JP2005044329A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のデータ入力ノードに接続される入力スイッチISWと、複数のデータ出力ノードに接続される出力スイッチOSWと、入力スイッチISWと出力スイッチOSWとの間に演算器ALU及び演算結果用フリップ・フロップCFF0とを有する第1データパスと、入力スイッチISWと出力スイッOSWチとの間に配線用フリップ・フロップを有する第2データパスとを具備し、演算結果用フリップ・フロップCFFは、演算器ALUの演算結果データを格納し、配線用フリップ・フロップは、前記複数のデータ入力ノードの何れかに入力されたデータを保持するように構成する。
【選択図】図2
Description
複数のデータ入力ノードに接続される入力スイッチと、複数のデータ出力ノードに接続される出力スイッチと、前記入力スイッチと前記出力スイッチとの間に演算器及び第1データ保持回路とを有する第1データパスと、前記入力スイッチと前記出力スイッチとの間に第2データ保持回路とを有する第2データパスとを具備し、前記第1データ保持回路は、前記演算器の演算結果データを格納し、前記第2データ保持回路は、前記複数のデータ入力ノードの何れかに入力されたデータを保持するように構成する。
上記の第1データ保存回路と第2データ保存回路は、データ転送を行うために、基本セル一個の通過に1クロックを要する。この改善手段として、セル通過時に、保存回路を介さずに、スルーでセル内を通過するパスを設ける方法も提示する。
1. 第一の実施の形態
以下では、第一の実施の形態として、データ転送のために、基本セル内の保存回路である配線フリップ・フロップを利用する方法を述べる。
高速動作が可能となる。なお、配線用フリップ・フロップRFF、演算結果格納用フリップ・フロップCFF、演算器ALU及びコンフィグレーション・メモリCMの位置関係は、本実施例に限定されない。例えば、配線用フリップ・フロップRFF及び演算結果格納用フリップ・フロップCFFを外側に配置し、演算器ALU及びコンフィグレーション・メモリCMを内側に配置しても良い。
次に、コンフィグレーション・コントローラCCNTが各セルのコンフィグレーション・メモリCMを更新する場合の手順を説明する。第1に、コンフィグレーション・コントローラCCNTはセル・アレイの列選択信号SXと、セル・アレイの行選択信号SYでコンフィグレーション情報を変更するセルを選択する。第2に、アドレス信号ADでセル内のコンフィグレーション記憶素子MEMDのアドレスを指定する。第3に、データ信号DTよりデータを送信し、コンフィグレーション情報をコンフィグレーション記憶素子MEMDに書き込む。
b0=(a0+a1)+(a2+a3),
b1=(a0−a1)×C0+(a2−a3)×C1,
b2=(a0+a1)−(a2+a3),
b4=(a0−a1)×C0−(a2−a3)×C1,
これらの式において、a0からa3は入力データ、b0からb3は出力データ、C0およびC1はフーリエ変換のための定数で予め決まっている。
f[t]=e[t]×C0+e[t−1]×C1+e[t−2]×C2+e[t−3]×C3
上記の式において、f[t]は時刻tにおけるフィルタの出力、e[t]は時刻tにおけるフィルタへの入力、C0からC3はフィルタ定数である。
2. 第2の実施の形態
以下では、第2の実施の形態を説明する。第2の実施の形態は、主に、第1の実施の形態と比較して、セル通過時にフリップ・フロップ(保存回路)を介さず、セル内を通過するためのスルーパスを設けたことに特徴がある。
図23に示す基本セルでは、図19に対し、スルーパス用の入力端子Lin-Th0、Lin-TH1と、出力端子Ro-Th0、Ro-TH1及びスルーパスセレクタTH0sel, TH1selを設けた。なお、TH1selは図が煩雑になるため、ここでは省略している。ここで、Lin-Th0から入力されたデータが転送されるパスは、スルーパスを継続するためTH0selを経由するパスと、スルーパスを終了し、セレクタR0selを通ってRFF0にデータ保存されるパスがある。スルーパスを終了するパスとして、演算器ALUの入力へのパスを設けず、配線フリップ・フロップのみに設けることにより、データ転送と演算が1サイクル内に共存されることを避けている。これにより、動作周波数を落とすことを防止できる。
3.適用するシステム機器の構成
図31は、本発明による動的にコンフィグレーション情報が変更可能なセル・アレイ回路を含むIP1001を内蔵するチップ1100を用いてソフトウェア無線端末を構成する場合のブロック図である。
Claims (22)
- 複数のデータ入力ノードに接続される入力スイッチと、
複数のデータ出力ノードに接続される出力スイッチと、
前記入力スイッチと前記出力スイッチとの間に演算器及び第1データ保持回路とを有する第1データパスと、
