成されている
ことを特徴とする請求項4に記載のショットキバリアダイオード。 - 前記第一導電型はn型であり、前記第二導電型はp型であることを特徴とする請求項4に記載のショットキバリアダイオード。
- 第一導電型半導体層の表面に金属層である第一電極をショットキ接合し、当該第一導電型半導体層の裏面に第二電極をオーミック接合したショットキバリアダイオードにおいて、
第一導電型半導体層とキャリアが異なる第二導電型の第一埋込層が、第一電極に接触することなく第一導電型半導体層内部に埋め込み形成され、第二導電型の第二埋込層が、第一電極及び第一埋込層に接触することなく、第一埋込層を取り囲むように第一導電型半導体層内部に埋め込み形成され、第二導電型のガードリング層が、第一電極及び第二埋込層と接触し、且つ第二埋込層を取り囲むように第一導電型半導体層内部に形成されている
ことを特徴とするショットキバリアダイオード。 - 前記第一埋込層は、複数の島状部材から成り、前記第二埋込層は、環状に形成されていることを特徴とする請求項7に記載のショットキバリアダイオード。。
- 前記各島状部材は、長尺状であって、その長手方向に直交する方向に実質的に等間隔に並んでいることを特徴とする請求項8に記載のショットキバリアダイオード。
- 前記第一導電型半導体層は、不純物が高濃度のサブストレートと不純物が低濃度のエピタキシャル層から成り、
前記ガードリング層、前記第一埋込層及び前記第二埋込層は不純物が高濃度の第二導電型半導体であって、エピタキシャル層内部に形成されている
ことを特徴とする請求項9に記載のショットキバリアダイオード。 - 前記第一導電型はn型であり、前記第二導電型はp型であることを特徴とする請求項10に記載のショットキバリアダイオード。
- 第一導電型半導体層の表面に金属層である第一電極をショットキ接合し、当該第一導電型半導体層の裏面に第二電極をオーミック接合したショットキバリアダイオードの製造方法において、
第一導電型半導体層とキャリアが異なる第二導電型のガードリング層を、第一導電型半導体層の表面に一部を露呈させて、第一導電型半導体層内に環状に形成するガードリング層形成工程と、
第二導電型の埋込層を、ガードリング層に接触することなく、ガードリング層の内側の第一導電型半導体層内に埋め込み形成する埋込層形成工程と、
前記ガードリング層の露呈部分と接するように前記第一電極を形成する第一電極形成工程とを含む
ことを特徴とするショットキバリアダイオードの製造方法。 - 前記埋込層形成工程において、前記埋込層と共に、第二導電型の第二埋込層を、前記ガードリング層の環状と接触させて、埋込層を取り囲むように形成することを特徴とする請求項12に記載のショットキバリアダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004153732A JP4383250B2 (ja) | 2003-07-04 | 2004-05-24 | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003191953 | 2003-07-04 | ||
JP2004153732A JP4383250B2 (ja) | 2003-07-04 | 2004-05-24 | ショットキバリアダイオード及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005045212A true JP2005045212A (ja) | 2005-02-17 |
JP4383250B2 JP4383250B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4383250B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP3321972A1 (de) * | 2016-11-14 | 2018-05-16 | 3-5 Power Electronics GmbH | Stapelförmige schottky-diode |
CN108538925A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-09-14 | 深圳基本半导体有限公司 | 一种碳化硅结势垒肖特基二极管 |
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EP3321972A1 (de) * | 2016-11-14 | 2018-05-16 | 3-5 Power Electronics GmbH | Stapelförmige schottky-diode |
US10276730B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-04-30 | 3-5 Power Electronics GmbH | Stacked Schottky diode |
CN108538925A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-09-14 | 深圳基本半导体有限公司 | 一种碳化硅结势垒肖特基二极管 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090918 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R250 | Receipt of annual fees |
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