前記入力スイッチと前記出力スイッチとの間に第2データ保持回路とを有する第2データパスとを具備し、
前記第1データ保持回路は、前記演算器の演算結果データを格納し、前記第2データ保持回路は、前記複数のデータ入力ノードの何れかに入力されたデータを保持することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1において、
前記半導体集積回路は、前記入力スイッチにおける前記複数のデータ入力ノードと前記第1データパス及び前記第2データパスとの接続関係を設定するための第1入力スイッチ選択情報、前記出力スイッチにおける前記複数のデータ出力ノードと前記第1データパス及び前記第2データパスとの接続関係を設定するための第1出力スイッチ選択情報及び前記演算器の機能を設定するための第1演算機能情報を保持する第1メモリを更に具備することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2において、
前記演算器は、第1演算回路と、前記第1演算回路と異なる種類の演算を行う第2演算回路とを有し、前記第1演算機能情報に従って、前記第1演算回路を用いて演算を行うか前記第2演算回路を用いて演算を行うかが決定されることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2において、
前記半導体集積回路は、前記入力スイッチにおける前記複数のデータ入力ノードと前記第1データパス及び前記第2データパスとの接続関係を設定するための第2入力スイッチ選択情報、前記出力スイッチにおける前記複数のデータ出力ノードと前記第1データパス及び前記第2データパスとの接続関係を設定するための第2出力スイッチ選択情報及び前記演算器の機能を設定するための第2演算機能情報を保持するための第2メモリを更に具備し、前記第1メモリに保持される情報と前記第2メモリに保持される情報の何れか一方を選択して演算処理を行うことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項4において、
前記半導体集積回路は、前記第1メモリに保持される情報に従って演算処理を行っている際に、前記第2メモリへの前記第2入力スイッチ選択情報、前記第2出力スイッチ選択情報及び前記第2演算機能情報の書込みが可能であり、前記第2メモリに保持される情報に従って演算処理を行っている際に、前記第1メモリへの前記第1入力スイッチ選択情報、前記第1出力スイッチ選択情報及び前記第1演算機能情報の書込みが可能であることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2において、
前記第1メモリは、複数ビットの記憶素子を有し、
前記複数ビットの記憶素子の夫々は、アドレスにより指定可能とされることを特徴とする半導集積回路。 - 請求項1において、
前記半導体集積回路は、複数の基本セルがアレイ状に配置されるセル・アレイを更に具備し、
前記複数の基本セルの夫々は、前記入力スイッチ、前記出力スイッチ、前記第1データパス及び前記第2データパスを含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7において、
前記複数の基本セルの夫々は、前記入力スイッチにおける前記複数のデータ入力ノードと前記第1データパス及び前記第2データパスとの接続関係を設定するための第1入力スイッチ選択情報、前記出力スイッチにおける前記複数のデータ出力ノードと前記第1データパス及び前記第2データパスとの接続関係を設定するための第1出力スイッチ選択情報及び前記演算器の機能を設定するための第1演算機能情報を保持するためのメモリを更に含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項8において、
前記半導体集積回路は、前記複数の基本セルの夫々に含まれる前記メモリに前記第1入力スイッチ選択情報、前記第1出力スイッチ選択情報及び前記第1演算機能情報の書込みを制御するためのコントローラを更に具備することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項9において、
前記半導体集積回路は、処理すべきデータを格納するデータメモリを更に具備し、前記セル・アレイは、前記データメモリに格納されたデータが入力されることを更に具備することを特徴とする半導体集積回路。 - 第1基本セル、第2基本セル及び第3基本セルを含む複数の基本セルがアレイ状に配置されるセル・アレイを具備する半導体集積回路であって、
前記複数の基本セルの夫々は、第1データパスと第2データパスとを有し、
前記第2基本セルは、前記第1基本セルと前記第3基本セルの間に配置され、
前記第1データパスは、演算回路を含み、前記演算回路は、入力されたデータに対して所定の演算を行った演算結果データを出力し、
前記第2データパスは、入力されたデータを出力し、
前記半導体集積回路は、前記第1基本セルにおいて入力されたデータを演算し、その演算結果データを用いて前記第3基本セルにおいて演算を行う場合に、前記第1基本セルが出力する前記演算結果データを前記第2基本セルを介して前記第3基本セルに伝達し、
前記複数の基本セルの夫々に含まれる前記第1データパスと前記第2データパスは、並列して動作可能であることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項11において、
前記半導体集積回路は、前記第1基本セルが出力する前記演算結果データを前記第2基本セルを介して前記第3基本セルに伝達する場合に、前記演算結果データは、前記第2基本セルにおいて少なくとも1クロック・サイクル保持されることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項12において、
前記複数の基本セルの夫々は、入力されたデータを用いて演算を行う場合に、1クロック・サイクルで演算結果データを出力することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項11において、
前記第1データパスは、前記演算結果データを1クロック・サイクル保持するための第1データ保持回路を更に有し、
前記第2データパスは、入力されたデータを1クロック・サイクル保持するための第2データ保持回路を更に有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項11において、
前記第1データパスに含まれる演算回路は、異なる種類の演算を行うことが可能であることを特徴とする半導体集積回路。 - 複数の基本セルをアレイ状に配置したセル・アレイを具備する半導体集積回路であって、
前記複数の基本セルの夫々は、入力されたデータを演算処理し、その演算結果データを出力する第1データパスと、入力されたデータを出力する第2データパスとを有し、
前記複数の基本セルの夫々は、前記第1データパスを介して出力する場合であっても前記第2データパスを介して入力されたデータを出力する場合であっても、データが入力された後、1クロック・サイクル経過後に前記演算結果データ又は入力されたデータを出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項16において、
前記第1データパスは、前記演算結果データを保持するための第1データ保持回路を更に有し、前記第2データパスは、入力されたデータを保持するための第2データ保持回路を有し、前記第1データ保持回路及び前記第2データ保持回路は、前記複数の基本セルのうち対応する基本セルにデータが入力された後、1クロック・サイクル経過後に保持したデータを出力することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項16において、
前記第1データパスは、演算回路を有し、
前記演算回路は、異なる種類の演算が可能な構成であることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項18において、
前記演算回路は、第1演算回路と前記第1演算回路と異なる演算を行う第2演算回路を含み、前記第1演算回路と前記第2演算回路を切り換えることにより異なる種類の演算を行うことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項19において、
前記複数の基本セルの夫々は、前記演算回路が行う演算の種類を設定するための情報を保持するメモリを更に有することを特徴とする半導体集積回路。 - 複数のデータ入力ノードに接続される入力スイッチと、
複数のデータ出力ノードに接続される出力スイッチと、
前記入力スイッチと前記出力スイッチとの間に演算器及び第1データ保持回路とを有する第1データパスと、
前記入力スイッチと前記出力スイッチとの間に第2データ保持回路とを有する第2データパスと、
前記入力スイッチと前記出力スイッチとの間に保持回路を持たない第3データパスとを具備し、
前記第1データ保持回路は、前記演算器の演算結果データを格納し、前記第2データ保持回路は、前記複数のデータ入力ノードの何れかに入力されたデータを保持し、前記第3データパスは、前記複数のデータ入力ノードの何れかに入力されたデータを転送することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項21において、
前記半導体集積回路は、複数の基本セルがアレイ状に配置されるセル・アレイを更に具備し、
前記複数の基本セルの夫々は、前記入力スイッチ、前記出力スイッチ、前記第1データパス、前記第2データパス、及び前記第3データパスを含むことを特徴とする半導体集積回路。
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